INSTITUTO SUPERIOR TECNOLÓGICO LOJA

Define tu Futuro

INSTRUMENTO DE EVALUACIÓN PRIMER BIMESTRE

CARRERA TECNOLÓGICA: Tecnología Superior en Electricidad

DOCENTE: Christian N. Cevallos Gutiérrez
CICLO: Segundo “A”
FECHA: 2019/07/24
ALUMNO:

INSTRUCCIONES:
- El tiempo para desarrollar la evaluación es de 90 minutos.
- Utilice esferográfico de COLOR AZUL para responder la respuesta correcta.
- Debe seleccionar UNA respuesta correcta.
- No se aceptan celulares, y en caso de encontrársele copiando el examen será retirado.

EN LOS SIGUIENTES ENUNCIADOS SELECCIONE LA RESPUESTA CORRECTA.

1. Cuál de estas afirmaciones acerca de los Semiconductores es correcta.

a. Un semiconductor es un material que siempre tiene un alto nivel de
conductividad.
b. Un semiconductor es un material que se comporta siempre como un buen
aislante.
c. Un semiconductor es un material que tiene un nivel de conductividad entre la de
un buen conductor y la de un aislante.
d. Todas son correctas.

2. Cuál de estas afirmaciones acerca del Diodo es correcta.

a. El diodo ideal es un circuito abierto en la región de conducción y un corto circuito
en la región de no conducción.
b. El diodo ideal es un corto circuito en la región de no conducción y un circuito
abierto en la región de conducción.
c. El diodo ideal es un corto circuito en la región de conducción y un circuito abierto
en la región de no conducción.
d. El diodo ideal siempre se comporta como un cortocircuito en todas las regiones
de funcionamiento.

3. Cuál de las siguientes afirmaciones acerca del transistor es correcta

a. Los transistores son dispositivos de tres terminales de tres capas semiconductoras
que tienen una base o capa central mucho más ancha que las otras dos.
b. Los transistores son dispositivos de tres terminales de dos capas semiconductoras
que tienen una base o capa central mucho más delgada que las otras dos.
c. Los transistores son dispositivos de tres terminales de tres capas semiconductoras
que tienen una base o capa central mucho más delgada que las otras dos.
d. Todas son correctas.
4. Cual afirmación es la correcta acerca de la región activa de un transistor es correcta
a. En la región activa de un transistor, la unión base-emisor se polariza en directa,
en tanto que la unión colector-base se polariza en inversa.
b. En la región activa de un transistor, la unión base-emisor se polariza en inversa,
en tanto que la unión colector-base se polariza en directa.
c. En la región activa de un transistor, la unión base-emisor y la unión colector-base
se polarizan en inversa.
d. En la región activa de un transistor, la unión base-emisor y la unión colector-base
se polarizan en directa.

5. Cuál afirmación es correcta acerca de la región de corte y saturación de un

transistor.
a. En la región de corte las uniones base-emisor y colector-base se polarizan en
inversa.
b. En la región de saturación las uniones base-emisor y colector-base se polarizan
en directa.
c. Ambas afirmaciones son incorrectas.
d. Ambas afirmaciones son correctas.

6. Cuál de las siguientes afirmaciones es correcta acerca del transistor como

interruptor.
a. El transistor se comporta como un interruptor en la región activa.
b. El transistor se comporta como un interruptor en la región de corte y saturación.
c. Ambas afirmaciones son incorrectas.
d. Ambas afirmaciones son correctas.

En los siguientes apartados complete la siguiente afirmación con el complemento

correcto.

7. El rectificador en puente utiliza cuatro diodos. La tensión en la carga es

…………………………………………………….

a. Una señal de onda completa con un valor de pico igual a la tensión de pico del
secundario
b. Una señal de media onda rectificada con valor pico igual a la tensión del primario
c. Una señal lineal con rizado mínimo.
d. Ninguna de las anteriores.

8. La relación entre la corriente de colector y la corriente de base se conoce como

ganancia de corriente y se simboliza mediante 𝜷𝒅𝒄 o𝒉𝑭𝑬 . En los transistores de baja
potencia, normalmente toma valores entre

a. 1000 y 1300.
b. 700 y 1300
c. 100 y 300
d. Mas de 1300
9. Cuál es el rizado y la tensión continua en la carga del circuito de la Figura.

a) VL= 12V ; IL= 18mA; Vr= 9,35Vpp

b) VL= 32V ; IL= 8,8mA; Vr= 0,57Vpp
c) VL= 22V ; IL= 8mA; Vr= 6,26Vpp

10. Determine la configuración del circuito, el Voltaje Base-emisor (VBE) y la resistencia

de base (Rb) para el siguiente circuito, cuando el transistor se comporta como un
interruptor; si la ganancia del transistor es HFE=40. (JUSTIFIQUE SU
RESPUESTA).

a. Base común, VBE= 0.3 [V], Rb= 3.5 [kΩ]

b. Emisor común, VBE= 0.7 [V], Rb= 3.5 [kΩ]
c. Base común, VBE= 0.7 [V], Rb= 4.4 [kΩ]
d. Emisor común, VBE= 0.3 [V], Rb= 4.4 [kΩ]

Ing. Christian Cevallos G. Ing. Daniel Granda G.

Firma del Estudiante DOCENTE COORDINADOR DE
CARRERA