FACULTAD DE CIENCIAS QUÍMICAS

MEMORIA

PLANTA DE PRODUCCIÓN DE SILICIO DE

GRADO SOLAR: DISEÑO DEL REACTOR.
 ÍNDICE
M.1. OBJETIVO ................................................................................................................ 2
M.2. JUSTIFICACIÓN DEL PROYECTO .............................................................................. 2
M.3. VIABILIDAD TECNOLÓGICA:.................................................................................... 2
M.3.1. Fundamento de semiconducción: ...................................................................... 2
M.3.2. TECNOLOGÍA DE PRODUCCIÓN DE SILICIO. ....................................................... 3
M.3.3. Obtención de silicio metalúrgico ....................................................................... 3
M.3.3.1. CARBORREDUCCIÓN TÉRMICA: SILICIO METALÚRGICO ............................... 3
M.3.4. Obtención de silicio ultrapuro ........................................................................... 5
M.3.4.1. PROCESO SIEMENS........................................................................................ 5
M.3.4.2. PROCESO UNION CARBIDE:........................................................................... 6
M.3.4.3. PROCESO MIXTO O HÍBRIDO ENTRE UNION CARBIDE Y SIEMENS. ............... 8
M.3.5. Selección del proceso......................................................................................... 8
M.4. ESTUDIO DE MERCADO. ......................................................................................... 8
M.4.1. Materias primas y productos. ........................................................................... 8
M.4.2. Demanda futura de polisilicio............................................................................ 9
M.5. TAMAÑO DE PROYECTO ....................................................................................... 10
M.6. LOCALIZACIÓN DEL PROYECTO............................................................................. 11
M.7. INGENIERÍA DE PROCESO. .................................................................................... 12
M.7.1. Análisis a la materia prima, producto y subproducto. .................................... 12
M.7.2. Proceso productivo .......................................................................................... 13
M.7.2.1. CARBORREDUCCIÓN DEL CUARZO .............................................................. 14
M.7.2.2. REACCIÓN DE HIDROGENACIÓN. ................................................................ 14
M.7.2.3. FASE DE PURIFICACIÓN: SEPARACIÓN, DESTILACIÓN Y DESTILACIÓN
REACTIVA.............................................................................................................. 15
M.7.2.4. PIRÓLISIS DE SILANO: DEPOSICIÓN DE SILICIO. .......................................... 16
M.8. DISEÑO DEL REACTOR DE DEPOSICIÓN DE SILICIO. ............................................. 17
M.9. DISTRIBUCIÓN EN PLANTA (LAY-OUT). ................................................................ 18
M.9.1. Empleados en planta. ...................................................................................... 18
M.9.2. Sectores del solar............................................................................................. 19
M.10. EVALUACIÓN ECONÓMICA. .................................................................................. 20
M.10.1. Costes de producción. ...................................................................................... 20
M.10.2. Capital invertido. ............................................................................................. 21
M.10.3. Rentabilidad del proceso (beneficio y tiempo de retorno). ............................. 22
 ÍNDICE DE FIGURAS

Figura M.3- 1 Esquema general de un horno de arco eléctrico ............................................... 5

Figura M.3- 2 Esquema general de un reactor Siemens de deposición de silicio ..................... 6

Figura M.4- 1 Análisis del mercado de polisilicio a nivel europeo............................................ 9

Figura M.5- 1 Punto de nivelación en el análisis económico al proceso. ............................... 11

Figura M.8- 1 Esquema del lazo de control planteado al reactor. ......................................... 18

Figura M.9- 1 Sectores establecidos en el solar adquirido. .................................................... 19

 ÍNDICE DE TABLAS

Tabla M.3-1 Resumen de reacciones del cuarzo en HAE-01. ................................................... 4

Tabla M.4- 1 Resultados de demanda futura......................................................................... 10

Tabla M.5- 1 Resumen de partidas económicas de los costes fijos, variables e inmovilizado 10

Tabla M.7- 1 Composición química del carbón empleado ..................................................... 13

Tabla M.7- 2 Composición química del cuarzo utilizado ........................................................ 13
Tabla M.7- 3 Composición general de microsílice, en función de su origen. ......................... 13

Tabla M.9- 1 Esquema resumen de trabajadores empleados por áreas. .............................. 18

 Planta de producción de silicio de grado solar.

M.1. OBJETIVO

El propósito del presente proyecto es el diseño de una planta de producción de silicio

de grado solar (silicio de pureza 6N) para su posterior uso como materia prima en
construcción de células y módulos fotovoltaicos.

La planta presenta un ritmo productivo de 5.200 tm/año y se ubica en el polígono

empresarial del municipio de Sionlla, en torno a 15 km del núcleo urbano de Santiago
de Compostela, provincia de La Coruña (Galicia).

Además del estudio de viabilidad tecnológica, económica, y análisis interno de la

planta en cuanto a requerimientos materiales y energéticos, también se ha realizado el
diseño de uno de los reactores empleados en el proceso productivo, quedando al
margen el diseño del resto de equipos, red de tuberías y válvulas.

M.2. JUSTIFICACIÓN DEL PROYECTO

El gran requerimiento energético al que los países desarrollados se enfrentan, junto

con la indudable dependencia respecto de las naciones productoras de petróleo y demás
fuentes de energía de origen fósil, hacen muy atractivo optar por las vías de obtención
de energías renovables. Del mismo modo, en materia ambiental, el cambio climático
obligará a reducir al máximo las emisiones de gases de efecto invernadero procedentes
de los procesos de combustión.

La energía solar fotovoltaica se presenta como alternativa al empleo de energías no

renovables, pues además se encuentra en constante desarrollo; de esta forma, el
crecimiento en la demanda de las materias primas que conforman las placas y módulos
fotovoltaicos (como el silicio ultrapuro de grado solar) está al alza, y se prevé que
continúe así durante un gran periodo de tiempo.

M.3. VIABILIDAD TECNOLÓGICA:

El silicio es uno de los componentes mayoritarios en la corteza terrestre, y debido a

sus diferentes usos y aplicaciones, su obtención adquiere gran importancia en el área
industrial de producción metalúrgica. La utilización del silicio en el presente proyecto
ahonda en sus características como semiconductor, siendo un factor importante en la
producción de energía renovable a nivel mundial.

M.3.1. Fundamento de semiconducción:

En el área de la permisividad eléctrica, los materiales se clasifican en tres grupos

(generalmente):

M.2
 Memoria

a) Conductores: si sin alteración ninguna posibilitan el paso de los electrones a

través de sí.
b) Aislantes: si bajo ningún concepto actúan transportando la electricidad.
c) Semiconductores: materiales que, de manera habitual no conducen la corriente
eléctrica, pero que, si se ven alterados energéticamente, pueden actuar como
conductores; en este nivel se ubicaría el silicio.

La explicación al cambio de comportamiento de los semiconductores cuando son

alterados energéticamente se encuentra en la teoría de bandas. En esta, se explica cómo
los electrones estables de manera habitual ocupan su posición en la estructura
cristalina, sin embargo, si se les dona la suficiente energía, estos pueden saltar a otras
posiciones, induciendo a otros electrones vecinos, generándose la corriente.

Dentro de la clasificación de semiconductores, existen los intrínsecos (poseen la

condición de semiconducción por sí mismos), o los extrínsecos (han sido alterados
estructuralmente para facilitar los saltos de las cargas) (tipo P y tipo N).

Para la obtención final de energía eléctrica mediante un material semiconductor y

energía, será necesario implementar una unión de semiconductores PN (tipo P + tipo N),
siendo ésta la teoría en que se basa la construcción de módulos y células fotovoltaicas.

M.3.2. TECNOLOGÍA DE PRODUCCIÓN DE SILICIO.

La producción de silicio sigue principalmente dos rutas, una basada en reacciones

químicas simples entre compuestos (denominada ruta química), y otra basada en la
reducción y oxidación de iones (con procesos electrolíticos involucrados).

Dentro de ambas rutas, podrá obtenerse silicio de una pureza menor (como el silicio
de grado metalúrgico con alrededor de 96-98%) o con una muy elevada (como el silicio
con carácter semiconductor y electrónico con 99,999999% como mínimo). De esta
manera, dependiendo del requerimiento en el producto demandado podrá recurrirse a
unos procesos u otros.

Destacan industrialmente, dentro de la ruta química, la carborreducción de sílice, en

producción de silicio metalúrgico, y los Procesos Siemens, Union Carbide, y uno híbrido
entre los dos anteriores, en la producción de silicio ultrapuro.

M.3.3. Obtención de silicio metalúrgico

M.3.3.1. CARBORREDUCCIÓN TÉRMICA: SILICIO METALÚRGICO

Se trata del proceso de producción de silicio de grado metalúrgico con más acogida a
nivel industrial.

Consiste en la reacción de reducción del sílice previamente secado y granulado en

presencia de materia carbonosa en condiciones extremas de temperatura, en torno a
2000ºC, alcanzadas mediante un horno de arco eléctrico.

M.3
 Planta de producción de silicio de grado solar.

El horno presenta tres electrodos que aportan una corriente trifásica a la mezcla de
materia carbonosa y sílice permitiendo las siguientes reacciones:

Reacción principal 𝑆𝑖𝑂2 (𝑠) + 2𝐶 ⇄ 𝑆𝑖𝑀𝐺 + 2𝐶𝑂

2𝑆𝑖𝑂2 + 𝑆𝑖𝐶 ⇄ 3𝑆𝑖𝑂 + 𝐶𝑂

𝑆𝑖𝑂 + 𝑆𝑖𝐶 ⇄ 2𝑆𝑖 + 2𝐶𝑂

Otras reacciones
𝑆𝑖𝑂 + 2𝐶 ⇄ 𝑆𝑖𝐶 + 𝐶𝑂

2𝑆𝑖𝑂 ⇄ 𝑆𝑖 + 𝑆𝑖𝑂2
Tabla M.3-1 Resumen de reacciones del cuarzo en HAE-01.

La reacción principal, es el resumen de la química del proceso, las otras reflejan la

realidad sucedida en el interior del horno, donde, en función de la zona analizada, se
alcanzan unas temperaturas u otras, favoreciéndose, por ejemplo, la generación de
gases de sílice o el carburo de silicio, o bien, la producción de silicio elemental.

Además de la materia prima sólida consistente en el carbón y el cuarzo triturado, se

introduce al horno una corriente de aire, que permitirá oxidar aquellos elementos
volátiles indeseados, presentes por naturaleza en el carbón.

Del equipo de carborreducción se extrae, por un lado, una corriente de gases

compuestos mayoritariamente por dióxido de carbono (pues el monóxido producido se
oxida a dióxido con el exceso de oxígeno con el que se trabaja), nitrógeno procedente
del aire alimentado, y el oxígeno sobrante. Aunque también arrastra una muy pequeña
parte de sílice no convertido a silicio, en forma de polvo, que posteriormente se separa,
con fines comerciales.

El producto principal, se extrae del horno por la parte inferior, en forma de silicio
fundido, en presencia de escorias, y otros compuestos no reaccionados como el
carbono, o el sílice. Separando estas impurezas, se alcanza la pureza del producto
deseada, de grado metalúrgico (96-98,5%).

Un esquema general del proceso de carborreducción se presenta a continuación.

M.4
 Memoria

Figura M.3- 1 Esquema general de un horno de arco eléctrico

M.3.4. Obtención de silicio ultrapuro

Para conseguir elevar la pureza del silicio a niveles 6N, 9N o incluso 12N, son
necesarios otros procesos. Los expuestos a continuación son los procesos más
extendidos también a nivel industrial de producción de silicio ultrapuro, y parten como
materia prima del silicio de grado metalúrgico (como el obtenido mediante la
carborreducción del sílice). Esta purificación del silicio se fundamenta en la producción
de gases ricos en este elemento, para posteriormente conseguir su deposición,
alcanzando la pureza objetivo-deseada.

M.3.4.1. PROCESO SIEMENS

Consiste en la producción de clorosilanos (gases) mediante la hidrocloración de silicio

de grado metalúrgico en un reactor de lecho fluidizado sin catalizador bajo las
condiciones de 300-350ºC y 0,1-0,5 MPa.

𝑆𝑖𝑀𝐺 + 3𝐻𝐶𝑙 ⇄ 𝐻𝑆𝑖𝐶𝑙3 + 𝐻2

𝑆𝑖𝑀𝐺 + 4𝐻𝐶𝑙 ⇄ 𝑆𝑖𝐶𝑙4 + 2𝐻2

Como productos gaseosos se obtiene una mezcla de clorosilanos e hidrógeno. De

manera que, para el verdadero aprovechamiento de los compuestos, se requieren
diferentes fases de purificación (fases de destilación).

En primer lugar, el hidrógeno se separa de la mezcla de clorosilanos. Esta operación

se hace sencilla por la notable diferencia entre los puntos de ebullición entre el
hidrógeno y el resto de los compuestos.

M.5
 Planta de producción de silicio de grado solar.

Por otro lado, los clorosilanos también son separados, mediante otra fase de
destilación, en la que se obtiene un triclorosilano (TCS) de muy elevada pureza; siendo
éste el protagonista de la última fase del Proceso Siemens descrito.

El TCS ultrapuro separado, es vaporizado, y mezclado con hidrógeno de nuevo;

después esta corriente se alimenta en el último reactor, en el que tiene lugar una
deposición de vapor mediante mecanismo térmico y químico simultáneamente:

𝐻𝑆𝑖𝐶𝑙3 + 𝐻2 ⇄ 𝑆𝑖𝑆𝐺 + 3𝐻𝐶𝑙

2𝐻𝑆𝑖𝐶𝑙3 ⇄ 𝑆𝑖𝑆𝐺 + 𝑆𝑖𝐶𝑙4 + 2𝐻𝐶𝑙

Esta deposición de vapor tiene lugar en un reactor tipo Siemens bajo un enorme gasto
energético por las altas temperaturas requeridas. Consiste en una campana refractaria
en la que existen unas barras que actúan de semilla, donde se deposita el silicio
ultrapuro generado.

Figura M.3- 2 Esquema general de un reactor Siemens de deposición de silicio

Del reactor de deposición de silicio, se extraen los gases no reaccionados, así como
los producidos, y se destinan a nuevas fases de purificación para componentes cuyo
reaprovechamiento sea rentable, como el HCl o el hidrógeno.

A pesar de ser el Proceso Siemens el que representa la mayor parte de la producción

de silicio ultrapuro a nivel mundial, presenta inconvenientes, como el gran consumo
energético que supone. Esto hizo el desarrollo de nuevos procesos como el expuesto a
continuación.

M.3.4.2. PROCESO UNION CARBIDE:

El proceso desarrollado por la compañía Union Carbide, de quien recibe su nombre,

también recurre a la deposición de un gas para la producción de silicio, sin embargo, en
lugar de emplear el triclorosilano, utiliza el monosilano.

Este proceso parte, de nuevo, con silicio de grado metalúrgico como materia prima y
como objetivo tendrá su purificación.

M.6
 Memoria

En primer lugar, se somete al silicio MG a un proceso de hidrogenación, en presencia

de un clorosilano gaseoso (tetraclorosilano TET), también en un reactor de lecho
fluidizado. Esta vez, según diferentes estudios, sí se emplea un catalizador (CuCl 2)
acelerándose la velocidad de reacción.

3𝑆𝑖𝐶𝑙4 + 2𝐻2 + 𝑆𝑖𝑀𝐺 ⇄ 4𝑆𝑖𝐻𝐶𝑙3

Aunque la presencia del catalizador favorezca la cinética de reacción, las

conversiones alcanzadas en este proceso son bajas, lo que hace que los gases extraídos
del reactor estén compuestos también en gran parte de reactivos no reaccionados.

Igual que en el proceso Siemens, los gases de salida del reactor, se purifican. El
hidrógeno, como incondensable es separado fácilmente mediante una fase de
destilación.

La mezcla de clorosilanos, posteriormente se somete también a un proceso de

destilado, separando ambos componentes. El más pesado (TET), se obtendrá por colas
en una torre de destilación, el TCS (más ligero) es extraído por cabezas.

La siguiente fase, novedosa respecto al proceso Siemens, es la utilización un equipo

de destilación reactiva (inicialmente, no se recurría a un único equipo, sino que se
colocaban en serie fases de reacción seguidas de destilación) donde tiene lugar una
distribución de los cloruros e hidrógenos de los compuestos, y cuyos principales
productos son el silano (obtenido por cabezas) y TET (extraído por colas). Este
compuesto no mencionado hasta ahora es el gas mediante el cual se obtiene el silicio.

El equipo de destilación reactiva consiste en una única torre donde coexisten 3 fases:
una de reacción (intermedia), empacada o de platos, con un catalizador (normalmente
se utilizan resinas de intercambio aniónico) y dos de rectificación (en los extremos), para
separar los compuestos. Las reacciones sucedidas son:

2𝐻𝑆𝑖𝐶𝑙3 ⇄ 𝐻2 𝑆𝑖𝐶𝑙2 + 𝑆𝑖𝐶𝑙4

2𝑆𝑖𝐻2 𝐶𝑙2 ⇄ 𝐻3 𝑆𝑖𝐶𝑙 + 𝐻𝑆𝑖𝐶𝑙3

2𝐻3 𝑆𝑖𝐶𝑙 ⇄ 𝐻2 𝑆𝑖𝐶𝑙2 + 𝑆𝑖𝐻4

Las fases de destilación (esta y la anterior) en las que se obtiene tetracloruro de silicio
proporcionan tanta pureza que se permite su recirculación de nuevo al proceso,
introduciéndose en el reactor de hidrogenación y significando un importante ahorro.

En último lugar, el silano producido, se dirige a un reactor de deposición que puede

presentarse de dos formas. La primera forma, se asemeja al reactor utilizado en el
proceso Siemens, donde existen unas barras, en las que se deposita el silicio tras la
pirólisis del gas. Sin embargo, esta modalidad de reactor no permite trabajar en
continuo, pues se han de cambiar las barras-semilla cuando se ha depositado suficiente
silicio sobre ellas. La otra forma, consiste en un reactor de lecho fluidizado, el cual ejerce
el papel de las semillas donde depositarse el silicio. De igual manera que con las barras,

M.7
 Planta de producción de silicio de grado solar.

el lecho ha de ser renovado, pero sí permite su utilización en régimen continuo, lo que

implica un notable ahorro energético.

𝑆𝑖𝐻4 ⇄ 2𝐻2 + 𝑆𝑖𝑆𝐺

Además del ahorro relativo al régimen continuo, las condiciones de operación de la

pirólisis del silano no son tan extremas como las necesarias en el reactor de campana
del proceso Siemens.

M.3.4.3. PROCESO MIXTO O HÍBRIDO ENTRE UNION CARBIDE Y SIEMENS.

Se trata de una mezcla de ambos procesos, en el que la producción de clorosilanos

tiene lugar de la misma manera que en el proceso Union carbide, mediante la
hidrogenación de silicio metalúrgico y presencia de tetraclorosilano. Sin embargo, la
posterior purificación de compuestos no es seguida de una distribución de cloruro e
hidruros, y el gas empleado para la deposición de silicio es el triclorosilano, igual que en
el proceso Siemens.

M.3.5. Selección del proceso.

En el presente proyecto, se ha decidido implantar el proceso Union Carbide, pues

mediante este y su posibilidad de desarrollarse en régimen continuo, además del ahorro
que supone la deposición de silicio proveniente del silano, en lugar del triclorosilano,
permitirán obtener un mayor beneficio, durante un mayor tiempo.

La obtención de silicio metalúrgico se ha incluido en el proyecto, aplicando el proceso

de reducción carbotérmica del cuarzo.

M.4. ESTUDIO DE MERCADO.

M.4.1. Materias primas y productos.

El análisis al mercado de las materias primas se enfoca en la producción de estas en

el territorio nacional. De entre los reactivos necesarios para el proceso proyectado,
España es considerada una gran productora de cuarzo, sin embargo, también una gran
importadora de carbón. En cuanto a la adquisición de las materias primas gaseosas,
adquiere mayor importancia el tetracloruro de silicio, cuya producción a gran escala, no
existe a nivel nacional, ya que normalmente se obtiene como subproducto de ciertas
industrias que lo reaprovechan como materia prima para producción de sílice pirógena.
Por otro lado, el requerimiento de hidrógeno será abastecido por plantas nacionales.

En cuanto al producto generado en el proceso, se ha analizado su hueco de mercado

en dos niveles, nacional y europeo. No existen datos de producción a nivel nacional, por
lo que toda presencia de silicio de grado solar en fabricación de módulos y células
fotovoltaicas a nivel España se explica mediante la importación del mismo, o bien por la
producción a nivel planta piloto.

M.8
 Memoria

Así, no se ha desarrollado un cálculo en torno a la demanda insatisfecha de dicho

producto en el país, pues siendo objetivos esta insatisfacción sería total de no ser por
las importaciones.

Por otro lado, en materia legal, España no está favoreciendo el desarrollo de la

producción de energía solar fotovoltaica viéndose perjudicadas de esta manera las
compañías fabricantes de módulos y células solares (principal destino del polisilicio).

De este modo, la salida del producto ha sido enfocada hacia el mercado europeo,
donde tienen presencia grandes productores y competidores en producción de
polisilicio ultrapuro, como la compañía alemana Wacker, mediante la cual se estimó la
demanda futura a nivel continental, así como la empresa noruega Elkem. Además, en
ámbito legislativo, existen algunos países europeos, cuyo desarrollo en materia de
regulación energética favorecen mucho más que España el crecimiento en producción
de energía fotovoltaica, aumentando sus requerimientos en polisilicio.

Mercado del Polisilicio en Europa

100.000,00

75.000,00
Polisilicio (MT)

50.000,00

25.000,00

0,00
2008 2010 2012 2014 2016 2018
Prod Poli.FV europa (MT)
Importaciones Poli Eurozona (MT) AÑO
Exportaciones Poli Eurozona (MT)
Consumo aparente (MT)

Figura M.4- 1 Análisis del mercado de polisilicio a nivel europeo

M.4.2. Demanda futura de polisilicio

El análisis de demanda del producto se ha realizado a nivel europeo pues es de donde

se han obtenido datos comerciales representativos. Sin embargo, no se ha considerado
el cálculo de la demanda insatisfecha, pues los mercados individuales de cada país varían
unilateralmente pudiendo satisfacer unos los requerimientos de otros. De este modo,
se ha obtenido el valor de demanda futura a nivel continental, y se ha considerado cubrir
un porcentaje pequeño de esa demanda, no arriesgando en torno a la inversión en el
proyecto.

La demanda futura de ha obtenido asumiendo que la producción en el continente

estaba representada por la producción de la compañía alemana Wacker (para el cálculo
del consumo aparente del silicio ultrapuro).

Los valores obtenidos respecto a los 3 métodos de cálculo aplicados son:

M.9
 Planta de producción de silicio de grado solar.

METODO APLICADO VALOR OBTENIDO DE DEMANDA FUTURA

Econométrico 268.176 tm/año

Tendencia histórica 278.739 tm/año

Coeficiente técnico 260.415 tm/año

Tabla M.4- 1 Resultados de demanda futura

La capacidad máxima de producción se establece a criterio de este proyecto,

decidiendo cubrir un 2% de la demanda futura (respecto a la demanda en el año 2038),
asegurando no excederse en el requerimiento a corto plazo (año 2019) que, en el caso,
pasa a representar un 4,75% del total requerido en el continente.

M.5. TAMAÑO DE PROYECTO

El objetivo del estudio del tamaño de proyecto es establecer el punto de nivelación,

caracterizado por la producción mínima a la cual la planta proyectada comenzará a
generar beneficios. Se trata de un estudio muy aproximado, pues no se conocen de
manera exacta los gastos en la planta

Para obtener las rectas que proporcionan el punto de nivelación, es necesario hacer
estimaciones en torno a los gastos que supone la construcción y mantenimiento de la
planta, como las partidas de materias primas, los servicios generales empleados, la
mano de obra contratada, así como la inversión inmovilizada.

𝐶 = 𝑀1 + 1,5 · 𝑀2 + 𝑀5 + 0.3 · 𝐼

𝐼 = 𝐼𝐴 + 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

Partidas Costes
Materias primas (M1) 17,874 MM €/año
Servicios Generales (M5) 19,194 MM €/año
Mano de obra directa (m.o.d) (M2) 3,636 MM €/año
Activo fijo (IA) 91,35 MM€
Estudios previos(IB) 13,70 MM€
Puesta en marcha (IC) 9,135 MM€
Capital Inmovilizado (I) 114,1875 MM €
Costes fijos (CF) 15.356 MM €/año
Costes totales de producción (C) 76,778 MM €/año
Tabla M.5- 1 Resumen de partidas económicas de los costes fijos, variables e inmovilizado

M.10
 Memoria

En la resolución gráfica del punto de nivelación se representa por un lado la recta de

ventas, de la que se extraen los ingresos:

𝑉 = 𝑝𝑥𝑞

Donde p es el precio del silicio ultrapuro producido, y q la producción de este.

Por otro lado, se representan 2 puntos pertenecientes a la recta de costes, donde a

q=0, se tiene los costes fijos, y a qmax se tienen los costes totales.

Punto de nivelación
100
Ingresos o Costes (MM€/año)

90
80 y = 0,017x
70
60
50
40 y = 0,0118x + 15,356
30
20 Ingresos
10
Costes
0
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
Producción (tm/año)

Figura M.5- 1 Punto de nivelación en el análisis económico al proceso.

El punto en el que se cruzan ambas rectas (2.952,5 TM/año) aporta el ritmo mínimo
de producción al que la planta debe funcionar para igualarse los costes de producción
con los ingresos por las ventas realizadas.

M.6. LOCALIZACIÓN DEL PROYECTO.

El estudio relativo a la ubicación real de la planta proyectada ha tenido en cuenta

varios factores, entre los que destacan el suministro de materias primas y combustibles,
el mercado de productos, y los diferentes medios de transporte presentes (que faciliten
el acceso de materias primas y salida de productos). También se estudian otros
secundarios, como son la climatología, o los factores de riesgo como la sismicidad, el
riesgo de tsunamis o bien el índice de incendios por ola de calor (se habla de factores de
riesgo como secundarios ya que algunos, como la sismicidad en el territorio nacional
apenas tiene importancia).

En primer lugar, se analiza la producción de cuarzo, cuyo foco productivo principal se

ubica entre Galicia y Asturias, lo que reduce por un lado las posibilidades de situar la
planta en el sur, centro y este del territorio nacional, pues el cuarzo es un material muy
voluminoso, y se encarecerían muy notablemente los gastos de transporte.

M.11
 Planta de producción de silicio de grado solar.

En segundo lugar, se estudia la importación de carbón (como materia prima

carbonosa), ya que el producido en España presenta mala calidad. Además, analizando
más profundamente la zona norte del país, se conoce que el puerto mercantil de La
Coruña recibe grandes cargas procedentes del continente americano, más exactamente
de Colombia,

En cuanto al abastecimiento del tetracloruro de silicio, se enfoca de manera que

pueda llegar por cargas al puerto marítimo, procedente de Europa central (Evonik, el
principal productor de este compuesto tiene sede en Alemania), lo que la comunidad
gallega podría permitirse al tener acceso al mar Cantábrico y océano Atlántico,
conectados al mar del norte (este baña las costas alemanas) por el canal de la mancha.

Con relación al suministro energético mediante combustibles, los núcleos industriales

de la comunidad, repartidos entre Santiago de Compostela, Pontevedra, Vigo, La Coruña
y Ferrol hacen necesaria la existencia de gasoductos y oleoductos que atraviesan la
comunidad de norte a sur, haciendo factible el suministro en una planta situada en la
zona.

Teniendo en cuenta los factores descritos, se escogió la comunidad autónoma de

Galicia para localizar la planta, y más precisamente la provincia de La Coruña por poseer
una notable industrialización y además, tener puertos mercantiles de gran importancia.
Sin embargo, la sobremasificación en los parques empresariales de la capital coruñesa,
ha hecho ampliar el radio de búsqueda, pues tras el análisis del suelo industrial facilitado
por Xestur, no se encontró suelo calificado como industrial de las características
requeridas. Finalmente, se encuentra un terreno de tamaño óptimo en el parque
empresarial del municipio de Sionlla, cerca del aeropuerto de la capital gallega (Santiago
de Compostela).

La localización de la planta proyectada tierra adentro permite acortar distancias hacia

los yacimientos de cuarzo, y al encontrarse a la misma distancia de varios puertos
mercantiles de importancia (Pontevedra, La Coruña, Vigo) permite el abastecimiento
desde todos ellos.

M.7. INGENIERÍA DE PROCESO.

En el Anexo 5: Ingeniería de proceso, se detallan con precisión las operaciones

constituyentes del proceso global, aportando todos los datos necesarios para su
posterior estudio en el Anexo 6: Balances de Materia y Energía. Su entendimiento será
mucho mas sencillo observando paralelamente el diagrama de proceso, descrito en el
Plano nº 1

M.7.1. Análisis a la materia prima, producto y subproducto.

Para desempeñar el proceso productivo ha sido necesario el aprovisionamiento de

las siguientes materias primas, junto con su composición característica:

M.12
 Memoria

- Carbón mineral como materia carbonosa reductora:

Mineral %C (wt) % cenizas (wt) % Volátiles (wt)

3.6%
%N %O %S
Antracita 87.1 9.3 %Humedad (wt)
(wt) (wt) (wt)
80% 5% 12% 3%
Tabla M.7- 1 Composición química del carbón empleado

- Cuarzo mineral como fuente de sílice.

Compuesto Silice (SiO2) Al2O3 Fe2O3 CaO MgO

Cantidad 99,5% 0,1% 0,15% 0,2% 0,05 %

Tabla M.7- 2 Composición química del cuarzo utilizado

- Electrodos de carbono tipo Soderberg, indicados para la aplicación en hornos

eléctricos.
- Tetracloruro de silicio, fresco al 99,999% suministrado por la compañía alemana
Evonik.
- Hidrógeno fresco al 99,999%.

Los productos generados en el proceso son:

- Microsílice, cuya composición general, depende del proceso en el que obtiene.

Composición (%) Producción de silicio Producción de ferrosilicio

Sílice 92 85-92
C libre 2,6 2,5
SiC 1,8 0,2
MgO 0,6 0,6
Si libre 0,3 0,1
Fe2O3 0,1 0,5-3
Otros 1,4 3,7-6,2
Tabla M.7- 3 Composición general de microsílice, en función de su origen.

- Silicio policristalino ultrapuro (6N) con aplicación como semiconductor.

M.7.2. Proceso productivo

La planta va a trabajar en régimen continuo durante su funcionamiento, haciendo

una única parada de 30 días (un mes) para llevar a cabo una revisión de equipos y
limpieza general.

M.13
 Planta de producción de silicio de grado solar.

M.7.2.1. CARBORREDUCCIÓN DEL CUARZO

En primer lugar, se alimentan el carbón mineral (910 kg/h) y el cuarzo (2000kg/h) al

sistema en condiciones ambientales (298K y 1 atm). El segundo de estos requiere un
tratamiento de machacado para hacer más eficaz el proceso químico posterior. Tras el
machaqueo, ambos minerales se someten a un episodio de secado, extrayendo la mayor
parte del agua (95%), de manera que se evite su condensación en fases posteriores en
presencia de gases que acidifiquen el medio; así se previenen numerosos daños
producidos por mecanismos de corrosión.

Después, una vez establecido el estado estacionario, se aprovechan los gases de

combustión y reacción producidos en el horno para precalentar al máximo la
alimentación sólida al horno de arco eléctrico, y la alimentación de aire.

La alimentación sólida al horno consiste en carbón, óxido de silicio y pequeñas trazas

de compuestos metálicos y elementos volátiles naturales del carbón. La corriente
gaseosa introducida también para oxidar al máximo los gases producidos, consiste en
aire seco (10.000 kg/h), y arrastrará todos los productos de la oxidación que tiene lugar,
además de una pequeña parte de sílice que escapa a la fusión mediante la intensidad
del arco eléctrico.

Los electrodos presentes como parte del horno son los encargados de generar tal
intensidad de corriente, que mediante efecto Joule hacen fundirse el sílice, dado lugar
a la reacción de producción de silicio metalúrgico, producto intermedio de la planta.

Las reacciones químicas sucedidas relacionadas con el sílice son:

𝑆𝑖𝑂2 (𝑠) + 2𝐶(𝑠) → 𝑆𝑖(𝑙) + 2𝐶𝑂(𝑔)

𝑆𝑖𝑂2 (𝑠, 𝑙) + 3𝐶 ⇄ 𝑆𝑖𝐶 (𝑔) + 3𝐶𝑂

Los gases de salida junto con el microsílice se extraen en torno a 1400ºC, sirviendo
para precalentar la alimentación al horno. Posteriormente se filtra el subproducto
mediante un filtro de mangas para obtener beneficio económico del mismo.

La corriente bifásica sólido-líquido extraída por la base del horno en torno a 1700ºC,
se constituye mayoritariamente de silicio fundido (746 kg/h) (la conversión del sílice es
de 85%), carbono y cuarzo no reaccionado, carburo de silicio producido, y trazas de
óxidos metálicos. En los posteriores equipos, la cuchara de colada y granuladora de
agua, se analiza la purificación del silicio mediante la eliminación de las escorias y
materias no reaccionadas por flotación, y su solidificación en granos para ser alimentado
al reactor de producción de triclorosilano.

M.7.2.2. REACCIÓN DE HIDROGENACIÓN.

El reactor de hidrogenación recibe silicio de grado metalúrgico granulado a las

condiciones de reacción (500ºC), para formar el lecho fluidizado del mismo (además del
catalizador a base de cloruro de cobre que acelera la reacción).

M.14
 Memoria

El gas encargado de fluidizar el lecho es una mezcla de hidrógeno y tetracloruro de

silicio (1:1 molar) preacondicionado a 35 atm, que es partícipe de la siguiente reacción:

3𝑆𝑖𝐶𝑙4 + 𝑆𝑖𝑀𝐺 + 2𝐻2 ⇄ 4𝐻𝑆𝑖𝐶𝑙3

La conversión alcanzada en este equipo no supera el 30%, de forma que los gases de
salida de este se componen en parte de reactivos no reaccionados.

El lecho de silicio va agotándose, no obstante, existe un tanque en paralelo al reactor

que recibe el silicio del lecho no reaccionado y el recién solidificado en la granuladora,
haciendo de tolva de alimentación y recirculación al reactor.

La corriente gaseosa producida consta de hidrógeno, tetracloruro de silicio, y

triclorosilano, y se extrae a las condiciones de reacción. Además, arrastra impurezas
sólidas muy pequeñas presentes en el lecho que más tarde se separan mediante un
ciclón.

M.7.2.3. FASE DE PURIFICACIÓN: SEPARACIÓN, DESTILACIÓN Y

DESTILACIÓN REACTIVA

La mezcla gaseosa se somete después a 2 fases de purificación.

La primera consiste en una descompresión a 1,5 atm y posterior enfriamiento hasta

331K (temperatura de burbuja de la mezcla de clorosilanos) de manera que los
componentes se separen al 100% en 2 fases. El gas se compone al 100% de hidrógeno,
y el líquido es mezcla de triclorosilano y tetracloruro de silicio.

El hidrógeno se aprovecha en una fase posterior como elemento fluidizante y

energizante.

La combinación líquida de clorosilanos, se dirige a la segunda fase de purificación, en

una torre de destilación, en la que se separan ambos componentes a un alto nivel.
(96,15%n en triclorosilano por cabezas, y 99%n en tetracloruro de silicio por colas).

Seguidamente, el triclorosilano purificado (13.947,1 kg/h) en forma de líquido

saturado se acondiciona hasta 5,5 atm mediante una bomba, y calienta hasta 323K.
Después se dirige a otro equipo, donde tiene lugar un episodio de reacción. Aquí, en la
torre de destilación reactiva, ocurre una redistribución del hidrógeno y cloro entre los
componentes, obteniéndose como productos monosilano y tetracloruro de silicio.

2𝑆𝑖𝐻𝐶𝑙3 ⇄ 𝑆𝑖𝐻2 𝐶𝑙2 + 𝑆𝑖𝐶𝑙4

2𝑆𝑖𝐻2 𝐶𝑙2 ⇄ 𝑆𝑖𝐻𝐶𝑙3 + 𝑆𝑖𝐻3 𝐶𝑙

2𝑆𝑖𝐻3 𝐶𝑙 ⇄ 𝑆𝑖𝐻4 + 𝑆𝑖𝐻2 𝐶𝑙2

La torre de destilación reactiva presenta 3 zonas, una central, en la que ocurre el

reparto químico, y dos de rectificación (superior e inferior), donde tiene lugar una
transferencia de materia entre fases, enriqueciéndose el gas en silano (en cabezas) y el
líquido en tetracloruro (en colas).

M.15
 Planta de producción de silicio de grado solar.

La presencia de estas fases de destilación, que extraen constantemente los productos

de la zona de reacción, permite alcanzar una conversión del 100%. Además, la fase de
reacción cuenta con un catalizador empacado a base de resinas iónicas de amonio
cuaternario, acelerando el proceso.

4𝐻𝑆𝑖𝐶𝑙3 → 𝑆𝑖𝐻4 + 3𝑆𝑖𝐶𝑙4

Finalmente, el silano obtenido (826,84 kg/h), de muy elevada pureza (99,9%) es

apropiado para la producción de silicio cristalino ultrapuro.

Mientras, el tetracloruro separado en ambas torres (48.114 kg/h) (destilación y

destilación reactiva), cuenta con una pureza suficiente como para ser recirculado al
sistema, en la alimentación del reactor de hidrogenación. Esta recirculación supone un
gran ahorro en la partida económica relativa a las materias primas, en la evaluación
económica, aunque también hace necesaria la implantación de una purga, que evite la
acumulación del tricloruro de silicio también recirculado.

M.7.2.4. PIRÓLISIS DE SILANO: DEPOSICIÓN DE SILICIO.

La última fase del proceso es la deposición del silicio por la pirólisis del silano en un
reactor de lecho fluidizado, a base de semillas de silicio

𝑆𝑖𝐻4 → 2𝐻2 + 𝑆𝑖𝑆𝐺

La corriente extraída por cabezas del equipo de destilación reactiva, compuesta casi
en su totalidad por silano, se acondiciona a la presión de 1,5 atm (presión de operación
del reactor) pues, además, es la presión a la que se separó el hidrógeno en el separador
de fases, posterior al reactor de hidrogenación. Se procede al mezclado con este, y
posterior calentado, hasta 650ºC (temperatura de operación del reactor), antes de
alimentar el distribuidor de gas del lecho.

El objetivo de alimentar hidrógeno acompañando al silano, es facilitar la fluidización,

además del aporte energético al estar a la temperatura de operación.

El lecho de este reactor se compone de unas pequeñas semillas de silicio, cuya

producción se ha asumido fuera de este proyecto, aunque sí se consideran su
competencia a la empresa (de manera que no suponen coste adicional).

Las condiciones alcanzadas en el reactor provocan la ruptura de enlaces en el gas,

liberándose silicio, que en gran parte se deposita (648,7 kg/h) cristalizando sobre las
semillas del lecho creciendo en tamaño. Son retiradas cuando su peso se ve aumentado
un 50%, de modo que es necesaria la alimentación constante de nuevas semillas
(1.297,4 kg/h), suponiendo un 1,35% de renovación del lecho por hora.

El hidrógeno también producido, se extrae junto con el gas fluidizante, recirculándose

también al proceso, pues son reactivos útiles en el reactor de hidrogenación.

Además del silicio depositado, existe una pequeña parte (10 %) cuya deposición no
es posible (72,08 kg/h), y se ve arrastrado en forma de finos por el gas fluidizante, y es
eliminado posteriormente mediante un ciclón.
M.16
 Memoria

M.8. DISEÑO DEL REACTOR DE DEPOSICIÓN DE SILICIO.

A partir del Anexo 6: Balances de materia y energía, se procede al diseño de uno de

los reactores presente en el proyecto (reactor de deposición de silicio de grado solar).

Se ha aplicado el modelo cinético de 3 fases de Kunii y Levenspiel para que estudia la

transferencia de materia en reactores de lecho fluidizado, y se ha simplificado el modelo
estudiando exclusivamente 2 de las fases.

El resultado del diseño se recoge en la hoja de especificaciones del equipo:

HOJA DE ESPECIFICACIONES
REACTOR DE LECHO FLUIDIZADO PARA DEPOSICIÓN DE SILICIO
1 CLIENTE: Universidad de Salamanca FECHA: Junio de 2018
2 DIRECCIÓN: Plaza de los Caídos, S/N (37008) Salamanca
3 LOCALIZACIÓN DE PLANTA: Polígono empresarial de Sionlla, La Coruña (Galicia)
4 UNIDADES REQUERIDAS:1 EQUIPO: R-02
5 TIPO: Reactor de tipo lecho fluidizado.
6 DESCRIPCIÓN: Reactor de lecho fluidizado para la deposición de silicio ultrapuro
7 CARACTERÍSTICAS DEL EQUIPO
8 FORMA Cilíndrica DISPOSICIÓN: Vertical
9 MATERIAL Acero Inox. AISI 304 (18-9E) TEMPERATURA DE OPERACIÓN: 923K
10 ALTURA: 19,8 m PRESIÓN DE OPERACIÓN: 1,5 atm
11 DIÁMETRO: 3,60 m CATALIZADOR: no
12 ESPESOR: 0,013m DISTRIBUIDOR: Plato poroso
13 CARACTERÍSTICAS DE LAS CORRIENTES DE ENTRADA Y SALIDA DEL EQUIPO
14 CORRIENTES 33B 34 35
15 COMPONENTES SiH4, H2 y SiCl4 Si Si, H2 y SiCl4
16 ESTADO DE AGREGACIÓN Gaseoso Sólido Gas+ sólido
17 CAUDAL MÁSICO 1.303 kg/h 648,7 kg/h 651,6
18 TEMPERATURA 923 K 923 K 923K
19 PRESIÓN. 1,5 atm 1,5 atm 1,5 atm
Tabla M.8- 1 Hoja de especificaciones con características del reactor diseñado.

Además, para el bue transcurso de la operación, se ha implantado un lazo cerrado de

control que, mediante el registro de la temperatura de los gases de salida del mismo, se
regula la cantidad del agua refrigerante por la camisa que recubre el reactor,
contrarrestando posibles perturbaciones del sistema.

M.17
 Planta de producción de silicio de grado solar.

Figura M.8- 1 Esquema del lazo de control planteado al reactor.

M.9. DISTRIBUCIÓN EN PLANTA (LAY-OUT).

En el Anexo relativo a la distribución de la planta en el solar, se expone de manera

muy generalizada la ubicación de los 4 sectores principales: recepción y almacenamiento
de materias primas, área de procesos químicos, terreno destinado al trabajo no
relacionado directamente con el proceso de producción, y área destinada a procesos
alternativos o posibles ampliaciones.

Además, se expone de manera detallada los requerimientos en personal, clasificados

según sus ocupaciones laborales.

M.9.1. Empleados en planta.

El régimen continuo de la planta se mantiene durante 334 días al año, haciendo una
parada equivalente a un mes de proceso; los requerimientos de personal para la labor
productiva se clasifican en 5 clases

CLASIFICACIÓN DE TRABAJO EMPLEADOS

Dirección y técnicos 11

Personal especializado 28

Personal administrativo 13

Personal no cualificado 55

Personal de servicios 6

TOTAL 113 trabajadores en planta

Tabla M.9- 1 Esquema resumen de trabajadores empleados por áreas.

Los turnos se organizan teniendo en cuenta la rotación y el descanso de los

trabajadores. Además, se respeta el régimen de vacaciones anuales (30 días naturales)
acordado, reservando como mínimo 15 días durante el período estival.

M.18
 Memoria

M.9.2. Sectores del solar.

Figura M.9- 1 Sectores establecidos en el solar adquirido.

La zona A es destinada a la recepción y almacenaje de materias primas. Se escogió

esta sección, pues tiene acceso directo a la carretera de salida del parque empresarial,
además de ser la única en contacto con las vías del ferrocarril, que permitirán una fácil
llegada del cuarzo. Cuenta así, con un acceso por la parte superior, para salida y entrada
de camiones, y otra por el margen derecha, para el acceso a las vías férreas.

La zona B, seguida de la zona de almacenamiento de materias primas, es la fase

destinada al proceso productivo. El contacto entre estos sectores es amplio para facilitar
la alimentación de materias primas al proceso, sin necesidad introducir camiones hacia
el interior de la zona. Además, la zona B está en contacto con el edificio principal (zona
C), donde se ubicarán las oficinas, y otras secciones desde las que poder controlar
visualmente el proceso.

La zona C, es el sector destinado al trabajo no relacionado directamente con el

proceso. Aquí se ubicarán el edificio principal, la entrada de trabajadores (acceso por
parte inferior), la garita de guardia y control de acceso, así como el aparcamiento y zonas
verdes.

En último lugar, la zona D, ubicada en la esquina inferior izquierda del solar (según la
figura anterior), es la zona destinada a posibles ampliaciones, o a usos alternativos, aún
no definidos.

M.19
 Planta de producción de silicio de grado solar.

M.10. EVALUACIÓN ECONÓMICA.

En el Anexo 9, relativo a la evaluación económica del proyecto, se analiza muy

detalladamente los costes generados por el proceso, bien como capital total invertido,
o bien como los costes del proceso productivo. Mediante estos y el cálculo de los
beneficios por la venta del producto principal de la planta, se obtiene los diferentes tipos
de beneficio (neto, neto porcentual, bruto y bruto porcentual) así como el tiempo en el
que se recupera la inversión realizada.

M.10.1. Costes de producción.

La parte general de costes de producción acoge los gastos de fabricación y gestión

del proceso proyectado.

COSTES DE FABRICACIÓN COSTES DE GESTIÓN.

Partida Coste (€/año) Partida Coste (€/año)

Materias primas 17.852.621 Gastos comerciales 1.932.706

Mano de obra directa

1.637.647 Gerencia 305.519,35
(MOD)

Mano de obra
526.976,3 Gastos financieros 1.675.940,4
indirecta (MOI)

Investigación y
Servicios generales 9.045.859,6 2.660.998
servicios técnicos

Suministros 1.330.499 TOTAL 6.575.164,4

Conservación 3.473.563

Laboratorio 1.356.878,9

Directivos y técnicos 245.690,45

Amortizaciones 1.404.390

Impuestos 887.000

Seguros 887.000

TOTAL 39.654.133

COSTES TOTALES DE PRODUCCIÓN = 45.229.297 €/año

Tabla M.10- 1 Resumen de costes de producción por partidas.

M.20
 Memoria

M.10.2. Capital invertido.

Representa la suma del inmovilizado fijo y del capital circulante. El resumen de las
partidas se muestra a continuación:

CAPITAL INVERTIDO
Capital Inmovilizado Capital Circulante
Partida Coste (€) Partida Coste (€)
Maquinaria y Coste de materias
14.043.897 1.487.709,97
equipos primas y prod.aux.
Gastos de instal. Materias en
5.968.656 29.817
equipos fabricación
Reserva de
Tuberías y válvulas 6.319.753,4 2.981.701
producto
Instr. de medida y Ventas pendientes
2.106.584,5 3.692.000
control de cobro
Aislamientos Disponible en cajas
702.194,9 2.981.705
caloríficos y bancos

Instalación eléctrica 2.106.584,6 TOTAL 11.172.936

Terrenos y edificios 9.948.329

Instalaciones
8.426.338,2
auxiliares
Honorarios de
9.924.467 €
proyecto y montaje
Contrata de obras 2.977.340 €
Gastos generales 8.435.797 €
ACTIVO FIJO 70.959.941 €
Estudios previos 6.791.021
Gastos de puesta a
4.527.347
punto
TOTAL 88.699.926
CAPITAL INVERTIDO TOTAL = 99.872.862
Tabla M.10- 2 Resumen de capital total invertido, por partidas.

M.21
 Planta de producción de silicio de grado solar.

M.10.3. Rentabilidad del proceso (beneficio y tiempo de retorno).

Tras la extracción de todas las partidas económicas, se procede el cálculo del

beneficio aportado por el proyecto.

Ingresos por ventas (€/año) 88.594.000

Costes de producción (€/año) 45.229.298

Capital invertido (€) 99.872.862

Beneficio bruto (€/año) 43.364.702

Beneficio neto (€/año) 32.523.526

Beneficio bruto porcentual (%) 43,42 %

Beneficio neto porcentual (%) 32,57%

Periodo de recuperación (año) 2,01

Tabla M.10- 3 Resumen de beneficios y periodo de retorno.

M.22