INFORME LABORATORIO # 5

TRANSISTOR BJT.

ESTUDIANTES:
JORGE RAMOS ARELLANO
2016119081
JAVIER SALGADO RODRIGUEZ
2016119088.

DIRIGIDIO A:
ING. ARTHUR JOSE BURGOS RODRIGUEZ

GRUPO # 4

UNIVERSIDADA DEL MAGDALENA

FACULTAD DE INGENIERÍA
ELECTRONICA I

SANTA MARTA, MAGDALENA

18-04-2018
 LABORATORIO N° 5.
TRANSISTOR; ESTUDIO DEL COMPONENTE.

INTRODUCCIÓN
El transistor es un componente semiconductor de tres terminales que permite realizar
diferentes funciones tales como conmutación, oscilación, amplificación.
En este laboratorio comprobaremos el funcionamiento del transistor tipo bjt,
analizando su región de operación, como también analizaremos su polarización, sin
embargo aprenderemos a medir las corrientes y voltajes en las terminales del
transistor.
OBJETIVO
Identificar el funcionamiento de las zonas de corte, saturación y en activa de un
transistor.
Comparar los resultados teórico-prácticos con ayuda de las mediciones realizadas en la
práctica.
Familiarizase con un nuevo componente como es el transistor
Conocer la correcta polarización de las terminales del transistor

EQUIPOS Y DISPOSITIVOS UTILIZADOS

 Fuente de poder dual 0-30 VDC.

 Multiprobador digital.
 Multiprobador análogo.
 Transistor BD137 o equivalente.
 Resistencias de: 22Ω 5 Wat; 1 K Ω ; 470K Ω.
 Potenciómetro de 100 K Ω.
 Cables
 Protoboard
 Pinzas
MARCO TEORICO

TRANSISTORES PNP Y NPN es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado

para producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. 1 Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término
«transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de
transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los
aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio
y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos,
teléfonos celulares, entre otros.

FUNCIONAMIENTO
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la
unión base-colector en inversa.1 Debido a la agitación térmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a
la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del
ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada
en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor
NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-
emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo
eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos
electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración
cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos
electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base
está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para
que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo
que la vida útil del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el
 porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-
colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los
electrones.

El Transistor Bipolar o BJT

Transistor NPN
Transistor PNP
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser
de germanio o silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en
cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector
(C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el
gráfico de transistor. El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que
si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará
por otra (emisor) , una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación.
Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
-Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificación) por Ib
(corriente que pasa por la patilla base).

Ic = β * Ib

Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, sólo que, la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de el, o viceversa. Según la
fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc),
pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc.
Ver figura.
En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que
a más corriente la curva es más alta Regiones operativas del transistor Región de corte:
Un transistor está en corte cuando: Corriente de colector= corriente de emisor = 0, (Ic =
Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentación del circuito.

(Como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: Corriente de colector
=corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima) En este caso la magnitud
de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm.

Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente

grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (Recordar que
Ic = β * Ib)Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni
en la región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta
región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib),
de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región es la más
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores con

transistores, cada una de ellas con características especiales que las hacen mejor para
cierto tipo de aplicación, y se dice que el transistor no está conduciendo. Normalmente
este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)
-Emisor común
-Colector común
-Base común

Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se

toman como tal, debido a la pequeña diferencia que existe entre ellas, y que no afectan
en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

REGIÓN DE CORTE Y SATURACIÓN.

El transistor se encuentra en la región de corte cuando IC=0. Para dejar en cero la

corriente de colector, se requiere tener en cero la corriente de base IB. Esta será cero
cuando VBB=0. El transistor se encuentra en saturación cuando el voltaje colector
emisor sea de cero VCE=0.

Para determinar la corriente de saturación, consideramos el voltaje colector emisor de

la malla de salida igual a cero. Por lo tanto:
VCC=IC*RC+VCE | VCC=IC*RC+0
IC=VCC/RC

Para determinar el corte, consideramos que la corriente de base es igual a cero, por lo
tanto la corriente de colector es igual a cero:
VCC=IC*RC+VCE | VCC=0*RC+VCE
VCE=VCC

Con estos dos puntos determinamos la recta de carga del transistor. La región central
se llama, región activa. Las regiones del extremo son regiones de saturación y de corte.

Por último, considerando una carga de RC=6 Ohms y un voltaje de colector VCC = 2V y
requiero 400mA para activar esta carga. La señal de entrada es de 3V. Por lo tanto
tenemos que calcular la corriente de base para un transistor con una hfe de 160.
IB=IC/hfe=400mA/160=2.5mA.

Para asegurar la región de saturación se recomienda multiplicar la IB por 5. Por lo que

nos quedaría en:
IB=12.5mA

Por lo tanto la resistencia de base

VCC = RB*IB+VBE
RB = (VCC-VBE)/IB = (3V-0.7V)/12.5mA = 184 Ohms.
Debido a que no existe una de 184 podemos bajar un poco a un valor comercial, por
ejemplo 180 Ohms.

PROCEDIMIENTO
1. Comprobamos el estado del transistor midiendo resistencias en las terminales
de este componente.
2. Ajustamos todos los dispositivos de medición a un rango específico.
3. Armamos los circuitos que de describían en las hojas de instrucciones del
laboratorio.
4. Anotamos los resultados en tablas de datos para realizar posteriormente su
debido análisis.

DESARROLLO
Para llevar a cabo este laboratorio fue necesario tener claro que los transistores
tienen polarizada como se muestra a continuación la identificación de cada uno de
los pines del transistor.

Todo elemento o dispositivo eléctrico debe probarse con el instrumento

Diseñado para ellos. Los transistores no son una excepción, sin
Embargo en el campo se puede probar un transistor con el óhmetro
Analógico, siguiendo las siguientes instrucciones.
3.1.1. MEDIDA DE LA RESISTENCIA DE AVANCE.

Con ayuda de un multímetro digital localizamos la perilla de este en el ohmímetro

para realizar las medidas de las resistencias en los pines del transistor realizando los
siguientes procedimientos.

3.1.2. polarizando directamente la unión BASE-EMISOR procedimos a medir la

resistencia entre estas dos terminales obteniendo el siguiente resultado de 380 Ω lo
cual indicada que el transistor está en buen estado ya esta medida tenía que ser
menor que 500 Ω.

3.1.3. aplicando el mis procedimiento anterior polarizamos la unión BASE –

COLECTOR y medimos la resistencia entre estas dos terminales en la cual obtuvimos
una resistencia de 420 Ω obteniendo así un resultado que se encuentra en el rango
establecido ya que este debe menor o igual a 500 Ω.

Ahora procedimos aplicar el procedimiento que se muestra a continuación

3.1.4. RESISTENCIA DE REVERSO.

Con ayuda de un multímetro digital seleccionamos el rango de 1000k en el

ohmímetro. Y procedimos de la siguiente manera.

3.1.5. Polarizando inversamente la unión BASE-EMISOR medimos la resistencia entre

las dos terminales obteniendo una medida de 350k observando así que la resistencia
se encuentra entre el rango establecido ya que este debe ser mayor que 300K Ω .

3.1.6. Aplicando el procedimiento descrito en el anunciado 3.1.5 polarizamos

inversamente la unión Base – Colector obteniendo el siguiente resultado
380 K Ω garantizando así que el transistor cumple con las condiciones establecidas
anteriormente

Continuando con la práctica realizamos el desarrollo que se muestra a continuación:

3.1.7. GANANCIA DE CORRIENTE.

Para validar el comportamiento y estado del transistor armamos el siguiente

Circuito de la figura 7.3.
Posteriormente conectamos el ohmímetro como se muestra en la figura. El
instrumento nos indica la resistencia colector emisor.

Cerramos el circuito de la resistencia de 470k obteniendo una resistencia de 0,470M

comprobando de manera práctica la resistencia en las terminales del transistor.

Posteriormente desconectamos y desarmamos el circuito para evitar cualquier

accidente en el espacio de trabajo

3.2. FAMILIA DE CURVAS CARACTERISTICAS.

El circuito que se muestra a continuación es el más complejo de la práctica ya que en

este se realizarán muchas mediciones en distintos puntos del circuito tal como se
muestra en la figura

R1 = 1KΩ; R2 = 22Ω; P1 = 100KΩ; Q1 = BD137

Figura 7.4.
Y posteriormente procedimos de la siguiente manera.

Comprobamos que el circuito cumpla con las siguientes condiciones

a.- Interruptores S 1 y S 4 abiertos.

b.- Amperímetro con la polaridad correcta; Rango 50 A.
c.- Interruptor S 2 cerrado.
d.- Interruptor S 3 abierto.
e.-Luego comprobamos que nuestro potenciómetro p1 tuviera la mínima resistencia
entre sus terminales
f.- ajustamos la fuente V BB a 5,0 voltios, cerramos el puente S 1.
g.- y nos verificamos que la Fuente V CC estuviera a cero (0) voltios.

Cerramos el puente S4 y observamos el amperímetro Ic y anotamos la lectura en la

tabla que se muestra a continuación en la posición (IC = 0; Vce = 0). Tal y como se
muestra en la siguiente tabla.

IB VCE 0,0 0,1 0,5 1,0 2,0 5,0 8,0 10,0

(mA) (V)

0,00 0,00 00.5 0,14 0,149 0,149 0,1 0,15 0,37

5 7 0 7 51 2 0

0,10 0,38 20,2 27,4 28,1 29,8 31 31,5 33

0,15 0,50 27,4 36,3 36,8 37,6 41 43,8 48,7

0,20 0,64 41,8 49 49,5 51 55 59,8 60,4

IC (mA)
0,25 0,93 61,2 62,3 63,7 65,9 72 80 86,2

0,30 0,94 65 73 76,7 78,6 90, 105, 116,

8 5 5

R1 = 1KΩ; R2 = 22Ω; P1 = 100KΩ; Q1 = BD137

Figura 7.4.
Ajustando la fuente Vcc hasta obtener en el multímetro Vce =o-1v y anotamos el
resultado en la tabla.

Repetimos este mismo procedimiento para todos los valores de vce de la tabla en la
línea correspondiente.

Luego trasladamos el amperímetro hasta las terminales C y D y ajustamos el

potenciómetro hasta obtener una de o.1 mA y repetimos el mismo procedimiento
para obtener los valores para VCE y anotamos los resultados en la segunda fila que
pertenece a la corriente de 0.1 mA.
Además hay que repetir este procedimiento para cada una de las corrientes I B y
también los voltajes Vce y anotar los resultados en la tabla.

3.3. CURVA CARACTERISTICA IB – VBE.

Para el siguiente procedimiento solo tenemos que hacerle algunas modificaciones al

circuito de la figura 7.4 obteniendo el siguiente circuito.

P1 = 100K: R1 = 1K; R2 = 22; Q1 = BD137

Figura 7 – 5.

Conectamos el voltímetro entre el colector y tierra del circuito y ajustamos el voltaje

de la fuente hasta lograr que VCE mida 5v.
Posteriormente conectamos el multímetro digital entre la base y la tierra del
transistor y variando el potenciómetro ajustamos la corriente de base acorde con
los valores de tabla y anotamos los resultados tal y como se muestra.

IB (μA) 1 50 100 150 200 250 300

VBE 0.55 0,60 0,66 0,70 0,72 0,73 0,74

En la tabla se observar el comportamiento de un transistor al variar la corriente de

base.
 1. RESULTADO

En la siguiente grafica se muestra graficado la corriente IC – ECE con IB constante

donde se evidencia el comportamiento del transistor.
4.2. En la siguiente grafica se ilustra la gráfica IB – EBE con ECE constante.
CONCLUSIÓN
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de
los circuitos electrónicos. Se puede comentar que con el invento de estos dispositivos
han dado un giro enorme a nuestras vidas, ya que en casi todos los aparatos
electrónicos se encuentran presentes. Se conocieron los distintos tipos de transistores,
así como su aspecto físico, su estructura básica y las simbologías utilizadas, pudiendo
concluir que todos son distintos y que por necesidades del hombre se fueron ideando
nuevas formas o nuevos tipos de transistores.

Además de todos esto, ahora si podremos comprobar o hacer la prueba de los

transistores para conocer si se encuentra en buenas condiciones para su uso.
5.1. Sobre el de las curvas IC – ECE e indicamos las zonas activas, de saturación y
corte tal y como se muestra en la gráfica.