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5.1 Introducción
En este capítulo discutiremos el comportamiento de los materiales dieléctricos o aislantes. En
este tipo de material los electrones se encuentran fuertemente ligados a los núcleos y no pueden
moverse libremente. Dado que las moléculas son electricamente neutras, uno podría pensar
que entonces no interactúan significativamente con un campo electrostático externo. Michael
Faraday descubrió que al llenar el espacio entre 2 conductores con un aislante,la capacidad de
este condensador aumenta en un factor que depende únicamente de la naturaleza del material
dieléctrico.
Como hemos visto en la sección 3.7.1, existen moléculas polares (por ejemplo el agua) en
las cuales las cargas negativas y las cargas positivas se encuentran suficientemente separadas
espacialmente como para poseer un momento dipolar permanente. Normalmente cada molécula
posee un momento dipolar cuya dirección es aleatoria, siendo la suma de todos estos momentos
dipolares nula en la ausencia de un campo eléctrico (ver figura 5.4). Cuando se aplica un campo
eléctrico externo, un torque se ejerce sobre las moléculas y éstas se alinearán en la dirección del
campo eléctrico, produciendo un momento dipolar neto. Esto significa que las moléculas en la
materia produciran un campo eléctrico macroscópico significativo.
Notar que lo mismo puede ocurrir en un material compuesto de moléculas no polares. Bajo el
efecto de un campo eléctrico, las densidades de carga negativa y positiva de cada molécula se
separaran espacialmente, produciéndose una polarización de las moléculas como consecuencia
del campo eléctrico aplicado. Estas moléculas, una vez polarizadas, también se alinearán en la
dirección del campo eléctrico resultante.
5.2 Polarización
Si un medio se polariza, se efectúa una separación de cargas positivas y negativas, y todo
elemento de volumen se caracterizara entonces por un momento dipolar eléctrico, ∆~p.
Definición 5.2.1 — Polarización. Se define la polarización ~
P de un medio en un punto ~x
como el momento dipolar eléctrico promedio en un volumen diferencial d 3 x alrededor de ~x:
~P(~x) = ∆~p(~x)
d3x
5.2 Polarización 181
ZZZ ~ 0
1 P(~x ) · (~x −~x0 ) 3 0
φ (~x) = 0 3
d x (5.1)
4πε0 Ω k~x −~x k
Ahora mostraremos que el potencial dado por (5.1) puede escribirse como una integral de la
forma (3.2) con una distribución de cargas adecuada. Utilizando la identidad (3.1), el potencial
se puede reescribir:
1 1
ZZZ
φ (~x) = ~P(~x0 ) · ~∇0 d 3 x0
4πε0 Ω k~x −~x0 k
Con esto
1
ZZZ ~P(~x0 ) 1
ZZZ
1 ~0 ~ 0
φ (~x) = d 3 x0~∇0 · 0
− d 3 x0 ∇ · P(~x )
4πε0 Ω k~x −~x k 4πε0 Ω k~x −~x0 k
182 El campo en medios dieléctricos
La primera integral puede transformarse en una integral sobre una superficie cerrada mediante el
teorema de la divergencia de Green-Ostrogradsky, obteniéndose
1 ~ 0
ZZ ~P(~x0 ) 1
ZZZ
1 ~0 ~ 0
φ (~x) = d S(~x ) · 0
− d 3 x0 ∇ · P(~x )
4πε0 ∂ Ω k~x −~x k 4πε0 Ω k~x −~x0 k
O, equivalentemente
1 ~ x0 ) · n̂(~x0 )
0 P(~ 1 −~∇0 · ~P(~x0 )
ZZ ZZZ
φ (~x) = dS(~
x ) 0
+ d 3 x0 (5.2)
4πε0 ∂ Ω k~x −~x k 4πε0 Ω k~x −~x0 k
Vemos entonces que el potencial generado por un material dieléctrico, dado por (5.2), puede
escribirse como el potencial generado por una distribución de cargas sobre el volumen ρP (~x) =
−~∇ · ~P(~x) y sobre la superficie σP (~x) = ~P(~x) · n̂(~x). Estas son las densidades de carga de
polarización.
Definición 5.2.2 — Densidad de carga de polarizacion. Un dieléctrico polarizado Ω
puede ser visto como un volumen que contiene una densidad de carga ρP en su interior y σP
en su frontera. La densidad volumétrica de carga de polarización es una medida de la no
uniformidad de ~P dentro del material
mientras que la densidad superficial de carga de polarización está dada por la componente de
polarización normal a la superficie
1 0 σ (~ x0 ) 1 ρ(~x0 )
ZZ ZZZ
φ (~x) = dS(~
x ) 0
+ d 3 x0 (5.5)
4πε0 ∂ Ω k~x −~x k 4πε0 Ω k~x −~x0 k
1 x0 )(~x −~x0 )
0 σ (~ 1 ρ(~x0 )(~x −~x0 )
ZZ ZZZ
~E(~x) = dS(~x ) 0
+ d 3 x0
4πε0 ∂ Ω k~x −~x k 3 4πε0 Ω k~x −~x0 k3
5.3 Ley de Gauss en un dieléctrico 183
No hay que olvidar que además de estas cargas libres, el medio dieléctrico poseerá en general
una densidad de carga no nula, debido a que sus moléculas se polarizan bajo la acción del campo
eléctrico generado por las cargas externas. La ley de Gauss, una de las leyes fundamentales de la
electrostática, dice que el flujo del campo eléctrico a través de cualquier superficie cerrada S es
proporcional a la carga total encerrada por ella.
ZZ Qlibre + Qpolarizacion
0
E(~x0 ) =
d~S(~x ) · ~
S ε0
Hay que incluír entonces toda la carga encerrada por S, tanto la carga de polarización como la
carga libre. Supongamos que el volumen encerrado por S se puede escribir como Ω(S) = Ω1 +Ω2 ,
donde Ω1 es el volumen ocupado por las cargas libres, y Ω2 es la porción de volumen encerrado
por S ocupado por el dieléctrico. Esto se muestra en la figura siguiente.
~ 0 ~ 0 Qlibre 1 1
ZZ ZZ ZZZ
d S(~x ) · E(~x ) = + d~S(~x0 ) · ~P(~x0 ) − d 3 x0~∇0 · ~P(~x0 )
S ε0 ε0 −∂ Ω1 ε0 Ω2
Qlibre 1 1
ZZ ZZ
= + d~S(~x0 ) · ~P(~x0 ) − d~S(~x0 ) · ~P(~x0 )
ε0 ε0 −∂ Ω1 ε0 S∪(−∂ Ω1 )
Así
Q 1
ZZ ZZ
0
E(~x0 ) = libre − d~S(~x0 ) · ~P(~x0 )
d~S(~x ) · ~
S ε0 ε0 S
La idea es obtener una ley equivalente a la ley de Gauss en el vacío, donde la integral de flujo de
un cierto campo ~D sobre toda superficie S siga siendo proporcional a la carga libre encerrada por
ésta. Notar que la ecuación anterior se puede reescribir en la forma:
~ 0
ZZ
~ 0 ~ 0
d S(~
x ) · ε0 E(~
x ) + P(~
x ) = Qlibre (5.6)
S
~ 0 ~ 0
ZZ ZZZ
d S(~x ) · D(~x ) = d 3 x0 ρlibre (~x0 ) = Qlibre (5.8)
∂Ω Ω
Notar que toda la información sobre la polarización del medio se encuentra contenida en ~D.
En el vacío se tiene ~P(~x)= 0, ~D(~x) = ε0 ~E(~x) y (5.8) es equivalente a la ley de gauss en el
vacío, (2.2).
Esta es la primera ecuación de Maxwell, y es una generalización de 3.24. Notar que ~D tiene
la ventaja de conservar como fuentes únicamente las cargas libres. El efecto de las cargas de
polarización está contenido en ~D.
5.4 Susceptibilidad eléctrica y constante dieléctrica 185
ε
κ= (5.11)
ε0
de manera que
Solución
a) Usando la ley de gauss general 5.8, con una superficie esférica de radio r (r > R) concéntrica
a la esfera de carga q:
ZZ
0
D(~x0 ) = 4πr2 D(r) = q
d~S(~x ) · ~
S
Con lo que
~D(r) = q
r̂
4πr2
El campo eléctrico y la polarización pueden evaluarse fácilmente a partir de ~D
luego
~P(r) = (ε − ε0 ) ~E(r) = q q q 1
2
r̂ − ε0 2
r̂ = 1− r̂
4πr 4πκε0 r 4πr2 κ
~P(r) = q(κ − 1) r̂
4πκr2
y entonces
ρP (~x) = −~∇ · ~P(~x) = 0
Usando que ~P(r) = q(κ − 1)/(4πκr2 )r̂, la densidad superficial será
(κ − 1)q
σ = ~P · n̂ = ~P(R) · −r̂ = −
4πκR2
y la carga superficial total es
(κ − 1)q (κ − 1)q
QS = −4πR2 2
=−
4πκR κ
5.4 Susceptibilidad eléctrica y constante dieléctrica 187
Esta carga compensa y apantalla a la carga libre q. Notar que la carga total presente en el sistema
es:
(κ − 1)q q
Q = Qlibre + QS = q − =
κ κ
Ejemplo 5.2 — Cáscara dieléctrica. Considere una cáscara esférica dieléctrica de radio
interior a, radio exterior b y permitividad ε. Se coloca una carga puntual q en su centro. Calcule
el campo eléctrico en todo el espacio y las densidades de carga de polarización.
Solución
Tomando una superficie gaussiana esférica arbitraria de radio r > 0 concentrica con la carga libre
q, se tiene
~ 0 ~ 0
ZZ
2
d S(~x ) · D(~x ) = 4πr D(r) = qin = q
S
Con esto
q
~D(r) = r̂
4πr2
para todo r > 0. Ahora, podemos obtener el campo eléctrico como sigue. En la región r < a, se
tiene
~EI (r) = q
r̂
4πεo r2
para a < r < b
~EII (r) = q
r̂
4πεr2
188 El campo en medios dieléctricos
y para r > b
q
~EIII (r) = r̂
4πεo r2
Notar que el campo se debilita en la región interior al cascarón dieléctrico. Ahora,
q(ε − ε0 )
σin = (ε − ε0 )~EII (a) · (−r̂) = −
4πεa2
q(ε − ε0 )
σext = (ε − ε0 )~EII (b) · (r̂) =
4πεb2
se verifica que la carga total de polarización es cero, pues Qin = −q(ε − ε0 )/ε = −Qext .
Ejemplo 5.3 — Esfera rodeada por un cascarón dieléctrico. Una esfera conductora de
radio a tiene una carga Q. La esfera es rodeada por una cáscara no conductora, concéntrica,
de radio interno b > a y radio externo c, y de constante dieléctrica relativa κ. El sistema se
encuentra aislado de otros cuerpos
a) Encuentre el campo eléctrico en todo el espacio
b) Cuál es el potencial eléctrico de la esfera conductora relativo al potencial en el infinito?
c) Cuál es la energía necesaria para mover una carga q desde el inifnito hasta la superficie exterior
del dieléctrico?
Solución
a) Para encontrar el campo eléctrico en todo el espacio se puede utilizar la ley de Gauss general
~
ZZ
d S(~x) · ~
D(~x) = Qin
S
Para r < a, el campo es idénticamente nulo (densidad de carga libre nula al interior de un
conductor). Para a < r < b, se puede escoger una superficie esférica de radio r > 0, de forma que
~
ZZ ZZ
~ 2
d S(~x) · D(~x) = dS(~x)r̂ · D(r)r̂ = D(r)4πr
S S
5.4 Susceptibilidad eléctrica y constante dieléctrica 189
donde la simetría esférica de la figura impone la condición de que el campo ~D debe ser radial.
La carga encerrada por esta superficie es Q, luego
Q
4πr2 D(r) = Q → D(r) =
4πr2
Además, ∀r con a < r < b, ~D(~x) = ε0 ~E(~x), así
~E(~x) = Q
r̂
4πε0 r2
~D(~x) = ε ~E(~x)
Luego
~E(~x) = Q
r̂
4πκε0 r2
~E(~x) = Q
r̂
4πε0 r2
b) Se tiene
Z ∞
φ (r) = d~x · ~E(~x)
r
Dada la naturaleza radial del campo eléctrico, se puede escoger un camino radial para evaluar la
integral de línea, y entonces el potencial en la esfera conductora es
Z b Z c
Q b Q c Q ∞
Z ∞
φ (a) = drE(r) + drE(r) + drE(r) = − − −
4πε0 r a 4πκε0 r b 4πε0 r c
a b c
Q 1 1 Q 1 1 Q
φ (a) = − + − +
4πε0 a b 4πκε0 b c 4πε0 c
Q Q 1 c−b b−c Q 1 (b − c)(κ − 1)
φ (a) = + + = +
4πε0 a 4πε0 κ bc bc 4πε0 a bcεr
190 El campo en medios dieléctricos
U = qφ (c)
donde
Q Q
Z ∞ Z ∞
φ (c) = drE(r) = dr =
c c 4πε0 r 4πε0 c
Así
qQ
U=
4πε0 c
Solución
a) Definimos las siguientes regiones
Al conectar las esferas de radio a y c, se distribuirá la carga en ambas de modo que quedan al
mismo potencial, luego
q2 = qA + qC
5.4 Susceptibilidad eléctrica y constante dieléctrica 191
Además, para la región dada por r < a →, ~E(~x) = ~0 pues corresponde al interior de una esfera
conductora. Para a < r < b se utiliza la ley de Gauss con una superficie esférica de radio r
ZZ
0
D(~x0 ) = 4πr2 D(r) = qA
d~S(~x ) · ~
S(r)
~D = qA r̂
4πr2
y luego
~E(r) = qA
r̂
4πκε0 r2
~E(r) = (qA + q1 ) r̂
4πε0 r2
En resumen
~0 si 0 < r < a
qA
si a < r < b
4πκε0 r2
r̂
~E(~x) = qA +q1
4πε r2
r̂ si b < r < c
qA +q10+qC r̂
4πε0 r2
si c < r
El potencial en la esfera de radio a es
Z ∞ Z b Z c Z ∞
φ (a) = d~r · ~E = d~r · ~E(r) + d~r · ~E(r) + d~r · ~E(r)
a a b c
donde la última integral corresponde a
Z ∞
d~r · ~E(r) = φ (c) = φ (a)
c
Z b Z c
qA dr qA + q1 dr
φ (a) = 2
+ + φ (a)
4πκε0 a r 4πε0 b r2
luego
qA 1 1 qA + q1 1 1
− + − =0
4πκε0 a b 4πε0 b c
b−a c−b
+ (qA + q1 )
qA =0
ab cb
b b q1 (b − c) b(c − a) b−c
qA −1+1− = → qA = q1
a c c ac c
192 El campo en medios dieléctricos
Finalmente
q1 (b − c)a
qA =
b(c − a)
q1 (b − c)a
qC = q2 − qA = q2 −
b(c − a)
b) Sobre la superficie interna del dieléctrico,σP = ~P · n̂, con ~P = (ε − ε0 ) ~E,~E = qA (4πκε0 a2 )r̂ y
n̂ = −r̂. Luego
(ε − ε0 ) qA (κ − 1) qA
=− =−
σP
r=a 4πκε0 a2 4πκa2
a) Encuentre una expresión para κ(r) que genere un campo electrostático radial e independiente
de la distancia al eje
b) Calcule la capacidad del condensador cilíndrico correspondiente
c) Calcule la densidad superficial de cargas de polarización en la superficie del material dieléc-
trico a r = r1 y r = r2 , para el κ(r) calculado en el item a)
d) Considerando que, en coordenadas cilíndricas , ~∇ · ~A = 1r ∂∂r (rAr ), calcular la densidad
volumétrica de cargas de polarización en el dieléctrico
5.4 Susceptibilidad eléctrica y constante dieléctrica 193
Solución
Para obtener el campo electrostático en el interior, utilizamos la ley de Gauss general, con una
superficie cilíndrica de radio r, con r1 < r < r2 y largo l
~ 0 ~ 0
ZZ ZZ
0
d S(~x ) · D(~x ) = dS(~x )r̂ · D(r)r̂ = q
S S
D(r)2πrlD = q
Así
~D = q
r̂
2πrl
además ~D se relaciona con ~E según
luego
~E(r) = q
r̂
2πlrκ(r)ε0
para que ~E no dependa de r, κ(r) debe ser de la forma κ(r) = αr , así
~E(r) = q
r̂
2πlαε0
Z r2 Z r2
q q q(r2 − r1 )
drr̂ · r̂ = dr =
r1 2πlαε0 2πlαε0 r1 2πlαε0
y la capacidad de este condensador es
194 El campo en medios dieléctricos
q 2πlαε0
C= =
∆φ r2 − r1
1 ∂ 1 ∂ h α i
ρP = −~∇ · ~P = − rP(r) = − r − 1 ε0 ~E
r ∂r r ∂r r
1 ∂ α −r q 1 ∂ (α − r) q
ρP = − r ε0 =−
r ∂r r 2πlαε0 r ∂r 2πlα
1 −q q
ρP = − =
r 2πlα r2πlα
e) La carga total de polarización es
ZZZ ZZ ZZ
Qp = ρP (~x0 )d 3 x0 + dS(~x0 )σ1 (~x0 ) + dS(~x0 )σ2 (~x0 )
Ω S1 S2
q
q2πr1 l
ZZ ZZ
0 0 α 0 α
dS(~x )σ1 (~x ) = − −1 dS(~x ) = − −1
S1 r1 2πlα S1 r1 2πlα
q
ZZ
0 0
dS(~x )σ1 (~x ) = − (α − r1 )
S1 α
q
ZZZ
d 3 x0 ρP (~x0 ) = (r2 − r1 )
Ω α
Así
q q q
QP = (r2 − r1 ) − (α − r1 ) + (α − r2 ) = 0
α α α
Esto siempre se cumple, pues un dieléctrico siempre es eléctricamente neutro.
f) La energía almacenada por el condensador es
1 q2
U=
2C
donde
2πlαε0
C=
(r2 − r1 )
así
1 q2 (r2 − r1 )
U=
2 2πlαε0
1 q2 (r2 − r1 )
Ui =
2 2πlαε0
y la final
1 q2
Uf =
2 Cf
donde C f es la capacidad final (en vacío). En el ejemplo 4.9 se determinó la capacidad de un
condensador cilíndrico
2πlε0
Cf =
ln rr21
1 q2
(r1 − r2 ) r2
W = U f −Ui = − ln
2 2πlε0 α r1
196 El campo en medios dieléctricos
~∇ · ~D(~x) = ρ(~x)
~∇ × ~E(~x) = 0
La normal a las tapas coincide con la normal n̂ entre ambas superficies. La ley de Gauss 5.8 nos
da:
~
ZZ ZZZ
d S(~x) · ~
D(~x) = ρ(~x)d 3 x
S Ω(S)
Si h es la altura del cilindro, el área del manto es 2πh. En el límite cuando h → 0, el flujo de ~D
sobre el manto tiende a cero, y queda únicamente el flujo a través de las tapas, cuyas superficies
suponemos igual a A:
~
ZZ
d S(~
x) · ~
D(~
x) = An̂ · ~
D 1 − ~
D 2
S
Por otro lado, si admitimos una densidad superficial de cargas libres σ en la interfaz, entonces la
carga libre encerrada es Aσ . Obtenemos entonces
n̂ · ~D1 − ~D2 A = σ A
Así, la componente normal del campo ~D(~x) es discontinua al atravesar una superficie cargada
donde n̂ es la normal que apunta desde el medio 2 hacia el medio 1. Para medios dieléctricos
lineales, esto se reescribe
~
H
Utilizando la ley de circulación x · E(~x)
Γ d~ = 0. En el caso en que h1 → 0 y h2 → 0, se tiene
que esta integral vale:
lE1t − lE2t = 0
donde Eit = ~Ei · tˆ, con tˆ la dirección tangente a la interfaz. Se deduce que la componente
tangencial de ~E(~x) es continua en la interfaz entre dos medios
Ejemplo 5.6 — Esferas con dieléctrico. Dos esferas concéntricas conductoras de radios
a y b, respectivamente, poseen cargas ±Q. La mitad del espacio entre ellas se llena con un
dieléctrico de constante dieléctrica κ.
Solución
a) Sea S una esfera de radio r concéntrica a ambas esferas conductoras, con a < r < b. De la ley
de Gauss general
~
ZZ
d S(~x) · ~
D(~x) = Q
S
198 El campo en medios dieléctricos
la simetría del sistema impone una dependencia y dirección radial para el campo de desplaza-
miento eléctrico
~D(~x) = D(r)r̂
~
ZZ ZZ ZZ
d S(~x) · ~
D(~x) = d~S(~x) · ε0 κ ~E(~x) + d~S(~x) · ε0 ~E(~x) = 2πrE(r)ε0 (1 + κ)
S S1 S2
~E(~x) = 2Q
r̂ a ≤ r ≤ b
4πε0 r2 (1 + ε/ε0 )
~E(~x) = σ (~x) ~x ∈ Sa : {r = a}
ε(~x)
Así
Qε0
σ1 = ε0 E(a) =
2πa2 (ε + ε0 )
Qε
σ2 = εE(a) =
2πa2 (ε + ε0 )
~P(~x) = (ε − ε0 ) ~E(~x)
5.5 Condiciones de borde en la frontera 199
donde n̂ es la normal a la superficie Sa que apunta hacia la región exterior al dieléctrico, es decir
n̂ = −r̂
σP = − (ε − ε0 ) E(r)
r=a
ε0 − ε Q
σP =
ε0 + ε 2πa2
Ejemplo 5.7 — Esfera dieléctrica en un campo uniforme. Una esfera dieléctrica de radio
a y permitividad ε se coloca en un campo eléctrico inicialmente uniforme ~E = E0 k̂, como se
muestra en la figura
Solución
Dada la simetría del problema, resolveremos el problema en coordenadas esféricas, como se
muestra en la figura
Como no hay cargas libres, el potencial electrostático satisface la ecuación de Laplace 4.15
~∇2 φ = 0
Dada la simetría azimutal (el potencial no depende del angulo polar ϕ), la solución general para
φ toma la forma dada por (4.18)
∞
φ (r, ϑ ) = ∑ Al rl Pl (cos ϑ ) r < a
l=0
∞
φ (r, ϑ ) = ∑ Bl rl Pl +Cl r−(l+1) Pl (cos ϑ ) r ≥ a
l=0
200 El campo en medios dieléctricos
es decir ∞
lim φ (r, ϑ ) = ∑ Bl rl Pl (cos ϑ ) = −E0 r cos ϑ
r→∞
l=0
De aquí, es claro que Bl = 0 para l 6= 1, y
1 ∂ φ (r, ϑ ) 1 ∂ φ (r, ϑ )
− − =− +
a ∂ϑ r=a a ∂ϑ r=a
de forma equivalente, se puede imponer la continuidad de φ en r = a para todo ϑ :
∞ ∞
∑ Al al Pl (cos ϑ ) = −E0 a cos ϑ + ∑ Cl a−(l+1) Pl (cos ϑ )
l=0 l=0
∞
l −(l+1)
∑ Al a −Cl a Pl (cos ϑ ) = −E0 a cos ϑ
l=0
De aqui, se obtiene
C1
A1 a − = −E0 a
a2
y para l 6= 1, Al al −Cl a−(l+1) = 0. Además, si no hay densidad de carga libre en la superficie
dieléctrica, la componente normal del campo ~D(~x) es continua (Ec. 5.13)
~D · r̂ = ~D · r̂
− r=a + r=a
−ε~∇φ (r, ϑ ) · r̂ = −ε0~∇φ (r, ϑ ) · r̂
r=a− r=a+
∂ φ (r, ϑ ) ∂ φ (r, ϑ )
−ε − = −ε0 +
∂r r=a ∂r r=a
!
∞ ∞
l−1 −(l+2)
ε ∑ Al la Pl (cos ϑ ) = ε0 −E0 cos ϑ − (l + 1) ∑ Cl a Pl (cos ϑ )
l=0 l=0
5.5 Condiciones de borde en la frontera 201
∞
ε
∑ Al lal−1 + (l + 1)Cl a−(l+2) Pl (cos ϑ ) = −E0 cos ϑ
l=0 ε0
de aquí se obtiene
ε
A1 + 2C1 a−3 = −E0
ε0
ε
Al lal−1 + (l + 1)Cl a−(l+2) = 0 l 6= 1
ε0
C1
A1 a − = −E0 a
a2
Al al −Cl a−(l+1) = 0 l 6= 1
ε
A1 + 2C1 a−3 = −E0
ε0
ε
Al lal−1 + (l + 1)Cl a−(l+2) = 0 l 6= 1
ε0
de la segunda ecuación
1
Al = Cl l 6= 1
a2l+1
reemplazando en la cuarta
ε 1
Cl 2l+1 lal−1 + (l + 1)Cl a−(l+2) = 0 l 6= 1
ε0 a
ε l l +1
Cl + = 0 l 6= 1
ε0 al+2 al+2
Luego
Cl = Al = 0 l 6= 1
C1
A1 = − E0
a3
reemplazando en la tercera
ε C1
− E0 + 2C1 a−3 = −E0
ε0 a3
C1 ε ε
+ 2 = E0 −1
a3 ε0 ε0
Finalmente !
ε
3 ε0 −1
C1 = a E0 ε
ε0 +2
202 El campo en medios dieléctricos
ε
! !
ε0 −1 3
A1 = E0 ε − E0 = −E0 ε
ε0 +2 ε0 + 2
ε
!
a3 ε0 −1
φ (r, ϑ ) = −E0 r cos ϑ + 2 cos ϑ E0 ε r≥a
r ε0 +2
Notar que el potencial interior de la esfera define un campo eléctrico uniforme según z
!
~Eint = E0 ε 3
ẑ ≤ E0 ẑ
ε0 + 2
La figura muestra las equipotenciales para el caso ε/ε0 = κ = 5, en el que el campo eléctrico al
interior de la esfera se reduce en un factor 0.43.
Notar que un dieléctrico con permitividad muy grande se compora de forma similar a un
conductor, en efecto, si ε → ∞
~∇ · ~E(~x) = ρ → 0
ε
y entonces el campo esta forzado a ser nulo en el interior del dieléctrico (conductor). La siguiente
figura muestra la solución para κ = 100, para la cual el campo al interior de la esfera se reduce
de un factor 0.03.
Ejemplo 5.8 — Esfera dieléctrica y carga puntual. Una carga puntual q esta en el espacio
vacío a una distancia d del centro de una esfera dieléctrica de radio a < d y constante dieléctrica
κ = ε/ε0
a) Encuentre el potencial en todo el espacio.
5.5 Condiciones de borde en la frontera 203
b) Calcule las componentes rectangulares del campo eléctrico cerca del centro de la esfera.
c) Verifique que en el límite ε → ∞, el resultado es el de una esfera conductora
Solución
La situación es la siguiente
Si suponemos que la carga se encuentra en el eje z, su posición se escribe ~x0 = d k̂. Para la región
interior a la esfera, r < a
∞
1 q
φ (r, ϑ ) = ∑ Al rl Pl (cos ϑ ) +
l=0 4πε0 k rr̂(ϑ ) − d ẑk
∞
q ∞ dl
φ (r, ϑ ) = ∑ Bl r−(l+1) Pl (cos ϑ ) + ∑ rl+1 Pl (cos ϑ ) r > d
l=0 4πε0 l=0
1 ∂ φ (r, ϑ ) 1 ∂ φ (r, ϑ )
− − =− +
a ∂ϑ r=a a ∂ϑ r=a
∞
q ∞
al ∞
q ∞
al
∑ Al al Pl (cos ϑ ) + 4πε0 ∑ d l+1 Pl (cos ϑ ) = ∑ Bl a−(l+1) Pl (cos ϑ ) + 4πε0 ∑ d l+1 Pl (cos ϑ )
l=0 l=0 l=0 l=0
204 El campo en medios dieléctricos
de aquí se obtiene
Bl = Al a2l+1
Como además no hay densidad de carga libre en la esfera, la componente normal de ~D(~x) es
continua en r = a
∂ φ (r, ϑ ) ∂ φ (r, ϑ )
ε − = ε0 +
∂r r=a ∂r r=a
∞
q ∞ lal−1
= ∑ −(l + 1)Al a(l−1) Pl (cos ϑ ) + ∑ d l+1 Pl (cos ϑ )
l=0 4πε0 l=0
q lal−1 q lal−1
ε l−1 l−1
lAl a + = −(l + 1)Al a +
ε0 4πε0 d l+1 4πε0 d l+1
ε q l ε
Al l +l +1 = 1−
ε0 4πε0 d l+1 ε0
Finalmente
ql 1 − εε0
Al =
4πε0 d l+1 (1 + l(ε/ε0 + 1))
ql 1 − εε0 a2l+1
Bl =
4πε0 d l+1 (1 + l(ε/ε0 + 1))
Se obtiene
q ∞ l 1 − εε0 q ∞ rl
l
φ (r, ϑ ) = r
∑ d l+1 (1 + l(ε/ε0 + 1)) l P (cos ϑ ) + ∑ d l+1 Pl (cos ϑ ) r < a
4πε0 l=0 4πε0 l=0
q ∞ l 1 − εε0 a2l+1 q ∞ rl
−(l+1)
φ (r, ϑ ) = ∑ r Pl (cos ϑ ) + ∑ d l+1 Pl (cos ϑ ) a < r < d
4πε0 l=0 d l+1 (1 + l(ε/ε0 + 1)) 4πε0 l=0
5.5 Condiciones de borde en la frontera 205
q ∞ l 1 − εε0 a2l+1 q ∞ dl
−(l+1)
φ (r, ϑ ) = ∑ r Pl (cos ϑ ) + ∑ rl+1 Pl (cos ϑ ) r > d
4πε0 l=0 d l+1 (1 + l(ε/ε0 + 1)) 4πε0 l=0
La siguiente figura muestra las líneas de campo y las equipotenciales para el caso d = a y κ = 5.
(2l + 1)rl
q ∞
φ (r, ϑ ) = ∑ d l+1 (1 + l(ε/ε0 + 1)) Pl (cos ϑ )
4πε0 l=0
El campo eléctrico está dado por
5r(3 cos2 ϑ − 1)
q 3 cos ϑ
Er ≈ − + 3
4πε0 d 2 (2 + ε/ε0 ) d (3 + 2ε/ε0 )
q −3 sin ϑ −15r cos ϑ sin ϑ
Eϑ ≈ − + 3
4πε0 d 2 (2 + ε/ε0 ) d (3 + 2ε/ε0 )
206 El campo en medios dieléctricos
3q cos ϑ
Er ≈ −
4πε0 d 2 (2 + ε/ε0 )
3q sin ϑ
Eϑ ≈
4πε0 d 2 (2 + ε/ε0 )
q 3
q
k~Ek = Er2 + Eϑ2 =
4πε0 d 2 2 + ε/ε0
q
Notar que si ε → 1, k~Ek = 4πε0 d 2
, como debe ser. Finalmente
q 3
Ez = Er cos ϑ − Eϑ sin ϑ ≈ − 2
4πε0 d (2 + ε/ε0 )
y se deduce entonces:
Ey ≈ Ex ≈ 0
medio material son fuentes de un campo ~D, tal que la ley de Gauss se sigue cumpliendo para ~D, en
analogía a lo que pasa en el vacío con el campo eléctrico. Matemáticamente, ~D es prácticamente
idéntico (salvo por una constante de multiplicacion) al campo eléctrico que generarían las cargas
libres en el vacío. El campo ~D generado por las placas es entonces homogéneo en el espacio entre
placas, y nulo al exterior. En la figura siguiente se muestran las líneas de campo ~D generadas por
ambas placas separadamente.
Utilizando la ley de gauss con el cilindro S1 , cuyas tapas poseen una superficie S, se tiene que el
flujo es no nulo únicamente en la tapa que se encuentra al interior del condensador:
DS = σ S
con σ la densidad superficial de carga en las placas. Con esto, D = σ . En todo punto fuera del
dieléctrico κ = 1 (vacío), se tiene entonces ~D = ε0 ~E y el campo eléctrico será, al igual que el
caso sin dieléctrico, E0 = εσ0 .
Ahora bien, al interior del dieléctrico, ~D = κε0 ~E, y entonces el campo eléctrico se debilita de un
factor κ respecto a su valor en el vacío, ED = Eκ0 . Dado que ~D es uniforme, las únicas cargas de
polarización aparecen en la superficie del dieléctrico, en donde la orientación de los dipolos a lo
largo del campo eléctrico genera una carga superficial que apantalla las placas del condensador
en todo punto interior al dieléctrico, como se puede ver en la figura siguiente
El potencial se puede encontrar integrando el campo eléctrico sobre una curva vertical que une
la placa superior a la inferior
Z d
Q Q
∆φ = dxE = E0 (d − t) + EDt = (d − t) − t
0 Aε0 Aε0 κ
208 El campo en medios dieléctricos
Q 1
∆φ = (d − t(1 − ))
Aε0 κ
Con esto se obtiene la capacitancia
Q ε0 A
C= =
∆φ d − t(1 − κ1 )
κε0 A
C= = κC0
d
donde C0 es la capacidad en la ausencia de dieléctrico.
Ejemplo 5.9 — Condensador esférico con dieléctrico. Se tiene un condensador esférico
Solución
Supongamos que el condensador tiene almacenada una carga Q, es decir, la superficie r = a está
cargada con carga Q, mientras que la superficie r = b se encuentra cargada con carga −Q. Se
puede calcular la capacitancia al determinar la diferencia de potencial entre estas superficies.
Utilizando la ley de Gauss general 5.8, con una superficie esférica de radio r, con a < r < b
~
ZZ
d S(~x) · ~
D(~x) = Q
S
ZZ
d~S(~x) · ~
D(~x) = 4πD(r)r2 = Q
S
de esta forma
~D(~x) = Q r̂ a ≤ r ≤ b
4πr2
Además ~D(~x) = ε0 κ ~E(~x), donde κ es la constante dieléctrica del material. Luego
~E(~x) = Q
r̂ a ≤ r ≤ b
4πε0 κr2
Ahora, la diferencia de potencial entre los extremos del condensador es
Z b
∆φ = φ (a) − φ (b) = d~x · ~E(~x)
a
Q 4πε0 κab
C= =
∆φ (b − a)
Es decir, se multiplica de un factor κ > 1 respecto a la capacidad de un condensador esférico en
el vacío.
Ejemplo 5.10 — Condensador esférico con 2 dieléctricos. Considere una esfera conduc-
tora de radio interior a y radio exterior c. El espacio entre las 2 superficies es llenado con 2
dieléctricos distintos, de manera que la constante dieléctrica es κ1 entre a y b, y κ2 entre b y c.
Determine la capacitancia del sistema.
Solución
Para encontrar la capacitancia, podemos suponer que el condensador se encuentra cargado con
una carga Q. En este estado, habrá una cierta diferencia de potencial ∆φ = φ (a) − φ (c) entre
r = a y r = c. Para encontrar ∆φ , necesitamos determinar el campo eléctrico en la región
Ω : {a ≤ r ≤ c}. Para ello, utilizamos la ley de Gauss general, para una superficie esférica de
radio r contenida en Ω
210 El campo en medios dieléctricos
~
ZZ
D(~x) = 4πr2 D(r)
d S(~x) · ~
S
esto último dada la clara simetría esférica del problema. Por la ley de Gauss
~
ZZ
d S(~x) · ~
D(~x) = Q
S
~D(r) = Q r̂ a ≤ r ≤ c
4πr2
Ahora utilizamos ~D(~x) = ε0 κ ~E(~x), donde κ es la constante dieléctrica. Así, para la región I
(a ≤ r ≤ b)
Q
ε0 κ1 ~E(~x) = r̂ a ≤ r ≤ b
4πr2
Despejando
~E(~x) = Q
r̂ a ≤ r ≤ b
4πε0 κ1 r2
Análogamente, para la región II (b ≤ r ≤ c)
~E(~x) = Q
r̂ b ≤ r ≤ c
4πε0 κ2 r2
Con esto
Z c
∆φ = φ (a) − φ (c) = d~x · ~E(~x)
a
Otra forma de resolver el sistema es notando que el condensador equivale a dos condensadores
esféricos en serie. Recordando que la capacidad para un condensador esférico de radio interior
r1 y radio exterior r2 , lleno de un dieléctrico lineal de constante κ (ejemplo 5.9) está dada por
r1 r2
C = 4πε0 k
r2 − r1
Con lo que la capacidad equivalente del sistema es
1 (b − a) (c − b) κ2 c(b − a) + κ1 a(c − b)
= + =
C 4πε0 κ1 ab 4πε0 κ2 bc 4πε0 κ1 κ2 abc
Así
4πε0 k1 k2 abc
C=
k2 c(b − a) + k1 a(c − b)
que es el mismo resultado obtenido anteriormente
Solución
El problema se puede tratar como 2 condensadores en paralelo, uno formado por los dieléctricos
de constante κ1 y κ2 , y el otro formado por dieléctrico de constante κ3 y vacío. El primer
condensador (C1 ), se puede ver como 2 condensadores en serie, llenos de los dieléctricos 1 y 2,
así
1 1 1
= 0 + 00
C1 C1 C1
Con
κ1 ε0 S1
C10 =
d1
κ2 ε0 S1
C100 =
d2
1 d1 d2
= +
C1 κ1 ε0 S1 κ2 ε0 S1
De donde se obtiene
κ1 κ2 ε0 S1
C1 =
d1 κ2 + d2 κ1
212 El campo en medios dieléctricos
Donde
ε0 S2
C20 =
d1
κ3 ε0 S2
C200 =
d2
y se obtiene
κ3 ε0 S2
C2 =
d1 κ3 + d2
Finalmente, como C1 y C2 estan en paralelo, la capacidad total será
κ1 κ2 ε0 S1 κ3 ε0 S2
C = C1 +C2 = +
d1 κ2 + d2 κ1 d1 κ3 + d2
Ejemplo 5.12 — Fuerza sobre una barra dieléctrica. Se tiene un condensador plano con
placas cuadradas de largo a, separadas una distancia distancia d, y con una carga total Q. Calcular
la fuerza que se ejerce sobre un material dieléctrico cuando se encuentra a una distancia x del
punto O.
Solución
La energía potencial asociada a esta configuración es
1 Q2
U(x) =
2 C(x)
Notar que la capacitad total del condensador es funcion de x. El sistema se puede ver como dos
condensadores en paralelo
ε0 ax κε0 a(a − x)
Ceq = C1 +C2 = +
d d
ε0 a(x + κ(a − x))
Ceq =
d
1 dQ2
U(x) =
2 ε0 a(x + κ(a − x))
Y la fuerza que se ejerce sobre el dieléctrico sera
2 (1 − k)
~F = − dU î = Q d î
dx 2ε0 a (x + k(a − x))2
Notar que (1 − k) < 0, es decir, la fuerza apunta según - î. Esto significa que la placa dieléctrica
es atraída hacia el interior del condensador, lo que minimiza la energía potencial.
a) Calcule la fuerza que ejerce el condensador sobre el dieléctrico dado que el dieléctrico ocupa
un largo x adentro del condensador
b) La fuerza de la parte a) actua contra la fuerza gravitacional. Cuál es el largo x que ocupa el
dieléctrico dentro del condensador en el equilibrio?
c) Cuál es la carga minima Qmin que se necesita en las placas del condensador para que el
dieléctrico se quede dentro del condensador?
Solución
a) La prescencia del bloque dieléctrico al interior del condensador altera la capacidad de este. Si
el bloque ocupa un largo x en el condensador, la capacidad puede ser vista como la equivalente
etre 2 condensadores en paralelo, un condensador en vacío de largo (l − x), y un condensador
con dieléctrico de largo x
ε0 a(l − x) ε0 κax ε0 al x l −x
C(x) = + = κ+
d d d l l
Notar que C0 = ε0 al/d es la capacidad para x = 0, o equivalentemente, la capacidad del conden-
sador en vacío. Con esta notación
x
C(x) = C0 1 + (κ − 1)
l
214 El campo en medios dieléctricos
Q2
U(x) =
2C(x)
luego la fuerza que se ejerce sobre el dieléctrico es
2 0
~F = − dU(x) î = Q C (x) î
dx 2 C2 (x)
con
0 κ −1
C (x) = C0
l
Así !
Q2 C0 κ−1
l Q2 (κ − 1) 1
F(x) = =
x 2
2
2 2C0 l 1 + (κ − 1) xl
C02 1 + (κ − 1) l
Definiendo
Q2 (κ − 1)
F0 =
2C0 l
F0
F(x) = 2
1 + (κ − 1) xl
La solución debe ser tal que x/l ∈ (0, 1), lo que es posible únicamente para
(s )
x 1 F0
= −1
l κ −1 mg
Finalmente
(s )
l F0
x= −1
κ −1 mg
s !
F0
0≤ −1 ≤ (κ − 1)
mg
Luego debe tenerse
s
F0
1≤ ≤ εr
mg
Equivalentemente
mg ≤ F0 ≤ εr2 mg
La primera condición es la relevante para obtener la carga minima, en efecto
F0 ≥ mg
Q2min (κ − 1)
≥ mg
2C0 l
Así
2C0 lmg
Q2min =
κ −1
r
2C0 lmg
| Qmin |=
κ −1
s
2ε0 al 2 mg
| Qmin |= )
d(κ − 1
216 El campo en medios dieléctricos
Solución
La diferencia de nivel ∆h estara dada por el equilibrio entre la fuerza eléctrica sobre el líquido y
su peso. Sea x = h + ∆h, y dado que la carga en el condensador es constante, se tiene:
1 Q2
U(x) =
2 C(x)
La fuerza electrostática es
~F = − ∂U î
∂x
Con C(x) la capacidad del condensador cuando el agua esta a una altura x. El condensador puede
considerarse como dos condensadores conectados en paralelo, uno de altura l − x y otro de altura
x. La capacidad total será la suma de las capacidades C1 , C2 . Para calcular la capacidad del
condensador de altura x, supongamos que hay una carga q2 distribuída en el conductor interno.
Así, utilizando un cilindro como superficie de gauss de radio r, concéntrico al conductor interno
y contenido en la región con dieléctrico, se tiene
~ 0 ~ 0
ZZ
d S(~x ) · D(~x ) = q2
~D(r) = q2 r̂
2πrx
De donde
~E(r) = q2
r̂
2πrxε
2πεx
C2 =
ln ba
Análogamente se obtiene la capacidad para el condensador superior, que estará dada por
2πε0 (l − x)
C1 =
ln ba
2π
C = C1 +C2 = (εx + ε0 (l − x))
ln ab
Y la energía almacenada es
1 Q2 ln(b/a)
U(x) =
4π x(ε − ε0 ) + ε0 l
Derivando se obtiene la fuerza que tiende a subir el nivel del líquido dieléctrico
2
~F = − dU î = 1 Q ln(b/a)(ε − εo ) î
dx 4π (x(ε − ε0 ) + ε0 l)2
Y el peso del líquido que es elevado una altura ∆h = x − h es
W = (x − h)π(b2 − a2 )ρ
Finalmente la ecuación para determinar x es
1 Q2 ln(b/a)(ε0 − ε)
(x − h)π(b2 − a2 )ρ =
4π (x(ε − ε0 ) + ε0 l)2
con lo cual se determina ∆h = x − h
218 El campo en medios dieléctricos
• Un medio de volumen Ω puede ser visto como un volumen cargado, que consiste en la
superposición de una densidad volumétrica ρP en Ω y una densidad superficial σP sobre
∂ Ω, dadas por:
ρP = −~∇ · ~P ←→ σP = ~P · n̂
• En un medio lineal, los momentos dipolares se alinean según el campo eléctrico ~E, la
polarización es entonces proporcional a ~E, ~P = χ ~E, con χ > 0. El vector desplazamiento
se puede escribir:
~D = ε ~E