Efecto de la presión hidrostática

sobre la energı́a de enlace de

excitones confinados en puntos
cuánticos y superredes de nanohilos

Trabajo de grado para optar al tı́tulo de Maestrı́a en Fı́sica

Presentada por:

Camilo Armando Moscoso Moreno

Código: 835065

Dirigido por:

Jereson Silva Valencia, Ph. D.

Universidad Nacional de Colombia

Facultad de Ciencias
Departamento de Fı́sica
Bogotá, 2009

2
3
 Resumen
En este trabajo calculamos la energı́a de enlace del estado base de excitones
ligeros y pesados confinados en puntos cuánticos esféricos de GaAs rodeados
de Ga1−x Alx As bajo presión hidrostática usando coordenadas esféricas para
los ligeros y el sistema de coordenadas de Hylleraas para los pesados, con la
aproximación de masa efectiva, el método variacional y una concentración de
Aluminio de x =0.3. También se determino la energı́a de enlace del estado
base de excitones confinados en superredes de nanohilos cilı́ndricos de GaAs
con barreras de Ga1−x Alx As con una capa externa de Ga1−y Aly As donde
la concentración y era mayor que la concentración interna x. Para el caso
de la superred se empleo el método variacional de Schrödinger. La presión
hidrostática afecta los parámetros del material en bloque, como son la con-
stante de red, la constante dieléctrica, el gap de energı́a y las masas efectivas
del electrón y el hueco. Se asume como primera aproximación, que el cambio
de los parámetros del punto cuántico y la superred debido a la presión, es
igual al del material en bloque. Los parámetros afectados por la presión se
toman reportados experimentalmente. La energı́a de enlace se calculó como
función de la presión hidrostática, el radio del punto y del nanohilo, y la con-
centración de Aluminio para el caso de los huecos ligeros. Se encontró que
la energı́a de enlace aumenta a medida que aumentamos la presión especial-
mente para los radios pequeños y se puede observar el efecto de cuantización
extra en los puntos cuánticos donde los excitones presenten energı́as de enlace
mayores que los que se tienen para la superred. Los resultados obtenidos con-
cuerdan con aquellos presentados por otros autores con sistemas similares.
 Agradecimientos
Deseo agradecer profundamente a mis padres Alfredo y Mariela, y a mis
hermanos Sandra y Jorge, por el apoyo incondicional que he recibido, la con-
fianza depositada en todos las aventuras que he emprendido y por enseñarme
que todo es posible mientras mantengamos vivos nuestros sueños. A mi
novia y amiga Marcela por su compañı́a desinteresada, su gran apoyo y por
haber compartido grandes momentos durante la realización de ésta maestrı́a,
además fue ella quien transcribió la mayorı́a de las ecuaciones de este escrito
logrando ası́ la puntual culminación y por lo cual me encuentro inmensamente
agradecido. A mis amigos Benjamı́n, Jonathan, Mario, Julián y Javier, por
todos los grandes momentos compartidos durante la carrera y la maestrı́a,
por las discuciones y consejos que a lo largo de este tiempo se dieron. A
mi director Jereson y co-director Roberto quienes durante casi 4 años me
han transmitido sus conocimientos, consejos y me brindaron su amistad. Al
Profesor Ilia Mikhailov por compartir su inmensa sabidurı́a, al estudiante de
maestrı́a Eduardo Galván por las tardes enteras que pasamos programando
y a todos los demás estudiantes del grupo de materia condensada de la UIS
quienes me acogieron y acompañaron durante los dı́as que pase en Bucara-
manga. Al proyecto de Colciencias titulado ”Sistemas de pocas partı́culas en
superredes de nanohilos cilı́ndricos” con el código 1102-405-20351 el cual fi-
nanció toda la maestrı́a, y finalmente el apoyo financiero recibido por el DIB
201010012400 que hicieron posibles todos los viajes que realicé.

2
 Artı́culos y presentaciones
Durante la realización de este trabajo se han publicado los siguientes artı́culos
en revistas nacionales e internacionales:

”Efecto de la presión hidrostática sobre la energı́a de enlace de excitones

en puntos cuánticos esféricos”, Revista Colombiana de Fı́sica. 38, 141-
144 (2006).

”Binding energy of light excitons in spherical quantum dots over hydro-

static pressure”, Revista Colombiana de Fı́sica. 39, 59-62 (2007).

”The binding energy of light excitons in spherical quantum dots under

hydrostatic pressure”, Rev. Mex. Fı́s. 53, 189-193 (2007).

”Binding energy of heavy excitons in spherical quantum dots under hy-

drostatic pressure”, Phys. Stat. Sol. B. 246, 486-490 (2009).

”Binding energy of excitons in quantum wire superlattice under hydos-

tratic pressure”, se encuentra sometido a publicación en Physica B.

Distintas partes del trabajo también fueron presentadas en los siguientes

eventos en modalidad de poster:

Participación del XXI Congreso Nacional de Fı́sica en el segundo semestre

de 2005 en Barranquilla-Colombia.

Participación en el 13o International Conference on High Pressure Semi-

conductor Physics (HPSP 13) realizado del 22 al 25 de Julio de 2008
en Fortaleza-Brasil

3
Índice general

1. Introducción 10
1.1. Estado actual del tema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2. Problema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

2. Aspectos teóricos 15
2.1. Semiconductores GaAs - Ga1−x Alx As
en bloque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.1.1. GaAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.1.2. GaAlAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.2. Confinamiento Cuántico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.3. Heteroestructuras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.4. Aproximación de masa efectiva . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.5. Excitones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.5.1. Propiedades de los excitones . . . . . . . . . . . . . . . 31

3. Puntos Cuánticos 36
3.1. Fabricación de Puntos Cuánticos . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.2. Modelo para excitones confinados en puntos cuánticos esféricos 39
3.2.1. Electrón y hueco libres . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.2.2. Electrón y hueco correlacionados (Excitón) . . . . . . . 46
3.2.3. Parámetros de red y efecto de presión . . . . . . . . . . 54
3.3. Resultados y análisis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

4. Superred de Nanohilos 62
4.1. Fabricación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
4.2. Excitones en superredes de nanohilos . . . . . . . . . . . . . . 65
4.2.1. Solución del electrón y el hueco libre . . . . . . . . . . 68
4.2.2. Solución para el electrón y hueco correlacionado (ex-
citón) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
4.3. Presión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.4. Resultados y análisis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

4
5. Conclusiones 82
5.1. Perspectivas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83

A. Barrido Trigonométrico 85

B. Simplificación del Jacobiano 87

5
Índice de figuras

1.1. Algunas aplicaciones de dispositivos nanotecnológicos. En la izquier-

da se muestran LEDs de una gran gama de colores generados
por puntos cuánticos coloidales fabricados por la empresa Evident
Technologies r, imagen tomada de la página web de la empresa
www.evidenttech.com. A la derecha se muestran tintas para seguri-
dad que aprovechan las propiedades optoelectrónicas de los puntos
cuánticos fabricados por la misma empresa. . . . . . . . . . . . . 11

2.1. Estructura cristalina de GaAs. Es del tipo Zinc Blenda donde los
átomos de color morado (internos del cubo) son los del grupo III
como el Ga o Al, y los de color café (caras y extremos del cubo)
del grupo V como el As. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.2. Zona de Brillouin para una red cúbica de centrada en las caras
con los puntos de alta simetrı́a. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3. Estructura de bandas para el GaAs. Imagen tomada del artı́culo
publicado por I. Vurgaftman y colaboradores, J. Appl. Phys. 89,
5815 (2001) [23]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.4. Gap de energı́a en función de la concentración de Aluminio x para
los tres puntos de simetrı́a. Se observa como para x ≤0.4 el punto Γ
presenta el menor valor, de allı́ que sea de gap directo, para valores
mayores el gap es indirecto. Imagen tomada del artı́culo publicado
por I. Vurgaftman y colaboradores, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001)
[23]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.5. Estructuras de confinamiento cuántico. . . . . . . . . . . . . . . 21
2.6. Funciones de onda en un pozo infinito. . . . . . . . . . . . . . . 22
2.7. Pozo de GaAs rodeado de GaAlAs. Debido a que los gaps de
energı́a entre el GaAs y el GaAsAl son diferentes, los electrones y
huecos se ven confinados en el GaAs, al colocarlos intercalados. . . 24
2.8. Gap de energı́a en función de la constante de red para compuestos
semiconductores de III-V a temperatura cero. Imagen tomada del
artı́culo publicado por I. Vurgaftman y colaboradores, J. Appl.
Phys. 89, 5815 (2001) [23]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

6
2.9. Pozo de GaAs rodeado de GaAlAs. Ya que los gaps de energı́a
entre el GaAs y el GaAsAl es diferente, los electrones y huecos se
ven confinados en el GaAs al colocarlos intercalados. . . . . . . . 27
2.10. Estructura de bandas del GaAs con la masa efectiva. . . . . . . . 28
2.11. Clases de Excitones. Los de tipo Wannier-Mott mucho más grandes
que la constante de red, y los de tipo Frenkel con radios del orden
de la constante de red. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.12. Energı́a de enlace de un excitón en función del ancho del espesor
del pozo cuántico, para una heteroestructura de GaAs/GaAlAs.
Las curvas (1) y (2) son realizadas con dos funciones de onda dis-
tintas. Imagen tomada del artı́culo publicado por G. Bastard en la
Phys. Rev. B en 1982 [28]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
2.13. Energı́a de enlace de un excitón en función del ancho del espesor
del pozo cuántico, para una heteroestructura de GaAs/GaAlAs.
Las lı́neas sólidas corresponden al excitón con hueco pesado y las
lı́neas punteadas al excitón de huecos ligeros. Imagen tomada del
artı́culo publicado por R.L. Greene y colaboradores en la Phy. Rev.
B en 1984 [29]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

3.1. Arriba izquierda: Imagen de nanocristales de CdSe obtenida por

un microscopio electrónico de trasmisión. Cada cristal se encuentra
recubierto por una monocapa de surfactante, tomado del artı́culo
de Paul Alivisatos publicado en Pure Appl. Chem. en 2000 [53].
Estos puntos se pueden considerar como una especie de macro-
molécula. Cambiando el surfactante, los puntos se pueden disolver
en cualquier lı́quido. Abajo: Puntos Cuánticos coloidales fabricados
por Evident Technologies r. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.2. Izquierda: Esquema del instrumento para crecimiento MBE.
Derecha: Los átomos disparados uno por uno son colocados
perféctamente sobre la superficie hasta que la tensión entre
las constantes de red de los materiales forman el punto cuántico. 39
3.3. Sistema de coordenadas de Hylleraas. . . . . . . . . . . . . . . 40
3.4. √
Punto de igualdad entre el sin(Le R) y la recta definida por
αe /Ve R2 (Le R). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
3.5. Energı́a de enlace de excitones ligeros en función del radio del
punto para P=0, 20 y 40 Kbar. . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
3.6. Energı́a de enlace de excitones pesados en función del radio
del punto para P=0, 20 y 40 Kbar. . . . . . . . . . . . . . . . 58
3.7. Energı́a de enlace de excitones confinados en puntos cuánticos
esféricos de GaAs rodeados por Ga1−x Alx As como función de
la concentración de Aluminio x. . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

7
3.8. Energı́a de enlace de excitones confinados en puntos cuánticos
esféricos de GaAs rodeados por Ga1−x Alx As como función de
la presión para un radio del punto de 30 Å y una concentración
de Aluminio de x =0.3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60

4.1. Diagrama de una superred de nanohilos con el potencial en la

dirección z. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
4.2. Esquema de fabricación alternado. Imagen tomada del artı́culo
publicado por M.S. Gudiksen y colaboradores, Nature 415, 617
(2001). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
4.3. Juntura de un nanohilo de GaAs/GaP. a) Imagen de alta resolu-
ción TEM de la juntura la cual fue crecida con un nanocluster de
Oro de 20 nm como catalizador. Escala de la barra 10 nm. b) Im-
agen TEM de otra juntura, escala de la barra 20 nm. c) d) y e)
Mapeo del Ga (gris), P (rojo) y As (azul). f) Lı́neas de composición
a través de la juntura. Imagen tomada del artı́culo publicado por
M.S. Gudiksen y colaboradores, Nature 415, 617 (2001). . . . . . 65
4.4. Arriba: a) Muestra de los nanohilos de GaAlN crecidos en la base
de Silicio, b) Sección transversal de un nanohilo mediante SEM,
se puede ver la ausencia de imperfecciones. Abajo: Superred de
GaN/GaAlN, a) Se pueden observar 7 pozos de GaN, b) Cada disco
tiene un espesor de 4.5 nm. Imagen tomada del artı́culo publicado
por J. Ristic y colaboradores, Phys. Rev. B 68, 125305 (2003). . . 66
4.5. Sistema de coordenadas cilı́ndricas para el electrón y el hueco. . . 67
4.6. Energı́a de enlace en función del radio del hilo para P=0, 20
y 40 Kbar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
4.7. Funciones de onda para el electrón y el hueco libre en la superred.
Arriba: Electrón y hueco a presion P=0 Kbar, Abajo: Elecctrón y
hueco a presión P=40 Kbar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.8. Distribución de probabilidad para el excitón dejando fijo el elec-
trón en el primer pozo, segundo pozo, segunda barrera y en el
tercer pozo. La columna izquierda es para P=0 Kbar y la columna
derecha es para P=40 Kbar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.9. Distribución de probabilidad para el excitón dejando fijo el hueco
en el primer pozo, segundo pozo, segunda barrera y en el tercer
pozo. La columna izquierda es para P=0 Kbar y la columna derecha
es para P=40 Kbar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81

8
Índice de cuadros

3.1. Constantes y coeficientes para la presión . . . . . . . . . . . . 55

3.2. Parámetros para el GaAs punto . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

4.1. Parámetros para el GaAs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

9
Capı́tulo 1

Introducción

Para finales del siglo XX y comienzos del XXI, el estudio de los sistemas
de baja dimensionalidad estimuló el desarrollo de nuevos materiales, gracias
a que presentan entre otras nuevas propiedades ópticas, electrónicas y de
conducción. Además de los avances de las técnicas experimentales que per-
mitieron su fabricación.
Dentro de los sistemas de baja dimensionalidad (también llamados sistemas
nanométricos), se encuentran los pozos cuánticos o dispositivos de 2 dimen-
siones, los nanotubos y nanohilos, sistemas de 1 dimensión, y los puntos
cuánticos o sistemas de dimensión 0, cuyos niveles de energı́a son similares
a los de los átomos, razón por lo cual se les denomina átomos artificiales.
Las propiedades que presentan estos dispositivos son explicadas mediante
la mecánica cuántica y gracias a su entendimiento se ha desarrollado un
sinnúmero de aplicaciones tecnológicas, tales como la tecnologı́a desarrollada
para la fabricación de dichos dispositivos, cuya complejidad aumenta a me-
dida que se reduce su dimensionalidad.
Dentro de estas aplicaciones se encuentra que los pozos cuánticos de InGaN
han permitido la creación de láseres de menor longitud de onda, como los
azules y violetas, dando paso a nuevos dispositivos de almacenamiento como
el HD-DVD y el Blu-Ray [1, 2]. Éstos también se emplean en transistores de
alta movilidad de electrones los cuales se usan a su vez en electrónica de muy
bajo ruido.
En la actualidad los nanohilos son considerados como primera opción para
reemplazar los dispositivos de cómputo, pues con ellos se ha logrado realizar,
mediante cruce de nanotubos, las junturas p y n generando las compuertas
AND, OR y NOT [3, 4].
Los puntos cuánticos, además de permitir estudiar el comportamiento de los
átomos y moléculas debido a su similitud, también presentan aplicaciones
tanto en el campo de la optoelectrónica como en el de la electrónica. Gracias

10
a la facilidad para aumentar el gap de energı́a1 a medida que se disminuye
su tamaño, es posible sintonizar los puntos cuánticos para que emitan en
cualquier longitud de onda de luz, siendo fundamentales en la fabricación de
LEDs y en la fabricación de futuras pantallas de alta definición. Dadas las
propiedades de mejor emisión de luz de los puntos cuánticos y de su reduci-
do tamaño son empleados como marcadores biológicos ya que se adhieren a
las células para lograr su seguimiento. Los puntos cuánticos también son los
candidatos para obtener los qubits y ası́ dar paso a la computación cuántica.
Una de las caracterı́sticas optoelectrónicas que se observa en los materiales
semiconductores es la producción de pares acoplados electrón-hueco denom-
inados excitones, los cuales, debido a su energı́a de interacción facilitan las
transiciones ópticas siendo muy útiles en casos de absorción y emisión de luz.
Asi mismo la prolongación de la vida de los excitones a temperatura ambi-
ente facilita la producción de energı́a en celdas solares. Debido a la relación
de la longitud de onda de emisión con el radio de los puntos cuánticos es
posible la fabricación de tintas especiales para seguridad. Algunas de estas
aplicaciones son mostradas en la Fig.1.1.

Figura 1.1: Algunas aplicaciones de dispositivos nanotecnológicos. En la izquierda

se muestran LEDs de una gran gama de colores generados por puntos cuánticos
coloidales fabricados por la empresa Evident Technologies r, imagen tomada de
la página web de la empresa www.evidenttech.com. A la derecha se muestran tin-
tas para seguridad que aprovechan las propiedades optoelectrónicas de los puntos
cuánticos fabricados por la misma empresa.

Dentro de los distintos materiales semiconductores que más se emplean

1
El gap de energı́a hace referencia a la brecha o separación de energı́a que existe entre
la banda de valencia y la de conducción.

11
en la actualidad, en la industria electrónica y óptica, se encuentran aquel-
los fabricados con los grupos III-V. Estos materiales son el Galio (Ga) y el
Aluminio (Al) del grupo III, y el Arsénico (As) del grupo V con los cuales
se logra fabricar compuestos como GaAs y Ga1−x Alx As (donde x indica el
porcentaje de Al que se encuentra en el compuesto) y AlAs que, gracias a sus
gaps de energı́a, se usan frecuentemente en la fabricación de láseres y LEDs.

Adicional a las caracterı́sticas que presentan los dispositivos de baja dimen-

sionalidad, se ha venido trabajando en la aplicación de presión hidrostática
sobre ellos para observar su comportamiento y cómo este hecho altera sus
propiedades fı́sicas. Actualmente se realizan experimentos para observar es-
tos cambios y poder contrastarlos con los modelos teóricos empleados. Estos
experimentos emplean soluciones 1:4 de etanol-metanol como medio para
generar la presión hidrostática; y para generar la alta presión se emplea una
celda de diamante del tipo Merril-Bassett con lo cual se obtiene el orden de
los kilobares. Mediante estos procesos es posible comprimir las estructuras
generando un aumento en los gaps de energı́a, lo cual serı́a de gran aplicación
teniendo en cuenta que con un solo punto cuántico, serı́a posible realizar
la sintonización del gap de energı́a que se desee. Frente a este panorama
nos planteamos las siguientes preguntas ¿Qué pasarı́a si sometemos el punto
cuántico y las superredes a presión hidrostática?, ¿Cómo cambia la energı́a
de enlace para el estado base de los excitones que se encuentran sometidos
a presión dentro del punto y en las superredes? El objetivo es estudiar de-
tenidamente estas preguntas y resolverlas. Dado que los parámetros de red
del GaAs y del GaAlAs son bien conocidos con y sin presión, se escogieron
para el estudio.

1.1. Estado actual del tema

Algunos de los aportes fundamentales en el estudio de los efectos de
la cuantización sobre los excitones en microcristales o en puntos cuánticos,
fueron hechos inicialmente por Brus [5] quien empleó un método variacional
para estudiar la dependencia de los estados del par electrón-hueco con el
tamaño; Nair y colaboradores [6] calcularon el estado más bajo del electrón-
hueco en microcristales semiconductores como función del radio, empleando
el método variacional para la función de onda de Hylleraas con tres parámet-
ros. Para puntos cuánticos pequeños la interacción de Coulomb fue tratada
como una perturbación y consideraron un potencial de confinamiento infini-
to; Kayanuma y colaboradores [7] realizaron un cálculo variacional sencillo
con el fin de encontrar la energı́a del estado base para un excitón confina-

12
do en un microcristal con potenciales finitos, concluyendo que los efectos de
penetración de la función de onda fuera del microcristal es mucho mayor para
el caso de excitones de Wannier-Mott; Einevoll [8] realizó un estudio teórico
de confinamiento de excitones en puntos cuánticos de CdS y ZnS, utilizando
una aproximación de masa efectiva de banda simple para los electrones. Los
potenciales de confinamiento para los huecos y los electrones fueron modela-
dos como potenciales simétricos esféricos con alturas finitas, encontrando un
ajuste con los datos experimentales. De la misma manera J.L. Marin y colab-
oradores [9] usaron el método variacional y la aproximación de masa efectiva
para calcular la energı́a del estado base de excitones confinados en puntos
cuánticos esféricos, con potenciales de confinamiento finitos, como función
del radio del punto.

Estudios fotoluminiscentes de puntos cuánticos autoensamblados de InAlAs-

GaAlAs bajo presión fueron realizados por Phillips y colaboradores [10].
Por otro lado, los efectos de presión hidrostática en las transiciones ópticas
en puntos cuánticos autoensamblados de InAs/GaAs fueron estudiados por
Duque y colaboradores [11]. Oyoko y colaboradores [12] estudiaron impurezas
en puntos de GaAs-(Ga,Al)As de forma paralelopı́peda, y encontraron que
la energı́a de enlace aumenta cuando aumenta la presión en alguna dirección
y cuando decrece el tamaño de los puntos. Raigoza y colaboradores [13] en-
contraron los efectos de la presión hidrostática sobre los estados excitónicos
en pozos cuánticos semiconductores de GaAs/Ga1−x Alx As via método varia-
cional, en el marco de la masa efectiva con banda parabólica no degenerada,
encontrando un buen ajuste con los valores experimentales.

Recientemente Gudiksen y colaboradores [14] han logrado la fabricación de

una superred de nanohilos de GaAs/GaAlAs mediante modulación repeti-
da en la fase de vapor de los reactivos durante el crecimiento de nanohi-
los. Willatzen y colaboradores [15] investigaron los efectos de confinamiento
cuántico en una superred de nanohilos de GaAs/Ga0,7 Al0,3 As, con sección
transversal cilı́ndrica. Éstos determinaron los estados electrónicos y los val-
ores propios de energı́a, y encontraron un radio crı́tico Rc para el confinamien-
to, esto es, el estado base se encuentra confinado en el GaAs para un radio
mayor al crı́tico R > Rc .

Estudios sobre la dinámica de electrones en una superred bajo la influen-

cia de un campo eléctrico fueron realizados por Zhang y colaboradores [16]
en el 2006 y en el 2007 un estudio de transporte de carga a través de la
juntura del nanohilo fue llevado a cabo por Chan y colaboradores [17].

13
Recientemente Garcı́a y colaboradores [18] investigaron los efectos de la posi-
ción y los estados de energı́a para el estado base dentro de una superred de
nanohilos cilı́ndricos de GaAs/GaAlAs, empleando una función de prueba de
tipo Bastard para un donador neutral y una función del tipo Hylleraas para
el donador cargado negativamente.
Finalmente, aunque se han estudiado los efectos de los donadores dentro de la
superred, aún no se han hecho estudios de excitones confinados en la superred
de nanohilos, ni tampoco cómo cambı́a su estado base de energı́a cuando se
encuentra bajo presión.

1.2. Problema
En este trabajo se realizará el estudio de los efectos de la presión hidrostá-
tica sobre la energı́a de enlace del estado base de los excitones confinados en
puntos cuánticos esféricos y en superredes de nanohilos de GaAs, con barreras
de Ga1−x Alx As para diferentes concentraciones de Aluminio (x=0.15, 0.30 y
0.45). Se usará el método variacional y la aproximación de masa efectiva para
encontrar el valor de energı́a del estado base. Las variaciones de los parámet-
ros debido a la presión como el radio del punto, la constante dieléctrica, los
potenciales de confinamiento y las masas efectivas serán tomados de reportes
experimentales dados fundamentalmente en [19, 20, 21, 22].

14
Capı́tulo 2

Aspectos teóricos

Antes de iniciar el análisis de los puntos cuánticos y las superredes de

nanohilos, es necesario conocer las caracterı́sticas básicas de los materiales es-
cogidos cuando se presentan en bloque, como sus propiedades cristalográficas,
gaps de energı́a, entre otras caracterı́sticas fı́sicas. De esta manera se puede
observar la forma en que se modifican algunas de sus propiedades cuando es
reducida su dimensionalidad. De igual manera, es importante introducir el
concepto de excitones y las caracterı́sticas básicas cuando se encuentran en
un material en bloque ya que son el principal objeto de éste estudio. Para ello
se mencionarán las aproximaciones necesarias que se emplearán en el desar-
rollo como las masas efectivas de los electrones y los huecos, el confinamiento
cuántico y los métodos variacionales, haciendo mención de los dispositivos
de baja dimensionalidad y las heteroestructuras.

2.1. Semiconductores GaAs - Ga1−xAlxAs

en bloque
Tanto el GaAs como el Ga1−x Alx As tienen una estructura cristalina tipo
Zinc Blenda, consistente en dos redes cúbicas centradas en las caras (FCC)
entrelazadas, donde se halla un elemento del grupo III como el Ga o Al en
las posiciones internas del cubo y, en los extremos y centros de las caras, un
átomo del grupo V como el As. Entre otros semiconductores que presentan
este tipo de estructura se encuentran el ZnO, AlAs, CdS, GaP, GaSb, ZnSe,
ZnTe. Este tipo de estructura se muestra en la Fig.2.1.

En la Fig.2.2 se muestra la celda de Wigner-Seitz para un cristal cúbico cen-

trado en las caras con los puntos de alta simetrı́a.

15
Figura 2.1: Estructura cristalina de GaAs. Es del tipo Zinc Blenda donde los
átomos de color morado (internos del cubo) son los del grupo III como el Ga o Al,
y los de color café (caras y extremos del cubo) del grupo V como el As.

En la Fig.2.3 se muestra la estructura de bandas para el GaAs. Se observa el

conjunto de bandas de valencia, las cuales se encuentran llenas en un semi-
conductor a T=0K, además de estar separadas por un gap de energı́a con
respecto a la banda superior denominada banda de conducción. El cero de
energı́a se coloca convencionalmente en la cima de la banda de valencia. El
gap de energı́a se determina por el valle más bajo de la banda de conducción
y el tope más alto de la banda de valencia. Para el caso del GaAs se observa
que el mı́nimo y el máximo de las bandas que se encuentran en el punto Γ.
A estos materiales que presentan este comportamiento, se les denomina de
gap directo o de brecha directa, y se denota por EgΓ . En estos materiales
es bien sabido que cuando un electrón en la banda de valencia recibe una
excitación equivalente a la energı́a EgΓ , éste salta de forma directa al mı́nimo
de la banda de conducción. Para el caso del AlAs la situación es diferente ya
que el máximo de la banda de valencia se encuentra en el punto de simetrı́a
Γ, mientras que el mı́nimo de la de conducción se encuentra en el punto X.
A estos materiales se les denomina de gap indirecto.

Para este tipo de semiconductores se presentan dos bandas de valencia en el

punto Γ, denominadas Γ8 . La banda inmediatamente debajo se denomina Γ7 .
La separación de estas dos últimas bandas se debe al desdoblamiento causado

16
Figura 2.2: Zona de Brillouin para una red cúbica de centrada en las caras con
los puntos de alta simetrı́a.

por la interacción espin-órbita, la cual se puede ignorar si la separación es

bastante grande. Las dos bandas Γ8 tienen diferentes masas efectivas (con-
cepto que se explicará en una sección posterior) para valores pequeños de K
denominándose huecos ligeros y pesados.

Muy cerca al punto de simetrı́a Γ la relación de dispersión se puede aproximar

parabólicamente por
⃗ = Ev − ~ K ,
2 2
ε(K) (2.1)
2mh m0
donde m0 es la masa del electrón libre, mh = mhh para huecos pesados y mlh
para huecos ligeros.

De la misma manera, en la banda de conducción, el mı́nimo denominado Γ6

en el GaAs se puede aproximar de manera parabólica para valores pequeños
de K, obteniendo una relación de dispersión de la forma

⃗ ~2 K 2
ε(K) = Ec + , (2.2)
2me m0
donde Ec es la energı́a de la banda y me la masa efectiva del electrón.
A continuación se describen algunos de los parámetros fundamentales de los
materiales.

17
Figura 2.3: Estructura de bandas para el GaAs. Imagen tomada del artı́culo pub-
licado por I. Vurgaftman y colaboradores, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001) [23].

2.1.1. GaAs
El GaAs es uno de los semiconductores más importantes (si no el más
importante) desde el punto de vista tecnológico y junto con el Silicio es el
sistema más estudiado. Muchos de los parámetros de la estructura son cono-
cidos con bastante precisión, incluso cuando varı́an al someterse a presión
hidrostática, razón fundamental para elegirlo como material de estudio. Uno
de los parámetros más importantes es el gap de energı́a en el punto Γ, el
cual mediante medidas de fotoluminiscencia se encuentra que EgΓ =1.519 eV,
para una temperatura aproximada de 300 K (ambiente). Su constante de red
es al ≈ 5.65 Å y a temperaturas cercanas a los T=4 K el valor de su masa
efectiva del electrón es 0.067m0 hallada por medidas tomadas mediante res-
onancia de ciclotrón en el borde de la banda. Este valor es el recomendado
por Nakwaski [24] en su artı́culo de revisión, el cual es basado en un reporte
extenso luego de analizar una gran variedad de técnicas experimentales. A
temperatura ambiente el valor aceptado es 0.0635m0 , el cual ha sido confir-
mado mediante medidas de fotoluminiscencia [25]. Los valores de las masas

18
efectivas para los huecos son de 0.45m0 para los pesados y 0.08m0 para los
ligeros, teniendo en cuenta isotropı́a en las tres direcciones de la banda de
valencia. En los casos con anisotropı́a es necesario considerar masas distintas
en cada dirección.

2.1.2. GaAlAs
Este sistema, corresponde a la aleación III-V más importante y por el-
lo la más estudiada. Su desempeño en una gran variedad de transistores y
dispositivos optoelectrónicos ha hecho que parámetros tales como su gap de
energı́a, sean estudiados arduamente.

Figura 2.4: Gap de energı́a en función de la concentración de Aluminio x para

los tres puntos de simetrı́a. Se observa como para x ≤0.4 el punto Γ presenta el
menor valor, de allı́ que sea de gap directo, para valores mayores el gap es indirecto.
Imagen tomada del artı́culo publicado por I. Vurgaftman y colaboradores, J. Appl.
Phys. 89, 5815 (2001) [23].

En la Fig.2.4 se muestra la dependencia del gap de energı́a para las tres

bandas directas e indirectas Γ, X y L. La relación para el punto Γ es EgΓ =
(1,310x − 0, 127)eV para concentraciones de 0 < x < 0, 4. Para estos val-
ores el gap es directo, por lo que solo podemos contemplar concentraciones
menores a 0.4 en el problema. Por simplicidad, las masas efectivas tanto para
el electrón y el hueco se toman igual a los del GaAs. Cuando la concentración
de Al es 1 la constante de red del AlAs es al =5.66Å siendo prácticamente
igual al GaAs.

19
2.2. Confinamiento Cuántico
Antes de estudiar los efectos de confinamiento, es necesario estimar las
dimensiones necesarias que deben presentar estas estructuras. Para ello, se
parte del principio de incertidumbre de Heisenberg el cual afirma que si una
partı́cula es confinada a una región del eje x de longitud ∆x, se introduce
una incertidumbre en su momento Px dado por la expresión[26]
~
∆px ∼ . (2.3)
∆x
Si por el contrario, una partı́cula de masa m es libre, el confinamiento en la
dirección x genera una energı́a cinética adicional cuya magnitud es,
(∆px )2 ~2
Econf inamiento = ∼ . (2.4)
2m 2m(∆x)2
Esta energı́a será de gran importancia si se torna comparable o mayor que la
energı́a cinética de la partı́cula debida al movimiento térmico en la dirección
x. Esta condición viene dada por
~2 1
Econf inamiento ∼ 2
> kB T, (2.5)
2m(∆x) 2
que nos dice el tamaño para el cual los efectos cuánticos serán importantes,
esto es √
~2
∆x ∼ . (2.6)
mkB T
Lo anterior es equivalente a decir que ∆x debe ser del mismo orden de mag-
nitud de la longitud de onda de de Broglie para el movimiento térmico, donde
λdeB = h/px .

De esta manera, las dimensiones de confinamiento deben ser del orden de

los nanómetros; ası́, si se tiene un semiconductor a una temperatura ambi-
ente con una masa efectiva del electrón me = 0,1m0 siendo m0 la masa en
reposo del electrón, se obtiene que la longitud ∆x debe ser del orden de 5 nm.
Por lo tanto, se deduce que una capa semiconductora de 1µm se comporta
prácticamente como un material en bloque sin que se presenten los efectos
de confinamiento cuántico. Una vez obtenidas las dimensiones adecuadas, los
electrones se confinan en el material cuantizando los niveles de energı́a en
aquella dirección donde se haya realizado la reducción de la longitud. Si se
confinan los electrones en una sóla dirección, éstos podrı́an moverse libre-
mente en las otras dos dimensiones; denominando a estos dispositivos “pozos

20
cuánticos” o estructuras 2-dimensionales. Si ahora se confinan en dos direc-
ciones, los electrones sólo podrán moverse libremente en una dirección de-
nominandose ası́ “alambres o hilos cuánticos” o estructuras 1-dimensionales.
Finalmente, es posible confinar los electrones en las tres direcciones, obte-
niendo “puntos cuánticos” o estructuras 0-dimensionales. En la Fig.2.5 se
ilustra esquemáticamente los tipos de estructuras de confinamiento cuántico.

Figura 2.5: Estructuras de confinamiento cuántico.

Para observar con mayor detalle como surge el confinamiento cuántico, se

analizará el comportamiento de los electrones cuando se encuentran dentro
de una región restringida del espacio. Cuando dos materiales logran este tipo
de restricción se les denomina pozo cuántico, y para analizar el caso más
sencillo se asumirá que el pozo tiene profundidad infinita, como se muestra
en la Fig.2.6.

Un electrón es sometido a un potencial cero dentro del pozo el cual cor-

responde a la región 0 < x < a, y a un potencial infinito para x > a,
restringiendo el movimiento del electrón dentro de la cavidad.

La ecuación de Schrödinger dentro del pozo es igual a la del electrón libre en

una dirección, dada por

~2 d2 ψ
− = Eψ(x), (2.7)
2m dx2

21
 Figura 2.6: Funciones de onda en un pozo infinito.

cuyas soluciones son de la forma

ψ(x) = sin(kx) o cos(kx), (2.8)
con
~2 k 2
E= . (2.9)
2m
La barrera ahora presenta una altura de potencial infinito fuera del pozo. La
ecuación de Schrödinger se mantiene bien comportada y el término V (x)ψ(x)
permanece finito sólamente si ψ(x) = 0 en las barreras. Para conseguir esto
se deben imponer condiciones de frontera de la forma
ψ(x = 0) = ψ(x = a) = 0. (2.10)
Asumiendo ψ(x) = sin(kx) se tiene que
ψ(0) = sin(k0) = 0 y ψ(a) = sin(ka) = 0 = sin(nπ), (2.11)
donde, para el caso de x = 0, la condición se satisface inmediatamente, pero
para el caso de x = a es necesario que el argumento de la función seno sea
ka = nπ, que implica para k
nπ
k= .
a
De esta manera se obtiene para la función de onda y la energı́a
( nπx ) ~2 k 2 ~2 π 2 n 2
ψn (x) = An sin , εn = = . (2.12)
a 2m 2ma2
22
Los números n = 0, 1, 2, . . . son los números cuánticos que determinan los
niveles de energı́a y los correspondientes estados. Como se observa, los nive-
les de energı́a solo pueden tomar ciertos valores especı́ficos y, en este caso se
dice que se encuentran cuantizados.

Aunque considerar potenciales infinitos es un caso ideal, este resultado mues-

tra la aparición del confinamiento y la cuantización de los niveles de energı́a.
Cuando se consideran sistemas de GaAs-(Ga,Al)As, los potenciales están
lejos de ser infinitos. La diferencia en la altura de los gaps de energı́a de los
dos materiales, genera la aparición de un pozo tanto en la banda de conduc-
ción como en la de valencia, cuando se colocan uno detrás del otro, de esta
forma, los electrones y huecos quedan confinados en el GaAs. En la Fig.2.7
se muestra el pozo de potencial con profundidad V0 , cuya energı́a ε se mide
desde el fondo del pozo para una mejor comparación con los resultados del
pozo infinito. Aquellos estados para el cual ε < V0 se encontrarán confinados
dentro del pozo, mientras que para aquellos valores ε > V0 se podrán propa-
gar por todo x.

Se iniciará analizando los estados acotados. La función de onda dentro del

pozo es similar para el caso infinito, considerando ahora el eje z como el de
propagación, se tiene que la función de onda para −a/2 < z < a/2 es

ψ(z) = C sin(kz), (2.13)

con ε = ~2 k 2 /2m. Para el caso fuera de la barrera se tiene que

~2 d2 ψ(z)
− + V0 ψ(z) = εψ(z), (2.14)
2m dz 2
con ε < V0 . Las soluciones son de la forma

ψ(z) = De±κz , (2.15)

con
~2 κ2
= V0 − ε = B.
2m

Las condiciones de frontera para este caso, imponen que la función de onda
dentro del pozo y fuera de este, deben coincidir en z = a/2, por lo tanto
( )
ka κa
ψ(a/2) = C sin = De( 2 ) . (2.16)
2

23
Figura 2.7: Pozo de GaAs rodeado de GaAlAs. Debido a que los gaps de energı́a
entre el GaAs y el GaAsAl son diferentes, los electrones y huecos se ven confinados
en el GaAs, al colocarlos intercalados.

Ya que las uniones entre las dos funciones deben ser suaves, sus derivadas
deben coincidir también, implicando que1
( )
dψ ka κa
|z=a/2 = Ck cos = −De( 2 ) . (2.17)
dz 2

Eliminando las constantes, dividimos simplemente las anteriores ecuaciones

obtiendo ( )
ka
k cot = −κ. (2.18)
2
Resolviendo para cot(ka/2), se obtiene
( ) √ √
ka κ 1 2m 2mV0
− cot = = (V0 − ε) = − 1, (2.19)
2 k k ~ 2 ~2 k 2

que corresponde a una ecuación trascendental cuya solución debe obtenerse

numéricamente. Graficamente, se puede tener una solución cualitativa, para
lo cual se define la variable adimensional θ = ka/2 obteniendo,
√
θ02
− cot θ = − 1, (2.20)
θ
1
Para este caso se ha considerado que las masas efectivas son las mismas dentro y fuera
del pozo.

24
donde
mV0 a2
θ0 = . (2.21)
2~2
Teniendo encuenta que la función de onda dentro del pozo también puede
ser con coseno, el resultado es una segunda opción de la forma
√
θ02
tan θ = − 1. (2.22)
θ
En el punto donde coincidan las curvas se tendrán las soluciones. La raiz
cuadrada se hace igual a cero cuando θ = θ0 mientras que tan θ y − cot θ se
hacen cero para θ = nπ/2 con (n = 0, 1, 2, . . . ,), por lo tanto, el número de
soluciones sera igual a
√
2 2 mV0 a2
N = θ0 = . (2.23)
π π 2~2
Este resultado muestra que siempre habrá al menos una solución a la ecuación.
Pero a diferencia del caso infinito donde hay infinitos estados cuantizados
para cualquier valor del radio del pozo, ahora el número de estados es-
tará relacionado con la altura del potencial V0 : entre menor sea la altura
menor el número de estados y de igual forma si se mantiene la altura fija,
mientras menor sea el radio del pozo menor será el número de estados. Por
lo tanto, la elección adecuada entre estos dos valores dará como resultado los
estados confinados que se requieran. De esta manera, dada la configuración
para que exista sólo un estado, se entiende que mientras la altura del estado
sea casi igual a la barrera, la energı́a de enlace B = V0 −ε será muy pequeña y
por ende la constante del decaimiento de la exponencial de la función de onda
fuera del pozo κ, también lo será. Esto implica que la función de onda no de-
caiga tan rápido y que tenga mayor penetración en las barreras, haciendo que
la partı́cula se encuentre menos localizada dentro del pozo. Caso contrario,
la diferencia entre el estado y la altura de las barreras debe ser considerable
para que ası́ la función de onda se encuentre confinada dentro del pozo casi
en su totalidad. Dada la gran ventaja que representa controlar el número
de niveles permitidos ası́ como la altura, las aplicaciones optoelectrónicas
son innumerables al igual que las aplicaciones en computación y electrónica.
Las posibles aplicaciones se pueden mejorar a medida que se cuantizen las
demás dimensiones. Sin embargo, cuando se considera el material en bloque,
no siempre hay estados cuantizados. Como se verá en el capı́tulo 3 existe un
radio del punto para el cual ya no existirán estados disponibles.

25
Figura 2.8: Gap de energı́a en función de la constante de red para compuestos
semiconductores de III-V a temperatura cero. Imagen tomada del artı́culo publi-
cado por I. Vurgaftman y colaboradores, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001) [23].

2.3. Heteroestructuras
Las heteroestructuras son sistemas de materiales semiconductores alter-
nados, cuyas dimensiones son de escala nanométrica. Su fabricación se debe
a las propiedades ópticas y electrónicas que sólo se logran cuando se mez-
clan estos materiales en formas de capas. La aleación Ga1−x Alx As, la cual
se suele abreviar GaAlAs es una de las más empleadas. En la Fig.2.8 se
grafican dos importantes propiedades como son la energı́a del gap versus la
constante de red del cristal para compuestos del tipo Zinc Blende y, como se
mencionó antes, las constantes de red del GaAs y el AlAs son prácticamente
iguales con una diferencia de gap de casi 2 eV (la constante de red para el
GaAsAl es prácticamente igual al AlAs). Este hecho los hace interesantes
para el confinamiento de partı́culas. De igual manera, el GaP con AlP y
GaAlP, que comparten la misma constante de red, pero con menor diferencia
entre los gaps. El hecho de que las constantes de red sean semejantes, hace
que la posición de los átomos en el momento de la fabricación de los com-
puestos sea mejor, sin generar estrés en el material.

Observando el lado izquierdo de la Fig.2.7, la diferencia en las alturas del

gap de energı́a generan un pozo tanto para los electrones que se encuentran

26
Figura 2.9: Pozo de GaAs rodeado de GaAlAs. Ya que los gaps de energı́a entre
el GaAs y el GaAsAl es diferente, los electrones y huecos se ven confinados en el
GaAs al colocarlos intercalados.

en la banda de conducción como para los huecos en la banda de valencia. En

la Fig.2.9 se puede ver cómo al fabricar el material la estructura cristalina
se distribuye de manera continua simplemente cambiando la forma en que se
depositan los átomos de Ga, Al y el As de tal manera que cuando la capa de
GaAs es del orden de los nanómetros, surgen los efectos de cuantización en
los estados de energı́a, ya que los electrones y huecos se encuentran confina-
dos dentro del GaAs debido a las barreras generadas por el gap del GaAlAs,
impidiendo que se muevan de manera libre. El electrón y el hueco son obli-
gados a moverse en ciertos niveles de energı́a permitidos dentro del GaAs,
a menos que su energı́a sea lo suficientemente grande como para pasar al
GaAlAs; de allı́ que se denominen “estructuras de confinamiento cuántico”.

2.4. Aproximación de masa efectiva

Un electrón puede ser descrito por una función de onda ψ(⃗r), asociada con
un nivel de energı́a ε que satisface la ecuación de Schrödinger independiente
del tiempo en ausencia de un potencial externo dado por

~2 2
− ∇ ψ(⃗r) = εψ(⃗r), (2.24)
2m

27
 Figura 2.10: Estructura de bandas del GaAs con la masa efectiva.

cuya solución en ondas planas es

⃗
ψ(⃗r) = Aeik·⃗r . (2.25)

Bajo este modelo, se obtiene para la energı́a que

~2 k 2
ε(k) = , (2.26)
2m
donde k representa la norma del vector de onda. Si ahora se realiza una
expansión en serie de Taylor alrededor del punto k = 0, se obtiene para la
energı́a En (k)
1
En (k) = En (0) + En′ (0)k + En′′ (0)k 2 + · · · , (2.27)
2
y si se asume que el electrón se comporta como partı́cula libre, la ley de
dispersión es de la forma,
~2 k 2
En = . (2.28)
2m∗
Tomando la expansión hasta segundo orden y concentrándose en un extremo
de la banda En′ (0) = 0, se tendrá

1 d2 En 2 ~2 k 2
En (k) = k = . (2.29)
2 dk 2 2m∗
28
De esta expresión se obtiene para la masa efectiva
~2
m∗ = d2 E n
. (2.30)
dk2

De lo anterior podemos observar que al definir la masa efectiva en un máximo

(mı́nimo) de la banda de conducción (valencia) se logra obtener una ley de
dispersión alrededor de ese punto, semejante a la obtenida para la partı́cula
libre ~2 k 2 /2m pero con el valor de masa modificado (J. H. Davis (1998)[33]).
Para realizar el desarrollo general en tres dimensiones alrededor de un máxi-
mo o mı́nimo, se asume En (⃗k) como la relación de dispersión de la banda n,
y se supone que hay un extremo en el punto ⃗k0 = k10⃗ex + k20⃗ey + k30⃗ez de la
zona de Brillouin. Haciendo la expansión en Taylor alrededor del punto ⃗k0 se
tiene
∑ ∂En 
3
En (⃗k) = En (⃗k0 ) + ⃗ (ki − ki0 ) +
i=1
∂k i k0

1 ∑ ∑ ∂ 2 En 
3 3
 (ki − ki0 )(kj − kj0 ) · · · ; (2.31)
2 i=1 j=1 ∂ki ∂kj ⃗k0

como ⃗k0 es un extremo, las derivadas de primer orden se anulan dejando ası́ a
la matriz de derivadas de segundo orden como predominantes. Por tanto, se
define el tensor de masa efectiva a partir de la matriz de la forma
w 2 w−1
∗
w
2 w ∂ En w
w
⃗ =~ w
m , (2.32)
∂ki ∂kj w
cuyas componentes son
~2
m∗ij = 2 , (2.33)
∂ En /∂ki ∂kj
siempre se puede encontrar un sistema de coordenadas para el cual m ⃗ ∗ es
simétrico y diagonalizable. Para el sistema de coordenadas donde se logra
diagonalizar se tiene para la relación de dispersión
~2 (k1 − k10 )2 ~2 (k2 − k20 )2
En (⃗k) = En (⃗k0 ) + + +
2 m1 2 m2
~2 (k3 − k30 )2
+ ··· (2.34)
2 m3
y si el tensor es isótropo la relación de dispersión se simplifica como

⃗ ⃗ ~2 (⃗k − ⃗k0 )2
En (k) = En (k0 ) + , (2.35)
2m∗
29
donde m∗ es el valor común de m1 , m2 y m3 .
De esta manera se puede resolver el problema de la dinámica del electrón (o
hueco) al ser sometido a los potenciales de interacción con los otros electrones,
los núcleos atómicos, deformaciones de la red, campos eléctricos, potenciales
externos, etc, como si éste fuese una partı́cula libre pero con el valor de masa
modificado, la cual da razón de todas estas interacciones.

En la aproximación de masa efectiva se tomarán los valores experimentales

tanto para el electrón como para el hueco, teniendo en cuenta que estos val-
ores son afectados por la presión hidrostática.

2.5. Excitones
La absorción de un fotón [26] en una transición interbanda, en un semi-
conductor o en un dieléctrico crea un electrón en la banda de conducción
y un hueco en la banda de valencia. Las partı́culas con cargas opuestas son
creadas en el mismo punto del espacio y son susceptibles de ser atraidas mu-
tuamente debido a la interacción de Coulomb. Esta interacción aumenta la
probabilidad de crear un par electrón-hueco. A este par neutro se le denom-
ina “excitón”, cuya energı́a de enlace del excitón puede ser medida de las
siguientes maneras [27]:
1. La transición desde la banda de valencia a la de conducción, por la
diferencia entre la energı́a requerida para crear un excitón y la energı́a
necesaria para crear tanto un electrón como un hueco libre.
2. En la luminiscencia de recombinación, comparando la lı́nea de energı́a
de recombinación del electrón y hueco libres con la lı́nea de energı́a de
recombinación del electrón.
3. Por foto-ionización de excitones para formar cargas libres. Este exper-
imento requiere una alta concentración de excitones.
Existen dos casos lı́mites para excitones, los de tipo Frenkel en donde los ex-
citones tienen dimensiones pequeñas y se encuentran fuertemente enlazados,
y los de tipo Wannier-Mott, donde los excitones se encuentran débilmente
enlazados y la separación electrón-hueco es mucho más grande que la con-
stante de red del material[8]. Un ejemplo de éstos se observa en la Fig 2.11.
Los excitones tipo Wannier-Mott se observan en semiconductores, mientras
que los tipo Frenkel se observan en cristales dieléctricos y cristales molecu-
lares.
Los excitones Wannier-Mott tienen un radio que abarca muchos átomos, de

30
 Exciton de Wannier−Mott Exciton de Frenkel

e
e

Atomos en el cristal Atomos del cistal

Figura 2.11: Clases de Excitones. Los de tipo Wannier-Mott mucho más grandes
que la constante de red, y los de tipo Frenkel con radios del orden de la constante
de red.

tal manera que se pueden mover libremente por el cristal (de ahı́ que su
nombre alternativo sea “excitones libres”). Por otro lado los excitones tipo
Frenkel tienen radios mucho más pequeños y son comparables con el tamaño
de las celdas unitarias, lo cual hace que los estados se encuentren localizados
y enlazados fuertemente a átomos especı́ficos o moléculas, denominándose
también “excitones de enlace fuerte”. Por este hecho su movilidad es menor
y para desplazarse por el cristal deben esperar espacios libres átomo a átomo.
Para nuestro caso, se estudirán los excitones de Wannier-Mott, ya que son
éstos los que se crean en los materiales escogidos.

2.5.1. Propiedades de los excitones

Excitones Wannier-Mott
Considérese un electrón en la banda de conducción y un hueco en la
banda de valencia. El electrón y el hueco se atraerán mutuamente debido al
potencial de Coulomb
e2
U (r) = − , (2.36)
ϵr
con r la distancia de separación entre las partı́culas y ϵ la constante dieléctri-
ca del material.

Debido a que la separación es muy grande, se puede hacer un promedio sobre

toda la estructura de los átomos entre el electrón y el hueco, y considerar las
partı́culas moviéndose en un material dieléctrico uniforme con sus respectivas
masas efectivas. Se puede por lo tanto, modelar los excitones libres como un

31
sistema hidrogenoide similar al Positronio.

Al aplicar el modelo de Bohr al excitón, se considera el hecho de que tanto

el electrón como el hueco se encuentran en un medio con mayor constante
dieléctrica εr , con lo cual se obtiene para la energı́a de enlace del n-ésimo
nivel
µ 1 RH
E(n) = − , (2.37)
m0 ϵ2r n2
donde RH es la constante de Rydberg del átomo de hidrógeno (13.6 eV).
Se define adicionalmente la constante de Rydberg del excitón como RX =
(µ/m0 ϵ2 )RH . El radio del par electrón-hueco es
m0 2
rn = ϵn aB = n2 aBX , (2.38)
µ

donde aB es el radio de Bohr del hidrógeno (5.29 Å) y aBX = m0 /µϵaB se

denomina la constante de Bohr del excitón. Se observa que el estado base
n = 1 tiene la mayor energı́a de enlace y que los estados excitados con n > 1
estan menos enlazados.

Éste tratamiento originalmente formulado por Wannier y Mott [47] se puede

ver como una corrección a la transición electrónica entre la banda de valencia
y la de conducción debido al potencial de interacción entre el electrón adi-
cional en la banda de conducción y el hueco dejado en la banda de valencia.
Ésta descripción es bastante conveniente para cristales con una constante
dieléctrica alta y por tanto una interacción electrón-hueco débil.

La energı́a del excitón creado en una transición directa k = 0, es igual a

la energı́a requerida para crear el par electrón-hueco Eg menos la energı́a de
enlace creada por la interacción de Coulomb, esto es

En = Eg − E(n). (2.39)

Cuando el fotón incidente tenga la energı́a En , el excitón se crea en el mate-

rial. La formación de excitones tiene una probabilidad mayor que la creación
de electrones y huecos libres ya que la energı́a necesaria es menor durante la
transición óptica. Debido a esto, se espera observar lı́neas de absorción ópti-
cas a energı́as iguales a En . Sin embargo, el tiempo de vida de los excitones
antes de decaer es muy corto, del orden de los nanosegundos, y excitones
estables sólo pueden ser formados si el potencial atractivo es lo suficiente-
mente grande como para proteger el excitón de la colisión de fonones. Ya que
la máxima energı́a de un fonón excitado térmicamente a una temperatura

32
T es aproximadamente kB T , donde kB es la constante de Boltzmann, ésta
condición se satisface si la energı́a de enlace es mayor que kB T . Los excitones
de Wannier-Mott tienen energı́as de enlace pequeñas ya que por sus grandes
radios en el material la interacción coulombiana disminuye. Los valores de
energı́a son del orden de los 10 meV, bastante menores que la energı́a de
los fonones con un valor de kB T aproximadamente a 25 meV a temperatura
ambiente, lo que explica porqué los excitones en estos materiales sólo pueden
manifestarse a temperaturas criogénicas. Para el caso del GaAs, por ejemplo
el radio de Bohr aBX es aproximadamente igual a 10 nm y la constante de
Rydberg RX se aproxima a 5 meV.

Considerando el confinamiento en una dirección se tiene un dispositivo 2-

dimensional, como en el caso de un pozo cuántico, se obtiene un aumento en
la energı́a de enlace del excitón debido al confinamiento. La expresión para
este caso es
RX
En = − , (2.40)
(n + 12 )2
con n = 0, 1, 2, . . .. Como se observa para el caso n = 0 la energı́a queda

E2d = −4Rx , mientras que, E3d = −RX . (2.41)

En valor absoluto, la energı́a de enlace del sistema 2d es 4 veces mayor que

para el caso 3d, lo que aumenta la vida del excitón. En 1982, Bastard y
colaboradores [28] calcularon la energı́a de enlace de excitones confinados
en pozos cuánticos (estructuras 2-dimensionales) resolviendo la ecuación de
Schrödinger mediante el método variacional para GaAs/GaAlAs y InAs/GaSb.
En la Fig.2.12 se observa la energı́a de enlace en función del tamaño del pozo
calculada por Bastard, para el lı́mite L → 0 la energı́a de enlace es 4 veces
la del material en bloque. Ya en 1984 Greene, Bajaj y Phelps [29] determi-
naron la energı́a de enlace para el estado base de excitones de Wannier-Mott
confinados en pozos cuánticos de GaAs/GaAlAs, tanto para huecos pesados
como para huecos ligeros. En la Fig.2.13 se observa la existencia de un L
para el cual se inicia el desbordamiento de las funciones de onda del electrón
y el hueco haciendo que el excitón se encuentre menos localizado en el pozo.
Lo anterior conduce a que la energı́a de enlace aumente al máximo a medida
que el ancho disminuye tendiendo al valor del material en bloque del GaAsAl
cuando L = 0.
A continuación se estudiará la energı́a de enlace del estado base de los exci-
tones de Wannier-Mott confinados en puntos cuánticos esféricos, y el respec-
tivo cambio cuando se someten a presión hidrostática.

33
Figura 2.12: Energı́a de enlace de un excitón en función del ancho del espesor del
pozo cuántico, para una heteroestructura de GaAs/GaAlAs. Las curvas (1) y (2)
son realizadas con dos funciones de onda distintas. Imagen tomada del artı́culo
publicado por G. Bastard en la Phys. Rev. B en 1982 [28].

34
Figura 2.13: Energı́a de enlace de un excitón en función del ancho del espesor del
pozo cuántico, para una heteroestructura de GaAs/GaAlAs. Las lı́neas sólidas cor-
responden al excitón con hueco pesado y las lı́neas punteadas al excitón de huecos
ligeros. Imagen tomada del artı́culo publicado por R.L. Greene y colaboradores en
la Phy. Rev. B en 1984 [29].

35
Capı́tulo 3

Puntos Cuánticos

En la sección anterior, se observó como se cuantizan los estados de en-

ergı́a cuando los electrones se encuentran confinados en una dimensión en
un espacio del orden de los nanómetros. Se puede extender el confinamiento
cercando, mediante barreras de potencial a los electrones y huecos en pozos
de escalas nanométricas generando un aumento en las alturas de los estados
energéticos por cada dimensión que se limite. Éste aumento en las alturas
de los estados de energı́a, es quizás la caracterı́stica más importante que se
presenta en estos dispositivos a causa de la reducción de tamaño y, es por
ello, la que más nos interesa.

En este orden de ideas, es posible confinar los electrones y los huecos en

tres dimensiones. Esta región del espacio, cuya escala es del orden de los
nanómetros, y cuantiza todos los estados en las tres direcciones, se denomina
“Punto Cuántico”, tal como se ilustra en la Fig.2.5. Debido a la similitud
de los estados de energı́a con los de un átomo se les suele llamar “átomos
artificiales”.

Resolviendo la ecuación de Schrödinger para una caja cuadrada con poten-

ciales infinitos fuera de la cavidad se obtiene una energı́a de la forma
( )
π 2 ~2 n2x n2y n2z
εnx ny nz = + 2 + 2 , (3.1)
2m a2x ay az
donde los números cuánticos nx , ny y nz especifican los niveles de energı́a
en cada una de las direcciones; las constantes ax , ay y az son las respectivas
longitudes de confinamiento. El espectro es completamente discreto pero con
la ventaja de la posibilidad de sintonizar la posición de los niveles cambiando
las dimensiones del punto.

36
Para el caso real, las alturas de los potenciales de confinamiento las gen-
eran los diferentes materiales con los que se fabrique el dispositivo. Para este
caso, GaAs en el núcleo y Ga1−x Alx As con x ≤ 0,4 la concentración de Alu-
minio en el exterior. La solución a la ecuación de Schrödinger se hará de
forma numérica.

3.1. Fabricación de Puntos Cuánticos

En las últimas tres décadas se ha logrado controlar y perfeccionar la
fabricación de los puntos cuánticos, a través del dominio de varias técnicas
dependiendo de los materiales empleados, de las caracterı́sticas y formas de-
seadas. Sin embargo aún hoy su producción en masa se encuentra bastante
limitada y muy pocas empresas a nivel mundial logran alcanzar una produc-
ción industrial. Las técnicas de producción más comunes son:
1. Coloidales: los nanocristales semiconductores coloidales se sintetizan
mediante compuestos disueltos en soluciones, siendo un mecanismo de
la quı́mica tradicional. La sı́ntesis de los puntos cuánticos coloidales se
realiza a partir de un sistema compuesto por precursores, surfactantes
orgánicos (Agentes Actuantes de Superficie) y solventes. Cuando la
mezcla se somete a altas temperaturas, los precursores se transforman
quı́micamente en monómeros. Una vez los monómeros alcanzan un niv-
el de alta saturación, el crecimiento de los nanocristales comienza con
un proceso de nucleo-sı́ntesis. La temperatura juega un rol fundamen-
tal puesto que determina las óptimas condiciones para el crecimiento
de las nanoestructuras; además, debe ser lo suficientemente alta para
permitir el reordenamiento de los átomos pero lo suficientemente baja
para permitir el crecimiento de los cristales. De igual manera, el control
de la concentración de los monómeros es crı́tico.

Hay varios métodos coloidales para producir diferentes semiconduc-

tores, tales como el Selenuro de Cadmio, Sulfato de Cadmio, Arsenuro
Indio y Fosfato Indio. Los puntos cuánticos de estos materiales pueden
tener desde 100 hasta 100.000 átomos dentro de su volumen, con diámet-
ros de 10 a 50 átomos, que corresponden de a 2 a 10 nanómetros.

Dada la facilidad del método se pueden fabricar grandes cantidades de

puntos cuánticos y es hasta el momento la técnica mas barata, con la
ventaja de que se emplea en condiciones normales de laboratorio (es la
técnica empleada de forma comercial) y es la menos tóxica de todas.
En la Fig.3.1 se muestran imágenes que describen esta técnica.

37
Figura 3.1: Arriba izquierda: Imagen de nanocristales de CdSe obtenida por un
microscopio electrónico de trasmisión. Cada cristal se encuentra recubierto por
una monocapa de surfactante, tomado del artı́culo de Paul Alivisatos publicado
en Pure Appl. Chem. en 2000 [53]. Estos puntos se pueden considerar como una
especie de macromolécula. Cambiando el surfactante, los puntos se pueden disolver
en cualquier lı́quido. Abajo: Puntos Cuánticos coloidales fabricados por Evident
Technologies r.

2. Auto-Ensamblaje: la creación de puntos se realiza mediante el Crec-

imiento Molecular Epitaxial (MBE por sus iniciales en inglés) y por
la Fase Vapor Metalorgánica Epitaxial (MOVPE por sus sigla en in-
glés), las cuales permiten un alto grado de precisión en la colocación
de los átomos en la superficie deseada. Cuando un material se crece
en un substrato para el cual su constante de red es ligeramente difer-
ente, se genera una fuerza entre los átomos de la nueva capa ya que
éstos tienden a ubicarse con la constante de red del substrato, lo cual
genera, de forma automática, islas independientes. Este crecimiento se
conoce como el método Stranski-Krastanov. Debido a los costos de los
equipos y la complejidad de la preparación éstos métodos son exclusivos
para laboratorios y experimentación colocándolos lejos de la producción
comercial. En la Fig.3.2 se ilustra el método.

38
Figura 3.2: Izquierda: Esquema del instrumento para crecimiento MBE.
Derecha: Los átomos disparados uno por uno son colocados perféctamente
sobre la superficie hasta que la tensión entre las constantes de red de los
materiales forman el punto cuántico.

3.2. Modelo para excitones confinados en pun-

tos cuánticos esféricos
Para este problema se tomará un sistema de GaAs/Ga1−x Alx As donde x
es la concentración de Aluminio en el sistema. Se escogieron estos materiales
debido a que todas sus caracterı́sticas y parámetros son bien conocidas con
y sin presión. La diferencia de alturas entre las bandas de conducción de los
dos materiales ası́ como la diferencia de altura en las bandas de valencia son
las causantes del confinamiento del electrón y el hueco, respectivamente. Por
simplificación, se asumirá el punto cuántico esférico de radio R. Se consider-
ará los excitones de tipo Wannier-Mott, ya que la separación es relatı́vamente
grande y se pueden modelar como un sistema hidrogenoide cuyo Hamiltoni-
ano para el estado base está dado en coordenadas esféricas por

~2 2 ~2 2 e2
Ĥ = − ∇e − ∇h − + Ve (r) + Vh (r), (3.2)
2me 2mh ε|⃗re − ⃗rh |

siendo me y mh las masas efectivas del electrón y del hueco, ε la constante

dieléctrica del material, Ve el potencial de confinamiento para el electrón y
Vh potencial de confinamiento para el hueco.
Utilizando el sistema de coordenadas de Hylleraas, donde:

39
 r1 =Distancia desde el origen hasta el electrón
r2 =Distancia desde el origen hasta el hueco
r3 =|⃗re − ⃗rh | Radio correlación entre electrón y hueco, (3.3)

representada en la Fig.3.3.

Hueco

r2
r3

r1
Electron

Figura 3.3: Sistema de coordenadas de Hylleraas.

De la transformación de los laplacianos se obtiene el Hamiltoniano en coor-

denadas de Hylleraas,
( 2 )
~2 ∂ 2 ∂ r12 − r22 + r32 ∂ 2
Ĥ = − + +
2me ∂r12 r1 ∂r1 r1 r3 ∂r1 ∂r3
( 2 )
~ 2
∂ 2 ∂ r2 − r1 + r3 ∂ 2
2 2 2
− + +
2mh ∂r22 r2 ∂r2 r2 r3 ∂r2 ∂r3
( 2 )
~ 2
∂ 2 ∂ e 2
− 2
+ − + Ve (r1 ) + Vh (r2 ), (3.4)
2µ ∂r3 r3 ∂r3 εr3

40
donde me y mh son las masas efectivas del electrón y el hueco pesado, ε
−1 −1
la constante dieléctrica y µ = (m−1 e + mh ) la masa reducida del elec-
trón y el hueco pesado. En general, tanto las masas efectivas como la con-
stante dieléctrica y los potenciales de confinamiento dependen de la presión
hidrostática. Ası́, para determinar cómo cambia la energı́a de enlace del ex-
citón cuando se aplica presión, simplemente se colocan los parámetros para
una presión dada y se evalua la energı́a. El potencial de confinamiento tanto
para el electrón como para el hueco está dado por:
{
0, r1 [r2 ] ≤ R
Ve (r1 )[Vh (r2 )] = (3.5)
Ve [Vh ], r1 [r2 ] > R.

3.2.1. Electrón y hueco libres

Primero, se resuelve el problema sin interacción entre el electrón y el
hueco. Esta solución se plantea de acuerdo al tratamiento del problema de
una partı́cula en un pozo esférico de potencial finito (Merzbacher [34]). Para
ello se dejan de lado los términos con r3 , como son la interacción de Coulomb y
las derivadas parciales con r3 , de manera que el Hamiltoniano se puede dividir
en dos: una parte para el electrón y otra para el hueco como si estuviesen
libres
Ĥ0 = Ĥe + Ĥh , (3.6)
donde
Ĥe ϕe (r1 ) = Ee ϕe (r1 ), Ĥh ϕh (r2 ) = Eh ϕh (r2 ), (3.7)
y la ecuación para Ĥ0 es
Ĥ0 ψ(r1 , r2 ) = E0 ψ(r1 , r2 ), (3.8)
con
ψ(r1 , r2 ) = ϕe (r1 )ϕh (r2 ), E0 = Ee + Eh . (3.9)
Los Hamiltonianos del electrón y hueco son
( 2 )
~2 ∂ 2 ∂
Ĥe = − + + Ve (r1 ), (3.10)
2me ∂r12 r1 ∂r1
y ( 2 )
~2 ∂ 2 ∂
Ĥh = − + + Vh (r2 ), (3.11)
2mh ∂r22 r2 ∂r2
respectivamente. Recordando que el potencial es cero para radios menores
que el radio del punto, se necesita considerar el problema dentro y fuera del
punto cuántico. Antes de esto se define
fe = r1 ϕe , y fh = r2 ϕh . (3.12)

41
 Para r1 y r2 < R, Ve = Vh = 0 (Solución dentro del punto):
la ecuación para el electrón y hueco son

~2 ∂ 2 fe ~2 ∂ 2 fh
− = Ee fe , y − = Eh fh . (3.13)
2me ∂r12 2mh ∂r22

Para r1 , r2 > R, los potenciales son constantes (Solución fuera del pun-
to):
Las ecuaciones son
~2 ∂ 2 fe ~2 ∂ 2 fh
− = (Ee − Ve )fe , y − = (Eh − Vh )fh . (3.14)
2me ∂r12 2mh ∂r22

Llamando a las constantes

~2 ~2
αe = , αh = ,
2me 2mh
se obtienen las ecuaciones finales sin interacción para el electrón y el hueco,

d2 fe Ee d2 fe (Ee − Ve )
Electrón: + fe = 0 r1 < R, + fe = 0 r1 > R,
dr12 αe dr12 αe
(3.15)
d2 fh Eh d2 fh (Eh − Vh )
Hueco: + fh = 0 r2 < R, + fh = 0 r2 > R,
dr22 αh dr22 αh
(3.16)
Por comodidad se define
Ee (Ve − Ee )
L2e = , χ2e = , (3.17)
αe αe
por lo tanto,
d2 fe d2 fe
+ L2e fe = 0, − χ2e fe = 0,
dr12 dr12
la solución para cada ecuación es,
{
a sin (Le r1 ), r1 < R
fe = (3.18)
be−χe r1 , r1 > R

Para las condiciones de frontera se hace r1 = R y se exige que la función de

onda sea continua y suave, esto es

a sin(Le R) = be−χe R ⇒ b = a sin(Le R)eχe R , (3.19)

42
por lo tanto fe queda
{
a sin (Le r1 ), r1 < R
fe = (3.20)
a sin(Le R)eχe (R−r1 ) , r1 > R

Para que la función sea suave en la frontera sus derivadas deben ser iguales,

aLe cos(Le R) = −bχe e−χe R = −a sin(Le R)eχe R χe e−χe R . (3.21)

De la igualdad anterior, se obtiene la ecuación trascendental la cual brindará los

valores de energı́a permitidos

Le = −χe tan(Le R). (3.22)

Para retornar a la función de onda del electrón ϕe = fe /r1 ,
{
sin(Le r1 )
r1
, r1 < R
ϕe = a sin(L χ (R−r1 )
e R)e e
(3.23)
r1
, r1 > R

Para el hueco, ya que son similares las ecuaciones tenemos,

Eh 1
L2h = ; χ2h = (Vh − Eh ) (3.24)
αh αh
con la función fh y la función de onda ϕh como,
{
sin(Lh r2 ), r2 < R
fh = a (3.25)
sin(Lh R)eχh (R−r2 ) , r2 > R
{
sin(Lh r2 )
r2
, r2 < R
ϕh = a sin(Lh r2 ) χh (R−r2 ) (3.26)
r2
e , r2 > R
y la ecuación trascendental para el hueco queda,

Lh = −χh tan(Lh R), (3.27)

siendo esta última la que dará los valores de energı́a permitidos para el hueco
libre.
La función de onda ψ(r1 , r2 ), que es la solución al problema del electrón y el
hueco libre, queda de la forma:
 sin(L r ) sin(L r )

N
e 1
r1 r2
h 2
, r1,2 < R
ψ = ϕe ϕh = (3.28)

 sin(Le R) sin(Lh R) χe (R−r1 ) χh (R−r2 )
N r 1 r2
e e , r1,2 > R

43
teniendo en cuenta las definiciones
Eh 1
L2h = ; χ2h = (Vh − Eh ), (3.29)
αh αh
Ee 1
L2e = ; χ2e = (Ve − Ee ), (3.30)
αe αe
y las respectivas ecuaciones trascendentes

Lh = −χh tan(Lh R); Le = −χe tan(Le R), (3.31)

recordando que estas dos expresiones condicionan los valores de energı́a que
pueden tomar el electrón y el hueco libres.
Al analizar la ecuación trascendente general se tiene

χ2i tan2 (Li R) = L2i

χ2i sin2 (Li R) = L2i (1 − sin2 (Li R))

χ2i sin2 (Li R) + L2i sin2 (Li R) = L2i
sin2 (Li R)(χ2i + L2i ) = L2i
sin2 (Li R)(χ2i + L2i )R2 = (Li R)2 (3.32)
Para el caso del electrón:

sin2 (Le R)(χ2e + L2e )R2 = (Le R)2 , (3.33)

como
Ee 1 Ve
L2e + χ2e = + (Ve − Ee ) = , (3.34)
αe αe αe
entonces
√
2
Ve R (Le R)2
sin2 (Le R) = (Le R)2 ⇒ sin(Le R) = ± αe
αe Ve R2

obteniendo √
αe
sin(Le R) = ± (Le R). (3.35)
Ve R2
De la misma forma para el hueco:
√
αh
sin(Lh R) = ± (Lh R) (3.36)
Vh R2
en la Fig.3.4 se ilustra, para el caso del electrón, tanto la curva del seno co-
mo la recta. Para solo ciertos valores de energı́a las dos curvas se intersectan,

44
 Y

αe
Sen(LeR) (LeR)
Ve R2

X
π 2π

Figura 3.4: Punto de igualdad entre el sin(Le R) y la recta definida por

√
αe /Ve R2 (Le R).

de aquı́ el hecho de que no haya una solución contı́nua para la energı́a sino
ciertos valores permitidos o cuantizados. Para el caso del hueco la situación
es similar.

Recuerdese que χi tan(Li R) = −Li

Como χi , Li > 0 ⇒ se necesita que tan(Li R) < 0

π 3π
< Li R < π , < Li R < 2π (3.37)
2
| {z } |2 {z }
2(cuadrante) 4(cuadrante)
π
Haciendo Li R = 2
se tiene:

√ (π )
π αi
Sea =± con i=e,h (3.38)
2 Vi R2 2
√
αi π
1=± 2
(3.39)
Vi R 2

45
 √
αi 2
⇒± = (3.40)
Vi R 2 π
De esta manera se encuentra la relación entre el radio del punto R con la
altura del pontecial Vi , para la cual se encontrará solución o un estado aco-
tado. Se puede observar cómo a medida que disminuye el radio del punto el
potencial de confinamiento debe aumentar para obtener una solución.

3.2.2. Electrón y hueco correlacionados (Excitón)

Una vez obtenidas las funciones de onda y las energı́as para el electrón y
el hueco libres, se pasa a resolver el problema del excitón mediante el método
variacional teniendo en cuenta la correlación electrón-hueco. Para esto se
asumirá una función del tipo hidrogenoide e−r ya que el electrón y el hueco
se comportan como un átomo de Hidrógeno siendo natural, para el estado
base, esta clase de comportamiento. Por lo tanto, la función de onda total
queda:

 sin(L r ) sin(L r )

N
e 1
r1 r 2
h 2
e−λr3 , r1,2 < R
ψ(r1 , r2 , r3 ) = (3.41)

 sin(Le R) sin(Lh R) χe (R−r1 ) χh (R−r2 ) −λr3
N r1 r2
e e e , r1,2 > R

Aplicando el método variacional, se debe minimizar el valor λ y para ello se

necesita calcular el valor esperado del Hamiltoniano

F [λ] = ⟨ψ | Ĥ | ψ⟩. (3.42)

a. Primero se determina la constante de normalización de la función de onda,

(⟨ψ | ψ⟩ = 1):
∫ ∞ ∫ ∞ ∫ ∞
⟨ψ | ψ⟩ = r1 dr1 r2 dr2 r3 dr3 ψ ∗ ψ,
0 0 0
∫ R ∫ R ∫
sin2 (Le r1 ) sin2 (Lh r2 ) b
=N 2
r1 dr1 r2 dr2 2 2 r3 dr3 e−2λr3
0 0 r 1 r 2 a
∫ ∞ ∫ ∞ 2 2
sin (L e R) sin (L h R)
+ N2 r1 dr1 r2 dr2 e2χe (R−r1 ) e2χh (R−r2 ) ×
R R r12 r22
∫ b
r3 dr3 e−2λr3
a
=1. (3.43)

46
 Con a =| r2 − r1 |, b = r1 + r2 . La integral para r3 tiene solución
analı́tica de la forma,
∫ b ( )r +r
−2λr3 −2λr3 r3 1  1 2
r3 dr3 e = −e + ,
a 2λ 4λ2 |r2 −r1 |

Sea ( )
−2λr3 r3 1
Nr3 (r3 , λ) = −e + 2 , (3.44)
2λ 4λ
reemplazando en la norma,
∫ ∞ ∫ ∞
sin2 (Le r1 ) sin2 (Lh r2 )
⟨ψ | ψ⟩ =N 2
r1 dr1 r2 dr2
r12 r2
[ 0 0
]2
· Nr3 (r1 + r2 , λ) − Nr3 (| r2 − r1 |, λ)
∫ ∞ ∫ ∞
sin2 (Le R) sin2 (Lh R) 2χe (R−r1 ) 2χh (R−r2 )
+N 2
r1 dr1 r2 dr2 e e ×
R R r12 r22
[ ]
Nr3 (r1 + r2 , λ) − Nr3 (| r2 − r1 |, λ)

=1, (3.45)

obteniendo ası́ el valor N que normaliza la función de onda.

b. Cálculo del valor esperado: de manera explı́cita el valor esperado del
Hamiltoniano es:
⟨  2  ⟩
∂ 2 ∂ r 2 − r2 + r2 ∂ 2 ∂ 2 2 ∂ 
⟨ψ | Ĥ | ψ⟩ = − αe ψ  2 + + 1 2 3
+ 2+ ψ
∂r1 r1 ∂r1 r 1 r3 ∂r1 ∂r3 ∂r3 r3 ∂r3 
⟨  2  ⟩
∂ 2 ∂ r22 − r12 + r32 ∂ 2 ∂2 2 ∂ 

− αh ψ  2 + + + + ψ
∂r2 r2 ∂r2 r2 r3 ∂r2 ∂r3 ∂r32 r3 ∂r3 
( 2)⟨   ⟩
e 1
− ψ   ψ + ⟨ψ | Ve + Vh | ψ⟩,
ϵ r3
separando en partes se tiene:
⟨  2  ⟩ ⟨  2  ⟩
∂ 2 ∂  ∂ 2 ∂ 
⟨ψ | Ĥ | ψ⟩ = − αe ψ  2 +  ψ − αh ψ 
  + ψ
∂r1 r1 ∂r1 ∂r22 r2 ∂r2 
⟨   ⟩
 (r12 − r22 + r32 ) ∂ 2 (r22 − r12 + r32 ) ∂ 2 
− ψ αe + αh ψ
r1 r3 ∂r1 ∂r3 r2 r3 ∂r2 ∂r3 
⟨  2  ⟩
∂ 2 ∂ 

− (αe + αh ) ψ  2 + ψ
∂r3 r3 ∂r3 
( 2)⟨   ⟩
e 1
− ψ   ψ + ⟨ψ | Ve + Vh | ψ⟩, (3.46)
ϵ r3

47
Por simplicidad se estudiará la solución de cada braket por separado.
⟨  2  ⟩
∂ 2 ∂ 
−αe ψ  ∂r 2 + r1 ∂r1 
ψ :
1

Para r1 < R: se reemplaza la función de onda obteniendo,

( ) ( )
∂2 sin(Le r1 ) sin(Lh r2 ) −λr3 2 ∂ sin(Le r1 ) sin(Lh r2 ) −λr3
N e + N e ,
∂r12 r1 r2 r1 ∂r1 r1 r2

La primera derivada respecto a r1 es

∂ 1 Le
(sin(Le r1 )r1−1 ) = − 2 sin(Le r1 ) + cos(Le r1 ).
∂r1 r1 r1

La segunda derivada respecto a r1 es

∂2 2 Le Le
2
(sin(Le r1 )r1−1 ) = + 3 sin(Le r1 ) − 2 cos(Le r1 ) − cos(Le r1 )
∂r1 r1 r1 r1
L2
− e sin(Le r1 ),
r1
2 2Le L2
= 3 sin(Le r1 ) − 2 cos(Le r1 ) − e sin(Le r1 ).
r1 r1 r1

Reemplazando las derivadas en el valor esperado y simplificando se

obtiene
sin(Le r1 ) sin(Lh r2 ) −λr3 2
−N e Le = −L2e ψ, (3.47)
r1 r2
concluyendo ası́
⟨  2  ⟩ ∫ R ∫ R ∫ b
∂ 2 ∂ 

−αe ψ  2 + ψ = + αe 2
r1 dr1 Le ∗
ψ ψ
∂r1 r1 ∂r1  0 0 a
∫ R ∫ R ∫ b
=αe L2e r1 dr1 r2 dr2 ψ∗ψ
|0 {z
0 a
}
1
N12

αe L2e
= . (3.48)
N12

Para r1 > R: se reemplaza la correspondiente función de onda obte-

niendo

48
 ∂2 2 ∂ψ 2 sin(Le R) sin(Lh R) χe (R−r1 ) χh (R−r2 ) −λr3
2
ψ+ = e e e
∂r1 r1 ∂r1 r13 r2
sin(Le R) sin(Lh R) χe (R−r1 ) χh (R−r2 ) −λr3
+ χe2 e e e
r1 r2
χe sin(Lh R) χe (R−r1 ) χh (R−r2 ) −λr3
+ 2 sin(Le R) e e e
r1 r2
sin(Le R) sin(Lh R) χe (R−r1 ) χh (R−r2 ) −λr3
+ χe e e e
r12 r2
sin(Le R) sin(Lh R) χe (R−r1 ) χh (R−r2 )
−2 e e e−λr3
r13 r2
χe sin(Lh R) χe (R−r1 ) χh (R−r2 ) −λr3
− 2 2 sin(Le R) e e e
r1 r2
sin(Le R) sin(Lh R) χe (R−r1 ) χh (R−r2 ) −λr3
=N χ2e e e e
r1 r2
=χ2e ψ. (3.49)

De esta manera:
⟨  2  ⟩
∂ 2 ∂ 

−αe ψ  2 + ψ =αe L2e A − αe χ2e B
∂r1 r1 ∂r1 
=αe (L2e A − χ2e B), (3.50)

con
∫ R ∫ R ∫
A= r1 dr1 r2 dr2 r3 dr3 ψψ ∗ ,
∫0 ∞ ∫0 ∞ ∫
B= r1 dr1 rd r2 r3 dr3 ψψ ∗
R R

teniendo en cuenta que ⟨ψ | ψ⟩ = A + B.

Normalizando
⟨  2  ⟩
∂ 2 ∂  (L2e A − χ2e B)

−αe ψ  2 + ψ = α . (3.51)
∂r1 r1 ∂r1 
e
A+B
⟨  2  ⟩
∂ 2 ∂ 
−αh ψ  ∂r 2 + r2 ∂r2 
ψ
:
2

49
Ya que las relaciones son iguales para el caso r1 y las funciones de
onda son semejantes se concluye
⟨  2  ⟩
∂ 
 ψ = αh (Lh A − χh B) .
2 2
2 ∂
−αh ψ  2 + (3.52)
∂r2 r2 ∂r2  A+B
( 2)⟨   ⟩
 
− e
ϵ
ψ  r13  ψ :

Para r1,2 < R se reemplaza por las respectivas funciones de onda y

se calcula la integral obteniendo
⟨   ⟩ ∫ ∫ ∫
1 R R r2 +r1
1 2 sin2 (Le r1 ) sin2 (Lh r2 ) −2λr3
ψ   ψ = r1 dr1 r2 dr2 N r3 dr3 e
r3 0 0 |r2 −r1 | r3 r12 r22
∫ R ∫ R ∫
sin2 (Le r1 ) sin2 (Lh r2 ) r2 +r1
=N 2 r1 dr1 r2 dr2 2 2 dr3 e−2λr3 ,
0 0 r 1 r 2 |r2 −r1 |
(3.53)

desarrollando la integral respecto a r3 se tiene

∫ b
b
−2λr3 e−2λr3  e−2λr3
dr3 e =− ; Coul(r3 , λ) = − ,
a 2λ a 2λ

el resultado de la integral lo definimos como una nueva función

Coul(r3 , λ).
Para r1,2 > R
⟨   ⟩ ∫ ∞ ∫ ∞
1 sin2 (Le R) sin2 (Lh R)
 
ψ   ψ =N 2
r1 dr1 r2 dr2 ×
r3 R R r12 r22
∫ r2 +r1
e2χe (R−r1 ) 2χh (R−r2 )
e dr3 e−2λr3 . (3.54)
|r2 −r1 |

En total
⟨   ⟩ ∫ R ∫ R
1 sin2 (Le R) sin2 (Lh r2 )
ψ   ψ =N 2
r1 dr1 r2 dr2 ×
r3 0 0 r12 r22
[Coul(r1 + r2 , λ) − Coul(|r2 − r1 |, λ)]
∫ ∞ ∫ ∞
sin2 (Le R) sin2 (Lh R)
+ N2 r1 dr1 r2 dr2
R R r12 r22
e2χe (R−r1 ) e2χh (R−r2 ) [Coul(r1 + r2 , λ) − Coul(|r2 − r1 |, λ)] .
(3.55)

50
 Normalizando,
( )⟨   ⟩ ( 2)
e2 1 e C +D
−  
ψ ψ = − , (3.56)
ϵ r3 ϵ A+B

donde se definen C y D como,

∫ R ∫ R
2 sin2 (Le R) sin2 (Lh r2 )
C =N r1 dr1 r2 dr2
0 0 r12 r22
× [Coul(r1 + r2 , λ) − Coul(|r2 − r1 |, λ)] ,
∫ ∞ ∫ ∞
2 sin2 (Le R) sin2 (Lh R) 2χe (R−r1 ) 2χh (R−r2 )
D =N r1 dr1 r2 dr2 e e
R R r12 r22
× [Coul(r1 + r2 , λ) − Coul(|r2 − r1 |, λ)] . (3.57)
⟨  2  ⟩
∂ 2 ∂ 
−(αe + αh ) ψ  ∂r 2 + r ∂r  ψ :
3 3
3
Este caso es similar al anterior y por ello se encuentra dado en ter-
minos de las integrales C, D y la respectiva normalización.
⟨  2  ⟩ [ ]
∂ 2 ∂  (C + D)
−(αe + αh ) ψ  2 +  ψ = −(αe + αh ) λ − 2λ 2
.
∂r3 r3 ∂r3  A+B
(3.58)
⟨   ⟩ ⟨   ⟩
 (r2 −r2 +r2 ) 2   (r2 −r2 +r2 ) 2 
− ψ αe 1 r12r3 3 ∂r∂1 r3  ψ y − ψ αh 2 r21r3 3 ∂r∂2 ∂r3  ψ :
Las integrales tanto para r1,2 < R como para r1,2 > R son,
⟨   ⟩
 (r12 − r22 + r32 ) ∂ 2 
− ψ αe ψ =
r1 r3 ∂r1 r3 
∫ R ∫ R ∫ r1 +r2
λ sin2 (Le r1 ) sin2 (Lh r2 ) −2λr3
= − αe N 2
r1 dr1 r2 dr2 r3 dr3 e
0 0 |r2 −r1 | r3 r12 r22
[ ]
1 cot(Le r1 )Le r1
(r1 − r2 + r3 ) 2 −
2 2 2
r1 r12
∫ ∞ ∫ ∞ ∫ r2 +r1
λ sin2 (Le R) sin2 (Lh R)
− αe N 2
r1 dr1 r2 dr2 r3 dr3
R R |r2 −r1 | r3 r12 r22
(1 + r1 χe ) 2
e−2χe (R−r1 ) e2χh (R−r2 ) e−2λr3 (r1 − r22 + r32 ) (3.59)
r12
⟨   ⟩
 (r2 −r2 +r2 ) 2 
Para el caso − ψ αh 2 r21r3 3 ∂r∂2 ∂r3  ψ :

51
Las derivadas ahora serán respecto a r2 y r3 obteniendo
∫ R ∫ R ∫ r2 +r1
λ sin2 (Le r1 ) sin2 (Lh r2 ) −2λr3
= −αh N 2
r1 dr1 r2 dr2 r3 dr3 e
0 0 |r2 −r1 | r3 r12 r22
[ ]
1 cot(Lh r2 )Lh r2
(r2 − r1 + r3 ) 2 −
2 2 2
r r2
∫ ∞ ∫ 2∞ ∫ r22+r1
λ sin2 (Le R) sin2 (Lh R)
− αh N 2 r1 dr1 r2 dr2 r3 dr3
R R |r2 −r1 | r3 r12 r22
(1 + r2 χh ) 2
e−2χe (R−r1 ) e2χh (R−r2 ) e−2λr3 2
(r2 − r12 + r32 ) (3.60)
r2

Sumando los dos términos:

⟨   ⟩ ⟨   ⟩
 (r12 − r22 + r32 ) ∂ 2   (r22 − r12 + r32 ) ∂ 2 
ψ αe  ψ + ψ αh ψ =
r 1 r3 ∂r1 ∂r3   r2 r 3 ∂r2 ∂r3 
∫ R ∫ R ∫
sin2 (Le r1 ) sin2 (Lh r2 ) r2 +r1
N λ2
r1 dr1 r2 dr2 2 2 dr3 e−2λr3
0 0 r 1 r 2 |r2 −r1 |
[ ]
(1 − cot(L r
e 1 )L r
e 1 ) 2 (1 − Lh r2 cot(Lh r2 ))
αe (r1 − r2 + r3 )
2 2 2
+ αh (r2 − r1 + r3 )
2 2
r12 r22
∫ ∞ ∫ ∞
sin2 (Le R) sin2 (Lh R) 2χe (R−r1 ) 2χh (R−r2 )
+ N 2λ r1 dr1 r2 dr2 e e
R R r12 r22
∫ r2 +r1 [ ]
−2λr3 2 (1 + r1 χe ) 2 (1 + r2 χh )
dr3 e αe (r1 − r2 + r3 )
2 2
+ αh (r2 − r1 + r3 )
2 2
|r2 −r1 | r12 r22
(3.61)

Se define ahora

[ ]
(1 − Le r1 cot(Le r1 )) (1 − Lh r2 cot(Lh r2 ))
F± (r1 , r2 ) = λ αe ± αh
r12 r22
[ ]
(1 + r1 χe ) (1 + r2 χh )
G± (r1 , r2 ) = λ αe 2
± αh (3.62)
r1 r22

52
De esta manera se obtiene para:
⟨   ⟩ ⟨   ⟩
 (r12 − r22 + r32 ) ∂ 2   (r22 − r12 + r32 ) ∂ 2 
ψ αe  ψ + ψ αh ψ =
r1 r 3 ∂r1 ∂r3   r2 r3 ∂r2 ∂r3 
∫ R ∫ R
sin2 (Le r1 ) sin2 (Lh r2 )
N2 r1 dr1 r2 dr2
0 0 r12 r22
∫ r2 +r1
[ ]
dr3 e−2λr3 (r12 − r22 )F− (r1 , r2 ) + r32 F+ (r1 , r2 ) +
|r2 −r1 |
∫ ∞ ∫ ∞
2 sin2 (Le R) sin2 (Lh R) 2χe (R−r1 ) 2χh (R−r2 )
N r1 dr1 r2 dr2 e e
R R r12 r22
∫ r2 +r1
[ ]
dr3 e−2λr3 (r12 − r22 )G− (r1 , r2 ) + r32 G+ (r1 , r2 ) (3.63)
|r2 −r1 |

y definiendo los términos,

∫ R ∫ R
2 sin2 (Le r1 ) sin2 (Lh r2 )
M =N r1 dr1 r2 dr2
0 0 r12 r22
∫ r2 +r1
[ ]
dr3 e−2λr3 (r12 − r22 )F− (r1 , r2 ) + r32 F+ (r1 , r2 )
|r2 −r1 |
∫ ∞ ∫ ∞
2 sin2 (Le R) sin2 (Lh R) 2χe (R−r1 ) 2χh (R−r2 )
O =N r1 dr1 r2 dr2 e e
R R r12 r22
∫ r2 +r1 [ ]
dr3 e−2λr3 (r12 − r22 )G− (r1 , r2 ) + r32 G+ (r1 , r2 ) (3.64)
|r2 −r1 |

se reemplaza en los valores esperados obteniendo,

⟨   ⟩ ⟨   ⟩
 (r12 − r22 + r32 ) ∂ 2   (r22 − r12 + r32 ) ∂ 2 

ψ αe  
ψ + ψ αh ψ =
r1 r3 ∂r1 ∂r3  r2 r3 ∂r2 ∂r3 
M +O
= . (3.65)
A+B

⟨ψ|Ve + Vh |ψ⟩:

Dado que los potenciales son constantes, estos simplemente se fac-

torizan de la ecuación obteniendo

B
⟨ψ|Ve + Vh |ψ⟩ = (Ve + Vh ) . (3.66)
A+B

53
 Reagrupando nuevamente el valor esperado del Hamiltoniano se tiene
⟨  2  ⟩ ⟨  2  ⟩
∂ 2 ∂  ∂ 2 ∂ 

⟨ψ|Ĥ|ψ⟩ = − αe ψ  2 + ψ − αh ψ  2 +  ψ
∂r1 r1 ∂r1  ∂r2 r2 ∂r2 
⟨   ⟩
 (r12 − r22 + r32 ) ∂ 2 (r22 − r12 + r32 ) ∂ 2 
− ψ αe + αh ψ
r1 r3 ∂r1 ∂r3 r2 r3 ∂r2 ∂r3 
⟨  2  ⟩
∂ 2 ∂ 
− (αe + αh ) ψ  2 + ψ
∂r3 r3 ∂r3 
( 2)⟨   ⟩
e 1
− ψ   ψ + ⟨ψ|Ve + Vh |ψ⟩ (3.67)
ϵ r3

en cuyo caso el valor de la energı́a es:

⟨ψ|Ĥ|ψ⟩ L2 A − χ2e B L2 A − χ2h B

EEx (λ) = =αe e + αh h
⟨ψ|ψ⟩ A+B A+B
[ ]
(C + D)
− (αe + αh ) λ − 2λ
A+B
( 2)
e (C + D) M + O B
− − + (Ve + Vh ) ,
ϵ (A + B) A+B A+B
(3.68)

La energı́a del estado base se obtiene minimizando EEx (λ) respecto a λ.

La energı́a de enlace del estado base se define como:

Eenlace = Ee + Eh − EEx . (3.69)

3.2.3. Parámetros de red y efecto de presión

Trabajos anteriores sobre el efecto de presión hidrostática en sistemas de
baja dimensionalidad han mostrado cambios significativos en la energı́a de
enlace de los excitones, razón por la cual se vuelve llamativo como estudio.
Para aplicar presión hidrostática al material se coloca la muestra dentro de un
anvil-cell.1 La aplicación de la presión modifica los parámetros del material
en cuestión, tales como la constante de red, las alturas de las barreras de
potencial, las masas efectivas tanto del electrón como del hueco, y la constante
dieléctrica del material. Los cambios de los parámetros de la red cuando se
aplica presión para el GaAs han sido bien estudiados experimentalmente por
varios autores como son Herbert y colaboradores, y Elabsy y colaboradores
1
Nombre en inglés de una celda formada por dos diamantes los cuales comprimen a
grandes presiones una muestra de algún material para estudio.

54
 Constantes para EgΓ
Adentro Afuera
α = 10,7x10−3 eV/kbar α = (11,5 − 1,3x)x10−3 eV/kbar
β = −0,0000377eV/kbar2 β=0
b = 0,0005405 eV/K b = 0,0005405 eV/K
c = 204 K c = 204K

Las constantes para la constante dieléctrica son:

ε0 = 12,74 δ1 = 9,4x10−5 K−1
δ2 = 1,67x10−3 kbar−1 T0 = 75,6K

Los demás parámetros son:

EPΓ = 7,51 eV ∆0 = 0,341 eV
a1 = 0,30242 a2 = −0,1 x 10−3 kbar−1
−2
a3 = 5,56 x 10−6 kbar

Cuadro 3.1: Constantes y coeficientes para la presión.

[30, 19, 20]. Los parámetros se encuentran en Kbars y la temperatura en

Kelvin.

Ve = 0,6EgΓ ,
Vh = 0,4EgΓ
Eg0 (GaAs) = 1,519eV,
2
EgΓ = Eg0 + αP + βP 2 + TbT+c ,
Eg0 (Ga1−x Alx As) − Eg0 (GaAs) = 1,155x + 0,37x2 eV,
ε(P, T ) = ε0 eδ1 (T −T0 ) e−δ2 P ,
[ ( )]−1
m∗e (P ) 2 1
m0
= 1 + EPΓ E Γ (P,T )
+ E Γ (P,T )+∆0
,
g g
m∗h (P )
m0
= a1 + a2 P + a3 P 2 , (3.70)

donde los coeficientes para la presión adentro y afuera del punto, y las demás
constantes se muestran en el cuadro 3.1. En la ecuación (3.70) m0 es la masa

55
del electrón libre. De ésta manera recordando el Hamiltoniano,
( 2 )
~2 ∂ 2 ∂ r12 − r22 + r32 ∂ 2
Ĥ = − + +
2me (P ) ∂r12 r1 ∂r1 r1 r3 ∂r1 ∂r3
( 2 )
~ 2
∂ 2 ∂ r2 − r1 + r3 ∂ 2
2 2 2
− + +
2mh (P ) ∂r22 r2 ∂r2 r2 r3 ∂r2 ∂r3
( 2 )
~ 2
∂ 2 ∂ e2
− 2
+ − + Ve (r1 , P ) + Vh (r2 , P ), (3.71)
2µ ∂r3 r3 ∂r3 εr3 (P )

donde cada uno de los parámetros dependerá de la presión. Con el fin de

resolver el problema se fija un valor para la presión y se introducen los corre-
spondientes valores para cada uno de los parámetros calculando la energı́a de
enlace del excitón, luego se cambia el valor de la presión y se repite el proceso.
Aunque se sabe que los cambios en los parámetros de la red son para el ma-
terial en bloque, se asume como primera aproximación, que el punto cuántico
y la superred experimentarán la misma variación en su estructura, esto ya
que aún no hay reportes experimentales para los cambios en los parámetros
en sistemas de baja dimensionalidad.

3.3. Resultados y análisis

Para la obtención de los resultados se utilizaron los parámetros que se
muestran en el cuadro 3.2 para el GaAs 2 [29].

Nombre Parámetro Valor

Masa efectiva electrón me 0.067m0
Masa efectiva del hueco pesado mhh 0.45m0
Masa efectiva del hueco ligero mh l 0.08m0
Gap de energı́a Eg 1.155x+0.37x2
Constante dieléctrica ϵ 12.5
∗
Radio de Bohr efectivo aB 9.9 nm
Rydberg efectivo Ry∗ 5.83 meV
Concentración Al x 0.3

Cuadro 3.2: Parámetros para el GaAs en el punto.

En la Fig.3.5 se muestra la energı́a de enlace para los excitones ligeros en

función del radio del punto para tres presiones P=0, 20 y 40 Kbar. Para este
2
Estos parámetros son los que se emplean a presión cero.

56
Figura 3.5: Energı́a de enlace de excitones ligeros en función del radio del
punto para P=0, 20 y 40 Kbar.

caso se aplicó el método variacional en coordenadas esféricas con una función

de tipo hidrogenoide y un parámetro variacional. Se observa cómo la energı́a
de enlace aumenta a medida que disminuye el radio del punto y a medida
que crece la presión. Se puede notar que la energı́a de enlace aumenta con
la presión hidrostática para cualquier valor del radio, reflejando ası́ el con-
finamiento adicional; cuando la presión aumenta, el excitón se confina cada
vez más en el punto aumentando la energı́a. Se observa también que la pre-
sión afecta más a los puntos pequeños y la posición del máximo se mueve a
radios menores a medida que aumenta la presión.

En la Fig.3.6 se presenta la energı́a de enlace del excitón pesado confina-

do en un punto cuántico esférico de GaAs/Ga1−x Alx As como función del
radio y para tres valores de presión hidrostática P = 0, P = 20 y P = 40
kbar, con una concentración de Aluminio de x = 0,3. Sin presión, Fig.3.6 (a),
se observa que la energı́a de enlace a radios grandes R ≈ 400 Å reproduce el
valor para el GaAs en bloque cercano a los 5 meV. A medida que el radio
del punto se reduce, va aumentando la energı́a de enlace gracias al aumento
de la interacción Coulombiana entre el electrón y el hueco. Esto se debe a
que la función de onda del excitón se comprime dentro del punto y a que la

57
 70

(a)
Energia de enlace (meV)
60

50
P = 0 kbar
40

30
x = 0.3
20
20 40 60 80 100
R (Å)

70

(b)
Energia de enlace (meV)

60

50
P = 20 kbar
40

30
x = 0.3
20
20 40 60 80 100
R (Å)

80

(c)
Energia de enlace (meV)

60
P = 40 kbar

40

x = 0.3
20
20 40 60 80 100
R (Å)

Figura 3.6: Energı́a de enlace de excitones pesados en función del radio del
punto para P=0, 20 y 40 Kbar.

58
separación promedio del electrón y el hueco se reduce a medida que el radio
disminuye. La energı́a de enlace aumenta hasta alcanzar su máximo para un
valor de radio del punto cercano a los 30 Å, este valor concuerda con el re-
portado por Escorcia y colaboradores [31]. Cuando el radio del punto sigue
disminuyendo, las energı́as del electrón y el hueco libre aumentan y sus fun-
ciones de onda penetran dentro de las barreras. De esta manera, la energı́a
de enlace del excitón disminuye, en principio porque si el radio es cero la
energı́a de enlace debe tener el valor en bloque del excitón en el GaAlAs. El
comportamiento de la energı́a de enlace se coincide con los resultados repor-
tados sin presión [31, 32].
Cuando se aplica la presión, Fig.3.6(b) y (c), la energı́a de enlace aumenta

30,3

R = 60 Å
Energia de enlace (meV)

30,0
P = 20 kbar
29,7

29,4

29,1

0,15 0,2 0,25 0,3 0,35

x

Figura 3.7: Energı́a de enlace de excitones confinados en puntos cuánticos

esféricos de GaAs rodeados por Ga1−x Alx As como función de la concentración
de Aluminio x.
desde su valor del GaAs en bloque a medida que el radio del punto disminuye,
alcanzando un máximo para luego caer cuando el radio se aproxima a cero. El
efecto de la presión hidrostática en el excitón corresponde a un confinamiento
adicional en la estructura. Por esto, la energı́a de enlace debe aumentar para
cualquier valor de radio. El aumento se puede ver al comparar (a), (b) y (c)
en la Fig.3.6. El comportamiento de la energı́a de enlace con presión ya ha
sido reportado para excitones en pozos cuánticos [13, 43, 40]. Es importante

59
recalcar la diferencia entre las estructuras 2D (pozos) y las 0D (puntos), pues
la energı́a de enlace en los puntos cuánticos es mayor que en los pozos dado el
confinamiento adicional. El aumento en la energı́a al disminuir la dimensión,
es de casi 7 veces, esto se observa al comparar los resultados obtenidos con
los reportados por Greene y colaboradores [29]. También se puede observar
en las figuras que el efecto de presión es mucho más notorio para puntos más
pequeños. El máximo también se desplaza a radios menores a medida que
aumenta la presión. Esto se debe al aumento de las alturas de las barreras
haciendo que se necesite un radio menor para que aumente el estado base y
alcance el máximo de energı́a de ionización. En principio, si la presión que se
aplica tendiera a infinito, las alturas de potencial serı́an infinitas corriendo el
máximo a cero con una altura infinita como se sabe para modelos de poten-
ciales de confinamiento infinitos. La aplicación de presión permite que puntos
cuánticos pequeños mejoren el enlace del electrón y el hueco requiriendo may-
ores valores de energı́a para romperlos; esto hace posible que a temperatura
ambiente se prolongue el perı́odo de vida del excitón convirtiéndose en una
propiedad interesante para dispositivos optoelectrónicos.

Figura 3.8: Energı́a de enlace de excitones confinados en puntos cuánticos

esféricos de GaAs rodeados por Ga1−x Alx As como función de la presión para
un radio del punto de 30 Å y una concentración de Aluminio de x =0.3.

A medida que el estado base tanto para el electrón como para el hueco se

60
acerca a las alturas de las barreras, va aumentando la penetración de las
funciones de onda en ellas haciendo que las partı́culas se encuentren menos
localizadas dentro del punto perdiendo el confinamiento y alterando la en-
ergı́a de enlace.
Al comparar los resultados con los resultados para excitones ligeros se puede
observar que la energı́a de enlace es mucho menor para los excitones pesados,
ya que la masa efectiva de éstos es mucho mayor.

En la Fig. 3.7 se muestra el resultado de la energı́a de enlace del excitón

como función de la concentración de Aluminio x para un punto cuántico de
radio 60 Å a una presión de 20 kbar. La energı́a de enlace aumenta de forma
lineal a medida que crece la concentración, pues x incrementa la altura de
las barreras aumentando el confinamiento, disminuyendo la penetración en
las barreras, y por tanto, propiciando el crecimiento de la energı́a de enlace.

Finalmente, en la Fig. 3.8 se muestra la energı́a de enlace del excitón co-

mo función de la presión. Para el cálculo, se empleó un radio del punto de
30 Å y una concentración de Aluminio de x =0.3. Se observa el aumento de
forma lineal a medida que aumenta la presión hasta alcanzar los 40 kbars.
Aunque, el crecimiento de la energı́a es del orden de 10 meV, quizás pequeño
para su aplicación experimental, el efecto de aumento debido a la presión
existe. Es posible que para distintos materiales este crecimiento sea mayor.

61
Capı́tulo 4

Superred de Nanohilos

Potencial
GaAlAs GaAs GaAlAs GaAlAs GaAlAs
GaAs

z z
b a b a b a

a b
Nanotubo

Figura 4.1: Diagrama de una superred de nanohilos con el potencial en la dirección

z.

Como una extensión de las heteroestructuras o superredes en 2 dimen-

siones, se han creado superredes unidimensionales o de nanohilos gracias a
modificaciones de los métodos de construcción. Estos nanohilos, son estruc-
turas cuyos diámetros son del orden de los nanómetros, con longitudes que
se pueden extender hasta los micrómetros. En la Fig. 4.1 se muestra un dia-
grama de la superred y de lo potenciales de confinamiento en la dirección z.

62
Estos dispositivos se logran fabricar alternando capas de materiales semicon-
ductores con distintos gaps de energı́a, pero con constantes de red similares
para facilitar el crecimiento al momento de depositar las capas. Este caso lo
satisfacen el GaAs y el GaAlAs.

En un nanohilo simple (quantum wire), donde las cargas se pueden desplazar

libremente a lo largo del hilo y se encuentran bajo confinamiento solo en la
parte radial, el movimiento de las cargas en la superred se ve afectado por
el confinamiento adicional generado por las barreras del material con mayor
gap de energı́a a lo largo del hilo. Para nuestro estudio, se asume la su-
perred de forma cilı́ndrica formada por GaAs en los pozos y con capas de
Ga1−x Alx Ga en las barreras. Toda la heteroestructura rodeada por una capa
de Ga1−y Aly Ga la cual generará el confinamiento radial. La concentración de
Aluminio fuera del nanohilo es mayor que la concentración de las barreras
(y > x).

Al estudiar las propiedades de luminiscencia, transporte eléctrico y electro-

luminiscencia, para nanohilos simples, se ha mostrado el potencial de estos
dispositivos como herramientas fotónicas y electrónicas [35, 36, 37, 38, 39].
Variando la composición y los parámetros geométricos de la estructura es
posible modificar las propiedades que se generan por las interacciones de los
electrones y huecos que se encuentran confinados en la heteroestructura, o
por las interacciones de las partı́culas al producirse tunelamiento en las bar-
reras de potencial. Una de las caracterı́sticas que se puede cambiar de manera
controlada es la distribución de la carga dentro de la superred; pues es posible
que la distribución de la carga se encuentre concentrada en los centros de los
pozos y por ende, haya poca concentración en las barreras.

4.1. Fabricación
Aunque las técnicas de fabricación para construir heteroestructuras son
las tradicionales, no fue sino hasta el año 2002 que Gudiksen y colabo-
radores [14] construyeron una superred de nanohilo. Ellos lograron controlar
el diámetro de los nanotubos gracias a los desarrollos en la sı́ntesis medi-
ante catálisis metálica, y mediante el proceso vapor-lı́quido-sólido, realizaron
el crecimiento de la superred empleando semiconductores de los grupos III-
IV y V. Veamos el procedimiento con más detalle. Para el crecimiento del
nanohilo primero se generan los reactivos semiconductores en vapor medi-
ante interacción de un láser con el blanco sólido. Para la realización de una

63
juntura en el nanohilo, se detiene el crecimiento del primer reactivo y se hace
crecer el segundo reactivo hasta la longitud deseada. Este procedimiento se
realiza las veces necesarias hasta obtener la superred del nanohilo como se
muestra en la Fig.4.2. De esta manera, Gudiksen y colaboradores lograron

Figura 4.2: Esquema de fabricación alternado. Imagen tomada del artı́culo publi-
cado por M.S. Gudiksen y colaboradores, Nature 415, 617 (2001).

crear una superred de GaAS/GaP mediante el crecimiento asistido por láser.

En la Fig. 4.3 se muestran las imágenes obtenidas mediante un microscopio
electrónico de transmisión. En la Fig. 4.3 (a) se muestra la juntura entre el
GaAs y el GaP. La imagen sugiere que la juntura puede ser abrupta, por ello
mediante espectroscopı́a de rayos X, se obtiene la variación de la composición
de los materiales como se ve en la Fig. 4.3 (b)-(e). También se observa como
el Ga se encuentra de manera uniforme a lo largo del nanohilo, mientras que
el P, Fig.4.3 (d), y el As Fig.4.3 (e), aparecen en las partes de GaP y GaAs,
respectivamente. Un análisis cuantitativo Fig.4.3 (f) muestra que la juntura
es abrupta, realizando la transición de GaP a GaAs en una escala de 15-20
nm.

Para el año 2003 Ristic y colaboradores [41] lograron construir una superred
de nanohilos de GaN con barreras de Ga1−x Alx N basadas en la técnica de
MBE. Para esto, tomaron un substrato de Silicio y se le depositó una capa de
AlN. Una vez el ambiente se encontraba en condiciones ricas en N, la super-
ficie de Ga se reducı́a dando paso al proceso de crecimiento ordenado el cual
se genera gracias a los mecanismos de vapor-lı́quido-sólido. El substrato se
sometió a 760 ◦ C, lo que permitió el crecimiento de alta calidad del nanohilo
de GaAlN/GaN/GaAlN alternando el flujo de Al y Ga con un flujo constante
de N. De esta manera cuando se interrumpı́a por completo el Al se formaban
los discos de GaN.

En la Fig.4.4 se muestran las estructuras realizadas por ellos, en la parte

superior se ven imágenes SEM de una sección de los nanohilos de GaAlN

64
Figura 4.3: Juntura de un nanohilo de GaAs/GaP. a) Imagen de alta resolución
TEM de la juntura la cual fue crecida con un nanocluster de Oro de 20 nm como
catalizador. Escala de la barra 10 nm. b) Imagen TEM de otra juntura, escala de
la barra 20 nm. c) d) y e) Mapeo del Ga (gris), P (rojo) y As (azul). f) Lı́neas
de composición a través de la juntura. Imagen tomada del artı́culo publicado por
M.S. Gudiksen y colaboradores, Nature 415, 617 (2001).

con una imágen de la sección transversal mostrando como la construcción se

hace sin defectos aparentes. En la parte inferior se observa mediante imágenes
TEM, un nanohilo individual con los discos de GaAs formando la superred,
el espesor de los discos es de 4.5 nm y los diámetros oscilan entre 30 y 150
nm.

4.2. Excitones en superredes de nanohilos

En este modelo se asume que el nanohilo inicia en pozo y termina en pozo
con barreras laterales infinitas, de tal forma que la función de onda a lo largo
de z cae en los extremos. De la misma manera que para el punto cuántico,
se asume un excitón como un átomo hidrogenoide, para el cual se plantea el

65
Figura 4.4: Arriba: a) Muestra de los nanohilos de GaAlN crecidos en la base
de Silicio, b) Sección transversal de un nanohilo mediante SEM, se puede ver
la ausencia de imperfecciones. Abajo: Superred de GaN/GaAlN, a) Se pueden
observar 7 pozos de GaN, b) Cada disco tiene un espesor de 4.5 nm. Imagen
tomada del artı́culo publicado por J. Ristic y colaboradores, Phys. Rev. B 68,
125305 (2003).

siguiente Hamiltoniano:
( )
~2 2 ~2 2 e2 1
Ĥ = − ∇e − ∇ + Ve + Vh − , (4.1)
2me 2mh h ϵ reh
por simplicidad en el desarrollo definimos las siguientes constantes,
~2 ~2 e2
αe = , αh = , αϵ = , (4.2)
2me 2mh ϵ
obteniendo
1
Ĥ = −αe ∇2e − αh ∇2h + Ve + Vh − αϵ , (4.3)
reh
donde reh es la distancia entre el electrón y el hueco
√
reh = ρ2e + ρ2h − 2ρe ρh cos(φe − φh ) + (Ze − Zh )2 . (4.4)

66
Dada la simetrı́a del problema se emplea coordenadas cilı́ndricas (ρ, φ, Z)
como se muestran en la Fig. 4.5. Tengamos en cuenta que el origen del sistema
se tomará en el lado izquierdo del hilo y la dirección z va a lo largo de éste.

Electron

Hueco
ze

zh

Y
ϕe ρh
ϕh
ρe

X
Figura 4.5: Sistema de coordenadas cilı́ndricas para el electrón y el hueco.

Como se necesitan las funciones de onda al igual que las energı́as del electrón
y el hueco libre para poder calcular la energı́a de enlace del excitón, se parte
resolviendo los casos del electrón y el hueco sin interacción, para esto no se
tiene en cuenta los aportes de reh . Los Hamiltonianos para el electrón y el
hueco libre son:
Ĥe = −αe ∇2e + Ve , Ĥh = −αh ∇2h + Vh , (4.5)
y satisfacen la siguiente ecuación de Schrödinger
Ĥe fe (ρe , ze ) = Ee fe (ρe , ze ), Ĥh fh (ρh , zh ) = Eh (ρh , zh ). (4.6)

67
Para el caso del excitón la ecuación de Schrödinger es

Ĥψ(ρe , ρh , ze , zh , reh ) = Eex ψ(ρe , ρh , ze , zh , reh ), (4.7)

siendo la energı́a Eex el magnitud a determinar mediante el principio varia-

cional de Schrödinger.

La aplicación de este modelo fue introducido por Mikhailov y colaboradores

[42] en 2002 para el cálculo de la energı́a de enlace de donadoras neutras
y negativas en heteroestructuras. A este modelo lo denominaron “de di-
mensión fractal”debido a ciertas propiedades del Jacobiano (función que se
definirá más adelante) cuya dependencia se puede relacionar con una dimen-
sión fraccionaria.
Se asume la función del excitón ψ como una combinación de las funciones
del electrón y el hueco libre, y una función envolvente que dará cuenta de la
interacción mediante reh

ψ(ρe , ρh , ze , zh , reh ) = fe (ρe , ze )fh (ρh , zh )ϕ(reh ), (4.8)

ya definidas las funciones, no se escribirá la dependencia de las funciones por

simplicidad.

4.2.1. Solución del electrón y el hueco libre

En este apartado se analiza los casos del electrón y el hueco libres.

a. Para el electrón libre se tiene

Ĥe fe (ρe , ze ) = Ee fe (ρe , ze ). (4.9)

El movimiento en la parte radial ρ es mucho mayor que en z, de es-

ta manera se descompone el movimiento en el plano (ρ, φ) y en la di-
rección z. Por lo tanto se asume la función de onda del electrón como
fe = feρ (ρe , ze )fez (ze ). Reemplazando en la ecuación se tiene (asumiendo
simetrı́a axial):

Ĥe fe = −αe ∇2e fe + Ve fe (4.10)

( 2 2
)
∂ 1 ∂ ∂
= −αe 2
+ + 2 fe + Ve fe
∂ρ ρe ∂ρe ∂ze
( 2e )
∂ feρ 1 ∂feρ ∂ 2 fez
= −αe + f ez − αe feρ + Ve feρ fez .
∂ρ2e ρe ∂ρe ∂ze2

68
 Como Ĥe fe = Ee fe entonces
( 2 )
∂ feρ 1 ∂feρ ∂ 2 fez
−αe fez + − α f
e eρ + Ve feρ fez = Ee feρ fez . (4.11)
∂ρ2e ρe ∂ρe ∂ze2
Dividiendo por feρ fez se tiene
( )
1 ∂ 2 feρ 1 ∂feρ 1 ∂ 2 fez
−αe + − α e + V e = Ee . (4.12)
feρ ∂ρ2e ρe ∂ρe fez ∂ze2
Reagrupando Ve en la parte de ρe (El potencial Ve dependerá de ρe , aunque
también depende de si se encuentra el electrón en un pozo o en una bar-
rera). De esta manera se define el potencial de confinamiento para el elec-
trón como,
{ {
ν(z), 0 < ρe < R 0, → P ozo
Ve = ; ν(z) = (4.13)
Ve , ρe > R Vbe , → Barrera

retomando la Ec.(4.12)
[ ( 2 ) ]
1 ∂feρ 1 ∂feρ 1 ∂ 2 fez
−αe + + Ve −α e = Ee (4.14)
feρ ∂ρ2e ρe ∂ρe fez ∂ze2
| {z }
Eeρ (ze )

se denomina el paréntesis izquierdo como Eeρ (Ze ), obteniendo las sigu-

ientes dos ecuaciones para feρ y fez
( )
1 ∂ 2 feρ 1 ∂feρ
−αe + + Ve feρ = Eeρ (ze )feρ , (4.15)
feρ ∂ρ2e ρe ∂ρe
d2 fez
−αe + Eeρ (ze )fez = Ee fez , (4.16)
dze2
estas son las ecuaciones de Schrödinger para feρ y fez . Ya que se asume
que el electrón se mueve más rápido en ρ que en z, la energı́a radial
Eeρ (ze ) actua como potencial para el movimiento en z y Ee es la energı́a
del electrón libre. Estas dos ecuaciones se resuelven mediante el método
de disparo trigonométrico (Apéndice A), obteniendo fe y Ee .
b. Para el hueco libre, la ecuación de Schrödinger es

Ĥh fh (ρh , zh ) = Eh fh (ρh , zh ), (4.17)

o
Ĥh fh (ρh , zh ) = −αh ∇2h fh (ρh , zh ) + Vh fh (ρh , zh ). (4.18)

69
 Los potenciales de confinamiento para el hueco dependerán de la posición
de éste en la superred. Ası́, como el caso del electrón, cuando el hueco
está dentro de los pozos el potencial es cero y cuando está en las barreras
es VBh y, finalmente, en la dirección radial el potencial es Vh
{ {
ν(z), 0 < ρh < R 0 → P ozo
Vh = con ν(z) = (4.19)
Vh , ρh > R VBh → Barrera

De igual manera que para el electrón se asume la función de onda del hueco
en dos partes, una función radial que depende de la posición z en que se
encuentre, y otra función a lo largo de z. Esto asumiendo que la dinámica
es mayor en la dirección radial, lo cual corresponde a la aproximación
adiabática (Kittel (1996) [27]). Según lo anterior la función queda

fh = fhρ (ρh , zh )fhz (zh ). (4.20)

Con la energı́a radial como potencial para el movimiento axial, y reem-

plazando la función de onda en el Hamiltoniano podemos obtener las sigu-
ientes dos ecuaciones para fhρ y fhz ,
( )
∂ 2 fhρ 1 ∂fhρ
−αh 2
+ + Vh fhρ = Ehρ (zh )fhρ , (4.21)
∂ρh ρh ∂ρh

d2 fhz
−αh + Ehρ (zh )fhz = Eh fhz , (4.22)
dzh2
estas ecuaciones se resuelven mediante barrido trigonométrico.

4.2.2. Solución para el electrón y hueco correlacionado

(excitón)
Una vez resuelto el problema para el caso libre, se resuelve el caso del
excitón. Para esto se emplea el principio variacional de Schrödinger, pero
en lugar de ajustar un parámetro en una función preestablecida, se intenta
encontrar la función más adecuada. Recordemos que se supuso para ψ

ψ(ρe , ρh , ze , zh , reh ) = fe (ρe , ze )fh (ρh , zh )ϕ(reh ), (4.23)

donde ϕ(reh ) es la funcion envolvente que da cuenta de la correlación y, por

tanto, se debe minimizar.
Del principio variacional, para minimizar ϕ se crea el funcional,

F [ϕ] = ⟨ψ|Ĥ − Eex |ψ⟩ → mı́n. (4.24)

70
Reemplazando el Hamiltoniano y ψ en el funcional tenemos,
⟨   ⟩
 1 

F [ϕ] = fe fh ϕ Ĥe + Ĥh − αϵ 
− Eex  fe fh ϕ
reh
⟨( ) ⟩
αϵ
=⟨fe fh ϕ|fh Ĥe (fe ϕ) + fe Ĥh (fh ϕ)⟩ − 2 2 2
+ Eex fe fh ϕ
reh
⟨( ) ⟩
αϵ
= ⟨fe fh ϕ|fh Ĥe (fe ϕ)⟩ + ⟨fe fh ϕ|fe Ĥh (fh ϕ)⟩ − 2 2 2
+ Eex fe fh ϕ
| {z } | {z } reh
Ie Ih | {z }
A
(4.25)
Por comodidad se definen los valores esperados por Ie , Ih y A para facilitar
el análisis del cálculo.

Valor esperado Ie
De la definición anterior Ie con el Hamiltoniano expandido es,
Ie = ⟨fe fh ϕ|fh [−αe ∆ρe (fe ϕ) − αe ∆φe (feϕ ) − αe ∆ze (fe ϕ) + Ve fe ϕ]⟩, (4.26)
donde
∂2 1 ∂ ∂2 ∂2
∆ρe → + , ∆φ e → , ∆z e → , (4.27)
∂ρ2e ρe ∂ρe ∂φ2e ∂ze2
son las componentes del Laplaciano en coordenadas cilı́ndricas.
Operando las componentes del Laplaciano y simplificando se obtiene

Ie = ⟨Ee fe2 fh2 ϕ2 ⟩ + ⟨αe fh2 fe2 [(∇ρe ϕ)2 + (∇φe ϕ)2 + (∇ze ϕ)2 ]⟩ . (4.28)

Valor esperado Ih
Para el caso de Ih , ya que la estructura funcional es similar al de Ie se
obtiene,

Ih = ⟨Eh fe2 fh2 ϕ2 ⟩ + ⟨αh fe2 fh2 [(∇ρh ϕ)2 + (∇φh ϕ)2 + (∇zh ϕ)2 ]⟩ . (4.29)

Valor esperado funcional

El funcional total es: F [ϕ] = Ie + Ih − A, reemplazando los respectivos
resultados se tiene
αϵ
F [ϕ] =⟨fe2 fh2 ϕ2 (Ee + Eh − − Eex )⟩+
reh
⟨fe2 fh2 [αe ((∇ρe ϕ)2 + (∇φe ϕ)2 + (∇ze ϕ)2 )]⟩+
⟨fe2 fh2 [αh ((∇ρh ϕ)2 + (∇φh ϕ)2 + (∇zh ϕ)2 )]⟩, (4.30)

71
ya que ϕ es función de reh se deben encontrar las derivadas parciales respecto
a las coordenadas del electrón y el hueco.
En general
∂ϕ 1 ∂ϕ ∂ϕ
∇ϕ = ρ̂ + φ̂ + ẑ, (4.31)
∂ρ ρ ∂φ ∂z
( )2 ( )2 ( )2
∂ϕ 1 ∂ϕ ∂ϕ
(∇ϕ) = (∇ϕ) · (∇ϕ) =
2
+ 2 + , (4.32)
∂ρ ρ ∂φ ∂z
por la regla de la cadena, para las coordenadas del electrón y el hueco se
tiene
∂ϕ ∂ϕ ∂reh ∂ϕ ∂ϕ ∂reh ∂ϕ ∂ϕ ∂reh
= , = , = , (4.33)
∂ρe ∂reh ∂ρe ∂φe ∂reh ∂φe ∂ze ∂reh ∂ze

∂ϕ ∂ϕ ∂reh ∂ϕ ∂ϕ ∂reh ∂ϕ ∂ϕ ∂reh

= , = , = , (4.34)
∂ρh ∂reh ∂ρh ∂φh ∂reh ∂φh ∂zh ∂reh ∂zh
y teniendo en cuenta que reh es la separación entre el electrón y el hueco, el
cual en coordenadas cilı́ndricas esta dado por
2
reh = ρ2e + ρ2h − 2ρe ρh cos(φe − φh ) + (ze − zh )2 , (4.35)
y realizando las derivaciones parciales correspondientes se reemplaza en el
funcional para obtener
⟨ ( )⟩
αϵ
F [ϕ] = fe2 fh2 ϕ2 Ee + Eh − − Eex +
reh
⟨ {( )2 [ [ ]]}⟩
∂ϕ (ρe − ρh cos(φe − φh ))2 1 ρ2e ρ2h sin2 (φe − φh ) (ze − zh )2
fe2 fh2 αe 2
+ 2
+ 2
+
∂reh reh ρ2e reh reh
⟨ {( ) [ [ ]]}⟩
∂ϕ 2 (ρh − ρe cos(φe − φh ))2 1 ρ2e ρ2h sin2 (φe − φh ) (ze − zh )2
fe2 fh2 αh 2
+ + .
∂reh reh ρ2h 2
reh 2
reh
(4.36)

Simplificando se obtiene
⟨ { ( ) }⟩
′ 2 αϵ
F [ϕ] = fe fh (ϕ ) (αe + αh ) + Ee + Eh −
2 2
− Eex ϕ2 , (4.37)
reh

con ϕ′ = drdϕeh .
El valor esperado se calcula de la forma:
∫ ∞ {∫ ∞ ∫ ∞∫ L ∫ L ∫ 2π ∫ 2π
F [ϕ] = dreh ρe dρe ρh dρh dze dzh dφe dφh
0 0 0 0 0 0 0
[ ( ) ]}
′ 2 αϵ
feρ fez fhρ fhz (αe + αh )(ϕ ) + Ee + Eh −
2 2 2 2
− Eex ϕ · feρ fez fhρ fhz
2 2 2 2 2
reh
(√ )
·δ ρe + ρh − 2ρe ρh cos(φe − φh ) + (ze − zh ) − reh
2 2 2 (4.38)

72
El delta de dirac se introduce debido a que la ecuación es válida sólo cuando
√
reh = ρ2e + ρ2h − 2ρe ρh cos(φe − φh ) + (ze − zh )2 , (4.39)

si se define una función la cual se denominará el Jacobiano J(r) como

∫ ∞ ∫ ∞ ∫ L ∫ L ∫ 2π ∫ 2π
J(reh ) = ρe dρe ρh dρh dze dzh dφe dφh
0 0
(√ 0 0 0
) 0

feρ fez fhρ fhz × δ

2 2 2 2
ρeh + (ze − zh ) − reh ,
2 2 (4.40)

donde ρ2eh = ρ2e + ρ2h − 2ρe ρh cos(φe − φh ).

Con estas nuevas definiciones la integral del funcional queda

∫ ∞ { }
F [ϕ] = dreh (αe + αh )J(reh )(ϕ′ (reh ))2 + E(reh )ϕ2 (reh )J(reh ) , (4.41)
0

donde se define E(reh ) = Ee + Eh − rαehϵ − Eex . Si se escribe el funcional como

el valor esperado de una función Lagrangiana

F [ϕ] = ⟨L(ϕ′ (reh ), ϕ(reh ))⟩, (4.42)

la función L(ϕ′ (reh )) queda como,

L(ϕ′ (reh ), ϕ(reh )) = (αe + αh )J(reh )(ϕ′ (reh ))2 + E(reh )ϕ2 (reh )J(reh ). (4.43)

Para minimizar el funcional se emplea la ecuación de Euler-Lagrange:

d ∂L ∂L
− = 0, (4.44)
dr ∂ϕ′ ∂ϕ
Cuando el Lagrangiano satisface la condición se tiene que
∫ ∞
reh L(ϕ′ (reh ), ϕ(reh )) → mı́n, y por lo tanto F [ϕ] → mı́n, (4.45)
0

que es exáctamente lo que se necesita.

Se resuelve la ecuación de Euler-Lagrange obteniendo:
d ∂L ∂L d
′
− = (2(αe + αh )J(reh )ϕ′ (reh )) − 2E(reh )J(reh )ϕ(reh )
dreh ∂ϕ ∂ϕ dreh
=2(αe + αh )J ′ (reh )ϕ′ (reh ) + 2(αe + αh )J(reh )ϕ′ (reh )
− 2E(reh )J(reh )ϕ(reh ). (4.46)

73
Igualando a cero y dividiendo por 2(αe + αh )J(reh ) se tiene

d2 ϕ(reh ) d(ln(J(reh )) dϕ(reh ) E(reh )

2
+ · − ϕ(reh ) = 0. (4.47)
dreh dreh dreh (αe + αh )

De esta manera, se ha obtenido una ecuación diferencial de segundo orden

para la función envolvente ϕ(reh ) (función variacional), haciendo las sigu-
ientes definiciones
d E(reh )
W (reh ) = (ln(J(reh ))) , U (reh ) = , (4.48)
dreh αe + αh
se reescribe la ecuación para obtener

ϕ′′ (reh ) + W (reh )ϕ′ (reh ) + U (reh )ϕ(reh ) = 0. (4.49)

La cual se resuelve mediante el método de barrido trigonométrico (ver Apéndice

A). Se debe tener en cuenta que para solucionar la ecuación se debe calcular
el Jacobiano, el cual al simplificarlo (ver Apéndice B) queda:
∫ L ∫ bzh ∫ ∞ ∫ 1
f 2 (ρe , ze )F+ (ze , zh , ρe , x)
J(reh ) =4πreh dze dzh ρe dρe dx e √
0 azh 0 0 (2 − x2 )
f 2 (ρe , ze )F− (ze , zh , ρe , x)
· e √ . (4.50)
(2 − x2 )

Donde azh = max{0, (ze − reh )} ; bzh = min{L, (ze + reh )}

(√ )
√
F± (ze , zh , ρe , x) = fh2 2 − (z − z )2 ± 2ρ
ρ2e + reh 2 − (z − z )2 (1 − x2 ), z
reh .
e h e e h h

(4.51)
Una vez encontrada ϕ(reh ) se obtiene la función de onda que mejor se ajusta
al problema, y se obtiene la respectiva energı́a del excitón en su estado base
Eex . La energı́a de enlace se calcula como la diferencia entre las del electrón
y el hueco libre menos la energı́a del excitón,

Eenlace = Ee + Eh − Eex . (4.52)

4.3. Presión
Del cuadro 3.1, y de las expresiones que modifican los parámetros de la red
cuando se aplica presión (3.70) reportados por Elabsy, se encuentra el cambio
de la energı́a de enlace del excitón, de la misma manera como se encontró en

74
 Nombre Parámetro Valor
Masa efectiva electrón me 0.067m0
Masa efectiva del hueco en ρ mhρ 0.1m0
Masa efectiva del hueco en z mhz 0.45m0
Masa efectiva del hueco pesado mh 0.216m0
Gap de energı́a Eg 1.155x+0.37x2
Constante dieléctrica ϵ 12.5
Radio de Bohr efectivo a∗B 9.9 nm
Rydberg efectivo Ry∗ 5.83 meV
Concentración Al x 0.1 adentro, 0.4 afuera

Cuadro 4.1: Parámetros para el GaAs [29].

el caso del punto cuántico. Se obtienen los parámetros para una presión dada
y se resuelve el modelo completo para obtener el valor de energı́a, luego se
cambia la presión y se repite el proceso.
Dependiendo de la presión, el Hamiltoniano queda
( 2 )
~2 ~2 e 1
Ĥ = − ∇e −
2
∇h + Ve (P ) + Vh (P ) −
2
, (4.53)
2me (P ) 2mh (P ) ϵ(P ) reh

de esta manera los parámetros α que se definieron se verán afectados por la

presión.

4.4. Resultados y análisis

Para el desarrollo del modelo se utilizaron los parámetros que se muestran
en el cuadro 4.1 para el GaAs1 [29]; se debe tener en cuenta que el hueco
pesado se calcula cómo mh =(2/3)mhρ + (1/3)mhz [54]. Para la superred se
tomaron 5 pozos, de tal forma que el hilo inicia y termina en pozo. El ancho
de las barreras fue de 0.5 a∗B y el de los pozos de 1 a∗B ; las alturas de las
barreras dejaron fijas con la concentración de Aluminio que se mostró en el
cuadro 4.1. Para los cálculos se empleó una temperatura de 4 K y se consid-
eraron los excitones pesados.

En la Fig.4.6 se muestra la energı́a de enlace del excitón variando el radio del

hilo con presiones P=0, 20 y 40 Kbar. Sin presión, Fig.4.6, se observa para
radios del orden de 400 Å en adelante cómo la energı́a de enlace va tendiendo
1
Estos parámetros son los que se emplean a presión cero.

75
 50
Energia de enlace (meV)

P = 0 kbar
40
P = 20 kbar
P = 40 kbar
30

20

10

0
0 100 200 300 400
R (Å)
Figura 4.6: Energı́a de enlace en función del radio del hilo para P=0, 20 y 40
Kbar.

al valor del GaAs de 5.83 meV. A medida que disminuye el radio, la energı́a
de enlace aumenta hasta alcanzar un máximo, para luego descender nueva-
mente, en principio al valor del GaAlAs en bloque. Este comportamiento se
encuentra en concordancia con los observados en otras heteroestructuras y,
en nuestro caso, con el que se obtuvo para los puntos cuánticos. El máximo
de la energı́a se localiza en un radio cercano a 40 Å y con un valor de energı́a
de 22 meV, se observa un pequeño aumento comparado con el caso de un
sólo hilo cuántico del mismo material. Este dato fue reportado por Raigoza y
colaboradores [13], quienes emplearon una función de prueba hidrogenoide.
Cuando el radio disminuye, las funciones de onda del electrón y del hue-
co penetran la barrera fuera del hilo y las barreras a lo largo de z. Esta
penetración en las barreras hace que las partı́culas se encuentren menos con-
finadas en los pozos, disminuyendo la energı́a de enlace. Cuando se aplica
presión se observa el aumento de la energı́a a medida que disminuye el radio
de la superred; para un radio dado se puede observar el aumento de la en-
ergı́a con el cambio de la presión. El máximo se desplaza a radios menores

76
igual que para el caso de los puntos, ya que al aumentar la presión aumen-
tan las alturas de las barreras alejando el nivel del estado base del borde de
ellas. Esto hace que las funciones de onda se encuentren más localizadas en
los pozos, requiriendo un radio menor para aumentar la energı́a de enlace y
ası́ alcanzar el desbordamiento de las funciones dentro de las barreras. Para
radios menores el valor de energı́a debe tender al del GaAsAl. Se observa que
el efecto de presión es mucho más notorio para radios pequeños.

A medida que aumenta la presión, la constante dieléctrica se reduce generan-

do un aumento de la energı́a de enlace; ası́ mismo el radio del hilo dismin-
uye acercando más al electrón y al hueco, incrementanto la interacción de
Coulomb y por tanto la energı́a.

Ya que la función de onda del excitón logra hacer tunelamiento a través

de las barreras en la dirección z se observa para el caso de P=40 Kbar que
el máximo de energı́a es del orden de los 40 meV, casi 20 meV menos que
el máximo alcanzado para el punto cuántico a P=0 Kbar, lo que demuestra
el aumento en la energı́a de enlace debido al confinamiento en las 3 dimen-
siones.

En la Fig.4.7 se muestran las distribuciones de probabilidad calculadas para

las funciones de onda del electrón y del hueco con 5 pozos, un radio para el
nanohilo de R=0.5 a∗B , un ancho de pozo de 1 a∗B y un ancho de barrera de
0.5 a∗B .

Las figuras superiores muestran las funciones de onda a P=0 Kbar y las
inferiores a P=40 Kbar. Para el caso sin presión se puede observar que tanto
para el electrón como para el hueco la distribución de probabiliada se encuen-
tra localizada en el pozo central de la superred con presencia de tunelamiento
en las barreras laterales, en los pozos siguientes disminuye la probabilidad, y
en el primer y último pozo no se observan rastros de las funciones.

En la parte radial, tanto para el electrón como para el hueco, las funciones de
onda caen dentro de los pozos y barreras antes de alcanzar el radio del hilo,
de manera que no se encuentran rastros de ellas para radios mayores a 0.5 a∗B .

Para el caso del electrón se puede ver cómo en la dirección z la función

de onda alcanza a penetrar en las barreras con cierta probabilidad de encon-
trarse dentro de ellas. Para el caso del hueco, la probabilidad es mucho menor
ya que su masa es superior que la del electrón, esto dificulta su movilidad
concentrándolo en los pozos. A una presión de P=40 Kbar, el confinamiento

77
 Función de Onda, Electrón libre P=0 Kbar Función de Onda, Hueco libre P=0 Kbar

1,000
0,9900 1,000
0,9900
0,9800
0,9700 0,9800
0,9700
0,9600
0,9500 0,9600
0,9500
0,9400
0,9300 0,9400
0,9300
0,9200
0,9100 0,9200
0,9100
0,9000
0,8900 0,9000
0,8900
0,8800
0,8700 0,8800
0,8700
0,4 0,8600
0,8500 0,4 0,8600
0,8500
0,8400
0,8300 0,8400
0,8300
0,8200
0,8100 0,8200
0,8100
0,8000
0,7900 0,8000
0,7900
0,7800
0,7700 0,7800
0,7700
0,7600
0,7500 0,7600
0,7500
0,7400
0,7300 0,7400
0,7300
0,7200
0,7100 0,7200
0,7100
0,7000
0,6900 0,7000
0,6900
0,6800
0,6700 0,6800
0,6700
0,2 0,6600
0,6500 0,2 0,6600
0,6500
0,6400
0,6300 0,6400
0,6300
0,6200
0,6100 0,6200
0,6100
0,6000
0,5900 0,6000
0,5900
0,5800
0,5700 0,5800
0,5700
0,5600
0,5500 0,5600
0,5500
0,5400
0,5300 0,5400
0,5300
0,5200
0,5100 0,5200
0,5100
0,5000
0,4900 0,5000
0,4900
0,4800
0,4700 0,4800
0,4700
Radio

Radio
0,0 0,4600
0,4500 0,0 0,4600
0,4500
0,4400
0,4300 0,4400
0,4300
0,4200
0,4100 0,4200
0,4100
0,4000
0,3900 0,4000
0,3900
0,3800
0,3700 0,3800
0,3700
0,3600
0,3500 0,3600
0,3500
0,3400
0,3300 0,3400
0,3300
0,3200
0,3100 0,3200
0,3100
0,3000
0,2900 0,3000
0,2900
0,2800
0,2700 0,2800
0,2700
-0,2 0,2600
0,2500
0,2400
-0,2 0,2600
0,2500
0,2400
0,2300
0,2200 0,2300
0,2200
0,2100
0,2000 0,2100
0,2000
0,1900
0,1800 0,1900
0,1800
0,1700
0,1600 0,1700
0,1600
0,1500
0,1400 0,1500
0,1400
0,1300
0,1200 0,1300
0,1200
0,1100
0,1000 0,1100
0,1000
0,09000
0,08000 0,09000
0,08000
-0,4 0,07000
0,06000 -0,4 0,07000
0,06000
0,05000
0,04000 0,05000
0,04000
0,03000
0,02000 0,03000
0,02000
0,01000
0 0,01000
0

0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Largo del hilo (z) Largo del hilo (z)

Función de Onda, Hueco libre P=40 Kbar

Función de Onda, Electrón libre P=40 Kbar
1,000
0,9900
0,9800
0,9700
0,9600
0,9500
1,000
0,9900 0,9400
0,9300
0,9800
0,9700 0,9200
0,9100
0,9600
0,9500 0,9000
0,8900
0,9400
0,9300 0,8800
0,8700
0,9200
0,9100 0,4 0,8600
0,8500
0,9000
0,8900 0,8400
0,8300
0,8800
0,8700 0,8200
0,8100
0,4 0,8600
0,8500 0,8000
0,7900
0,8400
0,8300 0,7800
0,7700
0,8200
0,8100 0,7600
0,7500
0,8000
0,7900 0,7400
0,7300
0,7800
0,7700 0,7200
0,7100
0,7600
0,7500 0,7000
0,6900
0,7400
0,7300 0,6800
0,6700
0,7200
0,7100 0,2 0,6600
0,6500
0,7000
0,6900 0,6400
0,6300
0,6800
0,6700 0,6200
0,6100
0,2 0,6600
0,6500 0,6000
0,5900
0,6400
0,6300 0,5800
0,5700
0,6200
0,6100 0,5600
0,5500
0,6000
0,5900 0,5400
0,5300
0,5800
0,5700 0,5200
0,5100
0,5600
0,5500 0,5000
0,4900
0,5400
0,5300 Radio 0,4800
0,4700
0,5200
0,5100 0,0 0,4600
0,4500
0,5000
0,4900 0,4400
0,4300
0,4800
0,4700 0,4200
0,4100
Radio

0,0 0,4600
0,4500 0,4000
0,3900
0,4400
0,4300 0,3800
0,3700
0,4200
0,4100 0,3600
0,3500
0,4000
0,3900 0,3400
0,3300
0,3800
0,3700 0,3200
0,3100
0,3600
0,3500 0,3000
0,2900
0,3400
0,3300 0,2800
0,2700
0,3200
0,3100 -0,2 0,2600
0,2500
0,3000
0,2900 0,2400
0,2300
0,2800
0,2700 0,2200
0,2100
-0,2 0,2600
0,2500 0,2000
0,1900
0,2400
0,2300 0,1800
0,1700
0,2200
0,2100 0,1600
0,1500
0,2000
0,1900 0,1400
0,1300
0,1800
0,1700 0,1200
0,1100
0,1600
0,1500 0,1000
0,09000
0,1400
0,1300 0,08000
0,07000
0,1200
0,1100 -0,4 0,06000
0,05000
0,1000
0,09000 0,04000
0,03000
0,08000
0,07000 0,02000
0,01000
-0,4 0,06000
0,05000 0
0,04000
0,03000
0,02000
0,01000
0

0 1 2 3 4 5 6 7 8
0 1 2 3 4 5 6 7 8 Largo del hilo (z)
Largo del hilo (z)

Figura 4.7: Funciones de onda para el electrón y el hueco libre en la superred.

Arriba: Electrón y hueco a presion P=0 Kbar, Abajo: Elecctrón y hueco a presión
P=40 Kbar.

es mucho más notorio; para el caso del electrón, la distribución de proba-

bilidad esta completamente dentro de los pozos, siendo el pozo central el
más probable. A diferencia del caso de P=0 Kbar, no se encuentran rastros
de las funciones de onda dentro de las barreras, las funciones de onda caen
a cero antes de entrar en ellas. Por esta razón la energı́a del electrón aumenta.

Para el caso del hueco el comportamiento es similar, concentrando la fun-

ción de onda dentro de los pozos, siendo el pozo central el más probable.
Aunque, para el caso sin presión el tunelamiento en las barreras era poco, al
someterse a presión el confinamiento se hace prácticamente igual al caso del
electrón.

Para el cálculo de la distribución de probabilidad del excitón se fijó la posi-

ción del electrón en el primer pozo, el segundo pozo, la segunda barrera y el
tercer pozo, luego se repite el proceso fijando esta vez el hueco en las mismas
posiciones. En la Fig.4.8 se muestran las distribuciones de probabilidad para
el excitón fijando el electrón en las posiciones antes mencionadas para una

78
 Electrón primer pozo, P=40 Kbar
Electrón primer pozo, P=0 Kbar
1,000
0,9900 1,000
0,9900
0,9800
0,9700 0,9800
0,9700
0,9600
0,9500 0,9600
0,9500
0,9400
0,9300 0,9400
0,9300
0,9200
0,9100 0,9200
0,9100
0,9000
0,8900 0,9000
0,8900
0,8800
0,8700 0,8800
0,8700
0,4 0,8600
0,8500 0,4 0,8600
0,8500
0,8400
0,8300 0,8400
0,8300
0,8200
0,8100 0,8200
0,8100
0,8000
0,7900 0,8000
0,7900
0,7800
0,7700 0,7800
0,7700
0,7600
0,7500 0,7600
0,7500
0,7400
0,7300 0,7400
0,7300
0,7200
0,7100 0,7200
0,7100
0,7000
0,6900 0,7000
0,6900
0,6800
0,6700 0,6800
0,6700
0,2 0,6600
0,6500 0,2 0,6600
0,6500
0,6400
0,6300 0,6400
0,6300
0,6200
0,6100 0,6200
0,6100
0,6000
0,5900 0,6000
0,5900
0,5800
0,5700 0,5800
0,5700
0,5600
0,5500 0,5600
0,5500
0,5400
0,5300 0,5400
0,5300
0,5200
0,5100 0,5200
0,5100
0,5000
0,4900 0,5000
0,4900
0,4800
0,4700 0,4800
0,4700
Radio

Radio
0,0 0,4600
0,4500 0,0 0,4600
0,4500
0,4400
0,4300 0,4400
0,4300
0,4200
0,4100 0,4200
0,4100
0,4000
0,3900 0,4000
0,3900
0,3800
0,3700 0,3800
0,3700
0,3600
0,3500 0,3600
0,3500
0,3400
0,3300 0,3400
0,3300
0,3200
0,3100 0,3200
0,3100
0,3000
0,2900 0,3000
0,2900
0,2800
0,2700 0,2800
0,2700
-0,2 0,2600
0,2500
0,2400 -0,2 0,2600
0,2500
0,2400
0,2300
0,2200 0,2300
0,2200
0,2100
0,2000 0,2100
0,2000
0,1900
0,1800 0,1900
0,1800
0,1700
0,1600 0,1700
0,1600
0,1500
0,1400 0,1500
0,1400
0,1300
0,1200 0,1300
0,1200
0,1100
0,1000 0,1100
0,1000
0,09000
0,08000 0,09000
0,08000
-0,4 0,07000
0,06000 -0,4 0,07000
0,06000
0,05000
0,04000 0,05000
0,04000
0,03000
0,02000 0,03000
0,02000
0,01000
0 0,01000
0

0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Largo del hilo (z) Largo del hilo (z)

Electrón segundo pozo, P=4o Kbar)

Electrón segundo pozo, P=0 Kbar
1,000
0,9900 1,000
0,9900
0,9800
0,9700 0,9800
0,9700
0,9600
0,9500 0,9600
0,9500
0,9400
0,9300 0,9400
0,9300
0,9200
0,9100 0,9200
0,9100
0,9000
0,8900 0,9000
0,8900
0,8800
0,8700 0,8800
0,8700
0,4 0,8600
0,8500 0,4 0,8600
0,8500
0,8400
0,8300 0,8400
0,8300
0,8200
0,8100 0,8200
0,8100
0,8000
0,7900 0,8000
0,7900
0,7800
0,7700 0,7800
0,7700
0,7600
0,7500 0,7600
0,7500
0,7400
0,7300 0,7400
0,7300
0,7200
0,7100 0,7200
0,7100
0,7000
0,6900 0,7000
0,6900
0,6800
0,6700 0,6800
0,6700
0,2 0,6600
0,6500 0,2 0,6600
0,6500
0,6400
0,6300 0,6400
0,6300
0,6200
0,6100 0,6200
0,6100
0,6000
0,5900 0,6000
0,5900
0,5800
0,5700 0,5800
0,5700
0,5600
0,5500 0,5600
0,5500
0,5400
0,5300 0,5400
0,5300
0,5200
0,5100 0,5200
0,5100
0,5000
0,4900 0,5000
0,4900
0,4800
0,4700 0,4800
0,4700
Radio

Radio

0,0 0,4600
0,4500 0,0 0,4600
0,4500
0,4400
0,4300 0,4400
0,4300
0,4200
0,4100 0,4200
0,4100
0,4000
0,3900 0,4000
0,3900
0,3800
0,3700 0,3800
0,3700
0,3600
0,3500 0,3600
0,3500
0,3400
0,3300 0,3400
0,3300
0,3200
0,3100 0,3200
0,3100
0,3000
0,2900 0,3000
0,2900
0,2800
0,2700 0,2800
0,2700
-0,2 0,2600
0,2500
0,2400 -0,2 0,2600
0,2500
0,2400
0,2300
0,2200 0,2300
0,2200
0,2100
0,2000 0,2100
0,2000
0,1900
0,1800 0,1900
0,1800
0,1700
0,1600 0,1700
0,1600
0,1500
0,1400 0,1500
0,1400
0,1300
0,1200 0,1300
0,1200
0,1100
0,1000 0,1100
0,1000
0,09000
0,08000 0,09000
0,08000
-0,4 0,07000
0,06000 -0,4 0,07000
0,06000
0,05000
0,04000 0,05000
0,04000
0,03000
0,02000 0,03000
0,02000
0,01000
0 0,01000
0

0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Largo del hilo (z) Largo del hilo (z)

Electrón segunda barrera, P=0 Kbar Electrón segunda barrera, P=40 Kbar
1,000
0,9917
0,9833 1,000
0,9900
0,9750
0,9667 0,9800
0,9700
0,9583
0,9500
0,9417 0,9600
0,9500
0,9333
0,9250 0,9400
0,9300
0,9167
0,9083
0,9000 0,9200
0,9100
0,8917
0,8833 0,9000
0,8900
0,8750
0,8667
0,8583 0,8800
0,8700
0,4 0,8500
0,8417 0,4 0,8600
0,8500
0,8333
0,8250
0,8167 0,8400
0,8300
0,8083
0,8000 0,8200
0,8100
0,7917
0,7833
0,7750 0,8000
0,7900
0,7667
0,7583 0,7800
0,7700
0,7500
0,7417
0,7333 0,7600
0,7500
0,7250
0,7167 0,7400
0,7300
0,7083
0,7000
0,6917 0,7200
0,7100
0,6833
0,6750 0,7000
0,6900
0,6667
0,6583
0,6500 0,6800
0,6700
0,2 0,6417
0,6333 0,2 0,6600
0,6500
0,6250
0,6167
0,6083 0,6400
0,6300
0,6000
0,5917 0,6200
0,6100
0,5833
0,5750
0,5667 0,6000
0,5900
0,5583
0,5500 0,5800
0,5700
0,5417
0,5333
0,5250 0,5600
0,5500
0,5167
0,5083 0,5400
0,5300
0,5000
0,4917
0,4833 0,5200
0,5100
0,4750
0,4667 0,5000
0,4900
0,4583
0,4500 0,4800
0,4700
Radio

Radio

0,0 0,4417
0,4333
0,4250 0,0 0,4600
0,4500
0,4167
0,4083
0,4000 0,4400
0,4300
0,3917
0,3833 0,4200
0,4100
0,3750
0,3667
0,3583 0,4000
0,3900
0,3500
0,3417 0,3800
0,3700
0,3333
0,3250
0,3167 0,3600
0,3500
0,3083
0,3000 0,3400
0,3300
0,2917
0,2833
0,2750 0,3200
0,3100
0,2667
0,2583 0,3000
0,2900
0,2500
0,2417
0,2333 0,2800
0,2700
-0,2 0,2250
0,2167
0,2083 -0,2 0,2600
0,2500
0,2400
0,2000
0,1917
0,1833 0,2300
0,2200
0,1750
0,1667
0,1583 0,2100
0,2000
0,1500
0,1417 0,1900
0,1800
0,1333
0,1250
0,1167 0,1700
0,1600
0,1083
0,1000 0,1500
0,1400
0,09167
0,08333
0,07500 0,1300
0,1200
0,06667
0,05833 0,1100
0,1000
0,05000
0,04167
0,03333 0,09000
0,08000
-0,4 0,02500
0,01667 -0,4 0,07000
0,06000
0,008333
0 0,05000
0,04000
0,03000
0,02000
0,01000
0

0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Largo del hilo (z) Largo del hilo (z)

Electrón tercer pozo, P=0 Kbar Electrón tercer pozo, P=40 Kbar
1,000
0,9900 1,000
0,9900
0,9800
0,9700 0,9800
0,9700
0,9600
0,9500 0,9600
0,9500
0,9400
0,9300 0,9400
0,9300
0,9200
0,9100 0,9200
0,9100
0,9000
0,8900 0,9000
0,8900
0,8800
0,8700 0,8800
0,8700
0,4 0,8600
0,8500 0,4 0,8600
0,8500
0,8400
0,8300 0,8400
0,8300
0,8200
0,8100 0,8200
0,8100
0,8000
0,7900 0,8000
0,7900
0,7800
0,7700 0,7800
0,7700
0,7600
0,7500 0,7600
0,7500
0,7400
0,7300 0,7400
0,7300
0,7200
0,7100 0,7200
0,7100
0,7000
0,6900 0,7000
0,6900
0,6800
0,6700 0,6800
0,6700
0,2 0,6600
0,6500 0,2 0,6600
0,6500
0,6400
0,6300 0,6400
0,6300
0,6200
0,6100 0,6200
0,6100
0,6000
0,5900 0,6000
0,5900
0,5800
0,5700 0,5800
0,5700
0,5600
0,5500 0,5600
0,5500
0,5400
0,5300 0,5400
0,5300
0,5200
0,5100 0,5200
0,5100
0,5000
0,4900 0,5000
0,4900
0,4800
0,4700 0,4800
0,4700
Radio

Radio

0,0 0,4600
0,4500 0,0 0,4600
0,4500
0,4400
0,4300 0,4400
0,4300
0,4200
0,4100 0,4200
0,4100
0,4000
0,3900 0,4000
0,3900
0,3800
0,3700 0,3800
0,3700
0,3600
0,3500 0,3600
0,3500
0,3400
0,3300 0,3400
0,3300
0,3200
0,3100 0,3200
0,3100
0,3000
0,2900 0,3000
0,2900
0,2800
0,2700 0,2800
0,2700
-0,2 0,2600
0,2500
0,2400 -0,2 0,2600
0,2500
0,2400
0,2300
0,2200 0,2300
0,2200
0,2100
0,2000 0,2100
0,2000
0,1900
0,1800 0,1900
0,1800
0,1700
0,1600 0,1700
0,1600
0,1500
0,1400 0,1500
0,1400
0,1300
0,1200 0,1300
0,1200
0,1100
0,1000 0,1100
0,1000
0,09000
0,08000 0,09000
0,08000
-0,4 0,07000
0,06000 -0,4 0,07000
0,06000
0,05000
0,04000 0,05000
0,04000
0,03000
0,02000 0,03000
0,02000
0,01000
0 0,01000
0

0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Largo del hilo (z) Largo del hilo (z)

Figura 4.8: Distribución de probabilidad para el excitón dejando fijo el electrón

en el primer pozo, segundo pozo, segunda barrera y en el tercer pozo. La columna
izquierda es para P=0 Kbar y la columna derecha es para P=40 Kbar.

79
presión de P=0 Kbar (columna izquierda) y 40 Kbar (columna derecha).

Se observa como la distribución de probabilidad se encuentra desplazada

respecto a la posición del electrón obedeciendo más a la dinámica del hueco.
Cuando el electrón se encuentra en el centro se observa que la probabilidad
de encontrar el excitón ahı́ es bastante alta con un tunelamiento débil en los
pozos laterales. Al aplicar una presión de 40 Kbar la distribución se confina
en los pozos sin ninguna probabilidad dentro de las barreras.

Para el caso del electrón en el tercer pozo, la función se encuentra completa-

mente confinada en este, de tal manera que, la probabilidad de encontrar al
excitón ahı́ es máxima, aumentando la energı́a de enlace.

En la Fig.4.9 se muestra la distribución de probabilidad del excitón fijan-

do el hueco en las mismas posiciones del electrón sometido a las presiones
P=0 Kbar (columna izquierda) y P=40 Kbar (columna derecha).

Finalmente, la influencia del hueco es mayor que la del electrón, localizan-

do la función de onda del excitón en cercanı́as del hueco. Para el caso sin
presión se observa como la distribución de probabilidad se distribuye en las
barreras cercanas, mientras que al aplicar presión la probabilidad en las bar-
reras desaparece, confinando al excitón en los pozos, nuevamente aumentando
la energı́a de enlace.

80
 Hueco primer pozo, P=0 Kbar Hueco primer pozo, P=40 Kbar

1,000
0,9900 1,000
0,9900
0,9800
0,9700 0,9800
0,9700
0,9600
0,9500 0,9600
0,9500
0,9400
0,9300 0,9400
0,9300
0,9200
0,9100 0,9200
0,9100
0,9000
0,8900 0,9000
0,8900
0,8800
0,8700 0,8800
0,8700
0,4 0,8600
0,8500 0,4 0,8600
0,8500
0,8400
0,8300 0,8400
0,8300
0,8200
0,8100 0,8200
0,8100
0,8000
0,7900 0,8000
0,7900
0,7800
0,7700 0,7800
0,7700
0,7600
0,7500 0,7600
0,7500
0,7400
0,7300 0,7400
0,7300
0,7200
0,7100 0,7200
0,7100
0,7000
0,6900 0,7000
0,6900
0,6800
0,6700 0,6800
0,6700
0,2 0,6600
0,6500 0,2 0,6600
0,6500
0,6400
0,6300 0,6400
0,6300
0,6200
0,6100 0,6200
0,6100
0,6000
0,5900 0,6000
0,5900
0,5800
0,5700 0,5800
0,5700
0,5600
0,5500 0,5600
0,5500
0,5400
0,5300 0,5400
0,5300
0,5200
0,5100 0,5200
0,5100
0,5000
0,4900 0,5000
0,4900
0,4800
0,4700 0,4800
0,4700
Radio

Radio
0,0 0,4600
0,4500 0,0 0,4600
0,4500
0,4400
0,4300 0,4400
0,4300
0,4200
0,4100 0,4200
0,4100
0,4000
0,3900 0,4000
0,3900
0,3800
0,3700 0,3800
0,3700
0,3600
0,3500 0,3600
0,3500
0,3400
0,3300 0,3400
0,3300
0,3200
0,3100 0,3200
0,3100
0,3000
0,2900 0,3000
0,2900
0,2800
0,2700 0,2800
0,2700
-0,2 0,2600
0,2500
0,2400 -0,2 0,2600
0,2500
0,2400
0,2300
0,2200 0,2300
0,2200
0,2100
0,2000 0,2100
0,2000
0,1900
0,1800 0,1900
0,1800
0,1700
0,1600 0,1700
0,1600
0,1500
0,1400 0,1500
0,1400
0,1300
0,1200 0,1300
0,1200
0,1100
0,1000 0,1100
0,1000
0,09000
0,08000 0,09000
0,08000
-0,4 0,07000
0,06000 -0,4 0,07000
0,06000
0,05000
0,04000 0,05000
0,04000
0,03000
0,02000 0,03000
0,02000
0,01000
0 0,01000
0

0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Largo del hilo (z) Largo del hilo (z)

Hueco segundo pozo, P=0 Kbar Hueco segundo pozo, P=40 Kbar

1,000
0,9900 1,000
0,9900
0,9800
0,9700 0,9800
0,9700
0,9600
0,9500 0,9600
0,9500
0,9400
0,9300 0,9400
0,9300
0,9200
0,9100 0,9200
0,9100
0,9000
0,8900 0,9000
0,8900
0,8800
0,8700 0,8800
0,8700
0,4 0,8600
0,8500 0,4 0,8600
0,8500
0,8400
0,8300 0,8400
0,8300
0,8200
0,8100 0,8200
0,8100
0,8000
0,7900 0,8000
0,7900
0,7800
0,7700 0,7800
0,7700
0,7600
0,7500 0,7600
0,7500
0,7400
0,7300 0,7400
0,7300
0,7200
0,7100 0,7200
0,7100
0,7000
0,6900 0,7000
0,6900
0,6800
0,6700 0,6800
0,6700
0,2 0,6600
0,6500 0,2 0,6600
0,6500
0,6400
0,6300 0,6400
0,6300
0,6200
0,6100 0,6200
0,6100
0,6000
0,5900 0,6000
0,5900
0,5800
0,5700 0,5800
0,5700
0,5600
0,5500 0,5600
0,5500
0,5400
0,5300 0,5400
0,5300
0,5200
0,5100 0,5200
0,5100
0,5000
0,4900 0,5000
0,4900
0,4800
0,4700 0,4800
0,4700
Radio

Radio

0,0 0,4600
0,4500 0,0 0,4600
0,4500
0,4400
0,4300 0,4400
0,4300
0,4200
0,4100 0,4200
0,4100
0,4000
0,3900 0,4000
0,3900
0,3800
0,3700 0,3800
0,3700
0,3600
0,3500 0,3600
0,3500
0,3400
0,3300 0,3400
0,3300
0,3200
0,3100 0,3200
0,3100
0,3000
0,2900 0,3000
0,2900
0,2800
0,2700 0,2800
0,2700
-0,2 0,2600
0,2500
0,2400 -0,2 0,2600
0,2500
0,2400
0,2300
0,2200 0,2300
0,2200
0,2100
0,2000 0,2100
0,2000
0,1900
0,1800 0,1900
0,1800
0,1700
0,1600 0,1700
0,1600
0,1500
0,1400 0,1500
0,1400
0,1300
0,1200 0,1300
0,1200
0,1100
0,1000 0,1100
0,1000
0,09000
0,08000 0,09000
0,08000
-0,4 0,07000
0,06000 -0,4 0,07000
0,06000
0,05000
0,04000 0,05000
0,04000
0,03000
0,02000 0,03000
0,02000
0,01000
0 0,01000
0

0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Largo del hilo (z) Largo del hilo (z)

Hueco segunda barrera, P=0 Kbar Hueco segunda barrera, P=40 Kbar
1,000
0,9900 1,000
0,9900
0,9800
0,9700 0,9800
0,9700
0,9600
0,9500 0,9600
0,9500
0,9400
0,9300 0,9400
0,9300
0,9200
0,9100 0,9200
0,9100
0,9000
0,8900 0,9000
0,8900
0,8800
0,8700 0,8800
0,8700
0,4 0,8600
0,8500 0,4 0,8600
0,8500
0,8400
0,8300 0,8400
0,8300
0,8200
0,8100 0,8200
0,8100
0,8000
0,7900 0,8000
0,7900
0,7800
0,7700 0,7800
0,7700
0,7600
0,7500 0,7600
0,7500
0,7400
0,7300 0,7400
0,7300
0,7200
0,7100 0,7200
0,7100
0,7000
0,6900 0,7000
0,6900
0,6800
0,6700 0,6800
0,6700
0,2 0,6600
0,6500 0,2 0,6600
0,6500
0,6400
0,6300 0,6400
0,6300
0,6200
0,6100 0,6200
0,6100
0,6000
0,5900 0,6000
0,5900
0,5800
0,5700 0,5800
0,5700
0,5600
0,5500 0,5600
0,5500
0,5400
0,5300 0,5400
0,5300
0,5200
0,5100 0,5200
0,5100
0,5000
0,4900 0,5000
0,4900
0,4800
0,4700 0,4800
0,4700
Radio

Radio

0,0 0,4600
0,4500 0,0 0,4600
0,4500
0,4400
0,4300 0,4400
0,4300
0,4200
0,4100 0,4200
0,4100
0,4000
0,3900 0,4000
0,3900
0,3800
0,3700 0,3800
0,3700
0,3600
0,3500 0,3600
0,3500
0,3400
0,3300 0,3400
0,3300
0,3200
0,3100 0,3200
0,3100
0,3000
0,2900 0,3000
0,2900
0,2800
0,2700 0,2800
0,2700
-0,2 0,2600
0,2500
0,2400 -0,2 0,2600
0,2500
0,2400
0,2300
0,2200 0,2300
0,2200
0,2100
0,2000 0,2100
0,2000
0,1900
0,1800 0,1900
0,1800
0,1700
0,1600 0,1700
0,1600
0,1500
0,1400 0,1500
0,1400
0,1300
0,1200 0,1300
0,1200
0,1100
0,1000 0,1100
0,1000
0,09000
0,08000 0,09000
0,08000
-0,4 0,07000
0,06000 -0,4 0,07000
0,06000
0,05000
0,04000 0,05000
0,04000
0,03000
0,02000 0,03000
0,02000
0,01000
0 0,01000
0

0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Largo del hilo (z) Largo del hilo (z)

Hueco tercer pozo, P=0 Kbar Hueco tercer pozo, P=40 Kbar
1,000
0,9900 1,000
0,9900
0,9800
0,9700 0,9800
0,9700
0,9600
0,9500 0,9600
0,9500
0,9400
0,9300 0,9400
0,9300
0,9200
0,9100 0,9200
0,9100
0,9000
0,8900 0,9000
0,8900
0,8800
0,8700 0,8800
0,8700
0,4 0,8600
0,8500 0,4 0,8600
0,8500
0,8400
0,8300 0,8400
0,8300
0,8200
0,8100 0,8200
0,8100
0,8000
0,7900 0,8000
0,7900
0,7800
0,7700 0,7800
0,7700
0,7600
0,7500 0,7600
0,7500
0,7400
0,7300 0,7400
0,7300
0,7200
0,7100 0,7200
0,7100
0,7000
0,6900 0,7000
0,6900
0,6800
0,6700 0,6800
0,6700
0,2 0,6600
0,6500 0,2 0,6600
0,6500
0,6400
0,6300 0,6400
0,6300
0,6200
0,6100 0,6200
0,6100
0,6000
0,5900 0,6000
0,5900
0,5800
0,5700 0,5800
0,5700
0,5600
0,5500 0,5600
0,5500
0,5400
0,5300 0,5400
0,5300
0,5200
0,5100 0,5200
0,5100
0,5000
0,4900 0,5000
0,4900
0,4800
0,4700 0,4800
0,4700
Radio

Radio

0,0 0,4600
0,4500 0,0 0,4600
0,4500
0,4400
0,4300 0,4400
0,4300
0,4200
0,4100 0,4200
0,4100
0,4000
0,3900 0,4000
0,3900
0,3800
0,3700 0,3800
0,3700
0,3600
0,3500 0,3600
0,3500
0,3400
0,3300 0,3400
0,3300
0,3200
0,3100 0,3200
0,3100
0,3000
0,2900 0,3000
0,2900
0,2800
0,2700 0,2800
0,2700
-0,2 0,2600
0,2500
0,2400 -0,2 0,2600
0,2500
0,2400
0,2300
0,2200 0,2300
0,2200
0,2100
0,2000 0,2100
0,2000
0,1900
0,1800 0,1900
0,1800
0,1700
0,1600 0,1700
0,1600
0,1500
0,1400 0,1500
0,1400
0,1300
0,1200 0,1300
0,1200
0,1100
0,1000 0,1100
0,1000
0,09000
0,08000 0,09000
0,08000
-0,4 0,07000
0,06000 -0,4 0,07000
0,06000
0,05000
0,04000 0,05000
0,04000
0,03000
0,02000 0,03000
0,02000
0,01000
0 0,01000
0

0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Largo del hilo (z) Largo del hilo (z)

Figura 4.9: Distribución de probabilidad para el excitón dejando fijo el hueco en

el primer pozo, segundo pozo, segunda barrera y en el tercer pozo. La columna
izquierda es para P=0 Kbar y la columna derecha es para P=40 Kbar.

81
Capı́tulo 5

Conclusiones

Se calculó la energı́a del estado base de excitones ligeros y pesados confi-

nados en puntos cuánticos esféricos de GaAs con barreras de Ga1−x Alx As
para concentraciones de alumino distintas, como función de la pre-
sión hidrostática considerando coordenadas de Hylleraas bajo la aprox-
imación de masa efectiva. Se asumió el método variacional y funciones
de prueba hidrogenoides teniendo en cuenta la similitud del sistema
con un átomo de hidrógeno.

Aunque la fabricación de puntos cuánticos esféricos de GaAs no se ha

conseguido satisfactoriamente dadas las condiciones experimentales, se
han realizado intentos por la técnica coloidal por Uchida y colabo-
radores en 1992, y por Kher y colaboradores en 1996 [55, 56]. El modelo
esférico se empleó por su simplicidad y porque permite conocer, como
primera aproximación, los efectos causados por la cuantización y por
la presión hidrostática en los excitones confinados.

El forma de la energı́a de enlace en función del radio del punto se

encuentra en concordancia con los resultados obtenidos por otros au-
tores en estudios previos para estructuras nanométricas, indicando la
efectividad del método empleado.

Se observó el aumento de la energı́a de enlace para los excitones cuando

no se encuentran sometidos a presión. Como era de esperar, la energı́a
es mucho mayor que la obtenida para el caso del pozo cuántico repor-
tado por [13], dejando en claro el efecto de cuantización al reducir la
dimensionalidad.

Se encontró que la energı́a de enlace aumenta a medida que disminuye

el radio del punto y cuando se incrementa la presión sobre el sistema. La

82
 posición del máximo de la energı́a de enlace depende de la presión, éstas
carcaterı́sticas son de gran relevancia ya que estos sistemas pueden ser
aplicados para desarrollar sensores de presión.
Se calculó la energı́a de enlace para excitones confinados en una su-
perred de nanohilos de GaAs con barreras de Ga1−x Alx As con una con-
centración de x =0.1 rodeado de una capa de GaAlAs con una concen-
tración de x =0.4. Se aplicó el método de dimensión fractal asumiendo
la aproximación de masas efectivas, la aproximación adiabática en el
movimiento en ρ y el método variacional de Schrödinger el cual en lugar
de asumir una función de onda de prueba y encontrar el parámetro que
mejor se ajusta nos permite encontrar la función de onda más adecua-
da. Se encontró como la energı́a de enlace de los excitones depende del
radio del hilo, aumentando a medida que disminuimos los radios hasta
encontrar un valor máximo debido a los efectos de cuantización. Com-
parando con los resultados obtenidos por Raigoza y colaboradores [13]
para un nanohilo, se observa como los confinamientos adicionales por
las barreras a lo largo del eje z aumenta la energı́a de enlace. La energı́a
depende de la presión aplicada observando el efecto de desplazamiento
del máximo a radios menores a medida que se aumenta la presión.
Se calculó las distribuciones de probabilidad del excitón en la superred
observando como la presión confina las funciones de onda en los pozos
dejando en cero la probabilidad de encontrar al excitón en las barreras.
Tanto para puntos cuánticos como para superredes de nanohilos, la pre-
sión hidrostática permite sintonizar los niveles excitónicos cambiando
la absorción o emisión del dispositivo sin cambiar la heteroestructura.

5.1. Perspectivas
Para el caso de los puntos cuánticos, el siguiente paso es calcular la
energı́a de enlace para los primeros estados excitados y como se mod-
ifica esa energı́a cuando se somete a presión hidrostática. Serı́a inter-
sante considerar distintas geometrı́as como por ejemplo forma de disco
o lente, ya que éstas son las formas usuales con las que se fabrican los
puntos de GaAs y GaAlAs por los métodos de MBE.
Para el caso de las superredes es interesante continuar el análisis para
la energı́a en función de los demás parámetros como son el número
de pozos, el ancho de ellos y de las barreras, como también las dis-
tribuciones de probabilidad para estos casos. También serı́a interesante

83
determinar la energı́a de enlace para los primeros estados excitados con
y sin presión.

84
Apéndice A

Barrido Trigonométrico

Dada una ecuación diferencial de la forma,

ϕ′′ (x) + W (x)ϕ′ (x) + U (x)ϕ(x) = 0, (A.1)
para resolverla planteamos las siguientes soluciones,
ϕ(x) = A(x) cos θ(x), ϕ′ (x) = A(x) sin θ(x). (A.2)
como todas las funciones dependen de x no la escribiremos de aca en adelante
por simplicidad.
Derivando ϕ se tiene,
ϕ′ = A′ cos θ − Aθ′ sin θ, (A.3)
igualandola a la derivada que se planteo para ϕ tenemos,
A′ cos θ − Aθ′ sin θ = A sin θ, (A.4)
simplificando,
A′
cos θ = (1 + θ′ ) sin θ. (A.5)
A
Ahora derivando la derivada propuesta en (A.2),
ϕ′′ = A′ sin θ + Aθ′ cos θ, (A.6)
reemplazando (A.6), (A.3) y la solución (A.2) en la ecuación diferencial y
dividiendo por A tenemos,
( ′ )
A′ ′ A ′
sin θ + θ cos θ + W cos θ − θ sin θ + U cos θ = 0, (A.7)
A A
simplificando y despejando para θ′ ,
θ′ = −(sin2 θ + W sin θ cos θ + U cos2 θ), (A.8)

85
ésta ecuación se resuelve por cualquier método numérico, en nuestro caso
Runge-Kutta. Una vez resuelta encontramos la función correspondiente para
θ.
Ahora volvemos con (A.5) y reemplazamos la derivada de θ obteniendo,

A′
cos θ = (1 − sin2 θ − W sin θ cos θ − U cos2 θ) sin θ, (A.9)
A
simplificando,
A′
= (1 − U ) sin θ cos θ − W sin2 θ, (A.10)
A
y como [ln(A)]′ = A′ /A, reemplazamos integramos y aplicamos la exponen-
cial para encontrar A,
{∫ x }
[ ]
A = exp (1 − U ) sin θ cos θ − W sin θ dx .
2
(A.11)
0

Con θ y con A encontramos la solución para ϕ que era lo que buscábamos.

86
Apéndice B

Simplificación del Jacobiano

El Jacobiano está dado por:

∫ ∞ ∫ ∞ ∫ L ∫ L
2 2 2 2
J(reh ) = ρe dρe ρh dρh dze dzh (fρe fze )(fρh fzh )
0 0 0 0
∫ 2π ∫ 2π (√ )
dφe dφh δ ρe + ρh − 2ρe ρh cos(φe − φh ) + (ze − zh ) − reh
2 2 2
0 0
(B.1)

Como primer paso analizaremos las integrales angulares, para ello hacemos
el siguiente cambio de variable, φ = φe − φh , ϕ = φe +φ
2
h
obteniendo,
∫ 2π ∫ 2π (√ )
dφe dφh δ ρ2e + ρ2h − 2ρe ρh cos(φe − φh ) + (ze − zh )2 − reh =
0 0
∫ 2π (√ )
2π dφh δ ρ2e + ρ2h − 2ρe ρh cos φ + (ze − zh )2 − reh (B.2)
0

De la siguiente propiedad para el Delta de Dirac,

∫ 2π
1
δ(f (φ))dφ = ′ . (B.3)
0 |f (φ0 )|f (φ0 )=0

En este caso,
√
f (φ) = ρ2e + ρ2h − 2ρe ρh cos φ + (ze − zh )2 − reh . (B.4)

Derivando,
ρe ρh sen φ
δ ′ (φ) = √ (B.5)
ρ2e + ρ2h − 2ρe ρh cos φ + (ze − zh )2

87
Como necesitamos saber el valor de φ0 para el cual f (φ0 ) = 0 entonces
igualamos f (φ) = 0 y despejamos φ obteniendo:
√
f (φ0 ) = ρ2e + ρ2h − 2ρe ρh cos φ0 + (ze − zh )2 − reh = 0
(B.6)
+ (ze − zh )
ρ2e + ρ2h − 2
reh 2
cos φ0 = , (B.7)
2ρe ρh
ya que, sin2 φ = 1 − cos2 φ,
√
√ 4ρ2e ρ2h − [ρ2e + ρ2h − reh
2
+ (ze − zh )2 ]2
sin φ0 = 1 − cos2 φ0 =
2ρe ρh
(B.8)

Reemplazando en la integral tenemos:

1 reh 2reh
= =√
|f ′ (φ0 )|f (φ0 )=0 ρe ρh sin φ0 4ρ2e ρ2h − [ρ2e + ρ2h − reh
2
+ (ze − zh )2 ]2
(B.9)
√
con reh = ρ2e + ρ2h − 2ρe ρh cos φ + (ze − zh )2 (B.10)

El Jacobiano queda ahora,

∫ ∞ ∫ ∞ ∫ L ∫ L
J(reh ) =4πreh ρe dρe ρh dρh dze dzh
0 0 0 0
2 2
(f ρe f ze )(f ρh f zh2 )
2
· √ (B.11)
4ρ2e ρ2h − [ρ2e + ρ2h + (ze − zh )2 − reh
2 2
]

Dada la forma del denominador del Jacobiano es indispensable ajustar los

lı́mites de las integrales tal que desaparezcan las singularidades. Para ello
necesitamos encontrar primero las raices del denominador.
√
4ρ2e ρ2h − (ρ2e + ρ2h + (ze − zh )2 − reh
2 2
) = (B.12)
√
(r̃ + ρe + ρh ) (ρe + ρh − r̃) (r̃ + ρe − ρh ) (r̃ − ρe + ρh )
| {z }| {z }| {z }| {z }
α β ν δ

88
Con r̃2 = reh
2
− (ze − zh )2 y ρe > 0, ρh > 0, r̃ > 0.
Analizando las raı́ces en el radical se obtienen las siguientes restricciones:
α : r̃ + ρe + ρh > 0 −→ No hay restricciones (B.13)
β : r̃ < ρe + ρh −→ ρh > r̃ − ρe (B.14)
ν : r̃ > ρe − ρh −→ −ρh < r̃ − ρe (B.15)
δ : r̃ > ρh − ρe −→ ρh < r̃ + ρe (B.16)
(B.17)
Simplificando los lı́mites para ρh son:
√ 
 
ρh >  reh − (ze − zh )2 − ρe  = aρh
2
(B.18)
√
ρh < reh 2
− (ze − zh )2 + ρe = bρh (B.19)
Para el caso en z, se sabe que:
r̃ ≥ 0 ⇒ r ≥ |ze − zh | (B.20)
⇒ −r ≤ ze − zh ≤ r (B.21)
⇒ ze − r ≤ zh ≤ ze + r (B.22)
Pero como 0 ≤ zh ≤ L con L la longitud del hilo
zh ≥ ze − r ∧ zh ≥ 0 ⇒ max{0, (ze − r)} = azh (B.23)
zh ≤ r + ze ∧ zh ≤ L ⇒ min{L, (ze + r)} = bzh (B.24)
El Jacobiano queda ahora:
∫ L ∫ bzh ∫ ∞ ∫ bρh
J(reh ) = 4πreh dze dzh ρe dρe ρh dρh
0 azh 0 aρh

(f ρ2e f ze2 )(f ρ2h f zh2 )

·√ (B.25)
4ρ2e ρ2h − (ρ2e + ρ2h + (ze − zh )2 − reh
2 2
)
Sin embargo aun hay singularidades en los valores extremos de la integral
respecto a ρh . Mirando la integral,
∫ bρh
(f ρ2e f ze2 )(f ρ2h f zh2 )
Iρh = ρh dρh √ (B.26)
aρh 4ρ2e ρ2h − (ρ2e + ρ2h + (ze − zh )2 − reh
2 2
)
Dividiendo la integral en dos partes,
∫ reh
2 −(z −z )2 +ρ2
e h e
(f ρ2e f ze2 )(f ρ2h f zh2 )
I1 = ρh dρh √ (B.27)
aρh 4ρ2e ρ2h − (ρ2e + ρ2h + (ze − zh )2 − reh 2 2
)
∫ bρh
(f ρ2e f ze2 )(f ρ2h f zh2 )
I2 = √ (B.28)
2 −(z −z )2 +ρ2
reh e h e 4ρ2e ρ2h − (ρ2e + ρ2h + (ze − zh )2 − reh 2 2
)

89
Teniendo en cuenta que aρh < reh 2
−(ze −zh )2 +ρ2e < bρh El radical lo podemos
cambiar por:
√
4ρ2e ρ2h − (ρ2e + ρ2h + (ze − zh )2 − reh
2 2
) =
√
2
4ρ2e (reh − (ze − zh )2 ) − (ρ2e + reh
2
− (ze − zh )2 − ρ2h )2 (B.29)

Haciendo r̂2 = reh

2
− (ze − zh )2 reescribimos las integrales,
∫ r̂2 +ρ2e 2 2 2 2
(fρe fze )(fρh fzh )
I1 = ρh dρh √ (B.30)
aρh 4ρ2e r̂2 − (ρ2e + r̂2 − ρ2h )2
∫ bρh 2 2 2 2
(fρe fze )(fρh fzh )
I2 = ρh dρh √ (B.31)
r̂ 2 +ρ2e 4ρ2e r̂2 − (ρ2e + r̂2 − ρ2h )2
Haciendo los siguientes reemplazos:
ρ2h = (ρe − r̂)2 + 2ρe r̂y (B.32)
√
ρh = (ρe − r̂)2 + 2ρe r̂y (B.33)
√
= ρ2e + r̂2 + 2ρe r̂(y − 1) (B.34)
ρh dρh = ρe r̂dy (B.35)
En el interior del radical en la integral queda:
√
4ρ2e r̂2 − (ρ2e + r̂2 − ρ2h )2 = 2ρe r̂ y(2 − y) (B.36)
Los lı́mites de la integral I1 quedan:
y = 0, y = 1.
Para el caso I2 reemplazamos el argumento del radical por,
√
4ρ2e r̂2 − (ρ2e + r̂2 − ρ2h )2 = 2ρe r̂ y(2 − y), (B.37)
con los respectivos lı́mites,
y = 1, y = 0.
Reemplazando obtenemos las nuevas integrales,
∫ √
1 1 (fρe2 2 2
fze )(fρh ( ρ2e + r̂2 + 2ρe r̂(y − 1))fzh
2
)
I1 = dy √ ,
2 0 y(2 − y)
∫ √
1 1 (fρe2 2 2
fze )(fρh ( ρ2e + r̂2 + 2ρe r̂(1 − y))fzh
2
)
I2 = dy √ , (B.38)
2 0 y(2 − y)

90
ya que aun las integrales contienen singularidades en el denominador, real-
izamos el siguiente cambio de variable,

y = x2 → dy = 2xdx, (B.39)

con los siguientes lı́mites,

x = 0, x = 1,
finalmente obtenemos,
∫ √
1 2 2
1
(fρe 2
fze )(fρh ( ρ2e + r̂2 − 2ρe r̂(1 − x2 ))fzh
2
)
I1 = dx √ ,
2 0 (2 − x2 )
∫ √
1 1 (fρe 2 2 2
fze )(fρh ( ρ2e + r̂2 + 2ρe r̂(1 − x2 ))fzh
2
)
I2 = dx √ . (B.40)
2 0 (2 − x2 )

Ya que las integrales no presentan singularidades, definimos la funcón,

√
2
F± (ze , zh , ρe , x) = fρh ( ρ2e + r̂2 ± 2ρe r̂(1 − x2 ))fzh
2
(B.41)

obteniendo finalmente el Jacobiano,

∫ L ∫ bzh ∫ ∞ ∫ 1 fρ2e fze
2
F+ (ze , zh , ρe , x)
J(r) =4πr dz dz ρe dρe dx √
0 azh 0 0 (2 − x2 )
2 2
fρe fze F− (ze , zh , ρe , x)
· √ (B.42)
(2 − x2 )

91
Bibliografı́a

[1] Dingle, Wiegmann and Henry, Phys. Rev. Lett. 33, 827 (1974).

[2] U.S. Patente #3,982,207, publicada en Septiembre 21, 1976, Inventores

R. Dingle y C. H. Henry, ”Quantum Effects in Heterostructure Lasers”,
recibida en Marzo 7, 1975. Aplicaciones posteriores lograron laseres
azules de 405 nm fabricados con InGaN los cuales son usados actual-
mente en los discos Blu-Ray y HD-DVD.

[3] V. Derycke, R. Martel, J. Appenzeller and Ph. Avouris, Nano Lett. 9,

453-456 (2001).

[4] Ph. Avouris, Acc. Chem. Res. 12, 1026-1034 (2002).

[5] L. Brus, J. Chem. Phys 80, 4403 (1984).

[6] S. Nair, S. Sinha and K. Rustagi, Phys. Rev. B 35, 4098 (1987).

[7] Y. Kayanuma, Phys. Rev. B 41, 10261 (1990).

[8] G. Einevoll, Phys. Rev. B. 45, 3410 (1992).

[9] J. L. Marı́n, R. Riera and S. A. Cruz, J. Phys. Condens. Matter 10,

1349 (1998).

[10] J D Phillips, P K Bhattacharya, U D Venkateswaran, Phys. Status Solidi

B 211, 85 (1999).

[11] C. A. Duque, N. Porras-Montenegro, Z. Barticevic, M. Pacheco and L.

E. Oliveira, J. Phys.:Condens. Matter 18, 1877 (2006).

[12] H. O. Oyoko, C. A. Duque, and N. Porras-Montenegro, J. Appl. Phys.

90, 819 (2001).

[13] N. Raigoza, C. A. Duque, N. Porras-Montenegro and L. E. Oliveira,

Physica B 371, 153-157 (2006).

92
[14] M. S. Gudiksen, L. J. Lauhon, J. Wang, D. Smith and C. Lieber, Nature
415, 617 (2002).
[15] M. Willatzen, R. V. N. Melnik, C. Galeriu and L. C. Lew Yan Voon,
Mathematics and Computers in simulation 65, 385-397 (2004).
[16] A. Zhang, L.C. Lew Yan Voon and M. Willatzen, Phys. Rev. B 73,
045316 (2006).
[17] K. S. Chan and J. H. Wei, Phys. Rev. B 75, 125310 (2007).
[18] L. F. Garcı́a, J. Silva-Valencia, I. D. Mikhailov and J. E. Galván-Moya,
Physica B 403, 5-11 (2008).
[19] A.M. Elabsy, J. Phys.: Condens. Matter. 6, 10025 (1994).
[20] A.M. Elabsy, Physica Scripta 48, 376-378 (1993).
[21] A. Benedictal, B. Sukumar and K. Navaneethakrishnan, Phys. Stat. Sol.
178, 167 (1993).
[22] S. G. Jayam and K. Navaneethakrishnan, Solid State Communications
126, 681 (2003).
[23] I. Vurgaftman, J.R. Meyer and L.R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89,
5815 (2001).
[24] W. Nakwaski, Physica B 210 1 (1995).
[25] D.M. Szmyd, P. Porro, A. Majerfeld and S. Lagomarsino, J. Appl. Phys.
68, 2367 (1990).
[26] M. Fox. Optical Properties of Solids. Oxford University Press. New York
(2001).
[27] C. Kittel. Introduction to Solid State Physics Seventh Edition. John
Wiley and Sons. New York (1996).
[28] G. Bastard, E.E. Mendez, L.L. Chang and L. Esaki, Phys. Rev. B 26,
1974 (1982).
[29] R.L. Greene, K.K. Bajaj and D.E. Phelps, Phys. Rev. B 29, 1807 (1984).
[30] E. Herbert Li, Physica E 5 215 (2000).
[31] R. A. Escorcia, R. Robayo and I. D. Mikhailov, Phys. Stat. Sol.B 230,
431 (2002).

93
[32] S. G. Jayam and K. Navaneethakrishnan, Solid State Communications
126, 681 (2003).

[33] J. H. Davies. The physics of low-dimensional semiconductors. Cambridge

University Press. Cambridge (1998).

[34] E. Merzbacher. Quantum Mechanics Second Edition. John Wiley and

Sons. New York (1970).

[35] C.M. Lieber, Sci. Am. 285, 58-64 (2001).

[36] Y. Cui and C.M. Lieber, Science 291, 851-853 (2001).

[37] J.F. Wang, M.S. Gudiksen, X.F. Duan, Y. Cui and C.M. Lieber, Science
293, 1455-1457 (2001).

[38] Y. Cui, Q.Q. Wei, H.K. Park and C.M. Lieber, Science 293, 1289-1292
(2001).

[39] J.F. Wang, Y. Huang, X.F. Duan, Y. Cui and C.M. Lieber, Nature 409,
66-69 (2001).

[40] N. Raigoza, C. A. Duque, E. Reyes-Gomez and L. E. Oliveira, Phys.

Stat. Sol. B 243, 635 (2006).

[41] J. Ristic, E. Calleja, M.A. Sánchez-Garcı́a and J.M. Ulloa, Phys. Rev.
B. 68, 125305 (2003).

[42] I.D. Mikhailov, F.J. Betancur, R.A. Escorcia y J. Sierra-Ortega, Phys.

Stat. Sol. B, 234, 590-610 (2002).

[43] J. Zhao, X. X. Liang and S. L. Ban, International Journal of Modern

Physics B 21, 2735 (2007).

[44] T. Takagahara, Phys. Rev. B 47, 4569 (1993); Phys. Rev. B 60, 2638
(1999); Phys. Rev. B 62, 16840 (2000).

[45] J. M. Ferreyra and C. R. Proetto, Phys. Rev. B 57, 9061 (1998); P. G.

Bolcatto and C. R. Proetto, Phys. Rev. B 59, 12487 (1999).

[46] R.A. Stradling and R.A. Wood, J. Phys. C 3 L94 (1970).

[47] G.H. Wannier, Phys. Rev. 52, 191 (1937); N.F. Mott, Trans. Faraday
Soc. 34, 500 (1938).

94
[48] Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982); H. Temkin,
G, J. Dolan, M. B. Panish and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 50, 413
(1987); Y. Arakawa, Solid-State Electron 37, 523 (1994).

[49] A. J. Peter, Physica E 28, 225 (2005).

[50] M. D. Giorgio, D. Tari, L. Manna, R. Krahne and R. Cingolani, Micro-

electronics Journal 36, 552 (2005).

[51] D. J. Wolford, J. A. Bradly, Solid State Commun, 53, 1069 (1985).

[52] C. Quimbay. Notas de Mecánica Cuántica,(2005)

[53] P. Alivisatos, Pure Appl. Chem. 72, pag 3 (2000)

[54] G. Li, S. Branis and K.K. Bajaj, J. Appl. Phys. 77, 1097 (1995).

[55] H. Uchida, C.J. Curtis, P.V. Kamat, K. Jones and A. Nozik, J. Phys.
Chem. 96, 1156 (1992).

[56] S.S. Kher and R.L. Wells, NanoStructured Materials 7, 591 (1996).

95