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Transistores.. Modelo de Ebers Moll PDF
Transistores.. Modelo de Ebers Moll PDF
modelo de señal grande que comúnmente se utiliza para modelar los BJT. Una
para un transistor npn. Este modelo, conocido como versión de inyección del
αR I R αF IF
+B+
VBE
I F = I ES exp − 1 (D.1)
VT
VBC (D.2)
I R = I CS exp − 1
VT
Donde
VBE VBC
= − I ES exp − 1 + α R I CS exp
− 1 (D.3)
VT VT
y la corriente de colector Ic es:
es
IC = α F I F − I R
VBE VBC
= α F I ES exp − 1 − I CS exp − 1 (D.4)
VT VT
de fuga de saturación inversa del diodo DF. Si se supone que los diodos son
relacionadas mediante
α R I SC = α F I ES = I S
VBC<0 y │VBC│» VT, exp (VBC/VT) «1. Bajo estas condiciones, en las
VBE
0 = − I ES exp − 1 −α RI CS
VT
VBE
I CBO = α F I ES exp
− 1 + I CS
VT
VBC
I EBO = I ES + α R I CS exp − 1
VT
VBC
0 = −α F I ES
+ I CS exp − 1
VT
Al despejar IEBO de estas dos ecuaciones, se obtiene
I EBO = I ES − α Rα F I ES = (1 − α Rα F )I ES (D.7)
De acuerdo con las ecuaciones (D.5), (D.6) y (D.7),
VEB < VBC. Por tanto, IEBO es menor que ICBO, y αF es mayor que αR. En la región
IE = -IF e IC = αFIF = -αFIE. Por tanto, la figura D.1 (a) se puede aproximar con la
figura .1(b).
El modelo del circuito de la figura D.1 (a) relaciona las fuentes dependientes
con las corrientes del diodo. En el análisis de circuito resulta conveniente
expresar la fuente de corriente en una forma que resulte controlada por las
corrientes en las terminales. Eliminando exp (VBE/VT) - 1 de las ecuaciones (D.3)
y después utilizando la ecuación (D.6) se obtiene
V
I C = −α F I E − (1 − α F α R )I CS exp BC − 1
VT
VBC
= −α F I E − I CBO exp
− 1 (D.9)
VT
VBE
I E = −α R I C − (1 − α Rα F )I ES exp − 1
VT
VBE
= −α R I C − I EBO exp − 1 (D.10)
VT
El modelo del circuito que corresponde a las ecuaciones (D.9) y (D. 10)
corriente del colector IC y por la corriente del emisor IE. Este modelo, conocido
modelos lineales de la figura 5.6 son las versiones aproximadas del modelo de
αR IC αF IE αR IC αF IE
V
I F = I EBO exp BE − 1
VT
+B+ +B+
V
− I EBO (exp BE − 1)
VT
IE = (D.11)
1 + α Rα F
De la ecuación (D.6),
− 5.7
I R = 45.87 x10 −9 x exp − 1 ≈ −45.87 nA
0.0258
Y αRIR≈ - 0.9 x 45.87 nA = -41.28 nA
IES≈ ICS = 45 nA, VEB = 0.4 V y VCB = 0.3 V. Calcular (a) las corrientes para la
versión de inyección modelo de Ebers--Moll de la figura D.1(a) y (b)
SOLUCION
Para VEB = 0.4 V y VCB = 0.3 V, las uniones colector-base y emisor-base están
con polarización directa. Por tanto, el transistor está operando en la región de
saturación.
(a) Para un transistor pnp, todas las polaridades de los voltajes y las direcciones
de las corrientes estarán invertidas; por tanto, las ecuaciones (D.3) y (D.4) se
transforman en
VEB VCB
I E = I ES exp − 1 − α R I CS exp
− 1
VT VT
0. 4 0 .3
I E = 45 x10 −9 exp − 1 − 0.9 x 45 X 10 −9 exp − 1
25.8m 25.8m
VEB VCB
I C = α F I ES exp − 1 + I CS exp − 1
VT VT
−9 0 .4 −9 0 .3
I C = −0.99 x 45 x10 exp − 1 + 45 X 10 exp − 1
25.8m 25.8m
= -241.04 mA + 5.05 mA = -235.99 mA
= -241.04 mA + 5.05 mA = -235.99 mA
emisor VCE(sat).
SOLUCIÓN
De la ecuación (5.3)
I E = − I ES eVBE VT + α F I ES eVBC VT
≈ − I ES eVBE VT + α F I ES e(VBE −VCE ) VT
≈ − I ES e VBE VT
[1 − α F e −VCE VT
]
Pero IE + IC + IB = 0, así que -IE = (IC+ IB). Esto es,
I C + I B = I ES e VBE VT
[1 − α F e −VCE VT
] (D.14)
V V
I C = α F I ES exp EB − 1 − I CS exp CB − 1
VT VT
1 −VCE (D.15)
= α F I ES e VBE VT
1 − e VT
αR
IC + I B IB 1 − α F eVCE VT
= 1+ =
IC IC 1 −VCE
α F 1 −
e VT
αR
IC
α F 1 + (1 − α R )
IB
VCE = VT ln (D.16)
I
α α + C (α − 1)
R F I B F
En la región activa, la corriente de la base IB está relacionada con la comente del
colector le mediante IB = IC/βF. Se considera que la región de saturación empieza
en el punto en que la ganancia en corriente en condiciones de polarización directa
βF es de 90% del valor correspondiente a la región activa. Esto es, βSAT =βForzada =
0.9βF e IC = 0.9IBβF. La ecuación (D.15) da el voltaje de saturación colector-emisor
como
α F [1 + 0.9 β F (1 − α R )]
VCE ( sat ) = VT ln
α R [α F + 0.9 β F (α F − 1)]
1 + 0.9 β F (1 − α R ) (D.17)
VCE ( sat ) = VT ln
α R (1 − 0 . 9 )
Para VT = 0.0258 V, αR = 0.9 y βF = 89.91, se tiene
Vi RL
+v -
+
Vi RL
_
Ic
Rs Rc
+
Vi
_
Vcc