Ejercicios resueltos de tecnologı́a electrónica.

Tema 3. Transistor bipolar.

29 de abril de 2008

Feb-96. En el circuito de la figura, determinar:

a) Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo , con el interruptor S en la po-
sición 1, si ha permanecido en dicha posición tiempo suficiente para alcanzar las
condiciones finales.
b) Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo , con el interruptor S en la
posición 2, si ha permanecido en dicha posición tiempo suficiente para alcanzar las
condiciones finales.
c) Valor de Vo para t = 1mseg. y para t = 10mseg, si en t = 0mseg el interruptor
S pasa de la posición 1 a la 2 después de permanecer elevado tiempo en la 1.
VCC = +15V

C = 1µF
1 2
RB = 2K Vo

DZ RE = 1K


 VZ = 4,7V
DZ IZ min = 1mA
RZ = 0Ω



 Vγ = 0,5V
VBE = VBE SAT = 0,7V

BJT

 VCESAT = 0V
β = 200


Solución:

a) Pto. funcionamo con S = 1 y Vo (Rég. permanente)

QueGrande.org 1 QueGrande.org
 VCC = +15V

RB = 2K Vo

0,7V DZ RE = 1K

Vo = Vcc = 15V

15 − 4,7
IRB = = 5,15mA
2
VE = VB − VBE = 4,7 − 0,7 = 4V

4V
IE = = 4mA
1kΩ
VCE = 14 − 4 = 11V
 
IC
IC ≃ IE IB =
β
IRB >> IB ⇒ IRB ≃ IZ > 1mA

b) Pto. funcionamiento y Vo con S = 2 (Rég. est. perm.)

VCC = +15V

RB = 2K Vo
IB

0,7 IE
0,7V RE = 1K

IC = 0; BJT = sat → VCE = VCE SAT = 0V

4,7 − 0,7
IE = IB = = 4mA
1
15 − 4,7
IRB = = 5,15mA
2
IZ = IRB − IB = 5,15 − 4 = 1,15mA > IZ min


1ms
c) Vo para t = , si en t = 0 S pasa de 1 a 2 (reg, est. en 1)
10seg.

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 Vo |t=10s = . . . = 4V

Vo = VE + VCE = 4V

Sep-93. En el circuito de la figura y suponiendo T1 y T2 transistores de silicio con β1 = 50

y β2 = 20, determinar:
a) Punto de funcionamiento (IC , VCE ) de cada uno de los transistores para Vi = 10V .
b) Valor mı́nimo de Vi que satura a alguno de los transistores y punto de funciona-
miento en este caso de T1 y T2 .
VCC = 30V

RE = 10KΩ

T2
R1 = 20K
Vi T1
Vo
R2 = 80K RC = 10K


 IC1 = β1 IB1
T1 = VBE1 = 0,7V
IE1 = (1 + β1 )IB1


 IC2 = β2 IB2
T2 = −VBE2 = 0,7V
IE2 = (1 + β2 )IB2


Solución:

a) Pto. trabajo / Vi = 10V

Thévenin en la base de T1 :
1600
R1 RT = R1 k R2 = = 16KΩ
100

⇔ R2 80
Vi R2 VT = Vi = 10 · = 8V
R1 + R2 100

QueGrande.org 3 QueGrande.org
 VCC = 30V
IE2
10K
IC1 = IB2
T2

16 IC2
T1
IB1 Vo
IE1 + IC2

Ecuación malla base T1

0,8Vi = IB1 − RT + VBE1 + (IE1 + IC2 )RC = IB1 RT + VBE1 + ((1 + β2 )IB1 +
β2 β1 IB1 )RC

((Es un montaje Darlington en el sentido de que β = β1 · β2 ))

Para Vi = 10V :

8 = IB1 · 16 + 0,7 + (51IB1 + 1000IB1 ) · 10

IB1 = 0,693µA

IC1 = β1 · IB1 = 0,0346mA = IB2

IC2 = β2 · IB2 = 0,693mA

Malla de colector de T2

VCC = IE2 · RE + VEC2 + (IE1 + IC2 ) · RC

VEC2 = . . . = 15,45V ⇒ Activa.

VCE1 = VEC2 = VEB2 = . . . = 14,75V ⇒ Activa, suposición correcta.

b) Valor de Vi quesature al grupo de los transistores y pto. func.

 IC1 = βIB1
T1 → SAT ⇒ VCE1 = 0,8V
VBE1 = 0,8V


Malla colector T1 :
VCE = (1 + β2 )β1 · IB1 · RE + VEB2 + VCE1 + [(1 + β1 )IB1 + β1 β2 IB1 ] · RC

30 = 21 · 50 · IB1 · 10 + 0,7 + 0,2 + [51IB1 + 1000IB1 ] · 10

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 IB1 = IB1 SAT = 1,385µA

IC1 SAT = IB1 SAT · β = 0,0692mA

IC2 = βIB2 = 1,385mA

VCE1 = VCE SAT 1 = 0,2V

VEC2 = VEB2 + VCE1 = 0,7 + 0,2 = 0,9V

0,8Vi = IB1 · RT + VBE1 SAT + (IB1 + IC2 ) · RC

Vi = 19,22V

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