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potencial
Dr. Ernesto Vázquez Martínez
Universidad Autónoma de Nuevo León, México
Funciones de los TC
} Electromagnéticos (TC).
} Trans-reactores.
} Transductores magnéticos.
} Ópticos.
Circuito equivalente (clases T y C)
RP XP X RS XS
IP IS
IP/NS I’e I”e ZB
X’e X”e
RP XP+X RS XS
IP IP/NS IS
Ie ZB
Xe
Transformador de corriente Clase C
Ip
Is
Operación de un TC
§ Cuando el TC opera como fuente de corriente, IS
depende de IP, independientemente de la
impedancia de carga ZC.
æ np ö æ1ö IP
I S = çç ÷÷ I P = çç ÷÷ I P =
è ns ø è ns ø nTC
IS = IP - Ie
§ Régimen de cortocircuito: Ie ® 0
n núcleos
n devanados
Curva de magnetización
N s iE
H»
L
f
B»
A
Error de transformación
} Error de transformación de corriente (pu):
I P - IS Ie
ETI = =
IP IP
T
100 1
ε= (
ò P S dt
I - I )2
IP T 0
IP
S s = VSIS = IS2 ZB
IS SS
ZB = 2
IS
ZB
Análisis de desempeño
} Medida de la capacidad del TC para reproducir
el comportamiento de la corriente primaria en
corriente secundaria, en magnitud y forma de
onda (corriente de magnetización y efecto de
saturación).
dλ dφ
e= =N = ωNφmax cos ωt
dt dt
2π
Vef = fNφmax = 4.44 fNABmax volts
2
22
IS (pu) B 0.1 - B 1.0
20
18
B 2.0
16
14
B 4.0
12
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
IP (pu)
Curva característica de un TC clase C
(L antes de 1968)
Curvas de clase de precisión
800
VS (volts) C800
700
600
500
8W
400
C400
300
4W C200
200
2W C100
100
1W
0
0 5 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IS (A)
Identificación TC
§ 15VA Class 10 P 20
é -
t
ù
I = 2 I1 ê sen(ωt + j - θ ) - e sen(j - θ )ú
τ
ë û
-1 æ X ö
θ = tan ç ÷
èRø
Saturación debido a la CD
Saturación debido a la CD
ò Vdt = fN = BAN
æ - RL t ö
V = I F Z B ç e - cos(w t )÷
è ø
Voltaje de saturación en un TC
æ Xö
V = BANw = ç 1 + ÷ I F Z B
è Rø
V = 20 I N Z STD
æ X ö I F ZB
20 ³ ç 1 + ÷
è R ø I N Z STD
Criterio para evitar saturación
æ Xö
20 ³ ç 1 + ÷ I f Zb
è Rø
ZB
Valores máximos de un TC para evitar
saturación
A B C A B C
Ia ZB Ia-Ib ZB
Ib ZB Ib- Ic ZB
Ic ZB Ic- Ia ZB
0 ZBG
IA
IA IB IC IB IC
Burden de los TC durante fallas
Cortocircuito trifásico
V A = I A Z B + (0) Z BG
VA
= ZB
IA
VA = ( I A - I B )Z B - ( I C - I A )Z B
VA = 2 I A Z B - ( I B + I C )Z B
VA = 2 I A Z B - ( I A + I B + I C )Z B + I A Z B
VA
= 3Z B
IA
Burden de los TC durante fallas
Cortocircuito entre fases
Burden de los TC durante fallas
Cortocircuito de una fase a tierra
Flujo remanente en un TC
f
DIe2
Valor actual de Ie fr = 0
fr < 0
Ie
DIe1
DIe1 < DIe2
Efecto de desenergización
IA
TC: C100 600/5
TAP: 100/5
IB
IC
3I0
Ia Ib Ic
16 ohms
51A,51B,51C 51N
0.63 ohms/fase (TAP 0.5 A)
Efecto de desenergización
1.67A
100:5 8.79v RS RC 51A
33.4A
IA 0.63W
1.26A
Ze 0.41A
RS RC 51B 51N
16W
IB=0
0.5A
Ze 0.38A
RS RC 51C 8v
IC=0
Ze 0.38A RC
Transformador de corriente de suma de
flujos
Aplicación de TC auxiliares
} Obtener distintas relaciones de
transformación,
} Modificar la fase de la corriente,
} Aumentar el nivel de aislamiento.
ZB
N Z B¢ = 2
Z’B ZB n
Ancho de banda de un TC
103.0
% (IP/IS) Comportamiento
102.0
líneal del TC
101.0
100.0
99.0
1K 10K 20K
Frecuencia (Hz)
TC óptico
Principio magneto-óptico de Faraday
dP=VHL
V=cte de Verdet; para el quarzo 5.23 10-6 rad/A-m
Principio de la polarización
Resolución TC óptico
TC comparación
Electromagnético vs Óptico
Funciones de los TP
} Electromagnéticos (TP).
} Ópticos.
Características de aplicación de los TP
} Nivel de aislamiento (pasos en cascada para
voltajes muy elevados).
A A
B B
C C
a a
b b 3V0
c c
Circuito equivalente
+ Ie +
Vp Np Ns Vs
- -
Ideal
VP - VS
ETV (pu) = < 5%
VP
Burdens y precisión de los TP
(ANSI Estándar)
Burden VA nominales FP
W 12.5 0.10
X 25 0.70
M 35 0.20
Y 75 0.85
Z 200 0.85
ZZ 400 0.85
3V LG {
i=0
Fusibles Falla
Estructura de un CCVT
69, 120 V Zf
C2 E2 Zb
1 a 4 kV H2 X2
C1
Reactor de Eth = E pri
C1 + C2
drenaje
é 1 ù
E2 = Eth - I1 ê jω L + ú
ë jω(C1 + C )
2 û
Supresión de ferroresonancia
Activo y pasivo
C L
G
R R
L1
R1
Respuesta transitoria de un CCVT
Características de CCVT de ABB
* 1 pu = 0.006 a 115 kV
Respuesta transitoria de un CCVT
Falla en V = 0
Vs ccvt Vs
150
100
50
Volts (v)
-50
-100
-150
Respuesta transitoria de un CCVT
Falla en Vmax
Vs ccvt Vs
150
100
50
Volts (v)
-50
-100
-150
Respuesta transitoria de un CCVT
} En general, el comportamiento transitorio del
voltaje de salida del CCVT puede presentar
oscilaciones amortiguadas y/o componentes
aperiódicas exponenciales que reducen la
magnitud de la componente fundamental del
voltaje, en dependencia de los siguientes
factores:
8.0
+y
6.0
4.0
2.0
-x +x
0.0
-2.0
-y
-4.0
-4.0 -3.0 -2.0 -1.0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0
Respuesta transitoria CCVT vs SIR (ZS/ZL)
Cobertura de relevadores de distancia
1.0
0.9
Max. Zone 1 Reach Setting (p.u.)
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15 20 25 30
SIR
Soluciones al problema de sobrealcance
debido a la respuesta transitoria del CCVT
} Reducir el alcance de la primera zona,
ZI (80%), Dt
ZI , top = 0
21
TP óptico
Efecto Pockels
dE=KEL
K=cte electro-óptica; para el quarzo 8.12 10-6 rad/V-m
V1
C1 Célula Pockels
Fuente V2 Zb
de luz
Polarizador
Detector
Efecto Pockels
TP comparación
Electromagnético vs Óptico
Transformadores de corriente y de
potencial
Dr. Ernesto Vázquez Martínez
Universidad Autónoma de Nuevo León, México