ELECTRONICA DE POTENCIA I

LABORATORIO #1
CIRCUITOS DE DISPARO

INGRY CAROLINA
162212230
Ingricita12322@gmail.com
ANDRES ULLOA
162213148
andreesulloa@gmail.com
EDWAR MURCIA
162213132
Traceur_5254@hotmail.com

UJT EN CIRCUITOS DE En la figura se muestra el método clásico para

DISPARO SCR
El UJT es ideal como dispositivo de disparo
para los SCR.
Existen varios motivos para la compatibilidad
entre los UJT y los SCR:
1. El UJT genera una salida de tipo pulso, la
cual es excelente para lograr el encendido
seguro de un SCR sin poner en riesgo la
capacidad de disipación de energía de la
compuerta SCR.
2. El punto de disparo del UJT es
inherentemente estable sobre un rango amplio
de temperaturas.
3. Los circuitos de disparo del UJT son
fácilmente adaptables para control de
retroalimentación.
Circuito de disparo con
UJT
Descripción
disparar un SCR con un transistor mono unión.
En este circuito, el diodo zener ZD1 recorta la
forma de onda V\ al voltaje zener durante el
medio ciclo positivo de la línea ca. Durante el
medio ciclo negativo, ZD 1 se polariza
directamente y mantiene a Vs cercano a 0 V.
Una vez que el voltaje cd Vs se ha establecido,
Ce comienza a cargarse a través de RE Cuando
CE alcanza el pico de voltaje del UJT, el UJT
se dispara, creando un pulso de voltaje a través
de R1. Esto dispara al SCR, permitiendo de
este modo, el flujo de corriente a través de la
carga para
Este arreglo de circuito proporciona una
sincronización automática entre el pulso de
disparo del UJT y la polaridad del SCR. Es
decir, siempre que el UJT entregue un pulso,
se garantiza que el SCR tendrá la correcta
polaridad de voltaje de ánodo a cátodo para
encenderse.
La energía de la carga está controlada por el
potenciómetro RE. Cuando Re es bajo, CE se
carga rápidamente, ocasionando un disparo
anticipado del UJT y del SCR, resultando una
corriente promedio alta a través de la carga.
Cuando Re es grande, CE se carga de forma

más lenta, ocasionando un disparo demorado
y una menor corriente de carga promedio.
(a) UJT utilizado para disparar un SCR.
Cuando el UJT se dispara, activa al
SCR. El Angulo de retardo de disparo
es ajustado por RE.
(b) Forma de onda de V$. Prácticamente
es una forma de onda cuadrada
perfecta,
(c) Forma de onda de Va/, la cual se
aplica a la compuerta de SCR. El
voltaje en reposo de Vri (el voltaje
entre picos) debe ser menor que el
voltaje de disparo de la compuerta del
SCR.
(d) Forma de onda del voltaje de carga,
con un Angulo de retardo de disparo
de cerca de 60°
Consideraciones sobre el
valor óhmico de R1 del
circuito de disparo
Se debe tener cuidado cuando se seleccione R\.
El valor de R\ se debe mantener tan bajo como
sea posible y que al mismo tiempo siga siendo
capaz de generar pulsos de voltaje
suficientemente grandes para disparar de
manera confiable al SCR. Hay dos motivos
para esto:
1. Aun antes de que UJT se dispare, se
encuentra algo de flujo de corriente a través de
R1 debido a la conexión a través del cuerpo
principal del UJT a Vs. Esta comente puede ser
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fácilmente de varios miliamperios debido a
que la resistencia de estado apagado del UJT,
rBB, es solo de cerca de 10 kohm. Esto se
muestra en la ecuación
En este cálculo se despreciaron R2 y R\ debido
a que siempre son pequeñas comparado con
rBB. Debido a esta corriente no despreciable,
R\ debe mantenerse a un valor bajo de manera
que el voltaje de la ley de Ohm a través de sus
terminales, y que es aplicado a la compuerta
SCR, sea también bajo. De otra manera el SCR
puede dispararse inadvertidamente.
2. Con un valor bajo de R1 existe menor
probabilidad de que un pico de ruido
indeseable dispare falsamente al SCR. Las
fuentes externas de ruido (armaduras de motor
cd, soldaduras, equipo de conmutación,
etcétera) crean señales de ruido indeseables
que puedan provocar
que esto suceda. Si R\ se mantiene pequeño,
existe menor probabilidad de que una señal de
ruido generada a través de él pueda activar el
SCR.
PRACTICA
Características UJT
𝑉𝐵𝐵 = 10𝑉
𝑅𝐵𝐵 = 9.1𝐾~10𝐾
𝐼𝑉 = 4𝑚𝐴
𝐼𝑝 = 5𝑢𝐴
𝑉𝑣 = 3𝑣
𝑛 = 0.75
𝑉𝐺𝐷 = 0.2𝑣
DIODO ZENER
20𝑣 − 1𝑤
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𝑃𝑧 1𝑤
𝐼𝑧 = = = 50𝑚𝐴
𝑉𝑧 20𝑣
MONTAJE
RESISTENCIA LIMITE Imax

𝑣 120 − 10
𝑅𝑑 = = = 2.2𝐾
𝐼𝑧 50𝑚𝐴

POTENCIA DE LA R DEL DIODO

𝑅𝑑 = (50𝑚𝐴)2 ∗ (2.2𝑘) = 5.5𝑤

DISEÑO

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑣 10 − 3
𝑅𝐸𝑚𝑖𝑛 = = = 140
𝐼𝑣 50𝑚𝐴
REmin ~ 150homn

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑝 10 − 6.7
𝑅𝐸𝑚𝑎𝑥 = =
𝐼𝑝 5𝑢𝐴
= 660𝐾~680𝐾

𝑉𝑝 = 0.6 ∗ 10 + 0.7 = 6.7𝑣

𝑉𝑝 = 6.7𝑣

𝑅𝑝𝑚𝑎𝑥 = 680𝑘 − 150ℎ𝑜𝑚𝑛 = 680𝑘

(10)4 (10)4
𝑅2 = = = 1.66𝐾~1.8𝐾
𝑛𝑉𝐵𝐵 0.6 ∗ 10

𝑉𝐺𝑂 ∗ (𝑅2 + 𝑅𝐵𝐵𝑚𝑖𝑛)

𝑅1 =
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐺𝑂

0.6(1.8 + 10)
=(
10 − 0.6

𝑅1 = 753ℎ𝑜𝑚𝑛~820ℎ𝑜𝑚𝑛

𝑇1
𝐶=
1
𝑅𝐸𝑚𝑖𝑛 + 𝑅𝐸 ∗ 𝐿𝑛(1 − 0.6)

1
𝑇=
2𝑓

𝑉𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = 68.9𝑣
𝑉𝑐 = 0.660
𝑉𝑅1 = 0.836
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CONCLUSIONES

1- Se pudo observar que al analizar los

cálculos de diseño y al implementarlo
se puede ver ruido en la señal y así
deformando la onda, ya que al
aproximar los datos a valores
comerciales genera un margen de
error en cálculos.
2- Gracias a este laboratorio aprendimos
la forma de cómo funciona u activa un
scr.
3- Por medio del revostato se pudo
observar que al variar el ancho de
pulso podemos ver una variación de
luminosidad del bombillo.