ELECTRONICA DE DISPOSITIVOS

DPTO. DE ING. ELECTRÓNICA Y AUTOMÁTICA

ESCUELA POLITÉCNICA SUPERIOR DE LINARES
UNIVERSIDAD DE JAÉN
Convocatoria Ordinaria
FECHA: 26/05/2016

1. El diodo zener de 40V, con corrientes comprendidas entre 10 y 50mA. La tensión de

suministro es de V = 200V. (2.5p)
a) Calcular R para valores de la carga RL entre infinito hasta RL(min).(0.75p)
b) ¿Cuál es la máxima corriente de carga posible y cuanto vale RL(min). (0.75p)
c) Si V puede tener cualquier valor comprendido entre 160 y 300 V., cuando RL= 2K.
Calcular los valores entre Rmáx y Rmín admisible para R.(1.0p)

a) Los datos de partida son: Tensión de entrada V, y los datos del zener: Vz=40V, y
corrientes máxima y mínima. En todo momento, el Zener conducirá con corrientes
comprendidas entre su valor mínimo y máximo.
Aplicando nudos, la corriente I que atraviesa R se repartirá entre Iz e IL. Cuando RL = ,
toda la corriente I atravesará D1, pues IL = 0. Para el cálculo de R debemos tomar I =
Izmax = 50mA, y a medida que RL sea menor, parte esta I circulará cada vez mas por la
carga y menos por el zener, hasta que la carga tenga un valor RLmin, en ese caso por el
zener solo circulará Izmin.
V  Vz 200  40
R   3.2k
ID max 50
b) Para el caso de RLmin, por el diodo circulará la menor cantidad de corriente Izmin = 10mA
y el resto 50 – 10 = 40mA = ILmax circularán por la resistencia de carga. El valor de esta
será:
Vz 40
RL min    1k
IL max 40
c) Para RL = 2k, la corriente por la carga será:
Vz 40
IL    20mA
RL 2
y la corriente por R será de:
V  Vz
IR 
R
Despejando se obtiene el valor de R:

Página 3
 V  Vz V  Vz
R 
IR Iz  IL
De manera que para V = Vmax = 300V e Iz = Izmin se obtendrá el valor máximo de R =
Rmax:
Vmax  Vz 300  40
Rmax    8.66k
Izmin  IL 10  20
Finalmente, para V = Vmin = 160V, y para Iz = Izmax se tendrá el valor mínimo de R = Rmin:
Vmin  Vz 160  40
Rmin    1.71k
Izmax  IL 50  20

2. Calcular el punto de funcionamiento de Q1 y Q2. (2.5p)

Datos: Para ambos transistores: VBEact=0V,
VCEsat=0.2V, =9

Hipótesis: Suponemos Q1 y Q2 en ACTIVA

Recordando que IC =  IB y que IE = ( + 1) IB

De la figura se deduce:
1
IB1  I1  mA
9
1
IC1    I1  9   1mA
9
I 10 / 9 1
IB 2  2   mA
 1 9 1 9
  I2 9  10 / 9
IC 2    1mA
 1 9 1
Se deduce también:

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 I2 1 10 / 9
IR 1     1  I1    9  1    1mA
 1 9 9 1
De la ecuación de la malla dibujada:
V2  VBE 2  R1  IR1  0; V2  R1  IR1  VBE 2  5  1  0  5V
Calculamos las tensiones colector-emisor:
Ecuación de la malla de salida de Q1:
VCC  VCE 1  R1  IR1  0; VCE 1  VCC  R1  IR1  15  5  1  10V
Comprobación de la hipótesis para Q1:
Como VCE1 = 10V > 0.2V  Q1 está en zona ACTIVA
Ecuación de malla de salida de Q2:
VCC  R2  IC 2  VCE 2  V2  0; VCE 2  VCC  R2  IC 2  V2  15  5  1  5  5V
Comprobación de la hipótesis para Q2:
Como VCE1 = 5V > 0.2V  Q2 está en zona ACTIVA

3. Calcular el punto de trabajo de los transistores de la figura.(2.5p)

Datos: Vcc=15V, R1=10kΩ, R2=50kΩ, R3=400kΩ, R4=1kΩ,
R5=3k3Ω, VBEact=0.7V, VCEsat = 0V, hFE=100, IDSS=6mA,
VPO=-5V.
Ecuación de Shockley:
2
 V 
ID  IDSS  1  GS 
 V
 po 
Trabajando en zona óhmica:
IDSS
2   GS
ID   2 V  VPO VDS  VDS
2

VPO

Zonas de conducción del transistor JFET de canal N:

Ohmica : VDS  VGS  VPO
Saturación : VDS  VGS  VPO

Suponemos que el BJT trabaja en ACTIVA y el JFET en SATURACION. Analizando el divisor

resistivo formado por R1 y R2 y teniendo en cuenta y despreciando la corriente de puerta del
JFET:
R1 10
VG  VCC  15  2.5V
R1  R2 10  50
Analizando la malla de entrada del JFET:
VGS  VG  R5  ID
y sustituyendo en la curva de transferencia del JFET:
2 2
 V   V  R5  ID 
ID  IDSS  1  GS   IDSS  1  G 
 V Vpo
 po   
se obtiene ID, resolviendo la ecuación de 2º grado:

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 I  1.518mA
ID2  1.9·ID  0.573  0  D
ID  0.376mA
De estas dos soluciones, se obtiene:
VGS  VG  R5  ID  2.5  3.3  1.518  2.5V
VGS  VG  R5  ID  2.5  3.3  0.376  1.26V
La segunda se descarta al ser positiva.
Como IC = ID:
IC 1.518
VE  VCC  R3  IB  VBEact  VCC  R3   VBEact  15  400  0.7  8.23V
hFE 100
VDS  VE  VS  VE  R5ID  8.23  3.3  1.518  3.22V

Se comprueba la hipótesis de trabajo:

VDS  VGS  VPO
3.22V  2.5V  5V  2.5V
A continuación se calcula VCE:
VCE  VCC  R4  IC  VE  15  1 1.518  8.23  5.618V
Igualmente se comprueba que VCE > VCEsat y por tanto las hipótesis de partida se cumplen.

4. Considerando ideal el amplificador operacional de la figura: (2.5p)

c) Obtener la relación entre la salida Vo y la entrada Vi.(1.25p)
d) Diseñe un amplificador con esta configuración con una impedancia de entrada de
10K y una ganancia de 100.(1.25p)

R2 X R3

R4

0
4

Vi R1
2 1
V-

- OS1
OP ideal 6
Vo
OUT
3 5
V+

+ OS2
7

a) Considerando amplificador operacional ideal. Teniendo en cuenta la realimentación

negativa (tensión diferencial entre el terminal inversor y no inversor nula) y considerando
nulas las corrientes de polarización.
Aplicando Kirchoff al nudo del terminal inversor del operacional y despejando la tensión en el
nudo X:

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 Vi  0 0  Vx

R1 R2
R2
Vx   Vi
R1
Aplicando Kirchoff al nudo X:
0  Vx Vx Vx  V0
 
R2 R4 R3
 1 1 1  V0
Vx    
 R4 R2 R3  R3
Sustituyendo Vx y despejando la relación pedida:
R2  1 1 1  V0
 Vi    
R1  R4 R2 R3  R3
V0 RR  1 1 1 
 2 3   
Vi R1  R4 R2 R3 
b) Como la impedancia de entrada Ri = 10k
Vi
Ri   R1  10k
Ii
De la ganancia Av = 100:
V0 RR  1 1 1 
 2 3      Av  100
Vi R1  R4 R2 R3 
Se tiene un sistema indeterminado ya que existe una sola ecuación para 3 incógnitas: R2,
R3 y R4. Se fijan por tanto, dos de las tres y se despeja la tercera:
Suponer R2 = R3 = 10· R1 = 100k
10  R1  10  R1  1 1 1 
       Av
R1  R4 10R1 10R1 
1 2 Av 1 100 2 8 10
       R4  R1  12.5k
R4 10R1 100R1 R4 100R1 10R1 10R1 8

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