EJERCICIO DE ELECTRONICAANALOGICA. 5/3/2012.

1°GS

1°. Un transistor está constituido por dos uniones P-N, polarizadas:

a) Ambas inversamente
@ Una directamente y otra inversamente

c) Ambas directamente

2°. La corriente de electrones que circula por la base de un transistor NPN:

a) Es del orden del 20% de la total
@ Es del orden del 4% de la total
e) Es la totalque pasa por el transistor

3°. El efecto transistor, consiste en:

a) Hacer pasar una débil corriente por una unión P-N polarizada inversamente
b) Hacer pasar una débil corriente por una unión P-N polarizada directamente
0' Hacer pasar una gran corriente por una unión
polarizando directamene la otra unión
P-N polarizada inversamente,

4°. La barrera de potencial que se crea en un transistor de Si, tiene un valor aproximado
de: . ,

a) O,3V
b) 1V
@0,7V

5°. En la operación nonnal de un transistor, el diodo colector - base, tiene

a) Polarización directa
® Polarización inversa
e) La misma que la del diodo emisor - base

6°. La ganancia de corriente de un transistor es la razón entre:

a) La corriente de colector y la de emisor
b) La corriente de emisor y la de base
@La corriente colector y la de base

7°. Al aumentar el voltaje de fuente del colector en un transistor, aumentará:

a) La corriente de base
@ La corriente de colector
e) La corriente de emisor
 8°. Si la ganancia de corriente de un transistor es de 200 y la corriente de colector es de
100mA, la corriente de la base es de:

Gi)0,5mA
b) 2mA
e) 102mA

9°. Si la ganancia de corriente de un transistor es de 100 y la corriente de emisor es

300mA, la corriente de la base es exactamente de:
a) O,33mA ."]'0 = -- JE- ',,: ~ qt 1\
v..r.../~
@2,97mA f-rl
e) 3,3mA

10°. En un transistor NPN se mide VBE = 0,7V, VCE = 10V, la VCB es:
a) 10,7V
b) -9,3V
@9,3V (-

11 0. La potencia disipada por un transistor es aproximadamente igual a la corriente del

colector multiplicada por.
a) Vse
~~-=._~- ~~ b} VCs - - ~~ -=--=~-~~~ ~~"Ic _\J~~_~~~'._.---~- _--~ -=_- '_

0Y ee

12°. Si en el emisor de un transistor PNP se miden 5V, la tensión que se mide en la base
es:
a) 5,7V

0 4,3V
c) 5V

13°. Si en la base de un transistor NPN se miden 5V, la tensión que se mide en el emisor
es:
a) 5,7V 5
@,3V
e) 5V

14°. Si en la base de un transistor NPN se miden SV, la tensión que se mide en el emisor
es:
a) 5,7V
@,3V
c) 5V
/

15°. Si entre colector y base de un transistor PNP de Silicio se miden 5,1V. .ía tensión que
se mide entre colector y emisor es:
a) 5,1V
b) 4,4V
Gs,8V
16°. La le de saturación es:

a) 20 mA
~ 5,84mA
c:D 6,06 mA

a} 1;8 V
A16,11V ••
(3)10 V

Ue:.. 2 - 0\ t -= 1, ~ V
18°. ta I por el LED es:
. \JF \-;
~n~
~13mA
b) 50 mA
']t~J<..:-:~
,"" O , ( (S) I \ - -=-
e) 30 mA

1SO. El valor mínimo de Vi para saturar el transistor es:

2'-1-2 t: 1. L_","", /).
~ 24V
<..9V 7,59 V
e) 8,22 V

~+i 5v'
20°. El valor de RB es:

á)S90K
b) 2 K
e) 143 K
 + \'Ov

21°. La Ve es:

3,02V
b) 5,21 V
~ e 8,89 V u c. """- lo - \ S .D '']c. ::- iJ'2
~.~
IJ

\1 \0'"7 V
22°. La Ve es:
J í3.::' Y3) J : Jti ~ 5c¿~

fa))1,36 V U't -:..

VtJ.fD 1-1: lt I ~::t\J
'6) 3,27 V
le ~'IL -: l~ _O \3C ,-~A~
e) 1,09 V
~)' - I . 3JK

Ve ;.. Tc~) D:::- ~\ ')C \J

.< ~
. + iS\.!
L i I-=¡. lA
23°. La Ve es:

25°. La I por el LEO es: T +12.V U ¡] :: '-!-, oJJ{ : f,':}LJ

~ 20mA
~ ~oo"- \ 1)
~27,88mA Cf r ::Uf)"tD1:t :. 6(~? U
e) 22,10 mA
T{~3' L : I~_-_\)_('
r -1.1~~JI
. '2-'iJ-o. (
~

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