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EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP CARACTERÍSTICAS BÁSICAS

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de


funcionamiento de un transistor bipolar.
Transistor Bipolar PNP :
Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición.
Físicamente el transistor está constituido por tres regiones semiconductores
denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los
denominados PNP y NP, siendo el comportamiento de los transistores PNP
totalmente análogos.
Es un dispositivo electrónico de estado sólido consiste en dos uniones PN muy
cercanas entre si, que permiten aumentar la corriente y disminuir el voltaje,
además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada es bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan
generalmente en electrónica analógica, aunque también en algunas aplicaciones de
electrónica digital.
EMISOR: Se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe
a que este terminar funciona como emisor de
portadores de carga.
BASE: La intermedia, muy estrecha, que separa al
emisor del colector.
COLECTOR: De extensión mucho mayor.
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor
está polarizada en directa, mientras que la base-
colector en inversa. Los portadores de carga
emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es
muy angosta, hay poca recombinación de
portadores y la mayoría pasa al colector.
Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un
bipolar
El transistor posee tres estados de operación:
• Zona de saturación:
El diodo colector esta polarizado directamente y el transistor se comporta
como una pequeña resistencia. En esta zona un aumento adicional de la
base no provoca un aumento de la corriente del colector. El transistor se
asemeja en su circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.
• Zona activa:
En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente,
determinada por la corriente de la base. A pequeños aumentos de la
corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente del
colector, de forma casi independiente de la tensión entre el emisor y
colector. Para trabajar en esta zona el diodo base- emisor ha de estar
polarizado en directa; mientras el diodo base-colector, de forma inversa.
• Zona de corto:
El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener un
circuito base-emisor abierto, en estas circunstancias la corriente del
colector es prácticamente nula y por ello se puede considerar el transistor
en su circuito colector-emisor como un interruptor abierto.

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la


unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la
base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados
por el campo eléctrico que existe entre la base y colector.

2. De los manuales obtener los datos del transistor bipolar 2N3096

• 2N3906
RANGOS SIMBOLO VALOR UNIDAD
Colector-emisor voltaje VCEO 40 Vdc
Colector- base voltaje VCBO 40 Vdc
Emisor-base voltaje VEBO 5 Vdc
Colector corriente continua ID 200 mAdc
Disipacion total del dispositivo a TA PD 650 mW
=25°C 5 mW/°C
Por debajo de 25°C
Disipacion total de energía a TA PD 250 mW/
=60°c
Disipacion total del dispositivo a TC PD 1.5 mW
=25°C 12 mW/°C
Por debajo de 25°C
Union de funcionamientos y TJ , Tstg -55 a +150 °C
almacenamiento (rango de
temperatura)
CARACATERISITICAS TERMICAS
Resistencia térmica, unión RɵJA 200 °C/W
ambiente
Resistencia térmica, unión case RɵJC 83.3 °C/W
CARACTERISTICAS ELECTRICAS
min max unidad
Colector-emisor voltaje de ruptura V(BR)CEO 40 - Vdc
Colector- base voltaje de ruptura V(BR)CBO 40 - Vdc
Emisor-base voltaje de ruptura V(BR)EBO 5 - Vdc
Corriente de corte base IBL - 50 nAdc
Corriente de corte colector ICEX - 50 nAdc