Universidad Nacional Mayor de San Marcos

UNMSM

Facultad de Ing. Electrónica, Eléctrica y

de Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres Matrícula

Guevara Palomino, Carlos Alexander 15190255

Saldivar Hospina Jimmy Luis 16190098

Cabrera Marquez Jordy 16190064

Aybar Velásquez Johnny Romario 16190062

Fonseca Dueñas Luigi 16190257

Curso Tema

Dispositivos Electrónicos El transistor bipolar PNP

2N3906. Características básicas

Informe Fechas Nota

FINAL Realización Entrega

Número 15/06/17 22/06/17

Grupo Profesor

G6 Jueves 2 pm- 4 pm Ing. Luis Pareto Quispe

Facultad de Ingeniería Electrónica, Eléctrica y de Telecomunicaciones Página 1

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EXPERIENCIA Nº 6
El transistor bipolar PNP 2N3906
Características básicas

I) TEMA: EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP 2N3906.

CARACTERÍSTICAS BASICAS.

II) OBJETIVOS:
1. Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.
2. Comprobar las características de funcionamiento un transistor
bipolar PNP.

III) MARCO TEÓRICO:

Transistor

Distintos encapsulados de transistores.

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la
contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente
se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios,
televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas,
lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de
cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorecentes, equipos de
rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue

inventado en los Laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen,
Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con
el Premio Nobel de Física en 1956.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas

artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento

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activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos

pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función amplificada

de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la corriente que
circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la
"base" para que circule la carga por el "colector", según el tipo de circuito que se utilice.
El factor de amplificación logrado entre corriente de base y corriente de colector, se
denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son
particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor,
de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia
de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como
corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor,
etc. Los tres tipos de esquemas básicos para utilización analógica de los transistores
son emisor común, colector común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,

MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el
terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión
presente en el terminal de puerta o reja de control y gradúa la conductancia del canal
entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenador (D) será función amplificada de la Tensión presente entre
la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es análogo al del triodo, con la
salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja,
Placa y Cátodo.

Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integración a gran
escala que disfrutamos hoy en día, para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios miles de transistores interconectados por centímetro cuadrado y en varias
capas superpuestas.

Tipos de transistor:

 Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo ganancia,

inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de
germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de
modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de
"transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en
su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un
golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el
transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. Hoy día ha desaparecido.
 Transistor de unión bipolar, BJT por sus siglas en inglés, se fabrica
básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de
Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres
zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP.

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La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de

aceptadores o "huecos" (cargas positivas), normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al indio, Aluminio o Galio y donantes N al Arsénico o Fósforo. La
configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación entre ellas.

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de

dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitelial, etc.) y del comportamiento cuántico
de la unión.

 Fototransistor, sensible a la radiación electromagnética, en frecuencias

cercanas a la de la luz.
 Transistor de unión unipolar.
 Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en función
de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

 Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido

mediante una unión PN.
 Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET,
en el que la compuerta se aísla del canal mediante un
dieléctrico.
 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS
significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la
compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.

Transistor bipolar
Regiones operativas, configuraciones

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),

colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el gráfico de transistor.

Transistor NPN Transistor PNP

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El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos

una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra
(emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación.
Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Entonces:
- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificación)
por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
- Ic = β * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, sólo que, la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de el, o viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc. Ver figura.

En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender
que a más corriente la curva es más alta.

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Regiones operativas del transistor

- Región de corte: Un transistor esta en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentación del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base =
0 (Ib =0)

- Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del

circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver
ley de Ohm.

Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo

suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más
grande. (Recordar que Ic = β * Ib)

- Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la

región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta
región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de
las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región es la mas
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores

con transistores, cada una de ellas con características especiales que las hacen
mejor para cierto tipo de aplicación. y se dice que el transistor no está conduciendo.
Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)

- Emisor común
- Colector común
- Base común

Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero

se toman como tal, debido a la pequeña diferencia que existe entre ellas, y que no
afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

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IV) MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:

1. Una Fuente de corriente continua Variable.

2. Un Multímetro.

3. Un miliamperímetro y un micro amperímetro

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4. Un Voltímetro de cc.(analógico)

7. Resistencias: 510Ω, 1K Ω, 51K Ω

8. Cables cocodrilo / banano

9. Capacitores/ Condensadores:

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10. Transistor PNP 2N3906

11. Osciloscopio digital

12. Potenciómetro

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V) PROCEDIMIENTO:
1. Verificamos el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro.
Llenamos la tabla 1.

Resistencia 𝐃𝐢𝐫𝐞𝐜𝐭𝐚 (Ω) 𝐈𝐧𝐯𝐞𝐫𝐬𝐚 (Ω)

Base-Emisor 782 Ω >20 M

Base-Colector 786 Ω >20 M

Colector-Emisor >20 M >20 M

2. Armamos el siguiente circuito.

a) Medimos las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base

(Ib). Obtener el β (P1=0Ω).
b) Medimos los voltajes entre colector-emisor (Vce), entre base-
emisor (Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).
c) Colocamos los datos obtenidos en la tabla 2.

Valores (R1=56 Ic Ib β Vce Vbe Ve (v.)

KΩ) (mA.) (uA.) (v.) (v.)

Teóricos

Medidos 5,7 mA 30 uA 190 4,9 V 0,9 V 2,53 V

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d) Cambiamos R1 a 68 KΩ, repetir los pasos (a) y (b) y anotamos

los datos de la tabla 3 (por ajuste de P1).

Valores (R11=68 Ic Ib β Vce Vbe Ve (v.)

KΩ) (mA.) (uA.) (v.) (v.)

Teóricos

Medidos 4,5 mA 22,5 200 7,88 V 0,9 V 1,84 V

uA

e) Aumentamos la resistencia de P1 a 100 KΩ, 250 KΩ, 500 KΩ y

1MΩ. Observamos lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con
el voltaje Vce. Llenamos la tabla 5.

P1 100 KΩ 250 KΩ 500 KΩ 1 MΩ

Ic (mA.) 0,2 0,8 0,01 0

Ib (uA.) 9 4,2 0,2 0

Vce (v.) 10,8 11,8 11,9 11,97

3. Ajustamos el generador de señales a 50 mv.pp, 1KHz, onda senoidal.

Observar la salida Vo con el osciloscopio. Completamos la tabla 4.

Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)

2(Q1) -------------- ------------- -------------- --------------- ------------------

3(Q2) 570 mA 9V 63,3.10−3 1,6 V 356,26.10−3

VI) CUESTIONARIO FINAL:

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación

operativa con el Ohmimetro.

Es un elemento que se comporta como una resistencia variable que depende

de una señal eléctrica de control, entonces al cambiar el valor de la señal de
control cambia la cantidad de corriente que pasa por el transistor.

ß = IC / IB

Conceptualmente se dice que el transistor se comporta como una fuente de

corriente controlada por corriente, es decir, una fuente de corriente que no es

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de valor fijo, varía produciendo más o menos corriente en la medida que hay
más o menos corriente en la base.

Como en el transistor no se acumula carga toda la corriente que entra a él debe

salir, entonces:

IE = IC + IB = (ß +1) IB

Si ß >> 1 Þ IE » IC

2. Representar la Recta de Carga en un Gráfico Ic vs. Vce del circuito del

Experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2, 3 y 5.

(Papel milimetrado)

3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de las Tablas 2 y

3?

 Q1 de la tabla 2:

Datos:

R1= 56.1KΩ

R2= 21.77KΩ

Re= 0.30KΩ

Rc= 0.96KΩ

VBE= 0. 619v

P1= 0KΩ

β= 9.6

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VHJ = 12v x 21.77k = 12v x 21.77k = 3.355 v

56.1k + 21.77k + 0k 78.77k

Req = (P1 + R1)(R2) = (56.1k)(21.77k) = 15.68 k

P1 + R1 + R2 56.1k + 21.77k

IB = 3.355v – 0.619v = 2.736v = 0.1474 mA = 147.4 A

(9.6)(300) + 15.68k 18560

Ic =  x IB

 Ic = 9.6(147.4 A)

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ICQ = 1.415 mA

VEC = 12v – (0.3K + 0.96 k)(1.415 mA)

VEC = 10.217 v

Corriente de saturación  VCE = 0v

Ic máx. = Vcc = 12v = 9.524 mA

Rc + Re 0.96k + 0.3K

 VBC = VB – VC

PERO: Vc + 12 = Ic

Rc

Vc = IcxRc – 12v

Vc = (1.415 mA) (0.96k) – 12v

Vc = - 10.614 v

 VB – (- VHJ) = IB

Req

VB = IB x Req – VHJ

VB = (147.4 A)(15.68 k) – 3.355v

VB = 2.329v – 3.355v

VB= - 1.026 v

 VBC = - 1.026 v – ( - 10.614 v)

VBC = 9.588 v

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 Q2 de la tabla 3:

Datos:

R1= 67.4KΩ

R2= 21.77KΩ

Re= 0.3KΩ

Rc= 0.96KΩ

VBE= 0.612v

P1= 0

β= 10.78

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VHJ = 12v x 21.77k = 12v x 21.77k = 2.930 v

67.4k + 21.77k + 0  89.77k

Req = (P1 + R1)(R2) = (67.4k)(21.77k) = 16.455 k

P1 + R1 + R2 67.4k + 21.77k

IB = 2.93v – 0.612v = 2.318v = 117.731 A

(10.78)(300) + 16.455k 19.689k

Ic =  x IB

 Ic = 10.78(117.731 A)

ICQ = 1.269 mA

VEC = 12v – (0.3K + 0.96 k)(1.269 mA)

VEC = 10.401

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Corriente de saturación  VCE = 0v

Ic máx. = Vcc = 12v = 9.524 mA

Rc + Re 0.96k + 0.3K

 VBC = VB – VC

PERO

Vc + 12 = Ic

Rc

Vc = IcxRc – 12v

Vc = (1.269 mA) (0.96k) – 12v

Vc = - 10.782 v

 VB – (- VHJ) = IB

Req

VB = IB x Req – VHJ

VB = (117.731 A)( 16.455k ) –

2.93v

VB = 1.937v – 2.93v

VB= - 0.993 v

 VBC = - 2.28 v – ( - 10.782 v)

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VBC = 8.502 v

4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 120K

Ω?

𝑅𝑏 = 18.51𝑘Ω Vth = 1.859V β = 75

𝑉𝑡ℎ +𝑉𝑐𝑒 1.859−0.6

𝐼𝑐 = 𝑅𝑏 = 18.51𝐾 = 3.21 𝑚𝐴
+𝑅𝑒 +330
75 75

𝑉𝑐𝑒 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝑐 (𝑅𝑒 + 𝑅𝑐 ) = 12 − 3.21𝑚 × 1330 = −7.307 𝑉

Se acerca más al punto de corte.

El resultado del voltaje sale positivo ya que se tomó la malla en dirección del
desplazamiento de la corriente.

5. Explicar comparativamente lo ocurrido en la tabla 4.

Tenemos los siguientes casos:

Sin carga:

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Con carga:

Como podemos ver en las imágenes la señal se amplifica cuando el circuito

esta con carga, siendo la frecuencia la misma, asi mismo de los datos
experimentales obtenemos que el voltaje de salida sin carga es de 1.8v ,
cuando es con carga tenemos 9v. Esta amplificacion lo podemos constatar
con la relacion Av obtenidos del experimento:

𝑉𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎
𝐴𝑣 =
𝑉𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎

Sin Carga:

1.8𝑣
𝐴𝑣 = = 3.1579
570 𝑥10−3 𝑣

Con carga:

9𝑣
𝐴𝑣 = = 15.78
570 𝑥10−3 𝑣

Obteniendo asi la siguiente tabla:

Tabla 4

Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(Sin Ce)

3(Q2) 570 mv 9v 15.7895 1.8 v 3.1579

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VII) CONCLUSIONES:
 Se concluye que la señal de voltaje de salida se amplifica, es decir,
aumenta cuando el circuito esta con carga.
 La variación del potenciómetro genera cambios en la ganancia de
corriente y voltaje.
 Aumentar el valor de la resistencia no genera mayor ganancia pero
disminuye la estabilidad en un amplificador.
 Se busca tener una buena ganancia y estabilidad.

VIII) BIBLIOGRAFÍA:

 Guía para mediciones electrónicas y prácticas de laboratorio. Stanley

Wolf y Richard Smith.
 Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos, 10 Edición –
Robert L. Boylestad& Louis Nashelsky.
 ELECTRONICA INTEGRADA (9ª ED.) JACOB MILLMAN; CHRISTOS
C. HALKIAS , EDITORIAL HISPANO EUROPEA, S.A., 1991

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