Tema 6: DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS

6.1 Interacción entre los semiconductores y la luz. 
Absorción de luz con generación luminosa de pares electrón‐hueco. Generación de luz por 
recombinación radiativa de pares electrón‐hueco.

6.2 Fotorresistencias.
Modulación de la conductividad del semiconductor. 

6.3 Fotodiodos. 
Circuito equivalente y aplicaciones.

6.4 Diodos emisores de luz. 
Emisión espontánea y estimulada. Diodos LED y láser. 

6.5 La célula solar. 
Circuito equivalente y  parámetros de calidad. Descripción del estado del arte. 
Introducción a las células avanzadas por división espectral
Introducción a las células avanzadas por división espectral.

6.6 El fototransistor.  
Circuito equivalente y aplicaciones
Circuito equivalente y aplicaciones.
 Semiconductores

Sólidos cristalinos de enlace covalente

≈5Å 
(≈1022átomos/cm3
)

Red silicio

Banda de
conducción

Banda de
EG energía
E prohibida

Banda de
valencia
Modelo de enlaces Modelo de bandas
 Interacción de la luz con los semiconductores

Se libera una energía EG en

E = hν ≥ EG forma de calor o por emisión
de un fotón de energía EG

En un trozo de semiconductor homogéneo iluminado generación =

recombinación. La conductividad aumenta → fotorresistencia.
 Radiación
POTENCIA LUMINOSA PL (W2)
IRRADIANCIA potencia por unidad de área G (kW·m-2)
ESPECTRO:
g (W·m-2·eV-1) Nfot (fotones·s-1·m-2·eV-1)
600 4.5E+21

4.0E+21
500
Sol 3.5E+21
Sol
400 3.0E+21
LED 2 5E+21
2.5E+21
300
2.0E+21
LED
1.5E+21
200
1.0E+21
100 5.0E+20

0.0E+00
0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
E (eV) E ((eV))
ENERGÍA DEL FOTÓN E = hν = hc/λ

Nº de fotones
PL = × energía del fotón
tiempo
 Optoelectrónica
Dispositivos optoelectrónicos: aprovechan la interacción entre radiación
luminosa y corriente eléctrica en materiales semiconductores

Potencia
Detección luminosa Señalización
Fotorresistencia Diodo LED
Fotodiodo Captación Emisión

Generación Potencia Transmisión

Célula solar eléctrica Diodo LED, LASER

EC EC
L
Luz, L
Luz,

EV EV
 Fotorresistencias (LDR)
Cambio de la conductividad de un semiconductor
σ = σ 0 + A1 × G ⇒ R −1 = R0−1 + A2 × G
 El fotodiodo

Diodo de unión pn iluminado. La no metal metal

homogeneidad y los contactos metálicos
permiten
i l separación
la ió de
d electrones
l y n p
huecos y su circulación por un circuito
externo.
+
i
iL = 0
i

iL iOSC
v
v
iL1
iL2
_
Región de trabajo
⎡ ⎛v ⎞ ⎤ habitual de fotodiodos
i = I SAT ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥ − iL
⎢⎣ ⎝ Vt ⎠ ⎥⎦
iL = A × S × G
 El fotodiodo
G
SiO2
p
Contactos
metálicos n
Fotodiodos comerciales
 Análisis de circuitos con fotodiodos
Ejercicio 1. El circuito de la figura es un circuito detector de luz, habitualmente primera etapa
en aplicaciones de comunicaciones ópticas. Se pide:

a) Rango de valores de R para que el diodo esté en OFF con pL=5 mW

b) Para R=1 kW , varacterística de transferencia vO(pL)
c) Ganancia de pequeña señal vo/pl si pL(t)=PL+pl(t), con PL=5 mW

DATOS:VDD=5 V; Vg=0,6 V; |VZ|=4 V; S=0,5 A/W

VDD
pL

vO
R
Ejemplo de aplicación con fotodiodos
 Emisión de luz

EC EC
hν
hν hν
hν

EV EV

Espontánea Estimulada
LED LASER

Diodo Electroluminiscente - LED: Light Emitting Diode

Diodo láser - LASER - Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation

Vλ

1
0,8
0,6
0,4
02
0,2
0 λ (ηm)
400 500 555 600 700
 Diodo LED

⎡ ⎛ v LED ⎞ ⎤
iLED = I S ⎢exp⎜⎜ ⎟⎟ − 1⎥
+ ⎢⎣ ⎝ nVt ⎠ ⎥⎦
iLED
pE
vLED ⎛ E ⎞
p LED ≡ BiLED ⎜⎜ = G η × iLED ⎟⎟
⎝ q ⎠
_ p LED E
η energética = = G η <1
iLED v LED qqv LED

PLED (mW)

p 15

n 10

substrato 5 B
0
100 300 500 iLED (mA)
 Algunas características

Estructuras optimizadas:

p
n

LED semiesférico LED de emisión lateral

LED encapsulado

GaAs ≈ 1,4 eV Infrarrojo

Semiconductores III-V GaP ≈ 2,3
2 3 eV Visible (verde)
GaAs1-xPx → Variable
LEDs comerciales encapsulados
 Análisis de circuitos con diodos LED
Ejercicio 2. Diseñe el optoacoplador de la figura de forma que una señal de entrada vI = 0-5 V se
reproduzca a la salida, siendo la corriente que pasa por el LED cuando emite de 10 mA.

DATOS: VγLED = 2 V;
DATOS V BLED = 0.2
0 2 W/A;
W/A VγFD = 0,6
0 6 V;
V SFD=0.5
0 5 A/W;
A/W VCC = 10 V;
V Relación
R l ió de
d
transferencia pFD/pLED = 1.

R1 VCC

vI FD
LED vO 
R2
#
Ejemplo de aplicación con LEDs
Diodos láser

LED en una cavidad: se amplifican los

modos resonantes
 La energía solar -2
IRRADIANCIA p potencia p ( kW·m-2 un día
por unidad de área G ((kW·m ) (≅1
despejado a mediodía)
ESPECTRO:
g ((W·m-2·eV-1) Nfot ((fotones·s-1·m-2·eV-1)
600 4.5E+21

4.0E+21
500
3.5E+21

400 3.0E+21

2.5E+21
300
2.0E+21

1 5E+21
1.5E+21
200
1.0E+21
100 5.0E+20

0.0E+00
0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
E (eV) E (eV)
ENERGÍA DEL FOTÓN E = hν

ALGUNAS CIFRAS:
En promedio, sobre la Tierra, 4 kWh·m-2/día. Con 10% de eficiencia…

Consumo de una familia: 50 m2

Central nuclear o de carbón de 1 GW: 60 km2 (7.5 km×7.5 km )
Consumo mundial de energía: menos que el área cubierta por carreteras
 El efecto fotovoltaico y la célula solar

Un trozo de semiconductor homogéneo

iluminado se calienta (Generación =
Recombinación).
metal metal
Diodo de unión pn iluminado. La no
n p
homogeneidad y los contactos metálicos
permiten la separación de electrones y
huecos y su circulación por un circuito
externo.

El efecto fotovoltaico consiste en la conversión directa de

energía luminosa en energía eléctrica mediante los procesos
que ocurren en el interior de los semiconductores
q
 El efecto fotovoltaico y la célula solar

TRES PROCESOS:

1. GENERACIÓN. Un electrón adquiere la energía E=hν>EG de un fotón

2. RECOMBINACIÓN.
Ó Un electrón cede la energía EG en forma de calor
3. CORRIENTE EXTERNA. Un electrón cede la energía qV < EG a la carga externa

Nº de generaciones = Nº de recombinaciones + Nº de electrones por circuito externo

Contacto n

EG 1 2 qV<EG 3 R (carga)

Contacto p
 (3)
La célula solar I
+
I = I L − I D = I L − I SAT eV Vt − 1( ) IL ID V R
(3) (1) (2) (1) (2)
_

Peléctrica I M VM
η= =
Pluminosa A × G
I (V = 0 ) ≡ I SC = I L
Punto de
Cortocircuito máxima p
potencia

ISC
IM

V (I = 0) ≡ VOC =
I = Vt ln(I L I SAT + 1)
Circuito abierto

VM
V
VOC
 Células solares industriales

Diodo de gran área con contacto frontal transparente

100 μm
Célula de Si

0.5 μm
0.2 cm 10 μm

250 μm
 Parámetros de la célula. Condiciones estándar.
I (A)
IL es proporcional al área y la 1 kW∙m‐2, 25 ºC
irradiancia y depende del material y el 3
espectro:
p sólo contribuyen
y los fotones ‐2,, 50 ºC 1 kW∙m‐2, 25 ºC
1 kW∙m
1 kW m
1 kW∙m ‐2
2, 50 ºC
50 ºC
con E=hν>EG 2.5
I L = A × S × G = PL × S 2 0.7 kW∙m‐2
‐2, 25 ºC

ISAT es proporcional al área y depende 1.5

del material y la temperatura
1
VOC depende del material (<EG/q) y
disminuye con la temperatura 0.5

V (V)
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
Irradiancia, espectro y temperatura varían: definición de condiciones estándar de medida
G = 1 kW·m -2 ; espectro AM 1.5; Tcélula = 25º C

Células industriales de silicio: I L A ≅ 0.03 A·cm -2 ;VOC ≅ 0.620 V;η ≅ 16%

Ejercicio
j 1. Una célula solar equivale
q a un diodo en pparalelo con un g
generador de
corriente IL. El diodo se representa con un modelo lineal por tramos. En las
denominadas “Condiciones estándar de funcionamiento” (T = 25ºC, G=1kW/m2), se
tiene IL = 4.5 A, Vγ = 0.6 V, Rf = 10 mΩ

a) Dibuje la característica I-V de la célula.

b) Señale el punto correspondiente al cortocircuito en la característica ¿Cuál es la
corriente de cortocircuito de la célula? ¿En qué estado se encuentra el diodo?
c) Señale el punto correspondiente al circuito abierto en la característica ¿Cuál es el
voltaje de circuito abierto de la célula? ¿En qué estado se encuentra el diodo?
d) Calcule
C l l la l potencia
t i máxima
á i que pueded generar la
l célula,
él l que se obtiene
bti cuando
d ell
diodo trabaja en el límite entre los estados de ON y de OFF, y su eficiencia.
e) Calcule la resistencia de carga que habría que poner en los terminales de la célula
para que trabajase entregando la máxima potencia.
potencia
f) Repita los apartados a-e si la irradiancia es de 0.8 KW/m2 la temperatura de la
célula de 50 ºC

DATOS: A = 150 cm2; dVγ/dT= -2 mV/ºC

 El módulo fotovoltaico

Nivel adecuado de V, I y P: asociación de células en serie y

paralelo

Protege las células de la intemperie (humedad, fatiga térmica,

radiación UV, abrasión)

Aislamiento eléctrico y rigidez estructural

marco de aluminio
junta de silicona
vidrio
encapsulante
plástico

célula
Ejercicio 2. Un módulo fotovoltaico contiene 72 células como las del ejercicio 1, conectadas en
dos series de 36 y éstas a su vez en paralelo.

a) En condiciones estándar, diga cuál es la corriente de cortocircuito, el voltaje de máxima

potencia la potencia máxima y la eficiencia del módulo y con qué resistencia de carga se
potencia,
obtendría. Esboce su característica I-V.

b) El módulo está cargando una batería de tensión VBAT=14V. Dibuje el circuito, represente la
característica I-V de la batería sobre la del módulo y calcule el valor de la corriente y la
tensión de éste.

c) ¿Cuánta carga ha entregado el módulo a la batería en tres horas de funcionamiento en

condiciones estándar? ¿Cuánta energía?
 Fototransistor npn

Luz

iC E iC
C B C
C
Pl
s Pl
↔ ↔

iE E iE E

Fototransistor Luz
Fototransistor:
Transistor de oscuridad +
Fuente de corriente

• Un fototransistor es un transistor bipolar bajo iluminación en la unión Base‐Colector y 
anulando el terminal de base.
• La unión base colector se comporta como un fotodiodo
La unión base colector se comporta como un fotodiodo
• El fototransistor equivale a un transistor bipolar en oscuridad con una fuente de 
corriente entre Base y Colector
 Fototransistor
Aproximación en activa con las ecuaciones Ebers‐Moll
Ejemplo: npn

C C
iC
C s pL
B iC iC
s pL
βF iB s(1+βf) pL
B
iB
iE E E
E

Dispositivo de dos terminales → 1 ecuación característica: 
iC=A pL donde A es una constante A=s (1+βf), es decir es una fuente de 
y p p
corriente cuyo valor depende de la potencia luminosa incidente pL.
Se comporta como el fotodiodo en inversa con una α mayor
 Fototransistor pnp

en activa
iE E
iE E
Pl α Pl E

↔ α(1+βf) Pl
C iC C
iC iC
C
Fototransistor Fototransistor:
T
Transistor de  oscuridad +
it d id d +
Fuente de corriente
Aplicación: optoacoplador (también llamado optoaislador)

IF
(
(Este
empaquetado trae
dos
optoacopladores)

Característica de entrada
(Curva I-V del diodo LED) Característica de salida:

Corriente del
diodo LED como
parámetro