Concentración Intrínseca: Compensación:

3
𝑁 = |𝑁𝐴 − 𝑁𝐷 |
2𝜋 ∗ 𝑚𝑒 ∗ 𝑘 ∗ 𝑇 2 −𝐸𝐺
𝑛𝒊 (𝑇) = 2 ∗ ( ) ∗ 𝑒 2∗𝑘∗𝑇
ℎ2 Con ND > NA:
• 𝑛𝑖 : Concentración Intrínseca 𝑛 = 𝑁𝐷 − 𝑁𝐴
Concentración de Portadores: Con NA > ND:
𝑛 ∗ 𝑝 = 𝑛𝑖 2 𝑝 = 𝑁𝐴 − 𝑁𝐷
• 𝑛: Concentración de portadores negativos Con NA = ND:
• 𝑝: Concentración de portadores positivos
𝑁 = 𝑁𝐷 + 𝑁𝐴
Dopado N:
𝑛 = 𝑁𝐷
𝑁 = 𝑁𝐷
𝑝 = 𝑁𝐴
𝑛 ≈ 𝑁𝐷
Movilidad Intrínseca:
2
𝑛𝑖 𝜇𝒐𝒏
𝑝≈
𝑁𝐷 𝜇𝒏 = 𝜇𝒎𝒊𝒏𝒏 +
𝑁 ∝𝑛
1+(
𝐸𝐹 − 𝐸𝑖 = 𝑘 ∗ 𝑇 ∗ 𝑙𝑛 (
𝑁𝐷
)
𝑁𝑟𝑒𝑓𝑛 )
𝑛𝑖
𝜇𝒐𝒑
𝑄 = 𝑉𝑜𝑙 ∗ 𝑛 ∗ 𝑞 𝜇𝒑 = 𝜇𝒎𝒊𝒏𝒑 + ∝𝑝
𝑁
1+(
• 𝑄: Carga que circula por el material 𝑁𝑟𝑒𝑓𝑝 )
• 𝑉𝑜𝑙: Volumen del material
• 𝐸𝐹 : Nivel de Fermi 𝜇 = (𝑛 ∗ 𝜇𝑛 + 𝑝 ∗ 𝜇𝑝 )
• 𝐸𝑖 : Nivel de Fermi intrínseco
• 𝜇: Movilidad
• 𝑁: Dopado neto
• 𝑁𝐷 : Concentración de donadores Arrastre:
Dopado P: 𝑉
𝐸=
𝐿
𝑁 = 𝑁𝐴
𝑗 𝑎 = 𝜎 ∗ 𝐸 = 𝑞 ∗ 𝐸 ∗ (𝑛 ∗ 𝜇𝑛 + 𝑝 ∗ 𝜇𝑝 )
𝑝 ≈ 𝑁𝐴 𝑎 𝑎
𝑛𝑖 2 = 𝑗𝑛 + 𝑗𝑝
𝑛≈
𝑁𝐴
𝑗𝑛𝑎 = 𝑛 ∗ 𝜇𝑛 ∗ 𝑞 ∗ 𝐸
𝑁𝐴
𝐸𝑖 − 𝐸𝐹 = 𝑘 ∗ 𝑇 ∗ 𝑙𝑛 (
𝑛𝑖
) 𝑗𝑝𝑎 = 𝑝 ∗ 𝜇𝑝 ∗ 𝑞 ∗ 𝐸

𝑄 = 𝑉𝑜𝑙 ∗ 𝑝 ∗ 𝑞 𝑉
𝜐 𝑎 = 𝜇 ∗ 𝐸 𝑝𝑎𝑟𝑎 |𝐸| < 3 ∗ 103
𝑐𝑚
• 𝑁𝐴 : Concentración de aceptores
 𝑉
𝜐𝑛𝑎 = 𝜇𝑛 ∗ 𝐸 𝑝𝑎𝑟𝑎 |𝐸 | < 3 ∗ 103
𝑐𝑚 Nivel de Fermi:
𝑉
𝜐𝑝𝑎 = 𝜇𝑝 ∗ 𝐸 𝑝𝑎𝑟𝑎 |𝐸 | < 3 ∗ 103 1
𝑐𝑚 𝐹(𝐸) = 𝐸−𝐸𝐹
𝑖 1+ 𝑒 𝑘∗𝑇
𝑗=
𝐴 𝐸𝐹−𝐸𝑖
• 𝐸: Campo eléctrico 𝑛= 𝑛𝑖 ∗ 𝑒 𝑘∗𝑇
• 𝑉: Voltaje 𝐸𝑖 −𝐸𝐹
• 𝐿: Largo 𝑝 = 𝑛𝑖 ∗ 𝑒 𝑘∗𝑇
• 𝑗: Densidad de corriente 𝑛𝑖
• 𝐴: Área Φ𝐹𝑛 = 𝑉𝑡 ∗ 𝑙𝑛 ( )
𝑛
Corriente de Difusión: 𝑛𝑖
Φ𝐹𝑝 = 𝑉𝑡 ∗ 𝑙𝑛 ( )
𝑝
𝑗𝐷 = 𝑗𝑛𝐷 + 𝑗𝑛𝐷
𝑘∗𝑇
𝑗𝑛𝐷 = 𝑞 ∗ 𝐷𝑛 ∗ 𝑛 𝑉𝑡 =
𝑞
𝑗𝑝𝐷 = −𝑞 ∗ 𝐷𝑝 ∗ 𝑝 • Φ𝐹 : Potencial de Fermi
𝑘 ∗ 𝑇 ∗ 𝜇𝑛 • 𝑉𝑡 ó 𝑈𝑡 : Voltaje térmico
𝐷𝑛 = = 𝑉𝑡 ∗ 𝜇𝑛
𝑞 Nivel de Quasi-Fermi:
𝑘 ∗ 𝑇 ∗ 𝜇𝑝 𝐹𝑁 −𝐸𝑖
𝐷𝑝 = = 𝑉𝑡 ∗ 𝜇𝑝 𝑛 = 𝑛𝑖 ∗ 𝑒 𝑘∗𝑇
𝑞
𝑑𝑛 𝐸𝑖 −𝐹𝑃
𝑛 = |
𝑑𝑥 𝑥=𝑥
𝑝 = 𝑛𝑖 ∗ 𝑒 𝑘∗𝑇
𝑟
𝑁
𝑑𝑝 𝐹𝑁 = 𝐸𝑖 + 𝑘 ∗ 𝑇 ∗ 𝑙𝑛 ( )
𝑝 = | 𝑛𝑖
𝑑𝑥 𝑥=𝑥
𝑟
𝑃
𝐹𝑃 = 𝐸𝑖 + 𝑘 ∗ 𝑇 ∗ 𝑙𝑛 ( )
• 𝐷
𝑗 : Corriente de difusión 𝑛𝑖
• 𝐷: Coeficiente de difusión
Resistividad:
Corriente:
𝜎 = 𝑞 ∗ (𝑛 ∗ 𝜇𝑛 + 𝑝 ∗ 𝜇𝑝 )
𝑎 𝐷
𝑗 =𝑗 +𝑗
1
𝑑𝑛 𝜌=
𝑗𝑛 = 𝑗𝑛𝑎 + 𝑗𝑛𝐷 = 𝑞 ∗ 𝑛 ∗ 𝜇𝑛 ∗ 𝐸 + 𝑞 ∗ 𝐷𝑛 ∗ 𝜎
𝑑𝑥
1
𝑑𝑝 𝑅 =
𝑗𝑝 = 𝑗𝑝𝑎 + 𝑗𝑝𝐷 = 𝑞 ∗ 𝑛 ∗ 𝜇𝑝 ∗ 𝐸 − 𝑞 ∗ 𝐷𝑝 ∗ 𝜎 ∗ 𝑎𝑙𝑡𝑜
𝑑𝑥
𝑄
𝜏=
• 𝑗: Corriente total 𝑖
 𝜌∗𝐿
𝑅=
𝐴
Contactos S-S:
• 𝜎: Conductividad
• 𝜌: Resistividad 𝑘∗𝑇 𝑁𝑎 ∗ 𝑁𝑑
𝑉𝑏𝑖 = ∗ 𝑙𝑛 ( )
• 𝑅 : Resistencia cuadrada 𝑞 𝑛𝑖2
• 𝜏: Tiempo de tránsito Φ𝐵 = Φ𝑁 − Φ𝑃 = 𝑉𝑏𝑖
Potenciales Relativos:
Juntura:
𝑛𝑏
Φ𝑛 (𝑋𝑏 ) = 60𝑚𝑉 ∗ 𝑙𝑜𝑔 ( ) 𝜌𝑍𝑃 = 0
𝑛𝑖
𝑝𝑏 𝜌𝑉𝑃 = −𝑞 ∗ 𝑁𝑎
Φ𝑝 (𝑋𝑏 ) = −60𝑚𝑉 ∗ 𝑙𝑜𝑔 ( )
𝑛𝑖 𝜌𝑍𝑁 = 0
• Φ: Potencial o función de trabajo 𝜌𝑉𝑁 = 𝑞 ∗ 𝑁𝑑
Contactos M-S: −𝑞 ∗ 𝑁𝑎 ∗ (𝑋 + 𝑋𝑃 )
; −𝑋𝑝 ≤ 𝑋 ≤ 0
Φ𝑀 = 𝐸𝑜 − 𝐸𝐹𝑀 𝜀𝑠𝑖
𝐸⃗ (𝑋) =
𝑞 ∗ 𝑁𝑑 ∗ (𝑋 − 𝑋𝑁 )
; 0 ≤ 𝑋 ≤ 𝑋𝑁
𝐸𝐺 { 𝜀𝑠𝑖
Φ𝑆 = 𝜒 + − (𝐸𝐹 − 𝐸𝑖 )
2
𝑁𝑎 ∗ 𝑋𝑃 = 𝑁𝑑 ∗ 𝑋𝑛
𝑉𝑏𝑖 = |Φ𝑀 − Φ𝑆 | = Φ𝐵
𝑞 ∗ 𝑁𝑑 ∗ (𝑋 − 𝑋𝑁 )2
Φ𝑁 − ; 0 ≤ 𝑋 ≤ 𝑋𝑁
𝑑𝐸⃗ Φ(𝑋) =
2 ∗ 𝜀𝑠𝑖
𝜀∗ =𝜌 𝑞 ∗ 𝑁𝑑 ∗ (𝑋 + 𝑋𝑃 )2
𝑑𝑥 Φ𝑃 + ; −𝑋𝑝 ≤ 𝑋 ≤ 0
{ 2 ∗ 𝜀𝑠𝑖
𝑑Φ
= −𝐸⃗
𝑑𝑥 2 ∗ Φ𝐵 ∗ 𝜀𝑠𝑖 ∗ 𝑁𝑎
𝑋𝑁 = √
𝑞 ∗ 𝑁𝑑 ∗ (𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 )
𝑑2 Φ
𝜀∗ = −𝜌
𝑑𝑥 2
2 ∗ Φ𝐵 ∗ 𝜀𝑠𝑖 ∗ 𝑁𝑑
𝜀 = 𝜀𝑟 ∗ 𝜀0 𝑋𝑃 = √
𝑞 ∗ 𝑁𝑎 ∗ (𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 )
S con dopado N:
2 ∗ Φ𝐵 ∗ 𝜀𝑠𝑖 1 1
φ𝐵 = Φ𝑀 − 𝜒 𝑋𝐵 = 𝑋𝑁 + 𝑋𝑃 = √ ∗( + )
𝑞 𝑁𝑎 𝑁𝑑
S con dopado P:
• 𝜌𝑍𝑃 : Densidad de portadores en zona P
φ𝐵 = 𝜒 + 𝐸𝐺 − Φ𝑀 • 𝜌𝑉𝑃 : Densidad de portadores en vaciamiento P
• 𝑉𝑏𝑖 ó Φ𝐵 : Potencial de contacto • 𝜌𝑍𝑁 : Densidad de portadores en zona N
• 𝜀: Permitividad • 𝜌𝑉𝑁 : Densidad de portadores en vaciamiento N
• 𝜀𝑟 : Permitividad dieléctrica • 𝑋𝑁 : Ancho vaciamiento N
• 𝜑𝐵 : Barrera Schottky • 𝑋𝑃 : Ancho vaciamiento P
• 𝑋𝐵 : Ancho zona de agotamiento
Modelo DC: 𝐷𝑝 ∗ 𝑝𝑛 𝐷𝑛 ∗ 𝑛𝑝
𝐼𝑠 = 𝑞 ∗ 𝐴 ∗ ( + )
Con VA = 0 𝑊𝑛 𝑊𝑝

−Φ𝑝,𝑛 = Φ𝐵 = Φ𝑚,𝑝 − Φ𝑚,𝑛 • 𝑖𝐷 : Corriente del diodo: Ecuación de Schottky

Con VA ≠ 0 Solución en inversa VA < 0:
𝑉𝐴 = Φ𝑚,𝑝 − Φ𝑚,𝑛 − Φ𝐽 𝑉𝐴
𝑛𝑝 (−𝑥𝑝 ) = 𝑛𝑝 ∗ 𝑒 𝑉𝑡
Φ𝐽 = Φ𝐵 − V𝐴
𝑉𝐴
𝑛𝑝 𝑝𝑝 𝑝𝑛 (𝑥𝑛 ) = 𝑝𝑛 ∗ 𝑒 𝑉𝑡
Φ𝑝 = 𝑉𝑡 ∗ ln ( ) = −𝑉𝑡 ∗ ln ( )
𝑛𝑖 𝑛𝑖
𝑛𝑛 𝑝𝑛 2 ∗ 𝜀𝑠𝑖 ∗ 𝑁𝑎 ∗ (Φ𝐵 − 𝑉𝐴 )
𝑋𝑁 (𝑉𝐴 ) = √
Φ𝑛 = 𝑉𝑡 ∗ ln ( ) = −𝑉𝑡 ∗ ln ( ) 𝑞 ∗ 𝑁𝑑 ∗ (𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 )
𝑛𝑖 𝑛𝑖
𝑛𝑛 𝑝𝑛 𝑉𝐴
Φ𝐵 = 𝑉𝑡 ∗ ln ( ) = −𝑉𝑡 ∗ ln ( ) 𝑋𝑁 (𝑉𝐴 ) = 𝑋𝑁 (0) ∗ √1 −
𝑛𝑝 𝑝𝑝 Φ𝐵

𝑛𝑛 = 𝑁𝑑
2 ∗ 𝜀𝑠𝑖 ∗ 𝑁𝑑 ∗ (Φ𝐵 − 𝑉𝐴 )
−Φ𝐵 𝑋𝑃 (𝑉𝐴 ) = √
𝑞 ∗ 𝑁𝑎 ∗ (𝑁𝑎 + 𝑁𝑑 )
𝑛𝑝 = 𝑁𝑑 ∗ 𝑒 𝑉𝑡

𝑝𝑝 = 𝑁𝑎 𝑉𝐴
𝑋𝑃 (𝑉𝐴 ) = 𝑋𝑃 (0) ∗ √1 −
Φ𝐵
−Φ𝐵
𝑝𝑛 = 𝑁𝑎 ∗ 𝑒 𝑉𝑡
𝑋𝐵 (𝑉𝐴 ) = 𝑋𝑁 (𝑉𝐴 ) + 𝑋𝑃 (𝑉𝐴 )

• 𝑉𝐴 : Fuente de voltaje 2 ∗ 𝜀𝑠𝑖 ∗ (Φ𝐵 − 𝑉𝐴 ) 1 1

• Φ𝐽 : Potencial en la juntura 𝑋𝐵 (𝑉𝐴 ) = √ ∗( + )
𝑞 𝑁𝑎 𝑁𝑑
• n𝑛 : Concentración de electrones en N
• n𝑝 : Concentración de electrones en P 𝑉𝐴
𝑋𝐵 (𝑉𝐴 ) = 𝑋𝐵 (0) ∗ √1 −
• p𝑛 : Concentración de huecos en N Φ𝐵
• p𝑝 : Concentración de huecos en P
𝑁𝑑 𝑁𝑎
𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝐸(0) = −𝑞 ∗ 𝑋𝑁 (𝑉𝐴 ) = −𝑞 ∗ 𝑋 (𝑉 )
Solución en directa VA ≥ 0: 𝜀𝑠𝑖 𝜀𝑠𝑖 𝑃 𝐴

𝑞 ∗ 𝐷𝑛 ∗ 𝑛𝑝 𝑉𝐴 Para VA < -4Vt:

𝑗𝑛𝐷 = ∗ (𝑒 𝑉𝑡 − 1)
𝑊𝑝
𝑛𝑝 (−𝑥𝑝 ) = 0
𝑞 ∗ 𝐷𝑝 ∗ 𝑝𝑛 𝑉𝐴
𝑗𝑝𝐷 = ∗ (𝑒 𝑉𝑡 − 1) 𝑝𝑛 (𝑥𝑛 ) = 0
𝑊𝑛
𝑉𝐴
𝐼𝐷 = −𝐼𝑆
𝑖𝐷 = 𝐼𝑠 ∗ (𝑒 𝑉𝑡 − 1) • 𝑋(0): Ancho de zona sin tensión aplicada
• I𝐷 : Corriente de fuga
Efecto de temperatura: 1 𝜀𝑠𝑖
𝐶𝑣𝑎𝑐 = 𝐶𝑗0 ∗ =
𝑣 𝑣𝐷
3 −𝐸𝐺 √1 − Φ𝐷 𝑋𝐵 (0) ∗ √1 −
Φ𝐵
𝐼𝑆 ≈ 𝑇2 ∗ 𝑒 2∗𝑘∗𝑇 𝐵

𝜀𝑠𝑖
𝑖𝐷 𝐶𝑣𝑎𝑐 =
𝑣𝐷 = 𝑉𝑡 ∗ 𝑙𝑛 ( ) 𝑋𝐵 (𝑣𝐷 )
𝐼𝑆
𝑞 ∗ 𝑁𝑎 ∗ 𝑋𝑃 (0) 𝜀𝑠𝑖
Modelo lineal incremental: 𝐶𝑗0 = =
2 ∗ Φ𝐵 𝑋𝐵 (0)
𝑣𝐷 = 𝑉𝐷 + 𝑣𝑑 Capacidad en directa:
𝑖𝐷 = 𝐼𝐷 + 𝑖𝑑 𝐶𝑣𝑎𝑐 = √2 ∗ 𝐶𝑗0
𝑖𝑑 = g 𝑑 ∗ 𝑣𝑑 𝑣𝐷
𝑝𝑛 (1 + 𝑒 𝑉𝑡 )
1 𝑉𝐴 𝑄𝑛 = 𝑞 ∗ 𝐴 ∗ 𝑊𝑛 ∗
g 𝑑 = ∗ 𝐼𝑆 ∗ 𝑒 𝑉𝑡 2
𝑉𝑡 𝑣𝐷
𝑛𝑝 (1 + 𝑒 𝑉𝑡 )
Para conducción directa: 𝑄𝑝 = −𝑞 ∗ 𝐴 ∗ 𝑊𝑝 ∗
2
𝑉𝐴
𝑖𝐷 = 𝐼𝑆 ∗ 𝑒 𝑉𝑡 𝐶𝑑 =
𝑞 ∗ 𝐴 ∗ (𝑊𝑛 ∗ 𝑝𝑛 + 𝑊𝑝 ∗ 𝑛𝑝 ) 𝜏𝑇
∗ 𝐼𝐷 = ∗ 𝐼𝐷
2 ∗ 𝐼𝑆 ∗ 𝑉𝑡 𝑉𝑡
𝐼𝐷
g𝑑 = 𝑞 ∗ 𝐴 ∗ (𝑊𝑛 ∗ 𝑝𝑛 + 𝑊𝑝 ∗ 𝑛𝑝 )
𝑉𝑡 𝜏𝑇 =
2 ∗ 𝐼𝑆
𝑉𝑡
𝑟𝑑 = Con ND >> NA:
𝐼𝐷
𝑞 ∗ 𝐴 ∗ 𝐷𝑛 𝑣𝐷 𝑊𝑝2 𝐼𝐷
• g 𝑑 : Conductancia del MLI 𝐶𝑑 = ∗ 𝑒 𝑉𝑡 ∗ = ∗ 𝜏 𝑇𝑛 = g 𝑚 ∗ 𝜏 𝑇𝑛
𝑊𝑝 ∗ 𝑉𝑡 2 ∗ 𝐷𝑛 𝑉𝑡
Modelo AC:
𝑊𝑝
𝜏 𝑇𝑛 =
Capacidad en inversa: 2 ∗ 𝐷𝑛
( )
𝑊𝑝
𝑄𝑝 (𝑣𝐷 ) = −𝑞 ∗ 𝑁𝑎 ∗ 𝑋𝑃 (𝑣𝐷 )
Con NA >> ND:
𝑣𝐷 𝑊𝑛
𝑄𝑝 (𝑣𝐷 ) = −𝑞 ∗ 𝑁𝑎 ∗ 𝑋𝑃 (0) ∗ √1 − 𝜏 𝑇𝑝 =
Φ𝐵 2 ∗ 𝐷𝑝
( 𝑊 )
𝑛
𝑄𝑛 (𝑣𝐷 ) = 𝑞 ∗ 𝑁𝑑 ∗ 𝑋𝑁 (𝑣𝐷 )
• 𝑄: Carga de vaciamiento en una Zona
𝑣𝐷 • C𝑣𝑎𝑐 : Capacidad de vaciamiento
𝑄𝑛 (𝑣𝐷 ) = 𝑞 ∗ 𝑁𝑑 ∗ 𝑋𝑁 (0) ∗ √1 −
Φ𝐵 • C𝑗0 : Capacidad sin tensión aplicada
• C𝑑 : Capacidad total
𝑄𝑝 (𝑣𝐷 ) = −𝑄𝑛 (𝑣𝐷 )
• τ 𝑇 : Tiempo de transición
𝑞 ∗ 𝑁𝑎 ∗ 𝑋𝑃 (0)
𝐶𝑣𝑎𝑐 =
𝑣
2 ∗ Φ𝐵 ∗ √1 − Φ𝐷
𝐵
 Constantes:
𝑛𝑖 (300𝐾) = 1 ∗ 1010 𝑐𝑚−3
𝑚𝑒 = 9,1 ∗ 10−31 𝑘𝑔
𝐽 𝑒𝑉
𝑘 = 1,38 ∗ 10−23 = 8,617 ∗ 10−5
𝐾 𝐾
ℎ = 6,626 ∗ 10−34 𝐽 ∙ 𝑠
𝑞 = 1,602 ∗ 10−19 𝐶
𝑁𝑟𝑒𝑓∕𝑛 = 1,3 ∗ 1017 𝑐𝑚−3

𝑐𝑚2
𝜇𝒎𝒊𝒏∕𝒏 = 92
𝑉∙𝑠
𝑐𝑚2
𝜇𝒐∕𝒏 = 1268
𝑉∙𝑠
∝𝑛 = 0,91
𝑁𝑟𝑒𝑓∕𝑝 = 2,35 ∗ 1017 𝑐𝑚−3

𝑐𝑚2
𝜇𝒎𝒊𝒏∕𝒑 = 54,3
𝑉∙𝑠
𝑐𝑚2
𝜇𝒐∕𝒑 = 406,9
𝑉∙𝑠
∝𝑝 = 0,88
𝑐𝑚 𝑉
𝑉𝑑 ≈ 107 𝑝𝑎𝑟𝑎 |𝐸| > 3 ∗ 103
𝑠 𝑐𝑚
𝑉𝑡 (300𝐾) ≈ 26𝑚𝑉
𝐹
𝜀𝑜 = 8,85 ∗ 10−14
𝑐𝑚
𝜀𝑟𝑠𝑖 = 11,7

𝜒𝑠𝑖 = 4,05𝑒𝑉
1𝑋 = 102 𝑐𝑋 = 106 𝜇𝑋
1𝑐𝑋 = 104 𝜇𝑋 = 107 𝑛𝑋
1𝜇𝑋 = 10−4 𝑐𝑋