Está en la página 1de 53

TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO.

INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE CALKINÍ EN EL ESTADO DE


CAMPECHE.

INGENIERÍA EN MECATRÓNICA.

MATERIA:

“Electrónica de potencias.”

ACTIVIDAD:

INVESTIGACION DOCUMENTAL.

“dispositivos semiconductores de potencia”

DOCENTE:

CARLOS ALBERTO DECENA CHAN.

INTEGRANTES DEL EQUIPO:

JOSE YAIR CHUC ZAPATA 6697

ERIK ALEJANDRO ARANA HERRERA 6121

6 SEMESTRE GRUPO “A”

1ER PARCIAL.

CICLO ESCOLAR: 2019-2020P..

CALKINÍ, CAMPECHE A 31 DE ENERO DEL 2020


INTRODUCCIÓN.

Electrónica de potencia. Es una de las ramas de la ingeniería eléctrica, en ella se


combina la energía, la electrónica y el control. Principalmente se usa en fábricas y
talleres en los que se controlen equipos consumidores de alta potencia.

La electrónica de potencia tiene sus inicios en el año 1900, con la introducción del
rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron, gradualmente, el rectificador
de tanque metálico, el rectificador de tubo al alto vacío de rejilla controlada, el
ignitrón, el fanotrón y el tiratrón. Estos se aplicaron al control de la energía hasta la
década de 1950.

En 1948 se inicia la primera revolución electrónica con la invención del transistor de


silicio en los Bell Telephone Laboratories por los señores Bardeen, Brattain y
Schockley. Otros de los grandes inventos fue la del transistor de disparo pnpn, que
se definió como tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR por sus siglas en
inglés). La segunda revolución electrónica fue en 1958 con el desarrollo del tiristor
comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de la nueva era de la
electrónica de potencia, hasta la fecha se han introducido diversos dispositivos
semiconductores de potencia y técnicas de conversión. La revolución de la
electrónica de potencia nos está dando la capacidad de dar forma y controlar
grandes cantidades de energía con una eficiencia cada vez mayor.

Dispositivos semiconductores de potencia.

Para estas aplicaciones se han desarrollado una serie de dispositivos


semiconductores de potencia, todos los cuales derivan del diodo o el transistor.
Entre estos se encuentran los siguientes:
Diodos de potencia
Dispositivo Características Aplicaciones. Símbolo/Gráfica/Fórmula

Diodo rectificador de
baja potencia. IFAV: 1A – 6000 A  Rectificadores de
VRRM: 400 – 3600 V Red.
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)  Baja frecuencia
trr: 10 µs (50Hz).

Diodos rápidos (fast)


• Conmutación a alta
y ultrarrápidos
IFAV: 30A – 200 A frecuencia (>20kHz).
(ultrafast)
VRRM: 400 – 1500 V • Inversores.
VFmax: 1,2V (a IFAVmax) • UPS.
trr: 0,1 - 10 µs • Accionamiento de
motores CA
IFAV: 1A – 120 A  Fuentes conmutadas.
Diodos Schotkky  Convertidores.
VRRM: 15 – 150 V
 Diodos de libre
VFmax: 0,7V (a IFAVmax) circulación.
 Cargadores de baterías.
trr: 5 ns

IFAV: 0,45A – 2 A
Diodos para
aplicaciones VR: 7,5kV – 18kV
especiales (alta
Aplicaciones de alta tensión
tensión) VRRM: 20V – 100V

trr: 150 ns
Diodos para IFAV: 50A – 7000 A
aplicaciones
VRRM: 400V – 2500V
especiales (alta Aplicaciones de alta
corriente) VF: 2V corriente.

trr:10 µs

Tipo transistor
*Emisor, que se diferencia de las
otras dos por estar fuertemente
dopada, comportándose como
un metal. Su nombre se debe a Este tipo de dispositivo es
que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga. utilizado para un gran número de
TRANSISTORES *Base, la intermedia, muy aplicaciones, principalmente en
BIPOLARES DE estrecha, que separa el emisor electrónica analógica y digital
del colector.
JUNTURA DE con tecnología TTL o BICMOS, a
*Colector, de extensión mucho
POTENCIA (BJT) mayor. pesar de tener una gran
limitación debido a su
Región de Corte. El transistor impedancia de entrada muy baja.
posee un funcionamiento como
un interruptor abierto. 𝑉𝐵𝐸 ≤ 0.7
𝑉 𝐼 𝐶 = 0 𝐴 𝑉𝐶𝐸 = 𝑀á𝑥
Región de Saturación. El
transistor posee un
funcionamiento como un
interruptor cerrado. 𝑉𝐵𝐸 > 0.7 𝑉
𝐼 𝐶 = 𝑀á𝑥 𝑉𝐶𝐸 ≈ 0 𝐴

Región activa. El transistor es


usado como amplificador, por
comportarse como una fuente de
corriente controlada.

Los mosfets de potencia (power


Máxima tensión drenador-fuente mosfets) son componentes
Máxima corriente de drenador electrónicos que nos permiten
Resistencia en conducción de controlar corrientes muy
Tensiones umbral y máximas de elevadas. Como en el caso del
puerta los mosfets comunes, tienen 𝑃𝐷(𝑜𝑛) = 𝐼𝐷2 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)
MOSFET DE Velocidad de conmutación tres terminales de salida que se
POTENCIA. Baja tensión: 15 V, 30 V, 45 llaman: Drain, Source y Gate
V, 55 V, 60 V, 80 V (D, S y G). La corriente
Media tensión: 100 V, 150 V, principal pasa entre Source y
200 V, 400 V Drain (ISD) mientras que el
Alta tensión: 500 V, 600 V, control de esta corriente se

800 V, 1000 V obtiene aplicando una tensión


sobre el terminal Gate
(respecto al terminal Source),
conocida como VGS.

El IGBT es un dispositivo
VCEmax es la tensión de
electrónico que
ruptura del transistor pnp.
generalmente se aplica a
Como α es muy baja, será
circuitos de potencia. Este es
TRANSISTORES VCEmax=BVCB0 Existen en
un dispositivo para la
BIPOLARES DE el mercado IGBTs con valores
conmutación en sistemas de
COMPUERTA de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y
alta tensión. Se usan en los
AISLADA (IGBT) 3.300 voltios. (anunciados de
Variadores de frecuencia así
6.5 kV).
como en las aplicaciones en
La temperatura máxima de la
máquinas eléctricas y
unión suele ser de 150ºC (con
convertidores de potencia.
SiC se esperan valores
mayores)
Existen en el mercado IGBTs
encapsulados que soportan
hasta 400 o 600 Amp.
Bajo nivel de ruido
Baja distorsión Componente electrónico de
Alta capacidad de potencia en recién creación el cual es
audio frecuencia. usado en diferentes
Estos pueden llegar hasta aplicaciones, es de alta
TRANSISTORES DE 300A y 1200V. potencia y frecuencia. Se los
INDUCCION Velocidad de conmutación tan utiliza en amplificadores de
ESTATICA (SIT) alta como 100kHz potencia lineal en audio,
Baja resistencia en serie de DHF, UHF y microondas. No
compuerta se los utiliza como
Baja capacitancia compuerta conmutador por la alta caída
fuente de tensión en sus terminales.
Resistencia térmica pequeña
TIRISTORES
Tiristor de Tienen un capacitor Consiste en agregar un
conmutación forzada conectado directamente en circuito adicional, cuya
paralelo con el tiristor para ser función es obligar a que la
sometido al voltaje reverso al corriente que fluye pase por
que el capacitor está cero.
inicialmente cargado, es
necesario para extraer la
carga y evitar la prolongación
de apagado.
En este tipo de conmutación,
la descarga y recarga del
capacitor no se llevan a cabo
Tiristor conmutado
a través de la carga, por lo
por línea
que el circuito de conmutación
se puede probar sin
conectarla
Son semiconductores
El disparo se realiza mediante
discretos que actúan como
una VGK >0
interruptores completamente
Tiristor desactivado
controlables, los cuales
por compuerta (GTO) El bloqueo se realiza con una
pueden ser encendidos y
VGK < 0.
apagados en cualquier
momento con una señal de
La ventaja del bloqueo por compuerta positiva o
puerta es que no se precisan negativa respectivamente.
de los circuitos de bloqueo Estos componentes están
forzado que requieren los optimizados para tener muy
SCR. bajas pérdidas de
conducción y diseñados para
La desventaja es que la trabajar en las más
corriente de puerta tiene que demandantes aplicaciones
ser mucho mayor por lo que el industriales. Estos
generador debe estar más componentes son altamente
dimensionado. utilizados en Convertidores
de Alto Voltaje y Alta
El GTO con respecto al SCR Potencia para aplicaciones
disipa menos potencia. de baja y media frecuencia.
Estos se utilizan con cargas
*El voltaje de bloqueo directo
inductivas de tal manera que
varía de 400 a 2000v y la
se optimice el
especificación de corriente
Tiristor de conducción funcionamiento de la carga a
llega hasta 500 A.
inversa (RTC) su vez mejorar los
requerimientos de apagado
*El voltaje de bloqueo inverso
del tiristor al activarse el
es típicamente 30 a 40v.
diodo del montaje.

Un SITH tiene velocidades de Por lo general, un SITH es


conmutación muy rápidas y activado al aplicarle un
capacidades altas de dv/dt y voltaje positivo de
di/dt. El tiempo de compuerta, como los
Tiristor de inducción
conmutación es del orden de tiristores normales, y
estático (SITH)
1 a 6 ms. La especificación de desactivado al aplicarle un
voltaje puede alcanzar hasta voltaje negativo a su
2500 V y la de corriente está compuerta. Un SITH es un
limitada a 500 A. Este dispositivo de portadores
dispositivo es minoritarios. Como
extremadamente sensible a consecuencia, el SITH tiene
su proceso de fabricación, por una baja resistencia en
lo que pequeñas variaciones estado activo así como una
en el proceso de manufactura baja caída de potencial,y se
pueden producir cambios de puede abricar con
importancia en sus especificaciones de voltaje y
características. corriente más altas.
Los LASRC se utilizan en La especificación de voltaje
aplicaciones de alto voltaje y de un LASCR puede llegar
corriente por ejemplo, tan alto como 4 kv a 1500 A,
transmisión de cd de alto con una potencia de disparo
voltaje (HVDC) y luminoso de menos de
compensación de potencia 100mw. El di/dt típico es 250
reactiva estática o de volt- A/ms y el dv/dt puede ser tan
amperes reactivos (VAR). Un alto como 2000v/ms. La
LASCR ofrece total frecuencia de conmutación
Rectificador aislamiento eléctrico entre la es de hasta 2kHz, estos
controlado de silicio fuente de disparo luminoso y tiristores normalmente
fotoactivo (LASCR) el dispositivo de conmutación disponen de conexiones
de un convertidor de potencia, especiales para ser
que flota a un potencial tan disparados con fibra óptica.
alto como unos cuantos Un LASCR ofrece total
cientos de kilovoltios. aislamiento eléctrico entre la
Equipos en que se usa fuente de disparo luminoso y
 Alarmas antirrobo el dispositivo de
 Detectores de conmutación de un
presencia en puertas y convertidor de potencia, que
ascensores flota a un potencial tan alto
 Circuitos de control como unos cuantos cientos
óptico en general de kilovoltios.
 Relevadores
 Control de fase
 Control de motores
 Y una variedad de
aplicaciones en
computadoras.
Una baja caída de voltaje El MCT se puede operar
directo durante la conducción. como dispositivo controlado
Un tiempo de activado rápido, por compuerta, si su
típicamente 0.4m s, y un corriente es menor que la
tiempo de desactivado rápido, corriente controlable pico.
típicamente 1.25m s, para un Intentar desactivar el MCT a
MCT de 300A, 500V. corrientes mayores que su
Bajas perdidas de corriente controlable pico de
conmutación. especificación, puede
Una baja capacidad de provocar la destrucción del
Tiristor controlado por
bloqueo voltaje inverso. dispositivo. Para valores más
MOS (MCT)
Una alta impedancia de altos de corriente, el MCT
entrada de compuerta, lo que debe ser conmutado como
simplifica mucho los circuitos un SCR estándar. Los
de excitación. Es posible anchos de pulso de la
ponerlo efectivamente en compuerta no son críticos
paralelo, para interrumpir para dispositivos de
corrientes altas, con sólo corrientes pequeñas. Para
modestas reducciones en la corrientes mayores, el ancho
especificación de corriente del del pulso de desactivación
dispositivo. No se puede debe ser mayor. Además,
excitar fácilmente a partir de durante la desactivación, la
un transformador de pulso, si compuerta utiliza una
se requiere de una corriente pico. En muchas
polarización continua a fin de aplicaciones, incluyendo
evitar ambigüedad de estado. inversores y pulsadores, se
requiere, de un pulso
continuo de compuerta sobre
la totalidad del período de
encendido/apagado a fin de
evitar ambigüedad en el
estado.
Vgt-Voltaje umbral de puerta
Su versatilidad lo hace ideal
0.7 - 1.5 V
para el control de corrientes
Igt-Corriente umbral de puerta
alternas.
5 - 50 mA
Una de ellas es su utilización
Vdrm-Voltaje pico directo en
Triac como interruptor estático
estado apagado repetitivo
ofreciendo muchas ventajas
600 - 800 V
sobre los interruptores
Vrrm-Voltaje pico inverso en
mecánicos convencionales y
estado apagado repetitivo
los relés.
600 - 800 V
IT-corriente eficaz en estado Funciona como interruptor
encendido electrónico y también a pila.
4 - 40 A Se utilizan TRIACs de baja
Itsm-Corriente pico en estado potencia en muchas
encendido no repetitivo aplicaciones como
100 - 270 A atenuadores de luz,
Vt- Voltaje directo en estado controles de velocidad para
encendido motores eléctricos, y en los
1.5 V sistemas de control
computarizado de muchos
elementos caseros. No
obstante, cuando se utiliza
con cargas inductivas como
motores eléctricos, se deben
tomar las precauciones
necesarias para asegurarse
que el TRIAC se apaga
correctamente al final de
cada semiciclo de la onda de
Corriente alterna.
Debido a su poca estabilidad
en la actualidad su uso es
muy reducido.
Conclusión

Se puede concluir que al pasar del tiempo se van innovando las distintas tecnologías
que se presentan en distintos ámbitos como en lo industrial como en lo comercial y
en otros en los cuales la tecnología se innova cuales con el avance rápido del tiempo
estas mismas se vuelven eficientes, fiables y más económicas. Pero para esto
mismo se necesitan nuevos dispositivos electrónicos que puedan soportar dichas
tecnologías, por lo cual se tuvieron que diseñar distintos dispositivos
semiconductores, pero sobre todo los que este tema abarca cuales son los
semiconductores de potencia, los cuales tienen una gran variedad y funcionalidad
varia dado al caso en cual se vaya a utilizar, entre algunos están los TRIACS,
tiristores, los diodos de potencia, transistores de potencia y el transistor MOSFET.
Lo que igual manera el hecho que sean semiconductores le da esa propiedad la
cual es de tener dos estados como un conductor de corriente, pero igualmente es
un aislante los cuales se diferencian con la alta y baja impedancia y a su vez tiene
un sistema de control de paso de un estado de baja potencias.

JOSË YAHIR CHUC ZAPATA 6697.

Existen distintos dispositivos que corresponden a actividades similares o varias en


la electrónica lo que encadena en que los dispositivos electrónicos sean más
diversos y se puedan usar de varias formas posibles, en este caso se usa el tipo
de conexión polarizada PN de los diodos en arreglos de diodos, transistores y
tiristores los cuales están diseñados de cierta forma que pueden soportar voltajes,
corrientes, frecuencias y tensiones inversas muy grandes.

ERIK ALEJANDRO ARANA HERRERA 6121.


TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO.

INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE CALKINÍ EN EL ESTADO DE


CAMPECHE.

INGENIERÍA EN MECATRÓNICA.

MATERIA:

“Electrónica de potencias.”

ACTIVIDAD:

INVESTIGACION DOCUMENTAL.

“dispositivos semiconductores de potencia”

DOCENTE:

CARLOS ALBERTO DECENA CHAN.

INTEGRANTES DEL EQUIPO:

JOSE YAIR CHUC ZAPATA 6697

ERIK ALEJANDRO ARANA HERRERA 6121

6 SEMESTRE GRUPO “A”

1ER PARCIAL.

CICLO ESCOLAR: 2019-2020P..

CALKINÍ, CAMPECHE A 31 DE ENERO DEL 2020


Tabla de contenido
INTRODUCCIÓN. .................................................................................................................................. 3
Dispositivos semiconductores de potencia. ........................................................................................ 3
DIODOS DE POTENCIA. ........................................................................................................................ 4
Características generales. ................................................................................................................... 6
Características estáticas ...................................................................................................................... 6
Modelo estático .................................................................................................................................. 7
Características dinámicas .................................................................................................................... 8
Características térmicas .................................................................................................................... 10
TIRISTOR O RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR) ............................................................. 10
Características ................................................................................................................................... 10
Funcionamiento. ............................................................................................................................... 10
Aplicaciones....................................................................................................................................... 11
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA DE POTENCIA (BJT) ........................................................... 12
Estructura física y tipos. .................................................................................................................... 12
Funcionamiento ................................................................................................................................ 13
Funcionamiento físico del efecto transistor. .................................................................................... 13
Polarización ....................................................................................................................................... 14
MOSFET DE POTENCIA. ..................................................................................................................... 15
TRANSISTORES BIPOLARES DE COMPUERTA AISLADA (IGBT) ........................................................... 18
Características técnicas. .................................................................................................................... 19
Aplicaciones....................................................................................................................................... 20
Características electrónicas y graficas del IGBT. ............................................................................... 20
TRANSISTORES DE INDUCCION ESTATICA (SIT) ................................................................................. 22
Características. .................................................................................................................................. 23
Fabricación. ....................................................................................................................................... 23
REFERENCIAS. .................................................................................................................................... 32
INTRODUCCIÓN.

Electrónica de potencia. Es una de las ramas de la ingeniería eléctrica, en ella se


combina la energía, la electrónica y el control. Principalmente se usa en fábricas y
talleres en los que se controlen equipos consumidores de alta potencia.

La electrónica de potencia tiene sus inicios en el año 1900, con la introducción del
rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron, gradualmente, el rectificador
de tanque metálico, el rectificador de tubo al alto vacío de rejilla controlada, el
ignitrón, el fanotrón y el tiratrón. Estos se aplicaron al control de la energía hasta la
década de 1950.

En 1948 se inicia la primera revolución electrónica con la invención del transistor de


silicio en los Bell Telephone Laboratories por los señores Bardeen, Brattain y
Schockley. Otros de los grandes inventos fue la del transistor de disparo pnpn, que
se definió como tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR por sus siglas en
inglés). La segunda revolución electrónica fue en 1958 con el desarrollo del tiristor
comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de la nueva era de la
electrónica de potencia, hasta la fecha se han introducido diversos dispositivos
semiconductores de potencia y técnicas de conversión. La revolución de la
electrónica de potencia nos está dando la capacidad de dar forma y controlar
grandes cantidades de energía con una eficiencia cada vez mayor.

Dispositivos semiconductores de potencia.

Para estas aplicaciones se han desarrollado una serie de dispositivos


semiconductores de potencia, todos los cuales derivan del diodo o el transistor.
Entre estos se encuentran los siguientes:

 Diodos de potencia
 Rectificador controlado de silicio (SCR en inglés)
 Transistores bipolares de juntura de potencia (BJT)
 MOSFET de potencia
 Transistores bipolares de compuerta aislada(IGBT)
 Transistor de inducción estática(SIT)
Los Tiristores pueden subdividirse en ocho tipos:

 Tiristor de conmutación forzada


 Tiristor conmutado por línea
 Tiristor desactivado por compuerta (GTO)
 Tiristor de conducción inversa (RTC)
 Tiristor de inducción estático (SITH)
 Tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATT)
 Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR)
 Tiristor controlado por MOS (MCT)
 Triac

DIODOS DE POTENCIA.

Diodos de potencia. Componente electrónico ampliamente utilizado en la


electrónica de potencia. A diferencia de los diodos de baja potencia estos se
caracterizan por ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída
de tensión en estado de conducción y en sentido inverso, deben ser capaces de
soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de
fugas.

Diodos rectificadores para baja frecuencia

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

trr: 10 µs

Aplicaciones
Diodos para baja frecuencia
 Rectificadores de Red.
Características
 Baja frecuencia (50Hz).
IFAV: 1A – 6000 A

VRRM: 400 – 3600 V

Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)


Diodos de conmutación rápida (Fast y trr: 0,1 - 10 µs
Ultrafast
Aplicaciones
Características
 Conmutación a alta frecuencia
IFAV: 30A – 200 A (>20kHz).
 Inversores.
VRRM: 400 – 1500 V
 UPS.
VFmax: 1,2V (a IFAVmax)  Accionamiento de motores CA.

Diodos Schotkky

Diodos Schottky Aplicaciones

Características  Fuentes conmutadas.


 Convertidores.
IFAV: 1A – 120 A
 Diodos de libre circulación.
VRRM: 15 – 150 V  Cargadores de baterías.

VFmax: 0,7V (a IFAVmax)

trr: 5 ns

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)

Características

IFAV: 0,45A – 2 A
Diodos de alta tensión
VR: 7,5kV – 18kV Aplicaciones

VRRM: 20V – 100V Aplicaciones de alta tensión.

trr: 150 ns

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

VRRM: 400V – 2500V

VF: 2V

Diodos de alta corriente trr:10 µs

Características Aplicaciones

IFAV: 50A – 7000 A Aplicaciones de alta corriente.

Características generales.

La curva característica se muestra a continuación

Las características más importantes del diodo podemos agrupar de la siguiente


forma:

Características estáticas

 Parámetros en bloqueo (polarización inversa).


 Parámetros en conducción.
 Modelo estático.
Parámetros en bloqueo

 Tensión inversa de trabajo (VRWM):Tensión inversa máxima que puede ser


soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de avalancha.
 Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM):Tensión inversa máxima que
puede ser soportada en picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo
indefinido.
 Tensión inversa de pico único (VRSM):Tensión inversa máxima que puede
ser soportada por una sola vez cada 10 min o más, con duración de pico de
10ms.
 Tensión de ruptura (VR):Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo
puede destruirse o al menos degradar sus características eléctricas.

Parámetros en estado de conducción

 Intensidad media nominal (IFAV):Es el valor medio de la máxima intensidad


de impulsos senoidales de 180º que el diodo puede soportar con la cápsula
mantenida a determinada temperatura (110 ºC normalmente).
 Intensidad de pico repetitivo (IFRM):Máxima intensidad que puede ser
soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, con duración de pico de 1ms a
determinada temperatura de la cápsula.
 Intensidad de pico único (IFSM):Es el máximo pico de intensidad aplicable
por una vez cada 10 minutos o más, con duración de pico de 10ms.

Modelo estático

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se


representan.
Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos escoger el
modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos. Estos modelos se
suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más complejos para
programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen ser
proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del
programa. a) Modelo Ideal b) Diodo ideal en serie con fuente de tensión. c) Diodo
ideal en serie con fuente de tensión y con la resistencia del diodo en conducción.

Características dinámicas

 Tiempo de recuperación inverso (trr).


 Influencia del trr en la conmutación.
 Tiempo de recuperación directo.

Tiempo de recuperación inverso: El paso del estado de conducción al de bloqueo


en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un el diodo se encuentra
conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada de
portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si
mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente
con cierta velocidad di/dt, resultará que después del paso por cero de la corriente
existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y
permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensión
inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado
tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y
aparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo
tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un
valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.

 ta(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por


cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
 tb(tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad
de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor
de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
 trr(tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Influencia del trr en la conmutación: Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no


es despreciable :

 Se limita la frecuencia de funcionamiento.


 Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida.
Factores de los que depende trr :

 A mayor IRRM menor trr.


 Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será
la capacidad almacenada, y por tanto mayor será trr.

Potencia

 Potencia máxima disipable.


 Potencia media disipada.
 Potencia inversa de pico repetitivo.
 Potencia inversa de pico no repetitivo.

Potencia máxima disipable (Pmáx):Es un valor de potencia que el dispositivo puede


disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el
funcionamiento, llamada ésta potencia de trabajo.

Potencia media disipada (PAV):Es la disipación de potencia resultante cuando el


dispositivo se encuentra en estado de conducción, si se desprecia la potencia
disipada debida a la corriente de fugas.

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM):Es la máxima potencia que puede


disipar el dispositivo en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM):Similar a la anterior, pero dada para


un pulso único.
Características térmicas

Temperatura de la unión (Tjmáx):Es el límite superior de temperatura que nunca


debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su
inmediata destrucción. En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos
da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento),
que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de
temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mínimo y otro máximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg):Es la temperatura a la que se encuentra el


dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un
margen de valores para esta temperatura.

TIRISTOR O RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Tiristor. Un SCR o Tiristor (thyristor en inglés) es un componente electrónico


rectificador de estado sólido de 3 terminales: ánodo (A), cátodo (K) y un electrodo
de control denominado puerta (G, gate), desarrollado por la General Electric (U.S.A.)
en 1957, 10 años después de la invención del transistor bipolar de unión.

Características.

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y puerta. La puerta es la encargada


de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente
como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo
sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la
conducción y en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a
conducir.

Una vez arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el tiristor continuará


conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente
de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se des-excita en cada
alternancia o semiciclo.

Funcionamiento.
Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un
tiristor, éste puede dispararse y entrar en conducción aún sin corriente de puerta.
Por ello se da como característica la tasa máxima de subida de tensión que permite
mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador
parásito existente entre la puerta y el ánodo.

Aplicaciones.

Normalmente son usados en diseños donde hay corrientes o voltajes muy grandes,
también son comúnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio
de polaridad de la corriente revierte en la conexión o desconexión del dispositivo.

Se puede decir que el dispositivo opera de forma síncrona cuando, una vez que el
dispositivo está abierto, comienza a conducir corriente en fase con el voltaje
aplicado sobre la unión cátodo-ánodo sin la necesidad de replicación de la
modulación de la puerta.

En este momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido.


No se debe confundir con la operación simétrica, ya que la salida es unidireccional
y va solamente del cátodo al ánodo, por tanto en sí misma es asimétrica.

Los tiristores pueden ser usados también como elementos de control en


controladores accionados por ángulos de fase, esto es una modulación por ancho
de pulsos para limitar el voltaje en corriente alterna.

En circuitos digitales también se pueden encontrar tiristores como fuente de energía


o potencial, de forma que pueden ser usados como interruptores automáticos
magneto-térmicos, es decir, pueden interrumpir un circuito eléctrico, abriéndolo,
cuando la intensidad que circula por él se excede de un determinado valor. De esta
forma se interrumpe la corriente de entrada para evitar que los componentes en la
dirección del flujo de corriente queden dañados.

El tiristor también se puede usar en conjunto con un diodo zener enganchado a su


puerta, de forma que cuando el voltaje de energía de la fuente supera el voltaje
zener, el tiristor conduce, acortando el voltaje de entrada proveniente de la fuente a
tierra, fundiendo un fusible.
La primera aplicación a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensión de
entrada proveniente de una fuente de tensión, como un enchufe, por ejemplo. A
comienzo de la década de 1970 se usaron los tiristores para estabilizar el flujo de
tensión de entrada de los receptores de televisión en color.

Se suelen usar para controlar la rectificación en corriente alterna, es decir, para


transformar esta corriente alterna en corriente continua, siendo en este punto los
tiristores onduladores o inversores, para la realización de conmutaciones de baja
potencia en circuitos electrónicos.

Otras aplicaciones comerciales son en electrodomésticos, iluminación,


calentadores, control de temperatura, activación de alarmas, velocidad de
ventiladores, herramientas eléctricas para acciones controladas tales como
velocidad de motores, cargadores de baterías, equipos para exteriores como
aspersores de agua, encendido de motores de gas, pantallas electrónicas.

TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNTURA DE POTENCIA (BJT)

Transistor bipolar. El transistor bipolar de uniones, conocido también por BJT (siglas
de su denominación inglesa Bipo-lar Junction Transistor), es un dispositivo de tres
terminales denominados emisor, base y colector.

La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente


dependiente de corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el terminal de
colector es controlada por la corriente en el terminal de base. La mayoría de
funciones electrónicas se realizan con circuitos que emplean transistores, sean
bipolares o de efecto de campo, los cuales son los dispositivos básicos de la
electrónica moderna.

Estructura física y tipos.

La estructura física de un transistor bipolar consta de dos uniones PN dispuestas


una a continuación de la otra. Entre los terminales de emisor y base hay una unión
PN, denominada unión emisora, y entre los de base y colector otra unión PN,
llamada unión colectora.
Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el PNP. Estos nombres proceden
de la descripción de su estructura física. En el transistor NPN el emisor es un
semiconductor tipo N, la base es tipo P y el colector es tipo N. La estructura física
del transistor PNP es dual a la anterior cambiando las regiones P por regiones N, y
las N por P.

El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+). Cuanto más
dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.

La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de
emisor pase a colector. Además, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no
comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposición se
tratase.

El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características de
esta región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen
del emisor.

Funcionamiento

Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y
en el terminal de base (B) se aplica la señal de control gracias a la que se controla
la potencia. Con pequeñas variaciones de corriente a través del terminal de base,
se consiguen grandes variaciones a través de los terminales de colector y emisor.
Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variación de corriente en
variaciones de tensión según sea necesario.

Funcionamiento físico del efecto transistor.

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula


entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia
un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por
el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector),
por el que, en principio, no debería circular corriente, pero que actúa como una
estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisor-base.

Se dispone de dos diodos, uno polarizado en directa (diodo A) y otro en inversa


(diodo B). Mientras que la corriente por A es elevada (IA), la corriente por B es muy
pequeña (IB). Si se unen ambos diodos, y se consigue que la zona de unión (lo que
llamaremos base del transistor) sea muy estrecha, entonces toda esa corriente que
circulaba por A (IA), va a quedar absorbida por el campo existente en el diodo B.

De esta forma entre el emisor y el colector circula una gran corriente, mientras que
por la base una corriente muy pequeña. El control se produce mediante este
terminal de base porque, si se corta la corriente por la base ya no existe polarización
de un diodo en inversa y otro en directa, y por tanto no circula corriente.

Polarización

Polarizar un transistor bipolar implica conseguir que las corrientes y tensiones


continuas que aparecen en el mismo queden fijadas a unos valores previamente
decididos. Es posible polarizar el transistor en zona activa, en saturación o en corte,
cambiando las tensiones y componentes del circuito en el que se engloba.

Corte

Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.


Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en
corte cuando se cumple la condición: IE = 0 ó IE < 0 (Esta última condición indica
que la corriente por el emisor lleva sentido contrario al que llevaría en
funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar
en directa la unión base-emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0.

Activa

La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en


todos sus terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada
en directa y la colector-base en inversa.
Saturación

En la región de saturación se verifica que tanto la unión base-emisor como la base-


colector se encuentran en directa. Se dejan de cumplir las relaciones de activa, y se
verifica sólo lo siguiente:

donde las tensiones base-emisor y colector-emisor de saturación suelen tener


valores determinados (0,8 y 0,2 voltios habitualmente).

Es de señalar especialmente que cuando el transistor se encuentra en saturación


circula también corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la relación:
II CB = ⋅ β

MOSFET DE POTENCIA.

MOSFET. Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el
transistor más utilizado en la industria microelectrónica. La práctica totalidad de los
circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.

Fue ideado teóricamente por el alemán Julius Von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque
debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo
se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron
fabricar hasta décadas más tarde. Tambien se llama mosfet a los aislados por
juntura de dos componentes.

Los transistores MOSFET de potencia trabajan en forma similar a los dispositivos


para pequeña señal. Aplicando tensión entre la puerta G y la fuente S se controla la
formación y altura del canal conductor entre la fuente S y el drenador D. Al aplicar
una tensión VDS adecuada se controla el flujo de carga que atraviesa el dispositivo.
Difieren en sus características constructivas de los MOSFET de baja potencia. A
diferencia de los dispositivos MOSFET de canales laterales en los cuales los
terminales de la puerta, la fuente y el drenador se encuentran sobre una misma
superficie de la oblea de silicio, el MOSFET de potencia presenta una estructura de
canal vertical, en la cual la fuente y el drenador se encuentran en posiciones
opuestas con el fin de aumentar la potencia nominal dispositivo. En la Figura
siguiente se muestra una estructura básica.

Para que fluya corriente entre el drenador y la fuente se debe establecer una
trayectoria conductora desde la región N+ y N- a través de la región de tipo P.
Cuando se aplica una tensión VGS positiva se atraen electrones del substrato P y
se acumulan en la superficie debajo de la capa de óxido. Si VGS es mayor o igual
al potencial umbral VT, se acumula una cantidad suficiente de electrones para
formar un canal N, y puede circular corriente entre drenador y fuente, si se aplica
una tensión entre estos terminales. Los MOSFET de potencia presentan alta
velocidad de conmutación y muy pequeña corriente de entrada. Presentan el
inconveniente de ser muy sensibles a las descargas electrostáticas requiriendo
sistemas de protección y cuidado en su manejo. Como ventaja se pueden conectar
fácilmente en paralelo. Para obtener dispositivos con mayor manejo de intensidades
de corriente se modifica la estructura física. En la Figura siguiente se muestran tres
tipos: ranura en V, doble difusión y ranura en U. El primero tiene una ranura en V
en la zona de la puerta y fue el primero en ser comercializado, en la década de
1970. La máxima corriente que puede circular a través del dispositivo está limitada
por el efecto de concentración de corriente en el vértice de la V. Además, en este
punto se produce un elevado valor del campo eléctrico, lo cual limita la máxima
tensión VDS aplicable. Debido a estas dificultades fue reemplazado por otros
diseños, como la estructura en U. El diseño en ranura U se comercializó a partir de
la década de los noventa. Presenta un canal más alto y la ventaja es la reducción
de la resistencia en conducción disminuyendo el consumo de potencia.
Actualmente, la estructura de doble difusión es el diseño más comercializado,
conocido como VDMOS.
El MOSFET de potencia presenta un diodo interno llamado diodo de cuerpo
conectado entre la fuente y el drenador como se muestra en la imagen. Debido a su
extensa área de unión, los valores de corriente y resistencia térmica de este diodo
son los mismos que el MOSFET de potencia, limitando el comportamiento en
conmutación en altas frecuencias debido a su gran tiempo de recuperación inversa.
Una forma de eliminar este problema para usar al dispositivo en frecuencias altas
en colocar en paralelo con el diodo interno un diodo ultra-rápido que asegure que el
diodo parásito no conduzca.

Cuando el MOSFET se usa en conmutación la región de trabajo alterna entre las


regiones de corte y saturación. En esta última región el canal se comporta como un
resistor RDS(on) constante, cuyo valor es directamente proporcional a la variación
vDS e iD para cada valor de vGS.

La pérdida de potencia durante el estado de conducción estará determinada por:

𝑃𝐷(𝑜𝑛) = 𝐼𝐷2 𝑅𝐷𝑆(𝑜𝑛)

El valor de RDS(on) varía entre decenas de mΩ y algunos Ω. La resistencia RDS(on)


es un importante parámetro de la hoja de datos, ya que permite determinar la caída
de tensión a través del dispositivo y sus pérdidas de energía. Para reducir el valor
de RDS(on) se utilizan varias técnicas constructivas. RDS(on) tiene coeficiente
positivo con la temperatura, debido a que la movilidad de electrones y huecos
decrece con el aumento de la temperatura.

En la siguiente figura se muestra las características de salida, de transferencia y


RDS(on) para el MOSFET de potencia AUIRF1324S-7P HexFET (International
Rectifier)

TRANSISTORES BIPOLARES DE COMPUERTA AISLADA (IGBT)

Transistor IGBT. Componente electrónico diseñado para controlar principalmente


altas potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión
BJT y transistor de efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.

Durante mucho se tiempo se buscó la forma de obtener un dispositivo que tuviera


una alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a
altas velocidades, esto dio lugar a la creación de los Transistores bipolar de puerta
aislada (IGBT). Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían
sido viables hasta entonces y se describirán más adelante.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo que combina
características de los MOSFET y los BJT. En su estructura física es similar al
MOSFET y en su operación eléctrica al BJT. Se controla por tensión como el
MOSFET. Presenta muy alta impedancia de entrada y pocas pérdidas durante la
conducción. Se pueden conectar en paralelo formando módulos que manejan altas
intensidades de corriente. Es más rápido que un BJT pero más lento que un
MOSFET.

En la siguiente figura muestra el símbolo esquemático, la estructura física y el


modelo equivalente simplificado.

El IGBT es un dispositivo controlado por tensión que se activa aplicando una tensión
positiva en la puerta y se desactiva al quitar esta polarización. Cuando se polariza
positiva la puerta respecto al emisor, electrones son atraídos al canal P cerca de la
región de la compuerta, produciendo una polarización directa de la base del
transistor NPN encendiendo al dispositivo. Como puede verse en el modelo
equivalente simplificado de la Figura anterior, la caída de tensión a través del IGBT
es la suma de dos componentes: una caída de tensión debida a la unión PN y una
caída de tensión a través del MOSFET en conducción. Por lo tanto, a diferencia del
MOSFET, la caída de tensión en el estado de conducción a través de un IGBT nunca
pasa por debajo de la tensión umbral de un diodo. Los IGBT se fabrican mediante
dos tecnologías diferentes, la tecnología de perforación PT (Punch Through) y la
tecnología no perforación NPT (Non Punch Through).

Características técnicas.
 ICmax Limitada por efecto Latch-up.
 VGEmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
 Se diseña para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea
entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda
soportarla durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar una protección electrónica
cortando desde puerta.
 VCEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja,
será VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600,
1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
 La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan
valores mayores)
 Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600
Amp.

En la actualidad es el dispositivo más usado para potencias entre varios kW y un


par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Aplicaciones.

El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de


potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión.
Se usan en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas
eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas
partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: Automóvil, Tren, Metro,
Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electrodoméstico, Televisión, Domótica,
Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.

Características electrónicas y graficas del IGBT.


La máxima tensión que soporta un IGBT se denomina tensión de ruptura colector-
emisor BVCES (Collector to Emitter Breakdown Voltage). Se mide entre los
terminales de colector y emisor con la puerta en cortocircuito con el emisor.
Actualmente, hay disponibles comercialmente IGBT que soportan hasta 6.5 kV (MIO
600-65E11). La Figura siguiente se muestra la característica de salida y de
transferencia para el IGBT de Fairchild® FGA20N120FTD (1200 V, 20 A)

Las características de transferencia del IGBT y del MOSFET son similares. El IGBT
está cortado si la tensión entre puerta-emisor está por debajo de la tensión umbral.
Para tensiones de puerta mayores que la tensión umbral la curva de transferencia
es lineal sobre la mayor parte de la gama de corriente de colector. La tensión puerta-
emisor cuando el colector está en cortocircuito a emisor (VGES) es un parámetro
que determina la tensión máxima admisible de la puerta-emisor. Esta tensión está
limitada por el espesor y las características del óxido de puerta. Debido a que estos
dispositivos trabajan en conmutación es importante tener en cuenta el
comportamiento dinámico.

Los IGBT suelen conectarse en paralelo. Esta conexión permite aumentar la


potencia a entregar a la carga. La implementación en paralelo de IGBT debe
asegurar un reparto equilibrado de la corriente y de las temperaturas en los
dispositivos.

TRANSISTORES DE INDUCCION ESTATICA (SIT)

Otro tipo de dispositivo de potencia es el transistor de inducción estática (SIT). El


SIT es un dispositivo que puede manejar alta potencia y alta frecuencia. Su
construcción es similar a un JFET de canal corto. Se activa y corta por una tensión
aplicada a la puerta manejando tensiones de hasta 1200 V y corrientes de hasta
300 A con velocidades de conmutación de 100 kHz. Como desventaja la caída de
tensión en conducción es de valor alto limitando las aplicaciones. Además es muy
sensible al proceso de fabricación.

El SIT es un dispositivo unipolar o de portadores mayoritarios donde el flujo de


electrones de la fuente al drenador se controla por un potencial de barrera con forma
de silla de montar entre las puertas metálicas, Figura siguiente. Dependiendo del
dopado y la geometría la altura del potencial de barrera se modula entre la puerta y
el drenador. Las características de salida del SIT son no saturadas parecidas a una
válvula triodo de vacío, Figura siguiente. Se utiliza como dispositivo de microondas.
Transistor de Inducción Estática (SIT). Componente electrónico de recién creación
el cual es usado en diferentes aplicaciones, es de alta potencia y frecuencia. El
mismo es muy similar a los JFET, excepto por su construcción vertical y su
compuerta enterrada. Se los utiliza en amplificadores de potencia lineal en audio,
DHF, UHF y microondas. No se los utiliza como conmutador por la alta caída de
tensión en sus terminales.

Características.

 Bajo nivel de ruido


 Baja distorsión
 Alta capacidad de potencia en audio frecuencia.
 Los tiempos de activación y desactivación son muy pequeños, típicamente
0,25us.
 La caída de tensión en estado activo es alta, típicamente de 90volt para un
dispositivo de 180A y de 18Volt para uno de 18A.
 Estos pueden llegar hasta 300A y 1200V.
 Velocidad de conmutación tan alta como 100kHz
 Baja resistencia en serie de compuerta
 Baja capacitancia compuerta fuente
 Resistencia térmica pequeña

Fabricación.
La fabricación del SIT requiere un grabado anisotrópico de pared recta de zanjas de
23 µm de profundidad usando una grabado reactivo de ion (RIE, por sus siglas en
inglés) seguida por una deposición de Metalización de Shottky en la zanja del fondo
sin cubrir la zanja lateral. Las dimensiones laterales entre las zanjas de compuerta
oscilan en el orden de 0.5 a 1.5 µm. Los contactos de baja resistencia óhmica son
establecidos a las regiones de la fuente en el techo de las uniones. El voltaje de
compuerta cambia desde cero(arriba de la curva) a 18 V (debajo de la curva) en
cambios de 2V.La escala Horizontal es de 20V / div. El máximo voltaje de drenaje
es de 200 V.Para alcanzar operación a altas frecuencias, es necesario escalar
agresivamente la escala de la unión, anchar las zanjas, incrementar el dopado de
la región del canal y minimizar capacitancias parásitas. El ancho de unión y los
anchos de las zanjas son 0.5µm cada uno. Los contactos de la fuente son formados
por una interconexión de puente de aire para minimizar capacitancias parásitas.
Este dispositivo exhibió una frecuencia de 7 GHz, el valor más alto hasta ahora
reportado para un SIT.

TIRISTORES.

El tiristor es un semiconductor de potencia que se utiliza como interruptor, ya sea


para conducir o interrumpir la corriente eléctrica, a este componente se le conoce
como de potencia por que se utilizan para manejar grandes cantidades de corriente
y voltaje, a comparación de los otros semiconductores que manejan cantidades
relativamente bajas.

Conmutación forzada.
En algunos circuitos de tiristor, el voltaje de entrada es de cd, para desactivar al
tiristor, la corriente en sentido directo del tiristor se obliga a pasar por cero utilizando
un circuito adicional conocido como circuito de conmutación. Esta técnica se conoce
como conmutación forzada y por le común se aplica en los convertidores de cd a cd
(pulsadores) y en convertidores de cd a ca (inversores). La conmutación forzada de
un tiristor se puede lograr de siete maneras diferentes, que pueden clasificarse
como:

- Auto conmutación.
- Conmutación por impulso.
- Conmutación por pulso resonante.
- Conmutación complementaria.
- Conmutación por pulso externo.
- Conmutación del lado de la carga.
- Conmutación del lado de la línea.

Tiristor desactivado por compuerta (GTO)

iristor desactivado por compuerta (GTO). Son semiconductores discretos que


actúan como interruptores completamente controlables, los cuales pueden ser
encendidos y apagados en cualquier momento con una señal de compuerta positiva
o negativa respectivamente. Estos componentes están optimizados para tener muy
bajas pérdidas de conducción y diseñados para trabajar en las mas demandantes
aplicaciones industriales. Estos componentes son altamente utilizados en
Convertidores de Alto Voltaje y Alta Potencia para aplicaciones de baja y media
frecuencia.

Funcionamiento.

Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicación de una
señal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una señal
negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se construir con
especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa
aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso
negativo corto. La simbología para identificarlo en un circuito es la que se muestra
en la figura II.

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista señal en la compuerta, el


dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el ánodo, pero una corriente de
fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que
un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso
dinámico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga.
Cuando el GTO se apaga y con la aplicación de una voltaje en inversa, solo una
pequeña corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarización en inversa VAK puede
ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura
inverso depende del método de fabricación para la creación de una regeneración
interna para facilitar el proceso de apagado.

Con un voltaje de polarización directo aplicado al ánodo y un pulso de corriente


positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para
ésta condición, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente
de ánodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih,
en la cual, la acción regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de
apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el método más
recomendable porque proporciona un mejor control.

Principales aplicaciones en la industria

 Troceadores y convertidores
 Control de motores asíncronos
 Inversores
 Caldeo inductivo
 Rectificadores
 Soldadura al arco
 Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI)
 Control de motores
 Tracción eléctrica

Tiristor de conducción inversa (RTC).

Descripción

En muchos circuitos pulsadores e inversores se conecta un diodo antiparalelo a


través de un SCR, con la finalidad de permitir el flujo de corriente inversa debido a
una carga inductiva y para mejorar el requisito de desactivación de un circuito de
conmutación. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 ó 2 volt por
debajo de las condiciones de régimen permanente. Sin embargo en condiciones
transistorias el voltaje uede elevarse hasta 30 volt debido al voltaje inducido por la
inductancia dispersa en el circuito dentro del dispositivo. Un RCT es un intercambio
entre características del dispositivo y requisitos del circuito; puede considerarse
como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado.

Un RCT se conoce también como tiristor asimétrico (ASCR). El mismo cuenta con
tres pines ánodo, cátodo y puerta. El voltaje de bloqueo directo varia de 400 a 2000
volts y la especificación de corriente hasta 500A. El voltaje de bloque inverso es
tipicamente de 30 a 40 Volts. Dada las características de relación entre la corriente
directa a través de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se
limitan a diseños de circuitos específicos.

Tiristor de inducción estática (SITH).

Principio de funcionamiento

Por lo general, un SITH es activado al aplicarle un voltaje positivo de compuerta,


como los tiristores normales, y desactivado al aplicarle un voltaje negativo a su
compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como
consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo así como una
baja caída de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y
corriente más altas.

Características

Un SITH tiene velocidades de conmutación muy rápidas y capacidades altas de


dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutación es del orden de 1 a 6 ms. La especificación
de voltaje puede alcanzar hasta 2500 V y la de corriente está limitada a 500 A. Este
dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricación, por lo que
pequeñas variaciones en el proceso de manufactura pueden producir cambios de
importancia en sus características.

Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR).

Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR). Dispositivo semiconductor de


cuatro capas que opera esencialmente como el SCR normal, solamente que es
activado por medio de energía luminosa que incide sobre una de las junturas PN.
Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el LASCR se dispara y
permanece en ese estado aunque desaparezca esa luz.

Funcionamiento.

Este dispositivo se activa mediante radiación directa de luz sobre el disco de silicio.
Los pares electrón-hueco que se crean debido a la radiación producen la corriente
de disparo bajo la influencia de un campo eléctrico. La estructura de compuerta se
diseña a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de
fuentes luminosas prácticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades
de di/dt y dv/dt). En un circuito puede ser reconocido por la simbología que muestra
la figura I. Como se observa la misma cuenta con tres terminales Puerta (G), Anodo
(A), Cátodo (K) y una ventana transparente por donde entra la luz.

Aplicaciones
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente por ejemplo,
transmisión de cd de alto voltaje (HVDC) y compensación de potencia reactiva
estática o de volt-amperes reactivos (VAR). Un LASCR ofrece total aislamiento
eléctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutación de un
convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos
de kilovoltios.

Equipos en que se usa

 Alarmas antirrobo
 Detectores de presencia en puertas y ascensores
 Circuitos de control óptico en general
 Relevadores
 Control de fase
 Control de motores
 Y una variedad de aplicaciones en computadoras.
 Características

La especificación de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a 1500


A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt típico es 250
A/ms y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/ms. La frecuencia de conmutación
es de hasta 2kHz, estos tiristores normalmente disponen de conexiones especiales
para ser disparados con fibra óptica. Un LASCR ofrece total aislamiento eléctrico
entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutación de un
convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos
de kilovoltios.

Tiristor controlado por MOS.

Tiristor controlado por MOS (MCT). El MCT es otro dispositivo semiconductor de


potencia híbrido que combina los atributos del MOSFET y el tiristor. Recientemente
se puso en disponibilidad en el mercado y su aplicación fundamental es en la
electrónica de potencia.

Principio de funcionamiento.
Como se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR
normal, el ánodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se
aplican todas las señales de compuerta. Supongamos que el MCT está en estado
de bloqueo directo y se aplica un voltaje negativo VGA. Un canal, p (o una capa de
inversión) se forma en el material dopado n, haciendo que los huecos fluyan
lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a través
del canal p hacia la base p B1 de Ql (que es drenaje D1 del MOSFET M1, del canal
p). Este flujo de huecos forma la corriente de base correspondiente al transistor npn
Q1. A continuación e1 emisor n+ E1 de Q1, inyecta electrones, que son recogidos
en la base n B2 (y en el colector n C1) que hace que el emisor p E2 inyecte huecos
en la base n B2, de tal forma que se active el transistor PNP Q2 y engancha al MCT.
En breve, un VGA de compuerta negativa activa al MOSFET M1 canal p,
proporcionando así la corriente de base del transistor Q2.

Supongamos que el MCT está en estado de conducción, y se aplica un voltaje


positivo VGA. Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo
que fluyan lateralmente electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET
M2 del canal n) a través del canal n del emisor n+ fuertemente contaminado de Ql
(drenaje D2 del MOSFET M2 del canal n+). Este flujo de electrones desvía la
corriente de base del transistor PNP Q2 de tal forma que su unión base-emisor se
desactiva, y ya no habrá huecos disponibles para recolección por la base p B1 de
Q1 (y el colector p C2 de Q2). La eliminación de esta corriente de huecos en la base
p B1, hace que se desactive el transistor NPN Q1, y el MCT regresa a su estado de
bloqueo. En breve, un pulso positivo de compuerta VGA, desvía la corriente que
excita la base de Ql, desactivando por lo tanto el MCT.

El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente


es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes
mayores que su corriente controlable pico de especificación, puede provocar la
destrucción del dispositivo. Para valores más altos de corriente, el MCT debe ser
conmutado como un SCR estándar. Los anchos de pulso de la compuerta no son
críticos para dispositivos de corrientes pequeñas. Para corrientes mayores, el ancho
del pulso de desactivación debe ser mayor. Además, durante la desactivación, la
compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores
y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del
período de encendido/apagado a fin de evitar ambigüedad en el estado.

Características

 Una baja caída de voltaje directo durante la conducción.


 Un tiempo de activado rápido, típicamente 0.4m s, y un tiempo de
desactivado rápido, típicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500V.
 Bajas perdidas de conmutación.
 Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
 Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los
circuitos de excitación. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para
interrumpir corrientes altas, con sólo modestas reducciones en la
especificación de corriente del dispositivo. No se puede excitar fácilmente a
partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarización
continua a fin de evitar ambigüedad de estado.

Debido a que el tiempo de apagado del MCT es muy bajo (cerca de 1.5 ms) y que
posee un elevado di/dt (1000 A/ms) y dv/dt ( 5000 V/ms), éstas características
superiores lo convierten en un dispositivo de conmutación ideal y posee un
tremendo potencial para aplicaciones en motores de media y alta potencia, así como
en distintas aplicaciones en la electrónica de potencia.

TRIAC.

TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia


de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el
TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna. Su estructura
interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos SCR en
antiparalelo. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación
de ánodo y cátodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente
al electrodo puerta.

El TRIAC (Triode for Alternative Current)es un dispositivo semiconductor de tres


terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con
la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por
inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de
mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado independientemente de la
polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o
negativa.

Control de fase (potencia)

En la figura "control de fase" se presenta una aplicación fundamental del triac. En


esta condición, se encuentra controlando la potencia de ac a la carga mediante la
conmutación de encendido y apagado durante las regiones positiva y negativa de la
señal senoidal de entrada. La acción de este circuito durante la parte positiva de la
señal de entrada, es muy similar a la encontrada para el diodo Shockley. La ventaja
de esta configuración es que durante la parte negativa de la señal de entrada, se
obtendrá el mismo tipo de respuesta dado que tanto el diac como el triac pueden
dispararse en la dirección inversa. La forma de onda resultante para la corriente a
través de la carga se proporciona en la figura "control de fase". Al variar la
resistencia R, es posible controlar el ángulo de conducción. Existen unidades
disponibles actualmente que pueden manejar cargas de más de 10kW. (Boylestad)

REFERENCIAS.

*Electrónica de potencia. Circuitos, dispositivos y aplicaciones, Rashid M., 3era


Edición, Pearson
*MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de potencia, Ph.D.,Fellow IEE
*Electrónica de Potencia. Salvador M. García, Juan A. Gualda Gil. Thomson
Editores Spain, Paraninfo S.A., 2006
*Thyristor Theory and Design Considerations. Handbook. HBD855/D Rev. 1,
Nov−2006. ON Semiconductor