INFORME PRÁCTICA N.

, 6 DE JUNIO DE 2015

Caracterización de Transistores de Unión Bipolar

BJT (Curva Característica y Polarización)
Daniel Alejandro Rodríguez Chávez [25451381], Julián Camilo Navarrete Rubio
[25451582] y Nicolás Ospina
Mendivelso [25451691], Universidad Nacional de Colombia, Electrónica analoga I
[2016509-2], Grupo 2

Abstract—Bipolar junction transistors are threeterminal devices for controlling an

output current
from a control voltage. They have similarities in
their behavior with the diodes. Their functioning
could be affected by temperature. These are more
stable to the electric static compared to MOSFET.

transistor de unión bipolar y experimentar con

algunas técnicas estándar de polarización.

Index Terms—BJT, transistor, polarization,

emitter, collector, base, active, saturation, reverseactive, cutoff.
Resumen—Los transistores de unión Bipolar son
dispositivos de tres terminales que permiten controlar una corriente de salida a
partir de un voltaje
de control. Presentan similitudes en su comportamiento como ocurre en el diodo. Su
funcionamiento
puede afectarse por la temperatura. Son más estables a la estática respecto al
MOSFET.

A. Entendimiento del Comportamiento Físico del

Transistor de unión Bipolar

Palabras Clave—BJT, transistor, polarización,

emisor, colector, base, activo, saturación, activo
inverso, corte.

I. Introducción
OS transistores han tenido distintos
modelos bajo los cuales la electrónica ha
evolucionado; entre esos, dos son los principales
que dominan en el mercado, y uno con el que más
se trabajó durante la historia de la electrónica
en el siglo XX y se conocieron los elementos
necesarios como la estimación ideal necesaria
de los modelos: el Transistor de Unión Bipolar
BJT, por sus siglas en inglés. Es éste transistor
el que trasciende parte de la caracterización
y funcionamiento principal del funcionamiento
físico del diodo en tres (3) terminales, aunque
todos los tipos compartan cierto efecto en su
operación con el mismo comportamiento físico
que tiene el diodo. Éste Informe, se enfoca
en el entendimiento de éste transistor con los
objetivos de caracterizar el transistor de unión
bipolar obteniendo algunos de sus parámetros
importantes y las curvas que describen su
funcionamiento y lograr familiaridad con el
L

II. Marco Teórico

De los dos transistores importantes en el campo

de la electrónica, el Transistor de Unión Bipolar,
es el que comparte más características físicos
con el diodo en su comportamiento. Consta de
3 sustratos con dopado opuesto entre los que
comparte área de contacto únicamente, es decir,
ninguno de los sustratos con igual dopado tendrán
unión directa entre sus áreas de contacto. Puede
sobreentenderse que, por ser un componente de
3 sustratos unidos, habrá uno con sustratos de
tipo p y dos de tipo n, como otro con dos de
tipo p y uno de tipo n, bajo lo cual, cabe decir
que el primer mencionado tiene el nombre de
npn y el siguiente tiene el de pnp. Cada sustrato
mantiene una conexión metálica. Sus terminales
tienen el nombre que se distingue por su papel
en el funcionamiento de este componente con
una polarización particular que causa uno de 4
estados de comportamiento físico distinguibles
en él: el estado activo. En otros estados sus
nombres no hacen mérito a su participación en
el estado del transistor, pero con estos nombres
que, a continuación, se dará a entender cuáles son
al momento de explicar la polarización de este
transistor para el estado activo, será con los que
siempre se reconocerá la terminal específica para
cualquier caso. [1]
1) Estados del Transistor de Unión Bipolar:
Estado Activo o de la Regíon Activa.: Se tomará
para explicar el concepto y para lo cual hicieron
la prueba y nombraron las terminales con el
transistor tipo npn. Para ese caso de estudio en
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la teorización del BJT y para el estado activo

en sí, se mantienen establecidas diferenciales de
potencial una mayor a otra de una terminal más
externa hasta la otra, es decir, para el caso con el
que usaremos el transistor BJT de tipo npn, una
terminal de tipo n de dopado estándar respecto a
las demás, mantiene el voltaje mayor, mientras la
de en medio, con un dopado de densidad menor
respecto a los demás sustratos y menor extención
hasta el otro sustrato de proporción considerable,
mantiene un diferencial de potencial mayor respecto a la última terminal por
describir de tipo n
que resulta de mayor densidad de dopado respecto
a las demás y a consideración una comveniente
mayor longitod, al menos respecto al sutrato
tipo p. La polarización sugiere que las uniones
están dadas, la primera descrita, en inversa, y
la segunda en directa. Pero la particularidad con
la cual están dadas las dimensiones que también
se describieron de los sutratos y la densidad de
dopaje, es que las características que ocurren
entre las uniones, se ven cambiadas respecto a lo
que podría conseguir ”inducir”, el conocimiento
respecto a lo que ocurre por aparte, entre una
unión de un diodo en polarización directa e inversa.

Figura 1: Modelo aproximado de una construcción del transistor BJT

Es decir, la unión que se polariza en inversa, resulta afectada por dicha difusión
de portadores de
modo forzado en el sustrato de en medio de modo
que la difusión de portadores para esta unión crea
una región de agotamiento mucho menor, por el
dominio que tiene el sustrato de densidad mayor
a las otras dos en la recombinación de portadores,
es decir, la corriente de difusión de la unión
polarizada en directo que va desde el sustrato con
mayor densidad de tipo n resulta pasando hasta
el sustrato con el cual no se tiene contacto, valga
decir que, por la menor densidad del sustrato del
medio causa en la unión polarizada en directo
tenga una corriente de saturación mucho menor
casi despreciable. Los nombres que se les dan a
estas terminales por los sucesos descritos llevan
el nombre de emisor, base y colector, en su orden
por ser el sustrato de mayor densidad de dopado
el que emite la corriente que en sentido real,
En la unión que se encuentra en polarización distribuye en el transistor, mientras
el sustrato
directa, hay una recombinación de portadores de en medio resulta la base de estudio
al socomo ocurre con un diodo normal con la misma meterse al cambio para la
relación de todos los
polarización, con la diferencia de que la longitud sustratos, y el otro sustrato
colecta los portadores
de difusión de portadores cambia su distribusión que continuarán la distribución de
la corriente de
en uno de los dos sustratos de forma libre o difusión de la unión polarizada en
directo. Esta
aproximadamente cercana a la formación expo- nominación hecha a las termina es son
la que
nencial, es decir, resulta forzado para que alcance suele usarse sin importar el
estado del transistor.
a llegar al límite con el otro sustrato con una Puede detallarse que estaba
implicado el que los
formación especial. Se sobreentendiente entonces valores de los diferenciales de
potencial entre los
que se habla de que la distribución exponencial en diferentes sustratos fuese unos
mayores a otros,
el sustrato de en medio puesto que es de longitud y así mismo los otros estados
bajo los cuales
más corta necesariamente. Esto quiere decir que, puede entrar el transistor,
resultan distinguidos
la formación especial resulta en una curvatura por las polarizaciones que puede
darse en estas
muy cercana a una distribución lineal. El que terminales. No sobra aclarar que este
estado del
uno de los otros sustratos sea más denso, implica componente, muestra una corriente
aproximadaque ayudará a que dicha longitud de difusión en mente constante por
cuestión de que la caída de
el sustrato del medio sea empujada a la misma voltaje bajo la cual la corriente de
difusión requiecurvatura de forma lineal aproximada de la que re para que resulte
siendo mayor a la corriente
se habló anteriormente.
de saturación y resulte conduciendo la unión en
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directa, es constante, de aproximadamente de

0.7 V como el hecho de que las dimensiones sean
fijas; a esto hay que sumarle que, para el mayor
provecho del componente para entregar la mayor
corriente posible, la construcción de los sustratos
puede aproximarse al presentado en la figura 7.
Puede verse que el área de contacto de las uniones, en el colector nombrada como C
es mayor
en comparación a la unión entre base y emisor.
Emisor no es, necesariamente más amplio a base
en volumen, puesto que, uno de las condiciones
que ayuda con el correcto funcionamiento del
sustrato es que la densidad del dopado sea mayor
al de la base, pero realmente puede influir el
volumen porque acá ocurre también una longitud
de difusión, pero no es el tema a importar, por
eso se toma un modelo de que ilustre el caso para
la explicación de la mejor manera para entender.
2) Estados del transistor de unión bipolar:
Los distintos estados que el transistor de unión
bipolar mantiene, resultan de otras configuraciones con la polarización que se le
otorgue a las
terminales, respecto a la base. una tabla para
conocer dichos estados es la tabla I
UBE

UCB

Zona de Operación

aplicación

Directo

Inverso

Activo

Amplificación

Directo

Directo

Saturación

interruptor
”encendido”

Inverso

Inverso

corte

interruptor
”apagado”
Inverso

Directo

activo inverso

No deseado

Cuadro I: Tabla de la relación entre las distintas

uniones y su polarización respecto al estado al que
entra el transistor
Para el estado de saturación, las dos uniones
resultan en polarización directa, lo que genera
dos corrientes de salida, tanto en colector como
en emisor. En estado de corte las dos uniones
resultan en polarización inversa. En estos estados
descritos, la polarización cumple el papel que
sucede en un diodo normal, sin ningún efecto
forzado de la operación de las distintas características de las uniones en
semejanza al de un
diodo como sí ocurre en el estado activo. Para la
última polarización, sólo resta decir que no suele
ser deseada, la corriente suele ser mayor puesto
que en la unión colector base, resulta teniendo

un área de contacto mayor, lo que hace de la

corriente de saturación, un valor mayor, pero unos
término teórico llamado β y α resultan siendo
menores, cuales son apropiados para la aplicación
de amplificación.

B. Términos Teórico para El Entendimiento del

Comportamiento del transistor de sus Operaciones
La corriente que pasa por el colector, por causa
de la corriente de difusión resulta descrita con

vBE

iC = IS e VT

(1)

Valga la aclaración de que, por ser sentido

convencional, la corriente resulta en la dirección
de colecto a emisor. Esto implica que la relación
entre las corrientes de las terminales se relacionan
como

iB + iC = iE

(2)

Y por simplificación los términos β y α mencionados antes se relacionan con las

corrientes como

β iB = iC
iC = α iE

(3)
(4)

y, finalmente los términos β y α se relacionan

como

α
1−α
β
α=
β +1
β=

(5)
(6)

El comportamiento de los estados del transistor

se representa por la gráfica 12
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Figura 3: Circuito para la formación de la curva

característica del BJT

Figura 2: Curvas características del transistor

BJT [2]
Otras formas de representar las fórmulas.
VBE

ic = isc e VT (1 +

VCE
)
VA

B. Segunda parte
Para los primeros cálculos de las distintas
configuraciones se consideró que el valor de β
era igual a 100

(7)

Ib =

Is VVBE
e T
β

(8)

Ie =

Is VVBE
e T
α

(9)

C.
III. Procedimiento
A. Primera parte
Por errores de no revisar bien los datos tomados, la primera parte no puede ser
descrita con
”sostenimiento”, sobretodo en análisis, ya que, la
bitácora se tuvo que entregar y hubo confianza en
tener todos los datos anotados en el informe.
Básicamente, se montó el esquema descrito
como sigue de la figura 10 y se tomaron los
datos que no pueden presentarse por lo descrito
antes. Se tomaron 20 datos, de los cuales 10,
correspondían a la corriente con un voltaje Vs
de modo que, al registrar con el multímetro, la
corriente presentaba una variación considerable.
10 datos fueron con voltajes de 1 en 1 voltaje
aproximadamente, y otros más puntualmente de
únicamente la región triodo, es decir donde se
veía variar la corriente de una en una milésima
de amperio, hasta el valor aproximado de 9 V

Figura 4: Configuración para el primer modelo de

polarización
1) Configuración I: Sabiendo que ib es igual a
0.1 mA se llevaron a cabo los siguientes cálculos.
ic = β ib = 10mA

(10)

Como la caída de tensión en vCE es de 6 V se

asume que el voltaje en el colector debe ser de 6
voltios y por ende la resistencia Rc tuvo un valor
de:
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Después por medio de una R1 determinada

por el usuario, se despejan las ecuaciones y se
Vcc −Vc 10V − 6V
Rc =
=
= 400Ω ≃ 390Ω (11) encuentra el valor de R , donde los resultados
2
ic
10mA
fueron los siguientes R1 = 12 kΩ y R2 = 5658.66
Por ultimo para determinar Rb se toma en
Ω ≃ 5.6 kΩ.
cuenta la diferencia de potencial que cae en la
resistencia sobre la corriente propuesta.
Rc =

Vcc −Vb 10V − 0.7V

=
= 93Ω ≃ 100Ω (12)
ib
0.1mA

Figura 6: Configuración para el tercer modelo de

polarización

Figura 5: Configuración para el segundo modelo

de polarización
2) Configuración II: El proceso es similar a la
configuración vista anteriormente, compartiendo
ademas los valores de ib = 0.1 mA e ic = 10 mA
los únicos que cambian son vC con un valor de 8
V y vC con un valor de 2 V
Rc =

Vcc −Vc 10V − 8V

=
= 200Ω ≃ 180Ω (13)
ic
10mA

Ve −Vee 2V − 0V
=
= 200Ω ≃ 180Ω (14)
ic
10mA
Para calcular los valores de R1 y R2 es necesario primero calcular el voltaje y
resistencia thevenin asociados a la entrada del circuito donde:
Re =

R1
R1 + R2
R1 ∗ R2
=
R1 + R2
VT H = VCC

ie = (1 + β )ib

RT H

VT H −VBE(on)
ib =
RT H + (1 + β )Re

3) Configuración III: Con una ib de 0.01 mA se

obtiene una ic de 1mA por ende Rb y Rc quedaron
determinados de la siguiente manera al considerar
un vC con un valor de 4 V y vC con un valor de
-2 V .

Rc =

Re =

Vcc −Vc 10V − 4V

=
= 6kΩ ≃ 5.1kΩ (15)
ic
1mA

Ve −Vee −2V + 10V

=
= 8kΩ ≃ 6.8kΩ (16)
ic
1mA

Por ultimo para el calculo de Rb

VBE = VB −VE ⇒ 0.7v = VB + 2v ⇒ VB = −1.3v
(17)

Rb =

Vbb −Vb 0V + 1.3V

=
= 130kΩ ≃ 120kΩ
ic
0.01mA
(18)
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la figura 8 el β del transisitor empleado era de

153, pero para verificar como este variaba con
A. Curvas características del transistor
respecto a la temperatura se uso un cautin el
El objetivo de esta sección fue verificar el com- cual elevo la temperatura de este
a 35 ◦ C lo cual
portamiento de la corriente IC contra la tensión como muestra la figura 11 hizo que
las curvas
VBE por lo que en primera instancia como lo aumentaran de nivel y que el beta
aumentara a
dicta el procedimiento se empleo un generador 154 13. Aunque a grandes rasgos el
cambio no
de señales a fin de evidenciar la relación que fue muy notorio, se puede notar la
influencia que
existe entre la tensión en la base (VB ) con la genera la temperatura sobre el
elemento y como
corriente IC , esta fue interpretada gracias a la este puede diferir sus resultados
respecto a esta
resistencia RC la cual permitió obtener la curva variable.
de transferencia de tensiones de Vi VS VO , cabe
notar que el uso de la señal AC fue con el objetivo
de que al usar el modo XY del osciloscopio la
curva de la señal pudiera evidenciarse gracias a
la variación de la misma, de igual modo la señal
DC permitió el desplazamiento de dicha señal, es
importante tener en cuenta que la recomendación
de usar una tensión inicial DC de VB era con la
finalidad de evitar la polarización en inversa y de
igual modo, no caer en la zona corte. El resultado
de esta práctica se expone en la gráfica 7
IV. Análisis de Resultados

Figura 8: Gráfica Ic vs Vce con una intensidad de

parámetro Ib de 1193 µ A

Figura 7: Curva de transferencia de tensiones VBE

VS Vo
Nota: La señal DC para obtener esta curva se
obtuvo al variar la amplitud de la señal de 0.2V
a 0.3V aproximadamente.
Debido a la falta de datos por el mal manejo
de estos y a la incertidumbre generada respecto al
procedimiento de medición propuesto en la guía se
opto por usar el instrumento trazador de curvas y
mediante este se obtuvo la gráfica de la corriente
IC con respecto a VCB , esta se expone en la gráfica
8. Vale la pena notar que el trazador permite
obtener no una sino varias curvas permitiendo que
el estudio de la relación corriente IC vs VBE sea
mucho mas sencillo, adicional a esto se obervó que
a un corriente cercana de 1mA como lo muestra

En esta sección se propuso usar una tensión en

la base de 10V. con la finalidad de evitar quemar
el transistor por exceso de potencia en los terminales Colector Emisor, sin embargo
para estudiar
de manera mas concisa la gráfica IC vs VCE , se
prefirió disminuir la tensión. Aunque vale la pena
resltar que la funcionalidad del potenciometro
era la misma relación que se logra al disminuir
la tensión de alimentación, sin embargo se opto
por este metodo debido a que usa tensiones y
corrientes mucho mas inferiores, con lo cual se
logra la condición previamente propuesta. Para
ver el comportamiento de dichas curvas se invita
al lector a ver las figuras 9 y 10
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Figura 9: Gráfica Ic vs Vce que reflejan las regiones

de operación del BJT

Figura 11: Gráfica Ic vs Vce con una intensidad de

parámetro Ib de 1218 µ A

Figura 12: Valor de beta para el primer BJT de

prueba

Figura 10: Gráfico IC VS VCB con tensiones inferior a Vb propuesta (10V)

Nota: La imagen 9 permite estudiar la cuatro

zonas del transistor, esta ultima zona por lo generar denominada Región ruptura no
se menciona
mucho debido a que en muchas aplicaciones es indeseable y esta misma puede generar
el deterioro
del elemento.

Figura 13: Valor de beta para el segundo BJT de

prueba
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B. Polarización del transistor

En esta ultima sección se implementó los valores hallados en la sección
procedimiento por lo
que los resultados obtenidos de cada circuito se
exponen en la tabla ??.
Cuadro II: Valores de V , I, R para la polarización
del transistor
Datos

Valor
Teorico

Valor
Experimental

Temperatura
50 ◦ C

Rb
Rc
ib
Vbe
Vce

93 kΩ
400 Ω
0,1 mA
0,7 V
6,0 V

100 kΩ
390 Ω
0,093 mA
5,615 V

0,096 mA
0,773 V
5,410 V

Rb1
Rb2
Rc
Re
Ve
Vc
Vce
ib

5.658 kΩ
12 kΩ
200 Ω
200 Ω
2V
8V
6V
0,1 mA

5,6 kΩ
12 kΩ
180 Ω
180 Ω
2,030 V
8,060 V
6,030 V
0,081 mA

2,079 V
8V
5,921 V
0,079 mA

Rb
Rc
Re
Ve
Vc
Vce
ib

120 kΩ
6 kΩ
8 kΩ
-2 V
4V
6V
0,010 mA

120 kΩ
5,1 kΩ
6,8 kΩ
-1,545 V
3,800 V
5,345 V
0,010 mA

Cuadro II:Valores de V, I, R para las diferentes

configuraciones de polarizacion propuestas ademas de
su respectiva variación debida a la influencia de la
temperatura .

Mediante esta tabla es posible estudiar las relaciones que existen entre la
corriente de la base, la
tensiones en cada una de las partes del transistor
y el efecto de la temperatura, los cuales como se
puede notar no distan mucho con este parametro,
sin embargo a temperaturas mas elevadas y con
tensiones mucho mas elevadas es posible notar
como estas variables pueden ser alteradas por el
efecto de la temperatura sobre el BJT.
V. Respuesta a las preguntas
1) ¿Que comportamiento se observa en Vo ? en
comparación a la entrada sinusoidal Vs
Respuesta/.
La señal de salida tendrá una componente
DC asociada a la polarización del transistor y
una señal AC asociada a las variaciones de la

señal sinusoidal de la entrada, la cual poseerá

una serie de alteraciones provocadas por las
características del transistor dependiendo de
la zona de operación en la que se encuentre
polarizado.
2) ¿Para cuál valor mínimo de VBE el transistor
cambia su estado a encendido?
Respuesta/.
Por debajo de los 0.5 voltios la corriente en el
colector es insignificantemente pequeña casi
de cero amperios, mientras que en el intervalo que va entre 0.6 y 0.8 voltios se
encuentra
la mayor parte de la gama de corrientes del
transistor en Ic dentro del cual puede considerarse al transistor como encendido,
muy
similar al comportamiento del diodo del que
a su vez conserva las variaciones asociadas a
temperatura.
3) ¿Qué regiones de operación puede identificar
en los gráficos?
Respuesta/.
Pueden ser observadas las 3 regiones de
operación que son saturación, activa directa
y ruptura, lo cual puede ser verificado en
la figura 9, cabe recalcar que alcanzar esta
última región no es muy recomendable debido a que el transistor puede averiarse al
experimentar fenómenos como ruptura por
avalancha y/o perforación
4) ¿Qué puede concluir acerca del beta del transistor?
Respuesta/.
Beta representa la ganancia de corriente emisor común, en algunos casos esta se
considera
un valor fijo, sin embargo, cabe recalcar que
se encuentra influenciada por 3 factores de
los cuales solo uno es capaz de alterar el
apropiado funcionamiento de los montajes, el
ancho de la región de base, el dopaje relativo
de las región base-emisor y por último la
temperatura lo cual obliga el uso de bases
especiales que permitan disipar la calor y evitar que se altere el proceso de
amplificación o
también en montajes que deban experimentar temperaturas limites debidas a
disipación
de potencia por ejemplo al tener que realizar
regulaciones de voltaje y/o corriente.
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•
•

VI. Conclusiones
El BJT no presenta problemas con la estática
como se vio con el transistor MOSFET.
El transistor BJT presenta características
similares a las que se encuentran en el diodo,
que permite familiarizarse con él, de acuerdo
a lo conocido en el diodo.
El BJT es sensible a la temperatura como se
puede presentar en el diodo también.
Referencias

[1] Sedra S. Adel, Kenneth C. Smith, diodos, Circuitos

Microelectrónicos, 5ta Ed., Oxford University press, 2004,
consultado el 6 de junio de 2015.
[2] Donald A. Neamen, Microelectronics, circuit analysis and
design, Ideal Operational Amplifiers and Op-Amp circuits,
4ta Ed., McGraw-Hill, consultado el 6 de junio de 2015.
[3] National Semiconductor, LM3945/LM3046/LM3086
Transistor Arrays,diciembre 1994, consultado el 6 de junio
de 2015.