ELECTRÓNICA ANÁLOGA

Fase 2

Presentado al tutor (a):

John Jairo Leiva

Entregado por los estudiantes:

Jairo Elías Beltrán C.C. 15047279
Gustavo Adolfo Jaramillo C.C. 1088243774
Carlos Andrés Cardona C.C. 1112783949
Oscar Ferney Cruz Vacca C.C. 1115914174
Alejandro Mejía C.C. (No relacionó nro de documento)

Grupo: 243006_43

Universidad Nacional Abierta Y A Distancia - UNAD

Escuela De Ciencias Básicas Tecnología E Ingeniería
17 de octubre de 2019
 INTRODUCCIÓN

En el siguiente trabajo se presenta el desarrollo de los principios de

funcionamiento de dispositivos semiconductores JFET, mediante la aplicación
de un problema común de aplicación. En un principio se presenta un circuito al
cual se le ha realizado un análisis previo sobre su funcionamiento basado en
los conceptos teóricos investigados y discutidos. Posteriormente se realiza un
análisis matemático de las variables propias del comportamiento del circuito
para determinar sus características. Y por último se realiza la simulación con
los valores dados para poder realizar la comprobación del circuito.
 OBJETIVOS

 Investigar y proveer de la fundamentación teórica con respecto a los

transistores de efecto de campo MOSFET Y JFET.
 Realizar la argumentación matemática de las variables del problema
propuesto.
 Proponer una solución practica al circuito propuesto por medio de la
simulación.
 ACTIVIDADES A DESARROLLAR

1. Fundamentación Teórica.

La fuente VCC es la fuente de polarización que permite alimentar el elemento

activo de la etapa de amplificación del transistor. El conjunto del capacitor C1
con la resistencia RG hacen la acción de filtro pasa baja pasivo, su función
principal es la de eliminar las frecuencias de ruido de alta frecuencia que no
son deseadas dentro de la señal que desea enviar. La etapa de amplificación
de fuente común compuesta por una resistencia RD el transistor Q1 y la
resistencia RS. La etapa funciona como amplificación opera con el transistor en
la región de saturación. Los capacitores de la salida son capacitores de
acoplamiento para filtrar la señal de salida.

El componente fundamental de este circuito es el transistor Q1 (J201) el cual

corresponde a un transistor de efecto de campo de unión (JFET) el cual es un
dispositivo de tres terminales controlados por voltaje. Tiene un electrodo de
control llamada compuerta que se identifica con la letra (G). Una pequeña
variación en el voltaje aplicado a este electrodo, genera una variación en los
electrodos de salida llamados Fuente identificado con la letra (S) y un drenador
(D). La principal ventaja de los JFET frente a los transistores bipolares es una
impedancia de entrada muy alta, la cual nos posibilita muchas aplicaciones
inusuales y se vuelve ideal para circuitos que tienen señales de entrada muy
pequeñas

Dadas Las Fórmulas:

Señal de entrada: 300mV a 1Khz.
Referencia del JFET: J201
ID= 327uA,
VD= 4.6V,
VGS (off)= -1.5V,
VCC= 20V.
De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 1mA a 100mA… para este
diseño se trabajara IDSS=3mA.
RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD
RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS
2. Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los
siguientes cálculos.

-Estudiante 1:
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.

20𝑉 − 4.6𝑉 15.4𝑉

𝑅𝐷 = = = 47094.80122Ω
327µ𝐴 0.000327𝐴

𝑅𝐷 = 0.047 𝑘𝑜ℎ𝑚𝑠

-Estudiante 2:
b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.
1.5𝑉 1.5𝑉
𝑅𝑆 = − = = 500Ω
3𝑚𝐴 0.003𝐴

-Estudiante 3:
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor de
RG debe ser alto?

La polarización de JFET está en auto polarización para poder trabajar

correctamente y poder que el circuito amplifique, y el valor de la resistencia
RG debe de ser muy alto para que la señal que entre ya sea de una antena
o de un generador de ondas no se pierda yéndose a tierra entonces debe
de ser alto el valor de la resistencia para que actúa como un muro y no se
pierda la señal que se desea amplificar.

-Estudiante 4:
d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

𝑅𝐺 = 𝐸𝑁𝑇𝑅𝐸 1 𝑌 2 𝑀Ω

-Estudiante 5:
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.

𝑉𝐺𝑆 = −327µ𝐴 ∗ 500Ω = −0.000327𝐴 ∗ 500Ω = −0.1635

𝐴𝑉 = −(−0.002) ∗ 47094.80122Ω = 94.1896244
0.000327𝐴
𝐺𝑚 = = −0.002
−0.1635
Para una señal de 1 kHz

𝑓 = 1000 𝐻𝑧
𝜔 = 2000𝜋 𝐻𝑧
1 1
𝑋𝑐1 = = = −𝑗15.91 Ω
𝑗 ∙ 𝜔 ∙ 𝐶 𝑗 ∙ 2000𝜋 ∙ 10 ∙ 10−6
𝑋𝑐2 = 𝑋𝑐1 = −𝑗15.91 Ω
1 1
𝑋𝑐3 = = = −𝑗1591.54 Ω
𝑗 ∙ 𝜔 ∙ 𝐶 𝑗 ∙ 2000𝜋 ∙ 0.1 ∙ 10−6

3. Solución.

3.1. Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET

propuesto en la que se evidencie el correcto funcionamiento y las
siguientes mediciones.

- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

- Valor de VGS.
- Valor de VDS.
- Valor de VGD.
- Valor de la corriente ID.
 CONCLUSIONES

 Para que el transistor de campo pueda operar como amplificador es

primordial que opere en la región de saturación pues es la única región
en la que la tensión en los terminales de VDS es independiente de la
tensión en los terminales VGS lo que permite que la corriente que circula
dependa únicamente de la tensión en los terminales de VGS y de esta
manera controlar la tensión producida en las resistencia a través de la
tensión en la puerta.
 Siempre que se usen etapas de amplificación de señal es importante
tener en cuenta el ruido eléctrico y disponer de capacitores de
acoplamiento que funcionen como filtros que permitan eliminar las
señales de DC indeseadas y las señales de ruido de frecuencias que
están por fuera del ancho de banda de la señal deseada.
 Bibliografía

 Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para

Ingenieros El transistor JFET.(pp. 37-51). Recuperado
de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg
=48&docID=10498503&tm=1482090196645

 González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos.(pp. 127-

166). Recuperado
de https://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2538/lib/unadsp/reader.action?pp
g=127&docID=4499427&tm=1547220910363