Temario

1 Cuadripolos

1.1 Concepto y clasificación de cuadripolos.

1.2 Parámetros característicos: Z, Y, H, G, T.
1.3 Relaciones entre familias de parámetros.
1.4 Asociación de cuadripolos: serie, paralelo y cascada.
1.5 Corriente de circulación. Test de Brune

2 Filtros

2.1 Función de transferencia. Diagramas de Bode.

2.2 Filtros activos y filtros pasivos.

2.3 Filtros de paso bajo, paso alto, paso de banda, rechazo de banda.

2.4 Filtros de primer orden.

2.5 Filtros de segundo orden.

2.6 Filtros de orden n: Butterworth y Chebyshev.

3 Circuitos de polarización de transistores

3.1 Modelos de los transistores

3.2 Circuitos de polarización con componentes discretos.

3.3 Polarización con fuentes de corriente y cargas activas.

4 Amplificadores con transistores

4.1 Parámetros que caracterizan los amplificadores.

4.2 Amplificadores monoetapa.

4.3 Amplificadores multietapa.

4.4 Amplificador diferencial.

5 Respuesta en frecuencia de los amplificadores

5.1 Métodos de análisis: método de las constantes de tiempo y teorema de Miller.

5.2 Respuesta en frecuencia de los amplificadores monoetapa.

5.3 Respuesta en frecuencia de los amplificadores multietapa y diferencial.

CUADRIPOLOS

Contenidos

1. 1 Introducción
1. 1.1 Motivación
2. 1.2 Objetivos
3. 1.3 Concepto de Cuadripolo
1. 1.3.1 Definición
2. 1.3.2 Características
4. 1.4 Clasificación de Cuadripolo
2. 2 Prámetros que caracterizan a los cuadripolos
1. 2.1 Introducción
2. 2.2 Parámetros Z
3. 2.3 Parámetros Y
4. 2.4 Parámetros H
5. 2.5 Parámetros G
6. 2.6 Parámetros T
7. 2.7 Transformación de Parámetros
8. 2.8 Ejemplo
3. 3 Asociación de cuadripolos
1. 3.1 Conexión en cascada
2. 3.2 Conexión en serie- serie
3. 3.3 Conexión en paralelo- paralelo
4. 3.4 Conexión en paralelo- serie
5. 3.5 Conexión en serie- paralelo
6. 3.6 Corriente de circulación
7. 3.7 Test de Brune
8. 3.8 Conexión con transformadores

Introducción

Motivación

 Los circuitos electrónicos complejos se obtienen por interconexión de módulos que

realizan funciones más simples.
 A su vez, los circuitos más sencillos pueden basarse en componentes con
características eléctricas complejas.
 En cualquier caso, es conveniente disponer de una representación sencilla de los
circuitos y componentes que nos permita describir fácilmente su comportamiento de
cara al exterior.
  Los cuadripolos representan estas características eléctricas sin necesidad de
preocuparnos por la topología y los componentes de un circuito concreto.
 Por ejemplo, el funcionamiento de un amplificador puede describirse por unos
parámetros de ganancia, impedancia de entrada y de salida, sin necesidad de conocer
el circuito y los componentes que lo integran.

Objetivos

 Conocer el concepto, la clasificación y la utilidad de los cuadripolos.

 Conocer los diferentes parámetros que representan un cuadripolo y cómo transformar
unos en otros.
 Saber extraer de un circuito los parámetros que lo caracterizan como cuadripolo.
 Conocer las diferentes topologías de asociación de cuadripolos, y saber calcular los
parámetros que representan el nuevo cuadripolo.
 Conocer la condición necesaria para la aplicación de las ecuaciones para la asociación
de cuadripolos.

Concepto de Cuadripolo

Definición

 Un cuadripolo es un circuito con dos puertos de acceso, uno de entrada y otro de

salida.
 Cada puerto consta de dos polos, en total cuatro polos.

Características

 Modeliza el comportamiento del circuito de cara al exterior.

 Proporciona ecuaciones simplificadas de dispositivos y circuitos en AC y en DC.
 Simplifica la interconexión de circuitos.

Clasificación de Cuadripolo

 El cuadripolo activo contiene fuentes independientes, el pasivo fuentes dependientes.

 El cuadripolo bilateral no contiene fuentes dependientes, el no bilateral sí.
 La entrada y la salida del cuadripolo simétrico son eléctricamente iguales.
Prámetros que caracterizan a los cuadripolos

Introducción

Se puede establecer dos expresiones lineales que relacionan las cuatro variables del cuadripolo
y lo describen en función de cuatro parámetros:

Las variables Xi representan tensión o corriente.

Las variables X3 y X4 son variables independientes, X1 y X2 independientes.

Según las variables dependientes elegidas los parámetros ,yreciben nombres

diferentes

Parámetros Z

Cálculo de los parámetros

 Impedancia de entrada con salida en abierto.

 Transimpedancia inversa con entrada en abierto.

 Transimpedancia directa con salida en abierto.

 Impedancia de salida con entrada en abierto.

Parámetros Y

Cálculo de los parámetros

 Admitancia de entrada con salida en cortocircuito.

  Transadmitancia inversa con entrada en cortocircuito.

 Transadmitancia directa con salida en cortocircuito.

 Admitancia de salida con entrada en cortocircuito.

Parámetros H

Cálculo de los parámetros

 Impedancia de entrada con salida en cortocircuito.

 Ganancia inversa de tensión con entrada en abierto.

 Ganancia directa de corriente con salida en cortocircuito.

 Admitancia de salida con entrada en abierto.

Parámetros G

Cálculo de los parámetros

 Admitancia de entrada con salida en abierto.

 Ganancia inversa de corriente con entrada en cortocircuito.

 Ganancia directa de tensión con salida en abierto.

  Impedancia de salida con entrada en cortocircuito.

Parámetros T

Cálculo de los parámetros

 Atenuación directa de tensión con salida en abierto

 Transimpedancia con salida en cortocircuito.

 Transconductancia con salida en abierto.

 Atenuación directa de corriente con salida en cortocircuito.

Transformación de Parámetros
Parámetros de cuadripolos bilaterales

 Z12 = Z21
 Y12 = Y21
 h12 = -h21
 g12 = -g 21
 AD - BC = 1

Parámetros de cuadripolos simétricos

 Z11 = Z22
 Y11 = Y22
 |h| = 1
 |g| = 1
 A=D

Ejemplo

Calcular los parámetros Z del siguiente cuadripolo T y transformarlos en parámetros Y.

 Cálculo de los parámetros Z

 Transformación en parámetros Y
Asociación de cuadripolos

Conexión en cascada

 Los parámetros de transmisión son los más adecuados para describir la conexión en
cascada.

 Cuadripolo A:

 Cuadripolo B:

 Asociación en cascada:

Conexión en serie- serie

 Determinamos la matriz de impedencias

  Cuadripolo A:

 Cuadripolo B:

 Asociación en paralelo:

Conexión en paralelo- paralelo

 Determinamos la matriz de admitancias

 Cuadripolo A:

 Cuadripolo B:
 Asociación en paralelo:

Conexión en paralelo- serie

 Describimos el sistema con parámetros g

  Cuadripolo A:

 Cuadripolo B:

 Asociación en paralelo- serie:

Conexión en serie- paralelo

 Determinamos la matriz de admitancias

 Cuadripolo A:

 Cuadripolo B:

 Asociación en serie- paralelo:

Corriente de circulación

 La corriente de circulación, IC, es la diferencia entre la corriente de entrada y salida en los

cuadripolos de las asociaciones anteriores.
 Los resultados de las secciones anteriores sólo son válidos si la corriente de circulación es nula.

Ejemplo

Corriente de circulación en una asociación serie-serie:

Test de Brune

El modo de saber si existe corriente de circulación en una asociación de cuadripolos es

mediante la aplicación del test de Brune en la entrada y la salida de la asociación:

 Se excita la entrada (salida) con una fuente de la magnitud común a la entrada (salida).
 Se anula la magnitud común a la salida (entrada).
 Se mide la tensión en los puntos en los que se ha abierto la malla de la asociación en la
salida (entrada).
 Si la tensión es nula en ambos casos, la corriente de circulación también.

Ejemplo

Conexión con transformadores

La asociación con transformadores evita la interacción de los cuadripolos y la

corriente de circulación.
EJERCICIOS.

Actividad 1

Determinar los parámetros h y g de los siguientes cuadripolos

Actividad 2

Determinar los parámetros de transmisión de un cuadripolo que funciona en estado

estable sinusoidal y cumple las siguientes condiciones:

a) Con la salida abierta y la entrada a V1 (t) = 150cos (4000t) v se tiene que I1 (t) =
25cos (4000t + /12) A y V2 (t)=100cos (4000t + /6), donde t viene expresado en
segundos.

b) Con la salida en cortocircuito, cuando en la entrada V1 (t) = 30cos(4000t) v se tiene

que I1 (t) = 1.5cos (4000t + /6) A e I2 (t) = 0.25cos(4000t + 5 /6) A (t en segundos).

Actividad 3

Encontrar los parámetros g del circuito, siendo el amplificador operacional ideal (se
cumple cortocircuito virtual).
Actividad 4

¿Es simétrico el circuito de dos puertas de la figura? Justificar la respuesta.

Actividad 5

En la figura se muestra la asociación serie-serie de dos cuadripolos de matrices de

impedancia Z (cuadripolo superior) y Z’ (cuadripolo inferior). Llamaremos Z* a la
matriz de impedancia de la asociación de los dos cuadripolos. Se pide:

a) Obtener Z y Z’

b) Independientemente del apartado a), obtener Z*

c) Comprobar si se cumple que Z + Z’ = Z*. Discutir el resultado.

Actividad 6

Obtener los parámetros de transmisión de la red de dos puertas de la figura.

Si ZL= jω + 2Ω, Zg = 1Ω, Vg(t) = 15cosωt, R1 = R2 = 1Ω y C= 1/jωΩ, encontrar i2(t).

Actividad 7

El cuadripolo de la figura cumple las siguientes relaciones: V2 = b11V1 – b12i1, i2 = b21V1

– b22i1, siendo b11= -20, b12= -3000Ω, b21 = -210-3Ω-1, b22 = -0.2. Determinar la potencia
media suministrada a la carga de 5kΩ y la potencia media suministrada a la puerta de
entrada. ¿Cuánto habrá de valer la impedancia de carga en la puerta 2 para que se
transfiriese la máxima potencia media?

Datos: Vg = 500V, R1 = 500Ω y R2 = 5kΩ

Actividad 8

Dos amplificadores idénticos en cascada. Cada amplificador es descrito por sus

parámetros h, que en ambos casos valen h11 = 1000Ω, h12 = 0.0015, h12 = 100 y h22=10-
4Ω-1. Encontrar la ganancia en voltaje V2/Vg.

Datos: R1 = 500Ω y R2 = 10kΩ

DISEÑO DE FILTROS ANALÓGICOS

Contenidos

1. 1 Introducción
1. 1.1 Objetivos
2. 1.2 Función de transferencia
3. 1.3 Tipos de filtros
2. 2 Diagrama de Bode
1. 2.1 Descomposición de la función de transferencia en suma de factores
2. 2.2 Representación de módulo y fase
3. 3 Filtros de primer orden
1. 3.1 Filtros paso- bajo
2. 3.2 Filtros paso- alto
4. 4 Filtros de segundo orden
1. 4.1 Filtros paso- bajo
2. 4.2 Filtros paso- alto
3. 4.3 Filtros paso- banda
4. 4.4 Filtros rechaza- banda
5. 5 Filtros de orden n
1. 5.1 Especificación de características de filtros
2. 5.2 Filtros de Butterworth
3. 5.3 Filtros de Chebyshev
4. 5.4 Transformaciones de filtros

Introducción

Objetivos

 Conocer los distintos tipos de filtros y sus características.

 Calcular la función de transferencia, ceros y polos de cualquier filtro.
 Dibujar diagramas de Bode a partir de la función de transferencia
 Diseñar filtros conforme a unas especificaciones dadas.

Función de transferencia

 Un filtro es un sistema que atenúa la amplitud de las señales aplicadas a su

entrada en función de la frecuencia.
 La función de transferencia describe la relación entre la señal de salida y la de
entrada.
  Para señales senoidales en régimen permanente s = j

 

La función de transferencia se puede descomponer en módulo y fase.

 Se suele hablar de la atenuación del filtro en lugar de la

amplitud:

Tipos de filtros

Según el tipo de componentes

 Los filtros pasivos están constituidos por resistencias, bobinas y condensadores

únicamente.
 Los filtros activos hacen uso de amplificadores operacionales. Evitan el uso de
bobinas.

Según las bandas filtradas

Diagrama de Bode

Descomposición de la función de transferencia en suma de factores

 La función de transferencia se puede escribir como cociente de dos polinomios

de coeficientes reales:

z1, ... ,zn: ceros de la función de transferencia

p1, ... ,pm: polos de la función de transferencia

 Para señales senoidales en régimen permanente podemos escribir la función de

transferencia como producto de módulos y fases:

- El diagrama de Bode es la representación asintótica del módulo y la fase de la

función de transferencia.

 Módulo

Aplicando logaritmos se puede representar el módulo como suma y diferencia de

factores:

 La fase se escribe directamente como suma y diferencia de factores:

 Los términos positivos provienen de los ceros, los negativos de los polos.
 El diagrama de Bode se puede representar como superposición de diagramas de
módulo y fase de los factores Ni() y Dk().
Representación de módulo y fase

Los términos Ni( j) y Dk(j) siempre tendrán una de estas formas:

 Constante real pura. Nos da la ganancia del filtro.

 Término imaginario puro. Corresponde a un cero o un polo a frecuencia cero.

j

 Término binómico. Polos o ceros reales.

 Término cuadrático. Polos o ceros complejos conjugados.

Diagrama de Bode de una constante real

H(j) = K
Módulo
|H|dB = 20log |K| = cte.
Si |K| > 1 el filtro amplifica.
Si |K| < 1 el filtro atenúa.

Fase

Diagrama de Bode de un cero en el origen

H(j) = j
Módulo
|H|dB = 20log ||
Recta de pendiente 20dB/dec que pasa por 0dB en s-1

Fase

Diagrama de Bode de un polo en el origen

H(j) = 1/j
Módulo
|H|dB = -20log ||
Recta de pendiente -20dB/dec que pasa por 0dB en s-1

Fase

Diagrama de Bode de un cero a frecuencia 

H(j) = 1+j/ 
Módulo
|H|dB = 20log (1+
Fase
(j) = arctan / 

Diagrama de Bode de un polo a frecuencia 

H(j) = 1/(1+j/ )
Módulo
|H|dB = -20log (1+2/20)1/2

Fase

(j) = -arctan / 
Diagrama de Bode de un cero/polo cuadrático

Las raíces del polinomio pueden ser:

1. Reales y diferentes si  > 1.

2. Reales e iguales (cero múltiple en  = 0) si  = 1.
3. Complejas conjugadas si  < 1.

El tratamiento de los casos 1 y 2 es igual que el de los ceros simples.

Módulo

Fase

Filtros de primer orden

Función de transferencia general

Función de transferencia del filtro paso-bajo

Función de transferencia del filtro paso-alto

Filtros paso- bajo

Filtros pasivos

Filtros activos

Filtros paso- alto

Filtros pasivos

Filtros activos
Nota: En todos los circuitos presentados la frecuencia de corte depende de
dos parámetros. En el proceso de diseño tendremos que fijar uno de
ellos arbitrariamente.
Subir

Filtros de segundo orden

Función de transferencia

: coeficiente de amortiguamiento.
Q = 1/2: factor de calidad.
0: frecuencia de resonancia.

 Reales y distintos si Q < 1/2.

 Reales e iguales si Q = 1/2.
 Complejos conjugados si Q > 1/2.

Funciones de transferencia
Filtro paso-bajo

Filtro paso-alto

Filtro paso-banda

Filtro rechaza-banda

Filtros paso- bajo

Filtro pasivo

Filtro activo. Celda de Sallen-Key

Filtros paso- alto

Filtro pasivo

Filtro activo. Celda de Sallen-Key

Filtros paso- banda

Filtro pasivo

Filtro activo. Filtro Deliyannis

Filtros rechaza- banda

Filtro pasivo

Filtro activo. Celda en T gemela

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Filtros de orden n

Especificación de características de filtros

 Frecuencia de corte: por encima (o debajo) de la cual la señal se atenúa 3dB

(filtro real) o completamente (filtro ideal).
 Banda de paso: intervalo de frecuencias para las que la respuesta en
amplitud es mayor que 3dB (filtro real) o la unidad (filtro ideal).
 Banda atenuada: intervalo de frecuencias para las que la respuesta en
amplitud es menor que 3dB (filtro real) o es nula (filtro ideal).
 Orden del filtro: es el grado del polinomio del denominador de la función de
transferencia. Determina la pendiente de la atenuación.

Hp: Mínima ganancia en la banda de paso

Ha: Máxima ganancia en la banda atenuada
p: Máxima frecuencia de la banda de paso
a: Mínima frecuencia de la banda atenuada
Hp: Mínima ganancia en la banda de paso
Ha: Máxima ganancia en la banda atenuada
p: Mínima frecuencia de la banda de paso
a: Máxima frecuencia de la banda atenuada

Parámetro de discriminación de un filtro

Si Hp. >> Ha ⇒ Kd << 1 y el filtro es de mejor calidad.

Parámetro de selectividad de un filtro

Si p ≈ a ⇒ Ks ≈ 1 y el filtro se aproxima al ideal.

Filtros de Butterworth

 El filtro de Butterworth tiene una función de transferencia máximamente plana

en la banda de paso.
 Todos los ceros se encuentran en ∞

c: frecuencia de corte

n: orden de filtro

Diseño del filtro de Butterworth

1. Cálculo del orden del filtro

2. Obtener la función de transferencia a partir de tablas para filtros normalizados.
3. Escalar la frecuencia de corte y las impedancias.

Filtros de Chebyshev
  El filtro de Chebyshev exhibe un rizado en la banda pasante.
 Es máximamente abrupto en la banda de transición.
 Todos los ceros se encuentran en ∞

c: frecuencia de corte

n: orden de filtro

: parámetro de rizado

Diseño del filtro de Chebyshev

1. Cálculo del orden del filtro

2. Cálculo del parámetro de rizado

3. Obtener la función de transferencia a partir de tablas para filtros normalizados

4. Escalar la frecuencia de corte y las impedancias.

Transformaciones de filtros

Transformación paso-bajo → paso-alto

s→1/s y R→C = 1/R y C→R = 1/C
Escalado de frecuencias →

 →C/ y L→L/
En filtros pasivos: C

 En filtros activos: C→C/ o R→R/

Escalado de impedancias
Esta transformación mantiene la frecuencia de corte del circuito.
R →R y C→C/ y L→L

EJERCICIOS:
Ejercicio 1

Dibujar el diagrama aproximado de Bode del sistema G(jω).

Subir

Ejercicio 2

Dibujar el diagrama aproximado de Bode del sistema G(jω).

Subir

Ejercicio 3

Extraer la función de transferencia G(jω) a partir del siguiente diagrama de Bode de

magnitud.

Subir

Ejercicio 4

Extraiga la función de transferencia G(jω) a partir del siguiente diagrama de Bode de

magnitud.
 Subir

Ejercicio 5

El sistema G(jω) = 1/(jω+1) se excita con la siguiente señal de entrada: x(t) = sen(10t) .
Calcule la señal de salida del sistema en régimen permanente y(t).

Subir

Ejercicio 6

Diseñar un filtro pasa-banda de 2º orden, pasivo, con ωn = 1000 rad/s y BW=100 rad/s.
(Nota: tómese C=1μF).

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Ejercicio 7

Demuestre que los parámetros del filtro pasa banda de segundo orden que se muestra en
la figura son:
 Subir

Ejercicio 8

Un sistema de telefonía sufre una interferencia de 60 Hz ocasionada por una línea

de transmisión de energía eléctrica. Calcular el valor de la capacidad C y de la
autoinductancia L de un filtro rechaza-banda que elimine el ruido a 60 Hz. (Utilizar un
filtro pasivo como el de la figura 8.13.1. Tómese C=100 μF).

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Ejercicio 9

Realice las siguientes cuestiones para el filtro de la figura:

a) Obtenga H(jw) = . ¿Qué tipo de filtro es?.

b) Si R1=10 kΩ, R2=5 kΩ, Rf=5 kΩ y C=1 μF, calcúlese fc y H0.

 Subir

Ejercicio 10

Dado el circuito de la figura, hallar:

a) La función de transferencia G( jw).

b) Si R2=10 kΩ, R1=5 kΩ, C1=1 μF y C2=10 μF, dibújar de forma simplificada el
diagrama de Bode.

Subir

Ejercicio 11

Diseñar un filtro pasa-banda utilizando un filtro pasabajas y un filtro pasaaltas de primer

orden. El filtro debe proporcionar una amplificación de 2 en la banda de frecuencias
comprendida entre 100 y 10000 Hz. Utilizar condensadores de 0.2 μF.
 Subir

Ejercicio 12

Obtenga un filtro rechaza-banda utilizando un filtro pasa-bajas y uno pasa-altas activos

de primer orden. Las frecuencias de corte superior e inferior deben ser 100 y 2000
rad/s respectivamente. Debe tener una ganancia de 3 en las bandas de paso. (Utilice:
C=0.5 μF)

Subir

Ejercicio 13

En el circuito de la figura (una variante del “filtro universal”):

a) Obtener la función de transferencia G(j ).

b) Indicar qué valores deberían adquirir R1, R2, R3 y R4 para obtener:

- Un filtro paso-bajo.

- Un filtro paso-alto.

Subir
Ejercicio 14

Se desea implementar un filtro activo de Butterworth, pasa bajas, de orden 3, tal que a
10 kHz la atenuación sea de 40 dB ¿Cuál será la frecuencia de corte? Indíquese el valor
de los condensadores si disponemos de resistencias de valor R=4.7 kΩ.

Subir

Ejercicio 15

Diseñar un filtro activo paso-bajo de Chebyshev con frecuencia de corte fc=3 kHz y
rizado de 0.25 dB. A una frecuencia 5 veces mayor a la de corte debe atenuar, al menos,
60 dB. Implemente el filtro activo utilizando resistencias de 5 kΩ.

Subir

Ejercicio 16

El circuito de la figura se utiliza en un reproductor de discos de vinilo. Su función es

filtrar la señal procedente del fonógrafo antes de ser reproducida en el altavoz del
equipo. Obtener la función de transferencia.

Subir

Ejercicio 17

Diseñe un filtro Butterworth pasabajas, activo, de cuarto orden, con una frecuencia de
corte de 500 Hz y una ganancia de 10 en la banda de paso (Utilice resistencias de 1 kΩ
y una resistencia de 10 kΩ).

Subir
Ejercicio 18

Diseñe un filtro Butterworth pasaaltas, activo, de cuarto orden, con una frecuencia de
corte de 500 Hz y una ganancia de 10 en la banda de paso (C=1 μF).

Subir

Ejercicio 19

Diseñar un filtro activo pasa-altas que cumpla con los siguientes requerimientos:

Ap = -3 dB a fp = 100 Hz

Aa = -75 dB a fa = 25 Hz

(Se recomienda utilizar el filtro con el menor orden posible, C = 0.015μF, Rizado
máximo: 1 dB).

Subir

Ejercicio 20

En la figura se muestra una célula Sallen-Key de tercer orden. Hallar la función

de transferencia H(jω).

CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES

Contenidos

1. 1 Diodos
1. 1.1 Introducción: Tipos, convenio de signos y características de los
diodos
 2. 1.2 Modelo de Shockley: Relación corriente-tensión del diodo real
3. 1.3 Modelos simplificados en continua
4. 1.4 Modelo simplificado de pequeña señal
2. 2 Transistores bipolares
1. 2.1 Introducción: Tipos, convenio de signos y modos de funcionamiento
de los transistores
2. 2.2 Modelo de Ebbers Moll: Relación corriente-tensión del transistor
bipolar
3. 2.3 Características de entrada y salida: Relación I-V a la entrada y la
salida de un BJT en emisor común
4. 2.4 Modelos de continua
5. 2.5 Circuitos de polarización: Ejemplos de circuitos de polarización de
BJTs
6. 2.6 Modelos de pequeña señal
7. 2.7 Configuraciones especiales
3. 3 Transistores de efecto campo
1. 3.1 Introducción: Tipos, símbolos y convenio de signos
2. 3.2 Modo de funcionamiento
3. 3.3 Los FETs en continua
4. 3.4 Características de corriente- tensión
5. 3.5 Circuitos de polarización: Ejemplos de circuitos de polarización de
los FETs
6. 3.6 Modelo de pequeña señal
7. 3.7 Configuraciones especiales
4. 4 Introducción a las fuentes de corriente
1. 4.1 Fuente de corriente continua ideal
2. 4.2 Fuente de corriente continua real
5. 5 Fuentes de corriente con componentes discretos
1. 5.1 Fuente de corriente básica
2. 5.2 Influencia de la resistencia de emisor
3. 5.3 Realización práctica de fuentes con componentes discretos
6. 6 Fuentes de corriente en circuitos integrados
1. 6.1 Fuente de corriente básica
2. 6.2 Espejo de corriente con salidas múltiples
3. 6.3 Fuente de corriente con corriente de base compensada
4. 6.4 Fuente de corriente Wilson
5. 6.5 Fuente de corriente Widlar
7. 7 Referencias de corriente
1. 7.1 Referencia básica de corriente
2. 7.2 Referencias independientes de la tensión de polarización

Diodos

Introducción: Tipos, convenio de signos y características de los diodos

Diodo Diodo Zener

Características del diodo

 Dispositivos de dos terminales que permiten el paso de corriente en función del

potencial aplicado externamente.
 Polarización directa: la aplicación de un potencial externo positivo implica
la circulación de corriente

(VD > 0 ⇒ ID > 0).

 Polarización inversa: con un potencial externo negativo no circula

corriente (VD ≤ 0 ⇒ ID = 0).

Características del diodo Zener

 Idénticas características que el diodo convencional, y además:

 Situación de ruptura: si la tensión de polarización negativa supera cierto umbral,
-Vz , (tensión zener) el diodo permite el paso de corrientes negativas (VD < -
VZ ⇒ ID < 0).

Aplicaciones de los diodos

 En circuitos que manipulan la forma de la señal: recortadores,

fijadores, rectificadores . . .
 Introducción de caídas de potencial fijas entre dos puntos de un circuito.

Modelo de Shockley: Relación corriente-tensión del diodo real

 Para analizar circuitos con diodos es necesario conocer la relación que

existe entre ID y VD.
 Un cálculo basado en las propiedades de los semiconductores
permite establecer esta relación:

ID = IS (eVD/nVT -1)

Donde
IS: corriente inversa de saturación
n: constante correctora
VT = kT/q tensión térmica
q: carga del electrón
k: constante de Boltzmann
T: temperatura

Modelos simplificados en continua

 El modelo de Shockley es demasiado complejo para analizar

circuitos manualmente.
 En la práctica se sustituye el modelo de Schockley por modelos linealizados más
sencillos.
 Los siguientes modelos se aplican para trabajar con tensiones y
corrientes continuas.

Modelo de tensión de codo

 Si el diodo está en inversa lo aproximamos a un circuito abierto.

 Si está en directa lo sustituimos por una caída de potencial de valor V
 V≈0,7V para diodos de silicio.
 Vdepende de la temperatura:

V ≈ 0,7V - 2mV/ºC(T - 25ºC)

Modelo simplificado para el diodo Zener

 En directa y en inversa mismo modelo que el diodo normal.

 En ruptura sustituimos el zener por una caída de potencial de valor -VZ.
Modelo simplificado de pequeña señal

 Si aplicamos únicamente una tensión continua, VD, a un diodo, la corriente, ID,

viene determinada por los modelos anteriores.
 Si además superponemos una componente alterna de tensión, vd, de pequeña
amplitud a la componente de continua, se producirá una pequeña oscilación de la
corriente, id.
 Las magnitudes totales de tensión, vD, y corriente, iD, serán:

 La relación entre vd e id será aproximadamente lineal:

Ejemplo

Calcular la corriente que atraviesa el diodo

La corriente total, iD que atraviesa el diodo es la suma de una componente continua, ID,
inducida por VDC, y una componente de alterna, id, inducida por vac:
iD = ID +id

Se aplica el principio de superposición:

 Subir

Transistores bipolares

Introducción: Tipos, convenio de signos y modos de funcionamiento de los transistores

Modos de funcionamiento
Modo de funcionamiento
Unión base- emisor Unión base- colector

Directa Inversa Activa directa

Directa Directa Saturación

Inversa Inversa Corte

Inversa Directa Activa inversa

Modelo de Ebbers Moll: Relación corriente-tensión del transistor bipolar

Un transistor npn puede ser modelizado por el siguiente circuito:

Donde:

Características de entrada y salida: Relación I-V a la entrada y la salida de un BJT

en emisor común

Características de entrada, IB - VBE

En la gráfica: VCE3 > VCE2 > VCE1

Características de salida, IC - VCE

  En la gráfica: IB4 > IB3 > IB2 > IB1
 En activa directa: IC = (F)IB
 El BJT es un dispositivo controlado por corriente.
 Al ser  un número grande, a la salida se obtiene una corriente amplificada.

Efecto Early
En la práctica la corriente de colector del BJT en activa directa también depende de la
tensión colector-emisor.

En activa directa:

VA: tensión Early

Modelos de continua

BJT npn
Activa directa
IC = IB
VBE ≈ 0,7V

Saturación
VBE ≈ 0,6V
 VCE ≈ 0,2V
IC < IB

Corte
IC = IE = IB = 0

Circuitos de polarización: Ejemplos de circuitos de polarización de BJTs

Recta de carga estática

 Relación I - V del circuito aplicado a la salida del transistor.

 Con el transistor en emisor común es la relación IC - VCE.

Punto de trabajo, Q

 Son los valores de corriente y tensión concretos que se obtienen al polarizar

el transistor con un circuito.
 En activa directa viene dado por (IC,VCE).

Misión del circuito de polarización

 Situar el punto de trabajo en la zona activa directa.

 Mantener el punto de trabajo estable frente a variaciones de ,
temperatura ...

Circuito de polarización con divisor de tensión

 - Recta de carga

- Punto de trabajo

- Estabilidad de Q

- Criterio de diseño: RE = 10RB/

Circuito con realimentación de colector

- Recta de carga

- Punto de trabajo

- Estabilidad de Q
RC >> RB/

Modelos de pequeña señal

 Si en un circuito con BJTs coexisten componentes de continua y

señal, utilizaremos los siguientes modelos para trabajar con las
componentes de señal.
 Los modelos son validos tanto para transistores npn como para
transistores pnp.
Modelo


Modelosimplificados

 En numerosas ocasiones podemos trabajar con modelos más

simples.
 Es habitual hacer las aproximaciones rž  = ∞ y ro = ∞

Configuraciones especiales

BJT como diodo

 Un BJT con la base y el colector cortocircuitados se comporta como un diodo:

 En pequeña señal puede ser sustituido por una resistencia de valor 1/gm.

Par Darlington
El par Darlington se comporta como un único transistor con D muy alta:
D = 12 + 1 + 2 ≈ 12
Tensión base-emisor del Darlington:
VBE,D ≈ 1,4V

El multiplicador VBE

 El multiplicador VBE introduce una caída de potencial fija entre sus

terminales, independiente de la corriente que circula.

Subir

Transistores de efecto campo

Introducción: Tipos, símbolos y convenio de signos

Modo de funcionamiento

 Los FETs se mantienen en corte mientras el potencial aplicado entre puerta

y fuente es menor que un cierto umbral, Vt.
 Una vez en conducción, pueden hallarse en dos modos: zona óhmica
y saturación dependiendo del potencial del drenador.

FETs de canal n
Corte VGS < Vt
Zona óhmica VGS > Vt y VDS < VGS - Vt
Saturación VGS > Vt y VSD > VGS - Vt

FETs de canal p
Corte VGS < Vt
Zona óhmica VSG > Vt y VSD < VSG - Vt
Saturación VSG > Vt y VSD > VSG - Vt

Los FETs en continua

Para todos los FETs

IG = 0 en todos los modos de funcionamiento

MOSFETs de canal n
Corte ID = 0
Zona óhmica ID = kn[2(VGS - Vt )VDS - V2DS]
Saturación ID = kn(VGS - Vt )2

MOSFETs de canal P
Corte ID = 0
Zona óhmica ID = kP[2(VSG - Vt )VSD - V2SD]
Saturación ID = kP(VSG - Vt )2

Diferencia entre MOSFETs de acumulación y deplexión:

 En MOSFETS de acumulación, Vt > 0

 En MOSFETS de deplexión, Vt < 0

JFETs de canal n
Corte ID = 0

Zona óhmica: ID = IDss

Saturación: ID = IDss

VGS < 0 siempre para el JFET de canal n

JFETs de canal p
Corte ID = 0
Zona óhmica ID = IDss

Saturación: ID = IDss

VSG < 0 siempre para el JFET de canal p

También es posible escribir las ecuaciones del MOSFET de deplexión de esta forma
haciendo el cambio:
Vp = Vt , IDSS = knV2t

Características de corriente- tensión

Características de salida:

 Iguales para las tres familias de FETs.

 En la gráfica: VGS4 > VGS3 > VGS2 > VGS1
 El FET es un dispositivo controlado por tensión.

Equivalencia de modos de funcionamiento BJT-FET

Modulación de la longitud del canal

 En la práctica la corriente de drenador en saturación no es independiente de VDS

 Es el análogo al efecto Early en los BJTs.
 En saturación:

Circuitos de polarización: Ejemplos de circuitos de polarización de los FETs

Polarización de un MOSFET de acumulación

Recta de carga
Punto de trabajo

Polarización de un MOSFET de deplexión

Recta de carga

Punto de trabajo

Modelo de pequeña señal

 Si en un circuito con FETs coexisten componentes de continua y

señal, utilizaremos el siguiente modelo para trabajar con las componentes de
señal.
 El modelo es común para todos los FETs.
Configuraciones especiales

En los circuitos integrados se suelen utilizar cargas activas en lugar de resistencias.

Carga de acumulación

Carga de deplexión

Introducción a las fuentes de corriente

Fuente de corriente continua ideal

  La fuente de corriente ideal es un dispositivo de dos terminales que proporciona
una corriente constante independientemente del valor de la tensión que cae entre
sus terminales.
 Idealmente la impedancia de salida es infinita.

Fuente de corriente continua real

Corriente de salida

 La fuente de corriente real se comporta como una fuente ideal en paralelo con
una resistencia grande.
 En una fuente real la tensión que cae entre sus terminales influye en el valor de
la corriente de salida.

Modelo de pequeña señal

 En pequeña señal sustituimos la fuente de corriente por una

resistencia (resistencia de salida), idealmente infinita.

 Al diseñar una fuente de corriente nos interesa que la impedancia de salida sea
grande.

Subir

Fuentes de corriente con componentes discretos

Fuente de corriente básica

Corriente de salida

Límite de funcionamiento
El transistor debe mantenerse en activa directa: VCE > VsatCE ≈ 0,2V

Sumidero Fuente
VC > -VEE +0,2V VC< VEE - 0,2V

Impedancia de salida
Circuito de pequeña señal:

La impedancia de salida de la fuente básica coincide con la del transistor.

Influencia de la resistencia de emisor

Corriente de salida

 Con el transistor en activa directa:

La corriente de salida es más estable frente a variaciones de 

Límite de funcionamiento
VC > VsatCE +IORE -VEE para que el circuito se comporte como una fuente de corriente.

Impedancia de salida

La impedancia de salida aumenta cuando se añade la resistencia de emisor.

Realización práctica de fuentes con componentes discretos

Fuente con tensión de referencia

 Mismo circuito que la fuente básica con resistencia de emisor sin resistencia de
base
 Basta hacer RB = 0 en las ecuaciones anteriores

Corriente de salida

Impedancia de salida

Fuente con divisor de tensión

  La tensión de referencia se genera con un divisor de tensión.
 Si sustituimos el divisor de tensión por su equivalente de Thevenin, el circuito
se reduce a la fuente básica de corriente con resistencia de emisor.

Corriente de salida

Impedancia de salida

Fuente con diodo Zener

 Sustituyendo el Zener en ruptura por una fuente de tensión de valor VZ el

circuito se reduce al de la fuente básica con resistencia de emisor y resistencia de
base nula.

VBB = VZ
RB = 0
Corriente de salida

Impedancia de salida
 Subir

Fuentes de corriente en circuitos integrados

Fuente de corriente básica

Espejo básico de corriente con BJTs

Corriente de salida


 Si

>> 2 ⇒ IO ≈ IREF. La corriente de salida es una réplica de la corriente de referencia

 Los transistores deben ser iguales .

Impedancia de salida

La impedancia de salida de la fuente coincide con la del transistor.

Espejo básico de corriente con FETs

Corriente de salida

La relación entre la corriente de salida y la de referencia sólo depende de

las dimensiones de las puertas.

Impedancia de salida

RO = ro2
La impedancia de salida de la fuente también coincide con la del transistor.

Espejo de corriente con salidas múltiples

Fuente múltiple con BJTs

Corriente de salida
Todas las corrientes de salida son iguales si los transistores son iguales.
La corriente de salida disminuye cuando ponemos muchos transistores de salida.

Impedancia de salida
Coincide con la de la fuente básica.

Fuente múltiple con FETs

Corriente de salida
Impedancia de salida

Coincide con la de la fuente básica.

Fuente de corriente con corriente de base compensada

Corriente de salida
La corriente de salida es menos dependiente de 

Impedancia de salida
Coincide con la de la fuente básica
No existe una versión con FETs de este circuito

Fuente de corriente Wilson

Fuente de corriente con BJTs

Corriente de salida

La corriente de salida es menos dependiente de .

Impedancia de salida

La impedancia de salida es mayor que la del espejo básico de corriente.

Fuente de corriente con FETs

Corriente de salida

Impedancia de salida
RO ≈ ro3(2 + gm1ro1)

Fuente de corriente Widlar

Corriente de salida
IREF ≈ IOeIORE/VT
La fuente de Widlar genera corrientes muy pequeñas en relación a la de referencia.

Impedancia de salida

RO ≈ ro2(1 + gm2RE)
Subir

Referencias de corriente

Referencia básica de corriente

Una resistencia genera la corriente de referencia:

Referencias independientes de la tensión de polarización

 La corriente de referencia es generada por un JFET

 La corriente es independiente de VCC:

VGS = 0 ⇒ ID = IDSS

 El JFET debe mantenerse en saturación:

VDS = VCC - VBE1 > Vp ⇒ IREF = IDSS

EJERCICIOS:

Actividad 1

Determinar el punto de trabajo (IC;VCE) del transistor polarizado con fuente de corriente.
Datos: VCC = 12V, IE = 3mA, RC = 1;5K, RB = 330K, = 100, VBE = 0,7V.

Solución: IC = 3mA, VCE = 6V.

Subir

Actividad 2

¿Cuál debe ser el valor de las resistencias para que la corriente de colector sea IC = 5mA
y la potencia disipada por el diodo Zener sea menor que 1mW? ¿Se encuentra el
transistor en activa directa?

Datos: VCC = 12V, = 200, VBE = 0,7V, VsatCE = 0,2V, VZ = 5V.

Solución: R1 > 31K, RE = 0;88K, VCE = 7,6V >VsatCE

Subir

Actividad 3

Calcular el punto de trabajo del transistor en el circuito siguiente.

Datos: VEE = 12V, RE = 150, RC = 1K, R1 = 10K,  = 150, VEB = 0,7V, V = 0,7V.

Solución: IC = 4,7mA, VEC = 6,6V.

Subir

Actividad 4

Utilizar la aproximación  → ∞ para hallar el punto de trabajo de los transistores en el

circuito cascodo de la figura.

Datos: VCC = 9V, RC = 1K, RE = 1K, R1 = 6,8K, R2 = 5,6K, R3 = 3,3K, VBE =

0,7V.

Solución: IC = 1,3mA, VCE1 = VCE2 = 3,2V.

Subir

Actividad 5
Calcular el punto de trabajo de los transistores utilizando la aproximación  → ∞.

Datos: VCC = 10V, R1 = 80K, R2 = 20K, RC1 = 2K, RE1 = 1K, RE2 = 1K, RC2 =
2K, VBE = VEB = 0,7V.

Solución: IC1 = 1,3mA, VCE1 = 6,1V, IC2 = 1,9mA, VEC2 = 4,3V.

Subir

Actividad 6

Calcular el punto de trabajo de los transistores polarizados con fuentes de corriente.

Datos: VCC = 15V, RE1 = 4K, RC2 = 4K, I1 = 10μA, I2 = 2mA,  = 100, VBE = 0,7V.

Solución: IC1 = 1mA, VCE1 = 11V, IC2 = 2mA, VCE2 = 3,7V.

Subir

Actividad 7
Calcular el punto de trabajo de los transistores haciendo uso de la

aproximación  → ∞.

Datos: VCC = 9V, R1 = 20K, R2 = 20K, RC1 = 1K, RE1 = 1K, RC2 = 1K, VBE =
0,7V.

Solución: IC1 = 0,7mA, VCE1 = 4,5V, VCE1 = 3,1mA, VCE2 = 2,1V.

Subir

Actividad 8

Calcular el punto de trabajo de los transistores haciendo uso de la

aproximación  → ∞

Datos: VCC = 9V, R1 = 2K, R2 = 1K, RC1 = 2,6K, RE1 = 500, RC2 = 60, RE2 =
600, VBE = 0,7V.

Solución: IC1 = IC2 = 2,3mA, VCE1 = 6,7V, VCE2 = 3,5V, IC4 = 7,3mA, VCE4 = 4,2V.

Subir
Actividad 9

Calcular la relación IC — IB del par Darlington modificado y del par Sziklai modificado
representados en la figura, trabajando en activa directa. Asumir que los transistores son
idénticos y que VBE1 = VBE2.

Solución: Par Darlington, IC

=

Subir

Actividad 10

Calcular el punto de trabajo (ID, VDS, VGS) del MOSFET en los siguientes circuitos.

Datos: VDD = 5V, I = 1mA, R = 1K, Vt = 1V, kn = 0,25mA/V2.

Solución: ID = 1mA, VDS = 8V, VGS = 3V; ID = 1mA, VDS = 3V, VGS = 3V; ID = 1,5mA,
VDS = 3,5V, VGS = 3,5V.

Subir

Actividad 11
Calcular el valor de los componentes del circuito de la figura para que el transistor
opere en saturación con ID = 0,5mA, VD = 3V y la potencia disipada por el divisor de
tensión sea de 5μW.

Datos: VSS = 5V, Vt = 1V, kn = 0,5mA=V2.

Solución: R1 = 2M, R2 = 3M, RD = 6K.

Subir

Actividad 12

Calcular el punto de trabajo de los transistores del siguiente circuito:

Datos: VSS = 5V, kn = kp = 100μA=V2, Vt = 2V, R1 = 1M.

Solución: VSG1 = VSD1 = VGS2 = VDS2 = 5V, ID1 = ID2 = 0,9mA.

Subir

Actividad 13
Calcular el punto de trabajo de los transistores del circuito de la figura.

Datos: VDD = 15V, R1 = 1,4M, R2 = 1M, RS = 1,5K, IO = 2mA, kn = 2mA/V2, Vt =

0,6V.

Solución: VGS1 = 1,6V, VDS1 = 10,4V, ID1 = 2mA, VGS2 = 1,5V, VDS2 = 11,9, ID2 = 2,1mA.

Subir

Actividad 14

Calcular el punto de trabajo de los transistores del siguiente circuito de polarización:

Datos: VCC = 12V, R1 = 33K, R2 = 68K, RC = 1K, RG = 1M, RS = 1K; para el

BJT,  = 100 y VBE = 0,7V en activa directa; para el JFET, Vp = – 3V, IDSS = 9mA

Solución: VGS = – 1,7V, VDS = 5,3V, ID = IC = 1,7mA, VCE = 3,3V.

Subir

Actividad 15
Diseñar el valor de RE en la fuente de corriente de la figura para tener IO = 1mA. ¿Cuál
es la tensión máxima que se puede aplicar a la salida manteniendo la corriente
constante?

Datos: VCC = 5V, VEB = 0,7V, VsatCE = 0,2V.

Solución: RE = 4,3K, V = 0,5V.

Subir

Actividad 16

Determinar la corriente corriente IO y la impedancia de salida de la fuente de corriente

con componentes discretos de la figura.

Datos: VEE = 12V, V = VBE = 0,7V, VA = 200V,  = 100, R1 = 2,5K, R2 = 2K, RE =

200.

Solución: IO = 27mA, RO = 119K, VT = 25,9mV.

Subir
Actividad 17

Diseñar una fuente básica de corriente y una fuente Widlar que proporcionen una
corriente constante IO = 10μA. Para ello considerar que VBE = 0,7V para una corriente de
colector de 1mA.

Datos:  → ∞, V A = 100V, VT = 25,9mV.

Solución: R = 942K, RO = 10M (fuente básica), R1 = 9,3K, R2 = 11,9K, RO =

56M (fuente Widlar).

Subir

Actividad 18

Diseñar una fuente de corriente Wilson basada en transistores bipolares y con corriente
de referencia generada mediante una resistencia, R, que proporcione una corriente de
salida IO = 5mA. Se dispone de una fuente de tensión.

VCC = 30V. Calcular la resistencia de salida, RO.

Datos: VBE = 0,7V, VA = 150V,  = 100.

Solución: R = 5,6K, RO = 1,44M

Subir

Actividad 19

Dado el siguiente espejo de corriente en configuración cascodo, determinar la

resistencia de salida y la tensión de salida mínima.
Datos: VSS = 5V, Iref = 10A, Vt = 1V, nCox = 20A/V2, L = 10m, W = 40m, VA =
20V.

Solución: RO = ro4(2+gm4ro2) = 164M, VminO = –3V.

Subir

Actividad 20

Calcular el valor que debe tener la resistencia RE para que la corriente de salida sea IO
= 1,5mA.

Datos: VCC = 12V, IDSS = 1mA, Vp = –3V, VT = 25,9mV,  → ∞

Solución: RE = 36.

Subir

Actividad 21
¿Cuál debe ser la relación entre las dimensiones de la puerta W3 y L3 del transistor M3
para que la corriente de

salida sea IO = 100A?

Datos: nCox = 20A/ V2,W1 = W2 = 20m, L1 = L2 = 10m, Vt = 1V, VDD = 5V

Solución: W3/ L3 = 17.

AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL

Contenidos

1. 1 Conceptos de amplificación
1. 1.1 Parámetros que caracterizan un amplificador
2. 1.2 Tipos de amplificadores
3. 1.3 Amplificadores acoplados
4. 1.4 Configuraciones básicas con transistores
2. 2 Amplificadores monoetapa con transistores bipolares
1. 2.1 Emisor común: Amplificador en emisor común con resistencia de
emisor parcialmente desacoplada
2. 2.2 Colector común
3. 2.3 Base común
3. 3 Amplificadores monoetapa con transistores de efecto campo
1. 3.1 Fuente común: Amplificador en fuente común con resistencia de
fuente parcialmente desacoplada
2. 3.2 Drenador común
3. 3.3 Puerta común
4. 4 Amplificadores multietapa
1. 4.1 Amplificador cascodo
2. 4.2 Amplificador colector común- base común
3. 4.3 Amplificador colector común- emisor común
5. 5 Amplificador diferencial
 1. 5.1 Introducción
2. 5.2 Par diferencial básico acoplado por emisor
3. 5.3 Par diferencial básico acoplado por fuente

Conceptos de amplificación

Parámetros que caracterizan un amplificador

Definiciones

 Un amplificador es un sistema que aumenta la potencia de una señal.

 La señal proviene de una fuente y se aplica a una carga.

Fuente
Podemos representar la fuente como de tensión o de corriente mediante equivalentes
Thevenin o Norton.

Carga
Representamos la carga como una resistencia.

Tipos de amplificadores

Impedancia de entrada
Es la relación entre la tensión y la corriente a la entrada del amplificador.
Ganancia e impedancia de entrada

 La salida del amplificador se puede representar mediante equivalentes Thevenin

o Norton.

 La tensión y corriente de salida son proporcionales a la tensión y corriente

de entrada.

o Ganancia de tensión a circuito abierto:

o Ganancia de corriente en cortocircuito:

o Ganancia de transconductancia en cortocircuito:

o Ganancia de transimpedancia a circuito abierto:

 La tensión y corriente en la salida se ven afectadas por la impedancia de salida,

Ro.

Saturación

 El amplificador proporciona señales amplificadas sólo para un cierto rango de

amplitudes de entrada.
 Más allá de este rango la amplitud de la señal de salida permanece constante: el
amplificador se satura.
Linealidad

 En la práctica la señal de salida no es proporcional a la de entrada.

 Se asume aproximadamente lineal para un cierto rango de valores de entrada.
 Fuera de este rango la señal se distorsiona.

Amplificador de tensión

Ganancia de tensión

Amplificador de tensión ideal

Si Ri
>> rs y Ro << RL ⇒ A'v ≈ Av ≈ Av0

Amplificador de corriente

Ganancia de corriente
Amplificador de corriente ideal
Si Ri
<<

rs y Ro >> RL ⇒ A'l ≈ Al ≈ Al0

Amplificador de transconductancia

Ganancia de transconductancia

Amplificador de transconductancia ideal

Si Ri
>> rs y Ro

>> RL ⇒ G'm ≈ Gm ≈ Gm0

Amplificador de transimpedancia

Ganancia de transimpedancia

Amplificador de corriente ideal

Si Ri
<<

rs y Ro <<
Zm ⇒ Z'm ≈ Zm ≈ Zm0

Amplificadores acoplados

En ocasiones es necesario acoplar varios amplificadores en cascada:

 La carga del amplificador 1 es la resistencia de entrada del amplificador 2.

 La fuente del amplificador 2 es la salida del amplificador 1.

Ganancia de tensión Impedancia de entrada

Ganancia de corriente Impedancia de salida

Acoplamiento directo

 Se utiliza principalmente en circuitos integrados.

 El acoplamiento de diferentes etapas puede perturbar la polarización de los transistores.

Acoplamiento capacitivo

 Las diferentes etapas se encuentran separadas por condensadores de acoplamiento.

 Las condiciones de polarización se mantienen.
 Los condensadores modifican la respuesta en frecuencia.
 Se utiliza en circuitos con componentes discretos.

Configuraciones básicas con transistores

Configuraciones básicas con BJTs

Emisor común Colector común Base común
 Configuraciones básicas con FETs
Fuente común Drenador común Puerta común

Subir

Amplificadores monoetapa con transistores bipolares

Procedimiento general de análisis

Análisis del circuito de polarización
 1. Eliminar las fuentes de señal. Mantener las de continua.
2. Sustituir los condensadores de acoplamiento y desacoplo por circuitos abiertos.
3. Sustituir los transistores por su modelo de continua.
4. Hallar el punto de polarización de cada transistor.
Parámetros de pequeña señal
5. De los datos de polarización del transistor, obtener los parámetros del modelo de
pequeña señal (rgm...)
Análisis de pequeña señal
6. Eliminar las fuentes de continua, mantener las de señal.
7. Sustituir los condensador de acoplamiento y desacoplo por cortocircuitos.
8. Sustituir los transistores por su modelo de pequeña señal.
9. Hallar los parámetros que caracterizan el amplificador (Av, Ri...)

Emisor común: Amplificador en emisor común con resistencia de emisor

parcialmente desacoplada

C1 y C2: condensadores de acoplamiento.

CE: condensador de desacoplo de RE2

Circuito de polarización

Recta de carga estática

Punto de trabajo
Con

Equivalente de pequeña señal

Caso particular RE1 = 0

Caso particular sin CE

Recta de carga dinámica

  Recta de carga en pequeña señal:

 Las componentes de señal se encuentran superpuestas a las de continua:

 Recta de carga dinámica:

Punto de máxima excursión simétrica

 La máxima amplitud de oscilación se obtiene cuando el punto de trabajo está

centrado en la recta de carga dinámica:

 Punto de máxima excursión simétrica (ICmes,VCEmes)

Influencia de la resistencia de emisor en el circuito

 El condensador CE puede desacoplar parcial (RE1 ≠ 0) o totalmente (RE1 = 0) la

resistencia de emisor.
 El condensador CE no modifica las condiciones de polarización.
 Un aumento en la resistencia de emisor RE1 disminuye la ganancia y aumenta la
impedancia de entrada.
 La ganancia es más independiente de  con la resistencia de emisor
sin desacoplar.

Colector común
  No es necesaria RC para la polarización del transistor ni para el
buen funcionamiento del amplificador.

Punto de máxima excursión simétrica

Base común

 C3 desacopla R1 y R2 en pequeña señal, del mismo modo que lo

hace CE con RE en el amplificador en emisor común.
Punto de máxima excursión simétrica:

Subir

Amplificadores monoetapa con transistores de efecto campo

Fuente común: Amplificador en fuente común con resistencia de fuente parcialmente

desacoplada

Equivalente de pequeña señal

Drenador común

Puerta común
 Subir

Amplificadores multietapa

Cascodo (Emisor común- base común)

Colector común - base común

Colector común- emisor común

Amplificador cascodo
Equivalente de pequeña señal

Amplificador colector común- base común

Amplificador colector común- emisor común

Subir

Amplificador diferencial

Introducción

Definiciones

 Un amplificador diferencial amplifica la diferencia de dos señales de entrada.

 En el caso ideal, la componente común a las dos señales de entrada no
se amplifica.
Redefinimos las magnitudes de entrada:

vid: señal de entrada diferencial

vic: señal de entrada común

vo = Advid +Acvic

Ad: ganancia en modo diferencial

Ac: ganancia en modo común
Idealmente Ad >> Ac
CMRR = Ad/ Ac relación de rechazo del modo común

Par diferencial básico acoplado por emisor

Funcionamiento con señales grandes

Funcionamiento en pequeña señal y modo diferencial

Ad = -gmRC
Rid = 2r
Rod = RC

 El potencial en el nodo de emisor es 0 (tierra virtual).

 El amplificador diferencial se reduce a dos emisores comunes.

Funcionamiento en pequeña señal y modo común

 No existe la tierra virtual en el emisor en modo común.

CMRR = 1+2gmRoI

Par diferencial básico acoplado por fuente

Funcionamiento con señales grandes

Funcionamiento en pequeña señal y modo diferencial

 El potencial en el nodo de fuente es 0 (tierra virtual).

 El amplificador diferencial se reduce a dos fuentes comunes.

Ad = -gmRD
Rid = ∞
Rod = RD

Funcionamiento en pequeña señal y modo común

 No existe la tierra virtual en la fuente en modo común.

CMRR = 1+2gmRoI

EJERCICIOS:

Actividad 1

Determinar el punto de trabajo (IC;VCE) del transistor polarizado con fuente de corriente.

Datos: VCC = 12V, IE = 3mA, RC = 1;5K, RB = 330K, = 100, VBE = 0,7V.

Solución: IC = 3mA, VCE = 6V.

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Actividad 2

¿Cuál debe ser el valor de las resistencias para que la corriente de colector sea IC = 5mA
y la potencia disipada por el diodo Zener sea menor que 1mW? ¿Se encuentra el
transistor en activa directa?
Datos: VCC = 12V, = 200, VBE = 0,7V, VsatCE = 0,2V, VZ = 5V.

Solución: R1 > 31K, RE = 0;88K, VCE = 7,6V >VsatCE

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Actividad 3

Calcular el punto de trabajo del transistor en el circuito siguiente.

Datos: VEE = 12V, RE = 150, RC = 1K, R1 = 10K,  = 150, VEB = 0,7V, V = 0,7V.

Solución: IC = 4,7mA, VEC = 6,6V.

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Actividad 4

Utilizar la aproximación  → ∞ para hallar el punto de trabajo de los transistores en el

circuito cascodo de la figura.
Datos: VCC = 9V, RC = 1K, RE = 1K, R1 = 6,8K, R2 = 5,6K, R3 = 3,3K, VBE =
0,7V.

Solución: IC = 1,3mA, VCE1 = VCE2 = 3,2V.

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Actividad 5

Calcular el punto de trabajo de los transistores utilizando la aproximación  → ∞.

Datos: VCC = 10V, R1 = 80K, R2 = 20K, RC1 = 2K, RE1 = 1K, RE2 = 1K, RC2 =
2K, VBE = VEB = 0,7V.

Solución: IC1 = 1,3mA, VCE1 = 6,1V, IC2 = 1,9mA, VEC2 = 4,3V.

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Actividad 6

Calcular el punto de trabajo de los transistores polarizados con fuentes de corriente.

Datos: VCC = 15V, RE1 = 4K, RC2 = 4K, I1 = 10μA, I2 = 2mA,  = 100, VBE = 0,7V.

Solución: IC1 = 1mA, VCE1 = 11V, IC2 = 2mA, VCE2 = 3,7V.

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Actividad 7

Calcular el punto de trabajo de los transistores haciendo uso de la

aproximación  → ∞.

Datos: VCC = 9V, R1 = 20K, R2 = 20K, RC1 = 1K, RE1 = 1K, RC2 = 1K, VBE =
0,7V.

Solución: IC1 = 0,7mA, VCE1 = 4,5V, VCE1 = 3,1mA, VCE2 = 2,1V.

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Actividad 8
Calcular el punto de trabajo de los transistores haciendo uso de la

aproximación  → ∞

Datos: VCC = 9V, R1 = 2K, R2 = 1K, RC1 = 2,6K, RE1 = 500, RC2 = 60, RE2 =
600, VBE = 0,7V.

Solución: IC1 = IC2 = 2,3mA, VCE1 = 6,7V, VCE2 = 3,5V, IC4 = 7,3mA, VCE4 = 4,2V.

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Actividad 9

Calcular la relación IC — IB del par Darlington modificado y del par Sziklai modificado
representados en la figura, trabajando en activa directa. Asumir que los transistores son
idénticos y que VBE1 = VBE2.

Solución: Par Darlington, IC

=

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Actividad 10

Calcular el punto de trabajo (ID, VDS, VGS) del MOSFET en los siguientes circuitos.

Datos: VDD = 5V, I = 1mA, R = 1K, Vt = 1V, kn = 0,25mA/V2.

Solución: ID = 1mA, VDS = 8V, VGS = 3V; ID = 1mA, VDS = 3V, VGS = 3V; ID = 1,5mA,
VDS = 3,5V, VGS = 3,5V.

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Actividad 11

Calcular el valor de los componentes del circuito de la figura para que el transistor
opere en saturación con ID = 0,5mA, VD = 3V y la potencia disipada por el divisor de
tensión sea de 5μW.

Datos: VSS = 5V, Vt = 1V, kn = 0,5mA=V2.

Solución: R1 = 2M, R2 = 3M, RD = 6K.

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Actividad 12
Calcular el punto de trabajo de los transistores del siguiente circuito:

Datos: VSS = 5V, kn = kp = 100μA=V2, Vt = 2V, R1 = 1M.

Solución: VSG1 = VSD1 = VGS2 = VDS2 = 5V, ID1 = ID2 = 0,9mA.

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Actividad 13

Calcular el punto de trabajo de los transistores del circuito de la figura.

Datos: VDD = 15V, R1 = 1,4M, R2 = 1M, RS = 1,5K, IO = 2mA, kn = 2mA/V2, Vt =

0,6V.

Solución: VGS1 = 1,6V, VDS1 = 10,4V, ID1 = 2mA, VGS2 = 1,5V, VDS2 = 11,9, ID2 = 2,1mA.

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Actividad 14

Calcular el punto de trabajo de los transistores del siguiente circuito de polarización:

Datos: VCC = 12V, R1 = 33K, R2 = 68K, RC = 1K, RG = 1M, RS = 1K; para el
BJT,  = 100 y VBE = 0,7V en activa directa; para el JFET, Vp = – 3V, IDSS = 9mA

Solución: VGS = – 1,7V, VDS = 5,3V, ID = IC = 1,7mA, VCE = 3,3V.

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Actividad 15

Diseñar el valor de RE en la fuente de corriente de la figura para tener IO = 1mA. ¿Cuál

es la tensión máxima que se puede aplicar a la salida manteniendo la corriente
constante?

Datos: VCC = 5V, VEB = 0,7V, VsatCE = 0,2V.

Solución: RE = 4,3K, V = 0,5V.

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Actividad 16
Determinar la corriente corriente IO y la impedancia de salida de la fuente de corriente
con componentes discretos de la figura.

Datos: VEE = 12V, V = VBE = 0,7V, VA = 200V,  = 100, R1 = 2,5K, R2 = 2K, RE =

200.

Solución: IO = 27mA, RO = 119K, VT = 25,9mV.

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Actividad 17

Diseñar una fuente básica de corriente y una fuente Widlar que proporcionen una
corriente constante IO = 10μA. Para ello considerar que VBE = 0,7V para una corriente de
colector de 1mA.

Datos:  → ∞, V A = 100V, VT = 25,9mV.

Solución: R = 942K, RO = 10M (fuente básica), R1 = 9,3K, R2 = 11,9K, RO =

56M (fuente Widlar).

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Actividad 18

Diseñar una fuente de corriente Wilson basada en transistores bipolares y con corriente
de referencia generada mediante una resistencia, R, que proporcione una corriente de
salida IO = 5mA. Se dispone de una fuente de tensión.

VCC = 30V. Calcular la resistencia de salida, RO.

Datos: VBE = 0,7V, VA = 150V,  = 100.

Solución: R = 5,6K, RO = 1,44M

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Actividad 19

Dado el siguiente espejo de corriente en configuración cascodo, determinar la

resistencia de salida y la tensión de salida mínima.

Datos: VSS = 5V, Iref = 10A, Vt = 1V, nCox = 20A/V2, L = 10m, W = 40m, VA =
20V.

Solución: RO = ro4(2+gm4ro2) = 164M, VminO = –3V.

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Actividad 20

Calcular el valor que debe tener la resistencia RE para que la corriente de salida sea IO
= 1,5mA.
Datos: VCC = 12V, IDSS = 1mA, Vp = –3V, VT = 25,9mV,  → ∞
Solución: RE = 36.

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Actividad 21

¿Cuál debe ser la relación entre las dimensiones de la puerta W3 y L3 del transistor M3
para que la corriente de

salida sea IO = 100A?

Datos: nCox = 20A/ V2,W1 = W2 = 20m, L1 = L2 = 10m, Vt = 1V, VDD = 5V

Solución: W3/ L3 = 17.

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES

Contenidos

1. 1 Introducción
1. 1.1 Motivación
2. 1.2 Objetivos
3. 1.3 Revisión
4. 1.4 Modelos de componentes en alta frecuencia
2. 2 Herramientas de análisis
1. 2.1 Función de transferencia de un amplificador
2. 2.2 Cálculo de w L y w H a partir de A(s): Si los ceros y los polos
pueden determinarse fácilmente
3. 2.3 Método del cortocircuito: Si los ceros y los polos no pueden
determinarse fácilmente
4. 2.4 Método del circuito abierto
5. 2.5 Teorema de Miller
6. 2.6 Criterios de diseño a bajas frecuencias: Diseño de los condensadores
de acoplamiento y desacoplo
3. 3 Respuesta en frecuencia del amplificador en emisor común
1. 3.1 Respuesta a bajas frecuencias: Cálculo de wL
2. 3.2 Respuesta a altas frecuencias: Cálculo de wh
3. 3.3 Ejemplo de diseño
4. 4 Respuesta en frecuencia del colector común y base común
1. 4.1 Colector común
2. 4.2 Base común
5. 5 Respuesta en frecuencia de los amplificadores con FETs
1. 5.1 Fuente común
2. 5.2 Drenador común
3. 5.3 Puerta común
6. 6 Respuesta en frecuencia de los amplificadores multietapa
1. 6.1 Efecto de los condensadores de acoplo entre etapas
2. 6.2 Amplificador cascodo
3. 6.3 Amplificador colector común- base común
4. 6.4 Amplificador colector común- emisor común
7. 7 Respuesta en frecuencia del amplificador diferencial
1. 7.1 Par básico acoplado por emisor

Introducción

Motivación

Las ganancias de los amplificadores calculadas en el tema anterior sólo son válidas en
un cierto rango de frecuencias:

 Los condensadores de acoplamiento entre etapas y desacoplo de resistencias

afectan la respuesta del amplificador a bajas frecuencias.
 A altas frecuencias se manifiestan los efectos de las capacidades parásitas de los
transistores.
Necesitamos un método para calcular/diseñar el rango de frecuencias en que la ganancia
es constante.

Objetivos

 Conocer los modelos de los transistores que tienen en cuenta los efectos de las
capacidades parásitas a altas frecuencias.
 Describir la dependencia general con la frecuencia de la ganancia de
un amplificador y las causas que la motivan.
 Aprender los métodos para calcular, o diseñar, la frecuencia de corte inferior de
los amplificadores.
 Aprender los métodos para calcular la frecuencia de corte superior de
los amplificadores.
 Conocer métodos para modificar la frecuencia de corte superior.
 Comprender el efecto Miller y sus consecuencias en los amplificadores
en configuración de emisor y fuente común.

Revisión

Función de transferencia

z1,... ,zn: ceros de la función de transferencia

p1,... ,pm: polos de la función de transferencia

Para señales senoidales en régimen permanente:

Diagrama de Bode
Es una representación asintótica de |T (j| y de la fase.

 Cada cero introduce una variación en la pendiente de |T (j| de +20dB/dec.

 Cada polo introduce una variación en la pendiente de |T (j| de -20dB/dec.
 sq introduce q ceros en el origen.

Ejemplos
Función de paso bajo de 1er orden
Función de paso alto de 1er orden

Modelos de componentes en alta frecuencia

Modelo del diodo en alta frecuencia

Cj: capacidad de transición

Cd: capacidad de difusión

Cj0: Capacidad de la unión sin polarizar.

V0: Potencial de la unión.
mj: Coeficiente de perfil de dopado.
F: Tiempo de tránsito.

Modelo del BJT en alta frecuencia

Frecuencia de transición
Es la frecuencia para la que el transistor alcanza una ganancia unidad (h = 1) debido a
los efectos de las capacidades internas.

El modelo es una buena aproximación hasta frecuencias  ≈ 0,2 T

Modelo del FET en alta frecuencia
Frecuencia de transición

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Herramientas de análisis

Función de transferencia de un amplificador

L: frecuencia de corte inferior

H: frecuencia de corte superior
BW = H - L: ancho de banda

Cálculo de


L y

H a partir de A(s):

Si los ceros y los polos pueden determinarse fácilmente

Frecuencia de corte inferior L

Si existe un polo dominante en FL(s)

Si no existe un polo dominante en FL(s)

Frecuencia de corte superior h

Si existe un polo dominante en Fh(s)
Si no existe un polo dominante en Fh(s)

Método del cortocircuito: Si los ceros y los polos no pueden determinarse

fácilmente

Frecuencia de corte inferior L

con:

Si existe un polo dominante:

Donde:

 i: constante de tiempo del condensador Ci.

 Ci: capacidades que filtran las bajas frecuencias.
 RCi: resistencia que ve el condensador Ci con:
 o El resto de condensadores que filtran las bajas frecuencias
cortocircuitados.
o Los condensadores que filtran las altas frecuencias en abierto.
o Las fuentes independientes anuladas.

Método del circuito abierto

Frecuencia de corte superior h

con:

Si existe un polo dominante:

Donde:

 i: constante de tiempo del condensador Ci.

 Ci: capacidades que filtran las altas frecuencias.
 RCi: resistencia que ve el condensador Ci con:

o El resto de condensadores que filtran las altas frecuencias en abierto.

o Los condensadores que filtran las bajas frecuencias en cortocircuito.
o Las fuentes independientes anuladas.

Teorema de Miller

Podemos transformar el siguiente amplificador con ganancia AM:

En el primer amplificador:

En el segundo amplificador:
En este otro:

Los dos circuitos son equivalentes si se cumple:

Criterios de diseño a bajas frecuencias: Diseño de los

condensadores de acoplamiento y desacoplo

Una vez decidida la frecuencia de corte inferior, L:

1. Calcular la resistencia, Ri, asociada a cada condensador, Ci.
2. Ordenar las resistencias de menor a mayor:
RC1 < RC2 < ... < RCn
3. Aproximar el polo dominante a C1:

4. Alejar los polos del resto de condensadores del polo dominante, L

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Respuesta en frecuencia del amplificador en emisor común

A frecuencias medias:
AV (s) = AM = -gm(RC||RL)
C1, C2, CE: cortocircuitos (capacidades grandes)
C, Cž : abiertos (capacidades pequeñas)

Influencia de cada condensador sobre la ganancia para = 0 y → ∞

Respuesta a bajas frecuencias: Cálculo de L

Circuito de pequeña señal a frecuencias bajas

Capacidades internas del transistor, Cy Cž , en abierto.

Función de transferencia

¡Aplicaremos el método del cortocircuito!

Método del cortocircuito

Cálculo de la resistencia que ve C1:

 Cortocircuitamos vs, C2 y CE.

 Sustituimos C1 por una fuente de test VX.
 RC1 = VX/ IX
Cálculo de la resistencia que ve C2:

 Cortocircuitamos vs, C1 y CE.

 Sustituimos C2 por una fuente de test VX.
 RC2 = VX/ IX
Idéntico proceso para CE

Constantes de tiempo

Frecuencias de corte interior

RC2 > RC1 > RCE ⇒ CE introduce el polo dominante

Influencia de los ceros

 Ceros de C1 y C2

C1 y C2 introducen un cero a frecuencia  = 0 ya que |A(j  = 0)| = 0.

Los ceros están alejados del polo dominante.

 Ceros de CE
Para valores típicos de RE el cero se encuentra suficientemente alejado del polo.

Respuesta a altas frecuencias: Cálculo de h

Circuito de pequeña señal a frecuencias altas

Condensadores de acoplamiento, C1 y C2 , y desacoplo CE en cortocircuito.
Cž conecta la salida con la entrada ⇒ se espera efecto Miller.

Aplicamos el método del circuito abierto.

Método del circuito abierto

Cálculo de la resistencia que ve C:

 Cortocircuitamos vs.
 Dejamos en abierto Cž .
 Sustituimos C por una fuente de test VX.
 RC = VX/ IX

rb influye en RC si rs es pequeña.

Idéntico proceso para C:

Constantes de tiempo

Frecuencia de corte superior

RC > RC ⇒ Cž  introduce el polo dominante

Influencia de los ceros

 Cero de C

C introduce un cero a frecuencia  = ∞ ya que |A(j = ∞)|= 0.

El cero está alejado del polo dominante.

 Cero de C
Para ganancias grandes el cero se encuentra alejado del polo.

Efecto Miller en la configuración en emisor común

La capacidad Cž conecta la salida con la entrada:

Reducción de la frecuencia de corte superior

 En ocasiones conviene reducir el ancho de banda.

 Los condensadores que limitan las bajas frecuencias son
componentes modificables.
 La frecuencia de corte superior viene impuesta por las capacidades internas del
transistor, fijas.
 Es posible reducir H poniendo un condensador externo en paralelo con Cž  :
Ejemplo de diseño

Calcular el valor de las capacidades para obtener una frecuencia de corte inferior fL =
150Hz y una frecuencia de corte superior fH = 250KHz:

Cálculo de C1, C2 y CE

 Aplicamos las ecuaciones anteriores para calcular RC1 , RC2 y RCE :

RCE < RC1 < RC2

 Escogemos el condensador que ve la menor resistencia para introducir el polo dominante:

 Fijamos el resto de capacidades para que la frecuencia asociada se encuentre

lejos del polo dominante:
Cálculo de CX:

 Comprobamos que la frecuencia de corte superior introducida por el transistor es

mayor que la exigida. Sin CX:

 Como la frecuencia de corte superior introducida por el transistor es mayor que

la exigida, podemos reducirla con un condensador CX en paralelo con Cž  ž :

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Respuesta en frecuencia del colector común y base común

Colector común

Respuesta a bajas frecuencias

Respuesta a altas frecuencias

 No existe efecto Miller sobre Cž  por ser un amplificador de

ganancia aproximadamente 1.

Base común

Respuesta a bajas frecuencias

Respuesta a altas frecuencias

 El amplificador en base común tiene un ancho de banda mayor que

el amplificador en emisor común al no haber efecto Miller.

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Respuesta en frecuencia de los amplificadores con FETs

Fuente común

Respuesta a bajas frecuencias

Respuesta a altas frecuencias

Drenador común

Respuesta a bajas frecuencias

Respuesta a altas frecuencias

Puerta común

Respuesta a bajas frecuencias

Respuesta a altas frecuencias

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Respuesta en frecuencia de los amplificadores multietapa

Efecto de los condensadores de acoplo entre etapas

 Cada condensador de acoplamiento introduce un nuevo polo en la función

de transferencia

... + (términos debidos a condensadores de desacoplo)

 La frecuencia de corte inferior y superior de cada etapa puede estar modificada

por las impedancias de entrada y salida de las etapas adyacentes.
Amplificador cascodo

Respuesta a altas frecuencias

 La resistencia que ve C1 es mucho menor que la que ve en un emisor común

básico ⇒ El efecto Miller se atenúa y la frecuencia de corte superior es mucho
mayor.

Amplificador colector común- base común

Amplificador colector común- emisor común

Respuesta a altas frecuencias

  El efecto Miller sobre Cž 2 se atenúa por ser la impedancia de salida de
la primera etapa muy pequeña ⇒ El ancho de banda se incrementa.

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Respuesta en frecuencia del amplificador diferencial

Par básico acoplado por emisor

Respuesta a altas frecuencias en modo diferencial

EJERCICIOS:

Actividad 1

Calcular el valor de las capacidades de un amplificador en emisor común con resistencia

de emisor completamente desacoplada para tener una frecuencia de corte inferior de
3dB en fL = 150Hz y una frecuencia de corte superior de 3dB en fH = 250KHz.

Datos:  = 80, gm = 57,14mA/V, r= 1,4K, C = 15pF, C = 1pF, rs = 200, R1 = 7K,

R2 = 4,3K, RE = 330, RC = 5K, RL = 5K.

Solución: CE = 57,4F, C1 = 9,5F, C2 = 2,1F, Cx = 23pF.

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Actividad 2

Diseñar el valor de las capacidades de un amplificador en base común para tener una
frecuencia de corte inferior de 3dB en fL = 150Hz. Calcular la frecuencia de corte
superior de 3db.
Datos: = 80, gm = 57,14mA/V, r = 1,4K, C = 15pF, C = 1pF, rs = 200, R1 =
7K, R2 = 4,3K, RE = 330, RC = 5K, RL = 5K.

Solución: C1 = 4,9F, CB = 4,9F, C2 = 2,1F, fH = 58,3MHz.

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Actividad 3

Diseñar un amplificador con un transistor JFET en fuente común para tener una
frecuencia de corte inferior de 3dB en fL = 150Hz y una frecuencia de corte superior de
3dB de fH = 2MHz. Utilizar el método de Miller para verificar el diseño de la frecuencia
de corte superior.

Datos: Cgd = 2pF, Cgs = 5pF, rs = 200, gm = 10mS, RS = 2K, RD = RL = 5K, R1 = R2

= 200K.

Solución: CS = 11,1F, C2 = 1,06F, C1 = 0,21F, fH = 1,93MHz.

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Actividad 4

Calcular la ecuación de la frecuencia de corte inferior de 3dB de un amplificador en

emisor común con la resistencia de emisor parcialmente desacoplada asumiendo que
existe un polo dominante.

Solución: fL= 1/2C1RC1+1/2C2RC2+1/2CERCE con RC1 = RB||[r+(+1)(1 – x)RE],

RC2 =RC+RL, RCE = (xRE)|| [(1 – x)RE +(r+rs||RB)/(+1)].

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Actividad 5

Dado el amplificador multietapa emisor común-base común de la figura, determinar la

frecuencia de corte inferior y superior de 3dB.

Datos: 1 =100, 2=150, r =r =1,4K, c = c =15pF, C1 = C2 =1pF, rs =200,
R11 = R12 =22K, R21 = R22 = 47K, RC1 = RC2 = 15K, RE1 = RE2 = 9K, RL = 10K,
C1 = C3 = 1F, C2 = CE = CB = 10A.

Solución: fL = 1,1KHz, fH = 17,6MHz.

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Actividad 6

Dado el amplificador multietapa con acoplamiento directo de la figura, determinar la

frecuencia de corte inferior y superior de 3dB.

Datos: Cgd1 = Cgd2 = 2pF, Cgs1 = Cgs2 = 5pF, gm1 = gm2 = 10mA/V, rs = 200, RG1 =
50K, RS1 = 250, RD2 = 5K, RS2 = 150, RL = 10K, C1 = 1F, C2 = 10F, CS2 =
5,3F.

Solución: fL = 502Hz, fH = 12,3MHz.

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Actividad 7

Dado el amplificador diferencial en cascada de la figura, determinar la frecuencia de

corte superior de 3dB.

Datos: Cgd = 4pF, CgS = 3pF, gm = 6mA/V, rs = 100K, RD = 5K.

Solución: fH = 22,6KHz.

Práctica 1. Circuitos RL y RC. Filtros pasivos de 1er orden

Contenidos

1. 1 Objetivos
2. 2 Fundamentos teóricos
1. 2.1 Respuesta temporal
2. 2.2 Respuesta en frecuencia
3. 2.3 Filtros paso bajo
4. 2.4 Filtros paso alto
5. 2.5 Filtros pasabandas y filtro de rechazo de banda
6. 2.6 Descomposición de una función periódica en serie de Fourier
trigonométrica
3. 3 Cuestiones previas
1. 3.1 Cuestión 1
2. 3.2 Cuestión 2
3. 3.3 Cuestión 3
4. 4 Montaje experimental y medidas
1. 4.1 Montaje y medidas
1. 4.1.1 Parte A
2. 4.1.2 Parte B
3. 4.1.3 Parte C
4. 4.1.4 Parte D
Objetivos

Un circuito que actúa como filtro se diseña para dejar pasar señales de un determinado
rango de frecuencias y para rechazar o atenuar señales cuyo espectro de frecuencia está
fuera de dicho rango. Los filtros más comunes son filtros paso bajo (pasan las bajas
frecuencias y bloquean las altas), filtros paso alto (pasan las altas frecuencias y
bloquean las bajas), filtros pasabandas (pasa sólo una banda particular de frecuencias),
y filtros de rechazo de bandas (diseñados específicamente para rechazar una banda
determinada de frecuencias y pasar todas las demás).

En esta práctica estudiaremos el funcionamiento de un filtro paso bajo y paso alto.

Veremos en primer lugar la respuesta temporal de estos circuitos y
determinaremos la constante de tiempo de cada filtro. Posteriormente
analizaremos su respuesta en frecuencia: nos familiarizaremos con medidas de
amplitud y fase utilizando figuras de Lissajous, y determinaremos la frecuencia de
corte de cada filtro. Asimismo, diseñaremos un filtro pasabandas y analizaremos
su aplicabilidad.

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Fundamentos teóricos

Respuesta temporal

Para el circuito RC de la figura 1 se desea obtener la evolución temporal de la tensión

en bornes del condensador (el circuito se denomina entonces filtro paso bajo) y de la
resistencia (filtro paso alto). Aplicando la ley de tensiones de Kirchoff, y para una señal
de entrada cuadrada, el problema se reduce a resolver la siguiente ecuación diferencial
de primer orden con coeficientes constantes:

La solución general de este tipo de ecuaciones es de la forma: Vc(t)=Vp+Vh.

Vp es una solución particular de la ecuación diferencial completa y Vh es la solución
general de la ecuación diferencial homogénea:
 Fig. 1: Circuito RC

Como la tensión de entrada Vi es constante, evidentemente una función constante K1 es una

solución particular de (1) si K1= Vi. También es inmediato comprobar que:

Por tanto, la solución general de (1) es:

K2 es una constante que debemos determinar a partir de las condiciones iniciales del circuito.
Si el condensador no está cargado inicialmente, Vc(0)=0 y se cumple que:

K1 + K2 = 0, de modo que obtenemos K2 = -K1 = -Vi.

En definitiva, la evolución temporal de la tensión en el condensador, desde el instante t=0,

viene descrita por la siguiente ecuación y representada en la figura 2 (a):

La constante  se denomina constante de tiempo del circuito, y corresponde al tiempo que

tarda en cargarse el condensador a un 63.2% de su tensión final.

Fig. 2: (a)Tensión en bornes del condensador, (b)Tensión en bornes de la resistencia.

La evolución de la tensión en la resistencia (Fig. 2(b)) se obtiene simplemente de

Un hecho importante es que la derivada en t=0 de VR (t) y de Vc (t) es inversamente

proporcional a la constante de tiempo, en particular es

con V0 = Vc y signo + para el filtro paso bajo y V0 = VR y signo – para el paso alto.

Esto nos da un modo gráfico de obtener la constante de tiempo a partir de la visualización de

la salida en el osciloscopio: basta representar el esquema de las figuras 2 (a) y (b).

La respuesta temporal del circuito RL de la figura 3 se analiza de manera análoga al caso

anterior, pero ahora debemos considerar la relación i-v de la bobina VL=LdiL/dt, y resolver una
ecuación diferencial de primer orden para iL(t).

Fig. 3: Circuito RL

Los resultados, considerando que inicialmente no circula corriente por la bobina, son los
siguientes:
A la vista de las expresiones obtenidas podemos establecer una equivalencia entre la
salida VC (VR) de un circuito RC y la salida VR (VL) de uno RL, ambos corresponden a un filtro
paso bajo (paso alto).

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Respuesta en frecuencia

Funciones de transferencia y diagramas de Bode

Se denomina función de transferencia a la razón que mantienen dos magnitudes del circuito en
forma fasorial. Usualmente una se refiere a la salida (Xo) y otra a la entrada (Ti) del circuito:
Vo/Vi , Io/Vi , etc. En los casos Vo/Vi , Io/Ii suele hablarse de ganancia de tensión o corriente.
Una función de transferencia genérica H( ) = Xo/Ti tendrá siempre una dependencia con la
frecuencia que resulta de interés analizar. Como, H() es realmente una función compleja en
j, su representación en frecuencias se debe desdoblar en dos. Lo habitual es elegir una
representación en polares: módulo (o amplitud relativa) |H( )|, y fase [H()].

En general, no se representa |H()| directamente, sino una magnitud asociada: 20

log10|H( )|, que se medirá en unidades de decibelios (dB). Las gráficas de las funciones 20
log10|H( )|, y [H( )] en un eje de frecuencias logarítmico constituyen los diagramas de Bode
de la función de transferencia H().

La función de transferencia se puede medir utilizando los dos canales del osciloscopio en
modo Y-T. La ganancia |H()| es directamente el cociente entre los valores de pico de la señal
de salida y de entrada. La fase (en radianes) es la diferencia de tiempos entre los cruces por
cero de las dos señales dividido por el período y multiplicado por 2 (ver figura 4) .

Fig. 4: Método para determinar la fase de la función de transferencia

Otro método para medir tanto ganancia como fase, se basa en el uso del osciloscopio en
modo X-Y. En el canal 1 se conecta la señal de entrada y en el 2 la de salida. De la elipse que
aparece en pantalla se obtiene la ganancia y la fase a partir de las medidas y fórmulas que se
muestran en la figura 5.

Fig. 5

Polos y ceros

Dado que los fasores de tensión y corriente se relacionan mediante combinaciones

de impedancias de elementos básicos (R, j L, 1/jC), las funciones de transferencia
adoptarán la forma:

Es decir, un cociente de polinomios en j con coeficientes reales. A las raíces c1, c2, etc. del
polinomio en j del numerador [las que permiten factorizarlo de la forma (j -c1)·(j-c2)...] se
les denomina ceros. Y a las pi del denominador se les denomina polos.

Los polos (ceros) asociados al factor (j  + d) se denominan polos (ceros) simples. También
podrán surgir términos del tipo [(j / d)2 + 2(j/ d) + 1], que darán lugar a polos
cuadráticos. Estos serán reales o complejos dependiendo de si el factor  es 1 ó < 1,
respectivamente. La existencia de polos complejos delata un comportamiento “resonante” en
el circuito, cuyo significado se aclara en la práctica 3.

Conocer los polos y ceros de una función de transferencia H( ) resulta de interés, pues tienen
relación con las frecuencias de corte, ancho de banda y resonancia en los diagramas de Bode,
es decir, con los puntos donde se producen determinados cambios de la pendiente en las
curvas de amplitud y fase.
Frecuencias de corte y ancho de banda

Como se habrá visto en las clases teóricas, un polo simple del tipo (1 + j / d) produce una
atenuación del módulo de la función de transferencia de 20 dB por década, aproximadamente
a partir de d en adelante. Es decir, |H(j )| se atenúa 10 veces al aumentar la frecuencia 10
veces o un orden de magnitud. Un cero simple produce un aumento del módulo desde el
entorno de d, en la misma proporción.

Figura a Figura b

Comparación de distintas representaciones de una ganancia |H( )|, en escala lineal (figura a),
o escala logarítmica (figura b). La línea punteada de la figura b representa la función 20
Log10 |H( )|, que permite analizar mucho más claramente los rasgos característicos de la
ganancia.

Cuando la función de transferencia representa una ganancia en tensión o corriente

[H()=Vo/Vi, Io/Ii] gobernada por un polo simple, la frecuencia a la cual la ganancia se atenúa
un factor 1/√2 (0.7) se denomina frecuencia de corte. Se escoge este número porque es para
el cual la potencia de la señal se reduciría a la mitad. En la práctica se asume que dicha
frecuencia coincide con la d del polo o del cero correspondiente.

Nótese que los circuitos simples RC o RL presentan ganancias gobernadas por un polo simple
del tipo (1+j/ d)-1, donde la frecuencia de corte viene dada por

d =  -1 = 1/RC (para el caso RC)

d =  -1 = R/L (para el caso RL),

de donde se deduce que la frecuencia de corte está muy relacionada con el tiempo de
respuesta (), y, por tanto, con las características de los elementos pasivos.

Cuando |H()| representa una ganancia gobernada por polos y ceros de 1er orden, la banda
de frecuencias en que se verifica 0.7  |H()| 1 se denomina ancho de banda. Es decir, el
ancho de banda se establece por las frecuencias de corte.

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Filtros paso bajo

Un filtro paso bajo ideal debe dejar pasar las frecuencias por debajo de una frecuencia
determinada 0 (para la cual se ha diseñado el filtro); su característica de frecuencia se
muestra en la figura 6(a) (línea continua). Sin embargo, no es posible obtener tal filtro con un
número finito de elementos lineales (R, L o C). La característica real de frecuencia sería la
mostrada en la figura 6(a) en trazo discontinuo. Un circuito paso bajo simple es el de la figura
6(b). Sustituyendo cada elemento por su impedancia y analizando con fasores se obtiene una
ganancia de tensión:

donde =RC es la constante de tiempo del circuito que, como ya vimos, da idea del tiempo de
carga y descarga del condensador a través de la resistencia.

La amplitud, en decibelios, de dicha ganancia es:

20Log10|Hv|=-20Log10|1+j |

Y su característica de fase: () = -arctg()

Fig. 6:(a) Característica ideal de frecuencia (línea continua) y real (trazo discontinuo) de un
filtro paso bajo.

(b)Filtro paso bajo simple.

La curva de Bode ideal para una y otra se obtiene analizando por asíntotas. Para <<1 la
amplitud es de 0 dB y la fase 0º. Para >>1 la amplitud se aproxima por la recta -20Log10()
y la fase correspondiente es –90º. Las características de amplitud y fase (asintóticas y reales)
del circuito corresponden al diagrama de Bode de la figura 7. Como podemos ver, la amplitud
de ganancia es plana para bajas frecuencias y cae a altas frecuencias, como es de esperar en
un filtro paso bajo. La fase varía de 0º a –90º a medida que las frecuencias aumentan.

La frecuencia angular de corte (c) es aquella para la cual la amplitud de ganancia es igual
a 1/√2, en este caso c=1/ . Dicha frecuencia corresponde al cambio de pendiente en la curva
de Bode asintótica y puede también determinarse a partir de la característica de fase,
correspondiendo en este caso a una fase de –45º.
Fig. 7: Amplitud (eje izquierdo) y fase (eje derecho) real y asintótica de la función de
transferencia del filtro de la fig.6(b).

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Filtros paso alto

Si en el circuito de la figura 6(b) tomamos la salida en bornes de la resistencia, tenemos un

filtro paso alto cuya característica de frecuencia ideal (trazo continuo) y real (trazo
discontinuo) se muestra en la figura 8(a). El circuito en su forma estándar es el de la figura
8(b).

Fig. 8: ( a) Característica ideal de frecuencia (línea continua) y real (trazo discontinuo). (b)
Filtro paso alto.

Mediante un análisis similar, la ganancia en tensión viene dada por:

donde de nuevo = RC. La amplitud de la ganancia y su fase son, respectivamente:

La curva de Bode asintótica se obtiene analizando Hv(j) en la región <<1 y >>1.
Obtenemos las curvas de la figura 9. Comprobamos que el circuito deja pasar las frecuencias
altas: para señales de frecuencia mayor que 1/ la salida no sufre amortiguamiento (|H(j )|=0
dB corresponde a una amplitud de ganancia unitaria), mientras que por debajo de =1/ la
amplitud de la ganancia decae con una pendiente de 20 dB por década. La
frecuencia =1/es la frecuencia de corte (frecuencia para la que la potencia del circuito es
la mitad de la potencia máxima). Como se comprueba a partir de la figura 9, en este caso la
fase es +45º.

Fig. 9: Amplitud (eje izquierdo) y fase (eje derecho) real y asintótica de la función de
transferencia del filtro de la fig.8(b).

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Filtros pasabandas y filtro de rechazo de banda

La amplitud de ganancia de un filtro pasabandas ideal se muestra en la figura 10(a); la curva

real se indica en trazo discontinuo. 0 es la frecuencia central del paso de banda y a la cual se
tiene la máxima amplitud. L y H son las frecuencias de corte inferior y superior,
respectivamente, donde la amplitud es 0.7 veces el valor máximo.

La amplitud de ganancia ideal y real de un filtro de rechazo de banda es la de la figura 10(b). Se

definen de manera análoga al caso anterior las frecuencias de corte L y H. 0 es la
frecuencia central del rechazo de banda y corresponde a la mínima amplitud.

El ancho del paso (o rechazo) de banda se llama ancho de banda y está dado por:
 BW= H - L

Fig. 10: Característica de amplitud para: (a) filtro pasabandas, (b) filtro de rechazo de banda

Los filtros pasivos con resistencias y condensadores se suelen usar cuando la pérdida de señal
no supone un problema, de otro modo es preferible usar un pasabandas RLC y aprovechar el
fenómeno de la resonancia, tal y como se verá en la práctica 3.

Podemos construir un filtro pasabandas con sólo resistencias y condensadores como el que
muestra la figura 11, conectando la salida de un filtro paso bajo a la entrada de un paso alto.

Fig. 11: Filtro pasabandas.

La función de transferencia de este circuito se obtiene fácilmente trabajando con fasores y

calculando el equivalente de Thévenin en bornas de R2:

con
De la solución de la ecuación s2+2s+1=0, donde s=j/ d, obtenemos los polos de la función
de transferencia:

De modo que ésta la podemos escribir de la forma

Se puede demostrar que la frecuencia central 0 viene dada por 1/√1 2 y las frecuencias que
delimitan el ancho de banda tenderán a: L=1/1 y H=1/2 conforme mayor sea la relación
R2/R1, para C1=C2.

Descomposición de una función periódica en serie de Fourier trigonométrica

Puede demostrarse que TODA función f(t) periódica con período T = b-a (o frecuencia =2/T)
es equivalente a una determinada superposición (infinita) de senos y cosenos de la forma:

f(t)  ao +  [an cos(nt) + bn sen(nt) ] (n = 1, 2, 3....)

Esa serie infinita es denominada desarrollo trigonométrico de Fourier de la función f(t). Las
funciones cos(t) o sen(t) son los llamados armónicos principales, mientras que cualquiera
de las funciones cos(nt) o sen(nt), cuya frecuencia es un múltiplo entero de la , son los
armónicos de orden superior.

Los ao, an, bn son coeficientes numéricos que indican el “peso” o contribución de cada
armónico a la función f(t), y cuyo valor se obtiene de acuerdo a las expresiones:
Esto significa que una función cuadrada del tipo:

puede expresarse como el siguiente desarrollo de Fourier.

Desarrollo de la función cuadrada hasta n=1 Desarrollo de la función cuadrada hasta n=3

Desarrollo de la función cuadrada hasta n=7 Desarrollo de la función cuadrada hasta n=20
Asimismo, una función “diente de sierra” del tipo:

puede expresarse como el siguiente desarrollo de Fourier:

Desarrollo de la función diente de sierra hasta n=1 Desarrollo de la función diente de sierra
hasta n=3

Desarrollo de la función diente de sierra hasta n=7 Desarrollo de la función diente de sierra
hasta n=20

El desarrollo de Fourier encuentra muchas ventajas en el campo de los circuitos lineales. Una
señal cualquiera a la entrada podrá ser manejada mediante descomposición en sus distintos
armónicos, que serán tratados separadamente en régimen permanente sinusoidal.
Posteriormente, se aplicará el principio de superposición y proporcionalidad para obtener la
salida. Esta operación de análisis de la señal facilita, en muchos casos, la comprensión del
fenómeno.

Cuestiones previas

Cuestión 1

Se desea visualizar en la pantalla del osciloscopio la carga y descarga del condensador de un

circuito RC, donde R=12K, C=10nF y cuya señal de entrada es una onda cuadrada. Si queremos
que el condensador tenga tiempo de alcanzar el 95% del valor máximo de la señal de entrada
antes de empezar a descargarse, ¿cuál es la máxima frecuencia que puede tener la señal de
entrada?.
Cuestión 2

Se pretende diseñar un filtro paso bajo como el de la figura 1, con frecuencia de corte c =10
kHz. Si se dispone de condensadores con capacidad entre 12 pF y 10 nF ¿qué rango de
resistencias será el adecuado? Para C=10 nF y una resistencia de tolerancia 5% y valor 10
K ¿qué error induce la tolerancia de R en el valor de c? ¿En qué rango de valores estaría
entonces c?

(Nota: Considerar que no hay error en el valor de C y usar el criterio de propagación de errores
visto en otras asignaturas).

Cuestión 3

Considerar el circuito de la figura 1 donde en lugar de un condensador se conecta una bobina

de inductancia L. Comprobar que la ganacia en tensión Hv(j ), tomando la salida en bornes de
la bobina, puede escribirse en la forma siguiente:

¿A qué tipo de filtro corresponde? ¿Cuál es su frecuencia de corte?

Así como el parámetro t de un circuito RC está relacionado con el tiempo de carga/descarga

del condensador, ¿qué representa el parámetro ’ en un circuito RL?

Montaje experimental y medidas

Material necesario

• 1 resistencia de 4,7 K

• 1 resistencia de 10 K

• 1 resistencia de 1 K

• 2 condensadores de 100 nF

Montaje y medidas

Parte A

A.1) Montar el circuito RC de la figura 1 con R=4,7 K y C=100 nF. Aplicar a la entrada un pulso
cuadrado de 2 V de pico y frecuencia adecuada para que el condensador se llegue a cargar
completamente (respuesta a la cuestión 1). Visualizar la carga y descarga del condensador en
la pantalla del osciloscopio e indicar cual es la frecuencia escogida.

(Nota: Poner el osciloscopio en acoplamiento CC a lo largo de toda la práctica)

f=
A.2) Medir la constante de tiempo . Para ello usar el cursor del osciloscopio en modo tensión
y tener en cuenta que tras un tiempo  el condensador estará cargado al 63% de su valor final
(en este caso 2 V). Comparar el valor obtenido para  con su valor teórico. ¿A qué puede
deberse las diferencias?

texp= tteor=

A.3) Hacer un barrido de la frecuencia de la señal de entrada y ver en la pantalla del

osciloscopio como varía la forma de onda en bornes del condensador. ¿Para qué orden de
frecuencias observamos una señal cuadrada? ¿y una triangular? Representarlas y justificad los
resultados.

fcuadr=

ftriang=

A.4) Aplicar ahora como entrada al circuito una señal senoidal ¿cómo es la salida que se
observa en el condensador? ¿Por qué?

Parte B
B.1) Continuando con el circuito que habeis montado en la sección anterior, aplicar como
entrada una señal senoidal de 2V de amplitud pico-pico. Medir el módulo |H(w)| y la fase f de
la función de transferencia V0/Vi (la fase se debe medir de las dos maneras descritas en la
parte teórica).

f (Hz) Vppi Vpp0 |H|=Vpp0/Vppi 20Log10|H|

50

100

200

300

400

700
 1,5 K

3K

10 K

f (Hz) Dt f PDt*f V0pp V0c fsen-1(V0c/V0pp)

50

100

300

700

1,5 K

B.2) ¿Qué procedimiento crees más adecuado para medir la fase? ¿Por qué?

Dibujar los diagramas de Bode para el módulo de la ganancia |H(w)| y su fase f(w).

A partir de los diagramas de Bode calcular la frecuencia de corte fc y la constante de

tiempo  del circuito. ¿A qué tipo de filtro corresponde?

fc= t (a partir de H(f))= t (a partir de f (f))=

¿Cuál es la pendiente del diagrama de Bode |H(f)|? En una escala no logarítmica, ¿a qué
atenuación de señal corresponde?¿Podemos obtener una ganancia mayor que 1?

Parte C
Montar el circuito RC de la figura, con R=4,7 K y C=100 nF. ¿Cuál debe ser el valor teórico de la
frecuencia de corte?
Para la salida indicada en la figura, repetir las medidas realizadas en la parte B para este
circuito (usar el procedimiento que hayáis considerado más adecuado para medir la fase).

f (Hz) Vppi Vpp0 |H|=Vpp0/Vppi 20Log10|H|

50

100

200

300

400

700

1,5 K

3K

10 K

f (Hz) Dt f PDt*f V0pp V0c fsen-1(V0c/V0pp)

50

100

300

700

1,5 K

Dibujar los diagramas de Bode para el módulo de la ganancia |H(f)| y su fase f (f).

Calcular a partir de ellos, la frecuencia de corte fc y la constante de tiempo  del circuito. ¿A

qué tipo de filtro corresponde?
Parte D
Montar un filtro pasabandas uniendo la salida de un filtro paso bajo RC a la entrada de un paso
alto RC tal y como se indica en la figura. R1=1K, R2=10 K, C1=C2=100 nF

Aplicar como entrada una señal senoidal de 2V de pico y representar la salida que observáis en
el osciloscopio para las siguientes frecuencias:

f=100 Hz

f=500 Hz

f=1,5 KHz

Interpretar los resultados.

Medir la ganancia para las frecuencias indicadas en la siguiente tabla y dibujar el diagrama de
Bode |H(f)| correspondiente.

f (Hz) Vppi Vpp0 |H|=Vpp0/Vppi 20Log10|H|

50

100

300

450

1,5 K

Práctica 2. Circuitos RLC. Resonancia en filtros Pasivos de 2º orden

Contenidos

1. 1 Objetivos de la práctica
2. 2 Fundamentos teóricos
1. 2.1 Resonancia y factor de calidad
2. 2.2 Propiedades de la configuración RLC como filtro
3. 2.3 Filtros rechazo (o eliminación) de banda
4. 2.4 Sobre las aplicaciones de los filtros RLC
3. 3 Cuestiones previas de la práctica 7
1. 3.1 Cuestión 1
2. 3.2 Cuestión 2
4. 4 Montaje y medidas
1. 4.1 Material de laboratorio necesario
2. 4.2 Descripción de la práctica
3. 4.3 Montaje y medidas

Objetivos de la práctica

• Continuar profundizando en conceptos inherentes a régimen sinusoidal: impedancia, derivación o

integración de señales y dependencia en frecuencias.

• Comprender las ventajas del fenómeno de resonancia.

• Diseñar, fabricar y verificar filtros RLC selectivos para comprobar sus propiedades y
ser comparados con los realizados en la práctica anterior.

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Fundamentos teóricos

Resonancia y factor de calidad

El fenómeno físico de la resonancia es uno de los más importantes y a tener en cuenta

en todas las ramas de la Física e Ingeniería (Acústica, Mecánica, Óptica, Electrónica...).
Consiste en que dos fenómenos oscilatorios de la misma frecuencia se acoplan,
pudiendo alcanzar uno de ellos grandes amplitudes de oscilación por influencia del
otro.

A modo de ejemplo diremos que la absorción selectiva de ondas electromagnéticas y,

por tanto, la posibilidad de sintonizar una frecuencia de radio, es un fenómeno realizado
vía resonancia. En el caso que nos ocupará a continuación, uno de los dos elementos de
la resonancia es el oscilador constituido por el par bobina-condensador; el otro es la
fuente de alimentación alterna.

Cuando una pareja bobina-condensador se encuentra en serie, existe una frecuencia para
la cual su impedancia total (suma de las dos) se anula: es la frecuencia de resonancia.
Entonces dicha configuración equivale a un cortocircuito entre sus terminales. Esto no
significa que no haya tensión en cada componente, sino que la tensión en la bobina es
idéntica pero de signo opuesto a la del condensador, anulándose entre ambas.

Cuando una bobina y un condensador se encuentran en paralelo, existe una frecuencia

para la cual su impedancia total es infinita: es la frecuencia de resonancia. Entonces
dicha configuración equivale a un circuito abierto entre sus terminales, porque la
corriente por la bobina es idéntica y de signo opuesto a la del condensador que hay en
paralelo.

Circuito LC serie Circuito LC paralelo

Nótese que puede haber infinitas combinaciones de una inductancia con una capacidad
(tanto en paralelo como en serie) que entren en resonancia a la misma frecuencia o de
la fuente. La diferencia entre estas configuraciones radicará en la amplitud de la tensión
(o corriente) que soporte cada componente en serie (o paralelo). Nótese que, en
resonancia, la amplitud de la tensión (o corriente) en cada componente involucrado
puede ser mayor que la de la fuente entre las terminales de la configuración, es decir, se
abre la posibilidad de medir una ganancia mayor que la unidad.

Al factor de proporcionalidad entre la amplitud de la fuente y la del componente en

resonancia (bobina o condensador) se le denomina factor de calidad Q.

Para RLC serie: |Vc | = |Vb | = Qs |Vfuente |, donde

Para RLC paralelo: |Ib | = |Ic | = Qp |Ifuente |, donde

Nótese que el factor Q depende exclusivamente de las características de los

componentes del circuito, y puede ser establecido a voluntad para valores »1.

Propiedades de la configuración RLC como filtro

Se define orden de un filtro como el grado del polinomio en j  que aparece en el

denominador de su función de transferencia.

Es fácil constatar que existe una relación directa entre el orden de un filtro y el número
de condensadores y bobinas efectivos del circuito. El circuito RLC en su configuración
más simple (serie o paralelo) constituirá un filtro de 2º orden, es decir, aparecerá un
término cuadrático en j en el denominador de la función de transferencia del circuito.

A continuación estudiaremos el circuito RLC en configuración SERIE. Las

conclusiones obtenidas serán fácilmente extrapolables a la configuración en paralelo sin
más que sustituir el concepto tensión por el de corriente.

Medida de la tensión en la resistencia: filtro paso-banda

Nótese que en la configuración básica del circuito RLC serie, la tensión en la resistencia
será la máxima posible a la frecuencia de resonancia, y coincidirá con la tensión de la
fuente (algo análogo puede decirse de la corriente por la resistencia en configuración
paralelo). Es decir, la ganancia en tensión VR/Vin medida en la resistencia será 1
(máxima). Por tanto, en un entorno más allá de la frecuencia de resonancia dicha
ganancia disminuirá. De aquí deducimos que la configuración RLC serie se comporta
como un filtro paso banda si tomamos la tensión de salida en la resistencia.

Las frecuencias L y H en que la ganancia se reduce en un factor 1/√2 son, por

definición, las frecuencias de corte ( L, H). Entonces, se definirá el ancho de banda
(BW, de band width) como:

BW = L - H

Puede demostrarse que el factor de calidad mantiene una estrecha relación inversa con
el ancho de banda, dada por la expresión:

Q·BW = cte = o (frecuencia de resonancia del RLC)

Esta propiedad de los circuitos resonantes les confiere una indudable aplicación como
filtros paso-banda muy selectivos, en clara ventaja sobre los diseñados mediante
combinación de circuitos de 1er orden.

Medida de las tensiones en el condensador y bobina: filtros paso-bajo, paso-alto

Si en lugar de medir la tensión de salida en la resistencia lo hacemos en cualquiera de

los componentes que están en resonancia (p. ej., el condensador), habrá que estudiar:

H() = Vcond/ Vfuente

En esta situación, no está demostrado que el máximo de |H( )| se produzca a la

frecuencia de resonancia, y, de hecho, no resulta así. Ahora bien, sí puede demostrarse
que cuanto mayor es el Q, tanto más se acercará la frecuencia del máximo ( m) a la
frecuencia de resonancia (o), de acuerdo a la expresión:

(midiendo en el condensador, para un RLC serie)

 (midiendo en la bobina, para un RLC serie) ,

en cuyo caso la ganancia tenderá, como era de esperar, al valor Q

Al tomar la tensión de salida en el condensador ésta se irá anulando a altas frecuencias,

luego dispondremos de un filtro paso-bajo, con independencia de las fluctuaciones de la
medida en las cercanías de la frecuencia de resonancia. Y viceversa si tomamos la salida
en la bobina. Por tanto, es importante constatar que una red RLC se comportará como
un filtro de diferentes características (paso alto, paso bajo, paso banda, etc) dependiendo
de dónde se mida la salida.

La combinación de varios pares LC en diversas configuraciones podrá contribuir a

aumentar el orden del filtro, y así mejorar las propiedades del paso-banda, obteniéndose
las atenuaciones requeridas por cualquier especificación.

Por ejemplo, el filtro de la figura es un paso banda ajustado a una línea de 600  en el
rango 1-2 kHz, con la propiedad de que la atenuación sea nula en el centro de la banda,
y con caídas de 60 dB/dec más allá de las frecuencias de corte.

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Filtros rechazo (o eliminación) de banda

El filtro pasivo de rechazo de banda más simple es el filtro nocht (paralelo de LC, en
serie con resistencia R a masa). La tensión de salida en la R tiene la característica de
anularse en la resonancia, ya que el par LC se comportará como circuito abierto a esa
frecuencia.
 Filtro nocht Filtro-puente de Wien

En caso de no disponer de bobinas de inductancia suficiente (habitual en aplicaciones de

baja frecuencia), el puente de Wien de resistencias y dos condensadores es también útil
como red selectora de frecuencia, presentando propiedades tan buenas como las de un
circuito resonante simple.

Un filtro de este tipo, aunque con un mínimo menos agudo que el de puente de Wien, es
el de puente de T que resulta útil por su sencillez. Otro filtro algo más complicado que
el de puente de T es el de doble T, similar en respuesta al de puente de Wien, si bien el
mínimo es mucho más agudo

Filtro puente de T Filtro doble T

Sobre las aplicaciones de los filtros RLC

Los filtros pasivos presentan ventajas e inconvenientes que determinan su margen de

utilidad. Los filtros de 1er orden son utilizados principalmente para desacoplar
frecuencias altas de bajas, o como filtros de gran ancho de banda, pero sus aplicaciones
están limitadas dada su imposibilidad de generar una configuración de ganancia >1. Los
filtros RLC, que aprovechan la resonancia, pueden soslayar estos inconvenientes y son
utilizados para sintonizar frecuencias de forma muy selectiva. Sin embargo, necesitan
de elementos inductivos (bobinas) que, por lo general, no están disponibles en valores
precisos, en un rango suficiente, ni son manejables a escala microscópica.

Los filtros de circuitos integrados suelen hacerse mediante amplificadores

operacionales, dada la imposibilidad de introducir una bobina a escala tan pequeña.
Estos filtros que utilizan alimentación independiente (para el op-amp) entran dentro de
la categoría de filtros activos. Dichos filtros permiten obtener los mismos resultados que
el RLC, pero evitando el uso de bobinas. Sin embargo, la respuesta del op-amp se
deteriora a altas frecuencias, restringiendo su uso, en general, a aplicaciones de audio.
Por esta razón, los filtros pasivos resultan insustituibles en aplicaciones de potencia, y a
muy altas frecuencias (radios, televisores, etc).

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Cuestiones previas de la práctica 7

Cuestión 1

1.a) Obtener los diagramas de Bode cualitativos (amplitud y fase) asociados a las
siguientes funciones de transferencia de un circuito RLC serie:

donde VR, VB y VC son las tensiones en resistencia, bobina y condensador

respectivamente.

1.b) Calcular la frecuencia de resonancia ( o) el factor de calidad (Q) y el ancho de

banda (BW) del filtro paso banda que se puede obtener aprovechando el circuito RLC
de la figura (considerar Rg=50).

Cuestión 2

Se pretende diseñar un filtro RLC (de cualquier tipo) capaz de seleccionar una
determinada frecuencia de entre una superposición de varias, que forman la señal de
entrada Vg(t). Esta señal es una ONDA CUADRADA de período T=10-5s, procedente
del generador de funciones. Esta señal puede considerarse como una superposición de
armónicos:

es decir:
 Desarrollo de la función cuadrada hasta n=1 Desarrollo de la función cuadrada
hasta n=3

Desarrollo de la función cuadrada hasta n=7 Desarrollo de la función cuadrada

hasta n=20

Indicar unos componentes R, L y C adecuados para visualizar lo más selectivamente

posible el armónico principal, teniendo en cuenta:

- La distinta influencia de las resistencias de carga de los instrumentos (50 en serie

para el generador de funciones, 1 M en paralelo para el osciloscopio, etc).

- El rango de bobinas disponible es [1-100] H

- El rango de condensadores disponible es 1pF-560nF

- La máxima corriente que soporta una bobina no debe exceder los 50mA

Sugerencias:

- Utilizar un filtro paso bajo con frecuencia de corte en un entorno de la frecuencia

seleccionada.

- Buscar un ancho de banda (BW) en torno a 60 kHz, y un factor de calidad lo más alto
posible.

R=C=L=

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Montaje y medidas

Material de laboratorio necesario

- Equipo instrumental: generador de funciones, dos multímetros y osciloscopio.

- Imprescindible: conectores BNC/cocodrilo y sondas de medida.

- Componentes: resistores, condensador y bobina.

R=47, C=560nF, L=10H, y otros de propia elección.

Descripción de la práctica

En la PARTE A, se montará el circuito de la figura 1, para el estudio de sus propiedades

en el dominio de frecuencias.

En la PARTE B, se deberá diseñar un circuito capaz de filtar una señal determinada de

acuerdo a unas especificaciones.

Montaje y medidas

PARTE A

Realizar el montaje del RLC en serie con los componentes especificados:

R=47, C=560nF, L=10H

 Figura 1

En las cuestiones previas se han debido calcular y simular las distintas propiedades de
filtro que pueden obtenerse al medir la tensión de salida en cada componente R, L o C.
Esta información será utilizada posteriormente para el diseño de un filtro adecuado a
determinadas especificaciones.

Introducir como señal de alimentación del circuito una onda senoidal de tensión (Vg)pp
= 2 V, procedente del generador de funciones.

ADVERTENCIA: TENSIONES DE PICO MAYORES PUEDEN PROVOCAR EL

DETERIORO DE LA BOBINA POR EXCESIVO FLUJO DE CORRIENTE.

a) Evaluar la respuesta en amplitud para las siguientes funciones de transferencia:

, donde VR y VB son la tensión en la resistencia y en la

bobina, respectivamente. Para ello, rellenar la siguiente tabla de datos:

Tabla I
(VR)pp (VB)pp 20Log|H2(2f)|
(Hz)
(V) (V) 20Log|H1(2f)| (dB)
(dB)
100
500
1K
5K
10 K
33 K
66 K
100
K
330
K
1M
3M

b) Representar gráficamente (escala logarítmica en ) el diagrama de Bode

experimental para las amplitudes de H1() y H2().
c) Determinar experimentalmente la frecuencia de resonancia para el filtro H1() y la
de corte para el filtro H2(), dando una barra de error. ¿Deberían coincidir?
Visualizarlo con una representación en fase, si fuera necesario. Comparar con los
resultados teóricos y comentar las similitudes y diferencias.

PARTE B

Se pretende diseñar un filtro RLC capaz de seleccionar una determinada frecuencia de

entre una superposición de varias, que forman la señal de entrada Vg(t). Esta señal es
una FUNCIÓN CUADRADA procedente del generador de funciones con tensión de
pico (Vg)p = 1 V, y f=100 kHz, que puede considerarse como una superposición de
armónicos.

Si el filtro RCL es suficientemente selectivo debería dejar pasar tan sólo el armónico
principal (n=1). De esta forma, la señal cuadrada a la entrada se convertirá en una señal
senoidal de la misma frecuencia a la salida.

Tomar los componentes R, L, C ya calculados para visualizar lo más selectivamente

posible el armónico principal.

a) Presentar una medida experimental de las características en frecuencia del filtro

fabricado, amplitud (dB) y fase en función de , rellenando la siguiente tabla:

Nota: recordar que la amplitud A=20Log/H/ sólo tiene sentido para señales senoidales.

F
Tabla II
f (Vc)pp t F[H(2f)]
20Log|H(2f)| (dB)
(Hz) (v) (s) (º)
500
1K
30 K
60 K
90 K
100 K
200 K
500 K
800 K
1M
3M
b) Representar gráficamente (escala logarítmica en ) los diagramas de Bode
experimentales para la amplitud y fase de la función de transferencia del filtro H( )
fabricado.

c) Determinar gráficamente, a partir de las figuras de amplitud y de fase, la frecuencia fo

de resonancia del circuito. ¿Qué determinación resulta más precisa?

fo =

PARTE C

a) Diseñar y fabricar un filtro nocht para el armónico principal (f=100kHz) de la señal

cuadrada del ejercicio anterior. Dibujar el circuito.

b) Dibujar esquemáticamente la señal obtenida a la frecuencia de resonancia del filtro.

c) Presentar la siguiente medida experimental de las características en frecuencia del

filtro fabricado, representando su diagrama de Bode en amplitud. (OPCIONAL)

Tabla III
f (VR)pp
(Hz) (v) 20Log|H(2f)| (dB)

500
1K
30 K
60 K
90 K
100 K
200 K
500 K
800 K
1M

Práctica 3. Transistores bipolares. Análisis en corriente continua. Diseño

de una fuente de corriente

Contenidos

1. 1 Introducción
2. 2 1.ª Parte: Análisis del transistor
3. 3 2.ª Parte: Diseño de una fuente de intensidad de 10mA
Introducción

El objetivo fundamental de esta práctica es que el alumno analice el comportamiento del

transistor en corriente continua en sus diferentes zonas

- Zona de Corte

- Zona Activa

- Zona de saturación

- Obtención de la beta del transistor (β)

- Obtención de la V gamma (Tensión mínima inico Z. Activa)

- Diseño de una fuente de intensidad.

ZONA Ic CIRCUITO EQUIVALENTE

CORTE Ic = 0 CIRCUITO ABIERTO
ACTIVA Ic = β Ib FUENTE INTENSIDAD
SATURACIÓN Ic < β Ib CIRCUITO CERRADO

Materiales:

1 Transistor BC547 o 2N2222

1 Resistencia de 100 ohm

2 Resistencia de 1K

1 Resistencia de 100K

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1.ª Parte: Análisis del transistor

Montar el circuito de la figura 1 y completar la siguiente tabla, calculando la beta y

determinar la zona de trabajo.
 Ve Vb Ib Vc Ic β Zona de trabajo
V V mA V mA
0
0,2
0,4
0,6
0,7
0,8
1
2
5
10
15
20

Partiendo de los resultados obtenidos, determinar la Beta y la tensión Vgamma.

------------------------------ ----------------------------------

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2.ª Parte: Diseño de una fuente de intensidad de 10mA

2.a) Partiendo de las caracteristicas del transistor seleccionado, Beta y Vgamma, diseñar
una fuente de intensidad determinando la Ve.

R1= 1K

R2= 100K

Vcc = 15V

2.b) Con la fuente diseñada, variando la resistencia de colector R1 determinar la

intensidad Ic, tension Vc, y la zona de trabajo

ZONA DE
R1 Vc Ic
TRABAJO
Ohm V mA
100
500
1000
2000
10000
Práctica 4. Diseño de un amplificador monoetapa con JFET

Contenidos

1. 1 Objetivos
2. 2 Descripción
3. 3 Procedimiento
1. 3.1 Determinación de IDSS
2. 3.2 Determinación de VGSoff
3. 3.3 Diseño del amplificador
4. 3.4 Medida de la ganancia
5. 3.5 Medida de la máxima amplitud de salida sin distorsión
6. 3.6 Comentario de los resultados

Objetivos

Hay que diseñar una etapa amplificadora con un transistor JFET de acuerdo con el es-
quema propuesto y que cumpla las especificaciones adjuntas. Para ello se comienza de-
terminando los valores de IDSS y de Vgsoff del transistor y, una vez obtenidos, se
realiza el diseño de las resistencias. A continuación se montará y se comprobará si se
cumplen las especificaciones, reajustando los valores de las resistencias en el caso de
que algún parámetro no cumpla los requisitos pedidos. Finalmente, comentar las
discrepancias entre los valores inicialmente calculados en el diseño y los que finalmente
se utilizan en el circuito.

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Descripción

El amplificador propuesto es el de la Fig. 1, que ha de tener las siguientes

características:

a) Ganancia de tensión AV = −6.

b) Impedancia de entrada de 100 k.

c) Gran amplitud de oscilación sin distorsión en la salida.

El transistor es el 2N3819. Al final de este guión se encuentran las hojas de

características.
 Fig. 1

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Procedimiento

Determinación de IDSS

1. Conectar la puerta y el surtidor del JFET a masa (0 V) y el drenador, en serie con un

am-perímetro, a +20 VDC (Fig. 2). Leer en el amperímetro el valor de IDSS.

Fig. 2

Determinación de VGSoff

2. Polarizar la puerta del JFET con una tensión negativa VGS usando el otro canal de la
fuente de alimentación (atención: los canales deben estar en el modo “Independientes”),
comenzando con 0 V. Ir aumentando la tensión negativa en la puerta hasta que la lectura
del amperímetro en el drenador sea prácticamente nula. (Fig. 3). Leer en la fuente de
alimentación el valor de VGSoff.
 Fig. 3

Diseño del amplificador

3. Con los valores obtenidos de IDSS y Vgsoff, calcular los valores de las resistencias de
acuerdo con las especificaciones dadas en el apartado 2. Detallar los cálculos
realizados, así como los valores de las resistencias finalmente utilizados en el montaje.

Medida de la ganancia

4. Inyectar señal sinusoidal de 1 kHz de frecuencia de modo que la salida del

amplificador no esté distorsionada y medir la ganancia de tensión de la etapa:

Medida de la máxima amplitud de salida sin distorsión

5. Aumentar el nivel de la señal de entrada hasta que la salida empiece a distorsionarse.

Volver hacia atrás hasta que la distorsión desaparezca y medir:

Vout max = ___________________ VPP

Comentario de los resultados

6. Se comentarán los resultados obtenidos, indicando las posibles causas por las que los
valores calculados difieren, en caso de que así sea, de los valores finalmente utilizados
en el montaje.

Práctica 5. Diseño de amplificadores de tensión multietapa en distintas

configuraciones

Contenidos

1. 1 Objetivos de la práctica
2. 2 Descripción y desarrollo
 1. 2.1 Especificaciones de la práctica
2. 2.2 Montaje experimental
3. 3 Recomendaciones generales para diseño multietapa
4. 4 Medidas a realizar
5. 5 Documentación a entregar

Objetivos de la práctica

El objetivo de la presente práctica es enfrentar al alumno a la toma de decisiones típica

en todo proceso de diseño de circuitos electrónicos analógicos. Asimismo se deberá
montar el circuito diseñado, medir sus parámetros más significativos y comentar las
posibles discrepancias con el diseño.

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Descripción y desarrollo

Especificaciones de la práctica

• Se pretende diseñar un amplificador de tensión de dos etapas realizadas con

transistores bipolares npn. Se utilizará acoplamiento mediante condensador entre las
dos etapas, así como con el generador de señal de entrada y la resistencia de carga
(Figura 1). Esto permitirá estudiar independientemente las condiciones óptimas de
funcionamiento de cada una de las etapas.

Figura 1

• Para la primera etapa se deberá utilizar la configuración de colector común y para la

segunda etapa se utilizará la configuración clásica de emisor común. En ambas etapas
la polarización de base será mediante divisor de tensión resistivo, con resistencia de
emisor sin desacoplar (primera etapa) y desacoplada parcialmente (segunda etapa).

• El amplificador multietapa debe cumplir las siguientes especificaciones (a frecuencias

medias):
- Ganancia en tensión con la salida en circuito abierto: |Av|  20

- Impedancia de entrada: Ri  50 k

- Impedancia de salida: R0  2 k

- Margen dinámico de salida lo más alto posible

• La alimentación del amplificador se realizará mediante una única fuente Vcc = 15 V.

Montaje experimental

Para la realización del circuito se cuenta con el siguiente material:

• Placa de inserción

• Condensadores electrolíticos de 10F y 100F

• Resistencias del 5%

• Transistores npn tipo 2N2222.

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Recomendaciones generales para diseño multietapa

Para afrontar con éxito un diseño de este tipo, es conveniente tomar como punto de
partida las especificaciones iniciales, incluyendo las restricciones impuestas en los
medios utilizables. Al tratarse de dos etapas con la estructura definida y acopladas
mediante condensador, resultará más fácil estudiarlas por separado en una primera fase,
analizando el efecto del acoplo posteriormente , haciendo los reajustes necesarios.

• Puesto que las especificaciones del amplificador se refieren a parámetros de pequeña

señal, conviene comenzar con un estudio teórico de la estructura propuesta, obteniendo
las expresiones de Av, Ri y R0. Para ello, utilice un modelo de pequeña señal
simplificado del transistor, con hoe = 0, despreciando el efecto de los condensadores.

• Con las expresiones obtenidas, hay que identificar cuáles son los valores que más
influyen en cada una de las especificaciones, con lo que obtendremos una primera
estimación del valor de las resistencias y de los parámetros de pequeña señal del
transistor. Esta fase será de gran utilidad para los reajustes posteriores.

• A continuación se puede pasar a fijar la polarización de los transistores.

• Tener en cuenta que en la impedancia de entrada total se verá influida por la

impedancia de entrada de la 2ª etapa, la impedancia de salida final será la de la segunda
etapa, y la ganancia en tensión deberá conseguirse toda en la segunda etapa ya que la
configuración de colector común no amplifica la tensión.

• Importante: aunque el valor de Av pedido es sin resistencia de carga, debe tener en

cuenta que la impedancia de entrada de la segunda etapa de amplificación actúa como
resistencia de carga para la primera.

• Otra precaución necesaria es examinar las hojas de características de los transistores

propuestos, en particular las referidas a los parámetros hfe (sus variaciones frente a la
corriente de colector y dispersión de valores) y hie, y a los valores máximos de
tensiones, corrientes y potencia disipable.

• Para el montaje, es recomendable realizar cada etapa por separado, comprobando en

primer lugar las tensiones y corrientes de polarización y posteriormente, los parámetros
de pequeña señal.

• Importante: recuerde que debe respetar la polaridad de los condensadores

electrolíticos a fin de evitar su explosión.

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Medidas a realizar

Montar cada etapa por separado y comprobar para cada una de ellas su correcto
funcionamiento, realizando las siguientes medidas:

• 1- Punto de trabajo (ICQ, VCEQ). Ganancia en tensión, impedancias de entrada y salida

a frecuencias medias (1kHz).

Acoplar mediante un condensador ambas etapas y realizar las siguientes medidas:

• 2- Ganancia en tensión Av del amplificador, y máxima excursión de señal a la salida

(a frecuencia de 1kHz).

• 3-. Ganancia en tensión a las siguientes frecuencias: 100Hz, 1 kHz, 10 kHz, 100 kHz,
1 MHz.

• 4-Respuesta en frecuencia: represente en un diagrama de Bode el módulo y fase de la

ganancia en tensión con la salida en circuito abierto. Utilice como señal de entrada una
sinusoide de 50 mVp.

Se deja a la iniciativa del alumno la realización de mejoras sobre la práctica propuesta,

como medidas adicionales, simulación con PSPICE de la evolución de los parámetros
del transistor con otras condiciones, etc.

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Documentación a entregar

Como en las prácticas anteriores, el formato y extensión de la memoria es libre, pero

debe contener obligatoriamente:

• Nombre de los autores y de la asignatura, título de la práctica y fecha en la primera

página

• Descripción del diseño obtenido: esquema completo de cada etapa y del circuito
completo, con los valores de los componentes. Descripción del montaje práctico
especificando los valores de resistencias y condensadores reales.

• Resultado de las medidas realizadas según el apartado 4.

• Breve discusión de resultados

Cuestiones

Contenidos

1. 1 Cuadripolos
2. 2 Filtros
3. 3 Polarización
4. 4 Amplificadores
5. 5 Respuesta en frecuencia de los amplificadores

Cuadripolos

1.1 ¿Qué es un cuadripolo?

1.2 ¿Cuál es la diferencia entre cuadripolos activos y pasivos?

1.3 ¿Qué es un cuadripolo bilateral?

1.4 ¿Qué es un cuadripolo simétrico?

1.5 ¿Qué parámetros caracterizan los cuadripolos?

1.6 ¿Qué es la corriente de circulación?

1.7 ¿Qué ventajas tiene la asociación de cuadripolos con transformadores?

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Filtros

2.1 ¿Qué es un filtro?

2.2 ¿Qué es la función de transferencia?

2.3 ¿Cuál es la diferencia entre filtros activos y pasivos?

2.4 ¿Qué es la frecuencia de corte?

2.5 ¿Qué es la banda de paso y la banda atenuada?

2.6 ¿Qué es el parámetro de discriminación de un filtro?

2.7 ¿Qué es el parámetro de selectividad de un filtro?

2.8 ¿Cuál es la diferencia entre un filtro de Butterworth y uno de Chebyshev?

2.9 ¿Cuál es la utilidad del escalado en frecuencias de un filtro?

2.10 ¿Cuál es la utilidad del escalado en impedancias de un filtro?

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Polarización

3.1 Enumera los tipos de transistores bipolares.

3.2 Enumera los tipos de transistores de efecto campo.

3.3 Enumera los modos de operación de un transistor bipolar.

3.4 Enumera los modos de operación de un transistor de efecto campo.

3.5 ¿Cuál es la característica de la zona activa directa?

3.6 ¿Cuál es el objetivo de polarizar un transistor?

3.7 ¿Qué es la tensión Early?

3.8 ¿Qué es la recta de carga?

3.9 ¿Qué ventajas tiene un espejo de corriente con corriente de base compensada?

3.10 ¿Qué ventajas tiene una fuente de corriente Wilson?

3.11 ¿Qué ventajas tiene una fuente de corriente Widlar?

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Amplificadores

4.1 ¿Qué es un amplificador?

4.2 ¿Qué parámetros caracterizan un amplificador?

4.3 ¿Qué es un amplificador de tensión ideal?

4.4 ¿Qué es un amplificador de corriente ideal?

4.5 ¿Cuál es el efecto de la resistencia de la fuente en la ganancia de tensión de un

amplificador?

4.6 ¿Qué diferencia hay entre acoplamiento directo y capacitivo?

4.7 ¿En qué casos no se puede utilizar acoplamiento capacitivo?

4.8 ¿Cuál es la utilidad del condensador de desacoplo en el amplificador en emisor

común/fuente común?

4.9 ¿Cuál es la diferencia entre la recta de carga estática y la dinámica?

4.10 ¿Qué es el punto de máxima excursión simétrica?

4.11 ¿Qué configuraciones son más adecuadas para amplificadores de tensión?

4.12 ¿Cuál es la utilidad de los amplificadores multietapa?

4.13 ¿Qué es un amplificador diferencial?

4.14 ¿Qué es el CMRR?

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Respuesta en frecuencia de los amplificadores

5.1 ¿Qué es la frecuencia de transición de un transistor?

5.2 ¿Qué capacidades limitan la respuesta de un amplificador a bajas frecuencias?

5.3 ¿Qué capacidades limitan la respuesta de un amplificador a altas frecuencias?

5.4 ¿Qué es el efecto Miller?

5.5 ¿Qué capacidad limita la respuesta a bajas frecuencias de un amplificador en emisor
común?

5.6 ¿Cómo se puede reducir la frecuencia de corte superior de un amplificador?

5.7 ¿Cuál es el efecto de los condensadores de acoplamiento entre etapas?

5.8 ¿Por qué se reduce el efecto Miller en la configuración cascodo?

5.9 ¿Por qué se reduce el efecto Miller en la configuración CC-EC?