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POTENCIA
Transformadores de corriente y potencial
Electromagnéticos (TC),
Transreactores,
Transductores magnéticos,
Optoelectrónicos.
Circuito equivalente de un TC
Clase T
Clase C
Condiciones de operación en un TC
IS = IP – Ie
Régimen de cortocircuito: Ie → 0
IP T0
Factor de corrección de transformación:
1
R=
1− E TI
nTC real = R nTC ideal
Burden de un TC
S s = VSIS = IS2 ZB
IS
ZB SS
ZB = 2
IS
Desempeño de un TC
dλ dφ
e= =N = ωNφmax cos ωt
dt dt
2π
Vef = fNφmax = 4.44 fNABmax volts
2
IS (pu)
B 0.1 THROUGH B 1.0
B 2.0
B 4.0
IP (pu)
Desempeño de un TC
Curvas de comportamiento del TC (2)
IL
VS
Ie IH
Determinar IL
Calcular VS = IL ZT
Determinar Ie a partir de la curva
Calcular la corriente primaria IH = n (IL + Ie)
Desempeño de un TC
Curvas de excitación del TC
Desempeño de un TC
Curvas de de clase de precisión de TC’s clase C (1)
15VA Class 10 P 20
−
t
I = 2I1 sen(ωt + ϕ − θ ) − e sen(ϕ − θ )
τ
−1 X
θ = tan
R
Corrientes primaria y secundaria, y los
encadenamientos de flujo en un TC con un burden
resistivo
λ
Nivel de saturación
Comportamiento transitorio de un TC debido a la
componente de corriente de DC
dφ
V = N
dt
∫ Vdt = φN = BAN
R
− t
V = I F ZB e L
− cos(ω t )
Voltaje de saturación en un TC
X
V = BANω = 1 + I F Z B
R
V = 20 I N ZSTD
X I F ZB
20 ≥ 1 +
R I N ZSTD
Criterio para evitar la saturación en un TC
X
20 ≥ 1 + I f Zb
R
Ie
I'e
Efecto de desenergización (1)
ZL = 0.63 ohms/fase
33.4 A 8.79 V
0.63 ohms/fase
Transformador de corriente de suma de flujos
Relevador de tierra
Blindaje
Falla
TC toroidal
(tipicamente 50:5)
Aplicación de TC auxiliares
n
TC principal
Z'B P S ZB
TC auxiliar
ZB
Z′B = 2
n
TC basado en el principio magneto-óptico de
Faraday (1)
δP=VHL
V=cte de Verdet; para el quarzo 5.23 10-6 rad/A-m
TC basado en el principio magneto-óptico de
Faraday (2)
TC óptico (1)
TC óptico (2)
Transformadores de potencial
Electromagnéticos (TP),
Optoelectrónicos.
Características de aplicación de los TP
Fase
Tierra
Circuito equivalente de un TP
VP − VS
E TV (pu) = < 5%
VP
Burdens y precisión de los TP (ANSI Estándar)
Burden VA nominales FP
W 12.5 0.10
X 25 0.70
M 35 0.20
Y 75 0.85
Z 200 0.85
ZZ 400 0.85
Fusibles I=0
Falla
Estructura básica de un CCVT
1 a 4 kV
Reactor de
drenaje Circuito supresor
C1
E th = Epri de ferroresonancia
C1 + C2
1
E2 = E th − I1 jω L +
jω(C1 + C )
2
Respuesta transitoria de un CCVT (1)
Voltaje secundario
Estado estable
Respuesta
transitoria
Respuesta transitoria de un CCVT (2)
Circuito de supresión de ferroresonancia
Circuito supresor
Relevadores
Respuesta transitoria de un CCVT (3)
Características de los CCVT, productos de ABB
* 1 pu = 0.006 a 115 kV
Respuesta transitoria de un CCVT (4)
Circuito equivalente sin circuito supresor y Lm→∞
Emax cos(ωt + θ ) , t ≤ 0
e(t) =
0 ,t > 0
- Emax cos(ωt + θ ) , t ≥ 0
e′(t) =
0 ,t < 0
Respuesta transitoria de un CCVT (5)
Modelo completo del CCVT
1.0
0.9
Max. Zone 1 Reach Setting (p.u.)
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15 20 25 30
SIR
Soluciones al problema de sobrealcance en
relevadores de distancia debido a la respuesta
transitoria del CCVT
δE=KEL
K=cte electro-óptica; para el quarzo 8.12 10-6 rad/V-m
TP óptico (1)
TP óptico (2)
PROTECCIÓN DE SISTEMAS ELÉCTRICOS DE
POTENCIA
Transformadores de corriente y potencial