1.

DIAGRAMA DE BLOQUES DEL DISEÑO

Figura 1.1. Diagrama de bloques del diseñ o propuesto.

ETAPA ANALÓGICA ETAPA DIGITAL

LCD
Etapa de excitación
Fuentes de corriente

LEDs

Cálculos y
T Sensor RTD Etapa amplificadora: Filtro análogo:
diagnóstico: Buzzer
PT100 INA y Calibración Pasa Bajas
PIC18

Fuente: Autor.

El diseñ o de termó metro clínico está basado en una nota de aplicació n de TI Designs (2015), ver Figura 1.2, en la cual utilizan
una PT100 y un amplificador de instrumentació n. Este diseñ o se escogió por su facilidad de calibració n, simplicidad y
linealidad. En el diagrama de bloques se muestran, empezando desde el lado izquierdo, la variable de interés que es la
temperatura, en nuestra aplicació n será la temperatura corporal de un sujeto.
Figura 1.2. Diseñ o planteado por la nota de aplicació n de TI Designs.

Fuente: TI Designs (2015)

En la Figura 1.1, la primera etapa del dispositivo es un circuito aná logo, en el que la
temperatura en censada por una RTD. La RTD es excitada por una fuente de corriente
constante, la cual permitirá que el voltaje de la RTD varié linealmente en funció n de su
resistencia. Debido a que las variaciones de voltaje de la RTD son muy pequeñ as, en el
orden de los milivoltios, se utiliza un amplificador de instrumentació n, cuya
configuració n nos permitirá establecer los rangos de medida definidos por el diseñ o.
Luego la señ al del amplificador será filtrada por un filtro activo pasa bajas, en este
caso se utilizará un filtro tipo Sallen-Key, la frecuencia de corte del filtro permitirá el
eliminar todo el ruido introducido por la electró nica y el entorno. Luego la etapa
digital será la encargada de procesar y mostrar la informació n de interés, en primer
lugar un microcontrolador realizara la conversió n aná logo-digital y calculara el valor
de temperatura, con la temperatura este tomara las decisiones para reflejar el
diagnó stico del paciente en el mó dulo LCD, los LED y el buzzer.
 2. SELECCIÓN DEL SENSOR

Segú n Jones, D.P. (2010), los termistores son los sensores má s ampliamente utilizados
para aplicaciones medicas debido a su sensibilidad, sin embargo, en este diseñ o se
propone utilizar un RTD tipo PT100 debido a sus prestaciones en cuanto a la
linealidad y estabilidad, ver Figura 2.1.

Figura 2.1. Cuadro comparativo de los sensores de temperatura má s comunes.

Fuente: Jones, D. P. (2010).

El punto en contra que tiene este sensor es que es de mayor costo, sin embargo, como
se trata de una aplicació n médica, el costo de oportunidad es admisible.
 3. DISEÑO DE LA ETAPA DE EXCITACIÓN

La etapa de excitació n estará conformada por dos fuentes de corrientes constantes,

una para la PT100 y otra para el resistor de Offset. Las fuentes de corriente deben
producir la misma corriente, por tanto, será el mismo diseñ o para las dos. La corriente
de excitació n de la RTD se escogerá en funció n de produzca un error por
autocalentamiento muy bajo.

Segú n Jones, D. P. (2010), una RTD tiene una constante de disipació n de potencia de
5 mW /° C, teniendo en cuenta este valor y que el error por autocalentamiento sea
menos de 0,01 °C a 0 ° C. Entonces:
P RTD=0,01° C∗5 mW /° C=0,05 mW

Teniendo en cuenta esa disipació n de potencia, y que cuando la temperatura es 0 ° C la

PT100 tiene 100 Ω:
P RTD=I 2∗R RTD

P RTD 0,05 mW
I=
√ √
R RTD
=
100 Ω
=0.708 mA

3.1. DISEÑO DE LAS FUENTES DE CORRIENTE

Para las fuentes de corriente se utiliza una configuració n de BJT y Zener, tal y como se
muestra en la Figura 3.1. Segú n Boylestad R. (2009), la ecuació n de diseñ o es la
siguiente:
V Z −V BE
I ≈ I E=
RE

Sin embargo, en el caso de la Figura 3.1, el circuito mostrado es un sumidero de

corriente, y necesitamos una fuente de corriente, por lo que se recurre a utilizar un
circuito complementario, con un transistor tipo PNP tal y como se muestra en la
Figura 3.2.
Figura 3.1. Fuente de corriente constante con un transistor y un Zener

Fuente: Boylestad R. (2009).

Figura 3.2. Fuente de corriente implementada para el diseñ o.

Fuente: Autor.

Se selecciona un transistor de uso general 2N3906 y un diodo cuyo voltaje Zener este
entre el voltaje de alimentació n (<5V) y el voltaje de encendido del transistor (>0.7V),
seleccionamos uno de 3,3V.
Teniendo en cuenta lo anterior el valor del resistor R E será de:
V Z −V BE 3,3V −0,7 V
R E= = =3.67 k Ω
IE 0,708 mA

Por flexibilidad se colocará un resistor ajustable de 10 k Ω en serie con una resistencia

fija de 1 k Ω, con fin de poder dar un rango amplio de ajuste para esta corriente. Segú n
Vishay (2014), la corriente de polarizació n para un diodo Zener de 3.3 V es de 1 mA,
por lo tanto, en este caso el resistor de polarizació n será de:
V DD −V Z 5 V −3,3 V
R z= = =1,7 k Ω
IZ 1 mA

El valor comercial má s cercano para R z es 1,8 k Ω.

 4. DISEÑO DE LA ETAPA DE AMPLIFICACIÓN

Para este diseñ o tendremos que determinar los valores de ROFFSET y RG , ver Figura 1.2.
El voltaje de operació n será de5 V y la corriente de referencia será de 0,708 mA, el
amplificador de instrumentació n será un INA128 de la casa Texas Instruments.
Aplicando la LVK al lazo de entrada del amplificador de la Figura 1.2, obtenemos:
+V ¿ + V OFFSET −V RTD =0
V ¿ =V RTD −V OFFSET

Segú n Texas Instruments (2018), para el INA128 el voltaje de salida es:

V OUT =G∗V ¿ =G ( V RTD −V OFFSET )

Expandiendo los términos tenemos:

V OUT =G∗V RTD−G∗V OFFSET

Por simplicidad el termino −G∗V ROFFSET se denominará B, quedando la ecuació n así:

V OUT =G∗V RTD−B

Para obtener los pará metros G y B, los valores de resistencia del sensor y los voltajes
de salida del amplificador para temperaturas mínima y má xima de censado. Segú n
Lake Shore Cryotronics (2014), los valores de resistencia del sensor PT100 para las
temperaturas de diseñ o son:

Temperatura (°C) Resistencia (Ω)

33,0 112,833

43,0 116,697

En este caso, como la PT100 es excitada por una corriente de referencia de 0,708mA,
por lo tanto, los voltajes de la PT100 se obtienen aplicando la ley Ohm directamente, y
en el caso de los voltajes de salida, estos se seleccionan de tal manera que exista cierto
margen entre limites superior e inferior que nos dejen determinar si los valores está n
por fuera del rango del diseñ o.

Temperatura (°C) V RTD (mV ) V OUT

33 79,886 0,5

43 82,621 4,5

Reemplazando los valores nos resulta en los siguientes sistemas de ecuaciones:

0,5 V =79,886 mV ∗G−B
4,5 V =82,621 mV ∗G−B

Resolviendo el sistema de ecuaciones por eliminació n de la variable B, se obtiene el

valor de G:

−0,5 V =−0,079886 V∗G+ B

4,5 V =0,082621V ∗G−B
4 V =0,002736 V ∗G

La ganancia del amplificador de instrumentació n es:

4V V
G= =1461,98
0,002736 V V

El pará metro B es entonces:

4,5 V =0,079886 mV ∗1461,98 V /V −B
B=0,082621 V∗1461,98 V /V −4,5 V
B=116,290 V

4.1. CALCULO DE RGAIN

Segú n Texas Instruments (2018), la ganancia del amplificador operacional INA128 se
determina a partir de la siguiente expresió n:
50 k Ω
G=1+
RG
Se despeja RG y se calcula su valor:
50 k Ω 50000 Ω
RG = = =34,22 Ω
G−1 1461,98−1

Por flexibilidad se colocará un resistor ajustable de 100 Ω.

4.2. CALCULO DE ROFFSET

Teniendo en cuenta que B=G∗V OFFSET , hallamos V OFFSET :
B 116,290 V
V OFFSET = = =0,079542 V =79,542 mV
G 1461,98 V /V

Teniendo en cuenta que la corriente de referencia para el resistor ROFFSET es 0,708 mA,
entonces:
V OFFSET 79,542 mV
ROFFSET = = =112,347 Ω
I REF 0.708 mA

Por flexibilidad se colocará un resistor ajustable de 200 Ω.

 5. DISEÑO DEL FILTRO PASA BAJAS

Figura 5.1. Diagrama esquemá tico de un filtro activo pasa-bajas de topología Sallen-
Key

Fuente: Andrade M. (2015).

Segú n Andrade M. (2015), la ecuació n que asocia los valores de capacitancia C 1 y C 2

con los valores de resistencia R1 y R2, para el circuito de la Figura 5.1, es la siguiente:
a 1 C 2 ∓ √ a21 C22−4 b 1 C 1 C 2
R1,2 =
4 π f c C1C2

Ademá s, se deben cumplir las siguientes expresiones (Andrade M., 2015):

C 1 4 b1
C2≥
a21
a 1=1,3617
b 1=0,618

Para el diseñ o, se empieza asignando un valor para f c =100 Hz y C 1=100 nF , por lo

tanto:
100 nF∗4∗0,618
C2≥ =133,32 nF
1,36172

El valor comercial má s cercano es 150nF. Teniendo en cuenta esto se determinan los

valores para R1 y R2:
 1,3617∗150 nF ∓ √ 1,36172∗100 n F 2−4∗0,618∗¿ 100 nF∗150 nF
R1,2 =
4 π∗100 Hz∗100 nF∗150 nF
Lo anterior resulta en:
R1=7222,27 Ω
R2=14449,85 Ω

Ambos resistores será n ajustables de20 k Ω. El amplificador operacional será un

MCP6002 de Microchip, debido a que se trata una aplicació n de 5V y estos
amplificadores son de entradas y salidas Rail-To-Rail.
6. DISEÑO DEL SOFTWARE
 7. BIBLIOGRAFÍA

Texas Instruments (2018). INA12x Precision, Low-Power Instrumentation Amplifiers.

Recuperado de http://www.ti.com/lit/ds/symlink/ina128.pdf

Lake Shore Cryotronics (2014). DIN IEC 751 Temperature/Resistance Table for
Platinum Sensors. Recuperado de
https://www.lakeshore.com/Documents/F038-00-00.pdf

TI Designs (2015). RTD to Voltage Reference Design Using Instrumentation Amplifier

and Current Reference. Recuperado de
http://www.ti.com/lit/ug/tidu969/tidu969.pdf

Boylestad R. (2009). Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos.

Recuperado de
https://hellsingge.files.wordpress.com/2015/02/electrc3b3nica-teorc3ada-
de-circuitos-y-dispositivos-electrc3b3nicos-r-boylestad-10m-edicic3b3n.pdf

Vishay (2014). 1N4728A to 1N4764A. Recuperado de

https://www.vishay.com/docs/85816/1n4728a.pdf

Jones, D. P. (2010). Biomedical Sensors. New York: Momentum Press. (pp 1-38).
Recuperado de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2051/login.aspx?
direct=true&db=nlebk&AN=501110&lang=es&site=eds-
live&ebv=EB&ppid=pp_Cover

Andrade M. (2015). Diseñ o, simulació n, construcció n, medició n y ajuste de un filtro

pasa-bajas activo de segundo orden con coeficientes de Bessel, configuració n
Sallen-Key, ganancia unitaria y una frecuencia de corte F C =140 Hz. Recuperado
de https://mandradebs.github.io/schoolprojects/2015pds/Dise%C3%B1o
%20de%20un%20filtro%20pasa-bajas.pdf