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INGENIERÍA EN MECATRÓNICA.
MATERIA:
“Electrónica de potencias.”
ACTIVIDAD:
INVESTIGACION DOCUMENTAL.
DOCENTE:
1ER PARCIAL.
La electrónica de potencia tiene sus inicios en el año 1900, con la introducción del
rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron, gradualmente, el rectificador
de tanque metálico, el rectificador de tubo al alto vacío de rejilla controlada, el
ignitrón, el fanotrón y el tiratrón. Estos se aplicaron al control de la energía hasta la
década de 1950.
Diodo rectificador de
baja potencia. IFAV: 1A – 6000 A Rectificadores de
VRRM: 400 – 3600 V Red.
VFmax: 1,2V (a IFAVmax) Baja frecuencia
trr: 10 µs (50Hz).
IFAV: 0,45A – 2 A
Diodos para
aplicaciones VR: 7,5kV – 18kV
especiales (alta
Aplicaciones de alta tensión
tensión) VRRM: 20V – 100V
trr: 150 ns
Diodos para IFAV: 50A – 7000 A
aplicaciones
VRRM: 400V – 2500V
especiales (alta Aplicaciones de alta
corriente) VF: 2V corriente.
trr:10 µs
Tipo transistor
*Emisor, que se diferencia de las
otras dos por estar fuertemente
dopada, comportándose como
un metal. Su nombre se debe a Este tipo de dispositivo es
que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga. utilizado para un gran número de
TRANSISTORES *Base, la intermedia, muy aplicaciones, principalmente en
BIPOLARES DE estrecha, que separa el emisor electrónica analógica y digital
del colector.
JUNTURA DE con tecnología TTL o BICMOS, a
*Colector, de extensión mucho
POTENCIA (BJT) mayor. pesar de tener una gran
limitación debido a su
Región de Corte. El transistor impedancia de entrada muy baja.
posee un funcionamiento como
un interruptor abierto. 𝑉𝐵𝐸 ≤ 0.7
𝑉 𝐼 𝐶 = 0 𝐴 𝑉𝐶𝐸 = 𝑀á𝑥
Región de Saturación. El
transistor posee un
funcionamiento como un
interruptor cerrado. 𝑉𝐵𝐸 > 0.7 𝑉
𝐼 𝐶 = 𝑀á𝑥 𝑉𝐶𝐸 ≈ 0 𝐴
El IGBT es un dispositivo
VCEmax es la tensión de
electrónico que
ruptura del transistor pnp.
generalmente se aplica a
Como α es muy baja, será
circuitos de potencia. Este es
TRANSISTORES VCEmax=BVCB0 Existen en
un dispositivo para la
BIPOLARES DE el mercado IGBTs con valores
conmutación en sistemas de
COMPUERTA de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y
alta tensión. Se usan en los
AISLADA (IGBT) 3.300 voltios. (anunciados de
Variadores de frecuencia así
6.5 kV).
como en las aplicaciones en
La temperatura máxima de la
máquinas eléctricas y
unión suele ser de 150ºC (con
convertidores de potencia.
SiC se esperan valores
mayores)
Existen en el mercado IGBTs
encapsulados que soportan
hasta 400 o 600 Amp.
Bajo nivel de ruido
Baja distorsión Componente electrónico de
Alta capacidad de potencia en recién creación el cual es
audio frecuencia. usado en diferentes
Estos pueden llegar hasta aplicaciones, es de alta
TRANSISTORES DE 300A y 1200V. potencia y frecuencia. Se los
INDUCCION Velocidad de conmutación tan utiliza en amplificadores de
ESTATICA (SIT) alta como 100kHz potencia lineal en audio,
Baja resistencia en serie de DHF, UHF y microondas. No
compuerta se los utiliza como
Baja capacitancia compuerta conmutador por la alta caída
fuente de tensión en sus terminales.
Resistencia térmica pequeña
TIRISTORES
Tiristor de Tienen un capacitor Consiste en agregar un
conmutación forzada conectado directamente en circuito adicional, cuya
paralelo con el tiristor para ser función es obligar a que la
sometido al voltaje reverso al corriente que fluye pase por
que el capacitor está cero.
inicialmente cargado, es
necesario para extraer la
carga y evitar la prolongación
de apagado.
En este tipo de conmutación,
la descarga y recarga del
capacitor no se llevan a cabo
Tiristor conmutado
a través de la carga, por lo
por línea
que el circuito de conmutación
se puede probar sin
conectarla
Son semiconductores
El disparo se realiza mediante
discretos que actúan como
una VGK >0
interruptores completamente
Tiristor desactivado
controlables, los cuales
por compuerta (GTO) El bloqueo se realiza con una
pueden ser encendidos y
VGK < 0.
apagados en cualquier
momento con una señal de
La ventaja del bloqueo por compuerta positiva o
puerta es que no se precisan negativa respectivamente.
de los circuitos de bloqueo Estos componentes están
forzado que requieren los optimizados para tener muy
SCR. bajas pérdidas de
conducción y diseñados para
La desventaja es que la trabajar en las más
corriente de puerta tiene que demandantes aplicaciones
ser mucho mayor por lo que el industriales. Estos
generador debe estar más componentes son altamente
dimensionado. utilizados en Convertidores
de Alto Voltaje y Alta
El GTO con respecto al SCR Potencia para aplicaciones
disipa menos potencia. de baja y media frecuencia.
Estos se utilizan con cargas
*El voltaje de bloqueo directo
inductivas de tal manera que
varía de 400 a 2000v y la
se optimice el
especificación de corriente
Tiristor de conducción funcionamiento de la carga a
llega hasta 500 A.
inversa (RTC) su vez mejorar los
requerimientos de apagado
*El voltaje de bloqueo inverso
del tiristor al activarse el
es típicamente 30 a 40v.
diodo del montaje.
Se puede concluir que al pasar del tiempo se van innovando las distintas tecnologías
que se presentan en distintos ámbitos como en lo industrial como en lo comercial y
en otros en los cuales la tecnología se innova cuales con el avance rápido del tiempo
estas mismas se vuelven eficientes, fiables y más económicas. Pero para esto
mismo se necesitan nuevos dispositivos electrónicos que puedan soportar dichas
tecnologías, por lo cual se tuvieron que diseñar distintos dispositivos
semiconductores, pero sobre todo los que este tema abarca cuales son los
semiconductores de potencia, los cuales tienen una gran variedad y funcionalidad
varia dado al caso en cual se vaya a utilizar, entre algunos están los TRIACS,
tiristores, los diodos de potencia, transistores de potencia y el transistor MOSFET.
Lo que igual manera el hecho que sean semiconductores le da esa propiedad la
cual es de tener dos estados como un conductor de corriente, pero igualmente es
un aislante los cuales se diferencian con la alta y baja impedancia y a su vez tiene
un sistema de control de paso de un estado de baja potencias.
INGENIERÍA EN MECATRÓNICA.
MATERIA:
“Electrónica de potencias.”
ACTIVIDAD:
INVESTIGACION DOCUMENTAL.
DOCENTE:
1ER PARCIAL.
La electrónica de potencia tiene sus inicios en el año 1900, con la introducción del
rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron, gradualmente, el rectificador
de tanque metálico, el rectificador de tubo al alto vacío de rejilla controlada, el
ignitrón, el fanotrón y el tiratrón. Estos se aplicaron al control de la energía hasta la
década de 1950.
Diodos de potencia
Rectificador controlado de silicio (SCR en inglés)
Transistores bipolares de juntura de potencia (BJT)
MOSFET de potencia
Transistores bipolares de compuerta aislada(IGBT)
Transistor de inducción estática(SIT)
Los Tiristores pueden subdividirse en ocho tipos:
DIODOS DE POTENCIA.
trr: 10 µs
Aplicaciones
Diodos para baja frecuencia
Rectificadores de Red.
Características
Baja frecuencia (50Hz).
IFAV: 1A – 6000 A
Diodos Schotkky
trr: 5 ns
Características
IFAV: 0,45A – 2 A
Diodos de alta tensión
VR: 7,5kV – 18kV Aplicaciones
trr: 150 ns
VF: 2V
Características Aplicaciones
Características generales.
Características estáticas
Modelo estático
Características dinámicas
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida.
Factores de los que depende trr :
Potencia
Características.
Funcionamiento.
Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un
tiristor, éste puede dispararse y entrar en conducción aún sin corriente de puerta.
Por ello se da como característica la tasa máxima de subida de tensión que permite
mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador
parásito existente entre la puerta y el ánodo.
Aplicaciones.
Normalmente son usados en diseños donde hay corrientes o voltajes muy grandes,
también son comúnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio
de polaridad de la corriente revierte en la conexión o desconexión del dispositivo.
Se puede decir que el dispositivo opera de forma síncrona cuando, una vez que el
dispositivo está abierto, comienza a conducir corriente en fase con el voltaje
aplicado sobre la unión cátodo-ánodo sin la necesidad de replicación de la
modulación de la puerta.
Transistor bipolar. El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT (siglas
de su denominación inglesa Bipo-lar Junction Transistor), es un dispositivo de tres
terminales denominados emisor, base y colector.
El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más
dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de
emisor pase a colector. Además, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no
comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposición se
tratase.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características de
esta región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen
del emisor.
Funcionamiento
Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y
en el terminal de base (B) se aplica la señal de control gracias a la que se controla
la potencia. Con pequeñas variaciones de corriente a través del terminal de base,
se consiguen grandes variaciones a través de los terminales de colector y emisor.
Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variación de corriente en
variaciones de tensión según sea necesario.
De esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que
por la base una corriente muy pequeña. El control se produce mediante este
terminal de base porque, si se corta la corriente por la base ya no existe polarización
de un diodo en inversa y otro en directa, y por tanto no circula corriente.
Polarización
Corte
Activa
MOSFET DE POTENCIA.
MOSFET. Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el
transistor más utilizado en la industria microelectrónica. La práctica totalidad de los
circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.
Fue ideado teóricamente por el alemán Julius Von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque
debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo
se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron
fabricar hasta décadas más tarde. Tambien se llama mosfet a los aislados por
juntura de dos componentes.
Para que fluya corriente entre el drenador y la fuente se debe establecer una
trayectoria conductora desde la región N+ y N- a través de la región de tipo P.
Cuando se aplica una tensión VGS positiva se atraen electrones del substrato P y
se acumulan en la superficie debajo de la capa de óxido. Si VGS es mayor o igual
al potencial umbral VT, se acumula una cantidad suficiente de electrones para
formar un canal N, y puede circular corriente entre drenador y fuente, si se aplica
una tensión entre estos terminales. Los MOSFET de potencia presentan alta
velocidad de conmutación y muy pequeña corriente de entrada. Presentan el
inconveniente de ser muy sensibles a las descargas electrostáticas requiriendo
sistemas de protección y cuidado en su manejo. Como ventaja se pueden conectar
fácilmente en paralelo. Para obtener dispositivos con mayor manejo de intensidades
de corriente se modifica la estructura física. En la Figura siguiente se muestran tres
tipos: ranura en V, doble difusión y ranura en U. El primero tiene una ranura en V
en la zona de la puerta y fue el primero en ser comercializado, en la década de
1970. La máxima corriente que puede circular a través del dispositivo está limitada
por el efecto de concentración de corriente en el vértice de la V. Además, en este
punto se produce un elevado valor del campo eléctrico, lo cual limita la máxima
tensión VDS aplicable. Debido a estas dificultades fue reemplazado por otros
diseños, como la estructura en U. El diseño en ranura U se comercializó a partir de
la década de los noventa. Presenta un canal más alto y la ventaja es la reducción
de la resistencia en conducción disminuyendo el consumo de potencia.
Actualmente, la estructura de doble difusión es el diseño más comercializado,
conocido como VDMOS.
El MOSFET de potencia presenta un diodo interno llamado diodo de cuerpo
conectado entre la fuente y el drenador como se muestra en la imagen. Debido a su
extensa área de unión, los valores de corriente y resistencia térmica de este diodo
son los mismos que el MOSFET de potencia, limitando el comportamiento en
conmutación en altas frecuencias debido a su gran tiempo de recuperación inversa.
Una forma de eliminar este problema para usar al dispositivo en frecuencias altas
en colocar en paralelo con el diodo interno un diodo ultra-rápido que asegure que el
diodo parásito no conduzca.
El IGBT es un dispositivo controlado por tensión que se activa aplicando una tensión
positiva en la puerta y se desactiva al quitar esta polarización. Cuando se polariza
positiva la puerta respecto al emisor, electrones son atraídos al canal P cerca de la
región de la compuerta, produciendo una polarización directa de la base del
transistor NPN encendiendo al dispositivo. Como puede verse en el modelo
equivalente simplificado de la Figura anterior, la caída de tensión a través del IGBT
es la suma de dos componentes: una caída de tensión debida a la unión PN y una
caída de tensión a través del MOSFET en conducción. Por lo tanto, a diferencia del
MOSFET, la caída de tensión en el estado de conducción a través de un IGBT nunca
pasa por debajo de la tensión umbral de un diodo. Los IGBT se fabrican mediante
dos tecnologías diferentes, la tecnología de perforación PT (Punch Through) y la
tecnología no perforación NPT (Non Punch Through).
Características técnicas.
ICmax Limitada por efecto Latch-up.
VGEmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
Se diseña para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea
entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda
soportarla durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar una protección electrónica
cortando desde puerta.
VCEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja,
será VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600,
1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan
valores mayores)
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600
Amp.
Aplicaciones.
Las características de transferencia del IGBT y del MOSFET son similares. El IGBT
está cortado si la tensión entre puerta-emisor está por debajo de la tensión umbral.
Para tensiones de puerta mayores que la tensión umbral la curva de transferencia
es lineal sobre la mayor parte de la gama de corriente de colector. La tensión puerta-
emisor cuando el colector está en cortocircuito a emisor (VGES) es un parámetro
que determina la tensión máxima admisible de la puerta-emisor. Esta tensión está
limitada por el espesor y las características del óxido de puerta. Debido a que estos
dispositivos trabajan en conmutación es importante tener en cuenta el
comportamiento dinámico.
Características.
Fabricación.
La fabricación del SIT requiere un grabado anisotrópico de pared recta de zanjas de
23 µm de profundidad usando una grabado reactivo de ion (RIE, por sus siglas en
inglés) seguida por una deposición de Metalización de Shottky en la zanja del fondo
sin cubrir la zanja lateral. Las dimensiones laterales entre las zanjas de compuerta
oscilan en el orden de 0.5 a 1.5 µm. Los contactos de baja resistencia óhmica son
establecidos a las regiones de la fuente en el techo de las uniones. El voltaje de
compuerta cambia desde cero(arriba de la curva) a 18 V (debajo de la curva) en
cambios de 2V.La escala Horizontal es de 20V / div. El máximo voltaje de drenaje
es de 200 V.Para alcanzar operación a altas frecuencias, es necesario escalar
agresivamente la escala de la unión, anchar las zanjas, incrementar el dopado de
la región del canal y minimizar capacitancias parásitas. El ancho de unión y los
anchos de las zanjas son 0.5µm cada uno. Los contactos de la fuente son formados
por una interconexión de puente de aire para minimizar capacitancias parásitas.
Este dispositivo exhibió una frecuencia de 7 GHz, el valor más alto hasta ahora
reportado para un SIT.
TIRISTORES.
Conmutación forzada.
En algunos circuitos de tiristor, el voltaje de entrada es de cd, para desactivar al
tiristor, la corriente en sentido directo del tiristor se obliga a pasar por cero utilizando
un circuito adicional conocido como circuito de conmutación. Esta técnica se conoce
como conmutación forzada y por le común se aplica en los convertidores de cd a cd
(pulsadores) y en convertidores de cd a ca (inversores). La conmutación forzada de
un tiristor se puede lograr de siete maneras diferentes, que pueden clasificarse
como:
- Auto conmutación.
- Conmutación por impulso.
- Conmutación por pulso resonante.
- Conmutación complementaria.
- Conmutación por pulso externo.
- Conmutación del lado de la carga.
- Conmutación del lado de la línea.
Funcionamiento.
Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicación de una
señal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una señal
negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se construir con
especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa
aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso
negativo corto. La simbología para identificarlo en un circuito es la que se muestra
en la figura II.
Troceadores y convertidores
Control de motores asíncronos
Inversores
Caldeo inductivo
Rectificadores
Soldadura al arco
Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI)
Control de motores
Tracción eléctrica
Descripción
Un RCT se conoce también como tiristor asimétrico (ASCR). El mismo cuenta con
tres pines ánodo, cátodo y puerta. El voltaje de bloqueo directo varia de 400 a 2000
volts y la especificación de corriente hasta 500A. El voltaje de bloque inverso es
tipicamente de 30 a 40 Volts. Dada las características de relación entre la corriente
directa a través de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se
limitan a diseños de circuitos específicos.
Principio de funcionamiento
Características
Funcionamiento.
Este dispositivo se activa mediante radiación directa de luz sobre el disco de silicio.
Los pares electrón-hueco que se crean debido a la radiación producen la corriente
de disparo bajo la influencia de un campo eléctrico. La estructura de compuerta se
diseña a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de
fuentes luminosas prácticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades
de di/dt y dv/dt). En un circuito puede ser reconocido por la simbología que muestra
la figura I. Como se observa la misma cuenta con tres terminales Puerta (G), Anodo
(A), Cátodo (K) y una ventana transparente por donde entra la luz.
Aplicaciones
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente por ejemplo,
transmisión de cd de alto voltaje (HVDC) y compensación de potencia reactiva
estática o de volt-amperes reactivos (VAR). Un LASCR ofrece total aislamiento
eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutación de un
convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos
de kilovoltios.
Alarmas antirrobo
Detectores de presencia en puertas y ascensores
Circuitos de control óptico en general
Relevadores
Control de fase
Control de motores
Y una variedad de aplicaciones en computadoras.
Características
Principio de funcionamiento.
Como se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR
normal, el ánodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se
aplican todas las señales de compuerta. Supongamos que el MCT está en estado
de bloqueo directo y se aplica un voltaje negativo VGA. Un canal, p (o una capa de
inversión) se forma en el material dopado n, haciendo que los huecos fluyan
lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a través
del canal p hacia la base p B1 de Ql (que es drenaje D1 del MOSFET M1, del canal
p). Este flujo de huecos forma la corriente de base correspondiente al transistor npn
Q1. A continuación e1 emisor n+ E1 de Q1, inyecta electrones, que son recogidos
en la base n B2 (y en el colector n C1) que hace que el emisor p E2 inyecte huecos
en la base n B2, de tal forma que se active el transistor PNP Q2 y engancha al MCT.
En breve, un VGA de compuerta negativa activa al MOSFET M1 canal p,
proporcionando así la corriente de base del transistor Q2.
Características
Debido a que el tiempo de apagado del MCT es muy bajo (cerca de 1.5 ms) y que
posee un elevado di/dt (1000 A/ms) y dv/dt ( 5000 V/ms), éstas características
superiores lo convierten en un dispositivo de conmutación ideal y posee un
tremendo potencial para aplicaciones en motores de media y alta potencia, así como
en distintas aplicaciones en la electrónica de potencia.
TRIAC.
REFERENCIAS.