Electrónica de Potencia

Interruptores de potencia

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 Dispositivos
semiconductores de
potencia
Se clasifican en tres grupos:

Diodos.
Tiristores.
Interruptores controlables: BJT, MOSFET, transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y
tiristores controlados por puerta (GTO)

Diodo Tiristor Interruptor controlable

(MOSFET)

No controlable Controlable Controlable

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 Dispositivos semiconductores de potencia:
El Diodo

Diodos:

Representación Curva Real Curva Ideal

Problemática:
El apagado presenta una
corriente inversa que
depende de la carga parásita

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 Diodos

Apagado del diodo:

Existen tres tipos de diodos:

Encapsulados
Diodos Schottky. Baja caída de tensión (normalmente 0.3v). Pueden manejar entre 50-
100v. Presentan un muy corto 𝑡𝑟𝑟 . Si para baja potencia y tecnología SiC para media
potencia.

Diodos de recuperación rápida. Uso de circuitos de alta frecuencia con un tiempo corto
de recuperación inversa (ms). Varios cientos de amperios y voltios.

Diodos de frecuencia de línea. Trr es mas alto. Maneja varios Kv y KA.

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 Tiristores

Tiristor: es un diodo controlado

Puede dispararse para entrar en
el estado activo por medio de
una aplicación de un pulso de
corriente de puerta positiva
durante un periodo breve (el
dispositivo debe estar en
bloqueo directo)

La caída de tensión es de 1-3v

El tiristor no puede apagarse

Representación Curva Real por la puerta

Puede simplificarse su uso

como un diodo controlado
Curva Ideal

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 Tiristores - Funcionamiento

Requieren de
un circuito 𝑑𝑖
de disparo Debe tomarse en cuenta la
𝑑𝑡
en la conexión

¿Qué pasa si la carga es un

circuito RL?

Si la tensión es continua.
¿Funciona?

tq: tiempo de recuperación del tiristor conmutado por circuito

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 Tiristores - Triac

 Permite controlar el disparo en

corrientes positivas y negativas

 En algunos casos se requiere un

detector de cruce por cero

 Requiere un pulso de corriente por

cada cruce por cero. Aplicación para realizar con
uC en simulación
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 Tiristores

Existen tres tipos de tiristores:

Tiristor de control de fase (SCR). Se utiliza para rectificadores controlados por fase
(control de motores DC y AC) y en transmisión de energía de alta tensión. Gran capacidad
de manejo de I (4000A) y V (5-7Kv) y baja caída de tensión (1.5v – 3v ). Tienen tq
relativamente largos (ms)

Tiristores de grado de inversor. Tienen tq pequeños (ms – 100us) bajas caídas de

tensión (2500v-1500A)

Tiristores activados por luz. Su aplicación es para HVDC y llegan a manejar hasta 20kv
y 10KA.
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 Interruptores Controlables:
MOSFET e IGBT
Dentro de esta gama tenemos BJT, GTO y MOSFET e IGBT, siendo los 2 últimos los
más comerciales.

Un interruptor controlable ideal debe cumplir:

Bloquear de forma arbitraria grandes tensiones directas e inversas con flujo de

corriente cero (trabaja como un circuito abierto)

Conduce en forma arbitraria grandes corrientes con caídas de tensión cero

cuando esta encendido (trabaja como un cortocircuito)

Conmuta de encendido a apagado o viceversa en forma instantánea cuando se

dispara (no pérdidas por conmutación)

Se requiere una cantidad de energía insignificante de la fuente de control para

disparar el interruptor (driver)

Los dispositivos reales no cumple con estas

condiciones
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 Pérdidas en Interruptores:
Disipación de energía

inductancia El promedio de perdida de energía por

conmutación viene dada por:
Diodo
(ON) 1
Diodo Ps  Vd I o Fs (tc ( enc )  tc ( apag ) )
(ON) 2
El promedio de perdida de energía en
estado activo viene dada por:
tenc
Penc  Venc I o
Ts

 PT  Ps  Penc

Se requieren disipadores térmicos

Energía disipada durante la transición de apagado

Energía disipada durante la transición de encendido

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 Disipación de energía en
interruptores controlables

Las consideraciones deseables de los interruptores controlables deben ser

1. Voltaje de estado activo pequeño (reales está entre 0.3 y 1.2V)

2. Tiempos cortos de conexión de desconexión (varía entre 10ns hasta us)
3. Capacidad de bloqueo de tensión directa e inversa (puede llegar hasta 10kV)
4. Corriente nominal alta del estado activo
5. Pequeña cantidad de energía para conmutar el dispositivo (mW)
6. Capacidad de soportar tensión y corriente nominal durante la conmutación
𝑑𝑣 𝑑𝑖
7. Grandes capacidades de y
𝑑𝑡 𝑑𝑡

Destacan 2 tecnologías: MOSFET e IGBT

MOSFET IGBT

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 MOSFET

Es un dispositivo controlado por tensión y sus tiempos de conmutación son muy cortos

Requiere la aplicación continua de tensión puerta-fuente

No hay flujo de corriente de puerta, excepto durante las transiciones (cuando la

capacitancia de la puerta se esta cargando o descargando)

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 MOSFET

Existen dos tecnologías comerciales: Si y SiC.

Una tercera de GaN está en fase de
desarrollo.

Son favorables para altas frecuencias de

conmutación

Pueden manejar voltajes entre 5-1700v con

perdidas de energía pequeñas a frecuencias
de conmutación entre 30 a 300KHz. La
tecnología de SiC soporta 10kV.

Manejan poca corriente (hasta 300 A con

voltajes pequeños), o alto voltaje (1700v a
baja corriente)

El voltaje de disparo (puerta - fuente) varia

entre +/- 20v hasta 5v

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 IGBT

• Requiere la aplicación continua de

una pequeña tensión (puerta de alta
impedancia)

• Puede manejar grandes cantidades de

voltaje así como de corriente.

• Voltaje de estado activo pequeño (2-

3v en dispositivos de 1000 v)

• Más lento en conmutación que el

MOSFET

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 Simulaciones

Realice las siguientes simulaciones del siguiente circuito:

• Disparo de un tiristor tipo SCR. Considere cargas R y RL. Tensión de entrada AC

• Disparo de un TRIAC (corriente positiva y negativa). Considere carga R y RL.

Tensión de entrada AC

• Disparo de un MOSFET o IGBT, con una señal PWM. Tensión de entrada DC.
Funciona con una tensión AC

Circuito de evaluación Circuito de evaluación

para SCR y TRIAC para MOSFET e IGBT

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 Simulaciones

1. Simulación con SCR

𝑖𝑜 𝑅 = 10Ω
𝑣𝑖 = 220 2 sin(2 × 𝜋 × 60 × 𝑡)

𝑖𝑜
𝑣𝑖
100

𝛼 = 90 𝑦 270
𝛼 = 45 𝑦 225

1. ¿Cuánto es la corriente pico?

2. ¿Cuánto es la corriente promedio para ambos casos?
3. ¿Por qué no conduce la parte de la tensión de entrada?
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 Simulaciones

2. Simulación con TRIAC

𝑅 = 10Ω
𝑣𝑖 = 220 2 sin(2 × 𝜋 × 60 × 𝑡) 𝑖𝑜

𝑖𝑜
𝑣𝑖
100

𝛼 = 45 𝑦 225
𝛼 = 90 𝑦 270
𝑠: 𝑠𝑒ñ𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑑𝑖𝑠𝑝𝑎𝑟𝑜

1. ¿Cuánto es la corriente pico?

2. ¿Cuánto es la corriente promedio para ambos casos?
3. ¿Es posible tener la misma forma de onda con un SCR? ¿Por qué?
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 Simulaciones

3. Simulación con MOSFET 2 cuadrantes

𝑠
𝑅 = 10Ω
𝑣𝑖 = 220 2 sin(2 × 𝜋 × 60 × 𝑡) 𝑖𝑜

𝑖𝑜
𝑣𝑖
100
𝑠: 𝑠𝑒ñ𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑑𝑖𝑠𝑝𝑎𝑟𝑜

1. Indique en que ciclos de conducción conduce el MOSFET y el Diodo

2. ¿Cuánto es la corriente promedio para ambos casos?
3. ¿Por qué no conduce la parte de la tensión de entrada?

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 Simulaciones

4. Simulación con MOSFET 4 cuadrantes

𝑅 = 10Ω
𝑣𝑖 = 220 2 sin(2 × 𝜋 × 60 × 𝑡)

𝑖𝑜
𝑣𝑖
100
𝑠: 𝑠𝑒ñ𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑑𝑖𝑠𝑝𝑎𝑟𝑜

Control PWM (conducción entre 45° a 90° y 225 a 270° )

1. ¿Cuánto es la corriente pico?

2. ¿Cuánto es la corriente promedio para ambos casos?
3. ¿Es posible tener la misma forma de onda con un Triac? ¿Por qué?
4. Modifique el circuito para que corriente conduzca entre 30° y 90°
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 Simulaciones

5. Simulación con MOSFET 4 cuadrantes: alta frecuencia

𝑅 = 10Ω
𝑣𝑖 = 220 2 sin(2 × 𝜋 × 60 × 𝑡)

𝑠: 𝑠𝑒ñ𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑑𝑖𝑠𝑝𝑎𝑟𝑜 (6𝑘𝐻𝑧) Zoom en 𝝎𝒐 𝒕 =

𝝅
𝟐
𝑖𝑜
𝑣𝑖
100

Control PWM (conducción entre 45° a 90° y 225 a 270° )

1. ¿Cuánto es la corriente pico?
2. ¿Cuánto es la corriente promedio?
3. ¿Es posible tener la misma forma de onda con un Triac? ¿Por qué?
4. Modifique el circuito para que corriente conduzca entre 30° y 90°
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