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Silicio purificado
Elemento Grupos Electrones en
la última capa
Cd 12 2 e-
Al, Ga, B, In 13 3 e-
Si, C, Ge 14 4 e-
P, As, Sb 15 5 e-
Se, Te, (S) 16 6 e-
El elemento semiconductor más usado es el Silicio2, seguido del Germanio, aunque
presentan un idéntico comportamiento las combinaciones de elementos de los grupos
12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (Ga As, P In, As Ga Al, Te
Cd, Se Cd y S Cd). Posteriormente se ha comenzado a emplear también el Azufre. La
característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio
una configuración electrónica s²p².
Índice
1 Información general
2 Tipos de semiconductores
2.1 Semiconductores intrínsecos
2.2 Semiconductores extrínsecos
2.2.1 Semiconductor tipo N
2.2.2 Semiconductor tipo p
3 Referencias
4 Véase también
5 Enlaces externos
6 Semiconductores y electrónica
Información general
"Los materiales semiconductores provienen de diferentes grupos de la tabla
periódica, sin embargo, comparten ciertas similitudes.
Las propiedades del material semiconductor están relacionados con sus
características atómicas, y cambian de un grupo a otro.
Los investigadores y los diseñadores se aprovechan de estas diferencias para
mejorar el diseño y elegir el material óptimo para una aplicación PV."3
Tipos de semiconductores
Semiconductor intrínseco
En 1727 Stephen Gray descubrió la diferencia entre conductores y aislantes.
Después, el 1821, Georg Simon Ohm publica las leyes que llevan su nombre y que
describen la proporcionalidad entre la corriente y el voltaje a un conductor y
también es posible determinar la conductividad eléctrica de cualquier objeto.
Semiconductores intrínsecos
Son los cristales de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica
similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad.
Semiconductores extrínsecos
Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Las impurezas
deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
átomo de silicio.4
Semiconductor tipo N
Semiconductor tipo p
Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados
de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como
material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son
conocidos como huecos.
Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un
número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la
excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los
materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro
(B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
Referencias
Servicio, Staff Editorial de Electrónica y (4 de diciembre de 2014). Electrónica y
Servicios: Equipos de tecnología básica en audio y video. México Digital
Comunicación S.A. de C.V. Consultado el 10 de febrero de 2018.
Gil, José Moreno; Minassian, Máximo Romero (2009-11). Reglamento de eficiencia
energética en instalaciones de alumbrado exterior : y sus instrucciones técnicas
complementarias EA-01 a EA-07. Editorial Paraninfo. ISBN 9788428332019. Consultado
el 10 de febrero de 2018.
«Materiales Semiconductores | PVEducation». www.pveducation.org. Consultado el 2
de diciembre de 2019.
Collantes, Daniel Pardo; Vega, Luis Alberto & Bailón (2006). Fundamentos de
electrónica digital. Universidad de Salamanca. ISBN 9788478004010. Consultado el 10
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Domínguez, Esteban José (7 de octubre de 2011). Componentes eléctricos y
electrónicos básicos (Sistemas de carga y arranque). Editex. ISBN 9788490031513.
Consultado el 1 de agosto de 2019.