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UNIVERSIDAD CENTRAL DEL ECUADOR

FACULTAD DE INGENIERA, CIENCIAS FSICAS Y


MATEMTICA
CARRERA DE INGENIERA INFORMTICA
Alumna: Campaa Ximena
Profesor: Ing. Milton Roldn
Asignatura: Sistemas Digitales y Microprocesadores
Fecha: 28/01/2015
Semestre: Segundo
Primero

Paralelo:

APLICACIN DE LA MEMORIA EEPROM


Se realizar la simulacin de una aplicacin con el Circuito 27C64 (Memoria
EEPROM) mediante la utilizacin de herramientas que ofrece el Simulador
de Circuitos Elctricos PROTEUS 8 Professional.
Aplicacin
La aplicacin que en este caso le daremos a la memoria EEPROM es la de
mostrar una serie de luces las mismas que cambiarn su estado de
manera automtica.
Desarrollo
1. Como primer paso disearemos la secuencia que tendr nuestro juego de
luces. Para una mejor visualizacin realizaremos una tabla en el Programa
Excel, tendremos un campo denominado Adress que es la direccin donde
se guardar dicha secuencia, en el mismo colocaremos un 1 cuando
deseemos que un led est prendido y 0 cuando el led debe estar apagado.
Posteriormente procedemos a cambiar dichos valores en cdigo
Hexadecimal realizando dos grupos de 4 valores de cada una de las
direcciones.
La serie mencionada constar de 16 direcciones (0 15).
La secuencia ser siguiendo los colores verdes de la tabla.
Adres
s
0000
0001
0010
0011
0100
0101
0110
0111
1000
1001
1010
1011

D
7
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0

D
6
0
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0

D
5
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0

D
4
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1

D
3
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
1

D
2
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
1
0

D
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0

D
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0

Hexadecim
al
81
42
24
18
00
18
24
42
81
42
24
18

1100
1101
1110

0
0
0

0
0
0

1111

0
0
1

0
1
0

0
1
0

0
0
1

0
0
0

0
0
0

00
18
24

42

Tabla 1. Secuencia de luces

2. Una vez determinada la serie y con los valores en Hexadecimal


procedemos a ejecutar el programa WinHex que utilizaremos para la
programacin de nuestra memoria.

3. Creamos un nuevo archivo y para ello seleccionamos en el cono de


Nuevo.

4. Al dar clic en el cono indicado se nos abrir una ventana en la cual


debemos indicar el nmero de bytes que ocuparemos, como habamos
mencionado de tendra 16 direcciones, colocamos ese valor.

5. Se nos abrir la ventana en la cual colocaremos los valores en


Hexadecimal determinados con anterioridad.

6. Al finalizar de escribir el cdigo, procedemos a guardar el archivo, para lo


cual vamos al cono que nos permite realizar esta operacin y

seleccionamos la carpeta en la cual deseamos guardar,


nombre y lo guardamos con la extensin .bin.

asignamos un

7. Con el archivo que cargaremos en la memoria creado, abrimos el


simulador de circuitos Proteus y procedemos a armar nuestro circuito.
Inicialmente armaremos un contador de 4 bits ascendente, el que permitir
que nuestra serie de luces cambie su estado secuencialmente, para su
creacin utilizaremos flip flop 7476, la entrada del CLK del primer flip flop
recibir la seal de reloj (clock), para los dems flip flop su CLK ser la
seal emitida por Q y la misma seal tambin corresponder a una salida,
ests salidas Q irn conectadas a LogicStates para visualizar en que
nmero se encuentra la seria. Las salidas R y S del flip flop irn conectadas
a 1 lgico.

8. Colocamos la memoria EEPROM 27C64 a la cual conectaremos las


salidas Q de los flip flop a cada una de sus entradas desde A0 a A3 ya que
se utilizar nicamente 16 de sus registros (2 4=16), las mismas irn
conectadas a resistencias de 300 y posteriormente irn conectadas a
tierra; sus dems entradas de igual manera estarn conectadas a tierra y lo
mismo sucede con las entradas CE y OE. Por el contrario sus entradas
PGM y VPP irn conectadas a Vcc.

9. Cargamos el archivo creado con anterioridad a la memoria. Para ello


damos doble clic sobre la memoria y en la ventana que se abre
seleccionamos el cono que contiene una carpeta, se despliega una nueva
ventana y buscamos el archivo que creamos, lo seleccionamos, presionamos
el botn Abrir y posteriormente el botn OK.

10. Finalmente conectaremos las salidas de la memoria D0 D9 a LEDs,


estos tambin deben ir conectados a tierra.

Esquema

Figura 1. Esquema

Observacin
Ejecutamos el circuito y podemos visualizar la serie que se haba diseado
en un inicio y como con la ayuda del contador ascendente su cambio de
estado es automtico y secuencial.

0000

0001

0010

0011

0100

0101

0110

0111

1000

1001

1010

1011

1100

1101

1110

1111

Al terminar las combinaciones posibles, nuevamente se repetir la serie


desde 0000.
Explicacin:
Memoria EEPROM

La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente y su nombre


proviene de la sigla en ingls Electrical Erasable Programmable Read Only
Memory. Actualmente estas memorias se construyen con transistores de
tecnologa MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la
diferencia bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada
compuerta flotante, pero agrega una regin de xido muy delgada por
encima del colector de la celda de memoria de MOSFET. Esta modificacin
produce la caracterstica principal de la EEPROM: su capacidad de borrarse
mediante electricidad.
La programacin de estas memorias es similar a la programacin de
la EPROM, la cual se realiza por aplicacin de una tensin de 21 Voltios a la
compuerta aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una
carga elctrica, que es suficiente para encender los transistores y
almacenar la informacin. Por otro lado, el borrado de la memoria se efecta
aplicando tensiones negativas sobre las compuertas para liberar la carga
elctrica almacenada en ellas.
Esta memoria tiene algunas ventajas con respecto a la Memoria EPROM, de
las cuales se pueden enumerar las siguientes:
Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma
individual.
Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
Para reescribir no se necesita se necesita hacer un borrado previo.
Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se
observen problemas para almacenar la informacin.
El tiempo de almacenamiento de la informacin es similar al de
las EPROM, es decir aproximadamente 10 aos.

Conclusin:
La gama de aplicaciones que se le puede dar a esta memoria es amplia, se
puede crear series repetitivas de nmeros, se puede mostrar palabras, crear
series de luces como en el caso desarrollado, etc.
Debido a su mejoramiento en comparacin a la memoria EPROM, es factible
en cuando a que se puede borrar de forma individual y para realizar esta
accin no se requiere luz ultravioleta.

La aplicacin que se le asigne depende de la necesidad del usuario; el


cdigo es la base de su funcionamiento.
Bibliografa:
Sistemas Digitales, Ronald J. Tocci, Dcima Edicin, Pearson Educacin,
Mxico, 2007
Universidad Nacional de Colombia, Electrnica Digital I
http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2000477/lecciones/110201.
htm
http://mecanica.umsa.edu.bo/Libros/Lab6Apa.pdf