DIODOS Y TRANSISTORES DE

POTENCIA
PRINCIPIOS BASICOS DE
FUNCIONAMIENTO
 CONTENIDO
• Características de los semiconductores de
potencia.
• Definición del Diodo de potencia.
• Características principales del diodo.
• Estudio del diodo:
– Características estáticas.
– Características dinámicas.
– Características de potencia.
• Conexiones de los diodos de potencia.
 SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
• Los semiconductores utilizados en la
electrónica de potencia trabajan como llaves o
interruptores.

• Nuestro interés en ellos radica en conocer:

– Sus características de conducción.
– Sus características de conmutación.
– Los métodos de control sobre ellos.
 SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
• Simbología empleada para describir los
parámetros eléctricos de un semiconductor de
potencia
 DIODO DE POTENCIA
• Es el elemento rectificador de potencia más común.
• Características:
– Presenta dos estados bien diferenciados: corte y conducción.
– El paso de uno a otro no es instantáneo y en dispositivos en los
que el funcionamiento se realiza a  frecuencia, es muy
importante el tiempo de paso entre estados, puesto que éste
acotará las frecuencias de trabajo.

• Márgenes de funcionamiento:
– En conducción pueden soportar una corriente media de 3000A
llegando hasta tensiones inversas de 5000V.

• El Silicio, Si, es el elemento semiconductor más empleado.

 DIODO DE POTENCIA
• Características:
– En conducción es capaz de soportar 
intensidades con  caídas de tensión.
– En inverso soportan  tensiones negativas
entre ánodo y cátodo con  corriente de fugas.

• Inconvenientes:
– Dispositivo unidireccional.
– Único procedimiento de control: Inversión del
voltaje.
• Ecuación característica del diodo: V
VT
VT = k·T/q
i = IS·(e -1)
donde:

• Operación con polarización directa con VO > V >> VT, siendo VO la tensión
interna de equilibrio de la unión:
V
i  IS·e VT (dependencia exponencial)

• Operación con polarización directa con V > VO >> VT:

i  (V-VD)/rd donde VD es la tensión de codo del diodo y rd su

resistencia dinámica

• Polarización inversa con V << -VT

i  -IS (corriente inversa de saturación que es muy pequeña y casi

independiente de la tensión)
 • Curva característica (recta)

i [mA] pendiente = 1/rd

i 1
+ P
ESTADO DE CONDUCCION:
POLARIZACION DIRECTA (exponencial)
V N

-
0
-1 1 V [V]
VD

i [A]
ESTADO DE BLOQUEO:
POLARIZACION INVERSA
0
-1 V [V]

-0,8
(constante)
 • Zona de Avalancha

- +
- +
P +
-- +
+- N
- +
i [A]
-40 V [Volt.]
La corriente aumenta fuertemente si se
producen pares electrón-hueco adicionales 0
por choque con la red cristalina de
electrones y huecos suficientemente
acelerados por el campo eléctrico de la zona
de transición -2
 DIODO IDEAL
En polarización directa, la caída de
tensión es nula, sea cual sea el valor de i
la corriente directa conducida
i
Ánodo
+
V curva característica

Cátodo
- V

En polarización inversa, la corriente conducida

es nula, sea cual sea el valor de la tensión
inversa aplicada
 CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de conducción:
DIODO IDEAL
Ve

Ve RL VS Ve RL VS VS

DIODO REAL Vd rd
Ve

Ve RL VS Ve RL VS VS

V-Vd-r d·id
 CARACTERISTICAS ESTATICAS

Estado de conducción. Parámetros:

Intensidad media nominal (IFAV):
Es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos
senoidales de 180º que el diodo puede soportar con la cápsula
mantenida a determinada temperatura (110º C normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (IFRM):

Máxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por
tiempo indefinido, con duración de pico de 1ms a determinada
temperatura de la cápsula.

Intensidad de pico único (IFSM):

Es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10
minutos o más, con duración de pico de 10ms.
CARACTERISTICAS ESTATICAS
• El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:
- Corriente eficaz máxima IF(RMS)
- Corriente directa máxima de pico repetitivo IFRM
- Corriente directa máxima de pico no repetitivo IFSM
 CARACTERISTICAS ESTATICAS
La caída de tensión en conducción (obviamente) crece con la
ideal
corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente.
rd
V

ID

V
VD
 CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de bloqueo:

Ve RL VS Ve RL VS

Ve

V
VS
 CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de bloqueo. Parámetros:
Tensión inversa de trabajo (VRWM):
Tensión inversa máxima que puede ser soportada por el diodo de
forma continuada sin peligro de avalancha.

Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM):

Tensión inversa máxima que puede ser soportada en picos de 1ms
repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensión inversa de pico único (VRSM):

Tensión inversa máxima que puede ser soportada por una sola vez
cada 10 min o más, con duración de pico de 10ms.

Tensión de ruptura (VR):

Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede destruirse o
al menos degradar sus características eléctricas.
 CARACTERISTICAS ESTATICAS
• El fabricante suministra (a veces) dos valores:
- Tensión inversa máxima de pico repetitivo VRRM
- Tensión inversa máxima de pico no repetitivo VRSM

La tensión máxima es crítica. Superarla suele ser determinante

del deterioro irreversible del componente
CORRIENTE INVERSA EN ESTADO DE BLOQUEO:
•Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensión inversa (poco) y Crece con IF(AV)
de la temperatura (mucho)
Crece con Tj
• Algunos ejemplos de diodos PN
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

 MODELO ESTATICO DEL DIODO

• Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos

escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que
necesitemos.
• Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando
modelos más complejos para programas de simulación.
CARACTERISTICAS DINAMICAS
R
i
a b + Transición de “a” a “b”, es
V2 V decir, de conducción a
V1 bloqueo (apagado)
-
i
V1/R
t
Comportamiento ideal de un
diodo en conmutación
V t

-V2
 CARACTERISTICAS DINAMICAS
Comportamiento real de un diodo en conmutación
R
i i
a b V1/R
+
V2 trr t
V1 V
-
Transición de “a” a “b”, es decir, de
ts
-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)
conducción a bloqueo (apagado)
ts = tiempo de almacenamiento (storage
V
time )
t
tf = tiempo de caída (fall time )
trr = tiempo de recuperación inversa
(reverse recovery time )
-V2
 CARACTERISTICAS DINAMICAS
Tiempo de recuperación inverso:

Tiempo de recuperación
inverso (trr): Instante en que
el diodo permite la
conducción en el sentido
contrario al normal.

Los portadores minoritarios requieren un cierto tiempo para recombinarse con cargas
opuestas y neutralizarse
Tiempo de almacenamiento (ts) t =t +t
rr s f
Tiempo de caída (tf)
Carga eléctrica desplazada (Qrr):
tf
di/dt
IRR
SF 
ts
Factor de suavizado “SF”: Se define como:
CARACTERISTICAS DINAMICAS

Para el cálculo de los parámetros IRM y Qrr podemos suponer los

siguientes casos:
a ) t f  0  t s  t rr d
I RM  t s  id
dt
trr
b ) ts  tf  Qrr 
1
t rr  I RM
2 2
* 1er caso:
Q rr
t rr  2  I RM  2  Qrr  (diD dt
diD dt

* 2º caso: t rr  4 
Q rr I RM  Qrr  (diD dt )
diD dt
 CARACTERISTICAS DINAMICAS
Comportamiento real de un diodo en conmutación
R i
i 0,9·V1/R
a b +
V2 0,1·V1/R
V1 V
td
Transición de “b” a “a”, es decir, de- tr
bloqueo conducción (encendido) tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa (forward recovery time )

El tiempo de recuperación directa genera menos

problemas reales que el de recuperación inversa
• Información suministrada por los
fabricantes
• Corresponde a conmutaciones
con cargas con comportamiento
inductivo

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

 CARACTERISTICAS DINAMICAS
VRRM IF trr

• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 s

• Fast 100 V - 1000 V 1 A – 50 A 100 ns – 500 ns

• Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A – 50 A 20 ns – 100 ns
• Schottky 15 V - 150 V 1 A – 150 A < 2 ns

La velocidad de conmutación (valorada con la trr) ayuda a clasificar los diodos

Las características de todos los semiconductores (por supuesto, también de los

diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)

www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
 CARACTERISTICAS DE POTENCIA
• Durante el ciclo de trabajo del diodo, éste
disipa potencia de dos tipos:
– Estáticas: es decir en sus estados de conducción y
bloqueo. Las pérdidas en estado de bloqueo son
despreciables frente a las de conducción.
– Dinámicas: durante el paso de conducción a
bloqueo y el paso de bloqueo a conducción. La
pérdida más apreciable se produce en la
conmutación de conducción a bloqueo.
 PERDIDAS ESTATICAS
Forma de onda frecuente
iD
iD

ideal

rd Potencia instantánea perdida en conducción:

VD pDcond (t) = vD (t)·iD (t) = (V + rd · iD(t)) · iD(t)

Potencia media en un periodo:

T


1
PDcond  pDcond (t )·dt  PDcond = VD·IM + rd · Ief2
T
0 IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t)
 PERDIDAS EN CONMUTACION

10 A iD
• Las conmutaciones no son perfectas
trr • Hay instantes en los que conviven tensión
y corriente
• La mayor parte de las pérdidas se
t producen en la salida de conducción

3A
Potencia instantánea perdida en la
0,8 V VD salida de conducción:
t pDsc (t) = vD (t)·iD (t) =

Potencia media en un periodo:

trr


1
PD  p Dsc (t )·dt
T
-200 V 0
 TIPOS DE DIODOS
Diodos rectificadores para baja frecuencia:

IFAV: 1A – 6000 A

VRRM: 400 – 3600 V

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

trr: 10 s

Aplicaciones: - Rectificadores de Red.

- Baja frecuencia (50Hz).
 TIPOS DE DIODOS
Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast):

IFAV: 30A – 200 A

VRRM: 400 – 1500 V

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

trr: 0,1 - 10 s

Aplicaciones: - Conmutación a alta frecuencia (>20kHz).

- Inversores.
- UPS.
- Accionamiento de motores CA.
 TIPOS DE DIODOS
Diodos Schotkky:

IFAV: 1A – 120 A

VRRM: 15 – 150 V

VFmax: 0,7V (a IFAVmax)

trr: 5 ns

Aplicaciones: - Fuentes conmutadas.

- Convertidores.
- Diodos de libre circulación.
- Cargadores de baterías.
 TIPOS DE DIODOS
Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión):

IFAV: 0,45A – 2 A

VR: 7,5kV – 18kV

VRRM: 20V – 100V

trr: 150 ns

Aplicaciones: - Aplicaciones de alta tensión.

 TIPOS DE DIODOS
Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente):

IFAV: 50A – 7000 A

VRRM: 400V – 2500V

VF: 2V

trr:10 s

Aplicaciones: - Aplicaciones de alta corriente.

 ENCAPSULADOS DE LOS DIODOS
Ánodo Rectificador
1500V
200V 168A
DO - 5 60A 1.8V

Cátodo
Encapsulado (roscado)
cerámico Schottky
600V/6000A 120A – 150V

Alta Tensión Fast

40.000V 1500V
0.45A 168A
32V (VF) 1.8V
32
ENCAPSULADOS DE LOS DIODOS
AXIALES

DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
CATALOGO DE LOS FABRICANTES
CATALOGO DE LOS FABRICANTES
 TRANSISTORES DE POTENCIA
• En electrónica de potencia, los transistores
son usados como interruptores.
• Los circuitos de disparo se diseñan para que
éstos trabajen en la zona de saturación
(conducción) o en la zona de corte (bloqueo).
• Son totalmente controlables.
• Transistores BJT y los MOSFET.
• Los hay híbridos: IGBT, GTO, COOLMOS.
 TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA
• Más conocido como BJT (Bipolar Junction
Transistor).
• Son interruptores de potencia controlados por
corriente.
• Existen dos tipos NPN y PNP, a pesar que en
electrónica de potencia se usan más los NPN.
• Se controlan por el terminal de base.
• Son utilizados fundamentalmente para
frecuencias por debajo de 10KHz y son muy
efectivos hasta en aplicaciones que requieran
1200V y 400A como máximo.
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL BJT
• Trabaja en 3 zonas bien diferenciadas en función de la
tensión que soporta y la corriente de base inyectada:
– Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. Éste
se comporta como un interruptor abierto, que no permite
la circulación de corriente entre colector y emisor.
– Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y éste
soporta una determinada tensión entre colector y emisor.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de
base, con una constante de proporcionalidad denominada
ganancia del transistor, típicamente representada por las
siglas β y hfe.
– Saturación: se inyecta suficiente corriente a la base para
disminuir la vCE y conseguir que el transistor se comporte
como un interruptor cuasi ideal.
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL BJT
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL BJT
• En Electrónica de Potencia interesa trabajar en la zona
de corte y en la zona de saturación.
• Las diferencias básicas entre los transistores bipolares
de señal y los de potencia son bastante significativas:
– La tensión colector-emisor en saturación suele estar entre
1 y 2 Volts, a diferencia de los 0,2 - 0,3 Volts de caída en un
transistor de señal.
– La ganancia de un transistor de potencia suele ser bastante
pequeña.
• Para evitar esta problemática se suelen utilizar
transistores de potencia en configuraciones tipo
Darlington, para obtener ganancias de corriente
bastante grandes.
CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN
Tiempos de conmutación:

tiempo de excitación o encendido (ton) tiempo de apagado (toff).

 TIEMPOS DE CONMUTACION
* Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el que transcurre desde que se aplica la
señal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la señal de salida alcanza el
10% de su valor.

* Tiempo de subida (Rise Time, tr): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.

* Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts): Tiempo que transcurre desde que
se quita la excitación de entrada y el instante en que la señal de salida baja al 90% de
su valor final.

* Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar
entre el 90% y el 10% de su valor final.
SIMULACION DE LA CONMUTACION
 PD   Pon  Ton  (Woff  Won )  f
VCEsat = 0 IE0 = 0

t2 - t1 = tA=tON = tr t3 - t2 = tB t4 - t3 = Tc = tOFF = tf
La energía perdida en el pulso también la podemos
descomponer como la suma de las energías perdidas
en tA, tB y tC:
W(t) = WA(t) + WB(t) + WC(t)
t2 t3

WA   ic (t )  vce (t )  dt WB   ic (t )  vce (t )  dt
t1 t2
t4

WC   ic (t )  vce (t )  dt
t3

I C(sat)  VCC  t A I C(sat)  VCC  t C

WA  ; WC 
6 6

WB  I C(sat)  VC(sat)  t B

WA  WB  WC
PTOT(AV)  Disipación total de Potencia del BJT
T en conmutación.
 PROTECCION DEL TRANSISTOR
Sobreintensidades:

 Las sobreintensidades están asociadas al periodo de saturación del

transistor. Cuando  Ic, si la tensión VCE es , la disipación de potencia
  y se puede llegar a alcanzar la máxima temperatura de la unión.

¡¡¡ Los fusibles no son utilizables en este caso, ya que, la acción del transistor es
mucho más rápida que la del fusible !!!

Sobretensiones:
 Las sobretensiones están asociadas al periodo de corte del transistor.
Debemos prestar especial atención a la posibilidad de ruptura primaria del
dispositivo, también llamada ruptura por avalancha (cuando se sobrepasa la
tensión máxima permitida)
 TRANSITORIOS
Los transitorios de corriente y de tensión son eliminados mediante inductancias y
condensadores. Las primeras limitan el tiempo de variación de corriente y los
segundos limitan el tiempo de variación de tensión.

Las redes snubber en serie están constituidas por una bobina LS y se usan para
limitar el tiempo de subida de la corriente del transistor dIc/dt en el paso a conducción.
Si la corriente Ic crece muy rápidamente, conforme decrece la tensión VCE puede
darse el fenómeno de ruptura secundaria.

dic I C Vcc
 
Vcc  t r
LS 
dt tr LS IL

La inductancia LS se coloca en serie con la fuente de alimentación Vcc.

Para carga inductiva:
Durante el paso a corte la tensión VCE no debe crecer rápidamente, a medida que la
corriente de colector cae, ya que podría darse el fenómeno de ruptura secundaria.
Una red snubber en paralelo soluciona este inconveniente.
al final del paso a corte VCE = Vcc y dVCE VCE i( t )
  IL  t f
que dt tf CS CS 
Vcc
Circuitos de protección del BJT:

Transitorio encendido -
apagado
 TRANSITORIO ENCENDIDO
vd

Df I0 di
Ls
dt
iLs vCE
DLs
Ls
Cd vd
RLs
iC iC tri trr

- R LSt (b)
(a)
Cuando el transistor pasa i LS (t)  I o  e LS
haciendo i LS (t off )  0.1  I o
a corte, la energía
almacenada en la
inductancia (1/2 LS) se RLS  t off LS  ln 10
disipa en la resistencia ln 10   RLS 
RLS a través del diodo DLS LS t off
con una constante de
tiempo igual a LS/RLS.
 Circuitos de protección del BJT: Transitorio apagado mediante red Snubber
para turn – off ( paso a corte).
Se pretende que conforme aumenta la tensión en el transistor, IC disminuya, para
evitar que el producto sea elevado. Para ello, colocamos un condensador en paralelo
con el transistor, como podemos apreciar en la figura. Este condensador debe
absorber más intensidad cuando la tensión empiece a crecer.

Io  t I 0  I CS  I C
i CS 
tf
1 t Io  t 2
VCS  VCE 
CS 0 iCSdt  2CS  t f
Io  t f
Vd  VCS 
2CS

ton Io  t f
ton  RsCs  RS  CS 
5  Cs 2Vd
TIPOS DE TRANSISTORES BJT
 TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA
D Drenador

El nombre viene dado por las iniciales de los elementos ID

que los componen; Metal - M, Óxido - O, Semiconductor - S. Puerta

G
IG IS

Las aplicaciones se encuentran en la conmutación Vgs

S Surtidor

a altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para controlar

motores, generadores de altas frecuencia para inducción de calor,
generadores de ultrasonido, amplificadores de audio y trasmisores
de radiofrecuencia.

La principal diferencia entre los Transistores Bipolares y los

Mosfet consiste en que estos últimos son controlados por tensión
aplicada en la puerta (G) y requieren sólo una pequeña corriente de
entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son
controlados por corriente aplicada a la base.
Es un dispositivo unipolar: La conducción sólo es debida a
un tipo de portador
 TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA
• Uso como interruptores controlados por D D
tensión.
• Impedancia de entrada elevada: Capacidad.
G G
• Los MOSFET de canal p tienen propiedades S S
inferiores. ID Canal N Canal P
D

VDS Surtidor Óxido Puerta

G
VGS S
n n n n
• Un MOSFET de potencia se p p
compone de muchas células de n-
enriquecimiento conectadas en n
paralelo.
Drenador
• La conducción se hace con
portadores mayoritarios.
 VENTAJAS Y DESVENTAJAS
Ventajas de los Mosfet frente a los BJT:
La velocidad de conmutación para los Mosfet está en el orden de los
nanosegundos, por esto son muy usados en convertidores de pequeña
potencia y alta frecuencia.
Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura (coeficiente positivo
de temperatura).
Mayor área de funcionamiento.
Mayores ganancias.
Circuito de mando más simple.
Alta impedancia de entrada.

Inconvenientes de los Mosfet:

Son muy sensibles a las descargas electrostáticas y requieren un embalaje
especial.
Es relativamente difícil su protección.
Son más caros que sus equivalentes bipolares.
La resistencia estática entre Drenador-Surtidor, es más grande, lo que
provoca mayores perdidas de potencia cuando trabaja en Conmutación.
 TIPOS DE MOSFET
S G D
Mosfet de Deplexión o empobrecimiento.
N+ N+
Existe un canal por el cual circula la corriente P-
aunque no se aplique tensión en la puerta.
+

Mosfet de Acumulación o enriquecimiento (enhancement).

El canal por el cual circula la corriente se crea cuando se le aplica

una tensión en la puerta.

Canal N D Canal P
Conducción debida a
G electrones G
S S
Conducción debida a
huecos
Los más usados son los MOSFET de canal N
La conducción es debida a los electrones y por tanto, son más rápidos
 REGIONES DE TRABAJO
VGS-VGS(th)>=VGS(th) PON  i 2D  R DS(ON)
RDSon
VGS-VGS(th)<VGS(th) Cuanto más baja
es la resistencia,
mejor es el
transistor
Este parámetro está
directamente
relacionado con la
tensión de ruptura y con
la capacidad de manejar
corriente

VGS<VGS(th) VDS RDSon

ID RDSon
 EJEMPLOS DE MOSFETS COMERCIALES
VDS ID RDSon

IRF 3205 55 V 110 A 8 m

IRF 1405 55 V 169 A 5.3 m

IRF 520 100 V 10 A 180 m

IRF 3710 100 V 75 A 25 m

IRF 540 500 V 8A 850 m

IRFP 460 500 V 20 A 270 m

IRFPG 30 1000 V 3A 5

IRFPG 50 1000 V 6A 2
 MODELO ESTATICO DEL MOSFET

La transconductancia gm se define como:

La resistencia de salida, ro = RDS, se define como:

 CARACTERISTICAS ESTATICAS
• Cuando VGS es menor que el valor umbral, ID
VGS,TH, el MOSFET está abierto (en corte). Un D
valor típico de VGS,TH es 3V. P  RON  ID2
VDS
• VGS suele tener un límite de ±20V. G

• Cuando VGS es mayor de 7V el VGS S

dispositivo está cerrado. Suele
I PMAX A
proporcionarse entre 12 y 15 V para VGS=15 v
minimizar la caída de tensión VDS. D V a
ID,MAX VGS=12 l
• Cuando conduce se comporta, V a
estáticamente, como una resistencia: C VGS=7V n
RON. e c
r h
• En un MOSFET de potencia suele r a
a SOAR
ser más limitante RON que el máximo d
de corriente. o
VGSVGS,TH
• Conociendo RON las pérdidas se VD
pueden calcular con el valor eficaz Corte VDS,MAX
S
de la corriente al cuadrado.
CONMUTACION DEL MOSFET
 CONMUTACION DEL MOSFET
1.- Entrada en
conducción.

2.- Salida de conducción.

Efecto Miller
Efecto Miller
VGG VGG
10% VGS
10% VGS
VDS ID VDS
90% ID
VDD 90%
IDMAX IDMAX VDD
10% 10%
t t
tD(on) tR tD(off)tF
tON tOFF
 CONMUTACION DEL MOSFET
• La potencia instantánea es mayor que en corte
o en zona óhmica.
• Interesa que el transitorio sea lo más rápido
posible, para reducir pérdidas.
• La conmutación consiste en la carga o
descarga de los condensadores de entrada.
• La velocidad de conmutación depende de la
velocidad de carga o de descarga de esas
capacidades (IG de pico de 2 a 3 A).
 TIEMPOS DE CONMUTACION
• El retardo de encendido td(enc) es el tiempo
necesario para cargar la capacitancia de entrada
hasta el valor del voltaje umbral.
• El tiempo de subida tr es el tiempo de carga de la
compuerta, desde el nivel de umbral hasta el
voltaje total de compuerta VGSP, que se requiere
para activar al transistor hasta la región lineal.
• El tiempo de retardo de apagado td(apag) es el
necesario para que la capacitancia de entrada se
descargue desde el voltaje de sobresaturación V1
hasta la región de estrechamiento.
 TIEMPOS DE CONMUTACION
• El voltaje VGS debe disminuir en forma
apreciable antes de que V comience a subir.
• El tiempo de caída tf es el necesario para que
la capacitancia de entrada se descargue desde
la región de estrechamiento hasta el voltaje
de umbral.
• Si VGS ≤ VT, el transistor se desactiva.
PARAMETROS DE SELECCIÓN DE MOSFETS

• Tensión de ruptura
• Corriente máxima
• Tensión drenador - fuente

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

250 V 600 V
300 V 900 V

(Poco usuales) 1200 V

 ENCAPSULADOS

Semitop 2 Semitrans 1 Semitrans 2

TO220 TO247 TO3

 SKM180A
IRF540
CIRCUITOS DE EXCITACION
COMPARACION BJT - MOSFET
SIMULACION DEL TRANSISTOR BJT
MEDIR LOS TIEMPOS DE ENCENDIDO Y APAGADO DEL TRANSISTOR BJT TIP41C

CONDICIONES:
• Voltaje de entrada, señal
cuadrada de valor 0/5V.
• Frecuencia: 1 KHz.
• Tensión de alimentación: 10V.
• Tiempo de simulación: 2ms.
FORMAS DE ONDA
TIEMPO DE RETRASO

Td = 936 [nseg]
TIEMPO DE CRECIMIENTO

tr = 3.24 [µs]
tON = td + tr = 0.936 + 3.24 = 4.176 [µs]
TIEMPO DE ALMACENAMIENTO

tS = 11.1 [µs]
TIEMPO DE APAGADO

tS = 11.3 [µs]
tOFF = tS + tF = 11.1 + 11.3 = 22.4 [µs]
VOLTAJES EN LA BASE Y C – E
TIEMPO DE APAGADO

tON = 22.4 [µs]