Transistores C.C.

PROBLEMAS DE ELECTRÓNICA
ANALÓGICA
(Transistores C.C.)

Escuela Politécnica Superior

Profesor. Darío García Rodríguez

1
Transistores C.C.

1.2.- En el circuito de la figura si α = 0.98 y VBE = 0.7 Voltios, calcular el valor de

la resistencia R1, para una corriente de emisor 2 mA

R1 2k IC+I1

IC
I1
IB
Q1 12V

I2
0.2k
IE
25k

En este circuito tenemos que poner las ecuaciones necesarias para poder resolver
V − VB
el valor de R1 que nos viene dado por R1 = C luego nuestro único objetivo es
I1
calcular VC , VB y I1 .

I C = α ·I E = 0.98·2 = 1.96mA

I B = I E − I C = 2 − 1.96 = 0.04mA

VB 1.1
V B = V BE + I E ·R E = 0.7 + 2·0.2 = 1.1Voltios I2 = = = 0.044mA
25 25

I 1 = I B + I 2 = 0.04 + 0.044 = 0.084mA

VC = VCC − ( I C + I 1 )·2 = 12 − (1.96 + 0.084)·2 = 7.912Voltios

Luego ya tenemos todos los datos necesarios para calcular la Resistencia R1

VC − VB 7.912 − 1.1
R1 = = = 81.1K
I1 0.084

Aquí hemos calculado todo los valores del circuito, Intensidades, y tensiones en
todos los puntos. Lo único que nos falta es VCE = VC-VE=7.912-2·0.2=7.512 Voltios

Y efectivamente el transistor está en la zona activa por tener VCE> 0.2 Voltios y ser
un transistor NPN.

2
Transistores C.C.

2.2.- En el circuito de la Fig.1 los transistores Q1 y Q2 trabajan en la región activa

con VBE1 = VBE2 = 0.7 Voltios, β 1 = 100 , β 2 = 50 . Pueden despreciarse las corrientes
inversa de saturación.
a) Calcular todas las intensidades del circuito.
b) Calcular las tensiones en los diferentes puntos.

82k Ic2
IB2
1k 1k IC1
Q2 Q2
100k 24V 108,9K 24V
Q1 Q1
10k
2.61V IE2=IB1
0.1k IE1
0.1K

0 0

Fig.1 Fig.2

Lo primero que hay que hacer es reducir el circuito a una forma mas simple, para
ello se ha calculado el thevening mirado de la base B2 hacía la izquierda.

24·10 10·82
V BB 2 = = 2.61Voltios RB 2 = + 100 = 108.9 K
82 + 10 10 + 82

Apartir de aquí analizaremos el circuito de la Fig.2.

Podemos escribir, en la malla de los emisores de los transistores:

V BB 2 = I B 2 ·R B 2 + V BE 2 + V BE1 + I E1 ·R E1 ; 2.61 = I B 2 ·108.9 + V BE 2 + V BE1 + I E1 ·0.1

I E1 = ( β 1 + 1)·I B1 = ( β 1 + 1)·I E 2 = ( β 1 + 1)·( β 2 + 1)·I B 2 = 51·101·I B 2 Sustituyendo

esta ecuación en la anterior y despejado IB2 tenemos:

2.61 − V BE 2 − V BE1 2.61 − 0.7 − 0.7

I B2 = = = 0.0019mA
108.9 + 51·101·0.1 624

I C 2 = β 2 ·I B 2 = 50·0.0019 = 0.095mA I B1 = I E 2 = ( β 2 + 1)·I B 2 = 51·0.0019 = 0.097 mA

I C1 = β 1 ·I B1 = 100·0.097 = 9.7mA I E1 = ( β 1 + 1)·I B1 = 101·0.097 = 9.8mA

VC1 = VCC − I C ·RC1 = 24 − 9.7·1 = 14.4Voltios

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Transistores C.C.

V E1 = I E1 ·R E1 = 9.8·0.1 = 0.98Voltios

VCE1 = VC1 − V E1 = 14.4 − 0.98 = 13.52Voltios

VC 2 = 24Voltios
V E 2 = V BE1 + V E1 = 0.7 + 0.96 = 1.66Voltios

VCE 2 = VC 2 − VE 2 = 24 − 1.66 = 22.34Voltios

V B 2 = VBE 2 + V E 2 = 0.7 + 1.66 = 2.36Voltios

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Transistores C.C.

3.2.- El circuito de la figura con un transistor PNP tiene un β =100,

VBE=-0.7V . Calcular todas las intensidades y tensiones en los diferentes puntos.

R2 30k RC 5k RC
5k
30/4k IC
RB
VCC
Q1 VCC Q1
20Vdc
20Vdc IB
IE
R1 10k RE VBB 5V
2k RE
2k

0 0

Lo primero que hay que hacer es el thevenin, desde la base del transistor
hacia la izquierda, quedando el circuito de la figura de la derecha:

VCC ·R1 20·10 R2 ·R1 30·10 30

V BB = = = 5V R BB = = = KΩ.
R1 + R2 10 + 30 R1 + R2 10 + 30 4

A partir de aquí analizaremos el circuito de la parte derecha.

En la malla base emisor podemos escribir:

V BB = I B ·R B + I E ·R E − V BE = I B ·R B + (β + 1)·I B − V BE despejando IB se tiene:

V BB + VBE 5 − 0.7 4.3·4 8.6

IB = = = = = 0.021mA
R B + (β + 1)·R E
+ (100 + 1)·2
30 838 419
4
100·8.6 860
I C = β ·I B = = = 2.05mA
419 4.19

101·8.6
I E = ( β + 1)·I B = = 2.07 mA
419

Ahora calcularemos las diferentes tensiones con respecto a masa:

VC = I C ·RC − VCC = 2.05·5 − 20 = −9.75V .

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Transistores C.C.

V E = − I E ·RE = −2.07·2 = −4.14V .

VCE = VC − V E = −9.75 − (−4.14) = −5.61V Por ser esta caída de tensión negativa
el transistor esta en la zona activa por ser un PNP.

V B = VBE + VE = −0.7 − 4.14 = −4.84V

A continuación calcularemos la intensidad que circular por las resistencias R1 y R2

con sentido hacía arriba.

0 − V B 4.84
Para la resistencia R1 I1 = = = 0.48mA.
R1 10

Para la resistencia R2 I2 =I1+I2 = 0.48 +0.02 =0.50 mA.

VB − (−VCC ) − 4.84 − (−20)

También podría calcularse: I 2 = = = 0.5mA
R2 30

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Transistores C.C.

4.2.- En el circuito de la fig. el transistor tiene una β = 60 . Expresar los valores

posibles de VBB para que el transistor se encuentre:
a) Zona de corte
b) Zona activa.
c) Zona de saturación.
d) Si VBB= 5 Voltios y manteniendo el valor de RC = 1 K. ¿ entre que valores
puede variar RB para que el transistor se encuentre en la zona de activa?
e) Si VBB= 5 Voltios y manteniendo el valor de RB= 50 K. ¿ entre que valores
puede variar RC para que el transistor se encuentre en la zona de saturación?

(VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuación=0.2 Voltios, VBE saturación=0.8 Voltios, y Corriente

inversa de saturación despreciable.)

1 Vo

IB
a) Tal como esta polarizado el transistor, es de
IC
Q1
una forma correcta, sí las fuentes empleadas
RC=1k son positivas. Suponemos a la vez que el
RB=50
k 10V VCC transistor va a conducir cuando entre base
VBB V emisor haya una caída de tensión igual o
superior a 0,7 Voltios aunque en realidad
necesite una caída de tensión
aproximadamente de 0,5 Voltios.

Luego para que el transistor este en corte necesita sólo VBB< 0.7 Voltios
Ya que el diodo de emisor y colector están polarizado inversamente.

b) y c) Aquí vamos a ver para que tensión VBB estará en saturación, luego entre el valor
de corte y saturación estará la zona activa.

VCC − VCEsat 10 − 0.2 VBB − V BEsat VBB − 0.8

I Csat = = = 9.8mA I Bsat = =
RC 1 RB 50

Si I Csat ≤ β ·I Bsat el dispositivo está en saturación en caso contrario en la zona

activa.

V BB − 0.8 9.8·50
Luego tenemos 9.8 ≤ ·60 V BB ≥ + 0.8 = 8.97voltios
50 60

Entonces para 0.7 ≤ VBB ≤ 8.97Voltios el transistor estará en zona activa.

V BB ≥ 8.97voltios el transistor estará en saturación.

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Transistores C.C.

d) En este caso la zona de corte no varía, solo varían las zonas de saturación y
activa. Calcularemos la zona de saturación para saber la zona activa.

I Csat ≤ β ·I Bsat zona de saturación

VCC − VCEsat 10 − 0.2 V BB − VBEsat 5 − 0.8

I Csat = = = 9.8mA I Bsat = =
RC 1 RB RB

5 − 0.8 4.2 4.2

9.8 ≤ = ·60 RB ≤ ·60 = 25.71K .
RB RB 9.8

Luego cuando RB sea mayor que 27,71 K el transistor va a estar en la zona activa.

e) En este caso la zona de corte no varía solo varían las zonas de saturación y
activa. Calcularemos la zona de saturación..

I Csat ≤ β ·I Bsat zona de saturación

VCC − VCEsat 10 − 0.2 9.8 VBB − VBEsat 5 − 0.8

I Csat = = = ; I Bsat = = = 0.084mA
RC RC RC RB 50

9.8 9.8
≤ 0.084·60 ; RC ≥ = 1.94kΩ con estos valores estará en zona
RC 5.04
de saturación.

Luego cuando RC ≤ 1.94 KΩ el transistor estará en la zona activa.

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Transistores C.C.

5.2.- En el circuito de la Fig.1 Q1 y Q2 se encuentra en la zona Activa, siendo

β F1 = β F 2 = 100 , V BE1 = −V BE 2 = 0.7voltios .
Calcular las tensiones en los diferentes puntos e intensidades.

2K 2K IC1
2K
IB1
Q1
Q2 Q1
V4 3K
5V Q2
5V 1.2K
3K 1k IC2
3K 1k
IE1=IE2
3V

V2
5V
5V

0 0

Fig.1 Fig.2

El transistor Q1 es un NPN y el Q2 un PNP y ambos aparentemente bien polarizado.

Lo primero que tengo que hacer es realizar el thevening mirado desde la base de Q1
hacia la izquierda, teniendo el circuito de la Fig.2.

5·3 2·3
V BB1 = = 3Voltios R B1 = = 1.2 KΩ
2+3 2+3
En la malla B1 ,E1,E2 y B2 , se puede escribir:

V BB1 = I B1 ·R B1 + V BE1 + I E1 ·R E1 + VEB 2 I E1 = (β F + 1)·I B1 sustituyendo esta

ecuación en la anterior y despejando IB1 se obtiene:

V BB1 − V BE1 − V EB 2 3 − 0.7 − 0.7 1.6

I B1 = ; I B1 = = = 0.0053mA
R B1 + ( β F 2 + 1)·R E1 1,2 + 101·3 304.2

I C1 = β F ·I C1 = 100·0.0053 = 0.53mA

I E1 = I E 2 = ( β F 1 + 1)·I B1 = 101·0.0053 = 0.54mA

βF2 100 I E2 0.54

IC2 = ·I E 2 = ·0.54 = 0.53mA I B2 = = = 0.0053mA
βF2 +1 101 β F 2 + 1 101

Ya tenemos calculadas todas las intensidades, ahora calcularemos las tensiones en

los diferentes puntos.

VC 2 = −VCC 2 + I C 2 ·RC 2 = −5 + 0.53·1 = −4.47Voltios V E 2 = V EB 2 = 0.7Voltios

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Transistores C.C.

VCE 2 = VC 2 − V E 2 = −4.47 − 0.7 = −5.15Voltios En zona activa, por ser un PNP y dar
negativo la tensión entre colector y emisor.

V E1 = I E1 ·RE1 + V E 2 = 0.54·3 + 0.7 = 2.32Voltios

VC1 = VCC1 − I C1 ·RC1 = 5 − 0.53·2 = 3.94Voltios

VCE1 = VC1 − V E1 = 3.94 − 2.32 = 1.62Voltios En zona activa, por ser un NPN y
dar positiva la tensión entre colector y emisor.

V B1 = V BE1 + VE1 = 0.7 + 2.32 = 3.02Voltios

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Transistores C.C.

6.2- En el circuito de la figura Calcular:

a) La salida VCE cuando la entrada es de 0.2 Voltios.
b) Lo mismo apartado anterior cuando la entrada es de 10 Voltios.
β F = 20 VDcond.=0.7 Voltios Vγ = 0.5voltios.
(VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuación=0.2 Voltios, VBE saturación=0.8 Voltios, y Corriente
inversa de saturación despreciable.).

IC
I1 6k
6k
IB
D1
Q1 10V
P
Vi D2 D3 I2
2k

0
a) Si la entrada Vi = 0.2 Voltios conducirá el diodo D1, por existir una Tensión entre
ánodo y cátodo, a través de la resistencia de 6 k, de (10-0.2)Voltios, lo que hace a la vez
que la tensión en el punto P sea 0.2 + 0.7 = 0.9 Voltios insuficiente tensión para que D2, D3
y El transistor pueda conducir ya que necesitaría como mínimo 0.5 +0.5 +0.7 =1.7 voltios,
al no conducir el transistor, la salida VCE = VCC = 10 voltios.

b) Si la entrada es de 10 Voltios el diodo que no conduce es D1, y los otros

dispositivos sí. Vamos a suponer que Q1, esté en saturación Entonces VCE =0.2 Voltios:

VP =VD2 +VD1 + VBEsat = 0.7 + 0.7 + 0.8 = 2.2 Voltios

VCC − V P 10 − 2.2 7.8 V BEsat 0.8

I1 = = = mA I2 = = = 0.4mA
6 6 6 2 2

7.8 7.8 − 2.4 5.4

I B = I1 − I 2 = − 0.4 = = mA
6 6 6

VCC − VCEsat 10 − 0.2 9.8

I Csat = = = mA
RC 6 6
Condición para que esté en la zona de saturación:

9.8 5.4
I Csat ≤ β ·I B ≤ 20·
6 6

lo cumple luego Q1 está en saturación y VCE= 0.2 Voltios

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Transistores C.C.

7.2.- a)Esbozar la característica de transferencia VCE en función de Vi del circuito

de la figura,( suprimiendo el diodo zener) , indicando las diferentes zonas del transistor. El
transistor tiene una β = 100 y la corriente inversa de saturación despreciable.
b) Igual que en el apartado a) con el diodo zener, suponiendo que este es ideal,
cuya tensión zener es igual a 4 Voltios.
(VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuación=0.2 Voltios, VBE saturación=0.8 Voltios,)

R3
5k
360k
Q1 B 36k B
R1 360k D1
R4
15k V2
R5 10V
40K
V1 40k Vi
V3 0.1Vi
10V

0
0
0
Fig.1 Fig.2

3.75k
5k

C C 36k VCE
5V 15k

10V
3.75V

10V
1Vi 5V
0
0

Fig.3 Fig.4

Lo primero que tenemos que hacer en este circuito es, tanto en la entrada como en la
salida, reducirlo a su thevening correspondiente.

Vi ·40 360·40
En la entrada tenemos la Fig.2 V BB = = 0.1Vi RB = = 36 KΩ
360 + 40 360 + 40

10·15 − 10·5 15·5

En la salida Fig.3 VCC = = 5Voltios RC = = 3.75k
15 + 5 15 + 5

Luego el circuito queda reducido a la Fig.4, donde podemos escribir:

Zona de corte del transistor VBB< 0.7 Voltios 0.1 Vi<0.7 Vi< 7 voltios

Y entonces VCE = 5 Voltios

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Transistores C.C.

V BB − V BEact 0.1·Vi − 0.8

Zona de Saturación I B ·β ≥ I Csat IB = = mA
RB 36

VCC − VCEsat 5 − 0.2

I Csat = = mA
RC 3.75

0.1Vi − 0.8 5 − 0.2 4.8·36

·100 ≥ 0.1Vi ≥ + 0.8 Vi ≥ 12.6Voltios
36 3.75 100·3.75

Luego la zona activa estará comprendida entre 7 y 12.6 Voltios y en esa zona
se cumple:

VBB − VBE 0.1·Vi − 0.7 0.1·Vi − 0.7

IB = = I C = β ·I B = ·100
RB 36 36

10·Vi − 70 − 37.5Vi + 442.5

VCE = VCC − I C ·RC = 5 − ·3.75 =
36 36

Conclusión:
Vi < 7 Voltios transistor en corte VCE = VCC = 5 Voltios

− 37.5Vi + 442.5
7 < Vi < 12.6 Voltios transistor en activa VCE =
36

Vi > 12.6 Voltios Transistor en saturación VCE = 0.2 Voltios

Su representación gráfica en la Fig. 5

c) Si le colocamos el diodo zener ente el colector y emisor del transistor, como se

ve en la figura 1, este empieza a actuar cuando la tensión entre sus terminales es
superior a 4 Voltios que entonces su caída de tensión se mantiene a esos 4
Voltios.
Vamos a calcular el valor de Vi cuando cumple estas condiciones, ocurre en la zona
activa:

442.5 − 4·36
− 37.5Vi + 442.5 Vi = = 7.96Voltios
VCE = = 4Voltios 37.5
36

13
Transistores C.C.

Su representación gráfica Fig.6

VCE
5
Voltios

3
37.5
pend =
36

1
0.2V
0
1 3 7 12 Vi Voltios

Fig.5

VCE

Voltios
4

3
37.5
pend =
36

1
0.2V
0
1 3 7 12 Vi Voltios

Fig.6

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Transistores C.C.

8.2.- Los transistores de la Fig son idénticos con β F = 100 y corriente inversa de
saturación despreciable.
a) Hallar Vo cuando la entrada varía entre 0 y 12 Voltios
b) Hallar Vo cuando la entrada varía entre 12 y 0 Voltios
c) Representar gráficamente los resultados de los apartados anteriores.

2k 1k a) Para que pueda conducir un transistor

Vo necesita 0.7 Voltios, entre la base y el emisor,
8k caso del NPN y si le introducimos inicialmente
Q1 Q2

Vi
20k 12V 0 Voltios el transistor Q1 no conduce y queda el
circuito de la Fig. 2 que es un transistor con
resistencia en emisor. Lo primero que tenemos
2k que hacer es el thevening correspondiente,
mirado desde base de Q2 hacia la izquierda.
0 Su thevening nos viene expresado por:

12·20 (2 + 8)·20 20
V BB 2 = = 8Voltios RB 2 = = KΩ
2 + 8 + 20 2 + 8 + 20 3

2k 1k
Vo
20/3K IC2
8k Q2 1k
Q2
20k 12V
8V IB2
2K 12V

2k
0

Fig.2 Fig.3

El circuito equivalente es el de la Fig.3 que podemos decir que el transistor está en

la zona activa o saturación, por la forma de su polarización.

V BB 2 − V BE 2 8 − 07 7.3·3
I B2 = = = = 0.035mA
R B 2 + ( β F + 1)·R E 2 20 626
+ (100 + 1)·2
3

I C 2 = β F ·I B 2 = 100·0.035 = 3.50mA I E 2 = ( β F + 1)·I B 2 = 101·0.035 = 3.53mA

Vo = VC 2 = VCC 2 − I C 2 ·RC 2 = 12 − 3.50·1 = 8.5Voltios V E 2 = I E 2 ·R E 2 = 3.53·2 = 7.06Voltios

15
Transistores C.C.

VCE 2 = VC 2 − V E 2 = 8.5 − 7.06 = 1.44Voltios

Por ser positiva VCE y mayor que 0.2 Voltios el dispositivo esta en la zona activa, y
ser un NPN. La salida vale Vo = 8.5 Voltios

Para que Q1 empiece a conducir necesita una tensión:

V1 ≥ (V BE1 + V E 2 ) = 0.7 + 7.06 = 7.76Voltios

y entonces Q2 estará en corte (se demostrará en el apartado posterior) y la salida Vo= 12

Voltios.

b) Si la entrada V1 es de 12 Voltios Q2 estará en corte (lo demostraremos

posteriormente) y veremos como estará Q1, y nos quedaría el circuito de la fig.4. Siendo
Vo=12 Voltios

2k 1k
Vo
8k IC1
Q1 Q2 Q1 RC1
20k 12V 56/30K
Vi
Vi IE1
2k 11.2V VCC1

2k

Fig.4 Fig.5

Si miramos el circuito thevening de la Fig 4 desde el colector a masa obtenemos el circuito

de la Fig. 5.

12·28 28·2 56
VCC1 = = 11.2Voltios RC1 = = = 1.87 KΩ
28 + 2 28 + 2 30

En el circuito de la Fig. 5 si la entrada vale 12 Voltios el dispositivo

seguramente estará en saturación y entonces VCE= 0.2 Voltios con lo que nos quiere decir
que VE y VC tienen aproximadamente la misma tensión, luego el transistor Q2 estará en
V ·20
corte ya que. V B 2 = C1 < VE ( Por la rama de las resistencias de 20 y 8 K. circulan la
28
misma intensidad de ahí el reparto, directamente proporcional, de las tensiones en ambas
resistencias).

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Transistores C.C.

Vi − VBEact 12 − 0.7
I B1 = = = 0.056mA
R E ·( β F + 1) 2·(100 + 1)

VCC1 − VCEsat 11.2 − 0.2 11·30

I Csat ≈ = = = 2.84mA
RE + RC1 56 56 + 60
+2
30
Sí I B ·β ≥ I Csat 0.056·100 ≥ 2.84 el transistor está en saturación. En este
caso lo cumple.

Sí la entrada la vamos disminuyendo el transistor pasará a la zona activa y si

seguimos disminuyendo aun más llegará un instante en que se corte, ya que VBE2
hace igual a 0.7 Voltios por lo que Q2 empieza a conducir y el Q1 pasa a corte.
Vamos a calcular ese punto.

V E1 = Vi − VBE1 = Vi − 0.7Voltios
Vi − 0.7 56
VC1 = VCC1 − I C1 ·RC1 = VCC1 − β ·I B1 ·RC1 = 11.2 − 100· · Voltios
2(100 + 1) 30

VC1 ·20 20 100(Vi − 0.7) 56

VB 2 = = ·{11.2 − · } Luego la condición para que
20 + 8 28 202 30
Q2 empiece a conducir es:

20 100(Vi − 0.7) 56
V B 2 − V E ≥ 0.7Voltios ·{11.2 − · } − (Vi − 0.7) ≥ 0.7voltios
28 202 30

100(Vi − 0.7) 28 30 28 30 202

− ≥ {(Vi · − 11.2) } − (Vi − 0.7) ≥ {(Vi · − 11.2) }·
202 20 56 20 56 100

6.76
Vi ≤ = 3.85Voltios
1.76

Luego a partir de una cantidad inferior a ese valor el transistor Q1 se corta y Q2 conduce.

Conclusión: a) Cuando Vi empieza en 0 Voltios Q1 en corte y Q2 en la zona activa cuya

salida es igual a 8,5 Voltios.
Cuando Vi ≥ 7,76voltios Q2 se corta y Q1 primero pasa a la zona activa y después
a la zona de saturación, y su salida es 12 Voltios.

b) Cuando Vi empieza en12 Voltios Q1 en saturación y Q2 en corte, cuya salida es

igual a 12 Voltios.

17
Transistores C.C.

Cuando Vi ≤ 3.85Voltios Q2 se pone en zona activa y Q1 se corta, y su salida es 8,5

Voltios.

Con estas conclusiones llegamos que los dos transistores no pueden conducir a la
vez, como habíamos supuestos en los dos apartados anteriores.
Su representación gráfica la ponemos en la figura de la página siguiente.

vo
Voltios
12

6 Histerisis

2 6 8 12 vi Voltios

18
Transistores C.C.

9.2.- En el circuito de la figura de la izquierda, explicar(sin llegar a resultados

numéricos) como se obtendría las diferentes zonas de funcionamiento del MOS, teniendo
de parámetros los siguiente valores: k=1.25 mA/V2 y Vt = 1,5 Voltios.

3k ID
ID
3k 200/3k
D 12V
100k
12V
G VDD
2/3 VGG S
VGG 200k
5V VSS
5V

0
0

Lo primero que tengo que decir que el MOS es de canal n, aunque hayamos puesto
una figura del dispositivo diferente a las empleadas, por regla general en clase.
En segundo lugar calculamos el thévenin mirado desde Puerta hacia la izquierda
obteniendo el circuito de la derecha.

VGG ·200 2·VGG 200·100 200

VG = = Voltios RG = = KΩ
200 + 100 3 200 + 100 3

aunque el valor de RG no lo necesitamos ya que la intensidad que circula por la puerta es

nulo.
Las ecuaciones del circuito necesarias son:

2
VGS = ·VGG + 5 V DS = − I D ·R D + V DD + VSS = − I D ·3 + 12 + 5 = − I D ·3 + 17
3

2
VGD = ·VGG − 12 + I D ·3 VD = − I D ·3 + 12
3

Estudiemos ahora las diferentes zonas del MOS.

a) Zona de corte
VGS ≤ Vt
2
·VGG + 5 ≤ 1.5Voltios
3

4.5 − 15
VGG ≤ = −5.25Voltios ID= 0 mA VD = 12 Voltios
2

b) Zona Ohmica VGS ≥ Vt VGD ≥ Vt

I D = k ·{2·(VGS − Vt )·V DS − VDS

2
}

19
Transistores C.C.

2
I D = 1.25·{2·( ·VGG + 5 − 1,5)·(− I D ·3 + 17) − (− I D ·3 + 17) 2 }
3
2
De la segunda condición. VGD ≥ 1,5 ·VGG − 12 + 3·I D ≥ 1.5Voltios en esta útima
3
ecuación se sustituiría el valor de ID de la ecuación anterior y se calcularía El valor de VGG
sería menor que un cierto valor, luego el valor de VGG estaría comprendido entre este
valor y -5,25 Voltios.

c) Zona Activa o de saturación

VGS ≥ Vt VGD ≤ Vt I D = k ·(VGS − Vt ) 2

2 2
·VGG + 5 ≥ 1.5Voltios , VGG ≥ −5.25 ( ·VGG − 12 + I D ·3) ≤ 1.5Voltios
3 3

2
I D = k ·(VGS − Vt ) 2 = 1.25·( ·VGG + 5 − 1.5) 2 , sustituyendo en esta última ecuación, la
3
ecuación anterior, obtenemos un valor de VGG ≥ valor , luego a partir de dicho valor es
dispositivo estará en la zona activa.

Nota: la resolución de estas ecuaciones no son complicadas pero sí largas de resolver, ya

que para el calculo de ID, nos sale una ecuación de segundo grado con dos soluciones,
siendo solo una la correcta, y despues sustituirla en la ecuación de VGD que es función de
ID .

20
Transistores C.C.

10.2.- En el circuito de la figura calcular el punto de trabajo, sabiendo que trabaja

en la zona activa y sus parametros son: k = 0.025 mA/V2 y Vt = -2 Voltios.
51K

D ID

G,S 9V

3V

En primer lugar por ser Vt menor que cero es un MOS de deplexión. La puerta y el
sumidero están unida, luego VGS=0 Voltios y este es mayor que Vt, luego está en la zona
activa o ohmica.
Si suponemos según el enunciado que se encuentra en la zona activa.

I D = k ·(VGS − Vt ) 2 = 0.025(0 − (−2)) 2 = 0.1mA

V D = V DD − I D ·R D = 9 − 0.1·51 = 3.9Voltios VG =VS = -3Voltios

VGD = VG − VD = −3 − 3.9 = −6.9 < Vt luego está en la zona activa

VDS =VD -VS = 3.9-(-3) = 6.9 Voltios

Su punto de trabajo es: ID = 0.1 mA , y VDS =6.9 Voltios

21
Transistores C.C.

11.2- En el circuito de la figura los MOS de la parte superior (M1 y M2) son de
enriquecimiento y sus parámetros iguales son: k = 0.25·10-4 A/V2 y Vt = 3 Voltios, el otro
MOS (M3) es de deplexión cuyos parámetros son: k=0.05 mA/V2 y Vt = -2 Voltios.
Calcular los puntos de funcionamiento, suponiendo que están en la zona activa y
comprobar la suposición.
Calcular también la potencia que disipa cada MOS.

ID1 ID2

M1 M2 10V

0 0 0
ID3
10V
M3

Observando la figura, M1 y M2 están funcionando en el mismo punto Q, por ser el

circuito simétrico y tener iguales características.
Se cumple las siguientes ecuaciones en el circuito:

I D1 = I D 2 = I D I D1 + I D 2 = I D 3 = 2·I D V DS1 = VDS 2

V DS1 + V DS 3 = 10 + 10 = 20Voltios .

Suponemos que los tres dispositivos están en la zona activa donde conocemos
VGS3 =0 Voltios, pudiendo calcular el valor de ID3.

I D 3 = k ·(VGS − Vt ) 2 = 0.05·{0 − (−2)}2 = 0.2mA I D 3 0.2

= ID =
= 0.1mA
2 2
Sabiendo el valor de ID podemos calcular el valor de VGS1 = VGS2 de la ecuación

I D = k ·(VGS1 − Vt1 ) 2 = 0.025·(VGS1 − 3) 2 = 0.1mA

0.1·2
VGS 1 − 3 = =2 VGS 1 = 2 + 3 = 5Voltios
0.05

VGS 1 = VG1 − VS1 VS 1 = −VGS1 + VG1 = −5 + 0 = −5Voltios , ya conocemos las

22
Transistores C.C.

tensiones en todos los puntos, luego conocemos todas las diferencias de tensiones.

Voy a probar que están en la zona activa todos los MOS.

En M1 y en M2. VGS1=VG1-VS1 = 0 -(-5) = 5 > Vt1 = 3 Voltios

VGD1 = VG1 -VD1 = 0 - 10 = -10 < Vt1 = 3Voltios luego cumple las
condiciones de la zona activa.

En el M3 VGS3 = 0 > Vt3 = -2 Voltios y

VGD3 =VG3 -VD3 = -10-(-5)= -5 <Vt3 = - 2V Luego está en zona Activa.

VDS1= VD1 -VS1 = 10 -(-5) = 15 Voltios VDS3 =VD3 - VS3 = -5 -(-10) = 5 Voltios

El punto de funcionamiento de M1 y M2 es (VDS=15 Voltios, ID=0.1mA)

El punto de funcionamiento de M3 es (VDS = 5 Voltios, ID = 0.2mA)

M1 y M2 disipan la misma potencia ya que circulan por ello la misma intensidad y

tienen la misma tensión entre drenador y sumidero y esta es:

P1 = P2 = ID · VDS1 = 0.1 · 15 = 1.5 mW.

En M3 Tenemos P3 = ID3 · VDS3 = 0.2 · 5 = 1 mW.

23
Transistores C.C.

12.2- En El circuito de la figura calcular el punto de funcionamiento de los MOS,

siendo sus parámetros k2 = 2 mA/V2 , Vt2 = 2 Voltios, k1 = 4.5 mA/V2 y Vt1 = 1 Voltios,
para los diferentes valores de la entrada VGG.
.
D2

G2
M2
S2 S

ID
D1
G1 D 9V

M1
VGG
V1
S1

En el Circuito de la figura cumple:

VDS1 + VDS2 = 9 Voltios ID1 = ID2 = ID

VGD2 = 0 < Vt2 = 2 Voltios luego solo puede estar en activa o corte.

Cuando VGS1 = VGG < Vt1 = 1 Voltios el dispositivo estará en corte lo mismo que
M2.
ID= 0mA

Cuando se inicia la zona óhmica es lo que vamos a calcular:

VGG > Vt1 = 1 Voltios el dispositivo entra en la zona activa u óhmica , en la zona activa se
cumple:

I D = k (VGS − Vt ) 2 , I D1 = I D 2 , 2(VGS 2 − 2) 2 = 4.5(VGG − 1) 2 extrayendo la raíz cuadrada

a ambos miembros nos queda (se ha multiplicado por dos ambos miembros de la ecuación y
después se ha calculado la raíz cuadrada): 2(VGS 2 − 2) = 3(VGG − 1)
y VGS2 = (9 -VD1) de esta dos ecuaciones obtenemos:

17 − 3·VGG
VD1 = ahora podemos saber para que valores de VGG está en la zona activa.
2

17 − 3·VGG
En activa VGD1 < Vt VGD1 = VG1 − V D1 VGG − <1
2
luego VGG < 3.8 Voltios

Cuando 1<VGG<3.8 Voltios los dispositivos está en la zona activa.

17 − 3·VGG
Y sus puntos de funcionamientos son: V DS1 = , I D = 4.5(VGG − 1) 2
2

24
Transistores C.C.

17 − 3·VGG
V DS 2 = 9 − , I D = 4.5(VGG − 1) 2
2

Cuando VGG > 3.8 Voltios M1 en saturación y M2 en la zona 0hmica.

Cumpliéndose:

4
I D = k{(VGS − Vt )·V DS − V DS
2
} = 4.5{2(VGG − 1)·V DS1 − V DS
2
1 } = 2(V DS 2 − 2) =
2
(9 − V DS1 − 2) 2
2

1 − V DS 1 (38 + 18·VGG ) + 196 = 0

2
de esta ecuación obtendríamos 13·VDS

Donde se calcula VDS1, y con ello todos los demás valores. Hagamos un ejemplo concreto

por ejemplo VGG = 5 Voltios.

1 − V DS 1 (38 + 18·VGG ) + 196 = 0 1 − 128·V Ds1 + 196 = 0

2 2
13·VDS 13V DS

128 ± 128 2 − 4·13·196

V DS1 = = 7,95 Voltios y 1,90 Voltios ambos valores no son
2·13
correctos sólo uno de ellos.

Como VGD1 > Vt1 (VG1 -VD1) > Vt1 (5 - VD1)> 1 VD1 < 4 luego el valor que

cumple solo es el de VDS1 = 1,90 Voltios. Y VDS2 = 9 - VDS1 = 9 - 1.9 = 7.1 Voltios

I D = k (VGS − Vt ) 2 = k ·(V DS 2 − Vt 2 ) 2 = 2(7.1 − 2) 2 = 52.02mA luego el punto de

funcionamiento son:

M1 (VDS1 ,ID1) (1,90 Voltios, 52.02mA) y M2 (VDS2 ,ID2) (7.1 Voltios,

52.02mA)

25
Transistores C.C.

13.2.- El transistor unipolar de la figura posee las siguientes características Vt=

3Voltios y k=2mA/V2. Se desea que en corriente continua el sumidero tome un valor de
VDD/2 con una corriente de drenador de 2 mA. a) Encuentre los valores de tensión de
puerta a masa y la resistencia Rs de sumidero sí VDD= 12V.
a) Suponiendo que Rs = 5 KΩ determine que margen de valores tiene que tener la
tensión de puerta a masa para que el dispositivo se encuentre en la zona ohmica.
D
G ID

M1
S
Vss VDD
Rs

0
Las ecuaciones que podemos expresar en el circuito son las siguientes:

V DD = VDS + VS ; VGS = VSS − VS = VSS − I D ·RS ; I D = k ·(VGS − Vt ) 2

Esta última para zona activa:

Según los datos del problema podemos escribir:

V DD 12 VS 6
Vs = = = 6Voltios RS = = = 3 KΩ
2 2 ID 2

I D = k ·(VSS − VS − Vt ) 2 = 2mA = 2mA / V 2 ·(VSS − 6V − 3V ) 2

2
despejando VSS obtenemos: = VSS − 9 luego VSS=10 Voltios.
2

b) Para que se encuentre en la zona ohmica tiene que cumplirse que:

VGS > Vt VGD > Vt y en nuestro caso VGS es siempre mayor que VGD

Ya que: VGD = VSS –VDD y VGS = VSS – VS y siempre cumple que VDD>VS

Luego nuestro problema queda resuelto con tal que cumpla que VGD > Vt

26
Transistores C.C.

VGD = (VSS - VDD) > Vt VSS > (Vt + VDD ) = 3 + 12 = 15 Voltios.

Luego cuando VSS> 15 V El dispositivo estará en saturación.

27
Transistores C.C.

14.2.- En el circuito de la figura las resistencias R1, R2 y RD, tienen un valor de 1KΩ y
su alimentación VDD = 10V. a) Calcular el punto de trabajo del NMOs si k=5 mA/V2 y Vt =
4,5 Voltios.
b)Se desea calcular el valor de Vt y k realizando las siguientes medidas: 1) variando la
tensión VDD desde cero Voltios empieza a conducir con un valor de 6 Voltios. 2) Y con un
valor de 10 Voltios se obtiene una tensión de drenador a sumidero de 5 Voltios.

I1+ID Sabemos que por la puerta no circula intensidad.

D

R1 ID RD
Las ecuaciones que podemos expresar en el
I1 circuito son las siguientes:
G M1
R2 VDD VDD = (ID + I1)·RD + VDS
S

VDS = I1·(R1 + R2) VGS = I1·R2

a) Para que el transistor esté en la zona

ohmica o activa necesita que se cumpla:

VGS > Vt siendo las tres resistencias iguales se cumple que VGS = VDS/2,

Siendo Vt = 4,5 Voltios, se necesita una tensión como mínimo de VDS de

9 Voltios lo cual es imposible ya que por la resistencia de RD debe circular una

intensidad de I1 + ID.(y el valor de I1min=9V/2K=4.5 mA. que la tensión a través
de la resistencia RD es de 4,5 V lo cual es imposible, ya que la máxima es de
1V).
Si repartimos la tensión de 10 Voltios entre las tres resistencia iguales resulta que a
cada una le corresponde una tensión de 3,33 Voltios, es decir:

VGS = 3,33 Voltios El dispositivo en corte

VDS = 6,66 Voltios y la intensidad ID = 0 mA.

b) El dispositivo empieza a conducir cuando Vt = VGS lógicamente en la zona

ohmica.

V DD 6
VGS = = = 2Voltios = Vt
3 3
Cuando VDD = 10 Voltios vamos a suponer que se encuentra en la zona de
saturación y apliquemos las formulas y después comprobemos lo anterior mente supuesto.
V 5
VGS = DS = = 2,5Voltios > Vt luego en saturación o ohmica
2 2

VDD − V DS 10 − 5 VDS 5
I D + I1 = = = 5mA I1 = = = 2,5mA
RD 1 R1 + R2 1 + 1

28
Transistores C.C.

luego I D = 5 − I 1 = 5 − 2,5 = 2,5mA

Ahora VGD = − I 1 ·R1 = −2,5·1 = −2,5Voltios < Vt = 2,5Voltios luego el dispositivo se

encuentra en la zona de saturación o activa.

Vamos a calcular el valor de k del dispositivo:

I D = k ·(VGS − Vt ) 2 en zona de saturación

ID 2,5 2,5
k= = = = 10mA / V 2
(VGS − Vt ) 2
(2,5 − 2) 2
0,25

Las característica del dispositivo son: Vt = 2Voltios y k = 10 mA/V2.

29
Transistores C.C.

15.2- El Transistor FET de la figura tiene un valor de β = 2.5mA / V 2 y Vp= 2

Voltios
Calcular el punto de funcionamiento.

2k RD
D
G
ID
S
RS 9V
0.39K
0

El FET es de canal P, luego la polarización realizada es la correcta.

Si está en la zona activa tiene que cumplir:
VGS < Vp VGD > Vp I D = β ·(VGS − V p ) 2

En el circuito tenemos: VGS= ID·RS= ID· 0.39

I D = β ·(VGS − V p ) 2 = 2.5·(VGS − 2) 2
Tenemos dos ecuaciones con dos incognitas:

VGS
= 2.5·(VGS − 2) 2 0.975·VGS2 − 4.9·VGS + 3.9 = 0
0.39

4.9 ± 24.01 − 15.21

VGS = = 4.04Voltios − − − y − 0.99Voltios
1.95
ambas soluciones no son correctas sólo una de ellas. Y en este caso es 0.99 por ser inferior
a Vp=2 Voltios.

VGS 0.99
ID = = = 2.54mA
0.39 0.39

VS = -ID·RS = -2.54·0.39=VSG = -VGS = -0.99 Voltios VGS =0.99 Voltios

VD= -VDD + ID·RD = -9 + 2.54·2= -3.92 Voltios

VGD =VG -VD = 0 - (-3.92) = 3.92 Voltios que es mayor que VP = 2 Voltios luego está en la
zona activa.

Su punto de funcionamiento es: VDS = VD -VS = -3.92 - (-0.99) = -2.93 Voltios y su

intensidad ID = 2.54 mA.

30
Transistores C.C.

16.2.- En el circuito de la figura los FET tiene unos parámetros iguales de VP = -3

Voltios, β =0.222 mA/V2 . Indicar en que estado se encuentran los FET , calculando sus
puntos de funcionamiento.

G 2

6 .5 V J2
V GG2 S2
R
ID
0 10V
1k
G 1
D1 V DD
J1

2 ,2 M S1

En el circuito de los dos FET de canal N, podemos poner las siguientes ecuaciones:

ID1 = ID2 = ID VDD = VDS2 + ID· R + VDS1 10 = VDS2 + ID· 1 + VDS1

En J1 se cumple VGS1 = 0 > VP = -3, luego se encuentra en la zona activa u ohmica.

Supongamos que se encuentra en la zona Activa. (Ecuación de la zona activa).

ID =β·( VGS1 -(-VP))2 = 0.222(0+3)2 = 2 mA.

Cumpliendo la misma ecuación en J2, si lo suponemos también que está en la zona

activa, por tener iguales parámetros, entonces llegamos que VGS1 = VGS2.

VGS2 = VGG2 - VS2 ; VS2 = VG2 - VGS2 = 6.5 - 0 = 6.5 Voltios.

La caída de tensión a través de la resistencia es: VR = ID · R = 2· 1 = 2 Voltios.

Con todos estos datos tenemos, las diferentes tensiones en los diferentes puntos del
circuito.
VD2 = 10 Voltios VS2 = 6.5 Voltios VD1= VS2 - VR = 6.5 - 2 = 4.5 Voltios.

Comprobemos que están en la zona activa ambos, tiene que cumplirse que:

VGS > VP esta condición se cumple y que VGD < VP.

VGD2 = VG2 - VD2 = 6.5 - 10 = -3.5 Voltios luego cumple

VGD1 = VG1 - VD1 = 0 - 4.5 = -4.5 Voltios luego cumple, se encuentran ambos en zona
activa.

Sus puntos de funcionamiento son: J1 (3,5Voltios, 2 mA) y J2 (4.5 Voltios, 2 mA).

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