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La Física del estado sólido constituye una parte importante de la Física cuántica. Con
su ayuda podemos comprender las propiedades mecánicas, térmicas, eléctricas, mag-
néticas y ópticas de la materia en sus tres estados conocidos. Aquí estudiamos algunas
propiedades de las sustancias sólidas.
LIQUIDOS
monocristales
MATERIA
CONDENSADA policristales
SÓLIDOS:
amorfos.
2
La existencia de un estado u otro de la materia depende de las
condiciones de presión (P), y temperatura (T) en las que se forma-
ron.
El gráfico muestra un diagrama de fases P-T a Volumen constante.
P -En los estados sobre las
líneas coexisten ambas
ión
fases.
Liquido, L
fus -Si se calienta una sustancia a P
Sólido, S ón constante, se puede pasar por una
aci
(a) oriz secuencia de estados (cambios de
p
va fases). La doble flecha a trazos (a)
ión
indica que podemos pasar del estado
c
l i ma Gas, G S al L si calentamos en torno al punto
b
su de fusión y del estado L al S si enfria-
mos. Mientras el sólido funde su tem-
peratura se mantiene constante.
T
La grabación y lectura en CD y DVD que veremos está relacionada
3
con el de cambio de fase y otras propiedades de los sólidos.
En el diagrama P-T se observa que a altas presiones y bajas
temperaturas predomina el estado sólido, mientras que a bajas
presiones y altas temperaturas el estado gaseoso.
En un modelo de sólido en el que los átomos están conectados
entre sí mediante muelles, la energía interna del sólido se com-
pone de energía potencial elástica de sus átomos y energía
cinética. La presión es una medida del grado de compresión de
sus átomos y la temperatura una medida de su energía cinética
interna.
4
ESTRUCTURA CRISTALINA
Los sólidos se clasifican según se estructura cristalina que
está caracterizada microscópicamente por la agrupación de
iones, átomos o moléculas según un modelo de repetición
periódica.
El concepto de periodicidad es sencillo de entender si
pensamos en los motivos de una alfombra oriental, dibujos
de la Alhambra, una formación de tipo militar ...
5
Red cristalina y celdilla unidad.
Si nos fijamos con detenimiento, en estos dibujos hay
siempre una fracción de los mismos que se repite. Pues
bien, en los cristales, los átomos, los iones o las moléculas
se empaquetan dando lugar a motivos que se repiten desde
cada 5 Å hasta las centenas de Å (1 Ángstrom, Å = 10-10 m),
y a esa repetitividad, en tres dimensiones, la denominamos
red cristalina. El conjunto que se repite, por traslación
ordenada, genera toda la red (todo el cristal) y lo denomina-
mos celdilla elemental o unidad
red : conjunto de puntos con repetición periódica.
motivo: átomos, iones o moléculas asociados a los nudos de la
red. el motivo que se repite, puede describirse por
un punto (el punto reticular) que representa a todos
y cada uno de los constituyentes del motivo. Por
ejemplo en el dibujo anterior cada soldado repre-
6
senta un punto reticular.
estructura cristalina: distribución real de los átomos en el espacio.
Red + motivo Estructura cristalina
celda unidad: la unidad mas pequeña que se repite para formar la
red
Importancia de la celda unidad: A partir de ella podemos en-
contrar las propiedades del cristal en su conjunto. Por ejemplo,
distancia entre átomos más próximos, número de átomos por
metro cúbico, fuerzas que mantienen la red junta, propiedades
mecánicas y eléctricas, etc.
Redes de Bravais.
Existen 14 tipos de redes cristalinas y se conocen con el nombre
de redes de Bravais. Sólo veremos las redes cúbicas.
P I F 7
bcc fcc
bcc fcc
b
En realidad los átomos no están tan a
separados sino lo más próximo
posible, como se observa en la
estructura fcc. Obsérvese que las
tres bolas indicadas por la recta ab 8
son tangentes.
p: primitiva o cúbica simple, de forma que a cada punto reticular
de la misma se le asocia un átomo. Por tanto, hay un átomo en
cada vértice. El polonio presenta esta estructura.
bcc: red espacial cúbica centrada en el cuerpo, de forma que
a cada punto reticular de la misma se le asocia un átomo. Por
tanto, hay un átomo en cada vértice de la celdilla cúbica y otro
en el centro de dicha celdilla. Como ejemplo de metales que
adoptan esta estructura se pueden citar el Na, K, Cr, Mo, W y
Fe-α
fcc: Cúbica centrada en las caras. Asocia un átomo por cada
punto reticular de la misma. Por tanto, hay átomos en los
vértices y en los centros de las caras de dicha celdilla cúbica.
El Al, Cu, Au, Ag y Ni son ejemplos de metales que adoptan
esta estructura.
Redes de Bravais
9
Estructura tipo Silicio: dos redes ffc desplazada una de otra en
la dirección de la diagonal principal (a/4, a/4, a/4), siendo a la
arista del cubo.
a/4
a/4
a/4
10
Representación planar
de la estructura del Si.
Obsérvese que es la
estructura real vista, por
ejemplo, desde arriba.
11
Número de átomos que contiene una celda unidad, nC:
nV nF
nC = + nI +
8 2
nV, nº de átomos en vértices. A cada celda corresponde 1/8.
nI, nº de átomos en el interior.
nF, nº de átomos en las caras. A cada celda corresponde 1/2
12
Determinación del nº de átomos por metro cúbico de las estruc-
turas estudiadas.
a) estructura cúbica simple.
El número de átomos de la celda unidad es nC = 1. Visto desde
un lateral se observa que la distancia interatómica, d, separación
entre átomos más próxima es d = 2R = a siendo R el radio atómico
y a la arista del cubo.
La vista desde un lateral sería equivalente a la de la figura.
nC 1 1030
n= = 3 = 3
(a ×10 ) −30
átomos/m3
−10 3 a ×10 a
13
b) Estructura cúbica centrada en el centro (bcc).
En este caso nC = 2. El átomo interior estaría tangente a los
8 átomos de los vértices. La distancia interatómica, es d = 2D y se
relaciona con la arista del cubo teniendo en cuenta que las 3 esfe-
ras son tangentes en la dirección de la diagonal principal del cubo
D, de manera que a partir del teorema de Pitágoras resulta:
D 2 = a 2 + a 2 + a 2 = 3a 2
D = 2d D 2d
a= =
D 3 3
R d el nº de átomos n = 2 2 ×1030
=
por m3,n, vale: (
a × 10 −10 )3
a3
a (Å)
Obsérvese ahora que los
átomos visto desde un plano
lateral no se tocan. 14
a
c) Estructura cúbica centrada en las caras.
En este caso nC = 4. La vista lateral de la estructura sería la de la
figura. La distancia interatómica es d y su relación con a es:
( 2 d ) 2 = 2a 2
2d
d a=
2
a
15
d) Estructura tipo Si, Ge, diamante.
d d = 3(a / 4)
2 2
a/4
El nº de átomos por m3, vale:
a
8 8 ×10 30
n= −10 3
=
(a ×10 ) a3
16
ANISOTROPIA.
Es la dependencia que presentan ciertas propiedades físicas de
una sustancia con respecto a la dirección espacial. La causa de
ello es la disposición ordenada de los átomos. Por eso la aniso-
tropía es característica de los cristales. Sólo muy pocas propie-
dades físicas, en los cristales, no depende de la dirección, como
le ocurre a la densidad y al calor especifico. En estos casos se
dice que presentan isotropía. Desde un punto de vista matemáti-
co las propiedades anisótropas se caracterizan mediante vecto-
res y otras magnitudes mas complejas.
Una de las propiedades que más nos interesa es la anisotropía
óptica. Ello supone una manifestación de distintas propiedades
ópticas del medio dependiendo del sentido de propagación de la
luz en su interior. Por ejemplo, el índice de refracción de un medio
va a depender de la dirección espacial del cristal y de que ese
medio pueda convertirse mediante un cambio de fase en un
sólido amorfo. Este hecho juega un papel fundamental en la
17
grabación y lectura en CD y DVD regrabables.
CD-RW y DVD-RW
CD-RW son las siglas de CD ReWritable. Los discos CD-RW
están construidos de tal forma que es posible grabar encima de
datos viejos.
(hendidura)
19
Funcionamiento.
Originalmente la capa de grabación de un CD y de DVD regraba-
bles es policristalina.
20
Borrado: Las zonas amorfas que interesen de la pista son
devueltas a la fase cristalina calentando con un láser de menor
potencia (4 a 8 mW) de manera que pone esa zona a una tem-
peratura del orden de los 200 ºC (temperatura de cristalización) y
dejándola enfriar más lentamente pasa a fase policristalina. Si ya
estaba en esta fase continua igual.
Lectura: El láser es de potencia 10 veces menor y va leyendo el
disco de manera que las zonas policristalinas reflejan mucho com-
paradas con las zonas amorfas. Esa transición de reflectividad
es la que determina los “1”, junto a la longitud del período entre
las transiciones, de manera análoga a como en los CD-ROM los
determinaban las transiciones entre los lands y los pits.
21
La potencia del láser para cada acción se refleja en el
siguiente gráfico:
22
Aspecto original de la publicación realizada por Phillips
23
• Igual que los CDs, los DVDs utilizan una pista
de pits conteniendo información binaria en el
disco, la cual es leída por un dispositivo
óptico. El DVD tiene las mismas dimensiones
que un CD, pero mucha mayor capacidad y
razón de transferencia de datos.
• Las diferencias entre DVD y CD
– Separación entre pistas: DVD = 0.74µm v. CD = 1.6µm
– Longitud mínima de un Pit: DVD = 0.4µm v. CD = 0.84µm
24
DVD-ROM y CD-ROM
25
Diferencias CD-ROM / DVD
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Todos los formatos de grabación se basan en el mismo principio: la tecnología de
cambio de fase. Sólo los DVD-RAM, además del sustrato del disco, utiliza
zonas magnéticas para guardar parte de la estructura de los datos.
Hoy en día el único formato de DVD regrabable compatible con los lectores de
DVD-Vídeo de salón es el DVD+RW
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¿Qué sistema de grabación elegir de los que existen en el
mercado?
Cualquiera de ellos le va a ofrecer una solución de almacenamiento de alta
capacidad con discos regrabables, pero adquirir una tecnología que pueda quedar en
desuso en poco tiempo no parece buen negocio. El formato DVD-RAM no parece
que vaya a imponerse sobre sus competidores. Su futuro está más orientado a
convertirse en una solución profesional de almacenamiento masivo. Sobre los otros
dos sistemas DVD-RW y DVD+RW no se puede realizar un pronóstico fiable. Ambos
tienen ventajas e inconvenientes propios, pero ninguno de ellos es tan definitivo o
excluyente como para decantarse por alguno de estos formatos.
Sus tecnologías de grabación son fácilmente incorporables en los futuros lectores, y
los soportes en los dos casos disponen de la capacidad estándar de 4,7 GB para
DVD-Vídeo, con discos que no requieren protección externa, como en el caso del
DVD-RAM.
Lo ideal para el usuario sería que hubiese un nuevo consenso entre empresas como
ocurrió en su día con el DVD, aunque tampoco parece probable, ya que lo que está
en juego es la propiedad de un sistema que, además de las enormes ventas que
puede tener en el sector informático, está llamado a convertirse en el heredero de los
sistemas de grabación de vídeo doméstico VHS.
Si puede esperar un año hágalo, se habrá aclarado la situación porque habrá habido
un vencedor. A lo mejor no sale elegido el mejor sistema pero si el que es
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comercialmente mas fuerte, como ocurrió con el sistema BETA y VHS.
2. Modelo clásico del electrón libre. Gas de electrones.
Un modelo que explica la conducción en metales desde la perspectiva de la Física
clásica es el modelo de Drude (1900). Debido a que los electrones de conducción
son los que provienen de las órbitas más externas de los átomos que forman el
metal y están distribuidos en el espacio que existe entre los átomos, se les conoce
como nube o gas de electrones.
Hipótesis del modelo:
(a) El metal está formado por una red de iones con electrones de valencia moviéndose
libremente a su través con la única condición de que no escapen. Están inmerso
en un pozo de potencial finito.
(b) Los electrones de valencia (conducción) no interaccionan entre ellos, son por ello
independientes. Además se considera que la energía potencial de la red de iones
es constante en cualquier punto que se considere, por lo que el fondo del pozo
de potencial es plano.
(c) En ausencia de campo eléctrico aplicado los electrones se mueven al azar debido
a la agitación térmica con velocidades que dependen de la temperatura.
(d) Al aplicar un campo eléctrico E, los electrones adquieren una velocidad opuesta al
campo, va, generándose una densidad de corriente J.
E ≠0
va ≠ 0, J ≠ 0
- 30
-
E = 0, va = 0, J = 0
E>0
dN/dE
+ + + + φe
+ + + +
+ + + +
EP <0 EC E
La figura representa la red de iones positivos que están en posiciones fijas del cristal.
Los electrones se mueven libremente entre los iones y colisionan con ellos. Debido a
la agitación térmica se mueven al azar mientras no exista campo E aplicado. Tampoco
pueden escapar libremente porque el conductor quedaría cargado positivamente atra-
yéndolos de nuevo. Se dice que están en un pozo de energía. Estos electrones poseen
energía cinética, EC. Algunos de ellos poseen energías elevadas, otros más pequeñas.
Los que poseen más energía son los que lo tienen más fácil para salir del pozo. La
energía mínima necesaria para que un electrón libre salte la barrera de potencial se
denomina energía de extracción o función de trabajo del metal, φe, y se mide en eV.
Suele valer entre 1 y 10 eV. Se suele medir mediante el efecto fotoeléctrico.
La figura también nos muestra como se distribuyen las energías de los electrones por
intervalos de energía. Vemos que existen muchos electrones con poca energía y muy
pocos con mucha energía. Esta forma de distribución siguen la estadística clásica de
Maxwell- Boltzmann. Cuando se tengan en cuenta hipótesis cuánticas veremos que 31 no
siguen este tipo de distribución energética, sino la estadística de Fermi-Dirac.
La densidad de corriente se determina fácilmente teniendo en cuenta que al aplicar
el campo E los electrones adquieren una fuerza F = -eE = mea y por tanto poseen
una velocidad de arrastre debido al campo, va = a τ, siendo τ el tiempo medio que tarda
el electrón entre colisión y colisión con los iones de la red. Por todo ello tenemos:
− eE e 2 nτ
J = −env a = −en τ= E = σE
me me
que es la conocida ley de Ohm.
e 2 nτ
siendo σ= (Ω-m)-1
me
La conductividad, σ, es una de las magnitudes que varían más ampliamente en los ma-
teriales, de tal forma que la conductividad del Cu en relación a la del diamante llega a
ser del orden de 1028. Algunos valores de la conductividad a temperatura ambiente en
unidades de (Ω-m)-1 son:
va
µ= (m2/V·s) de manera que: v a = µE
E
así la densidad de corriente J para portadores de carga, q, es:
J = qnv a = qnµE = σE
de forma que la conductividad se puede expresar como:
σ = qnµ
o bien recordando que el coeficiente Hall, RH = 1/qn, resulta: σ = µ/RH
σ = q ( nµ n + pµ p )
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3. Modelo cuántico del electrón libre; pozo de potencial tridimensional; estadística
de Fermi-Dirac.
El modelo de Drude fue capaz de explicar la ley de Ohm y otras leyes, pero falló al
intentar explicar la variación que la conductividad experimenta con la temperatura. Este
modelo predice que la conductividad es proporcional al inverso de la raíz cuadrada de
la temperatura absoluta, σ ∝ 1 / T , cuando la experiencia demuestra que σ ∝ 1 / T .
El fallo de esta predicción y de otras encontradas tiene su origen en que los electrones
son partículas cuánticas y no obedecen la distribución estadística de Maxwell-Boltzmann.
Sommerfeld (1928) desarrolla el modelo cuántico del electrón teniendo en cuenta los
principios de la mecánica cuántica. Añadió al modelo clásico de Drude dos hipótesis fun-
damentales:
(a) Los electrones deben ser tratados según la mecánica cuántica. Se rigen por la Ecua.
de Schrödinger tridimensional y verifican la estadística de Fermi-Dirac.
(b) Obedecen los principios de Pauli y de Heisenberg.
Además de estos principios cuánticos, se considera que los electrones, como en el
modelo clásico son libres, esto es, no interaccionan entre sí. También se consideró que
el potencial electrostático en el interior de la red de iones era independiente de la posi-
ción elegida. Por ello es como si los electrones estuviesen en un pozo de potencial de
fondo plano pero con una distribución de energías muy diferentes a las consideradas
por el modelo de Drude.
34
Las energías de los electrones en un pozo tridimensional deben seguir siendo aná-
logas a las del pozo monodimensional, de forma que si se considera un pozo cúbico
de lado L, la energía vale:
h 2π 2 2
En1 ,n2 ,n3 = 2
( n1 + n 2
2 + n 2
3)
2me L
El estado fundamental se caracteriza por valer 1 los tres números cuánticos corres-
pondientes a las tres direcciones espaciales. Así E1,1,1 = 3 E0, donde E0 vale:
h 2π 2
E0 =
2me L2
Por el principio de Pauli en ese estado de energía sólo puede haber como máximo
dos electrones, uno con espín 1/2 y otro con espín -1/2. El siguiente electrón, debe
estar en otro estado de energía superior. Ese otro estado puede ser: (1,1,2), ó (1,2,1),
ó (2,1,1), ya que para todos ellos la energía vale lo mismo, es decir, 6E0. Son estados
degenerados pues les corresponde la misma energía pero se representan por funciones
de onda de materia distintas. De esta forma se van rellenando de electrones los estados
de energía en un sólido, de acuerdo con los principios cuánticos.
35
Energía de Fermi: Representa la energía cinética más alta ocupada por los electrones
a cero grados kelvin. Es relativamente fácil demostrar a partir de todo lo expuesto que
la energía de Fermi a cero Kelvin vale:
2
h 3n
2
(
h2
)
3 2
EF = esta expresión es equivalente a estas otras: E F = 3nπ 2 3
8me π 2
2me
h 3n 3
2
EF =
2me 8π
Como puede observarse la energía de Fermi es proporcional a la concentración de
electrones que posee el material elevado a dos tercios. En la figura se observa como
se van rellenando los niveles de energías discretos con 9 electrones a diferencia de cómo
era en el modelo clásico.
37
¿Qué ocurre para temperaturas superiores a cero Kelvin?
En este caso el número de electrones, dn(E), disponibles con energías comprendidas
entre E y E+dE va a depender de dos factores:
(a) del número de estados posibles entre E y E+dE, esto es: dN(E) = g(E)dE
(b) de la probabilidad de que esos estados de energía estén ocupados. Esta función
de probabilidad viene determinada por la estadística de Fermi-Dirac, fF (E), de forma
que el número de electrones que hay en un nivel de energía dE vale:
dn(E) = g(E)·fF(E)dE
1
fF = E − EF
e k BT
+1
Nos da la probabilidad de que un estado de energía E este ocupado, kB es la constan-
te de Boltzmann y vale 8,62×10-5 eV/K y T la temperatura absoluta. Naturalmente
como la suma de que un estado de energía E esté ocupado con la probabilidad de que
esté vacante debe ser la unidad, también sirve para determinar la probabilidad de que
los estados estén vacantes: focupados + fvacantes = 1. 38
La probabilidad de encontrar un electrón con energía E = EF independientemente de
la temperatura es 1/2, ya que el exponente E – EF de la exponencial se anula. Por esta
razón otra definición de energía de Fermi es que representa aquella energía para la
cual la probabilidad de que el estado esté ocupado es 1/2 independiente de la tempe-
ratura del material. La energía de Fermi juega un papel importante en la caracterización
de materiales.
Estudiemos los valores que puede tomar la función de distribución de Fermi a T = 0 K.
1 1
fF = E − EF
= ∞ =0
(a) para E > EF
e +1
e k BT
+1
1 1
fF = E − EF
= −∞ =1
(b) para E < EF
e +1
e k BT
+1
Esto significa que para T = 0 K, los estados de energía por debajo del nivel de Fermi
están ocupados por electrones, y por encima de éste nivel están vacantes.
Para valores de T > 0 K, si el sólido posee una energía térmica definida por la expresión:
U = kB T
39
y el nivel del estado energético que estamos analizando vale E = EF – 2kBT, la proba-
bilidad de que ese estado esté ocupado vale:
1 1
fF = E − EF
= −2
= 0,88
e +1
e k BT
+1
Si la energía del estado es E = EF + 2kBT, la probabilidad de ocupación vale:
1 1
fF = E − EF
= 2 = 0,12
e +1
e k BT
+1
Todos estos resultados obtenidos se pueden expresar gráficamente:
fF(E)
E = EF – 2kBT
T=0K
1
T>0K
1/2
E
EF 40
E = EF + 2kBT
Como puede observarse en la gráfica sólo aquellos electrones con energías próximas
a la de Fermi tienen probabilidad de pasar a estados de energía superiores EF pero
con poca probabilidad.
E E
EF E
EF
Según este nuevo modelo, cuando se aplica un campo eléctrico, E, todos los electrones
reciben energía externa del campo. Los electrones adquieren una velocidad de arrastre
de sentido opuesto al del campo. Esto da lugar a un incremento de energía que será
positivo o negativo dependiendo del sentido de movimiento del electrón en el interior del
campo porque éste podría acelerarlos o frenarlos. Los electrones que ganan energía
colisionan con los iones de la red. En este momento se dispersan y sólo los estados
próximos al nivel de Fermi poseen estados vacantes para poder ser ocupados por estos
electrones. Los electrones de energía inferior a EF continúan ganando energía hasta que
41
de nuevo se dispersan por colisión con la red y vuelven a ocupar estados de energías
que fueron desocupados previamente por otros de manera que nunca se viole el
principio de exclusión e Pauli. De esta forma todos los electrones de valencia intervienen
en el proceso de conducción cuando se aplica un campo eléctrico. El asunto es muy
diferente si de lo que se trata es de activar los electrones mediante calentamiento. En
ese caso sólo los electrones de valencia con energías próximas a las del nivel de Fermi
son los que se ven afectados y podrán ocupar estados de energías vacantes por encima
de EF. Los electrones alejados del nivel de Fermi no se verán afectados fácilmente.
2 EF
vF =
me
42
Sin embargo el modelo es incapaz de explicar porqué los materiales se comportan como
conductores, aislantes y semiconductores. Por ello hizo falta un modelo conocido como
modelo de bandas de energías que en esencia es el que utilizamos actualmente para
poder explicar la conducción en los sólidos habituales y que también explica el compor-
tamiento de las uniones entre los mismos. Esto es esencial porque sino no podríamos
explicar el funcionamiento de los dispositivos de unión PN, como diodos, transistores,
dispositivos láser, etc.
ψs = ψA+ ψB
ψs2
ψa2
45
(b) Dos átomos muy próximos. ¿Qué ocurre cuando se aproximan?
Los dos pozos de potencial que los representan se aproximan y las dos soluciones de
la ecuación de onda de materia, simétrica y antisimétrica en el estado fundamental
toman la forma representada en la figura.
ψA ψB ψA
ψB
ψs = ψA+ ψB ψa = ψA- ψB
Como hemos estudiado, si los átomos están muy separados la energía de un nivel
particular es la misma en cada átomo. Cuando los átomos se aproximan entre sí, el
nivel de energía en cada átomo cambia debido a la influencia del otro átomo. Lo que
se ha mostrado para dos átomos se podría haber hecho para tres, cuatro, o N átomos.
En la siguiente figura se muestra un esquema del desdoblamiento de niveles para el
caso de seis átomos en función de la separación de los mismos.
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Si tenemos N átomos idénticos, un nivel determinado de un átomo aislado se divide
en N niveles energéticos distintos, pero muy próximos, cuando los átomos se aproximan
para formar un cristal. En un sólido, N es un número muy grande, del orden de 1022
átomos por cm3, de modo que cada nivel energético se divide en un número muy grande
de niveles llamado banda de energía. Por ello los niveles dentro de una banda están
tan próximos que la energía varia de forma casi continua.
Hay necesidad de buscar otros parámetros para representar estados de los electrones
en un cristal, distintos a los números cuánticos n, ℓ y m ℓ, que son adecuados para los
electrones ligados a átomos aislados.
48
En la figura se muestra un esquema del desdoblamiento de niveles de energía de un
conjunto de N átomos que forman un cristal, en función de la separación r entre
átomos próximos. La zona de la derecha corresponde a átomos muy separados entre
sí, prácticamente aislados. Esta situación se mantiene hasta que la distancia entre
átomos es del orden del diámetro de las órbitas externas que corresponden a los
niveles de mayor energía. Al ir aproximando más y más los átomos podremos decir
que los electrones comienzan a pertenecer al conjunto de átomos y la especificación
de su estado deberá hacerse en función de un parámetro que tenga en cuenta la
estructura cristalina. En la figura a representa la separación en la estructura cristalina
estable.
E
Banda 3 E3a
Banda 2 E2a
E1a
Banda 1
a r
Obsérvese en el esquema que las bandas de mas baja energía correspondiente a los
niveles de menor energía del átomo en la red, son mas estrechas y están llenas de
electrones ligadas al átomo y por eso se desdoblan menos que las bandas de energía
mas altas donde los electrones de los orbitales atómicos más externos se solapan y
49
forman una banda más ancha.
Desde el punto de vista de la conducción sólo nos interesa las dos últimas bandas.
Estas se conocen como banda de valencia, (BV), y banda de conducción, (BC),
separadas por un intervalo de valores de energías no permitidos para los electrones
del sólido, que se llama banda prohibida, (BP).
BC
Anchura de la BP, Eg BP
BV
BC BC BC
Eg BC BP Eg
BP BP Eg
BV BV BV BV
(1) Conductor típico. La BV está sólo está parcialmente llena, de modo que los electro-
nes pueden fácilmente excitarse a estados energéticos próximos por la acción del cam-
po eléctrico externo, E, debido a que existen muchos estados vacíos. Puede decirse
en este caso que la BV es de hecho un banda de conducción. Ejemplos: Cu, Na, etc.
en el caso del Na, Z = 11, su configuración electrónica sería: 1s2 2s2p6 3s1
Un esquema de ocupación de sus bandas por los electrones en un cristal de Na formado
por N átomos sería:
3s EF La banda superior 3s, está semillena,
N por ello el Na es monovalente. La banda
6N 3s es la banda de conducción del Na.
E 2p
2s 2N 51
1s 2N
(2) Conductor con su BV saturada, pero solapada con la BC. Las dos bandas forman
una banda de conducción-valencia que está sólo parcialmente llena. Ejemplo: el Mg,
de número atómico Z = 12. Veamos su configuración electrónica y su estructura de
banda:.
1s2 2s2p6 3s2
(3) Aislante, en ellos la BV que está completamente llena a T = 0 K está separada por
una BP muy grande de la BC que posee estados energéticos vacíos. A temperaturas
ordinarias muy pocos electrones pueden excitarse y pasar a la BC. La mayoría no puede
hacerlo porque la energía que poseen por excitación térmica es insuficiente para poder
saltar la gran anchura energética de la BP, Eg. Al mismo tiempo si se aplica un campo E
de valores normales los electrones no pueden acelerarse, ya que no hay estados de
energía disponibles en la BV y la energía que podría suministrar un campo E .normal es
insuficiente para superar Eg. Si se observa una pequeñísima conductividad es debida
a los pocos electrones que saltaron la barrera Eg por excitación térmica. De otro lado
52 si
el campo E es suficientemente intenso como para que un electrón supere la BP hasta
alcanzar la BC, entonces es que se ha producido la ruptura dieléctrica.
(4) Semiconductor, en ellos la BV y la BC están separadas por un intervalo de energía
prohibido, Eg, que es pequeño comparado con el del aislante. A temperatura T = 0 K,
la BV está llena y la BC vacía, y el semiconductor se comporta como un aislante. A
temperaturas ordinarias, existe un número importante de electrones que por excitación
térmica han superado la pequeña BP del material semiconductor. La BP para el Si y
el Ge, semiconductores típicos es del orden de 1 eV. En presencia de un campo E, los
electrones de la BC, que ya están en ella por excitación térmica, pueden acelerarse
ya que existen estados energéticos vacantes próximos. Estos materiales son semicon-
ductores intrínsecos. En ellos por cada electrón que existe en la BC es porque se ha
producido la rotura de un enlace en la BV próxima, produciéndose un enlace incom-
pleto al haber superado el electrón la BP. En ese caso se dice que se ha generado un
hueco en la BV. Esto hace que al haber quedado en la BV un hueco si se aplica un
campo eléctrico, otro electrón en la BV pueda ocupar el hueco y así se genera otro
hueco en el lugar donde estaba el electrón. Todo ello ocurre en la BV. De manera que
ahora la corriente es doble, por un lado la de electrones en la BC y la electrones que
también ahora se pueden excitar en la BV. Ambas corrientes contribuyen a la corri-
ente eléctrica. Sin embargo la corriente de electrones en la BV se describe más fácil-
mente como el movimiento de huecos en la dirección del campo, esto es, opuesto al
movimiento de los electrones. El hueco actúa así como una carga positiva. .
53
Podemos visualizar la conducción por huecos si imaginamos una calle de una sola
dirección con dos carriles, uno llenos de coches aparcados y el otro vacío. Si un
coche pasa del carril lleno al vacío, se mueve libremente hacía adelante y el del
espacio vacío hacia atrás en sentido opuesto al sentido del movimiento de los coches.
Ambos movimientos, el del coche en el carril vacío hacia delante y el del espacio
vacío hacia atrás contribuyen a la propagación neta de los coches hacia delante.
BC (4)
BV (1) (2) (3) (4) (5) (1) (2) (3) (h) (5)
(a) (b)
BC (4) (4)
BV (1) (2) (h) (3) (5) (1) (h) (2) (3) (5)
(c) (d)
(a) Toda la fila del carril inferior está ocupada.
(b) Se genera un hueco, un coche sale hacia adelante.
(c) El coche (3) pasa a ocupar el hueco y se desplaza el hueco hacia atrás.
(d) El coche (2) se traslada hacia adelante y el hueco continúa hacia atrás.
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Puede deducirse de las figuras anteriores que los coches de la fila superior se mueven
libremente mientras que los de la fila inferior se mueven más lentamente. Tienen que
esperar que se produzca una vacante para poder moverse. Podemos decir que unos
se mueven en la BC y los de abajo en la BV. Por ello la movilidad de los electrones en
la BC es más elevada que la de huecos en la BV. Por supuesto que la movilidad de los
electrones y la de huecos en la BV es la misma. Pero en los cálculos de corrientes en
semiconductores las movilidades usadas son la de electrones en la BC y la de huecos
en la BV.
55
Corriente por huecos.
En cuanto a la corriente debemos observar que a T = 0 K la BV al estar completa
no puede generarse traslados de electrones por lo que la densidad de corriente, JT,
debe ser nula: JT = 0. Si la temperatura es distinta de cero y aplicamos un campo
eléctrico entonces aparte de la corriente generada en la BC debida a los electrones
que saltaron la BP por efecto térmico, está la corriente de electrones en la BV debida
a los huecos generados. Si imaginamos que salta un electrón i de la BV a la BC
entonces el campo E puede ya generar movimiento de carga en la BV. Pero en lugar de
fijarnos en el movimiento de la mayoría de electrones de la BV nos fijaremos en el
hueco que ha dejado el electrón i al marcharse porque va a ser equivalente:
Sea JR la densidad de corriente de los electrones que permanecen en la BV. Ésta será
la JT total menos la contribución de la densidad de corriente del electrón i que ya paso a
la BC, Ji y está ausente en la BV. Podemos escribir: JR = JT – Ji. Pero JT era cero, por
tanto JR = - Ji = - (-e)vi = +evi donde vi es la velocidad de arrastre del electrón i dentro
del campo aplicado. Esto equivale a considerar, en lugar del movimiento de todos los
electrones menos uno en la BV, el movimiento de una carga positiva, hueco, en la BV.
Desde ahora tendremos en cuenta que la conductividad del sólido está formada por la
contribución de la conductividad de los electrones o portadores negativos y cuya con-
centración es n, que están en la BC y de los huecos que se comportan como portadores
positivos y de concentración p huecos por unidad de volumen que están en la BV. Por
J = J n + J p = (σ n + σ p ) E = q (nµ n + pµ p ) E
ello se tiene:
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Algunas propiedades interesantes a considerar en los
materiales semiconductores.
Una característica importante de los materiales semiconductores es que la conductividad
aumenta con la temperatura en lugar de disminuir como le ocurre a los conductores. Ello
es debido a dos efectos en el que uno de ellos es predominante:
(a) De un lado se producen más choques debido a la temperatura y por tanto debería
disminuir la conducción a consecuencia de la mayor dispersión de los electrones
por parte de los iones de la red debido a las mayores vibraciones térmicas.
(b) De otro lado a consecuencia del aumento de energía térmica se liberan más
electrones hacia la BC aumentando la concentración de portadores, electrones en la BC
y huecos en la BV.
De los dos efectos señalados, el (b) es superior al (a) y de aquí lo indicado al principio..
Otra propiedad muy interesante es que suelen ser fotoconductores. Esto significa que
por efecto de la luz visible (también ocurre con otros fotones del espectro EM) la energía
de los fotones hυ es suficiente como para romper un enlace y hacer saltar un electrón de
la BV a la BC, generándose un par electrón-hueco. Para ello debe cumplirse la condición:
hυ ≥ E g λ≤
hc 1240 (eV ·nm)
=
Eg E g (eV )
de esta manera el material al absorber la luz y no transmitirla se ve opaco.
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Si hυ es inferior a Eg el material es transparente a la luz visible.
Conductividad en el carbono, el diamante, el silicio y el germanio.
BP
2N electrones
2s 2N estados 4N electrones
BV 4N estados
átomos muy separados Cristal 58
En el siguiente esquema podemos ver el solapamiento de las bandas de energía.
El diamante que es carbono puro tendría que ser conductor y sin embargo es aislante,
con Eg del orden de 7 eV. También aparece el solapamiento en el Si y el Ge pero en
estos casos los cristales son semiconductores porque Eg es del orden de 1 eV. 59
Concepto de masa efectiva.
Cuando se aplica un campo eléctrico a un sólido cristalino las fuerzas que actúan sobre
el electrón son de dos tipos: (a) fuerzas externas procedente del campo eléctrico, Fe, (b)
fuerzas internas debida a la red de iones positivos y que procede de un potencial
periódico de la red, Fred.
Debido a que el conocimiento de las fuerzas de la red sobre el electrón es muy difícil, se
opta por eliminarla de la ecuación y para compensar este efecto sustituir la masa del
electrón libre m por una masa efectiva m* de manera que se siga obteniendo la misma
aceleración a en la ecuación. Por ello la masa efectiva sería:
Fe
m =
*
a
Se demuestra que esta masa depende esencialmente del tipo de estructura del sólido
y también, dentro de cada sólido, de la dirección de aplicación de la Fe.. Por ello,
la masa efectiva es una magnitud compleja que va a depender de las direcciones
espaciales elegidas. 60
La masa efectiva puede tomar valores: (a) mayores que la masa del electrón libre, incluso
aproximarse a un valor infinito y (b) menores que la masa del electrón libre e incluso
valores negativos.
Para entender de manera intuitiva porqué toman estos valores debemos tener en cuenta
la superposición de las dos fuerzas señaladas anteriormente. Así si la fuerza externa que
actúa sobre el electrón tiene la misma intensidad que la fuerza de la red pero esta actúa
en sentido opuesto la resultante de ambas es nula y por ello la aceleración también lo es.
En este caso la masa efectiva del electrón es infinita, porque así la fuerza externa no
podría acelerarlo.
De otro lado si la fuerza de la red es mayor que la fuerza externa del campo eléctrico
entonces el electrón se movería en el mismo sentido del campo. Esto equivaldría a tener
una masa negativa. Si las fuerzas del campo eléctrico y las de la red son opuestas pero
la externa es mayor que la de la red, entonces la masa efectiva sería positiva pero infe-
rior a la del electrón libre. Por último si la fuerza eléctrica externa y la de la red son del
mismo sentido entonces la masa efectiva es mayor que la del electrón libre.
Las masas efectivas se determinan experimentalmente por varios métodos. Uno de ellos
se conoce como resonancia ciclotrónica.
Valores de masa efectivas para electrones y huecos usados habitualmente en materiales
semiconductores a 300 K con relación a la masa del electrón libre m0 son:
Material mn* / m0 m*p / m0
Si 1,15 0,81
Ge 0,55 0,36
AsGa 0,066 0,52 61