3.

5 INDICES DE MILLER
Estos se utilizan para identificar los planos cristalinos por donde es susceptible de
deslizar unos átomos sobre otros átomos en la celda cristalina.

Para poder identificar unívocamente un sistema de planos cristalográficos se les

asigna un juego de tres números que reciben el nombre de índices de Miller. Los
índices de un sistema de planos se indican genéricamente con las letras (h k l)

Los índices de Miller son números enteros, que pueden ser negativos o positivos, y son
primos entre sí. El signo negativo de un índice de Miller debe ser colocado sobre dicho
número.

Ejes y celdas unitarias:

Se utilizan los tres ejes conocidos normalmente, el eje X positivo se usa saliendo del
papel, el eje Y positivo hacia la derecha y finalmente el eje Z positivo hacia la parte
superior; en sentidos opuestos se encuentran sus respectivas zonas y cuadrantes
negativos

Se utilizan celdas unitarias para situar tanto puntos, como planos. Dichas celdas
unitarias son cubos los cuales se encuentran situados sobre el sistema de coordenadas
X, Y, Z. Generalmente se asume un origen, el cual está ubicado en la arista inferior
izquierda posterior.
Direcciones en la celda unitaria:
Existen direcciones y posiciones en una celda unitaria de gran interés, dichas
direcciones son los denominados Índices De Miller y son particularmente las
posiciones o lugares por donde es más susceptible un elemento en sufrir dislocaciones
y movimientos en su interior cristalino.

Para hallar los Índices De Miller de las direcciones se procede de la siguiente manera:

1. usar un sistema de ejes coordenados completamente definidos (zonas positivas y

zonas negativas).
2. Restar las coordenadas de los puntos a direccionar (cabeza menos cola), generando
de esta manera el vector dirección y la cantidad de parámetros de red recorridos
3. Eliminar o reducir de la resta de puntos las fracciones hasta su mínima expresión
4. Encerrar los números resultantes entre corchetes , sin comas, si el resultado es
negativo en cualquier eje (X, Y, Z) debe situarse una barra o raya encima de dicho
numero, o números.
Ejemplo 3.5.1

Determinar los índices de Miller de

las direcciones A, B y C.
Dirección A
1. Dos puntos son: 1,0,0 y 0,0,0
2. Se restan ambos puntos, situando en primer lugar el punto que se desea tener
como dirección y sentido (cabeza del vector) 1,0,0 – 0,0,0 = 1,0,0
3. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [ 100 ]
Dirección B
Dos puntos son: 1,1,1 y 0,0,0

1. Se procede de igual manera, se restan ambos puntos 1,1,1 - 0,0,0 = 1,1,1

2. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir
3. [ 111 ]
Dirección C
1. Dos puntos son: 0,0,1 y ½,-1,0
2. Se procede de igual manera, se restan ambos puntos 0,0,1 - ½,-1,0 = - ½,-1, 1
3. Esta vez el resultado debemos llevarlo a una conversión de enteros.
4. 2(- ½,-1, 1)=-1,-2,2
5. Como el resultado es negativo en las direcciones de los ejes X y Y, se sitúan con
una barra en la parte superior los valores para dichos ejes.

6.
Aspectos importantes en el análisis y creación de las direcciones en los Índices
De Miller:
1. las direcciones de Miller son vectores, por ende este puede ser positivo o negativo,
y con ello poseer la misma línea de acción pero diferente sentido.
2. una dirección y sus múltiplos son idénticos solo que estos aun no han sido
reducidos.
3. ciertos grupos de direcciones poseen equivalentes, esto en un sistema cubico es
ocasionado por el orden y el sentido de los vectores, ya que es posible redefinir el
sistema coordenado para una misma combinación de coordenadas. Estos grupos
reciben el nombre de direcciones de una forma o familia, y se denota entre
paréntesis especiales <>. Es importante resaltar que un material posee las mismas
propiedades en todas y cada una de las diferentes direcciones de una familia.
Tabla 3.5.a
Direcciones de la familia <110> en el sistema cubico
Importancia de las direcciones cristalográficas:
Es necesario conocer las direcciones cristalográficas para así asegurar la orientación
de un solo cristal o de un material poli cristalino. En muchas ocasiones es necesario
describir dichas orientaciones; en los metales por ejemplo es más fácil deformarlos en
la dirección a lo largo de la cual los átomos están en mayor contacto. En la industria
esto es de vital importancia para el uso, deformación y construcción de nuevos
elementos y materiales. Caso ejemplar es el de los elementos magnéticos los cuales
funcionan como medios de grabación con mejor y mayor eficiencia si se encuentran
alineados en cierta dirección cristalográfica, para así almacenar de manera segura y
duradera la información. En general es necesario encontrar o tener en cuenta la
posición y dirección cristalográfica de los elementos ya que así podrá aprovecharse al
máximo sus propiedades mecánicas.

Planos en la celda unitaria:

Los planos cristalinos son con mayor precisión los lugares por donde un material
facilita su deslizamiento y transformación física; dichos lugares o planos son
en donde existe la mayor posibilidad de que el elemento sufra una dislocación. Como
se mencionó anteriormente los metales se deforman con mayor facilidad a lo largo de
los planos en los cuales los átomos están compactados de manera más estrecha o
cercana en la celda unitaria. Es importante resaltar la orientación y forma en la que
puede crecer el cristal, para ello es necesario analizar las tensiones superficiales
producidas en los principales planos de una celda unitaria. Igualmente para una mejor
orientación en los planos de un material podrá existir un mejor rendimiento y
aprovechamiento en las propiedades y usos mecánicos.

Los Índices de Miller para planos se representan equivalentemente al sistema

cartesiano

(X, Y, Z) = (h, k, l) respectivamente.

Para identificar los planos de importancia se procede de la siguiente manera:

1. identificar los puntos donde cruza al plano de coordenadas X,Y,Z en función de los
parámetros de red (si el plano pasa por el origen se debe trasladar el origen del
sistema de coordenadas).
2. los Índices de Miller para los planos cristalinos son el inverso a los puntos de un
plano cartesiano.
3. se calculan los recíprocos o inversos de los puntos o intersecciones.
4. si el reciproco es N/∞, donde N es cualquier numero entero real, esto significara
en el plano que para este eje el plano quedara paralelo a él sin tocarlo.
5. la cantidad obtenida siempre es menor a la unidad, caso que no ocurre en el estudio
de las direcciones de los Índices de Miller.
Ejemplo 3.5.8
Determine los índices de Miller de los planos A, B y C

Plano A

1. x=1 y=1 z=1

2. 1/x=1 , 1/y=1, 1/z=1
3. No existen fracciones que eliminar
4. (111)
Plano B
1. Debe aclararse el plano no cruza al eje z, esto es debido al cociente entre 1/∞ lo
cual con su respectivo limite tiende a ser cero (0)
2. X=1 , y= 2, z=∞
3. 1/x=1, 1/y=1/2, 1/z= 0
4. Debemos eliminar las fracciones; 2(1, ½,0)
5. (210)

Plano C
1. Es necesario cambiar el origen, ya que el plano pasa por el origen, ubicaremos el
nuevo origen a la derecha del inicial, moviéndolo en dirección del eje Y positivo
2. Con el nuevo origen se tiene: x=∞, y=-1, z=∞
3. 1/x=0, 1/y=-1, 1/z=0
4. No existen fracciones que eliminar

5.
Aspectos importantes para los planos en los Índices de Miller:
1. los planos positivos y negativos son idénticos.
2. los planos y sus múltiplos no son idénticos. Esto se demuestra por medio de la
densidad planar y el factor de empaquetamiento.
3. los planos de forma o familia de planos son equivalentes. Se representan con llaves
{}
4. en los sistemas cúbicos, una dirección es perpendicular a un plano si tiene los
mismos Índices de Miller que dicho plano.
Ejemplo 3.5.3
Familia de planos {110} en los sistemas cúbicos

Estos planos son inversos en muchos aspectos de estudio, análisis y construcción.

Índices de Miller para celdas hexagonales

Para este tipo de estructura se ha desarrollado un especial conjunto de índices de
Miller-Bravais, debido a la simetría de la estructura. En este se usan ya cuatro ejes,
aunque es de tenerse en cuenta que el eje a3 es redundante.

El procedimiento para la obtención de planos y direcciones es el ya estudiado, aunque

para el cálculo de las direcciones existen los métodos para tres ejes o el de cuatro
ejes, siendo este último algo más tedioso.

En esta nueva estructura se tomaran los índices (h, k, i, l), para los cuales se asignara
un eje respectivo (a1=h, a2=k, a3=i, c=l), teniendo en cuenta que para el eje a3 su
existencia radicara en la relación h + k = -i; y la descomposición en cuatro vectores
(creación de direcciones en cuatro ejes a partir de los índices en los tres ejes)

Relaciones:

H= 1/3(2h – k)

K=1/3(2k – h)
I=-1/3(h + k)

L=l

Ejemplo 3.5.6
Determine los índices de Miller-Bravais para los planos A y B y par las direcciones C y
D.

Plano A
1. a1=a2=a3=∞, c=1
2. 1/a1=1/a2=1/a3=0, 1/c=1
3. No existen fracciones que simplificar
4. (0001)

Plano B
1. A1=1, a2=1, a3=-1/2, c=1
2. 1/a1=1, 1/a2=1, 1/a3=-2, 1/c=1
3. No hay fracciones que simplificar
4.
Dirección C
1. Dos puntos: 0,0,1 y 1,0,0
2. Realizando la resta y tomando al punto 0,0,1 como cabeza del vector, se tiene:
0,0,1 – 1,0,0 = -1,0,1
3. No existen fracciones que eliminar o enteros que reducir

4.
Dirección D
1. Los puntos son: 0,1,0 y 1,0,0
2. La resta genera el vector: 0,1,0 – 1,0,0 = -1,1,0
3. No existen fracciones que eliminar ni enteros que reducir

4.

Comportamiento isotrópico y anisotrópico:

A causa de los arreglos en los diferentes planos y direcciones cristalográficas los
materiales presentan comportamientos y desempeños diversos en sus propiedades
mecánicas. Se dice que un material es cristalográficamente anisotropico si sus
propiedades dependen de la dirección cristalográfica en la cual se mide la propiedad.
Si sus propiedades son idénticas en cualquier dirección el material se conoce
cristalográficamente como isotrópico. Puede suceder que un material pase de ser
anisotropico a isotrópico si sus arreglos son aleatorios en forma policristalina. En
genera los materiales policristalino as muestran propiedades isotrópicas. Ejemplo de
ello tenernos el aluminio, el cual si posee idénticas propiedades en todas las
direcciones diremos que es un elemento cristalográficamente isotrópico, pero si se
presenta en forma policristalina se puede asumir o comportar como anisotropico.
BIBLIOGRAFÍA
 Askeland, Donald R; Phule, Pracleep; Ciencia e Ingeniería de los Materiales;
International Thomson Editores, cuarta edición, México, 2004.
 Smith, William F (Autor); Hashemi, Javad ( Colaborador); Cruells Cadevall,
Montesrrat ( Revisor); Roca Vallmajor, Antoni ( Revisor); España, Mcgraw- Hill
Interamericana S.A, C2004

3.6 PLANOS CRISTALINOS

Dirección en la celda
A menudo, es necesario referirnos a posiciones específicas en las redes cristalinas.
Esto es especialmente importante para metales y aleaciones con propiedades que
varían con la orientación cristalográfica. Para cristales cúbicos los indices de las
direcciones cristalográficas son los componentes vectoriales de las direcciones
resueltos a lo largo de cada eje coordenado y reducido a los enteros mas pequeños.
Para indicar en un diagrama la dirección en una celda cúbica unitaria dibujamos un
vector de dirección desde el origen (que es normalmente una esquina de la celda
cúbica) hasta que sale la superficie del cubo. Las coordenadas de posición de la celda
unidad donde el vector de posición sale de la superficie del cubo después de ser
convertidas a enteros son los indices de dirección. Los indices de dirección se
encierran entre corchetes sin separación por comas.

Planos en una celda unitaria

Las superficise cristalinas en celdillas unidad HCP pueden ser identificadas
comúnmente utilizando cuatro indices en lugar de tres. Los indices para los planos
cristalinos HCP ,llamados indices Miller-Bravais, son designados por las letras h, k, i, l
y encerrados entre parentesis ( hkil ). estos indices hexagonales de 4indices estan
basados en un sistema coordenado de 4 ejes.
Existen 3 ejes básicos, a1, a2, a3, que forman 1200 entre si. El cuarto eje o eje c es el
eje vertical y esta localizado en el centro de la celdilla unidad. La unidad a de medida a
lo largo de los ejes a1 a2 a3 es la distancia entre los átomos a lo largo de estos ejes.
La unidad de medida a lo largo del eje es la altura de la celdilla unidad. Los recíprocos
de las intersecciones que un plano cristalino determina con los ejes, a1, a2, a3
proporciona los indices h, k e i mientras el recíproco de la intersección con el eje c da
el índice l.

Notación para planos

Los planos basales de la celdilla unidad HCP son muy importantes para esta celdilla
unidad puesto que el plano basal de la celdilla HCP es pralelo a los ejes, a1, a2, a3 las
intersecciones de este plano con estos ejes serán todas de valor infinito. Así, a1 =”, a2
=” a3 =” El eje c, sin embargo, es único puesto que el plano basal superior intersecciona
con el eje c a una distancia unidad. Tomando los recíprocos de estas intersecciones
tenemos los indices de Miller-Bravais para el plano Basal HCP. Así, H =0 K=0 I = 0 y
L=1. El plano basal es, por tanto un plano cero-cero-cero-uno o plano (0001) .

BIBLIOGRAFÍA:
 http://html.rincondelvago.com/principios-fundamentales-de-la-estructura-
cristalina-de-los-materiales.html
 http://www.esi2.us.es/IMM2/estructuras_cristalinas/planos.html

3.7 DENSIDAD PLANAR DE FAMILIAS 100, 110 Y

111. PROTECCIÓNDESCRIPTIVA DE PLANOS Y CORTE DE ÁTOMOS.
INTRODUCCIÓN
Inicialmente podemos definir la densidad planar, coma la cantidad de átomos que hay
en un determinado plano ejemplo: familia de planos (100). Pero una definición más
formal la densidad planar es el número de átomos que tienen sus centros localizados
dentro de un área dada sobre un plano. El área planar seleccionada debe ser
representativa de los grupos de átomos repetitivos dentro del plano. Cuando ocurre
deslizamiento bajo esfuerzo (deformación plástica), éste ocurre en los planos sobre
los cuales los átomos están más densamente empacados.

La densidad planar en cristalografía nos muestra que tan lleno de átomos esta un plano
lo cual es muy importante porque podemos conocer como se van a deslizar estos planos
unos con respecto a otros; con su respectiva dirección de deslizamiento ( densidad
lineal) ; la combinación de estos dos densidad planar y lineal me dan a conocer la
deformación del material, A la combinación de un plano de deslizamiento con una
dirección, es a lo que se le denomina sistema de deslizamiento, y es a través de estos
sistemas por donde se produce la deformación de los materiales, de tal forma que
cuanto mayor es el número de ellos mayor será la capacidad de deformación de éstos.
Para poder determinar cuáles son sistemas existentes, primero tenemos que ver
cuáles son los planos y direcciones preferentes. Pues bien los planos de deslizamiento
son los que poseen la fracción atómica planar (FAP) más grande o lo que es lo mismo,
son los planos de mayor compacidad en la estructura cristalina. Se define la fracción
(1) atómica planar como:

 ∂= #ATOMOS INTERSECTADOS/AREA DEL PLANO

REDES CRISTALINAS BCC Y FCC:

CALCULO DE LA DENSIDAD PLANAR:
Para calcular la densidad planar usamos la siguiente convención. Si un átomo pertenece
totalmente a un área dada, tal como la del átomo localizado en el centro de una cara en
una estructura FCC, notamos que la huella de la intersección del átomo sobre el plano
es un círculo. Entonces, dentro del área contamos un átomo en el centro y un cuarto
de átomo en cada una de las esquinas, ya que cada uno intercepta solamente un cuarto
de círculo en el área. La densidad planar o del plano es 2/a2. Debemos agregar que en
estos cálculos de la densidad, una de las reglas básicas es que un plano o una línea
debe pasar a través del centro de un átomo no se cuenta el átomo en los cálculos.
Si determinamos la densidad planar de las distintas familias de planos de las
diferentes estructuras, veremos que para el caso de la FCC, la familia de planos de
mayor densidad planar es la {111}, mientras que para la estructura BCC, es la
{110}.Luego los planos pertenecientes a estas familias constituyen los planos de
deslizamientos de sus estructuras cristalinas correspondientes. Por lo que ya solo
necesitamos conocer, Para poder determinar los sistemas, cuales son las direcciones
de deslizamientos.
A continuación veremos el cálculo de la densidad atómica planar de la familia de planos
(100), (110), (111):
Con los resultados anteriores, y después de hallar la densidad planar para diferentes
planos de la familia (100) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 78,5% y para
BCC es igual a 58,9%.
Como ya quedó dicho en la introducción, para calcular la densidad planar, el área del
plano debe pasar por el centro del átomo, para poder tener en cuenta a éste como un
átomo representativo, por eso, para calcular la densidad planar en una red cristalina
BCC debemos garantizar que el plano no intercepte el átomo central. Aquello es
posible saberlo haciendo proyección del área y del plano, utilizando geometría
analítica.
Para el plano (111) BCC se ha hecho con anterioridad una proyección y se ha deducido
que el átomo central no corta lo suficiente al área del plano como para tomarse como
un átomo representativo, después de esto se pasa a hacer un cálculo de la densidad
planar, sin tenerlo en cuenta. A continuación se mostrará el desarrollo de lo
anteriormente mencionado:
Con los resultados anteriores, y después de hallar la densidad planar para diferentes
planos de la familia (111) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 90,7% y para
BCC es igual a 34%.

Con los resultados anteriores, y después de hallar la densidad planar para diferentes
planos de la familia (110) se llega a la conclusión que para FCC es igual a 55,53% y para
BCC es igual a 83,3%.

BIBLIOGRAFIA:
 http://www.uhu.es/beatriz.aranda/apuntesciemat/TEMA%201funcmat.pdf (1)
 SMITH, F WILLIAM, Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales
 http://blog.utp.edu.co/metalografia/2012/07/30/3-cristalografia/