Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Ejemplo
Estructura BCC
Cada átomo en las esquinas toca el átomo central. Una linea que sea dibujada desde una
esquina del cubo a través del centro hacia la otra esquina pasa a lo largo de 4r, donde r es el
radio de un átomo. Por geometría, la longitud de la diagonal es a√3. Por lo tanto, la
longitud de cada lado de la estructura BCC puede ser relacionada al radio de cada átomo
mediante
Conociendo esto y la formula para el volumen de una esfera((4 / 3)pi r3), es posible calcular
el FEA de la siguiente manera:
a = 2r
Entonces es posible calcular el FEA como sigue:
Ejemplo
En esta celda unidad las esferas sólidas representan los centros donde los átomos
están localizados e indican sus posiciones relativas. En esta celda unidad el
átomo central esta rodeado de 8 vecinos más cercanos y se dice que tiene por lo
tanto un número de coordinación de 8. Cada una de estas celdas unidad tiene el
equivalente de 2 átomos por celda unidad. Un átomo completo esta localizado en
el centro de la celda unidad, y un octavo de esfera esta localizado en cada vértice
de la celda unidad, haciendo el equivalente de otro átomo. De este modo, hay un
total de 1 (en el centro) + 8 x 1/8 (en los vértices) = 2 átomos por celda unidad.
Los átomos en este tipo de celdas contactan entre sí a través de la diagonal del
cubo, y la relación entre la longitud de la cara del cubo a y el radio atómico R es:
El APF de esta celda es 0.68, es decir, el 68% del volumen de la celda esta
ocupado por átomos y el 32% restante en espacio vacío. El cristal BCC no es una
estructura totalmente compacta, ya que los átomos aún podrían situarse más
juntos. Muchos metales como el Cromo, Hierro, Wolframio, Molibdeno y
Vanadio tienen estructura cristalina BCC.
Estructura Cristalina Cúbica Centrada en las Caras FCC. En esta celda hay
un punto reticular en cada vértice del cubo y otro en el centro de cada cara del
cubo. El modelo de esferas sólidas indica que los átomos de esta estructura están
unidos del modo más compacto posible. El APF de esta estructura de
empaquetamiento compacto es 0.74.
Esta celda tiene el equivalente a cuatro átomos por celda unidad. Un octavo de
átomo en cada vértice (8 x 1/8=1) y seis medios átomos en el medio (1/2 x 6= 3).
Los átomos en la celda FCC contactan entre sí a lo largo de la diagonal de la cara
del cubo, de tal forma que la relación entre la longitud de la cara del cubo y el
radio atómico es:
Ejemplo
1/8 * 8= 1 átomo
½ * 6= 3 átomo
figura 5
Parámetro de Red:
Volumen de la celda:
La relación c/a de una estructura cristalina HCP ideal es de 1.633 que indica
esferas uniformes tan próximas como sea posible. Los metales Cinc, Cadmio
poseen una relación c/a más alta que la ideal, lo que indica que los átomos en
estas estructuras están ligeramente elongados a lo largo del eje c en la celda
unidad HCP. Los metales como el Titanio, Berilio, Magnesio Y Circonio entre
otros tienen relaciones c/a menores que la ideal. Por tanto en estos metales los
átomos están comprimidos a lo largo de la dirección del eje c.
ÍNDICES DE MILLER
Ejemplos
figura 6
Las intersecciones del primer plano son 1, 1, y los recíprocos de estos números
son 1, 1, 0 no involucran fracciones, siendo los índices de Miller (1 1 0).
Finalmente, el tercer plano, tiene las intersecciones 1, 1, 1 que nos dan un índice
de Miller (1 1 1).
Si se considera que el plano cristalino pasa por el origen de manera que uno ó
más cortes se hacen cero, el plano ha de ser desplazado a una posición
equivalente en la misma celda unitaria de modo que el plano permanezca paralelo
al original. Esto es posible porque todos los planos paralelos equidistantes son
indicados con los mismos índices de Miller.
Una importante relación sólo para el sistema cúbico es que los índices de una
dirección perpendicular a un plano de un cristal son los mismos que los índices
de Miller para ese plano. Por ejemplo, la dirección [100] es perpendicular al
plano cristalino (100).
figura 7
Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta
celdilla, el plano basal de la parte superior es paralelo a los ejes a 1,a2,a3 , las
intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito. Así, a 1 =
a2= a3 = . El eje c, sin embargo, es único puesto que el plano basal superior
intersecciona con el eje c a una distancia unidad. Tomando los recíprocos de
estas intersecciones tenemos los índices de Miller-Bravais para el plano basal
HCP. Así, h=0, K=0, i=0, l=1. El plano basal es, por tanto, un plano (0001).
Las direcciones en las celdas unitarias HCP se indican por cuatro índices
[u,v,t,w]. Son vectores reticulares en las direcciones a 1,a2,a3 respectivamente y el
índice w es un vector reticular en la dirección c.
SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO
Junio 99.- El molibdeno posee una estructura cúbica centrada en el cuerpo y una densidad
de 10.2 gr/cm3. Se pide:
a) a) Calcular el número de coordinación y el número de átomos de cada celdilla
elemental
b) b) Su radio atómico.
c) c) Su factor de empaquetamiento atómico.
El peso atómico del molibdeno es de 95.94.
Solución Junio 99.-
a) a) Por ser una estructura cúbica centrada en el cuerpo el número de coordinación
es 8 y el número de átomos por celdilla es 2 (el central más 1/8 en cada esquina del
cubo).
b) b) nº átomos/cm3 = densidad/ peso molecular
nº átomos/cm3 = 10.2 gr/cm3 / 95.94 * 10-23 gr/átomo =
nº celdillas = (nº átomos/cm3) / (nº átomos/celdilla)
nº celdillas = / 2 =
volumen celdilla = 1 cm3 / nº celdillas
volumen celdilla = 1 cm3 /
volumen celdilla = a3 a = (volumen celdilla)1/3= ()1/3 =
R = sqr3*a/4 =
c) c) el factor de empaquetamiento lo obtenemos dividiendo el volumen de los dos
átomos entre el volumen de la celdilla, teniendo en cuenta que los átomos son
tangentes según la diagonal del cubo.
Factor empaquetamiento = Vátomos / Vceldilla= 2* (4/3* pi* R)/ a3 = 0.68
Septiembre 99.- Considerando los átomos como esferas compactas:
a) a) Comparar el factor de empaquetamiento de una celda FCC y de una celda
BCC.
b) b) Suponer una estructura BCC y calcular el parámetro de red “a”, sabiendo
que los átomos tienen un radio atómico de 0.127 nm.
Solución Septiembre 99.-
a) a) factor empaquetamiento BCC = 0.68
factor empaquetamiento FCC = 0.74
Junio 01.- Calcula el cambio teórico de volumen asociado a una transformación alotrópica en un
metal puro desde una red FCC a una red BCC.
Por cada celdilla FCC se formarán 2 celdillas BCC, ya que el nº de átomos se conserva.
(Volumen BCC/ Volumen FCC) = 2 * volumen celdilla BCC / volumen celdilla FCC
Luego cuando cristaliza en BCC es un 8.8% mayor que cuando lo hace en FCC, a pesar de que la
celdilla BCC es más pequeña.
Septiembre 02.- Un metal cristaliza en la red cúbica centrada en el cuerpo. Si su radio atómico es
1.24 nanometros. ¿Cuántos átomos existirán en 1 cm3?
Índices de Miller
Los átomos en un sólido están empaquetados, con lo que existe un cierto grado de orden:
- de corto alcance (sólidos moleculares, con enlaces fuertes- covalentes- entre átomos y más
débiles– van der Waals- entre moléculas ).
- de largo alcance (sólidos cristalinos)
En el interior de un sólido cristalino existe una estructura cristalina formada por una red espacial,
en cada punto de la cual se sitúan grupos de átomos idénticos en composición y orientación
(base).
La geometría de la red espacial debe permitir que se llene todo el espacio de átomos sin dejar
huecos, característica que hace que sólo existan 14 tipos de redes posibles (redes de Bravais),
caracterizadas por una celda unitaria cada una, que, a su vez viene definida por una serie de
parámetros (a,b,c y α , β , γ).
Para identificar los diferentes planos y direcciones en un cristal se usan los índices de Miller (para
planos (hkl), para direcciones [hkl]).
La orientación de una superficie de un cristal plano se puede definir considerando como el plano
corta a los ejes cristalográficos principales del sólido. La aplicación de un conjunto de reglas
conduce a la asignación de los índices de Miller (hkl); un conjunto de números que cuantifican los
cortes y que sólo puede usarse para identificar un plano o una superficie.
El siguiente procedimiento que permite asignar índices de Miller está simplificado y sólo sirve para
el sistema cúbico (con celda unitaria de dimensiones a x a x a ).
Otros ejemplos:
1- La superficie (110)
Las superficies consideradas hasta ahora (100), (110) y (111) son las llamadas superfícies de índice
bajo de un cristal cúbico (el termino bajo hace referencia a que los índices son 0 o 1). Estas
superficies tienen especial importancia, pero hay un número infinito de otros planos que pueden
definirse usando los índices de Miller.
cortes: a/2, a,∞; cortes fraccionarios: 1/2, 1,∞ ; índices de Miller: (210)
Notas adicionales:
(i) en algunos casos los índices de Miller se multiplican o dividen por algún factor común para
simplificarlos. Esta operación simplemente genera un plano paralelo que está a distancia diferente
del origen de la celda particular considerada (ejemplo: (200) se transforma en (100) al dividir por
dos)
(ii) si algunos cortes tienen valores negativos sobre los ejes, el signo negativo debe aparecer en el
índice de Miller (ejemplo (00-1) se escribe (001)
(iii) en los cristales hexagonales compactos hay cuatro ejes pricipales, por tanto deben usarse
cuatro índices de Miller (ejemplo (0001))
En el dibujo las tres superficies están relacionadas por los elementos de simetría del cristal cúbico
y son totalmente equivalentes. De hecho hay un total de 6 caras relacionadas por elementos de
simetría y equivalentes a la superficie (100), cualquier superficie que pertenezca a este conjunto
de superficies de simetría equivalente puede ser descrita por la notación {100}, en la que los
índices de Miller de una de las superficies están representados entre llaves.
En el sistema cúbico el plano (hkl) y el vector [hkl], definido con respecto al origen, son
perpendiculares. Esta característica es única del sistema cúbico y no se puede aplicar a sistemas de
simetría inferior.
Ejemplo MIL1
Determinar los valores de la intersección con los ejes x, y, z de un plano cuyos índices de Miller son
(362). Suponiendo que dicho plano pertenezca a una estructura cristalina cúbica de parámetro de
red igual a 3.5 A, calcular la distancia interplanar.
A partir de los índices de Miller (362) se obtienen los cortes fraccionarios 1/3, 1/6, 1/2 y se reducen
a fracciones equivalentes con los números enteros menores posibles (aplicando el mcm= 6),
obteniéndose 1/2,1,1/3. Los cortes con los ejes serán, por tanto x=2, y=1, z=3.
REDES CRISTALINAS
Para una apropiada asimilación de lo que significa el orden interno cristalino, se ha
de comenzar por la visualización y definición, a través de vectores traslación, del
orden interno monodimensional , constituido por las diferentes direcciones de la
red que definen, por su periodicidad, filas reticulares donde los nudos están
alineados y equidistantes entre sí.
Fila reticular
Se trata de una fila de nudos obtenida por aplicación sucesiva de una traslación
definida.
El símbolo de las filas reticulares se denomina como los índices [uvw] que son los
componentes del vector traslación que une dos nudos adyacentes de la fila
considerada expresados en función de un par primitivo cuyo origen se sitúa sobre
uno de estos dos nudos.
Plano reticular
Un plano reticular queda definido por dos filas reticulares conjugadas. Todo plano
reticular puede definirse por sus intersecciones (Ha, Kb, Lc) con los tres ejes
fundamentales del cristal. Las dimensiones de estas intersecciones (HKL), medidas
desde un nudo tomado como origen son los parámetros del plano reticular
correspondiente. Sin embargo, la denominación habitual de un plano reticular son
los índices de Miller.
Índices de Miller
Se obtienen calculando las intersecciones (H, K, L), o número de traslaciones, con
los tres ejes fundamentales del cristal. Posteriormente se invierten y se eliminan
denominadores, o bien, se calculan los cocientes entre el producto de las tres
intersecciones dividido entre cada una de las intersecciones: (H*K*L= N, N/H= h,
N/K=k, N/L=l)
Intersecciones: H=æ, K=æ, L=1,
1º. Deducir las intersecciones de cada plano con los ejes cristalográficos a, b y c. Es
decir, contar el número de traslaciones t1, t2 y t3 que ocupa el plano sobre los ejes
a, b y c.
2º. Para calcular los índices de Miller de cada plano, a partir de estas
intersecciones, se invierten los valores y, si es necesario, se reducen las fracciones
* Este símbolo entre paréntesis (hkl) nombra el plano dado, mientras que entre
corchetes {hkl} indica todos los planos homólogos que resultan de aplicar los
elementos de simetría del cristal al plano (hkl).
Celda unidad
En una red cristalina existen siempre tres traslaciones no coplanarias que tienen las
dimensiones mínimas entre todas las traslaciones posibles de la red: son las
traslaciones fundamentales o constantes reticulares, de dimensiones
submicroscópicas. La porción del espacio cristalino limitado por estas traslaciones
constituye la celda fundamental del cristal y es característica del mismo.
CRISTALOGRAFÍA
Ciencia que se dedica al estudio y resolución de estructuras cristalinas. La mayoría de
los minerales adoptan formas cristalinas cuando se forman en condiciones favorables. La
cristalografía es el estudio del crecimiento, la forma y la geometría de estos cristales.
Las redes de bravais son una disposición infinita de puntos conformando una estructura
bajo cierto grupo de traslaciones, en la mayoría de casos no se dan cambios bajo rotaciones
o simetría rotacional. Estas hacen que desde todos los nodos de una red de bravais tengan
la misma perspectiva de red, por esto se dice que los puntos de una red son equivalentes.
Estructura algebraica conocida por grupos que tiene una secuencia ordenada, sus objetivos
son entre otros la clasificación de los grupos, sus propiedades y sus aplicaciones.
Por la teoría de grupos se ha demostrado que solo existe una única red de bravais
unidimensional (simple secuencia de nodos equidistantes entre sí), 5 redes
bidimensionales paralelogramos (2D) y 14 modelos distintos de redes tridimensionales
paralelepípedo (3D).
Redes bidimensionales: Según los ángulos y la distancia entre los nodos se distinguen
5 redes distintas, un caso ejemplar sería el grafito cuya estructura sigue un patrón de red
en panal.
Redes tridimensionales: Para las redes de Bravais tridimensionales existen solamente
siete grupos puntuales posibles y 14 grupos espaciales. Obviamente, varios grupos
espaciales comportan el mismo grupo puntual. Esto permite clasificar todos los cristales en
siete sistemas cristalinos (según el grupo puntual) y en 14 redes de Bravais (según el grupo
espacial).
De acuerdo con Bravais, existen 14 tipos distintos de redes tridimensionales, de las más
conocidas son:
BIBLIOGRAFIA:
http://elcrisoluspt.files.wordpress.com/2008/09/estructura11.pdf
http://www.qi.fcen.uba.ar/materias/qi2/_teoricas/solidos_primera_parte.pdf
http://es.wikipedia.org/wiki/Redes_de_Bravais
INTRODUCCIÓN
El estudio de las siguientes estructuras cristalinas las cuales pertenecen en gran proporción
a los metales puros solidifican en tres estructuras cristalinas compactas BCC, FCC y
HCP, éstas estructuras son estudiadas a partir de una pequeña porción que contenga el
patrón de ordenamiento, las cuales tienen un arreglo asignado debido a
su distribución atómica y que tienen un gran uso en la actualidad para semiconductores,
circuitos integrados y otros sistemas modernos; a continuación se estudiarán dichas
estructuras.
Se denomina estructura de cuerpo centrado (body centred cubic) porque uno de los
átomos se encuentra contenido justo en el centro del cubo o celda unitaria, y es
equidistante de los ocho átomos de las esquinas, se dice por lo tanto que tiene un número
de coordinacion (NC) de 8, es decir que 8 es el indice de la eficiencia de la condensación
átomica . en la figura 4.2-1 se puede observar dicha estructura; Ahora , ¿cuantos átomos
contiene la estructura cristalina BCC en cada celda unitaria?
(a) (b)
McMaster_BCC_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei
De la estructura cristalina BCC los átomos que cortan las esquinas son octavos de dichos
vecinos próximos, además está contenido un átomo en su totalidad en el centro, por lo
tanto tenemos :
¿Se puede afirmar esto sin temor a alguna equivocación? la respuesta es acertada pues se
debe recordar que cada átomo de cristal está rodeado por un arreglo idéntico de átomos en
el látice espacial repetitivo, lo que significa que el látice que conforma el conjunto
parcialmente ordenado que consta de dos elementos (en este caso átomos) tiene una
mínima cota superior y una máxima cota inferior, donde los elementos cumplen
las operaciones de simetría de una estructura, y está dotado de una ley de composición
interna de aplicación sucesiva que se puede modelar matemáticamente.
figura 3.2-2estructura cristalina BCC donde se muestra la relación entra la constante de
red a y el radio atómico R
En la celda unidad BCC los átomos de cada vértice contactan entre sí a través de la
diagonal del cubo, como se muestra en la figura 4.2-2, por que la relacipon entre la arista
del cubo a y el radio atómico R es
Generalmente se acepta que la naturaleza favorece los arreglos y estados de la materia que
tienden a minimizar los niveles de energía (energía potencial). por ello podemos
preguntarnos qué tan eficiente es en verdad el arreglo de un cristal y si es razonable asumir
un empaquetamiento denso; para este ultimo se realiza la convención de:
Generalmente sólo está presente un elemento, por lo que todos los radios atómicos
son iguales.
El enlace metálico no es direccional.
La distancia a los primeros vecinos tienden a ser cortas para disminuir la energía de
enlace.
la nube electrónica cubre a los núcleos.
Ejemplo 3.2 a
Calcule el factor de empaquetamiento atómico para la celda unidad BCC, considerando los
átomos como esferas rígidas
solución:
APF=Volumen de los átomos en la celda unidad BCC / Volumen de la celda unidad BCC
Puesto que tenemos dos átomos por celda unidad BCC, el volumen de los átomos de radio
R en una celda unidad es,
√3 a=4R
Así,
V_celda unidad= a^3=12,32 R^3
Ahora, se establecerán las siguientes realciones de constante de red a y radio atómico para
materiales que tienen estructura cirstalina BCC a temperatura ambiente de (20°C).
Constante de red a
metal (nm) radio atómico R (nm)
Ejemplo 3.2-b
El tántalo a 20°C es BCC con átomos de radio atómico 0,143nm. Calcule la constante de
celda a para la arista del cubo de la celda unidad del tántalo
Solución: en la figura 3.2-2 se ve que los átomos de tántalo en la celda unidad BCC se tocan
a través de la diagonal del cubo.Así , si a es la arista del cubo, tenemos:
√3 a=4R
a= (4(0,143nm))/√3 = 0,330nm
Otro tipo de arreglo cristalino cùbico es el FCC (face centred cubic), su diferencia entre las
estructuras cristalinas difiere porque en cada faz (cara) existe un átomo colocado en ella y
en los vértices de las celdilla unidad, o sea, en las posiciones de los nudos de la red de
Bravais del mismo nombre (figura 4.3-1). El nùmero de coordinacion la estructura FCC es
de 12, la forma mas sencilla de comprender esto, es situandose mentalmente en el àtomo
del centro de una de las caras y contar todos los átomos en contacto con él.
De nuevo se separó mucho el arreglo de la celda (fig.4.3-2) con la intención de que la
localizacion de los átomos sea clara; examinando el cristal, además de los ocho átomos de
esquina, existen seis átomos centrados en las caras que se comporten entre esta celda y sus
vecinas inmediatas. La mitad de cuaquier átomo se la faz se encuentra en una celda
unitaria y la otra mitad está en la celda adyacente; por lo tanto, se puede determinar la
cantida de átomos asociados con la celda unitaria de esta estructura como sigue:
McMaster_FCC_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei
Nótese que la cantidad de átomos por celda unitaria se duplicaron con relación a la del
sistema BCC, que contiene el equivalente de dos átomos por celda unidad, con seguridad,
éste es el indicio de una condensación atómica mas eficiente en el látice.
En la celda FCC los átomos contactan en la diagonal de la cara del cubo como se indica en
la figura 4.3-3, por lo que la relación entre la arista del cubo a y el radio atómico R es:
El tercer tipo principal de estructura cristalina es HCP, presenta un arreglo de alta densiad
en sus átomos, los cuales en su tercer capa o plano se encuentran directamente por encima
de los átomos del primer plano como indica en a figura 3.2-3.
(a)
(b)
McMaster_HCPs_Unit_Cells_(C)_2007_Ehsan_Shojaei
El número de coordinación de los cristales HCP es el mismo que para los FCC e igual a 12.
Se puede verificar esta cantidad con los átomos vecinos más próximos, considerando el
átomo central en un plano base, este átomo está rodeado por tres átomos en su propio
plano base, más tres átomos que se localizan cada uno en el plano adyacente paralelo, lo
que hace un total de 12 átomos vecinos más próximos. El factor de condensaciòn atómica
es e mismo que el de FCC e igual a 0.74; generalmente se conocen las estructuras FCC y
HCP como empaquetamiento cerrado por que son las dos formas de arreglar esferas
idéntica con la densidad mas grande posible y que aún exhiben periocidad.
Una celda HCP tiene un equivalente a seis átomos por celda unidad:
Tres átomos forman un triángulo en la capa intermedia como queda reflejado por las
posiciones atómicas en la figura 4.2-2 b. Hay seis × 1/6 secciones de átomos en las capas
superior e inferior, contribuyendo con un equivalente de dos átomos mas por celdilla ( 2 ×
6 × 1/6 =2). Finalmente, hay medio átomo más por celdilla. Así, el número toral de
átomos por celdilla unidad en la estructura HCP es de 3 + 2+1 = 6. La relación entre la
altura c del prisma hexagonal de la estructura y el lado a de su base se llama relación c/a
para algunos metales HCP. De entre los metales cinc, cadmio, entre otros, tiene una
relación c/a superior a la ideal lo que indica que los átomos en estas estructuras están
ligeramente elongados a lo largo del eje c en la celdilla unidad HCP. Los metales como el
magnesio, cobalto, circonio, titanio y berilio tienen una relacion c/A menor que la ideal,
por tanto, en estos metales los átomos están ligeramente comprimidos en la dirección del
eje c. Así, estos metales presentan ciertas desviaciones del modelo ideal de esferas rígidas.
Calcular el volumen de la celdilla unidad de la estructura cristalina del cinc a partir de los
siguientes datos: el cinc puro tiene una estructura cristalina HCP con constantes de red
a=0,2665 nm y c= 0,4947 nm. solucion:
El área de la base de la celdilla unidad es el área de la parte inferior del hexagono, de forma
que el área total es la suma e las áreas de los seís triángulos equiláteros de área, a partir de
la figura 4.4-2 podemos deducir lo siguiente:
Área del trinángulo ( figura 4.4-2 b)= 1/2 (base)(altura)
= 0,0913 nm^3
Materiales con estructura cristalina HCP a temperatura ambiente (20°C) y sus constantes
reticulares, su radio atómico y su relación c/a
Constante de red a %
( nm ) desviació
Radio n de la
atómico Relación (c/ relación
Metal a c r a) ideal
HCP
ideal 1,633 0
Densidad volumétrica de un metal = ρv = (Masa Celda unidad) / (Volumen celda unidad)
Obteniendo:
ρv = [número de átomos por celda * peso molecular de los átomos] / [volumen de la celda
unitaria * número de avogadro]
El valor obtenido mediante ésta ecuación puede variar ligeramente del valor experimental
consignado en tablas, lo cual debe atribuirse a la ausencia de algunas posiciones atómicas,
defectos de línea, y uniones defectuosas entre los granos (limites de grano). Otra causa de
esta situación puede deberse también a que los átomos no son esferas perfectas.
EJEMPLOS
Ejemplo 3.4.1:
El cobre tiene una estructura cristalina FCC y un radio atómico de 0.1278 nm.
Considerando a los átomos como esferas rígidas que se colocan entre sí a lo largo de la
diagonal de la celda unitaria FCC, calcule el valor teórico de la densidad del cobre en mega
metros por metro cubico. La masa atómica del cobre es de 63.54 g/mol.
Solución
Para la celda unitaria FCC, √2a =4R, donde a es la constante de red en la celda unitaria y
R es el radio del átomo de cobre. Así:
Densidad volumétrica de un metal = ρv = (Masa Celda unidad) / (Volumen celda unidad)
En la celda unitaria FCC hay cuatro átomos/celda unitaria. Cada átomo de cobre tiene una
masa de (53.54 g/mol)*(6.02×1023 átomos/mol). Así, la masa m de los átomos de Cu en la
celda unitaria es:
m = 4.22 * 10 -28 Mg
V = 4.70 * 10 -29 m³
Ejemplo 3.4.2:
Determine la densidad del hierro BCC, cuyo parámetro de red es 0.2866 nm.
Solución
a = 0.2866 nm
Ejemplo 3.4.3:
La plata tiene una estructura cristalina FCC con un radio atómico de 0.144 nm. Calcule el
valor teórico de la densidad de la plata en g/cm³.
Solución:
Entonces tenemos:
Ejemplo 3.4.4:
La densidad del torio que tiene una estructura FCC es de 11.72 g/cm³. El peso atómico del
torio es de 232 g/mol. Calcule:
a) El parámetro de red.
Solución.
a) Como es una es una estructura FCC el parámetro de red a = 4r/√2 y el volumen de la
celda es a³.
Utilizando
Tenemos:
Despejando r:
Respuesta: r = 1.799*10-8 cm
a = (4 * 1.799*10-8 cm) / √2
Respuesta: a = 5.088*10-8 cm
Ejemplo 3.4.5:
Solución.
a) Mirando la figura de la celda hexagonal compacta y teniendo en cuenta que el volumen
es la base multiplicada por la altura (c) y además descomponiendo esta base en 6
triángulos equiláteros, podemos llegar a la conclusión de que el volumen de la celda es:
V = (3/2)*√3*a²*c
Reemplazando tenemos:
Despejando N
Respuesta: N = 18 átomos
Ejemplo 3.4.6:
La densidad del potasio, que tiene una estructura BCC es 0.855 g/cm³. El peso atómico del
potasio es 39.09 g/mol. Calcule:
a) El parámetro de red.
Tenemos:
Despejando a:
a³ = 1.519*10-²² cm³
Respuesta: a = 5.336*10-8 cm
b) a = 4r/√3
Despejando r:
Respuesta: r = 2.31*10-8 cm
Estos se utilizan para identificar los planos cristalinos por donde es susceptible de deslizar
unos átomos sobre otros átomos en la celda cristalina.
Se utilizan los tres ejes conocidos normalmente, el eje X positivo se usa saliendo del papel,
el eje Y positivo hacia la derecha y finalmente el eje Z positivo hacia la parte superior; en
sentidos opuestos se encuentran sus respectivas zonas y cuadrantes negativos
Existen direcciones y posiciones en una celda unitaria de gran interés, dichas direcciones
son los denominados Índices De Miller y son particularmente las posiciones o lugares por
donde es más susceptible un elemento en sufrir dislocaciones y movimientos en su interior
cristalino.
Para hallar los Índices De Miller de las direcciones se procede de la siguiente manera:
Ejemplo 3.5.1
Dirección A
1. Dos puntos son: 1,0,0 y 0,0,0
2. Se restan ambos puntos, situando en primer lugar el punto que se desea tener como
dirección y sentido (cabeza del vector) 1,0,0 – 0,0,0 = 1,0,0
3. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [ 100 ]
Dirección B
Dirección C
6.
1. las direcciones de Miller son vectores, por ende este puede ser positivo o negativo, y
con ello poseer la misma línea de acción pero diferente sentido.
2. una dirección y sus múltiplos son idénticos solo que estos aun no han sido
reducidos.
3. ciertos grupos de direcciones poseen equivalentes, esto en un sistema cubico es
ocasionado por el orden y el sentido de los vectores, ya que es posible redefinir el
sistema coordenado para una misma combinación de coordenadas. Estos grupos
reciben el nombre de direcciones de una forma o familia, y se denota entre paréntesis
especiales <>. Es importante resaltar que un material posee las mismas propiedades en
todas y cada una de las diferentes direcciones de una familia.
Tabla 3.5.a
Los planos cristalinos son con mayor precisión los lugares por donde un material facilita su
deslizamiento y transformación física; dichos lugares o planos son en donde existe la
mayor posibilidad de que el elemento sufra una dislocación. Como se mencionó
anteriormente los metales se deforman con mayor facilidad a lo largo de los planos en los
cuales los átomos están compactados de manera más estrecha o cercana en la celda
unitaria. Es importante resaltar la orientación y forma en la que puede crecer el cristal,
para ello es necesario analizar las tensiones superficiales producidas en los principales
planos de una celda unitaria. Igualmente para una mejor orientación en los planos de un
material podrá existir un mejor rendimiento y aprovechamiento en las propiedades y usos
mecánicos.
1. identificar los puntos donde cruza al plano de coordenadas X,Y,Z en función de los
parámetros de red (si el plano pasa por el origen se debe trasladar el origen del sistema
de coordenadas).
2. los Índices de Miller para los planos cristalinos son el inverso a los puntos de un
plano cartesiano.
3. se calculan los recíprocos o inversos de los puntos o intersecciones.
4. si el reciproco es N/∞, donde N es cualquier numero entero real, esto significara en
el plano que para este eje el plano quedara paralelo a él sin tocarlo.
5. la cantidad obtenida siempre es menor a la unidad, caso que no ocurre en el estudio
de las direcciones de los Índices de Miller.
Ejemplo 3.5.8
Plano A
1. x=1 y=1 z=1
2. 1/x=1 , 1/y=1, 1/z=1
3. No existen fracciones que eliminar
4. (111)
Plano B
1. Debe aclararse el plano no cruza al eje z, esto es debido al cociente entre 1/∞ lo cual
con su respectivo limite tiende a ser cero (0)
2. X=1 , y= 2, z=∞
3. 1/x=1, 1/y=1/2, 1/z= 0
4. Debemos eliminar las fracciones; 2(1, ½,0)
5. (210)
Plano C
Ejemplo 3.5.3
Relaciones:
H= 1/3(2h – k)
K=1/3(2k – h)
I=-1/3(h + k)
L=l
Ejemplo 3.5.6
Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A y B y par las direcciones C y D.
Plano A
1. a1=a2=a3=∞, c=1
2. 1/a1=1/a2=1/a3=0, 1/c=1
3. No existen fracciones que simplificar
4. (0001)
Plano B
Dirección C
4.
Dirección D
4.
Comportamiento isotrópico y anisotrópico:
A causa de los arreglos en los diferentes planos y direcciones cristalográficas los materiales
presentan comportamientos y desempeños diversos en sus propiedades mecánicas. Se dice
que un material es cristalográficamente anisotropico si sus propiedades dependen de la
dirección cristalográfica en la cual se mide la propiedad. Si sus propiedades son idénticas
en cualquier dirección el material se conoce cristalográficamente como isotrópico. Puede
suceder que un material pase de ser anisotropico a isotrópico si sus arreglos son aleatorios
en forma policristalina. En genera los materiales policristalino as muestran propiedades
isotrópicas. Ejemplo de ello tenernos el aluminio, el cual si posee idénticas propiedades en
todas las direcciones diremos que es un elemento cristalográficamente isotrópico, pero si
se presenta en forma policristalina se puede asumir o comportar como anisotropico.
Dirección en la celda
A menudo, es necesario referirnos a posiciones específicas en las redes cristalinas. Esto es
especialmente importante para metales y aleaciones con propiedades que varían con la
orientación cristalográfica. Para cristales cúbicos los indices de las direcciones
cristalográficas son los componentes vectoriales de las direcciones resueltos a lo largo de
cada eje coordenado y reducido a los enteros mas pequeños.
Para indicar en un diagrama la dirección en una celda cúbica unitaria dibujamos un vector
de dirección desde el origen (que es normalmente una esquina de la celda cúbica) hasta
que sale la superficie del cubo. Las coordenadas de posición de la celda unidad donde el
vector de posición sale de la superficie del cubo después de ser convertidas a enteros son
los indices de dirección. Los indices de dirección se encierran entre corchetes sin
separación por comas.
Las superficise cristalinas en celdillas unidad HCP pueden ser identificadas comúnmente
utilizando cuatro indices en lugar de tres. Los indices para los planos cristalinos HCP
,llamados indices Miller-Bravais, son designados por las letras h, k, i, l y encerrados entre
parentesis ( hkil ). estos indices hexagonales de 4indices estan basados en un sistema
coordenado de 4 ejes.
Existen 3 ejes básicos, a1, a2, a3, que forman 1200 entre si. El cuarto eje o eje c es el eje
vertical y esta localizado en el centro de la celdilla unidad. La unidad a de medida a lo largo
de los ejes a1 a2 a3 es la distancia entre los átomos a lo largo de estos ejes. La unidad de
medida a lo largo del eje es la altura de la celdilla unidad. Los recíprocos de las
intersecciones que un plano cristalino determina con los ejes, a1, a2, a3 proporciona los
indices h, k e i mientras el recíproco de la intersección con el eje c da el índice l.
Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta celdilla
unidad puesto que el plano basal de la celdilla HCP es pralelo a los ejes, a1, a2, a3 las
intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito. Así, a1 = ” , a2 = ”
a3 = ” El eje c, sin embargo, es único puesto que el plano basal superior intersecciona con
el eje c a una distancia unidad. Tomando los recíprocos de estas intersecciones tenemos los
indices de Miller-Bravais para el plano Basal HCP. Así , H =0 K=0 I = 0 y L=1. El plano
basal es, por tanto un plano cero-cero-cero-uno o plano (0001) .
BIBLIOGRAFÍA:
http://html.rincondelvago.com/principios-fundamentales-de-la-estructura-
cristalina-de-los-materiales.html
http://www.esi2.us.es/IMM2/estructuras_cristalinas/planos.html
INTRODUCCIÓN
Inicialmente podemos definir la densidad planar, coma la cantidad de átomos que hay en
un determinado plano ejemplo: familia de planos (100). Pero una definición más formal la
densidad planar es el número de átomos que tienen sus centros localizados dentro de un
área dada sobre un plano. El área planar seleccionada debe ser representativa de los
grupos de átomos repetitivos dentro del plano. Cuando ocurre deslizamiento bajo esfuerzo
(deformación plástica), éste ocurre en los planos sobre los cuales los átomos están más
densamente empacados.
La densidad planar en cristalografía nos muestra que tan lleno de átomos esta un plano lo
cual es muy importante porque podemos conocer como se van a deslizar estos planos unos
con respecto a otros; con su respectiva dirección de deslizamiento ( densidad lineal) ; la
combinación de estos dos densidad planar y lineal me dan a conocer la deformación del
material, A la combinación de un plano de deslizamiento con una dirección, es a lo que se
le denomina sistema de deslizamiento, y es a través de estos sistemas por donde se produce
la deformación de los materiales, de tal forma que cuanto mayor es el número de ellos
mayor será la capacidad de deformación de éstos. Para poder determinar cuáles son
sistemas existentes, primero tenemos que ver cuáles son los planos y direcciones
preferentes. Pues bien los planos de deslizamiento son los que poseen la fracción atómica
planar (FAP) más grande o lo que es lo mismo, son los planos de mayor compacidad en la
estructura cristalina. Se define la fracción (1) atómica planar como:
Para el plano (111) BCC se ha hecho con anterioridad una proyección y se ha deducido que
el átomo central no corta lo suficiente al área del plano como para tomarse como un átomo
representativo, después de esto se pasa a hacer un cálculo de la densidad planar, sin
tenerlo en cuenta. A continuación se mostrará el desarrollo de lo anteriormente
mencionado:
Con los resultados anteriores, y después de hallar la densidad planar para diferentes
planos de la familia (111) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 90,7% y para BCC
es igual a 34%.
Con los resultados anteriores, y después de hallar la densidad planar para diferentes
planos de la familia (110) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 55,53% y para
BCC es igual a 83,3%.
BIBLIOGRAFIA:
http://www.uhu.es/beatriz.aranda/apuntesciemat/TEMA%201funcmat.pdf (1)
SMITH, F WILLIAM, Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales
3.8 DIFRACCIÓN DE RAYOS X
INTRODUCCIÓN
La difracción hablando en términos físicos, es un proceso que ocurre en todo tipo de ondas
cuando éstas se esparcen o se curvan frente a la presencia de un obstáculo u orificio. Dicho
fenómeno se da cuando la longitud de onda es mucho mayor que las dimensiones del
obstáculo. Entre mayor sea el tamaño del objeto en comparación con la longitud de onda,
más difícil será detectar la difracción.
OBJETIVO GENERAL
OBJETIVOS ESPECÍFICOS
Deducir la fórmula que relaciona la longitud de onda (λ), la distancia entre planos
cristalinos (d), el parámetro de red (a) y el ángulo de incidencia de los rayos x (θ).
Conocer algunos equipos que intervienen en el uso de rayos x para el estudio de la
cristalografía.
Resolver algunos ejemplos sobre la aplicación de difracción de rayos x en la
cristalografía.
CRISTALOGRAFÍA DE RAYOS X
La cristalografía de rayos x es una técnica que consiste en hacer pasar un haz de luz a
través de un cristal de la sustancia o el material en estudio. El haz se dispersa en varias
direcciones debido al orden de los átomos en el cristal y, por difracción, se puede observar
un patrón de intensidades que se interpreta según la ubicación de los átomos, haciendo uso
de la LEY DE BRAGG.
Una de las limitaciones de esta técnica es que solo se puede usar en materiales cristalinos,
por lo tanto, no puede ser usada en sustancias como gases, disoluciones, a sistemas
amorfos, entre otros.
LEY DE BRAGG
Para interpretar los diagramas de difracción se requiere una teoría. W. Bragg fue pionero
en el tema y desarrolló una sencilla teoría, que es la que veremos. En este modelo se
analiza la interacción de un haz de radiación sobre un conjunto de planos paralelos,
equiespaciados y semitransparentes a la radiación. Para efectos de la reflexión se
aplica que el ángulo de incidencia es igual al de reflexión.
Donde:
n es un número entero.
λ es la longitud de onda de los rayos X.
d es la distancia entre los planos de la red cristalina y.
θ es el ángulo entre los rayos incidentes y los planos de dispersión.
De acuerdo al ángulo de desviación (2θ), el cambio de fase de las ondas produce
interferencia constructiva (figura izquierda) o destructiva (figura derecha).
QK − PR = PKcosθ − PKcosθ = 0
Para analizar los rayos dispersados por átomos en diferentes planos se toma los rayos 1 y 2
de la figura de arriba. Estos rayos son dispersados por los átomos K y L, la diferencia en
sus caminos ópticos es:
ML + LN = dsenθ + dsenθ
Así estos rayos estarán completamente en fase si su diferencia de caminos es igual a un
número entero (n) de longitudes de onda λ, de tal manera que se cumple que:
Nos quedan como variables n y θ. Aquí se trata de buscar las parejas (n, θ) que son
soluciones de la ecuación. Primero verificamos si λ puede caber al menos justo una vez en
la diferencia de camino óptico, y buscamos el ángulo apropiado. Nótese que si los datos
iniciales son tales que λ es mayor que 2d, no habrá ni siquiera solución para n=1; en tal
caso el problema no tiene soluciones.
Si hay solución en θ para n=1, podemos seguir buscando las soluciones de orden superior
(para n mayores). Si siguiendo este procedimiento, y probando con n crecientes y sin
saltarse ninguno, se encuentra que una solución de orden n´ (por ejemplo, n´=5) por
primera vez no es posible, entonces sólo habrá soluciones entre 1 y n´-1, ambos valores
incluidos.
En las estructuras cristalinas cúbicas, el espaciado interplanar entre dos planos paralelos
con los paralelos con los mismos índices de Miller se indica como d , donde h, k y l son los
hkl
índices de Miller de los planos. Este espaciado representa la distancia desde un origen
elegido que contiene a un plano a otro paralelo con los mismos índices que sea cercano al
primero.
Por simple geometría, se puede demostrar que para las estructuras cristalinas cúbicas:
Donde:
Los datos de los análisis de rayos x por difracción de las celdas unitarias pueden
simplificarse expresando la longitud de onda así:
Finalmente:
Empleando la anterior ecuación junto con los datos de difracción de rayos x podemos
determinar si una estructura es cúbica centrada en el cuerpo (BCC) o cúbica centrada en
las caras (FCC). Para esto debe conocerse cuáles planos cristalinos son planos de difracción
para cada tipo de estructura cristalina:
Para la red cúbica sencilla, todos los planos (hkl) son planos de reflexión.
Para la estructura BCC la difracción solo se da en los planos cuyos índices de Miller
sumados (h+k+l) dan un número par.
En la estructura FCC los principales planos de difracción son los que sus índices
son todos pares o todos impares (el cero se considera par).
Reglas para determinar los planos de difracción {hkl} en los cristales cúbicos:
Índices de Miller de los planos de difracción para las redes BCC y FCC:
Un caso sencillo que permite ilustrar cómo se puede emplear este análisis es diferenciar
entre las estructuras cristalinas BCC y FCC de un metal cúbico. Supóngase que se tiene un
metal con una estructura cristalina BCC o FCC y que se pueden identificar los planos de
difracción principales y los valores de 2θ correspondientes.
θ y θ : son los dos ángulos de difracción asociados a los planos principales escogidos.
A B
Para la estructura cristalina BCC los dos primeros planos principales son {1 1 0} y {2 0 0}.
Sustituyendo h, k y l en la ecuación anterior se tiene:
Del resultado anterior podemos concluir que un metal es BCC si la relación de de los
planos primeros planos principales de difracción es 0,5.
Para la estructura cristalina FCC los dos primeros planos principales son {1 1 1} y {2 0 0}.
Sustituyendo h, k y l en la ecuación anterior se tiene:
EL DIFRACTÓMETRO
El difractómetro de rayos X es capaz de detectar la radiación que emana una muestra
determinada al ser excitada por una fuente de energía. La respuesta generada depende del
ordenamiento interno de sus átomos. El difractómetro está compuesto de un
portamuestras móvil que irá moviendo el objeto estudiado con el fin de variar el ángulo de
incidencia de los rayos X. De este modo la estructura atómica de la muestra quedará
registrada en un difractograma.
EJEMPLOS DE APLICACIÓN
Solución:
2. El difractograma de un elemento que tiene estructura cúbica BCC o FCC presenta picos
de difracción en los ángulos 2θ siguientes: 40, 58, 73, 86.8, 100.4 y 114.7. La longitud de
onda de los rayos X incidentes utilizados es de 0. 154 nm.
Solución:
segundo:
nm, se obtiene:
3) De volumen.
a) Átomos intersticiales.
b) Vacancias.
c) Átomos sustitucionales.
http://nelyestradad.blogspot.com/2009_02_01_archive.html
Los átomos intersticiales como los de hidrogeno están presentes, con frecuencia, como
impurezas, mientras que los átomos de carbono se agregan en forma intersticial al hierro
para producir acero. Para concentraciones pequeñas, los átomos de carbono ocupan sitios
intersticiales en la estructura cristalina del hierro e introducen un esfuerzo en la región del
cristal en su cercanía.
Si hay dislocaciones en los cristales al tratar de mover esos tipos de defectos, se encuentran
con resistencia a su movimiento, con lo que se vuelve difícil crear deformación permanente
en metales y aleaciones. Esta es una forma importante de aumentar la resistencia de los
materiales metálicos. A diferencia de las vacancias, una vez introducidos, la cantidad de
átomos o iones intersticiales en la estructura permanece casi constante, aun cuando se
cambie la temperatura.
http://ocw.uc3m.es/ciencia-e-oin/quimica-de-los-materiales/Material%20de
%20clase/tema6a.htm
3.9.1.2 Vacancias: constituye el defecto puntual más simple, además es un hueco creado
por la pérdida de un átomo. Puede producirse durante la solidificación por perturbaciones
locales durante el crecimiento de los cristales.
http://personales.upv.es/~avicente/curso/unidad3/defectos.html
Las dislocaciones son defectos de línea que se mueven al aplicar una fuerza al material
haciendo que se deforme. El esfuerzo cortante resultante crítico es el esfuerzo requerido
para que se mueva la dislocación. La dislocación se mueve en un sistema de deslizamiento,
formado por un plano de deslizamiento y una dirección de deslizamiento. La dirección de
deslizamiento, típicamente es una dirección compacta. El plano de deslizamiento
normalmente también es compacto o casi compacto.
Se agrupan en:
En el caso de un cristal iónico, los cationes son más pequeños que los aniones; son
predominantes los defectos Frenkel de los cationes. Este tipo de defectos son los que
confieren movilidad iónica al sólido.
Este defecto es ilustrado con un ejemplo de cloruro de sodio; los diagramas son una
representación en 2 dimensiones de lo que ocurre realmente en 3:
http://nelyestradad.blogspot.com/2009_02_01_archive.html
b) Defecto schottky: es una par de vacancias en un material con enlaces iónicos. Para
mantener la neutralidad deben perderse de la red tanto un catión como un anión.
Ejemplo:
http://es.wikipedia.7val.com/wiki/Defecto_Schottky
c) Dislocaciones de borde: resultan cuando las dos nuevas superficies son desplazadas
transnacionalmente en dirección normal a la línea de dislocación.
Una dislocación de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto,
abriendo el cristal y llenando en parte el corte con un plano adicional de átomos. La orilla
inferior de este plano insertado representa la dislocación de borde.
http://personales.upv.es/~avicente/curso/unidad3/defectos.html
Cuando se aplica una fuerza cortante en la dirección del vector de burgers a un cristal que
contenga una dislocación, esta se puede mover, rompiendo los enlaces de los átomos en un
plano. El plano de corte se desplaza un poco para establecer enlaces con el plano parcial de
átomos originales.
El desplazamiento hace que la dislocación se mueva una distancia atómica hacia el lado. Si
continua este proceso, la dislocación se mueve a través del cristal hasta que se produce un
escalón en el exterior del mismo; el cristal se ha deformado plásticamente.
Otra analogía es el movimiento de avance de una oruga. Levanta alguna de sus patas en
determinado momento, y usa el movimiento para ir de un lado a otro, sin levantar todas las
patas al mismo tiempo. Una gran diferencia entre el movimiento de una oruga y el de una
dislocación es la velocidad con que se mueven. La velocidad con la que se propagan las
dislocaciones en los materiales es cercana o mayor que la velocidad del sonido.
Otra forma de visualizar esto es imaginar cómo se movería una onda en una alfombra si
tratáramos de eliminarla aplanándola en lugar de levantar la alfombra. si se pudieran
introducir dislocaciones en forma continua en un lado del cristal, moviéndose a través del
cristal por la misma trayectoria, el cristal terminaría por quedar cortado a la mitad.
3.9.4 De volumen: para comenzar a hablar de este tipo de imperfección se aclararan los
siguientes temas:
http://members.fortunecity.com/ginermendocilla/Fun.htm
Las maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante, que actúa a lo largo de límite de
macla, que hace que los átomos se desplace de su posición. El maclado sucede durante la
deformación o el tratamiento térmico de ciertos metales. Los límites de macla interfieren
con el proceso de deslizamiento y aumentan la resistencia del metal. El movimiento de los
límites de macla también puede causar la deformación del metal.
Los defectos volumétricos se forman cuando un grupo de átomos o de defectos puntuales
se unen para formar un vacío tridimensional o poro. De manera inversa, un grupo de
átomos de alguna impureza puede unirse para formar un precipitado tridimensional. El
tamaño de un defecto volumétrico puede variar desde unos cuantos nanómetros hasta
centímetros o, en ocasiones, puede ser mayor. Los defectos tienen un efecto o influencia
considerable en el comportamiento y desempeño de un material. Finalmente el concepto
de un defecto tridimensional o volumétrico puede ampliarse a una región amorfa dentro de
un material poli cristalino.