Fundamentos de Electrónica (2º GIERM)

Tema 8

Modelos de pequeñ a señ al

Índice

1. Introducción......................................................................................................................................................................... 162
2. Componentes de una señal ............................................................................................................................................ 163
3. Modelos incrementales ................................................................................................................................................... 164
4. Modelos de pequeña señal ............................................................................................................................................. 165
4.1. MPS del diodo ...................................................................................................................................................................... 165
4.2. MPS del transistor BJT ..................................................................................................................................................... 167
4.3. MPS del transistor MOSFET........................................................................................................................................... 171
5. Planteamiento general del problema ........................................................................................................................ 173

1. Introducción
Los modelos de gran señal descritos para diodos y transistores son modelos matemáticos que aproximan con
bastante fidelidad los fenómenos más importantes que suceden en estos dispositivos. Pueden ser usados
directamente o de forma aproximada (modelos simplificados) para resolver muchas situaciones que se dan en
problemas electrónicos reales.

Sin embargo, en algunas circunstancias la resolución del problema con el modelo de gran señal resulta no ser
cómoda, bien porque el planteamiento con los modelos completos complica demasiado los cálculos, o bien
porque el uso de los modelos simplificados no proporciona toda la información necesaria. Al fin y al cabo, con
estos modelos simplificados se consigue reducir los cálculos a costa de perder parte de la información
proporcionada por el modelo completo de gran señal.

En este tema se aborda uno de estos problemas que requieren del uso de nuevas técnicas de resolución. En
primer lugar, se describirá el problema de forma detallada y se planteará la necesidad de desarrollar un nuevo
modelo para cada uno de los dispositivos. Posteriormente se desarrollarán estos modelos para los dispositivos
ya estudiados, y por último se ofrecerá una solución general del problema.

Los modelos estudiados en este tema se utilizarán en asignaturas posteriores para el análisis y diseño de
amplificadores, filtros y osciladores.

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Al finalizar este capítulo, el alumno debe ser capaz de:

- Comprender la relación entre valores instantáneos, de polarización y de pequeña señal de un

circuito electrónico.
- Comprender y desarrollar la técnica de superposición usada para obtener los valores instantáneos
de un circuito electrónico.
- Conocer los diferentes modelos de pequeña señal de los dispositivos y saber aplicarlos en cada caso.
- Calcular los parámetros de pequeña señal de los dispositivos.
- Analizar un problema completo de amplificadores a cualquier frecuencia.
- Calcular el resultado de un problema completo de amplificadores a aquellas frecuencias donde el
cálculo se realice en el dominio real y no en el imaginario.

2. Componentes de una señal

Sobre las señales de tensión y corriente que habitualmente se manejan se pueden definir dos componentes.
La primera, que recibe el nombre de componente DC (direct current) o CC (corriente continua), no es otra cosa
que el valor medio de la señal, mientras que la segunda, llamada AC (alternate current) o CA (corriente
alterna), representa la variación de la señal respecto al valor medio. Con la suma de ambas componentes se
tiene el llamado “valor instantáneo” de la señal.

𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑖𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑎𝑛𝑒𝑜 = 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝐷𝐶 + 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝐴𝐶 (1)

Para diferenciar las tres variables que se pondrán en juego a partir de ahora, se tendrá en cuenta la siguiente
nomenclatura.

- Al valor total de la variable en cada instante o “valor instantáneo” se le denotará con el nombre de la
variable en minúscula y el subíndice en mayúscula (vI, iI, vM, iM, vS, iS, etc).
- Al valor medio, “valor de polarización o DC”, se le denotará con el nombre de la variable y el subíndice
en mayúscula (VI, II, VM, IM, VS, IS, etc).
- A la variación en torno al valor medio o “AC” se le denotará con el nombre de la variable y el subíndice
en minúscula (vi, ii, vm, im, vs, is, etc).

De esta forma, la expresión

𝑣 (𝑡) = 𝑉 + 𝑣 (𝑡) (2)

indica que el valor instantáneo vI (t), es la suma del valor medio o componente DC VI más la variación o
componente AC vi en torno a este valor medio.

Por ejemplo, la Figura 1 muestra la señal 𝑣 (𝑡) = 1 + 5 · 𝑠𝑒𝑛(𝑤𝑡) , correspondiente una senoide de 5V
amplitud, 10 V de valor pico a pico y con un offset de 1 V.

Las tres componentes de la señal serán:

- Una componente continua o DC de VI = 1V constante en el tiempo.

- Una componente AC de vi cuyo valor varía desde -5 V hasta 5 V.
- El valor instantáneo vI , suma de los dos anteriores y que también variará entre un mínimo de -4 V y
un máximo de 6 V.

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Figura 1: Componentes de una señal electrónica.

3. Modelos incrementales
El modelo de gran señal de un dispositivo relaciona las variables instantáneas de tensión y corriente de forma
que, en cualquier instante, conocidas una serie de variables se pueden hallar las restantes matemáticamente.
En un diodo esto quiere decir que, sabiendo la tensión aplicada entre los extremos vD se puede deducir la
corriente iD que aparece a través del dispositivo a partir de la expresión (3).

𝑖 =𝐼 · 𝑒 −1 (3)

Así, en la Figura 2 se observa dos puntos diferentes de funcionamiento proporcionados por el modelo de gran
señal anterior. El primero cumple 𝑖 = 𝐼 · 𝑒 − 1 y el segundo 𝑖 = 𝐼 · 𝑒 −1 .

ID ID
i2

i1
i1 i1
v1
VD VD
v1 v2 v1

a) b)
Figura 2: Modelo de gran señal (a) y modelo incremental (b).

Sin embargo, a veces interesa conocer la relación entre los incrementos o fluctuaciones de estas variables
(vD, iD). Esta relación se concreta mediante una ecuación del tipo

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∆𝑖 = 𝑓(∆𝑣 ) (4)

que proporciona el incremento de corriente iD que se obtiene cuando se aumenta la tensión del diodo una
cierta cantidad vD. Esta función f() se corresponde con un modelo incremental del dispositivo, ya que no
trabaja con valores totales o instantáneos, sino con incrementos.

Pare evidente que el incremento de corriente resultante dependerá del punto de funcionamiento donde se
encuentre el diodo en ese momento. No es lo mismo hallar esa relación cuando el dispositivo está polarizado
en torno a (v1, i1) que en (v2, i2) o en inversa. En los dos primeros casos el incremento de corriente será muy
importante, mientras que en el último será prácticamente nulo.

Teniendo en cuenta las componentes de una señal definidas con anterioridad, la ecuación (4) podrá ponerse
como indica (5), donde los incrementos se han sustituidos por la componente AC de las señales.

𝑖 = 𝑓(𝑣 ) (5)

4. Modelos de pequeña señal

Los modelos de pequeña señal son modelos incrementales, como los representados en las ecuaciones (4) y
(5), donde los incrementos o componentes AC tienen una amplitud pequeña (de ahí el nombre de “pequeña
señal”). En la Figura 3 se muestra una tensión con estas características, con una determinada componente DC
y con una fluctuación o componente AC de mucha menor amplitud.

Figura 3: Tensión con una componente AC de pequeña señal.

En este apartado se desarrollarán los modelos de pequeña señal para cada uno de los dispositivos explicados
en temas anteriores.

4.1. MPS del diodo

En el diodo, el modelo de gran señal está representado por la ecuación exponencial que relaciona la tensión y
corriente instantánea del dispositivo (6).

𝑖 = 𝑖 (𝑣 ) = 𝐼 · 𝑒 −1 (6)

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Suponiendo que la fuente vi del circuito de la Figura 4 oscila alrededor de un determinado valor VD, el punto
de funcionamiento del diodo también se moverá por la curva en torno al valor (VD, ID).

Figura 4: Representación gráfica del funcionamiento de un diodo.

La Figura 5a muestra, más detalladamente, las componentes de corriente y tensión que aparecen en el diodo.
En cualquier instante, el punto de funcionamiento del diodo, representado por el pequeño círculo negro,
tendrá las coordenadas instantáneas (vD, iD). Al moverse este punto a lo largo de la curva exponencial (trazo
azul), los valores instantáneos vD e iD irán variando, así como los valores AC vd e id, mientras que la componente
DC permanece constante con valores VD e ID.

b)
a)
Figura 5: Funcionamiento de un diodo en pequeña señal.

Si se definen unos ejes auxiliares centrados en el punto (VD, ID), la medida de las tensiones y corrientes de la
curva exponencial en estos ejes se corresponderá con las componentes AC del diodo (vd, id), tal y como refleja
la Figura 5b. En esta misma figura se aprecia que, en el caso concreto de tener una pequeña señal, donde las

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componentes AC son de pequeña magnitud, la curva exponencial (trazo azul) se puede aproximar por una
recta tangente a la propia curva en ese punto (VD, ID).

De lo anterior se deduce que la relación buscada (ecuación (5)), o modelo de pequeña señal para el diodo, se
puede aproximar por una recta en el plano I-V, es decir, por una conductancia gd.

𝑖 =𝑔 ·𝑣 (7)

El valor de dicha conductancia, o lo que es lo mismo la pendiente de la curva, se corresponde con la derivada
de la característica estática, particularizada en el punto de polarización del diodo (VD, ID).

𝑑𝑖 𝑑 𝐼 · 𝑒 −1 𝐼 · 𝑒
𝑔 = = = (8)
𝑑𝑣 𝑑𝑣 𝑉

Suponiendo que el diodo se encuentre polarizado en directa, la tensión aplicada sería positiva y el término
exponencial resultaría ser mucho mayor que 1, por lo que la expresión anterior se puede aproximar por:

𝐼 · 𝑒 −1 𝑖 𝐼
𝑔 ~ = = (9)
𝑉 𝑉 𝑉

El valor de la conductancia será el cociente entre la corriente de polarización del diodo ID y el potencial
equivalente de temperatura VT (0,025 V a Tamb).

En la Figura 6 se muestra el modelo eléctrico de pequeña señal del diodo, tal y como se deduce de las
ecuaciones anteriores, así como el modelo eléctrico completo, una vez se le añaden los efectos capacitivos
representados por las capacidades de difusión Cdif y de transición Ctran de la unión pn.

Figura 6: Modelos eléctricos de pequeña señal de un diodo.

4.2. MPS del transistor BJT

El modelo de gran señal del transistor BJT está definido por las características estáticas de entrada (10) y de
salida (11), que ligan la corriente de colector y la tensión base-emisor con las variables independientes vCE e iB
respectivamente. En este apartado se obtendrá el modelo de pequeña señal que liga las variables AC del
dispositivo, y que vendrá expresado según unas ecuaciones del tipo (12) y (13).

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𝑣 =𝑣 (𝑣 , 𝑖 ) (10) 𝑣 = 𝑣 (𝑣 , 𝑖 ) (12)

𝑖 = 𝑖 (𝑣 , 𝑖 ) (11) 𝑖 = 𝑖 (𝑣 , 𝑖 ) (13)

iB iC ib ic

B C B C
vBE BJT vCE vbe BJT vce
E E E E

a) b)

Figura 7: Modelos de gran señal (a) y de pequeña señal (b) de un transistor BJT.

La característica estática de salida iC = iC (vCE, iB) del transistor BJT del circuito de la Figura 8a puede ser
representada en de forma tridimensional como una superficie, tal y como aparece en la Figura 8b. Una
variación de la fuente vI provocaría un desplazamiento del punto de trabajo del transistor sobre esta superficie,
desde el punto 1 hasta el punto 2 siguiendo una trayectoria similar a la línea azul.

b)
a)
Figura 8: Representación tridimensional del funcionamiento de un transistor.

Al igual que el diodo, si el funcionamiento del transistor fluctúa alrededor de un determinado punto de
polarización (IC1, VCE1, IB1) con desviaciones de pequeña amplitud, la superficie podrá aproximarse a un plano
tangente (Figura 9a).

Ese plano, y en concreto sus pendientes, dependerán del punto de la superficie sobre la cual se aplica la
tangencia. En la Figura 9a se muestran dos planos tangentes a dos puntos de polarización diferentes, (IC1, VCE1,
IB1) y (IC2, VCE2, IB2).

Al utilizar unos ejes auxiliares centrados en el punto de polarización (IC, VCE, IB), las variables pasarán a ser las
componentes AC ic, ib, vce, ya que en estos ejes no se tiene en cuenta la componente DC de las corrientes y las
tensiones. El plano que aproxima a la característica estática en los nuevos ejes se muestra en la Figura 9b, y
estará centrado en el punto (0, 0, 0).

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ic

(0, 0, 0)
vce

ib

a) b)

Figura 9: Aproximación lineal de la característica estática de salida de un BJT.

Las expresiones que relacionan las variables AC, o pequeña señal, del transistor tendrán las formas mostradas
en las ecuaciones de los planos (14) y (15), y definen el comportamiento de la bipuerta de la Figura 7b.

(14)
𝑣 =ℎ ·𝑖 + ℎ ·𝑣
𝑖 =ℎ ·𝑖 + ℎ ·𝑣 (15)

Los coeficientes hie, hre, hfe y hoe son las pendientes de los planos respecto a los ejes ib y vce, y vienen definidas
por las derivadas de las características de entrada y salida respecto a las variables iB y vCE, y posteriormente
evaluadas en el punto de polarización alrededor del cual fluctúa el transistor (Q).

𝜕𝑣 𝜕𝑣
ℎ = (16) ℎ = (17)
𝜕𝑖 𝜕𝑣

𝜕𝑖 𝜕𝑖
ℎ = (18) ℎ = (19)
𝜕𝑖 𝜕𝑣

Desde el punto de vista eléctrico también se puede dar una interpretación bastante interesante. La expresión
(14) indica que la componente AC de la tensión base-emisor (vbe) se obtiene como suma de dos miembros,
que deben ser también tensiones. La primera tensión la produce una resistencia de valor hie cuando es
atravesada por la corriente ib, mientras que la segunda viene dada por una fuente de tensión dependiente de
la tensión de los terminales de salida vce, y con factor de proporcionalidad hre.

Por otra parte, la expresión (15) indica que la componente AC de la corriente de colector (ic) se compone de
dos corrientes. Una proporcionada por una fuente de corriente, dependiente de la corriente de entrada ib, y
con factor de proporcionalidad hfe, y otra producida por la resistencia de valor (hoe)-1 entre cuyos extremos cae
la tensión vce.

Las ecuaciones representadas en (14) y (15) reciben el nombre de “modelo de parámetros H” del transistor
BJT, y el circuito eléctrico representado en la Figura 10 será el modelo eléctrico equivalente. Se puede
comprobar que las ecuaciones que relacionan las variables de tensión y corriente de este modelo eléctrico son
las mismas que las representadas en (14) y (15).

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Figura 10: Modelo de parámetros H de un transistor BJT.

Teniendo en cuenta que el modelo de pequeña señal se aplica al transistor en activa, y usando las ecuaciones
(20) y (21) para relacionar a las variables de corriente y tensión del dispositivo,

𝑣
𝑖 ~𝑖 =𝛽·𝑖 1+ ~𝛽·𝑖 (20)
𝑉

𝑖 =𝐼 𝑒 −1 (21)

se obtienen los siguientes resultados en las derivadas parciales.

𝜕𝑣 𝜕𝑖 𝜕𝑖 𝛽·𝑉 𝛽·𝑉
ℎ = = ~𝛽· ~ ~ (22)
𝜕𝑖 𝜕𝑣 𝜕𝑣 𝑖 𝐼

𝜕𝑖
ℎ = = 𝛽 (23)
𝜕𝑖

𝜕𝑖 𝛽·𝑖 𝐼
ℎ = = ~ (24)
𝜕𝑣 𝑉 𝑉

𝜕𝑣 𝜕𝑣 𝜕𝑖 𝜕𝑖 𝑉
ℎ = = · · =ℎ ·ℎ ·ℎ = (25)
𝜕𝑣 𝜕𝑖 𝜕𝑖 𝜕𝑣 𝑉

En la siguiente tabla aparecen algunos valores típicos que sirven para tener una idea del orden de magnitud
de los parámetros hallados anteriormente.

· 𝑉
ℎ = ~ 1 ÷ 3 𝑘Ω (26) ℎ = ~ 10 (27)
𝑉

𝐼
ℎ = 𝛽 ~ 100 ÷ 300 (28) ℎ = ~ (80 𝑘Ω) (29)
𝑉

Además del modelo de parámetros H existe otro, llamado “modelo en π”, muy usado y representado en la
Figura 11. Este modelo se ajusta más a la estructura interna de un transistor BJT en activa. Así, la resistencia
rbe representa el modelo de pequeña señal de una unión pn en directa (unión de emisor polarizada
directamente), la resistencia rbc la de una unión en inversa (unión de colector polarizada inversamente), la
fuente de corriente gm·vbe el Efecto Transistor del dispositivo, y la resistencia rce el efecto Early.

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Figura 11: Modelo en π de un transistor BJT.

Teniendo en cuenta las capacidades de las uniones pn en directa y en inversa existentes en un transistor BJT,
el modelo en π completo quedaría como el de la Figura 12.

Figura 12: Modelo en π completo de un transistor BJT.

Dado que ambos modelos representan al mismo transistor, existirá una relación entre los parámetros de uno
y otro. Despreciando el efecto de realimentación que representan los parámetros hre y rbc se tendrían los
modelos representados en la Figura 13.

Figura 13: Comparación entre modelos H y π de un transistor BJT.

Comparando ambos modelos se llega a las siguientes relaciones.

ℎ =𝑟 (30) ℎ =𝑔 ·𝑟 (31) (ℎ ) = 𝑟 (32)

4.3. MPS del transistor MOSFET

En el caso de un transistor MOSFET, las ecuaciones del modelo de gran señal correspondientes a la bipuerta
de la Figura 14, serían (33) (34) y (35). Las corrientes instantáneas de puerta y sustrato son nulas, mientras
que la de drenador depende de las tensiones instantáneas de puerta, drenador y sustrato.

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Para el modelo de pequeña señal las ecuaciones serán (36) (37) y (38). La componente AC o fluctuación de las
corrientes de puerta y sustrato es nula, mientras que la de la corriente de drenador dependerá de las
componentes AC de las tensiones de puerta, drenador y sustrato.

𝑖 =0 (33) 𝑖 =0 (36)

𝑖 =0 (34) 𝑖 =0 (37)

𝑖 = 𝑖 (𝑣 , 𝑣 , 𝑣 ) (35) 𝑖 = 𝑖 (𝑣 , 𝑣 , 𝑣 ) (38)

iG iD ig id

G iB D G ib D
vGS vBS B MOSFET vDS vgs vbs B MOSFET vds
S S S S

a) b)

Figura 14: Modelos de gran señal (a) y de pequeña señal (b) de un transistor BJT.

El plano tangente a la característica estática de salida tendrá tres términos.

𝑖 =𝑔 ·𝑣 + 𝑔 ·𝑣 + 𝑔 ·𝑣 (39)

Donde los coeficientes anteriores vienen definidos por las siguientes derivadas.

𝜕𝑖 𝜕𝑖 𝜕𝑖
𝑔 = (40) 𝑔 = (41) 𝑔 = (42)
𝜕𝑣 𝜕𝑣 𝜕𝑣

Usando la ecuación del MOSFET en gran señal para iD en saturación,

𝐾
𝑖 = · (𝑣 − 𝑉 ) (1 + 𝜆𝑣 ) (43)
2

𝑉 =𝑉 +𝜙 +𝛾 ϕ +𝑣 (44)

se obtienen los siguientes resultados en las derivadas parciales.

𝜕𝑖
𝑔 = = 2𝐾 𝐼 (1 + 𝜆𝑉 ) ~ 2𝐾 𝐼 (45)
𝜕𝑣

𝜕𝑖 𝜆𝐼
𝑔 = = ~ 𝜆𝐼 (46)
𝜕𝑣 1 + 𝜆𝐼

𝜕𝑖 𝛾𝑔
𝑔 = = (47)
𝜕𝑣 2· 𝜙 +𝑉

El modelo eléctrico equivalente a estas ecuaciones se muestra en la Figura 15, donde las fuentes de corriente
y la resistencia corresponden a los tres miembros de la ecuación de la corriente de drenador, y los terminales
abiertos de sustrato y puerta fuerzan las respectivas corrientes nulas.

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Figura 15: Modelo de pequeña señal de un transistor MOSFET.

El modelo completo de pequeña señal del MOSFET debe incluir las capacidades existentes en el dispositivo,
entre las que están las de la estructura MOS y las correspondientes a las distintas uniones pn.

Figura 16: Modelo de pequeña señal completo de un transistor MOSFET.

Estas capacidades, que están distribuidas por la estructura del MOSFET se suelen concentrar en cinco
capacidades discretas, tres de ellas conectadas entre la puerta y los terminales de fuente, drenador y sustrato
(Cgs, Cgd, Cgb) y las otras dos conectadas entre el sustrato y los terminales de fuente y drenador (Cbs, Cds).

En muchos casos ocurre que los terminales de sustrato y fuente están conectados, bien por mediante un cable
(VBS = 0) o bien mediante una fuente de tensión constante (VBS = cte). Entonces, las fluctuaciones de tensión
vbs son nulas y el modelo anterior se simplifica según aparece en la Figura 17.

Figura 17: Modelo de pequeña señal de un transistor MOSFET con vbs = 0.

5. Planteamiento general del problema

La Figura 18a corresponde a un circuito electrónico en el que el conjunto formado por la fuente vI más la
resistencia R que controlan el funcionamiento del diodo D1.

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a) b)
Figura 18: Tensiones instantáneas en un circuito rectificador.

Supóngase el caso de que la tensión de la fuente v estuviese compuesta por una componente DC y otra AC
con una amplitud pequeña, tal y como se muestra en la Figura 18b. La tensión instantánea v se puede
expresar como indica (48), donde VI es la componente DC y vi la componente AC de pequeña señal.

𝑣 (𝑡) = 𝑉 + 𝑣 (𝑡) (48)

También las corrientes y tensiones instantáneas del circuito serán la suma de una componente continua DC y
otra AC de pequeña señal.

𝑖 =𝐼 +𝑖

𝑣 =𝑉 +𝑣 (49)

Aplicando Kirchhoff para las tensiones al circuito se obtiene la ecuación (50).

𝑣 (𝑡) = 𝑅 · 𝑖 + 𝑣 (50)

Expresando las variables de la forma (49), se llega a la expresión (51).

𝑉 + 𝑣 (𝑡) = 𝑅 · (𝐼 + 𝑖 ) + (𝑉 + 𝑣 ) (51)

Se puede aplicar superposición, de manera que la resolución del problema se divida en dos; por un lado la que
proporciona las componentes continuas DC y por otro las que dan las componentes AC de pequeña señal.

𝑉 =𝑅·𝐼 +𝑉 (52)

𝑣 (𝑡) = 𝑅 · 𝑖 + 𝑣 (53)

Para resolver el sistema de ecuaciones (52) y (53) con 4 incógnitas (VD, ID, vd, id) es necesario añadir dos
ecuaciones más, el modelo de gran señal de la ecuación Shockley que relaciona VD con ID, y el modelo de
pequeña señal que relaciona vd con id.

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Gran señal 𝐼 = 𝑓(𝑉 ) (54)

Pequeña señal 𝑖 = 𝑔(𝑣 ) (55)

El sistema de 4 ecuaciones y 4 incógnitas se puede desacoplar fácilmente, ya que (52) y (54) utilizan sólo las
variables DC (VD, ID) mientras que en (53) y (55) sólo intervienen las variables AC (vd, id). Sin embargo, dado
que los parámetros de pequeña señal utilizados en el modelo (55) dependen del punto de polarización es
necesario resolver antes el problema DC.

El procedimiento a seguir se resume de la siguiente forma:

Sustituir cada
Anular Calcular los
dispositivo por su
fuentes AC valores DC ID, VD
modelo de GS
Valores
Problema
Calcular parámetros PS instantáneos
DC+AC
iD , vD
Sustituir cada
Anular Calcular los
dispositivo por su
fuentes DC valores AC id, vd
modelo de PS

Figura 19: Planteamiento de un problema DC+AC de pequeña señal.

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