ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

Departamento de Energía Eléctrica
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA

INFORME 2

 Hacer un cuadro comparativo de los valores obtenidos de la corriente de recuperación reversa y tiempo
de recuperación reversa para los distintos casos analizados en los numerales 6.2, 6.3, y 6.4. Comentar los
resultados.

Figura. Curva de Recuperación de corriente inversa del diodo

a) Caso con una carga R:

Valores obtenidos de la corriente y tiempo de recuperación reversa del circuito de simulación de un diodo
más una carga R para:

 Frecuencia (f) de 1KHz:

𝐓𝐃 = 𝐓𝐑 = 𝐓𝐅 = 0,1μs

𝟏 1
𝐓= = = 0,001𝑠 = 1𝑚𝑠
𝒇 1KHz

𝐓 0,001
𝐏𝐖 = = = 0,0005𝑠 = 0,5𝑚𝑠
𝟐 2
Figura. Onda Cuadrada con amplitud de +100 y -100V

o Diodo Normal:

Figura. Circuito y simulación para obtener corriente de recuperación reversa del Diodo Normal (1N4007)
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Figura. Corriente de recuperación reversa del Diodo Normal (1N4007)

Figura. Tiempo de recuperación reversa del Diodo Normal (1N4007)

o Diodo Schottky:

Figura. Circuito y simulación para obtener corriente de recuperación reversa del Diodo Schottky (10BQ100)
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Figura. Corriente de recuperación reversa del Diodo Schottky (10BQ100)

Figura. Tiempo de recuperación reversa del Diodo Schottky (10BQ100)

Tabla. Corriente y tiempo de recuperación reversa de los Diodos para 1kHz

Irr y trr para f=1kHz
DIODO: Irr [mA]: trr [ns]:
Normal 377,55 749,46
Schottky 50,407 55,247
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Al analizar la tabla obtenida se puede observar que tanto la corriente y tiempo de recuperación reversa de
un diodo normal es mayor en comparación con los del diodo Schottky, sin embargo, estos valores son
pequeños. En conclusión, un diodo Schottky tiene tiempos de recuperación muy pequeños.

 Frecuencia (f) de 10KHz:

𝐓𝐃 = 𝐓𝐑 = 𝐓𝐅 = 0,1μs

𝟏 1
𝐓= = = 0,0001𝑠 = 0,1𝑚𝑠
𝒇 10kHz

𝐓 0,0001
𝐏𝐖 = = = 0,00005𝑠 = 0,05𝑚𝑠
𝟐 2

o Diodo Normal:

Figura. Corriente de recuperación reversa del Diodo Normal (1N4007)

Figura. Tiempo de recuperación reversa del Diodo Normal (1N4007)

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o Diodo Schottky:

Figura. Corriente de recuperación reversa del Diodo Schottky (10BQ100)

Figura. Tiempo de recuperación reversa del Diodo Schottky (10BQ100)

Tabla. Corriente y tiempo de recuperación reversa de los Diodos para 10kHz

Irr y trr para f=10kHz
DIODO: Irr [mA]: trr [ns]:
Normal 266,76 1303
Schottky 49,616 55,547
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Al comparar la tabla obtenida se puede analizar que, al aumentar la frecuencia, la corriente y el tiempo de
recuperación reversa varían levemente; la corriente de recuperación disminuye y el tiempo de
recuperación aumenta.

b) Caso con una carga RL:

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Mauricio Llano:

 En el análisis de esta práctica se observó que un diodo normal posee corriente y tiempo de
recuperación reversa mayor en comparación con un diodo Schottky, sin embargo, estos valores que se
presentan en el diodo normal son pequeños. En conclusión, se comprobó que el diodo Schottky tiene
la característica de recuperación rápida, por esta razón este dispositivo se utiliza en aplicaciones donde
se necesitan tiempos de recuperación pequeños.

 Adicionalmente se observó que un diodo Schottky aparte de tener corrientes y tiempos recuperación
pequeños, su voltaje umbral es de igual manera un valor pequeño (0.3 V), este voltaje es el que se
debe superar para que el diodo entre en conducción; es decir se comporte como un interruptor
cerrado cuando está en polarización directa. Dada esta característica se utiliza este diodo cuando se
necesita una caída de tensión directa muy pequeña.

 Los tiempos y corrientes de recuperación reversa se presentan cuando el diodo pasa de polarización
directa a inversa, esta transición no se realiza de forma inmediata, se tiene una circulación de corriente
a través del diodo por un pequeño instante de tiempo en sentido inverso.