La Academia al servicio de la Vida

PRACTICA 3
POLARIZACIÓN EN C.C DE UN JFET CANAL N

ELECTRONICA II

GRUPO: C

INTEGRANTES
DANIEL VICENTE RAMIREZ CARDENAS
VICTOR ALFONSO DIAZ PEREZ

DOCENTE
MSC. CARLOS ARTURO VIDES HERRERA

Universidad de Pamplona - Ciudad Universitaria - Pamplona (Norte de Santander - Colombia)

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FACULTAD DE INGENIERÍAS Y ARQUITECTURA PROGRAMA

ING. ELECTRICA

INTRODUCCION

Esta práctica se realizó con el propósito de aprender el método para hallar

el IDSS y el Vp para un FET de canal N en donde este se encuentra en
auto polarización, en donde se realizan los respectivos cálculos de los
valores Vgs, Vs, VDS, VD, ID, Ig y en la práctica se hacen las respectivas
mediciones de los valores antes calculados para mirar su comportamiento
del dispositivo y determinar su margen de error.

OBJETIVOS

Comprobar el funcionamiento de la configuración de autopolarizacion con

un FET de canal N. Proceder al cálculo y obtención de ciertos valores de
tensiones y corrientes del circuito mostrado en la figura.

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PROCEDIMIENTO

FORMULAS

Imagen 1 “Circuito del transistor con FET”

 Análisis en D.C. del circuito de la imagen 1.

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MALLA GS

PARTE A

En esta parte se realizó unas mediciones adicionales a la práctica en donde

se pudo evidenciar de forma práctica el valor del: VP, IDSS y la curva
característica.

 En el circuito de la figura 1, se alimentó el circuito con una fuente

adicional negativa en el canal G en donde se le iba aumentando
lentamente la voltaje de la fuente negativa, y había conectado un
amperímetro en el canal D, determinando con que voltaje el
amperímetro indicaba que no circulaba corriente por el drenaje en
donde nos indicaba el valor del VP el cual se puede evidenciar en la
tabla 1.

 Para calcular IDSS procedimos a quitar del circuito la resistencia

de RD = 4.7 KΩ, se alimentó el circuito con 18 V por el drenaje y
conectando el amperímetro en este para observar el valor
correspondiente a este.

 Se fue variando la fuente negativa conectada en el canal G desde 0

V hasta el VP, se registraron los datos correspondientes del voltaje y
el valor de la corriente en el drenaje en donde estos valores se van a
graficar para así determinar la curva característica.

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PARTE B.

 Se alimentó el circuito de la figura 1, donde se registraron los

siguientes valores: VGS, ID, IG, VS, VDS y VD los cuales se
pueden evidenciar en la tabla 2.

 Se alimentó el circuito mostrado en la figura 1 en donde se cambió

la resistencia de 390Ω por un potenciómetro de 10 K en donde se
registraron 10 medidas respectivos de ID y VDS variando el
potenciómetro desde 0 al 100% para luego graficar estos valores.

Corrientes Teórico Experimental %error

ID 0.523 mA 0.63 mA 20.45
IG 0A 0A O
IDSS 1- 5 mA 1.27 mA 0
Tabla 1 “Cuadro de comparación amplificador 1 de corrientes teóricas y
prácticas “

Voltajes Teórico Experimental %error

VGS 0.8589V 0.634V 26.1
VS 0.207 V 0.142V 31.4
VG 0V 1.9 mV -----------
VD 15.541 V 16.32V 5.01
Tabla 2 “Cuadro de comparación amplificador 1 de voltajes teóricos y
prácticos “

ANALISIS

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Imagen 2 “curva del drenador del JFET”

CONCLUSIONES

 En esta práctica se aprendió la forma experimental de calcular la

curva del drenador con respecto a la corriente ID, y el valor de
VP.

 Con la practica realizada se pudo observar y comprobar lo visto

en las clases anteriores que para los JFET por la puerta G no
circula ninguna corriente pero si circula voltaje.

 Se puede determinar con respecto a el dato obtenido de VP el cual

fue de -0.4 y que según el datasheet el vp varia en un rango de
-0.5 a -6 V, con estos datos podemos decir que el JFET al
momento de montar un circuito estos datos del datasheet no son
tan acertados ya que en la práctica no alcanzo a llegar al rango
mínimo descrito por el fabricante.

BIBLIOGRAFIA

[1]https://www.datasheetspdf.com/datasheet/search.
php?sWord=2n5457.

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