UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN

FACULTAD DE PRODUCCIÓN Y SERVICIOS

ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

CIRCUITOS DE FET QUE SE UTILIZAN

EN CIRCUITOS INTEGRADOS.

SEBASTIAN MIGUEL CÁCERES HUAMÁN

TRABAJO DE INVESTIGACIÓN

TUTOR PRINCIPAL

ING. VILLAGRA

AREQUIPA-PERÚ

2018
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Agradecimientos:
Agradezco a primera instancia a mis padres porque me brindaron su apoyo moral y
económico para seguir con la rama del estudio y así poder lograr objetivos para un
futuro.
A la Universidad Nacional de San Agustín por la formación para un futuro como
Ingeniera Electrónica.
De la misma manera a mis queridos formadores en especial al Docente del curso de
Electrónica Análoga Ing. Moisés Villagra.
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Resumen.
El presente trabajo de investigación, consiste en la importancia de los circuitos de FET
para la elaboración y funcionamiento de circuitos integrados, así también como sus usos
y aplicaciones.
Lo que se trata de explicar es unos breves conceptos y reseña histórica de lo que es la
base de este trabajo, lo que es un circuito integrado (CI). Hallar sus ventajas y la
importancia del uso de estas para las tecnologías de hoy, para así centrarse más en lo
que se quiere, que viene hacer la arquitectura o el circuito interno de estos (nos daremos
cuenta con son formados por circuitos FET).
El problema de la investigación fue hallar los aspectos que contemplan estos sistemas,
consideraciones fundamentales, funcionamiento y mejora con el paso de los años.
La investigación se realizó en base a la metodología de estudio, obteniéndose
información de diversas fuentes, como documentos internos, información de libros de
estudios anteriores, etc.
Al final se formuló conclusiones, las cuales nos dejan en claro lo que se trata de conseguir
con este trabajo de investigación, para así obtener una visión general de las condiciones
actuales y usos en el presente.
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Índice
1. Introducción…………………………………………………………………………………………….….….1
2. Concepto…………………………………………………………………………………………………………2
2.1 Un poco de historia……………………………………………………………………………….…..2
3. Ventajas………………………………………………………………………………………………………....3
4. Desarrollo del circuito integrado: La ley de Moore………………………………………….4
5. Clasificación de los circuitos integrados…………………………………………………………..5
5.1 Según el tipo de dispositivos activos utilizados…….…………………………………...6
6. Familias de circuitos integrados MOS……………………………………………………………...6
6.1 Circuitos MOS……………………………………………………………………………………….……7
6.1.1Ventajas de utilizar la tecnología MOS……..………..……………………..………8

6.2 Circuitos C-MOS……………………………..……………………………………………………….….8

6.2.1 Clasificación de C-MOS……………………………………………………………………..8
6.2.2 Principales Características…………………………………………………………………9
6.2.3 Ventajas y desventajas de las compuertas CMOS y NMOS………..………10
7. Diferencia entre familias C-MOS y TTL……………………………………………………………..11
8. Conclusiones………………………………………..…………………………………………………………11
9. Bibliografía……………………………..……………………………………………………………………...12
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1. Introducción
Un universo en el que se conectan todos los elementos como nuevos materiales,
procesos de miniaturización y la nanotecnología, es el llamado circuito integrado. Este
componente está invadiendo nuestra vida cotidiana, ya que encontramos en muchos
aparatos tecnológicos ya sean celulares o equipos de sonido, relojes o calculadoras; es
con mucha certeza una de las contribuciones más importantes que se dio al mundo.
Con la aparición de los circuitos integrados al finalizar la década de los cincuenta se ha
producido un cambio total en la forma de fabricar los circuitos electrónicos. La
contribución más importante que se ha obtenido es la reducción considerable en
tamaño de los ya mencionados. Gracias a esta ventaja, ha traído como consecuencia la
reducción de todos los aparatos electrónicos.
Es por ello, que en este trabajo presentaremos un estudio de los circuitos integrados
conjuntamente con los circuitos FET, que si bien ya se estudió la parte teórica en calases;
ahora veremos las aplicaciones de estos mismo y como nos beneficia en nuestra rama
de ingeniería electrónica.
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Circuitos integrados
2. Concepto

Un circuito integrado, también conocido como chip o microchip, es una estructura de

pequeñas dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos
milímetros cuadrados de superficie (área), sobre la que se fabrican circuitos
electrónicos generalmente mediante fotolitografía . Este está formado por elementos
interconectados. Esos elementos son diodos, transistores, resistencias y condensadores,
cada uno de los cuáles tiene una función en el circuito. Los elementos se disponen en
una pastilla de silicio, de algunos milímetros cuadrados de área, y el conjunto realiza una
función única, por lo que no es posible separar
los elementos.

El encapsulado posee conductores

metálicos apropiados para hacer conexión entre
el circuito integrado y un circuito impreso.
Muchos de los circuitos integrados se pueden
encontrar en casi cualquier dispositivo
electrónico. Funcionan como temporizadores,
amplificadores y unidades lógicas, contadores,
Ilustración 1 Circuito Integrado calculadoras, sensores de temperatura,
receptores de radio, etcétera.
2.1 Un poco de historia
El primer Circuito Integrado fue desarrollado en 1958 por el Ingeniero Jack St. Clair Kilby,
justo meses después de haber sido contratado por la firma Texas Instruments. Los
elementos más comunes de los equipos electrónicos de la época eran los llamados
“tubos de vacío”, las lámparas usadas en radio y televisión y el transistor de germanio
(Ge). En el verano de 1958 Jack Kilby se propuso cambiar las cosas. Entonces concibió el
primer circuito electrónico cuyos componentes, tanto los activos como los pasivos,
estuviesen dispuestos en un solo pedazo de material, semiconductor, que ocupaba la
mitad de espacio de un clip para sujetar papeles.
El 12 de septiembre de 1958, el invento de Jack Kilby se probó con éxito. El circuito
estaba fabricado sobre una pastilla cuadrada de germanio (Ge), un elemento químico
metálico y cristalino, que medía seis milímetros por lado y contenía apenas un transistor,
tres resistencias y un condensador. El éxito de Kilby supuso la entrada del mundo en la
microelectrónica. El aspecto del circuito integrado era tan nimio, que se ganó el apodo
inglés que se le da a las astillas, las briznas, los pedacitos de algo: chip.
En el año 2000 Jack Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Física por la
contribución de su invento al desarrollo de la tecnología de la información. Los circuitos
integrados fueron posibles gracias a descubrimientos experimentales que demostraron
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que los semiconductores pueden realizar las funciones de los tubos de vacío o circuitos
de varios transistores. La integración de grandes cantidades de diminutos transistores
en pequeños chips fue un enorme avance sobre el ensamblaje manual de los tubos de
vacío (válvulas) y circuitos utilizando componentes discretos. La capacidad de
producción masiva de circuitos integrados, con fiabilidad y facilidad de agregarles
complejidad, impuso la estandarización de los circuitos integrados en lugar de diseños
utilizando transistores que pronto dejaron obsoletas a las válvulas o tubos de vacío.
Entre los circuitos integrados más complejos y avanzados se encuentran
los microprocesadores, que controlan numerosos aparatos, desde teléfonos
móviles y horno de microondas hasta computadoras. Los chips de memorias digitales
son otra familia de circuitos integrados, de importancia crucial para la moderna sociedad
de la información. Mientras que el costo de diseñar y desarrollar un circuito integrado
complejo es bastante alto, cuando se reparte entre millones de unidades de producción,
el costo individual de los CI por lo general se reduce al mínimo. La eficiencia de los CI es
alta debido a que el pequeño tamaño de los chips permite cortas conexiones que
posibilitan la utilización de lógica de bajo consumo (como es el caso de CMOS), y con
altas velocidades de conmutación.
Las estructuras de los microchips se volvieron más y más pequeñas. Los fabricantes
tuvieron éxito al duplicar el número de transistores en un chip cada 18 meses, tal como
lo predijo la ley de Moore. Sin embargo, a medida que los tamaños se han reducido a
escalas de átomos, los fabricantes se están acercando cada vez más a los límites de la
miniaturización. Ha llegado el tiempo de probar acercamientos completamente nuevos.
Para esto, los investigadores están actualmente buscando soluciones tales como el uso
de pequeños “mini tubos de grafeno”, los cuales esperan utilizar en los microchips del
futuro. Tan sólo ha pasado medio siglo desde el inicio de su desarrollo y ya se han vuelto
ubicuos. De hecho, muchos académicos creen que la revolución digital impulsada por
los circuitos integrados es una de los sucesos más destacados de la historia de la
humanidad.
3. Ventajas:
A medida que transcurren los años, los circuitos integrados van evolucionando: se
fabrican en tamaños cada vez más pequeños, con mejores características y prestaciones,
mejoran su eficiencia y su eficacia, y se permite así que mayor cantidad de elementos
sean empaquetados (integrados) en un mismo chip. Al tiempo que el tamaño se reduce,
otras cualidades también mejoran el costo y el consumo de energía disminuyen, y a la
vez aumenta el rendimiento. Aunque estas ganancias son aparentemente para el
usuario final, existe una feroz competencia entre los fabricantes para utilizar geometrías
cada vez más delgadas. Este proceso, y lo esperado para los próximos años, está muy
bien descrito por la International Technology Roadmap for Semiconductor.
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Los CI tienen dos principales ventajas sobre los circuitos discretos: costo y rendimiento.
El bajo costo es debido a los chips; ya que posee
todos sus componentes impresos en una unidad
de fotolitografía en lugar de ser construidos un
transistor a la vez. Más aún, los CI empaquetados
usan mucho menos material que los circuitos
discretos. El rendimiento es alto ya que los
componentes de los CI cambian rápidamente y
consumen poco poder (comparado sus Ilustración 2 Microprocesadores: CI más
contrapartes discretas) como resultado de su complejos

pequeño tamaño y proximidad de todos sus

componentes. Desde 2012, el intervalo de área de chips típicos es desde unos pocos
milímetros cuadrados a alrededor de 450 mm2, con hasta 9 millones de transistores por
mm2.
4. Desarrollo del circuito integrado: La ley de Moore:
El CI experimentó un desarrollo sin precedentes en los siguientes años, impulsado
principalmente por el programa espacial y la industria militar de los EEUU. En efecto, en
1961 Fairchild Semiconductorscomercializó su primer CI, que se instaló en las
calculadoras del ejército de los EEUU y en 1962, Texas Instrument comercializó el suyo,
que se instaló en aviones de la fuerza aérea del mismo país y en el sistema de guía de
los misiles Minuteman, uno de los programas de armamento más costosos de la historia
militar.
Fruto de estos avances motivados por la Guerra Fría, se fabricaban CIs cada vez más
complejos y con mayor número de transistores. Si los primeros CIs integraban unas
pocas decenas de transistores, muy pocos años después ya se comercializaban CIs con
miles y decenas de miles y hoy día, hay CIs con miles de millones de transistores. El
aumento del número de transistores por CI sigue desde entonces una tendencia
conocida como Ley de Moore, debida al científico Gordon Moore que la enunció en
fecha tan temprana como 1965. Dicha ley constata que el número de transistores que
tiene un CI se duplica cada dos años. La figura muestra dicha evolución:
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Ilustración 3 Evolución de los circuitos integrados

5. Clasificación de los circuitos integrados:

Existe un sinfín de variedades de circuitos integrados, así como también clasificarlos,
pero según el criterio que se tome; aquí presentamos algunos:
 Según el tipo de señal que manejan
 Según la construcción interna
 Según el material del sustrato
 Según el número de transistores
 Según la resolución utilizada en el diseño de las puertas
 Según la metodología de diseño
 Según el tipo de dispositivo activos utilizado
 Según la forma de construir las puertas digitales
En cuanto a las funciones integradas, existen dos clasificaciones fundamentales de
circuitos integrados (IC):
-Circuitos integrados analógicos: Pueden constar desde simples transistores
encapsulados juntos, sin unión entre ellos, hasta dispositivos completos como
amplificadores, osciladores o incluso receptores de radio completos.
-Circuitos integrados digitales: Pueden ser desde básicas puertas lógicas hasta los más
complicados microprocesadores. Éstos son diseñados y fabricados para cumplir una
función específica dentro de un sistema. En general, la fabricación de los circuitos
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integrados es compleja ya que tienen una alta integración de componentes en un

espacio muy reducido de forma que llegan a ser microscópicos. Sin embargo, permiten
grandes simplificaciones con respecto a los antiguos circuitos, además de un montaje
más rápido.
5.1 Según el tipo de dispositivos activos utilizados
Los circuitos integrados también se clasifican en función de los dispositivos que se
utilizan en su construcción. Suele ser complicado fabricar circuitos con diferentes tipos
de transistores Así que para evitar problemas o efectos indeseables estos se fabrican
con un determinado tipo de transistores. Aquí presentamos los siguientes:
Tecnología Bipolar: Cuando se utilizan exclusivamente transistores bipolares
tales como BJT o Schottky.
Tecnologías MOS: Cuando se utilizan transistores MOS exclusivamente de un
solo tipo, canal P o canal N. Usualmente son para circuitos integrados digitales.
Tecnologías CMOS: Cuando se utilizan transistores MOS tanto canal N como
canal P.
Tecnología BiCMOS: Cuando se utilizan transistores tanto bipolares como MOS.
Tecnología BiFET: Cuando se utilizan transistores tanto tipo bipolar como tipo
FET. Por lo general se utiliza para circuitos integrados analógicos.
6. Familias de circuitos integrados MOS.
Solemos encontrar a los transistores MOS siendo miembros de familias de circuitos
integrados (CI). Una familia de CI representa una clase específica de tecnología de
fabricación, que dicta los tipos de componentes que se pueden utilizar en un circuito y
también limita atributos fundamentales, como la densidad de integración, disipación de
potencia y velocidad. La primera familia importante de CI MOS fue el de MOS de canal
p (PMOS). El elemento clave es un transistor con la fuente y el drenador fabricados por
difusión de impurezas aceptadoras en un sustrato de tipo n. La puerta consiste en
aluminio depositado sobre un dieléctrico de SiO2. Su simplicidad estructural ofrecía
bajos costes de fabricación, altas densidades de integración y un alto porcentaje de
circuitos utilizables. MOSFET de empobrecimiento de canal p. MOSFET de
empobrecimiento de canal n. Los primeros circuitos LSI (integrado a gran escala) y la
primera generación de microprocesadores se construyeron en la tecnología PMOS. A
finales de los años setenta, la tecnología MOS de canal n (NMOS) se convirtió en la
dominante para los circuitos LSI. El transistor NMOS es más rápido que la de su
predecesor PMOS porque la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos.
Entre las ventajas de los NMOS son la baja disipación de potencia, los menores márgenes
de ruido en los circuitos digitales y las resistencias con valores entre 50 Ω y 50 M Ω son
posibles utilizando polisilicio ligeramente dopado. NMOS y PMOS tienen su mayor
aplicación en lógica digital y memorias. A finales de años setenta, la base de CMOS es el
par complementario de transistores decanal n y p. Los transistores de canal n comparten
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el mismo sustrato de tipo p, mientras que los transistores de canal p se fabrican en un

pozo individual de tipo n, con todos los pozos de canal n conectados al punto más
positivo del circuito para mantener polarizaciones inversas. CMOS es comparable en
densidad a NMOS pero se caracteriza por tener menos disipación de potencia. No sólo
es adecuada para los circuitos digitales, sino que también se usa a menudo en muchos
circuitos analógicos importantes como amplificadores operacionales, multiplexadores
analógicos, convertidores digital-analógicos y analógico-digitales y filtros.
En los ochenta, otra nueva tecnología atrajo la atención general. Una combinación de la
bipolar y la CMOS, llamada BiCMOS, ofrece alta densidad de integración y velocidad,
además de mejorar en gran medida la flexibilidad del diseño. La estructura más sencilla
de los BiCMOS se constituye al añadir un transistor npn a los elementos básicos de
fabricación de la tecnología CMOS. Con BiCMOS es factible combinar el procesado de
señales analógicas y digitales en el mismo circuito integrado.
6.1 Circuitos MOS
Inversor
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6.1.1 Ventajas de utilizar la tecnología MOS

La tecnología MOS surge a fin de hacer circuitos integrados cada vez más fiables e
inmunes al ruido, y a la necesidad de reducir el tamaño de los circuitos integrados
digitales. Algunas de sus ventajas frente a otras tecnologías son:
 Muy baja disipación de potencia. Su bajo consumo hace que se pierda poca
potencia.
 Amplios márgenes de ruido y salto lógico. El ruido son las variaciones de tensión
que se producen en las señales debido a interferencias electromagnéticas, que
pueden venir de aparatos eléctricos, antenas, nuestras manos, e incluso del
espacio exterior.
Estas interferencias pueden provocar que una puerta lógica cambie de estado y dé un
valor de salida erróneo.
6.2 Circuitos C-MOS
Como en todo desarrollo tecnológico, existe un estudio previo para poder aplicar una
tecnología determinada y sacar un máximo provecho de la arquitectura predefinida, y
es por ello que en esta ocasión hablaremos de una de las que se aplica sobre el corazón
de todo equipo, el Procesador, que tiene como premisa fundamental el menor consumo
energético posible.
Esta tecnología lleva el nombre en inglés de Complementary Metal Oxide
Semiconductor, y es mayormente conocido gracias a su acrónimo, CMOS, estando
presente no solo en este campo de la informática sino también en la fabricación de los
distintos Circuitos Electrónicos Integrados, conocidos popularmente como Chip o
Microchip.
Se usan conjuntamente MOSFET (MOS Field-Effect transistor, transistor de efecto
campo MOS) de canal n (NMOS) y de canal p (PMOS) en el mismo circuito, para obtener
varias ventajas sobre las familias P-MOS y N-MOS. La tecnología CMOS es ahora la
dominante debido a que es más rápida y consume aún menos potencia que las otras
familias MOS. Estas ventajas son opacadas un poco por la elevada complejidad del
proceso de fabricación del CI y una menor densidad de integración.
6.2.1 Clasificación de C-MOS
a) Series 4000/14000 Las primeras series CMOS fueron la serie 4000, que fue introducida
por RCA y la serie 14000 por Motorola. La serie original es la 4000 A; la 4000 B representa
mejora con respecto a la primera y tiene mayor capacidad de corriente en sus salidas
b) Serie 74C Esta serie CMOS su característica principal es que es compatible terminal
por terminal y función por función, con los dispositivos TTL que tienen el mismo número
c) Serie 74HC (CMOS de alta velocidad) Esta es una versión mejor de la serie 74C. La
principal mejora radica en un aumento de diez veces en la velocidad de conmutación
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d) Serie 74HCT Esta serie también es una serie CMOS de alta velocidad, y está diseñada
para ser compatible en lo que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL
6.2.2 Principales Características
a) Inmunidad al ruido: Se denomina ruido a “cualquier perturbación involuntaria que
puede originar un cambio no deseado en la salida del circuito.” El ruido puede generarse
externamente por la presencia de escobillas en motores o interruptores, por acoplo por
conexiones o líneas de tensión cercanas o por picos de la corriente de alimentación. Los
circuitos tienen cierta inmunidad al ruido
b) Disipación de potencia La potencia disipada, es la media de potencia disipada a nivel
alto y bajo. Se traduce en la potencia media que la puerta va a consumir.
Cuando un circuito lógico CMOS se encuentra en estático (sin cambiar) o en reposo, su
disipación de potencia es extremadamente baja, aumentando conforme aumenta la
velocidad de conmutación.
c) Entradas CMOS Las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas, ya que son
muy sensibles a la electricidad estática y al ruido, los cuales pueden fácilmente activar
los canales MOSFET P y N en el estado conductor, produciendo una mayor disipación de
potencia y posible sobrecalentamiento.
d) Factor de carga Al igual que N-MOS y P-MOS, los CMOS tienen una resistencia de
entrada extremadamente grande (10*12Ω) que casi no consume corriente de la fuente
de señales, cada entrada CMOS representa comúnmente una carga a tierra de 5 pF.
Debido a su capacitancia de entrada se limita el número de entradas CMOS que se
pueden manejar con una sola salida CMOS. Así pues, el factor de carga de CMOS
depende del máximo retardo permisible en la propagación. Comúnmente este factor de
carga es de 50 para bajas frecuencias (<1 MHz). Por supuesto para altas frecuencias, el
factor de carga disminuye. La salida CMOS tiene que cargar y descargar la combinación
en paralelo de cada capacitancia de entrada, de manera que el tiempo de conmutación
de salida aumente en proporción al número de cargas conducidas, cada carga CMOS
aumenta el retardo en la conducción de la propagación del circuito por 3 ns. Así
podemos llegar a la conclusión de que el factor de carga de CMOS depende del máximo
retardo permisible en la propagación.
e) Velocidad de conmutación Los CMOS, al igual que N-MOS y P-MOS, tiene que conducir
capacitancias de carga relativamente grandes, su velocidad de conmutación es más
rápida debido a su baja resistencia de salida en cada estado. Recordemos que una salida
N-MOS tiene que cargar la capacitancia de carga a través de una resistencia
relativamente grande (100 k Ω). En el circuito CMOS, la resistencia de salida en el estado
ALTO es el valor R-ON del P-MOSFET, el cual es generalmente de 1 k Ω o menor. Esto
permite una carga más rápida de la capacitancia de carga. Los valores de velocidad de
conmutación dependen del voltaje de alimentación que se emplee, mientras VDD sea
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mayor podemos operar en frecuencias más elevadas. Por supuesto, mientras más
grande sea VDD se producirá una mayor disipación de potencia.
f) Voltaje de alimentación Los circuitos CMOS permiten un rango de alimentación mayor,
de +2 a +6 volts para las series HC y AC, y de +3 a +15 volts para las series 4000 y 74CXX.
Sin embargo, existen dos series CMOS, la HCT y la ACT, que han sido diseñadas para ser
compatibles con los circuitos TTL y por lo tanto requieren una alimentación de +5 volts.
Niveles de entrada y salida

6.2.3 Ventajas y desventajas de las compuertas CMOS y NMOS:

 El voltaje de salida de una compuerta CMOS es el voltaje de entrada total, sin la
caída debida al voltaje de umbral, como en el caso de las compuertas NMOS.
 Para llevar a cabo las mismas funciones lógicas, la compuerta CMOS requiere
más transistores que la compuerta NMOS.
 Las compuertas CMOS consumen muy poca energía; por lo tanto, permiten una
integración a muy grande escala (VLSI). Las compuertas NMOS consumen más
energía que las CMOS, y tienen limitaciones térmicas que las hacen menos
atractivas para la VLSI.
 Las compuertas CMOS producen picos de corriente durante la transición de un
estado a otro; los picos de corriente ocurren cuando los transistores NMOS y
PMOS están en saturación.
 Las compuertas CMOS ocupan un área más grande y tienen capacitancias
mayores que las compuertas NMOS
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7. Diferencias entre las familias CMOS y TTL

Las diferencias más importantes entre ambas familias son:
a) En la fabricación de los circuitos integrados se usan transistores bipolares par el
TTL y transistores MOSFET para la tecnología CMOS
b) Los CMOS requieren de mucho menos espacio (área en el CI) debido a lo
compacto de los transistores MOSFET. Además debido a su alta densidad de
integración, los CMOS están superando a los CI bipolares en el área de
integración a gran escala, en LSI - memorias grandes, CI de calculadora,
microprocesadores-, así como VLSI.
c) Los circuitos integrados CMOS es de menor consumo de potencia que los TTL.
d) Los CMOS son más lentos en cuanto a velocidad de operación que los TTL.
e) Los CMOS tienen una mayor inmunidad al ruido que los TTL. f) Los CMOS
presenta un mayor intervalo de voltaje y un factor de carga más elevado que los
TTL.

8. Conclusiones
Concluimos con lo siguiente:

Los circuitos integrados han contribuido en gran parte a la reducción e innovación de los
aparatos electrónicos, ya que con la nanotecnología que ya se está desarrollando el
mundo de la innovación tecnológica cada vez con más auge.

Por otro lado, haciendo un análisis a la tecnología TTL y CMOS; se puede sintetizar que
la primera fue diseñada para una alta velocidad y la segunda para un bajo consumo.

Actualmente dentro de estas dos familias se han creado otras, que intentan conseguir
lo mejor de ambas: un bajo consumo y una alta velocidad. La familia lógica ECL se
encuentra a caballo entre la TTL y la CMOS. Esta familia nació como un intento de
conseguir la rapidez de TTL y el bajo consumo de CMOS, pero en raras ocasiones es
empleada.
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9. Bibliografía
(1) FLOYD, T.L., " FUNDAMENTOS DE SISTEMAS DIGITALES " Novena Edición,
Madrid, 2006, 995p. p.882-917. Cap. 14.
(2) BOYLESTAD, R.L., " ELECTRÓNICA: TEORÍA DE CIRCUITOS " Sexta Edición, México,
1997, 943p. p.607-627. Cap. 13.
(3) https://es.scribd.com/document/148087695/Familias-de-Circuitos-Integrados-
MOS
(4) https://electronicaradical.blogspot.com/2011/02/logica-mos-tecnologia-
cmos.html
(5) http://es.clasificacion-de-circuitos.wikia.com/wiki/Circuitos_MOS_y_C-MOS