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II Us'rItACIÓN GRAFICA DE LA oBSERVACIÓN

Análisis de los circuitos

l_ con d¡odos
It-Iuq
T l-
INTRODUCCIÓN

El diodo cs cl más simple dc los dispositivos no lincalcs conccrnido cn cste

Seir¿l Fonoid&l ¡ill distorsirin t¡xto. En cste capitülo cstudiarcmos las caracteristicas del circuito y las aplica-
cioncs dcl diodo dc unión, cl diodo Zencr y cl diodo Schottky. En todo el capítulo
i Át) : rt -i. .¡.,,, scn t¡l: Iua | ,[",n scn o1 sc hr conccditlo lu tnryol importancia a las técni.'" 'rÁfitas a c¡r! :' ¡" 'l'' " "
i"O :1,,, rs¡1 ¿¿ porcionan una visión de conjunto dcl funcionamiento del ci¡cuito y a mcnudo
una percepción intima dc su propia naturaleza no fácilmentc obtcniblc por tra-
lamicntos puramente algebraicos. Estas técnicas grálicas incluycn un tratamicnto
complcto de las rcctas de carga dc c.c. y c,a. aplicadas a ambas sciralcs débiles
J fucrtes. Aunque estos ¡nétodos no suelen ser empleados cn el análisis dc los
circuitos dc diodo, su i¡rLro(lucci(iD aqüi sirvc p¡rra ast:lblccc¡los lirmcmcntc cn
el repertorio dcl alumno, cs dccir, en los rcctuuos dcl cstudiantc. Más adelantc,
cuando lratcmos de los t¡ansisto¡cs, ptesentarcmos problemas adicionalcs quc
s0 solucionan ulis fhcilrncntc dr:spuús dc habcl ndquirido cxpcricncin con los
diodos.

1.1 PROPTED/\DES NO LINEALES - EL DIODO IDEAL

Nornrllrntrnl.u. Ios csl.Lt(lilnt{ s t'tn¡ritrzltn t:l cstrtrlirr rlr, lorr lir, rrrll r r,rrr',i'l'
r¡rrrrIr rrrorlr:|¡r rll lIr'¡rrcIrI¡rr li¡¡r'rrllr, rilrrrlr¡ r'l rlri¡rlrrl r'l Irrrrrr rt rtt ill¡, tl" r'll"'L
La cara0teristicil Lcnsi(r¡l-0oIIi(rrl(: (l)i) (lrrl tr:sirlr)r irlIrrl sr¡lrri rrrrrr rIlr¡' l"rr lrrrr
sintpltt - lcy titt Oltt¡t (lll(: lt vr'ffri sr: ¡ritrtrlrt rlc lirlrl rrr I | | | | ¡ | I ' I I | | I l'rrl
I I I ¡ r I

rll¡frtrlir¡¡ lilr, Ill r'¡rt¡iclct llttutl rlt'ltr lr"rl¡llrlr'l¡r ¡t'ltltlllr rrvl,llltl¡ rrtt llt llllttlrr I l l l'tt
cl¡rtclt'ríslir:¡i tri rlIl rlirrrlo irl¡rrl rr| irrrliIrr Irr lrr ll¡lrtrrr | | 1l I rr ' llr|rr \r' ' lrlrrl
I ¡. I i,(t) ¡rrr,rrll r'l r'¡r¡rill, r r,r lirrlrrl ,1, I ,lr,,rtr'. llrrrrrrrl¡, lrt l¡ rrtl"rr rlr rrlr¡r' rtlt¡ l"rt t'¡ t r
 (o) Lr tcnsión dc la fuentc es sc¡roidal, ur ,= Vin cos rr0¡, (londc yr,¡ : 10 V. I-Iollar
y dibuj^r la forma dc on(la do lt tcnsión tlc carga. ílalllr.".,,"fr. _"ai"^i".".),,
,}, ;x -; (ó) Ilcpctir cl Iroblc))¡¿r (r¡) s¡ ¡i¡ , -5 I 10 cos oot.

-qolucid¡r. l,¡ scgurrda lcy dc Kirchholf o ley do l{s tensioncs, aplicacla aI cir_
cuito de -(a)
I¡ figur.¿r 1.1-3 da
ut:inrtlua* inRt o iD: ¡r+R¿
r.¡it | | | |t ,.t,,r,. to ,1,, fcsist.|l{.il y su ciracrcristica t]¿
Lsta ecuación contionc dos incógnitas, u¿ c i¿, las cuales, a su vezr €sran
¡rcio¡lcdr\ l,or l¡ c¡racterfstica r¡ dcl diodo, La soiución o"*'i" !e-
lrrsuttitt r,, (ls l)osjlivit y cl {lio(l r¡nto la (sustitución' dc ta curva ,¡ ",,^'
i; ;;;"i;;.';:ii;;á1;":';"""t1J";:,t",:
(..,,r¡r{ro,,r rs ¡r.fl;rriv., i,.s ccro,;:;;:,:";:":ll.Ji:"r,1:,;.rrf"Tj:yX:)t: "; ¡ndica
f,üiente nrodo: La ca¡acterlstica del.diodo que sólo puc<le circuiar co¡¡iente
rri,'lr¡rrrr.,t. ,.¡,¡r.¡,tr.r:rrs. r.urno trn irrcrn¡t,t". tlositiva en el sentido de referencia. Elto rcquiire quc ¡,¡ > u., Sin emlargo,
tl lonsión d(, alirircntlción. 1.ll intcrruptor "o"r;;ü;;'fo.'ir- iorr.ia"o a.
p*íi"nrloi", poritin".
c¡r¡ndo eI dio(lo está conduciendo, u¡:0, o sea que la'corriánte ii¡ciia
cn s"n_
dr: la. alilncrrlacirirr y abic¡,[o pa¡a rensloncs "r," "...a0" tido positivo sólo cuando Di > 0, "l
negativas. c.ando rj cs negativa, ra circurac¡ón de corriente deberra ser opucsta ar sentido
Ot¡a forma dc considcrar cstc clcmcnto t;.;;; cuenta quc por et diodo ite ¡eterencj¡; pcro el diodo no puede conducir cn estc scntido;
ail i¡: O cuando
sólo ci¡cula corricnLc dc p a ¡¡ (iis. 1.1_2),
y la". ¡, <0.
cu¡ndo la tcnsión (rc ¡rtinenl..ción """d;.;i¿;;i;;; ü!ir,rnt.n_.nt"
¡roctiun. ni ,iil; ;l;';;,,i;ic cuan¿o ta
lista c\plicación pucde resumirse dibujando dos circuitos, uno de los cuales
tcnsión dc ". ?1. lilldo para rr > 0 y el otro para ui < 0; tal ¿omo
aliment¡ción cs ncgati\¿r. ('t¡liza¡t(io los circuitos dc la figu¡a, pueden hallarsc se inaici en-ta-ngura 1 t_.l.
tas in"Ogniia.-r, e ¡D. Asf la
co¡ricntc i¿ dcl diodo cs

r) aol cuando

'cuando ,r <
¿'¡ > e

)'lx tensión e[ la ca¡ga ,, es

I.jg. 1.1-2 Diodo jdeat v su c.r¡!crrrisucx or. ur: iaR¡.

Los diodos ¡ealcs ticnen ca¡actc¡jsticas y linitaciones

ran del diodo idcal. Los diodos rcalcs se csiucliar¿in quc haccn que dille_ Dtodo
lor,r"""i*", slguientes.
De nomento sóto se considerar¿in tos cliorios
muestran. algunas dc ras operacioncs con
iJ";i;."n i;; .;"rniio,
,,guur,o, t
señirrcs c¡uc sc rcarizln a nenudo con !¡.
simples circuitos dc diodos.

Ei€mplo 1.1-1. Recl¡f¡cador do mod¡a,onda. (d) (ó

n¡s det diodo cs t^ producción (tc una tcnsión Un¿l de las prjncipales aplicacio-
)

.".ri";; ;;"ii#,lfili.,n ruon," ¿" rrg. 1.1-4 Estados conductor y Do con(luctor (ltl rfclillctrdol. diodo:
¡lrrncntnción,lc corricntc altcn):t_ I k0 ¿,¡ > 0; (r) rr < r).

\'(¡ r'r rilil ,lc r,, r)roccs. llr¡rrritln r¡lílirnci'ln, u¡) stlbprorluclo n
i; i,,f;;;l ;:, i;; ,i:.,iiiil,'ill;:l:,;;,1';l;,;,r;ll,:l1ii,,ill
",.iiñt,i,.i¿,,. ",,,,
Ji:l,ii,illl;,1,i: ..T,;:)lllti,;i L_¡_tcnsióD.(lc c^rgll ¡)/. v Iir trn\i(in (lc soirril cstrin rcp¡.cscnta(lns cn la fi_
gr¡r¡r.l.l-5. Ol)s(1rv(.\. r¡r¡r, tl t¡,n¡r¡r ,lf r¡¡r(t¡r rt0 tnurir¡rr.tontr. c* tgrriii i¡rro t,r rto trr
Irr¡slór rlr lrr .rrlgrr r,¡. t,t\ r¡rr ,,r(tfi \(rt,lttrl tu:ttltt\utt ¿r¡ r¡r¿r1ii¡ onrlr¡. su vntor
¡Ire(llo s0 {)l)tlcno (1IvI¡I|(,||,L| (l iifrll I)i)r cl ¡rcrlorlo,2z.
+-l)- ¡r lf) ., f I":' v,
r/..,,i -.
Dlodo ;\
..,,, L,.,tr,,,, ,,,. ,i tt ¿t,,,lt ',: z,xr; v (r.r-l)
l,:l {l(srrrrr)llo , ,,r rt,, ,l(. r ,,,,,t¡.r ,ti, r,,li ) r.! (vó¡,.tf t)r¡)t)trD¡ll t.| :t(J)

lronto C"r;
l,jit. l l:l (tift:lliLo rcclific¡(lor (tc |lrc{lin
on{t¡r pnrn cl fifr¡¡p1,, Lr.t.
) ,' ,,,,
 l,i
relación cntrc cl v¡lol.cflcllz (r.nt.s.) dc I¡r tcnsión dc on (h¡l ¡rción yl¡tc¡rsión
continua es t¡nu nic(Ii(Ll (lc lll cllrircitr (ld flltro cn lll scl)er¡ció¡r dc l¿r tcnsión conti-
n 1r (lc los ittn)(t¡li(:os. [)¡ril cl lillro ,¡t(-] (ld (!jcntl)lo

, l¡ r., lo

|.u'rms
v¿,d"-t 280 ! 0'011

- l0
Asi el valor elicaz dc la tcnsión dc ondulación es aproximadamcnte el 1 % dc
Iri¡l. 1.1 l, 1.,,1 rLuIl¡ ,, ,t:r , , t , ik it,r rfcriIf¡r(lof rlct cjcrnplo 1.1-1. ln tensión continua en la salid¿I.
Filtros más complicaclos co¡no son los lilttos ¿C y Ios CLC que se muestran
en la figura 1.1-6r, dan üna Lensión eficaz de ondulación mucho mcnor, que puedc
(:r!cul¡¡se aproximadamcnie utiliz¡nclo cl nl¿todo anterior (vóansc problemas_ 1,1_4
j:-,ii'
j#;*:Tj
j*i,,tli jiil¡},,'l :l"Tnxi";# :::n",1:: I t. t-J).
ii:"liiiti lilxii''tsl ii'ui ll¡l el clisciro dc una lue|tc de alilucntación usualtnente no j93ju$4_!a,¡esis.
tcnci^ (lc liltro It de nrodo qlre sca n1r¡cho mayor quc Il¿. Realm-e¡tc se suelc hacer
,",".'i..1.ff;;l':.:""J;¿:"f,ili;;li,'(;i,f:1""::ill:'J;ix i:ü|;lij: ff*";*:l: quc 11, sca infinito, sup¡i¡niénclolc del ci¡cuito, ya que esto da por rcsultado una
s-c

t o suponsamos n¡a]or tcnsión de saliata. En cstc cjcmplo hemos supuesto R¡ ( Il para que sea
:i:'1i'1"'Xl,";t"'¿;:"¡l;'liut*:f,'l 'i"" uno á"'"'io' nttroi, poi f¡rctible un análisis lincal. Un circuito pr¿ictico dc fuente de alimentación es el
9.9¡91 ¡;;; li'ú;;1 lii"ii;ift ,T.'Í jiT:T"*n,:J,ig"li:.':?l (lctccto¡ dc crcsta quc estu(liarcmos en ct cjcmplo 1.1-3.
XT :..fifL
4L
,",i
: ruu/o0, lo 1.jl:::lib]:t "_;;,ff
Enronccs, si se ajust¿ ct producto
Rc <ie moclo'que
tmlrlrtud dc ta tensión de salida y¿, cn la frccucncia ¡¿o^ es
(¿)) La forma de onda de ¡)r se ha ¡.cprescntado cn la figura 1.1-2. En cste caso
se ha a¡iadido una polarización negativx fl la seilal. L¡ forma de onda <lc u¿ sc ha
obtenido consideran(lo que la corrientc circulará sólo cuando ¡rr sea positiva. El
ticnrpo exacto :L 1r, en cl cual empieza y termina la circulación de co¡¡ientc sc
hrlli ll¡ciondo ,¡ 0; rnl,'necs
"':Yr#\*ffi "uunuo "= '
10 cos ¿uo¿r : U
tcnsión de ca¡sa a ra r¡ecucncia noo, por ejempro -5 +
¿,iliiIi'"T,t1?l¿:t!t.o"'" de dondc cos (,oll : 0,5 y t¡olt : *
Utilizando el principio de superposición, la tensión de salicla será 3

,"1t¡
" r"-(-t;- + frsen ",0r
+ ,h*, ,,,,--,rlo;: r"n .r,,, +
)
Lucgo la teDsión de salicla consiste en una tensión continua y¿.,/¡
tensión d¿ ondulación w, donde J¡ una pequeña

,, : t"-- (# ,"" *¿ + # se' z,,r .)

- ..

Ill{. 1,1-0 Irllt¡.r)¡ rl(l li tflltlrIilr Fl(. 1.1-7 Ifornurs {10 or¡(l (lfl ('ir.uito r,f f^rlof (r)rl l¡r l, !1,,r ,1, l,¡'l r lr fl,l |l1ltr,ll,l¡
l)||rl!0$. n lr scn¡rl.

4
 r||||¡ri,| ¡.¡)\r'|ll|, rio inllor(! (lllc cl (liodo conclucc cuando

it o,,l ". 2rn 1 !;

',a

.t

?\,il lfl l|' sl(irl lrl r'itr4lt cs

,1,5 -l {) (:os ool 2"n .-+<.ot<2nn+L

l 2;rn I ,- <."t<Zrn+f
I:l vltlr)f rf(lio (l(l r)/, s0 e olr(:Iltr:l conro nntctiolnrcntc.
/-\
,. 1 l,t3
v/..,rc
:r .) ,,,r(-,t,5 + I cos r,00 rt(o00
: o-
,t,t)(+) -t I .c,, i_
(
-
t| t/¡
: 1,5 i:* = u.9lr v v. -v
-
)'E¡emplo 1.1-2. Rect¡ficador dé onda completa. La tcnsión D2
dc ondulación en el
rectificador de media onda se dcbc lrinc¡patmcntc ,r la eonpoireDic rlc (b)
1a señal de
frecuencia JundameDtal o4. El rcctilircdoi dt ontla complcli cl¡
una tensió¡r en la I.r¡. t.1,lr lal circuito cquiv¡kntc dcl rcctincrdor dc ondr complcta y formas
carga que tiene una ondulación cuya menor lreclrcncia cs 2oro, y además cic ond^: (a) cir-
ponente de c.c. es er doble. Este tipo de ci¡cuito, una forma la com_ (ritoi {h) fornrxs (lc onda.
clei-c"uat se indica en ra
figura 1.1-8 esj por tanto, más encicnte pa.. ta p.oauccion rte unilcn,"io¡r
con pcqueña ondulación y cs el circuito rcctifiiarrot básico dc la ,rayorlil conün'a
Iuentes de alimcntación de corricntc continu¡. dc l¿rs l.a t,rnsión cD lo cerga l)l¡eclc escribirsc Dr: l¿rrl. I-ás lormas de onda dc cor¡icnte
! tension se l]lltcstr¡n cn lx 0gurt 1.1-90.
Irl ,j' \j,rrullo cr \(rjr rl, lr,'rrrier lnr:r ¿,r, es lva¡sc protr. t.l-2li
Arrollamtento Arrollsmtento
pflñE o secundarlo ,": ",^(i**"o. z'.ir,-fi-"o, 4,,;¡ + . .) (1.1-3),

I.x c{rmpo¡lerltc dc c.c. cs (2/r)yr.,, que es dos veces ¡nayor quc cl v¡lor obtenido
l¡tilizalrdo cl rccLilic^dor (le nrccli¡ onda. Si ¿,¿ Dasa a trnv¿s del IIltro IIC de la
fi8ura 1.1 0a, coll ü)olic:100 conro antcs, la t¡nqi4n dc ondulación dc salida se
c,)n'.'lcrte cn
Iil
,t\tr.,,, | | 1 "')\
u, '-. á; \ i¡¡ ',,',
2ol
- 1000 scn 4at +
lrir!. Ll-8 Itcctillc¡r(lor ¡1( on(t¡r co|)lllctr.
\ rl \'r1r)f cflc:rz (r. t.s.) (lc l l{:rrsión (lc ondulación cs

,.:] l:::]^"1:],,]:¡r
., 1r'rlns¡onD¡Ctor
cr
I o dcl circuito pLrcdc explic¡rsc cr¡ntit¡rivnrncnt¡
sr so :.rrl,rimc
l(lc|1l Irrizllndo LIc nucvo l{ figurA 1.1_S tal conlo sc iIldiclt cu la
{"')'-'"ff
llgula 1.1-9d. E' esta flgura se co¡rsidcra el úansIo¡maalor u.ro lucntc cle
oorric¡rtc olte¡n¡ rcncjada dcl prifiario cn cl circr¡ito sccundario"o*o l-:r fcl¡c;(ir cntrc Iír tcDsió¡r dc ondulación y la tensión continua cs
(lLrir.(to.r¡ cs_tositiv¡, D, cs un corlocircuito y corr.,n iou,¡
D, uu ;i";iiii; ;i;;;. "cnt."r.
cu¡in(lo ur (¡'.)'-'
cs .cgativa, Dr cs un circuito abierto y D, un coitocircr¡i¿o. 1
nn
(tc.nrgil ¡, ticnc cl ¡nislno s¡nti(lo positivo conlo sc in(licn "nán "n* "o".i"nt" l" 1,r.,.,r.
x 42¡ x o'0024
ctr fn nff,u.,, f.i-1i", I,
co¡llo llrlo tl otro (lc los (llodos rl o,¿)! cs ult cortocircuito
cll clth scririrtcto:rttcrno, quc cs consi(icr'¡rlllc¡Dcntc t)lenor quc la obtcnida utillzando l 1 r'(!cllll(:f|rlrrf (1.
6
 . t|,,r l¡r¡lo:i loi, ¡. (.t¡ilr,.i r,li.r.1|0¡lir.0s |1.(l¡¡ic|'(.n clcrl.jiir cn fo¡.r il cle
collicn_
|| r'(|¡||i|||ti| r¡¡rrir :r¡ r'rrIr( l l , v r'.r¡¡o g.'.f:lrrt0,l.a s. (risponc oc corr¡cntc
i¡ |i ri rr i ( : r Ir () Sonr¡do do ls corienre de
descargá del condens¿dor
¡llr', r)rl, r'rr lr rrriryrrr.lrr rlr los r:r¡rri¡rrrs r.|i.r.tr.1,Iic s s,. lit.rrr,¡lArlrr til,o
rlc rcCtilicador
,,'rr lrllr,,. 1.,,.r , i, rrl,lr,\ LI-l .J l.l-.1 lr:u¡
|lr.,.s,,11:rrl,, lrrs corrrlri¡¡¡¡r"is¡¡eq ¿s ¡.a-
| ||i ¡ i| ( | ¡, r ' { ()r I rilrrr) ¡'iis
¡¡lu. rrr r.s rr ririzirrrrrs ¡'rrir
r'r¡ rarrr
¡rr.oducir.una tensión con-
lirrrrrr ¡r:r'rirrrrrIrr {l..rn [.c'10 (lc (ir)l.¡.i(].r.().llcrn,i. IisLos
circuilos básicos tienen
¡r¡\( |lir)ri ir(lo¡r\'{fnicr)tcs, (Jlrc Ios rl¿lccu illlir-ilcs
Iitra rnuchas aplicaciones. til pri-
,¡¡,r'r rlr'.ll.s r:s l;¡ v¡¡iacirin (kt l¡ l_e'siún co¡tLin.a cn Ia carga
con Ia coDientc
,lr.r.rrr.¡¡rr. llislrr s. rtirlc por u¡rr cauticlird l.rnarla
rcgulacidn, iii"-r"'oafin"
_li.rrsrúrr "o_o
llcgulacir'rn:
crr- varío Tcnsioll ¡ plcrrr clr6c
r enslon a plena carga
ll¡r¡ fucnte dr alimcntircir.tIr idcal proporcionaria u¡ra tcnsióIr continua
aorrs-
la¡rtc e independictltc dc lt corricrrte cle carga, o sea, l.egulación
cero. Esto cqui_
lalo ir dccit rluc ll [rLc¡rtc tcn(lrja llna rcsisl.cnci{l ,lc s,rl-id,r c"¡.0 .L
a parlir dc los
Ict¡rinalcs dc la carga. Sin cmbar.go, cn ]os circuitos prácticos,
la resistencia L
dcl diodo, que no sc ha tenicjo c¡r cuenta cn los cjentpios, y
Ia rcslstencia dcl
crrcuito dc filtro no son desprcciablas y prociucen uno ."rirt"n.l"
de salida linita.
Si la resistcncia de salida es igual a.la iesistencia de carga,
la tcns,on a pt"na
carga es igual a la mitad de la tensión cn vacio, y Ia
regu"lación es t00 poi 100
Un segundo inconvenicnte dc estc ci¡cuito rectilicado" ¡'¡sico -c,ranao
se utiliza
como fuente dc alimentación cn corricntc conti¡rua
cs quc la salicla dc corriente
continua es dirccta¡nente proporcional a la magnitud ll. U
ta.rón de cor¡ientc alte¡na. Como la mayoria d"e las lineas
io.ri* dc alimen_ t''
de couiente altcrna
no mantlelen una tensión absolutamente constantc, ]a
salicla de corleDte con- 0L
tinua variará proporcionalmentc. pa¡a muchas aplicacioncs, ,
el aioao esiá en cofoci.cuiro
esta variación no
pttede tolcrcrsc,.lncJuso arrnqrrc sca relativanentc pcqueria.
Un tercei tnconve- El diodo es !n crcL'to ¿bio o
nrentc dcl clrcurto ¡¡terior es que incluso la pcqueila
tensión de ondulación
ní raca cn tos c¡cmplos cs ¡ nrclludo mayor quc ]a aclnitida prira
cl funciona-
mienlo corrccto dc los circuilos clccl_¡ónicos rnris complicados.'
. , !*¡l"n n_umerosJs tecnic¡s para soluciona¡ los inconvenicnLes citados. Los
dc
l:""-Tl:-,,c., clatos v l¡anralcs* riuc contienen
Iectificad_o¡cs
rnrorJn¡cron cc,mprcta sobrc cr-proporcionan
Proyccto dc fuenLcs dc alimcntacidn dc muchos
t¡pos. lrstos mtnutlcs informatr sobre cl cstado aclual
cle la técnica y propor_
cionan una importante fucnte de info¡mación nl ing"ni..o-
scccroncs 1-10 y 8.8 se cxplican distintos
p-y";iirt^. En lu, ('
'l
méloclos 1-,".o _.¡0.á. ei comporta_
niento dc las lucntcs de alimentación. l,'l
rl_.t?^, r:1..111.1"(;",f rr1. ,,i.r,r,,r,. ,,,,,ri¡ o,rd¡: (¡¡) ci.cuiioj (r) fornra o, onou parlr
t.. .¡,r.. , .. ,r r.r..t,. ,1,. ti"rnj,,, rt,. it..,..rrg:r . . /i¿¡:.
Ejemplo 1.1-3, El delector de cresta. I_n cornl)oncntc (lc
c.(,. ct1 lr srrli(lll (lc u¡r
rcctificado-¡.dc o¡rd¿r co¡rplota es sólo el ti4,Z",ifr,:"*i"i"ii,i,"",iLi
ttc ll r.cnsir,n ¿c rr ¡) ¡ r'r (..r't¡, rlr' ¡1, t,, (tr' t, ii,rrrir
(tr! {)nlLr dc c''tr¡r(l¡r cl (iio(lo
c¡csta dc la scnoidc dc c¡rtrad¡. lll rlcltclor cli'crisla
1" u¡rír síl_ r1)rlo(.lrc ttr) \ l)¡rr ( \ i ,|| i I 1I I i , , t,l (.of|(lct)sii(lor scgrririi lr u,, con¡o¡cLúa
|| I
corLo u,'
l)rL¡cstfll liI ll-
lida d0c.c. colnp¡r¡l)lc *l v¡rlo¡.(lc (rcsL{ (lc I. tcnsión'rlc "rirrf,i"iif"i'rr.nuccn.,a,,,,,u r {rrnt LI tl)/,. (l jrrrl,r ,,,,/
r I

r/:.1, (.1 ro {l(,llsl(lor sc labr.ú car,gaclo h{sta ,, : y!,,.

sc utiliza como tucnte ctc ¡rlirrlent¡rción. I¡.r" "iii,:^it,ií ¡i,,,:',,u (.urrrl,r l, I
t-in)bicn cn los rcccptorcs AIf I,flra (lctcctar 1,, ";r,,i,ir.,, 'i,, li:;í";
iii(. -1,i ,,,,,,,,",,"
/l/ lrrl'rir'!r l¡¡
,
.
i ,| | | I rr L 1 \ r
,
, lir l(.rj:iórr (trt (.rrn(lons.r(lor no puettc iiisnrinuir
l)or(trro corr
,r,,,r¡r"r,l) i,,,.,,,,,",,,,,, ,,,,,t,, (r(.rirfrlrr rLl c.n<lcns^rkrr.-rlcr)c
(1c In portarlorr Ltot!¡tlal¡ cn n¡¡ttlitt¡,1. \rr¡ll,l,, I',\,,r'.,'.",rrirrr'(rr'
(:,||||,, lr¡ ,,,rfli l|ti. rro r)usirr por. cl (uo(ro .rr
¡rrrr,rle r:lr.t:rrlnr-¡ror,cl rÚórlo clr scrrli(lo i vrrso,
lll funcionírmicnLo d,:l rlctcctr¡r (lc c¡.cst:r sc cx¡r)ica rDris
Iririllltcnl(: | r I r | ¡ i t i ¡ | ( t , , .t r.,,,t,¡¡.,,¡t,,r r,, ,,r. t)r¡.rt,. ,t¡..,(.rllirf. tl(,¡. trnto- tir.L(:nr!¡ttu .tr, !Ji¡:;,i r,, *,, ,,,,,,,.
qiic u, : yrn sen oor y quc cl rcsistor rrc
c¡r'grr ,/i,, ii,iri,¡r,,. i,:"r,,ii"cs, {¡rr.¡rrr(l
| r
,

ll.rf r'. r'l \irl1* (l(' ,rr"ir^ r r- r'.'rr rrr. t'ryu *u.ieiiiudir it irit,¡1 it,,,,.,,*,,, ,," ,,,.
"., l,i,r ( l|ll(l( ¡¡!rlorr,r D |lr.r ,Lr,r lr(rli,cl()s v slt (ll$l,l.0l)¡t¡(,1¡t ü,rl),,r10 rl lrlr,rl
tLos númcros stgnili.¡n clt¡s ctr hs lt.tc¡.r¡crnr rl nnrrl ¡¡llf'|r. 'r'f r( lr¡, , ¡rrr,r, Ir'1,,¡ 1,,,,
{1,,t flt,lr Ir. ''rr lr':,isrc¡rclfr r,r¡ I,rfr|.r. t,r ¡.,,rr¡, /i, ,.r rrl
8
 &d
flA¡r'. Ll l{}/r. Iir (r c;rso (ro (¡r¡c /rr. ro sr.rr irfi¡rit:¡, I. l.cnsió¡r (lc sali(r¡ del dctecto¡
¡if rr!)i'r'cc (.r)r{).slf fr'¡rfrsc¡rrr{lir (r r:r frJ-jlr*l r.r-r0a. Su máxilna nl¡gnitLld Lic¡l(r lügaf cuan(lo /n(¿) : 0 y es
.rr.\'rrr¡c'l(: (¡L¡a /,/, ¡)¡ rl.r..lr! (:l l)rirl.r c..t,l() (l{) .i(:1{), yilIrnquc
'¡rsr^ r,sta iigrrra vernos
i,,rro (.r)rtr)circr¡itr,. Sin rjnrt)¡rfl.j(), 1:rnn(tr) ,r (lisrlirrjyr, l,i'i",,.i¿n cl diodo actila I dott\ |
:
¿ o,Son vn
{ ()|)(I s r r Il¡lt)l)i¡ll (lisnli ¡tyc ¡II¡II(IIIc,c|. (liorlo cs ió ¡n co¡.1c, y,,cir
I r I i|{ L | )
¡o¡ncs clel
_qua
uoy .rn
,,,"* (1.1-11)
Iiü)t¡l)1) l,¡tril.lll It)rri0Dl(! (10 {Lcs(:Nrgtr, cs (l(,(.it., ¿sl.it t:ircul¡
a L¡,avós clc Il¿. La tcn- Cou cl 1ln cle h¡il¡r. Ia nrlixitna cantidad que pucdc
l'ia)r) rl(: sllirll c¡tlt¡r Ios il)sLantcs /r /? (vórsc Ilg. l.l_l0c) ,li.r,ii,,t,y" disminui¡ la envolventc
tn rrn tierr¡po igullt a i¡n Dcriodo c¡r la portaclóra
( rllrl( nlr (l(: _y
lrct¡(:rllo co¡l la ecuación "*pon"n_ por Lu"l\l y ponentos A¿ : ?'. EnLonccs, cn un pcriodo ir : rñ'r".]ii"i,"os du,(t) lrtt
rlc la Do¡tauora
L,L V,-¿ |t-t,' lttt: l, , l :. f, (1.1-4)
L.u" : 0,5 a^TYn (1.1-12)
lint¡c los ir¡sta'tes ¿r y 13 cl dioüo irp¡r.ccf rr.cvariler; coüro cortocrrcuito
I ,l,jr l.fnsiór del,conrie)lsxdor sigue x la ten;ión de cnt¡ada. En c¡.cuifo tt on_
cuancio n(l) : 0, I:r srricr¿r crcr dctectof comienza a disminuir cxponencialmcntc
rrri¡rt,rir o rtzndo crcstlt ¡ crc\la es "ii" d¡sde cl \xlo¡ yr- (ng. 1.1-11¿r) hacra cero, qe acucrclo con la ¡elacióf
VLt.ee: L(t) \L(tr)
t)
üL(l): Vh.-tt¡rr.c
- -
(1.1-13)
: Vr,,( €-(r'-r, rn¿c . (!,-t)lRLc)
- t;:.,uno"o (tiempo z') er diodo concrucc nuevarDenrc y
(1.1-5) l]"11i:j"i::,'i;,,:,,"I(!",t",¿J
¡! * 11, como usuatr
< . xSi7 n¿C >que es válida n"* , t'ili iliii?q
tlodcrnos utiliz¡r cl desar¡otto A,ut:Vn-Vhe''I'lltLc ( 1.1-14)
-:x, I't¡r'rlrr rlrrc 'l < l¡r.(:, Iorkrll|lrs tlc tjucvo lltccl. uso rlcl <lcsllt.¡.ollo

- !#
._¡ ñ 1 * ¡(€ < l),
-(' *+;*)l
Iisto (l¡
v-,no - y'.Lr (1.1-6)
DosL

Pa¡a el dctector de cresta del rcctillcacio¡ dc oncia colnpleta ¡cprcsetltado

cn la
1,". v,-7|- (1.1-15)
ngrrrx.1.l-10a Io durrción dc lr p.¡tc. dc_dcsc"rg" ¿.f ll_i, üa casi igual
¡l neriodo de la ond;r se'loitl¡l ie cntra(ti. Asi"¡,._t,"l"i;,
_ i)ñ.,,'il, ouuu,""i¿n lrntcs (lijimos, la v¡riación de la tcnsión dc salida dcbe
". . a la tn/rxinut
rgu¡l.L0l]10 scr Dor lo rnc¡ros
va¡iación (ic la onvolvcnte c¡l un ciclo a" lo poaio,f,ia". r_".
v¡" dicioncs pata quc clto ocurr¡ sc hall¡n iguatando
v,.t,oo = j¡"C (1.1-7) ii.i it'y ii i_j;;-'i"o qu,, ,,^"uu_
l,ll colnponcnte de c.c.
)
cle la tcnsiól de carga cs Ílpt.oxjr)]¡clanentrl IILC:-: (l.l-l(;)
r,¡., ¡c = vr- . ! y,.,.,,.r, t,,,,, (t * ..,t,,t,r;.,,
) (r. r -¡i) . si rll (l()nslIrt(r (l|l Licr rr) /ir.(. cxce(lc (ra rrjr^, r¿\ (l0scafgl (lcr e0lrrlcusil{L{)f
(lcürirsi{rio Ior!Lr y la saiid^
serir (lcl (lctcctor ur, tio'scguir.ri a tit?¡rrloli,cnrc; st r¡rC
Obsé¡vese quc cuando ll¿ (o C) sc ap¡oxiutr a infinilo, .f/¿,dc sc nprorilrna rs nroor.qrc lltrl^, L)L scg..ir, ¡ r¿l cnvolve'tc pcro la onchrJl.ió,
co¡no antcs hemos visto. pa¡a cl clctcctor clc crcst¡r rlcí .""iill"",ltori,i"
a yr,¡J sjvr. En la J)r¿icLica, us¡ratnrcntc t¡ ¡norlutación r).c(re scf cxcc-
plcta, Ia ondulaciótr cs 1a rniLa{1. otld:r con¡_ por lo.quc sc (lcbe rdopt¡r r¡nir s()lrrci¿)¡r a" ionticnc irir:r i,,iiiii,,,,i" t.."r"n"in.,
ccr¡aci(lrr (l_t-t{;) sc rlct)(,ri utitizur tl ttxl¡cr)ciit iiilii-,,,u.i,,]r,"ur,,,,,,, lu
(iuitn(lo sc utilizr¡ c1 (lctc(:l()f ri,.,.rr\tl ,. u vr,luIt(lr.(), (.icllr1)t1),
"uurp.n,,iii,.
rlir r¡rortLrl:rciiiir,,,,i.,,l,,r.,,,L".
ti'l
grtrnde cot'o scr¡ posiblc c,,' cl lltr (l¡J cl.c csLi I,,,r /i/. su
^.lce y €ntonces D¿ se aproximarli mlrcho al valo¡ de cresti¡.".c,,i"
iocron
t* lrrtnrr¡ta c,nclu- €jempfo 1.'l-4. circ!¡to fijador de.nive¡. Ill círcuila
dc la
Ilu los sistem.s /\l\{ clt ql¡c cl (lotcdo¡. (lc crcsLa sL! (lc'o'rillir tcrlsión
(lc cntra(l¡. r0prcscntado.cn-la figut.ll 1.1_1..1¡r full(:iona tlc nra crilijadar dt: nít)¿:, o sulctattor,
_ (lctccL{)r (Lc c'\,o1, rlt'cicsLi¡ (lc lx figura l.j 10.r. llclll¡ CtLttj los dos cir.cuitos lllt.rloga ¿I llt, (lcl dctccto¡
vcnte (o. dc¡llodulado¡), los p¡oblcln¡s 5olt .lgo clilcl.entcs. ?\qui h eotlstante son icl¿nticos si .¿l¿ clel
ticrnpo deI detcctor. de c¡csta sc rteb(. clcgir ,ti: nr,,,1,, q,," dc circuito tlj¡(lor sc ajust:r (lc rr{)(J,) (Jr¡c srr varor sea i,,nirii,,.-l,i
lrr , rlv lvctll" vrrrit'l'l¡ ..i:.,.,,iin j,,r"u,, *"g,,,l' tlvir¡t)cljlc cl lt¡ cjolüt )i(,r)t¡r (t(,t i.ircrrjto.sl¡ponf{¡t os l¡llc /l¡.^ "*pjicar cuarita,
'.,,I ,l Ii' ||||)I) .III(I rr.r¡llslor.Irir tl i,tli)r.
rrrl L,lcllll¡lr), r.,'
"f It(:iri (l(.scll(tll. el i(rc,r. or)scf\',,.rr(' rir',rr).rir rt..st¡i t:,rrrc<rtiritir cs i¡.rfl¡ito y rlr¡c
s¡'L{.' fIlos ,lr¡c l:r \(riNl r I I I ) { I rI I II I I II j
,
r (i li)r.lllll.itin) cs '¡lir¡rl'cs
tcnsión (1(! slli(i r,¿ u cr¡ ." vo (rrrc ru
I)trcrl(: scr rtlityor qr¡c l¡ tcnsió¡ (lc "i'¿i,,,r,,
r

{rl.inst¿rntc cn (l¡c D/. o\(:c{Il. (lc }/r¡ cl riioáo.c"onrn,ii".,i-"n rcfc¡cncia Vn. En

¡n(l) : 0,5 cos r¡,,,f (1.1-e)
rjón, (onslilLrvcn(lo rrrr r,or.tocir.r.rriio (.iull)o¡ricn(lo l^,,ii,i¿i"l¿"'rr,: "f ".in,io,r" "nnOu"_
I!s{.r os nrodul¡(l¡r cn lt porL¡(lorIl (lc all_¡ hecucncia llaci¿n(lol¡ pasirr.por u¡r cir_ cl (o¡(11'rrs¡(lor.al sc {l{rt)(lri crrr.¡¡rrr.hlstrr.l:i Lc-nsión i,,r; cntonccs
V¡ _ V,., ¡;,;; mu;sra la flÉu_
, rriln l ¡ (lrr .on)o \:rlirl¡ ra 1.1-12¡. (tor) /t, inr)¡itr) {.t ¡,{,n(Lcnsl(l{)r.d no sc
DLrc<lc ,il;;;;;;.;',,,
pt(t) t/r'll I ,(l)l ü)s ¿)0t =.. ¿,¿(/) (1)s .){,t ".
(r.r,r0) t,¡, (\'r .l¡¡.) I V¡- scn oot
(l0 tlo /,,(/) . l',,,,1i i,i¡f¡¡-,'* t,, t,nt,alttutlt ,.lir (,str (,(,rrf¡r.rr Iisllr ¡¡¡¡ll,' ,¡, o rlI r,sl¡i r(,Ifr.\,,ll rl 1. Ill ll(t|t, l.l_tll/r.
,,,,, r,s l¡r ! , ( .
||i,Ir
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rrrtllrrlll rlc llr l)r)l l|(lotlt. \' rrstrItIIrI{)rtLc ¡r. .( ,o,r. l,lt
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l. |

lf t(.nsi(ilr (l(f s|li(lll ¡,,. r)stji Iii(t,: \,¡ t,¡;. l)ccl¡rr()s (1nlr) fcs (lu(1
l)oftlr(lor:t rI I I)(| I || I I (I I ¡ cslli
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ur. = (VR - Viht + Vin san erat
v^
0

tb\'
¡ig. 1.1-11 Dctcctor de envolvcntc: (a) forma dc onda,aM; (bi vista amPliada de la salida

¡epreseniada en la flgura 1.1-110. El dei"ecto¡ de envolvente es utilizado pa¡a recu-

pcrar la sciral modula(lora tr(l) siguicndo las variacioncs lentas dc m(¿) y prescin-
diendo de las variaciones mucho nás ¡ápidas dc la po¡tadora de alta frecucncia.
Para poner dc mánifiesto lo que está ocurricndo, hemos representado en la
flÉlrfn 1.1-11/) un¡lI){)¡(:ióndcl¡llo¡¡1rrdcon(l¡r(l(} ur ¡ltnplIr(ln pltro ¡rlostrnr los (lct¡-
lles dcl proceso dc cletccción. La scilal c¡r la s¿rlida dcl detector dc cnvolvclrtc está
dibujada en llnea llcna o continua y ha sido designada por ur. Se ve que, para que
¡,¿ puecla seguil la cnvolventc dc ¡rt, la t€nsión del condcnsador debe ser capaz de
c¡¡lrbiar una cantidad igual al ¡náximo cambio de la envolvente en cl intervalo 0
(lc ticmpo rcquctido por 1a polt^dora para rccorrcr tln ciclo complcto, Estc tic¡npo
(ls (lcsign!r(lo '1.(.. I ll,,\.
La velocidad (lc variación de la cnvolvcnte cs -

f : ,'^ !# : v¡.(0,5--) sc' o.r

"al - ¡rl8 l.l'12 cjrcuito jtjador dc nivcl: (d) circuito; (¡) f(,rnrrs ¡rc ,,¡!r|l rlf onrürrl| sf|li)r,rrr;
¡() lornras dc oDrla (¡c cnt.¡(la con ¡rn]plill|(! vnrial,l(.

11
l3
 l.:Il los sislr'||rrs t)fii{:lifos lr fr)nlri! (lc o|l(lu (l(! cntuldu ¡ro (rs scnoidal pero
li( n( l¡llr rrülllilLr(l vlfi¡l¡l(, (r(,¡ro lil rclrr(ls(:rrllr(lrr (lrr lrl li!]rrf¡ 1.1-12c. Pala asumir
Ios c:tl bios rIc:rrrr¡rIiIrrrL ircluinlos fl rcsisl{rf /ir. (ltr ¡]ro(lo (Jtrc cl c()tr(lcnsador pucda
{l(.sr'rftjrrsti I' llri|lrlcncr flil) (:l rriv(rl (!r rl vrllor y^.
Ejonrplo 1.1-5. Puertas lóg¡cas de diodos. L(rs (lio(los so l)[e(lcn utilizar para cons-
lilüir /)¡r'r'lr¡s lrigicus (luo Ic¡liz¡n irlgu|lls (lc lns ol)clrciones lógicas lrrcesariars cn
l{rs r)r(lcn|(lorcs (ligit¡lcs. Llls dos opcrltcioncs quc nlás f1¡cilnrente sc rcalizan con
(li()(l{)s son l1ls (Lcno¡Din¡das Y y O. lrlt 1{ figur^ 1.1-13{1 está representado el
oi'(:lriLo f¡lrr uDa puc¡L¡ (J (lc tres cDLra(las. L¡s tcnsiones de cllt¡¡rda ¡)1,,, y ¿r3 )'
lu tcnsión clc s¡lida u¡ plredc¡r arsumi¡ sol¡mentc uno dc dos valores,0 o 5 V. Est¡
pucrt^ O opern de acucrdo con la dclinición siguiente. ¿a salida dc IQ pttcrla O seró
5 V si ünd o más cnÍradus son 5 V. Con relerencia al ci¡cuito ver]los que sj, por ejeln-
plo,D1 : 5 V mientras De : ,3:0 V, entonces D1 es un cortocircüito yt/,:5 V.
D! y D3 cstán invcisamentc polarizados. Vemos, puss, quc el circuito obedece a
la deflnición para todas las combinaciones de las tensiones de cntrada. Se le deno-
mina puerta O porque r¿:5 V si ur :5 V r,O,r uz:5 V r,O,r u3: 5 \¡. Natu¡al'
mentc, si ,r : D! : ur : 0 V, cDto)rccs ¡¿ : 0 V.
Dr
ur o- + l'.r¡icos qu¿ rigen la circulación de coniente cn un diodo semiconductor. No se
^.1
+ ,lt tlectrones cn movimicnto, la conientc cs peqüeila; por lo ta¡to, cl ln¡lerirl
lbl
l'ig. 1.1 13 PLrcrtas lógicAs dc diodos: (d) pLrcrl¡ Oi (¡) prcrta Y.
En la llgura 1.1-13b csLri rcprcscntldll una PtlcrLx Y (lc tlcs cnttltrllls (10 diodos
i\quf sc pucdc (Lar la (lcflnioión siguic¡ltc. ¿a saliúr . I /)¡t¿rl.¡ ]' s.¡ri 5 \¡ so¡d
\utlc crl(uü\| 1rx¡as krs an¡¡odas sann ifl¡la¡¿s o 5 \¡. (bll rck'rcn(ri1l lll (irctlito'
vemos quc si, por ejemplo, ur:0 V, clltonces D1 estllrli I)01¡¡izr(io c,r scDtid(
dj¡ccto y scr¿i un cortocircnito. llsto conducc n lrI con(lición ¡), '" 0 \¡ indlpen
1,4
ditntcn¡cnto (le los valores que tcngan ur y ,3. Cu¡ndo todas l¡s cnLracl¡s sean 5 V,
,:¡d¡ l¡no dc los diodos cstlrii ])loquc¿do o cn corto, y la s¡lida serii 5 V.
lin li prictica los dio(los no son idcalcs y cuando allso¡belr corticntc irctílan
E¡ái como una batorla de 0,7 V quc conlo un cortocircuito. Si cn la puorta O rjc
¡¡tiltzrr¡ diodos lealcs, corno cn la ligura 1.1-13c, vernos qüe si ,¡ :15 V, c¡rtonces
¡¿ . .1,3 \'. Si ahora la srlida (lc csta pucrta cs Ia cntr¡da dc otra puert.a O, la
Él¡dn (le ln scguDd¿r pucrta ser/r 3,ij V. Asf pues, una (¡scada o conexión scric de
i¡?lr p0e¡las darl¡ una salida de sólo 0,1 V. Idealmcnte, ios ci¡cuitos digitales reco-
[o(crlan, o (letectari4]r, sólo dos tensiones, talcs como 0 o 5 V, per.o en la práctica
rr.€o¡oce¡rin como 0 V cualquicr tcnsión menor que, por ejcmplo, 2,5 V. Cua¡rdo sc
ül¡liz¡ una puerta dc diodo con un transistor, elproblcm{ dc la atcnuación dc scñal
.¡ur ?(:rb¡nlos dc ¡nencionar queda climinado, yi que cl transisto¡ amplifica ta seiral.
l)rhido a la atenuaciórl prescntc cn las pue¡tas de diodos, la lógica del diodo no
14 c¡¡illeil cll lll práctica.
I,2 INTBODUCCIÓN A LA TEORIA DEL DIODO
SEMICONDUCTOR !'3
I':n cst:i sccción se prcscnta una breve cxplicación cualitativa de los conceptos
¡nlrnt¡ ser riguroso ni resolver ecuaciones, El estudiante que esté interesado
¡r.nlrii consultar cualquiera dc los numerosos textos sobre fisica de estado sólido
f{t¡-.r prof,-rndizar en los detalles.
-\clr!alrncnte el naterial básico utilizado cn la fabricación de la mayor p¡rle
,h ,lr,)dos ) t¡¡nsislores cs el silicio. Antc¡iormcntc se ulilizó ampliamentc cl
,:r.lr¡¡ilio, l)ero éstc ticndc a dcsaparcccl rápidamente. El silicio cs scnico düc-
t.{; rslo.s, a Lcmpcr¡tura ¡nrllicnte existen muy pocos clectrones cn la l)a cla
,l¡ L4ndLrcció¡r dc un crisLal dc silicio. Como la corrientc es proporcio¡ral al nirnlcro
lrrnc lrna clclacla rcsistcncia. Las bandas de conducción y vale¡rci¡ dcl sili.io
l)uro sc in(lican cn la figL¡ra 1.2-1.
Electrón
lri(. 1.2 I Il,'lr(l1rs ¡lc cncrEla cn cl silicio a tcDrpcr.atura aDrbicntc.
.\ 0Ii (cclo rrlrsolrrlrr), lorlos los ckrctroncs cstán cn los nivclcs dc crergi.l
l lcnrl)c|¡luür rrrrrlrir'rrlc rtlgún clccl,Lón ticno ocllsionnltncrrto Iit suli-
r))irs l)irjos.
.¡tntc r¡ltr¡liir l)ll¡lr rscrl)¡r rlc lrr Irrr¡rrlrr rlc valcncia y pnsar ll It l)arId¡ {l(i (rorl-
(lrrr.ci,)1, co¡llo s(i il(li(iit r¡t llr lillrrllr 1.2-1.
l.l r'lt'cl¡órr s(f lcl)¡cs(lrll l)ol lln l)llnLo y la vilcl¡llc (lcjr{lil I)of fl 1'lr'clrórr
sr'irt(li(u l)of Lur r:i:-crrlo vrrr:io o /r¡rcc¡¡. Si sc:rp)ir:rr rr) clnrl)o r,lrrr'lr'ico rrl trrrr
 t¡,rrirt IrL.iIIr¡|:,¡,|||,IiI.jI r,I lir liilItit I.:l_:, (,1 (,1(.(.1t.(in srj r)r (:vc h¡cit
cl tc¡rlrinal
l, I rlr\o rl! l:r lrrtr'¡i:r, r.orro r,r,:r rlr,*ilrlfrf. llrr lL.clr.órr rlr
tlr t,l,,,,io ac v¡lcncia
¡rLr.rlr' lrrrrrlririrr rrr,r,crsr: lr¡r.i;r (ll l.¡_rtir.l
|,rIIi( i(:Ir|{| flr'fgil l)rr.ir lrír(l(lr ¡r.silr'. rlr: I,, 1,,,f"]ir, a, csL¡ posec
'"l,,,,.gia"at
l)ilsirr (:l {jl(j(ll¡rlr ,1,, ,,iu,,f ,i" ael trueco.
Bafdá de conducción
(,r|la{ro {lsr. rLalf(r'l):rsa r¡l ",,
hlr.(ro, (krj¡fri,, Ir¡a(io {lcLfiis rlc é1. lrrrccc como
:lr r'l l¡r¡crrr¡ sc rr¡ovi(,q(, hlcia la rlr:r.ccha,
h,,,,i,,,,t t".,,,i,",i',,"g"ii*'U",^ oo*.r".
r,ir ((lr-r'r{rrtc r0ll cs (l0l)i(l¡, pof L¡trlo, ¡tl nrovinricDto
tlr¡rrlrr rlr: r:o¡rtlrrccióD y al movi¡nictLo cle
,1"'lo, ]"
los huccos. FI"bl";;o;;";;"rmren "la"taon"a "n
ltr(i(los, o (lc cargas positivas, cn vcz d0 nlovinlicnLos Los dc
tlc clect¡o¡res en la banda
rlr: valcncia para evitar confusión con
cl t¡ovimiento dc elcctro¡res cn la banda de
c0r)ducción. La corriente convencional,
dcbida al flujo ¿o.f".i.on.rl'" f"
(tc huecos, siguen desde luego
la dirccción del campo "' , Fig. 1.2_3 Bandas de cncrgfa rtct silicio con artición
""rri"nt" ¿tc boro.
"lé"t.i;;,
trones a la banda de conducción del silicio. por consiguiente da (a temperatura
arabiente) todos sus electto¡res a la banda de conducción del silicio, como se
nuestra en la frgura 1,2-4. Ahora, la circulación de corriente, cuando se apliquc
u0 cÍr¡rrfo clóctrico, scrá debida principalmcnte a la corriente de cleclroncs. Estc
n¡leri,rl dopado sc llama matc¡.ial l¡po n.

trjg. 1.2: Ilovimicnr(r dcl chfL¡jn y (1fl lrLreco 0n cl siticio con canrpo
cl¡crrico aptic¡do.

Debc observarsc quc los clcctroDes sc nlucvcn

.Lc¡minal positivo quc los huecos hílcia cl terminal
niis rápiclamcnte ¡acia cl
lidad dc- que ur clectrón Lcnga la energra
,üri"l,-y"'q"" la posibi_
leccsar¡a para pasar a una situación
til e en la banda cte conducción (que.esti cosi total_enJ'viiáj
que la probabilidad dc que un electrón.tcnga ilu"iro *oyo,
l" "i
n;i.;.,u
¡ una siLuación librc cn la l¡ancla clc "n..gi" Uu.u pn.u"
Asi la co¡riente debida a la ciicutación"nt.n.in 1qu" üi"i^"r* ,,.*¡.
¿..f".tiJn", "rr-".^ri conducción Fig. 1.2-1 Band¡s dc cncrgi¿ dcl silicio con fóstoro
cs mayor que la corriente dcbida a la circr¡lación "n-to;;"d#-cl ni)a(li(to.
¿" Iru".or-.n silicio. Sin
1" corriertc neta cs pequerta y, por lo taDto,
:i0,1:91 ,nat",ial ,,n sem,_ El diodo consistc cn matcriales tipo p y tipo n unidos tal como sc indica cn
concluctor. "i "s f¡ flgura1.2-5. La ¡¿ni¿jn ent¡c los matcrialcs tipo p y n cs la basc dal díodo dt
Para construir un dioclo sc toma silicio y se le
anadcn átomos de otro ele_
"Jrpoar. ¡¡¡idn. La figu¡a 1.2-5a, mucstra un diodo polarizado cli¡ecta¡¡ente y su simbolo.
,"t como.bo¡o. Dste p¡.oceso se llama co¡1¿¡nlnar.ln
i.,llll
sc llama material dccplo¡ Dorquc uuedc
o ff loro Los huccos de la región p fluycn hacia la rcgión n, mientras que ios electroncs
accptar.clcctroncs de la bancla clc valcn_ dc la región n fluycn )tacia la rcgiril ¿. Una pcqucña tcnsión V es sulicientc para
cil dcl silic.ro. A rl tcrr¡rcrrtur:r' .r¡rbicnrc, ros elccLroncs
.lc la iraDda crc valencia prod ucil Lrnii co¡r'icnlc clcvlrl¿r.
ut,**i" llenan los espacios aceptores del bo¡o [al r.;;ái;; en la figu-
¡a 1.2-3, puesto quc la probabilidad cic c¡uc los ""_" ,tc in ¡*i,ii u"
sullcio,ll:, l tc,upcraLura ambicnrc,
"1,,"1.o,r* "nl.n.lo
p,,r,, ,;;;;;;;;; ra pcquejia
¡:']i:'l: "]l"ti^
Da¡¡era es muy alta. Ill resultado
cuando sc
"pii."-,,;,
.,";;;j::;;.r :#lil"ri lxx..::
es tnuy intensa, y cl matcrial
cs ahora un ¡u"n "tJ,l"Til::j,.il",fl:l
,t
p- obséncsc quc ia conrlLrcciri. ,,,, t,,,"on¿uato., "ri" ,nntarint
l:']]lll,l1r
l)rl crl)illDlellt{ al nlovimicnlo de hrrccos.
,,r,,i¡;;;,r;..,,;iiii, ¡,,r,r"t,ia"""
Tomemos ahora otro trozo dc silicio y
lñaclárnoslc ¿itontos (lc olro clomento,
lrtl cono fós[or.o. I,]l tósto¡,o s. Il''l nrn[.r.inl
au,,uAu., ¡,,,r,¡,,,, lu,.,i" ,,,,,r,,r .t.,"_
l jg. r.2-5 Ijl (liodo dc ni,jn: (() ]rolrfizuci{jrr (tifcftir; tr) x , | |I I iz :| . i (t I i \.( ¡srl
16 I I

l7
 I
1,. l¡Ra.r l 2-5, ,.¡(fsrr¡r l¡. rri.rr. ¡ror.lizatro cn seuticlo invcrso. Los erectro-
¡r0$ rllr lrl rLlgió|| ¡r lhryo lrucin ln rcgión ¡¡, micnlras (luc ]os lluecos de la región
n
fltry(ltr h¡lcit In r.cgión ¡r. l,¡l oircr¡lxaión dc corricntc es por lo tanto muy pequena,
¡r c¡ust rlcl ¡tx¡trcrio nírrnclo dc cargas cn rnovimiento. Si y, sc incrementa
más
rllf dc l¡r ltnsió¡t de rupluro del diodo, la cor¡iente de éste aumenta conside-
¡1rl)luretlLc pnr¿r pcqucitos cambios de V,. Esta rcgión se llama regíón Zener,
y l¡r ruptura, ruptura Zcnu o en aualqnclú. Los rnecanismos de la ayalancha y
(lo Ia ruptura Zcner, son dislintos entre si. La ruptura en avalancha
se presenta
I)ara altas tensioncs inversas, y la ruptura Zdner para pequeñas tensiones inver_ "
sas. Sin embargo, el efecto en cl circuito es el mis¡no, En este libro no se hará
ninguna distinción entre los dos procesos.
El proceso de ruptura en avalancha puede considerarse como un electrón
móvil que choca con un electrón frjo, dejándolo libre; estos dos electrones libe¡an
a otros dos, etc. Ello da lugar a un gran flujo de co¡riente en esta rcgión.
Unos cálcrrkrs nruy st:rrcillos (sil tcncr. cD cucn[a lt lcgióu Zcucr) rnucstran
que la co¡riente y la tensión están relacionadas por

ío:
- 1)
l"1,t'ot'"rr (1.2-1)

dondc :
i.¡r corric¡rtca l-rar'ús dci rliodo, A
¿,, : l,cüsión cn borrrcs rlcl diodo, V
1o : cortieDte invcrsa dc saturaciót, A
q: carga del electrón, 1,6 x 10-1e C
k: constante de Boltzmann, 1,38 X 10 ,3 J/I(
?: temperatura absoluta, K
m: constante empirica que varia entrc 1 y 2 (en eslc tcxto asumil.emos
para mayor simplicidad quc m:1)
(D)
A Ia tcmperatura ambicntc (300 K), f!¡. l.?.1; (lrprcL.ris!ic s rlrl (ljo(lo: (d) crr¡rctcrfsrica rcul; (1,) osc'logran)a dr curlLrrrls-
!{rt,lrl rliodo; (ú) caractcrislicas linc¡1cs por trozos o segmcDtos.
KT
V1, : : 2l-r mV (r.2-2)
--q unión cnlrc las rcgiones Lipos p y ,1, disminuye noiablcmentc la rcsistcncia in-
La ccuación (1.2-1) cstablccc que si uD cs ncgati\¡a con una magnitu.l mucho \crsa. Con grandes Lensioncs i[vcrsas ticne lugar la ruptura en avalancha. Otros
mayor que k?'/q, la corriente i, es la corriente inversa cle saturación _ 1-. cfectos cntran en juego en va¡ias partes dc la caracteristica del diodo, pero para
Esta corriente inversa 1, es una función del material, de su forma geométrici, l¡ rna{or parte de lines prácticos son despreciables. Las curvas de la ligura 1,2-6¡l
- enbargo, si u,
y de la temperatura. Sin es positiva y excede en mucho a fr?/q, 1r¡zidas a una escala adccuada, nuestran un rcodol en aproxirnadamente 0,2 V
la cor¡iente di¡ecta cs par¡ cl gcrmanio y 0,7 V pa¡a cl silicio (fig. 1.2-6ó).
Pa¡a seriales intensas, sc considera que el diodo se comporta de acuerdo con
iD f; l.aq'DlLr : Io€r|lr'l (1.2-3) l¡s apro\inlaciones lineales de la figura 1.2-6c. Tales aproximaciones se llaman
r¡r¡¿,r¡s rle ¿simiiccidn lineol (también pueden denorninarse caracterÍsticas lineales
La ecuació¡r (1.2-1) se ha rcprcscntado grálicartrente cu la figura 1.2_6a, para eJ ¡proximadas o caractcristicas lineale( por tramos).
gcrmanjo y cl siiicio. Consi(lcrando ln c¡t¡actcrisLica invc¡s¡, hay que obscrvar quc micnt¡as cl gcr-
L¡r c¡trilcl.ctisli(:ll l-c¡l rkr r¡ll (li()(l(, Ljlli(x) (lili..r(: (lc l r:ulr,tr cx¡rorrcrr0iul rlcrbirlo nranio ¡rrLl(sLIrr u¡l co(l() it 0,2 V c¡r sLr oa¡.{cLcrlstica dircctt y el silicio o 0,7 V,
a div€¡sos cfcctos. P¡ra couiontcs dirccLas rclativamcntc granclcs la ¡,csistcncia ¡as caracleristicas inversas, indicadas cn la flgura 1.2-7, muestran quc a la misma
lthmicn rlc los cont¡lctos ¡' rlt:l nltcrial scnli(:l)n{iuclor li¡nrcnl,l consi<lcrablc_ tcrriióu inrcrsa V., cl rliodo tlc silicio deja pasar una cor¡ientc considerablc¡ncn lc
¡nentc la rcsistcücia dircct¡. En cl sc¡1lido invcrso, la fuga superficial, que menor quc el diodo de germanio.
es lfi corri€nte a lo largo de Ia supedicic del silicio en lugar dc a Lravés de la

18
l9

I.ig. 1.2-7 Cararterísticas
diodo es I a l5 mA, micntras que la caida dc lcnsión cn cl diotlo dc silicio se
mantienc cn aproximadamcntc 0,7 V. Si sc utilizasc cl diotio cn una aDlicación
que recibiese 100 mA cn vez dc 10 ln^, la cscala (lc corl.icnl,c quc t|¡rccc c¡r
In figu¡a 1.2-6c tcndria quc scr rnultiplicada por uIl factor 10. En consccucnci
!¡ tensión aproximada dc concxión, o sca, dc conmuLación c¡r conducc¡ó¡r. aDa-
nceria aumentada de 60 mV a 0,76 V. Así pucs, cn una cscah lincal dc corrientc
l¡ caracteristica del diodo no aparcccria como exponcncial sino como llnea poli-
inversas. 6onal o lilreal por trozos, como en la flgura 1.2-6c.

1.2 1 OTRA FOFMA OE CONSIDERAR LA CARACTERISTICA U¡ I.2.2 CIRCU¡TO EOUIVALENTE LINEAL POR TROZOS

l,it ccl¡¡ció (1.2 il) <krsr:r.ibc la ca¡.actcrística dirccta del diodo. r\Iediantc Iin muchas aplicaciones la ca¡acte¡ística real del diodo puede ser represcn-
cslll (icuaci(iIl sr: ¡rrrcrlt: hlllllrr t¡na rcl¡ción Íltil considerando las cor¡ientcs tadl aproxinadamente por otra lineal por trozos, como en la fiqura 1,2_ga.
y llts Lc si('1cs 0tt (los l)llntos (lilifti tes d0 Iuncionanriento. Supongamos que Cuando estc cs cl caso, el diodo puede ser sustituido por un circuito equivalente
llLrvli la colricnlc ir)l con lil corrcspon(lic¡ll-c Lcnsión dcl diodo ur1. Si la corrientc consislcntc cn una balcri¿r Vr. cu serie con un diodo ideal, co¡lo muestra la li_
r¡lia hasta ir", ricscanos hallar la nueva [ensión del diodo {rr' Supolemos gurr 1.2-81'. Dc acuerdo con lo expucsto en la sección 1.2-1, se tiene en cuenta
0r,> kTlq. Iintonces (1.2-3) da l¡s dos ecüaciones el l¡ccho clc que el valor de V. cmpleado es una función del livel de cor¡iente,
¡)crocn la mayoria de nuestras aplicaciones admitiremos que V¡ :0,2 V. .'
iü: Ia'ÚDJv'' (1.2-4a) Por ejernplo, cn el circuito rcctilicador dc media onda de la fipura 1.1_3 si
!r sustitu)'ese el diodo por cl circuito cquivalentc lineel por trozos de la ligu-
íD2: I o'u D]rr (1.2-4b) ra ¡.2-8¿, hallariamos quc la corricntc del diodo es
Dilidiendo entre si estas dos ecuaciones obtenemos
Vr. cos arol > V"
(1.2-5)
lL : E@D,-úD,)tvr (1.2-4c)
IL2 Vr, cos tool < Vo

Tomando log¿rritmos naturalcs cle ambos miembros obtenemos ia relación que

buscamos:

'" ,or ror: v. rn -|a (1.2-4d)

H
IDz
,, ,o-
La utilidad dr csla ecuació¡r sc puedc ver considcrando l¿r relación dc corrie¡rtcs
i¿r /l¡r : l0 IinLonces
('1) (D)

Du-uDz- 25 ln 10:60 mV Fje. 1.2'8 DquivalcDics lincfllcs por trozos: (d) carrcrerjsrica uj; (ó) circuilo.

Asi pucs, si sabcrnos tluc lLn diodo p¡fLicul¡¡ Licnc u¡ra tcnslóll 0n bo¡.ncs
de 0,7 V cuando la corriente es 0,5 mA,la tensión ser¿'r 0,76 V cuando Ia co[iente 1.3 ANALISIS DE LOS CIRCUITOS SIMPLES CON DIODOS;
scir 5 mA. Si lr rclación dc co¡¡ic¡rtc cs 2, con.cspondicntc a una duplicacióI RECTA DE CARGA DE CORRIENTE CONTINUA
dc la co¡riente, cntonces url-r¡r:25 ln 2:17 mV, que ordinariamente es
ünr cantidad dcspl.ccia])lc. En csta sección conside¡a¡cntos cl comportamiento de circuitos sencillos
Loquchac0 qur: cn las 0i¡¡.flcLe¡.lsLicas roprcscnLadas crr la ligurr 1,2-6a apafcz- consistcnt0s cn lu0¡)tcs irr(lcl)cldicllcs, diodos y rcsistor.cs. lil circuito a con-
cÍIn las line¡s casi verticalcs desptrós de quc el diodo sc conmut¡ en conducción liderar cs el rectificador si¡nplc dc media onda de la figura 1,8-1, Este circuito
cs lu pcquotlu vtliuoiórt rlc l0¡lrióll (llr0 col.rcsl)on(10 a uln vnr,inci(ln muy gfondc ft¡e unnliznrlo cn cl cjcnrjtlo 1,1-1, suponicndo rrn dio(lo i(lcol. Iln csto sccción
dc la corricnte. Por ejemplo, en la figura 1.2-6ü, el margen de la cor¡iente del se tendrán en cuenta las caracteristicas de un diodo real.

20 21
,il.c¡si¿

" tl t
.. 1, I lot problemas de cstc liPo sc ¡csuclvcn gr/\licamentc la mayor parte de las
,ti ';'t,, i '.tces t¡azando (1.3-1) y cn el misnro sistema de ejes de coordenadas'
(1 3-2)

I
."t
1l I lfjg. 1.3,1 rircrillcador dc mcdi¡ orrda. \ ;
[¡intcrsecciónclc]astlosctlrvaslcsultantcsdaelpuntodctlabajodelcircuito.
Un trrzaclo lipico cs el clc la figura 1.3-3. La caractcristica rccta del circuito dc
I fhó,¡enin (generalncntc lla¡nada ¡ecla dc carga dt conicnle conlínua) sc ha tra-
za,lo para rina tensión continua dc Thóvenin de 1,5 V y una r.esistencia de Théve-
Lir lilosofi¡r rlcl rn¡ilisis grálico sc basa en dos hechos:
, uir¡ cte 50 Q. La intersección dc la recta de carga de corriente continua (1 3-2)
I h caractcristica del dioclo (1.:f1) da el punto dc La trabajo (llamado a menudo
l. ljl cor¡lportanlicnto del diodo cstá completamentc determinado a baias
intersección de cstas dos
fre_
cuencias por su caracteristica ui, quc generalmente existe e¡r lornta gráhca punlo dc rt¡toso, o punto Q) para cstas co¡rdiciones
cn las especificaciones de los fabricantes o puede ser fácilmente medida. .¿rras ticnc lugar-cn el ¡runto Q1, dondc u,:v 0'7 \, io x 15 mA Sila tcnsión
2. Los otros elemcntos del circuito, siendo jincales, puecicn ser reemplazados ile -lhivc¡in ¿. c¡:nbia a 2 V, la recta de carga se desplaza horizontalmcnte
por cl circuito cquivalcntc dc Thévenin visto desde los terminales del ¡l,i \. hacia l¡ clcrecha tal como sc indica, y el punto dc trabajo sc desplaza hasta
diodo.
{,t, crr cl grálico. l{icntras 11", Pcrlrlanece constante, cualquie¡
cambio de u' da
Considerernos las dos pa¡les corrcspondicntcs del circuilo, tal como hr{ar ü uD simplc clcspllzernicnto horizonlal dc la lccta dc carga
se ve
gráficamente en la figura 1.3-2, Las relacio¡rcs de las rnagnitucles
en sus termr_
nales para las dos partes pueden escribirse:

Elemento no lineal: t
,: /(:,) .,. (1.3-1)
Equivalente Thévenin: Do:Dr-rnlIr (1.3-2)
Tcnemos dos ecuaciones con dos incógnitas, u, e 4. Cuando las dos partes 9u Recta de carga de cor¡ente contLnua
del
ci¡'cuito están conectadas, estas dos relaciones se satisfaócn simultáneamcnte, y
el
circuito trabajará en cl punto dado por las ccuaciones. Esta solución puede
ha_
llarse analiticamente si la forma funcional de la caractc¡ística rl clel elemento
no lineal.es conocida. Si, por ejemplo, el clenento cs un diodo cle silicio (1.2-1)
puede utiliza¡sc como relación no lineal, y hallarsc la solución.
Dcbido a la n¡tu-
raleza exponencial de (1.2-1), es evidente que no serii un cálculo dc
rutina, v
pucde, en electo, implicar un h.abajo consiclc¡ablc. En algunos
casos éste puedc
scr justilicable, pero en la mayor parte no lo es, por dos ¡azoncs, la Fig. 1-3-3 Car¡ctcrlstica y rcctas dc carga dt diodo
exactitud
requetída en la mavor ilarte dc los casos no cs grande, de estc
modo qucda
justiñcada la uiilización dc m¿toilos nrás scncillos o aproximaclos;
y la cxac-
Litu¿ que puede alcanzarse con t¡n c¿'rlculo clctallaclo ¿r'¡ncnur.lo no qucda jus_ .\si, si ,r cs scnoidal (esto cs, V"," sen rul) la fo¡ma dc oncla de la cor¡icnl¿
tilicada ya que la mayor partc de ros diodos dilieren de ra caracte¡istrca teórica puerle hallarsc tomando algunos puntos dc la onda scnoidal y lrazando las collcs-
dada por (1.2-1), y pueden encontra¡se grandes variacioncs en lotes de cliodos rcctas de carga pata cncont¡ar las conientes lesultantes Esta tóc-
¡ronilicntcs
dcl mismo tipo. irica sc ilLrstra cn la ligura 1 3-4 para v"" : 1'5 v' La naturaleza no lineal de la
c¡r¡cLcristica clel dioclo hacc qtlc la fornta de onda dc la corriente quede distor-
rionada (o sca, quc aclquicrc rln¿ forma de onda diferentc quc u.) Esta forma
,je onda ilcbe compara¡sc co¡r Ia tle la ligura 1.1-5, quc mucstra cl rcsult:rdo obtc-
nido riuanclo sc utiliza un diodo ideal.
lolvicnclo ¡rl ci¡cttito oliginal (lig 1.3-1) sc observa que pa¡a cste caso sim-
ple la tcnsirin (lc'fhóvcnin tt, cs la ntisnta r¡uc la tcnsión de Ia fuentc dc alimen-
iación u,, y -Iir : ¡¡ I -¡l¡, (l(: nro(lo (luc todo lo qnc sc nccesita cs rnultiplicar
la cor¡ientc dc la ligula 1.3-'1 I)0r Il¿ para obtener un grálico de la tcnsión dc
rrsl)ucsta ur. Obsórvcsc r¡uc ll ¡lorción de curva en la quc trabaja cl diodo con
t__, lr iciral lplicarla sc cncl¡cntrt cnl.rtr los pttntos a y ü' como indica la c¡ractcrfsticÍl
Fig. 1.3-2 Circuito gcncral quc contienc un ctcmento no 1in¿al- ¡,i del diodo.
22
2A
 Recta de carga de
corriente contlnua

|oct¡ (lc carg¡ ;.

an ta reo dn
<]t'poarizacion invcrsa,?

¿5

V. +V
F'g. 1.3-4 Solución gráfic¡ para la corricntc cuando cs apticad¡ tcnsión scnoidal.

1.4 ANALISIS.DE SEÑAL DEBIL; CONCEPTO Fig. 1.4 1 Detcrminación gráfica dc lá co¡ricntc dc carga.
DT RESISTENCIA DINAMICA
La variaciirn total cresta a crcsta (excursión) de la señal es a menudo una
pcqucña fracción de su compcncnte de co¡tiente conltnua, de aqui cl nombre
dc scial dlDil. Cuando se presenta esta condición puede utilizarse un método
aproximado de análisis grálico-analÍtico que simplifica mucho el cálculo, Este
método sc ilust¡a utilizando el circuito de la ligura 1.3-1 con una tensión de co_
[ienLe continua airadida a ur, por lo que

rr" : \/dc + u¡ : V¿" i V¡. sen ¿r.¡t dondc V,. ( Vo" (1.4-1)

La tcnsión y(tc sc suelc dclonrinar tcnsión tlc pllaúzacíón,

La técnica utilizada se basa en cl hecho de que la desigualdad de (1.4-1)
Jracc que el cjrcuito opcre cn una rcgión mtly pequeila dc su zona de trabajo.
En la práatica la caracterÍsticr rlcl diotlo pucclc considcra¡sc lincal cn csta región,
y el diodo reemplazado por una resistcncia, El ci¡cuito lincal resultantc puede
traza$e con técnicas de análisis de circuito.
Teniendo presentc qua el circuito debc scr lincal, sc detcrmina primero el
)- pünto de t¡abajo para u¡ : Vrrc (o sca, yi,, :0). Es[c cs cl punlo de reposo (Q),
El proccdimiento cs igual al r¡Lilizado cn la scoción 1.3, y cl grrifico oorruspon-
dicntc sc rqpite en la figura 1.4-1 para V¿" : 1,5 V y ., -.1- li¿ : b0 O.
La constn¡cción ptra dctcr.rlilat la forna cxaota <lc la onrla tlc co¡ricltc
como en la sccción 1.3 (ng. 1.3-a) sc mucstra cn cl grhfico. Sólo la porción dc la
caracteristica del diodo situada cntre los puntos a y ir l,icnc importancia en l:ig- ] l2 lrrtf{rrrt¡ct(l¡r fjr.'rlicl (tc lrls vrfiuItcs llLr\ilinrcs.

25
l¡r ' | ¡ I ¡ rlr'lrr'.r¡rrrr:rlrr. si ltr .¡r¡.¡*:|.rr.isri.ir
¡ | r ¡
' ¡r¡ | ¡r r r r ' i r r
es lpr,xirnadamente lineal
arlrr'.slr)¡ ¡rrtrrl,s, ¡rtrr'rlu r'('(:rrrrl¡rz¡lrsa ¡l.t t'rir lira. t.0cLíl a clectos de calcurar
Irr.rrrrr¡rrrrrurrIu rh: c.¡t. l)¡'¡r arrfor:¡tt l¡r ¡lL.'aió. c¡t Iu ¡.cspr¡csta a la corriente lí..1 < I'o lu"l 4 Yoe
ltllcnlt, lolslfuifltlos un lllcvo ¡rrrl rlt cjcs con origcn cn cl punto Las varial
0. Entonces (1.3-1) se convicrte en
irlr,s lrrrrr:i¡r¡l¡r¡ r:orr rsl.os cjes sorr \
(:r)f¡ j(!¡ l I (: j IDa+id:f(VDa+Dd) 0.4-5)
(1.4-2a)
'lir¡siórr:
(1.+2b) L'r scrie dc Taylor a partir de la cual pucde hallarsc f(r f Ar), dado f(r), es

l,Ír prrlc
intcrcsarrtc dcl grálico (fig. 1.a-l) sc vc cn la ligura 1.4_2, con las
nuevas variables trazadas a mayor cscala. La zona de t¡abajo có se supone lineal, ftr + Ar) : ftr) + Aaf(o) + términos de orden superior (1.4-6)

y cn ella sc encuentra el origen. Esto es equivalente a reemplazar ei diodo-por y

l)espreciando los tórminos de orden superior e identificando ,ü con Vro Ac
L¡na ¡esistcncia de valor igual a la inve¡sa de la pendiente de Ia linea
aD. Eita cDn ¡/d! sc ttene
sc llama ¡¿sislencia díntimtca ro dcl diodo, y puedc hallarse calculando la invcrsa
de la pendiente de la caracteristica del diodo en el punto
0. por tanto :
io Ioa * i, x f(V 'o) + ," ¿rL (1.+7)
Ar" l f,unto Q
(r.43)
A¡¿ ] pr¡nto O
Tcniendo c¡r cucüta quc Y"d : Iro, se simplilica y queda
Una vez se ha determinado ro, cualquiera de las variables del circuito (fun_
cionando sólo para señales débiles de c.a.) puedc calcularse aplicarrdo la ley de ' dío
(1.4-8)
Ohm. ar¡ nunto O
El circuito original puede considerarse formado por dos circuitos, tal como
seindica en la figura 1.4-3. La ligula 1.4-3a se utiliza para hallar 1ro y Vro (el punto r finalmente
de reposo), y la ligura 1.4-3ü para hallar io y rd (las componentes áe seirat áOlit;. o. du,. Au^ |

La cor¡iente y tensión total del diodo puede halla¡se uiilizando las expresiones --\';- ' ¡' I
(1.4-e)
¡¿ a¡¿D |, rto p ora l¡unto p
1.4-2a) y (1.4-2b) .
-\plicando la lcy dc I{irchhoff a las tensiones del circuito de la figura 1.3-1 se
tien e

u¡ : uo iaR¡ donde R¡ - ¡¡ r R¿ (1.4-10)

RL Y.Ásen (,a
Sustituyendo las definiciones de sertal débil (i.a-1) y (1.a-4) en (1.4-10) se obtienc

(á) Vu. -- u, - V oc uo L I DaRr -T |Ir (1.,1-11)

Fig. 1.4-3 CircuiLodediodo consi(lc¡¡¡(lo conro dos circLritos scpnr,r(los:(¡¡) (iK:uiro pirra c¡lcu_
lnr cl punto {lc trabulo o fr¡nrlonqD)jcDto (tc c.c.; (¡) circuito pari ,r" Ya r¡uc corno par^ las condiciones de selial débil sin distorsión I uo ud c id
cle scir¡l débil. ""f"ufo.'i,í "o,i,pun"nr" ".n.
son todas ellas se¡iales variables con el tiempo con el valo¡ medio igual a cero,
)' V¡", Vro e lDo son constantes, (1.4-11) puede separarse en una ecuación pa¡a
Dl desarrollo quc ooudúcc a los circuitos equivalcntcs dc la ligura 1.4_3 puede corriente continua v uDa Dara corricnte alterna
hacersc también analiticarneirte, utilizando un desa¡rollo en serie de Taylor de
la ca¡acterística del diodo en el punto Q. Este es un método utilizado a menudo Va" : V,c -l- /rcfi' (1.4-12)
por los técnicos. La caracte¡istica oi del diodo vicne dada por
I
í, : u,:un{ínR,1 0.4-13)
Ku,) (1.3-r)
l)¡ra scñales d¿biles cn rusctlcit¡ de disto¡sión Finalmcntc, sustituycndo (1.4-9) en (1.4-13), tenemos

¡,, :1.o * ü y uD: VDa 1- u.l (1.4-4) u,:io(¡o*R') (1.4-14)

26 2',7
;.dffil

Cc trabajo: asi quc los ciilculos l)¡ra corricDte continur son inalterables, Asi-
I
ll,, ,,,',', i,,,,, ', (l.l-12) v (l.l-l'l) rlt:st:rilrrrrr l(rs 0ilcrritos cquiyaLcnLes para
¡.rrrrr¡ rr{¡,r'orrIirtrIrr Y ¡lttrlllil (lt) llt ligtlrll 1.'l-ll l)l clrll:lllo Paril colric¡rLc continua mismo la ircndicnLe dc l¿r carrcLcristica dcl diodo 1/r',, en cl punto Q no cambia,
,, r'rrlizrr ¡ i i t l I i lll iliz¿ill(lr) liL cliril0l(rrisli(:ll (l0l (lio(lo, lnic l'fas que cl
' r I r r r rt r r ) r ( ¡ para cictcrminar h cor'¡icntc íllluna y lir l-cnsi(')ll dcl diodo pucdc utilizarsc
l¡ ltr rl¡ Ohr |rtr
r

;rrr;rlr.,l, ¡lrt-rr strrrrllts tlÚbilcs s(: 11)¡li7il lllilizilll(lo ll l(ly (lc Ohm, con cl
1

,,1r1'.rr, r'
1

rrrl,rl r',, c:rlcrrlirrlrr rr l)i!fl.ir (10 li¡ cittlltrtrl¡islit:lt rlcl iliodo rll cl pllnto 0 l
v.
(1.4-10)
(l¡i|.ülo (l(! r¿, l)i[crcuciando ]¡t ccutlciórt tlcl diodo (1 2-1), invirtiendo el lttl rd+z I

lrsr llurlo, y citlctllan(lo ¡,' en cl purlto dc üabajo' puedc hallarse una cxpresión dondc 1r",y V/- indican la cor¡icntc dc crcsta y la ampliLud dc la lensión, y Z¿
a¡r¡lilic¡ rlc la resistcrlcil dinámica de trn diodo dc silicio en scntido directo, tal rs una impedanci¡ compleja. Esto queda ilustrado en el cjemplo que siguc.
c<¡rno sigttc:

íD: x I"€uDtvr
IakvDtvr (1.2-1) Ejemplo 1.4-1. Iin cl circuito dc la figura 1.4-4 sc utiliza un dioclo de unión con
-1)
: V¡- : 20 InV .i : 10,O Rr :
'lto. _l 1^r,otv, - jo V¿" 1,5 V 90 O

. tlu, Vr " Vr 11¿ : 200 o c : 100 rF ¡¡ : 10{ ¡ad/s

Ilellar la tensión cn borncs dc l?r.
du, Vr l-, 25 mV a? : 300 I{, Sol¡¡cidn. Para halla¡ el puntL Q, sc [raza la recta dc ca¡ga de corriente continua
ra- : (1.4-15)
' -.
diD
, ,
/¡e lbo /D" .n \ qr¡e pasa lor cl punto Dn :1,5 \¡, con pendicnte 1/(¡¡ + nJ : La inter-
]¡,,nro 0 -0,01.
sccción de csta ¡ccta dc carga con la caractcrlstica del diodo tiene lugar para 7,5 mA
)- 0,75 V (ng. 1.4-5). La situación dcl punto Q sobre la curva y la amplitud de la
Normalmentc la resistcnaia dinámica de un diodo de unión trabajando con una scñal aiterna indican quc sc¡h aplicrblc cl mótodo de cálculo para seiral dóbil,
corrientc continua de 1 mA cs de 25 Q. De 1a cxpresión (1.4-15)
Obsórvese que cl lntilisis precedcnte cs válido sólo si la zona dc fünciona-
¡niento cle la caracterísLica del diodo (dc .r a ¿) en la fig 1'4-1) puede consideralse
una linca ¡ecta. (Si estr suposición o se cumple las lormas de onda en tensión ' : fi{ffi::,, o
v conlcnte scrán distorsionadas ) I-os resulLados linales de la coüierrte y de la
icnsión de carga sc hallan supdrponiendo las lcspuesLas dc los circuitos de las
.1.4-li¿r:
lieuras 1..1-3¿¿ y
V
tD Ino ' . llt
scl
' {r/
¡.,,t.tr

v
ut': Rt ío

trlcmcntos rcactiYos. Cuando sa cumPlel las condiciones de serial débil, cs fiÉ. 1.4-5 Dvalunci{in gránca dcl punto Q para cl circuito de ta figr¡r¡ 1..1-4.
sencillo tcncr en cucnta los clamcntos raactivos lales colno cl lillro IiC rcprcsen-
tado en la ñgura 1.4-,1. Evidentemente el condensador no puede afectar al punto Puesto quc lX"l :7la¡C : 1 Q, sc observa quc cl con(Iensado¡ ticnc una impe-
d¡ncia dcsprociablc conlp,t¡:l(l¡ (:on ,¡l¡,. 'fcni¿ndolo en cucnt:1, 7,t x RrlIi: 62 j;)'t,
El circuito l)¿tr¡ scir¡l d¿bil ¡nirlogo ¡l dc la figura 1.4-3ó to¡n¡r llr formll indicada
en l¡ flgu¡t 1.4-6. Utiliz¡n(lo los valolcs obtenidos pa¡a ¡d y Z¿, tene¡nos

V¿,¡":0

v m : t¿^ 2,. : ;,!,t,1'.,' ¡;.t- -!p5-!9!r* a " r,,v

l

Iri(. 1.¡ I (lirorrilo (lLr {lio(to con rrn .1{rn.nto rcactivo " Lr not¡ciór tt¡ ilr- cs ünr obrcvircióD (i(j,ll¡ cn faralclo con ¡l¿", y re rriliza cr torlo cl lihro.

23 ,29

'' ,¡
-vw ^/w
1:ig. 1.4 (j Cifcuilo cquiv¡lcntc ¡n
1.5 ANALISIS DE SEÑAL DEBTL; RECTA DE CARGA
DE CORRIENTE ALTERNA
EI ci¡cuito dc la figura 1.4-4 se vio en la sección 1.4 por medio de un método
combinado grálico y analltico. Es posible, con una simple ampliación del con-
ccpto de recta de carga de co¡rientc continua, hacer grálicamente tanto el análi-
sis para corientc continüa 0o¡llo para corr.icntc altcrna, mientras la ¡eactancia
dcl condensador sea dcsprcciable. Estc proccdimicnto conduce al corcepro oe
rcclq tl¿ carga de co¡tíentc allcrnc que, si bien no sc cmplca para los circuitos
con dioclos, sc utiliza a rnc¡rudo para hnalizar )' pro)'ectar ci¡oLritos con lr¡nsis-
to¡cs. Es nis fácil comprendcl cste conccpto c¡r lérrninos cic un sinplc cliodo,
)' por tanto lo introducircr)ros cn qslc l)unto.
Para el ci¡cuito dc l¡ ligu¡a 1.4-4, la recLa dc carga cle cor¡icntc continLla
y cl punlo Q sc obtienen tal como se tDlrostra cn la ligur.a 1.5-1. Las condicio¡res
de corriente continua no sc vcn influidas por la partc del circuito formada por
el condensado¡ C y la resistcncia cle cargn Rr, a causa de la xcción de bloqueo
dcl condensador. La peudicnlc dc la lecLa de c¡l.gt cn corrie¡rtc continua qucda
m
F!Í t¡into (lotc¡Inilada pot la lesistcncia ¡i + ¡lr. Cuando sc encuentra presente
ür¡¡ scir¡l dc (ior¡icntc altctna (srLponicndo que el condensador actúa como un
(Dr(orircuito para las lrecuencias consideradas) la resistencia efectiva vista por
t! diodc¡ cs r, ]- (.fl¡lllr), que es la inversa de la pcndiente dc la recta dc carga
I
dl corriente alterna cambiada dc signo, Para trazar esla recta de carga de co-
¡.Íi({le irlterna, sc precisa solamente un punto, ya qua la pendiente es conocida.
sciral dóbil. Fil punto dondc la seiral (le c.a. es cero es el más fácil de obtener. Este es senci-
ll¡mcnte el punto 0. Asi la rccta dc carga dc corrientq alterna se traza pasando
(nrllnJ] tal como se ve er la
poi el punto Q con una pcrdiente de
fuurr L5-1.
- 1/[r, +
Co¡no la se¡ial varia con el tiempo, la recta de carga de corriente alterna se
i:¡'Jete a l¡no y otro lado para clefiIrir ]a zona de füncionamiento del diodo. Com-
in¡.e-re esto con la ligura 1.4-1 donde la ¡ecta de carga de corriente aontinua sc
r?¡!.¡.!e a uno y otro lado. La difcrencia ent¡e las dos es que la impedancia para
,i¡rricntc altcrna no es la misna que la resistencia para corriente continua vista
t-)r cl diodo en cl c¡so del circuito considcrado cn csta sección.
l.r lrlpli'"ucl dc la componcnle de c,a. de la corriente se halla utilizando
l¡ Íñilica de la llgura 1.5-1. La zona de funcionamiento es el segmento a'r'de la
.¡iirctfristic¡ clcl diodo. Iilstc proccdinricnto dará resultados idénticos a los
rt*ult¡{los alirljticcrs obtcnidos cn (1.4-16) siempre quc el scgmento a'ü' sea
¡l;o\inradirnrcntc lincal. I)cl nisulo ¡nodo quc cn la sección 1.4, es útil supcr'-
l¡{inrr urr l)¡¡ de cjcs io-r, cn las culv¿ls d0 la ligura 1.5-1. Esto se dcja como
rJcrcrcll).
Se pLrcden oblencf sinrulll'Lnelnre¡lLc las 0cLracioncs correspondicnlcs ¿\ las
icilas dc c¿ugil d0 0.c. y..¡. rrrcdianlc cl circuito de la ligura 1.4-,1 utiliza¡rclo
l: ri¡¿u¡rrl¡ lcv rle I{ilclrhoii r¡ lcv do lensiones. Tcner¡os
y,rc ' I ,r =. íDrt I nD -l 1¿a nl + td(nl .R¿) (1.5-1)

5
ll:tcir:rr<lo i,.- iu-l 1,,¿ J- DD:t)¿ + Vra y adniticndo la su¡rostcron ttzo-
n:rblt de quc sc aplica la suporposición, sc tiene

l0 l,r. -= 1ro(¡r I I V,o

111) ccuación de la ¡ccta dc carga de c,c, (1.5-2o)

o--w't I.f 7- ¿', : ü[¡, ]- (¡frllntl + ud ccuación de la recta de carga de c.a. (1.5-2¿)
_____-l \,r \,, \/ - I
I

\ Becta de carga --l

\\_---corrrente alrerna
' r +rR 1,4. 1.6 EL SISTEMA DE DIODOS
\\\\ peno enre
\\\ \ cáró de
Recta dé carga
'N \_-col.|reñre conrrnua,
conii - - --j-;¡
1

\\\ \ penore¡re l'll sislc¡¡¡a dc diodos ticnc n]uchas aplicaciones, e¡1tre ellas cl connutador
a,t5 t,o /f 1,5 :rnalógico, 01 mult\)licador y cl dcLecto¡ de lase. La ligura 1.6-1 muestra un es-
-uD'v
1,25 | I

'1.-"
-' qucma de un sistema de diodos quc sc pucde adquirir en.el comcrcio (LN13019).
Se componc de un cuadrctc dc diodos y dos diodos aislados, iab¡ica¡los toclos
"-llos al ¡¡rismo tiempo sobrc cl rnismo chip dc silicio. Los detalle$ dc fabricacióü dc
lrlcs circuitos intcgrados (CI) sc csludiarín en al capitulo 16. No obstanlc, scialc-
,r¡os quc los diodos de 0I está todos fab¡icados simultáneamenta y, por tanto,
t!cnen caracteristicas casi idénticas, mientras que las caracteristicas dc los diodos dis-
l:ig. 1.5-1 liohrri¡jn Sránca clel circuito dc 1a figura 1..1-4.
cretos, seleccionadas al azar, pucden diferir ampliamente. Por ejemplo, cntrc dos
30
3I
 cuando Dr ¡lo es ccÍo. Si ¡i : 0, ,.ts cviclente quc ,, : ur cuando uc : Von, Sin
l cr¡ltJargo, incluso si ¡r ¡lo cs cc¡o, r/. qs proporcional a u,.

+ +
I
"liillli:l'"
.io
ir
+J
La tcnsión Vori sc cligc rlc moclo que sca sufrcientemcnte pequeria para que
cuando ,c : Vo¡¡, los cual,ro diodos cstó¡r en corte y, por tanto, no conduzcan.
Po¡ consig!¡iente la co¡¡icntc cn 1l¿ cs cero y u¿ :0 V indcpendientemente de ¿,r.
TÍ
+;l
l^
I los
IJ Análisis cuantitativo. En la práctiaa el conmutador
por un amplilicador ope¡acional (véasc capÍtulo 8) que tiene una impedancia de
salida mucho menor quc 1 Q. Asi pues, es razonable admitir que rr :0 e.
analógico es activado

I.ig. 1.6_1 Sistcma (le cljoctos. El análisis cuantitativo dcl circuito de la figura 1.6-2 es bastante complicado
a no ser quc se considcre suslituido aproximadamentc cada diodo por.un clr-
rliodos r'.rrrrlcsrlrriu.lr dcl sisLcnta puctlc
habcr uDa rn¿.rfi¡¡a
cuilo equivalentc lineal r,por trozosr dcl diodo ideal descrito en la ligura 1.1-2.
r¡\¡ cr¡lnrlo l¡ corricnLc (flr(j r)ilsit.por clios es 1 mA. clifcrencia dc tensiones
rlt: 5 Si ¡hora t;c : yo,, la caida de tensión en cada diodo es cero y el circuito rcsul-
Si ," a"le"ciona"au alea_
r.r'irr¡rrLrrrru (ros (rio(ros <ris¡r'cLos rr.l rnisr'o tante es el representado en la figura 1.6-3, Observemos que los puntos a, b, c y rl
rilro r¡ crifcr.c'cia cle tcnsioncs pooria
scl rlo 2l-r lr ir0 tr¡V. de la llgula 1.G2 sc confundcn cn ün solo punto t y
l..stLrrlionlos lrr.itncro cl mu Laclor
co n analógico ¡cprcscnlado en la Iigura 1.6-2.
Lrr frrrrció¡ (h csL0 cir.cuito es proclucir. ,,nu t"n.ión (1.6-1)
aa ,"iiAn-'rr- i.oporaiun"t
U. (iDtr¡da^aD¡t(.L¡icrL ¡,i cua¡do t¡ "u"
ll ];]. ll.ll.,ll,'Lcller t]/,
(r,Llclir0ll) : 0 cuando u. :
tcnsión dc conLrol _ V", (c""_
J' 1/otr (corte). Asi pues, cn esta apticaciOn
fl stst{rrnt csli llctLltndo .conto un que es conmuta.lo cn
.r)r(r.cci(i^ ),cn co¡.rc 0n. ,n ,,,u,,,;,1'TJT;li;;*"''*t"
,.,,,r11t-.1. "uu,n":,Unr
l¡ prcsL¡ción.del ci|cuito cs l:r cspcracla, sc¿r oc: yo,¡.
(luc
l,¡rLonccs cl¡al(lo ¿,:0, los culLro diodos cs¡ín condncie,ráo
lrla crid¡ dc tcnsió¡r Vo. por Lanto, la caída de tensión y'a"jo.n" r"na
desde J ¡"ri" ,
Vn,, so ajusta dc maner.a quc toclos
los diodos se mantcngan cn conducclón, ", ".r".
incluso

¡ra= I,,r o t,,j

o v,,^

Fi8. 1.6-3 Circuilo cquilalentc cuando ¡rc : Voo.

t,
I Cllculo dc l¿ máxima tensión de cnt¡¿dc lcrmisiblc Vr,,. El circüilo cleja (le
funcionat cor¡ectar¡cntc cuando or aumcnLa hasta cl lr¡lLo cn quc ¿,i : yr¡¿ cs
iut' )l una tensiór sulicicntcncntc positiva para quc D1 y Do sc bloquccn dc modo quc
., tf ¡rl c ¿rr sean ccro. Ilsto cla por rcsultado la complcla apcrtura dcl pucntc de
¡ - 1zW -'1.,1
I' ',+D. :' diodos col la consiguicnlc dcsconcxión dc la cnhada u, dcsde h carga n¿. El
¡- *.1), * ci¡cuilo cquivalcntc ¡csullante cs Lrl rcprescntado cn la ligura 1.6-.4. Supongamos
] (luc los dio(los fstr'r) I)l-(:(:islnrc¡ttc r cl
,, ñ t,, '"" Llc diodo r.,,,. y ,¡,,¡ sLt¿lli
IrrnLo (lc corLo (lc mod() rJrLc lits tcnsioncs
íünl)its iuuitlcs lt ccro. EDtonc0s, oonsidcranrl0 l¡s c¡itl¡s
-t¡-' I < /,r
clc tcnsión con Icsfccto I nlast, Lcnc los
1,,
(1.6'2d)

-L'( --1 ,, o -l ,,
v,,,, l?/,
t,ig. l.l;:¿ Un .onnllrt:Ilof :r¡lIt,ltif,) coI cunrro lj( -- l)r .: lt!. -. ( l.{i-2¡)
(tro(ti)s. R,.l lt r.

32
33
 - :' ,.-!F..1
*lttrrFrq!ñ¡rniqqF."
co¡ricntcs clifielc¡¡ c¡r los rlioclos 1lt y l)r, siendo mayor la corric¡rte cle D.. La
¡azó¡l de csta difcrcncia (10 corrierrLc cs la siguiente. La corricnte que circula
tn los cuatro (liodos sc plLcdc hallar por supcrposición. FIay dos fuerrr_es u" y u,.
I
l
rc hacc quc la co¡r'icntc cir.culc cn todos los diodos D1 a Do en sentido tal
qr¡e ¿stos oonduzc{rn. Sin embargo, la fucnte u, suminisl¡a una coriente que
:
liendc a hacer quc disminuya la corricntc total en los diodos D1 y Do y aumente
h corricntc total en los diodos D, y Dr. En consecuencia los dioclos _D, y D, con-
ducen co¡rienles mis i¡r[ensas que Ios diodos rl y IJa. por consiguientc, la caída
dc tcnsió¡r V"" cn D. cs nayo¡ que la caida de tensión v¡1 cn D1. El resultado
eJ que ,0.¡ no cs igual a cero sino c¡ue cs una función no lincal dc D!. Nosotros
¡
desprcciamos estc efecto de segundo orden.

D¡icnlinación dc Vo¡¡. La tensión dc control yo¡r sc selecciona para quc

lus dos dioclos luncionen en la región inrersa (de modo quc no concluzcan) pcro
ro nrás tll¿i de su ruptura Zenc¡. Si l_os diodos cstuvicscn polarizados invcrsa_
¡ulis allti dc csl¡ tc¡rsióu dt: r.upLr¡ril Zencr, condrLcirian cor.ricntcs lnvcrsas
'r)rnt(
,¡le ¡rodriau ser sulicic¡ttenlenLc intcnsas para dctcriorarlos. Los dioclos t¡uc sc
-l-, :rliliza' cn los cir.cLritos inL(rg¡aclos ticncn tipicamentc una rl¡pLura Zc.er cuanclo
lrig. r.0-4 Ci¡cuilo fqr¡ilalcnt(: cll¡n.to rr : yh, ! tos diodos u1 \, ,r fsttiD en cl punro i:r ttnsión inYersa es altr.orintadarncDtc Vz, :6 V.
ilc
Con cl lin de deLcrrninar cl rDr¡.gel |cr.misible dc uc : Vori ollscrvanros (luc
i)irr¡ r]la lcncr cn corLe los diodos 1), "r D4 tlebemos tcncr. V.r: V"_ Vo <
.:.1(0,7) : 1,4 V. Iin eslc tltodo dc funcionamiento no circula corrientc
Ilacicndo u." : u. igual cn ningún
t'r¿ ¡1 cefo tcncnlos rtsistor 1i.; r:le aqui que 2 V.ri: \/",i <1,4 V 5, V"ff <0,7 V.
-
(lLra¡rdo los (liodos estiin cn cot.Lc cxislc la posibiiidad dc quc pucdan
csLar
t/ r/ Ilt r\|ucstos " una rulltura Zener si u, : V,,,, cs dcmasiatlo grandc. Co lo no
"--"'E+n; (1.6-3)
¡)asa couicntc por ¡r cuaüdo los rliodos cstán en corLe, V. : V,., clc noclo rlLrc
\'.. - 1/,,,, yor¡. P¡rr¡ quc no se produzca el corte cn los clioclos ajustlrnos
Ileco¡detnos que cste cs el v¿rlo¡ clc Vr,- cn que los dioclos I)¡ Do st llloqücan. t,¡r)' l',*- V,,,, cionde Y., cs la tensión dc ruptura Zcncr (lc los (lio(los.
_r,
Si R" > -R¿ (1.6-3) se r.etlucc a I)or t¡nlo, ynri debc csLar compri:ndido en el margen

(1.G,1o) \,r,- v"u < v,,lr < 0,7 v ,

l)ol cjcu-IPlo, si Vr,, :5 V podríamos elcgir Vo¡ :0 V, Si se hacc csLa elec-
Sin embargo, si sc conccta el cuaclrcte clc cliorlos ¿l la cni_fad¡ de un amplt_ cion, l),conducirá cuando u, cxceda de 0,7 V y D1 conducirá cuando u, llcgLtc r
ficaclor operacional no invc¡sor (scc. 8.2) cu5,a imped¡ln0ia clc entracla Rr_ sea ¡er ¡¡lenol que 0,7 \¡. Pero tt¿ sc mantendrá igual a 0 V indcpcndientemcntc
mucho ma)'or quc -R", tcndremos rie tr a causa de-clue I). v l)o cstán cn cortc tanto la puerLa tambi¿n sc lnan_
)'por
tfnrlr¿i en co¡tc,
(1.rj-4ó)
E¡€mplo 1.6-1, Conmutador analógico con seis d¡odos. En la Iigura 1.ti_l:) cst¿i
Itn clL{lquicr caso, si ur cs ntcno¡ qu(] el \,alor.rlc V¡,,, (lado cn (1.0-3), ci ctiodo represc¡rta(io utr conrrlrrt¡(lor ¡¡rrlrigico con seis diodos utilizanrlo el circuito cl
\i-.tenra co¡rl)lcto (ki scis djo{los. l,n iunción de esto ci¡cuito cs l¡ nrisrn¡ qLlc l¡ (lel
0odlnuta.lor funcionará dando rr, : a,. Si o, cxr:urlc rlc \.,,,,, la te sió¡r (lc salida connrutl¡dor uDalógit() con cUllt¡.o (lio(los represc¡ttado en la figur.¡ 1.(i-2. Es (iccit.,
,, se nianLcndrh lija en el valor dado cn (1.6-2ü).
ISe cli:mufstra [ácilncntc que cir¡n(lo ¡,c : \/Ju, l¡ lcllsirirr (kr crrgir u¿ es proporcion{] a u,, irientras qlle cultn(lo
lanbién ¡csulta (1.6-3) si ajustanios ,¡ \'¡,,, caso ot1 Lrl <¡ue los rlioclos D, y D.
- -. Ic,= l'.i1, ln tcnsiórr (lc (largit¡,¿ cs ce¡0. Hallar (.¡) r¿ ct1 ftlnción cie ¿,r cLtanclo
csllln cn cortc. ] r'. -- 1i", (¡) la ruiirirlr¡ I i- I)( r¡)risibtc, \, (rj) el n)ininro valor I';{ v cl mft¡gen
J,.s'r'sr¡ll.tl.s 1)l)l.ri(los r:rl .r .rrra.i.r'.rr¡irisis srrr sirr. irrrr{rxi.rrarrrr.rl. l,trnrisil)lc (lc I,',rr.
(rorrrctos l)o¡rJu(: ul circ ilo c(lui\,¡lcIrlc ui,ilizrldo
l)ara r0l)l.LtsclrLrr los diodos no l' ¡). Itl trNrrsf()frrll(lor
.\¡¿lrctjn (r¡ ll el nle(Lio do connrut¡r Dc dcsdc
os cliilcto. I)or. cjcrn¡r10, cri¡tsitlcrctnos los dioclos t¡rrc rlchcn sql. t.cl)t.cs0Dl.¡rlos t;¡ h.rst¡ 1¡,ir )' \'icc\'0l.slt. l.lstr) lr() I)r{)l)o[cio
csllt.ti rcprcscnt¡dr) cn cl circLliLo (lc la ll_
por cl circuito cquivalenLc linell por.hozos cn la ligLtrl 1.2_g. l}rtorccs,
en la Íur¡ 1(;_2 rll¡rquo s. I)o(lrf¡ lrrilizrrf lrr l nl forrn¡¡(lor. lil cir.cLrito oslri cnlcl¡lu(l)
s

figura 1.6-2 venlos qlle con Di : yr, quc es una tonsióD posilir.a consLantc, l¡s p¡ra quc cL¡a¡do ¡¡: : l/,j¡, los (tir)rlos 1)6 \'110 cst¿D .n .orlr v lo\ rlir)(los l), ¡ /)¡

34 .15
 .Srruc¡ln. Dl circuilo dcl sislc¡¡ra tipico con diodos cs cl rnis¡no que
dor con diodos reprcsent¡do el1 l¡ hgura_.1.6_5. Si n,l,"itiIrroi 'q,i" -¿,rcI conmuta-
lor¡¡a dc onda se¡)oidal, tat como ,i ::en 2jrÍ1, y nc,l" ói.^ i".Á" tenga una
O" onda senoi-
J,, , .t, / kt¿ il3l, tal como Dc : cos 2?1..¡. cnto¡
á"-;;á"*i;; :i.u:'::h""":lt;H";:";":i'i,:it:"i;:"f ',#1,1:::"ol:
i<
I p"'1,,ür
"ii"á" y clesconectará ¡)r
trol concct¡rá ¿r un ritmo igual a^1". Éri";;i;i ilust¡auo
[8T.:.1.6-!q, donde hemos elegido l" <l¡. C-on cl fi. ¿" cn la
proccso cle
l.]:ll]llt"1^crll urilizando estc clispo-sitivo,' ia op".n"ion a" ""p"".^.'"j jn esta
$nrrda corno mucst¡a ra ligura 1.0-6¿. Aquf la tersión senoidal "ánfiiilcide;ontror repre-
dc la
ftccnenci¿¡ /" cs sustituicla por la función á"
á" üai""iooa"oao s1f;
'l L' de frrcuencia 1., que cs 1 ó bien 0^v.. Cronao "",r*ri""i¿"
Slrj er-r ],"r)1",¿(¿1.
' ,'4,
Cu"n¿o
q v Pucsto quc s(t) cs perióaici, pu"á" J""
"r"p"ás"ntoan
po"
iJ'l;.ta),r:;;l
Lf _L vA+ ,.\.t p¿(¿) ..
;
- SCn nrl2
J{¡r - .- L ,¿ -;-cos2anlf
h_r - nnl¿ (1.6-7)

qcn nn12
N' ¡¿(tr Sf/)D¡t) . I :e.¡ 2.,/¡i ' T -^-
sen n ,, cos ^2rn/ 1
l.¡/'/ (1.c-8)
,,", *.1,
.L¡¡ ccr¡¡ción (1.tj-S) Ducst¡¡ quc r¿(l) sc compone de la señal
original ¿,r, el
p.o¿r¡cio de dos seirales, y tos protlirctos dé ¡_,¡(0 fós o.,"¿oi*, á"
v
dc c_ont¡oi. Dc aquí que si et connrutador vi'seguiao d"
L,"¡at originat
(on frccucncia centrat y ancho de bancla 1J : ;;;;;tt; sintonizado
Fi¡j. 1.0-5 I'n .ollmur:,Llof :IrJtuB.co .on i.rs,tiu.l. l, 2É la te;;ión c;la-sajt¿a ¿er nlt¡o
lcri r;(¿) : K_ser,2q11cos 2zlJ. Asi, llt tcnsión iió ¿"i nii." rii¿) es propor_
.tonal ¡l producto dc oc(t) y u¡(l). ""ri¿"
cc,rrduzca¡r haciendo qllc D, sea menor que cl !alor i/,. clado por (1.6_3). Utilizando
(1.6-3)-con I/ón:6 \¡ El circuito dc la iigura 1,6-6 ticne varios nombres, dependienrlo de la
se puede dernoitrcr quc la I.r,r má*ima .crlri-:¡ V, y para -.- fina-
lid¿d del diseño. Por ejemplo, si se clesea que ¡r¿(l)
: Sif;r,11¡ circuito sc deno_
"f
(1.6-5)
(¿) Puesto que u, nunca cxccderá alc vz^ _ vr_ _ 3 \¡, la tensLón en
to c lro excede¡á de 3 + 0,7 - 3,7 V. por co]tsiguientc los áiodos D, el pun_
v Do estirán
¿n ¿0¡¡¿ sremprc quc ¿rc : y;¡ > 3,7_ va5 : 3,7 _0,7 : 3 \¡. ios clioclos
a ¡.1^csta¡á¡l ¿n ¿o¡{¿ siclnprc que la cafda dc tcnsión ,ies¿c ¿ Last¡"¿ e¡1 la D,
¡a 1.0-5 sea menor quc 1,4 V. Iror Ia segunda tcy tlc I(irclrhoff tencinos figu-

u"a : yrt + 2L)c -F Ir\. < 7,/L

Sup-oniend-o V,", : ytu :
0,? \¡, tos cliodos Dr a l)a esta¡án en co¡Lc sl Dc :
' I Árr 0 _quePlcsto
- \'. que ¡ro ¡c ,lcqcj quc los dioáos O, ¡ O. ie
sarnc¡rte por una tensión mayor quc l! dc l.upturr Z"ne¡ l.rr, i,ota¡i"en
:nue,._
tineinos
Yo' : Y'' V¿rI -- V¡r < 6 V
- -- (¿)
De clonde
.t(/)
l/;r > I/r- 0,? V
- I

^sl
pues, el nlargcn permisible clc Vórr

Vr,, 0,7VcVár¡<0V
es
Lrl)
A
-(¡;F- o !/1,I
1.6-0)
*l
(
l7 5T
Ejemplo 1.6-2. Uso d€ un conmutador con se¡s diodos como multipl¡c6dor.
De_
lrn .¿

mostrar que el conmuta(lor con scis diodos dcscrito cn cl cjcltlplo i.6_r se puccle
ütilizar como multiplicador. Fl8. 1,6-6 DI con¡rrur.a(ior dlodo coDro lnLrltjfltctrdori (r¡)
,¿ (1) cLrrn(lo l,r =. scn 4n x 10t y
rc - scn 2,' x 10óli (¿) ¡oprcscnrnción cquivÁtcntc ¿cl cinÁira¿or -
,rir¡,,.
36
37
 ,lil.liiÍlill:ll1:1i ii,,;,,,];,,il".ll,'il":Ji;11;;i$i:;:X:*i,?:.:,,,iiiffi:
+-l ,¿ i*
;:i,:,';il;"li,,l:,ll;l:i:
!
':1"":l::,u:f {f,i,i"[,,:lxl;T"'::1i.i:*;#*:.i;i
rlr¡r¡||r)s rltlc llcnlos irctcrodinado la
j
g'.od9

¡ p*" "lL"raa^i"
I
frecuencia tueva l¡e-
c rrr:rrcirr /, I rr/". 30,
I I
t
rT'
1.7 GENERACIÓN DE FUNCIÓN
t t¡{ l.;.2 (lircIitos ]inc¡tcs por irozos;(¿) sÍntcsis rtcjlgura 1.?_1¿; (¿) sint(,sis (tc ftgur¡ 1-7_1a.
I
I-¡Lócnica clc gcneración clc funcjón implica
una aproximación a la carac_
tcfistica r¡ de u^ dispositivo no rinear con
segmcntos dó linea ¡ecta concctados
y Lrtilizando luego diodos, resisLores y fuentes ic
li tcnsión dc cntrada como lucntc dc c.c. que cambia lentamente desdc un valor
constante para consL¡uif un circr rito cq
,"^l¿ri"".il"r" de corriente V {r:rn(lc nceali\.o hasta un v¡lor gr.ancle positivo. Rccuérdese que cl cliodo iclcal
uivatente quc ."rii;;l; ;;i.," tineal por (onrlücit.li solancntc cuando la tensi(l¡l u", y3
sca positiva (poiarizaciól dirccta)
trozos. De.csta maner.¡ se puctlc anrlizar _

ct circuiti .ñ;j;;
io. to. _etoao, s,-i un circuito ¡bic¡.to curndo ur_ V. cs negativa (polarización invcrsa). No
normales.dc análisis dc circuito, cspcclalneDtc
para se¡jales dibiles, evltando los c¡rcrrlani corrienLc a no ser (lLlc,r, > Vr;asi ur l Vtcla el segmenio 1 dc la
proccdimientos grhlicos. curva.
(.!rrr(lo r?,: \'¿ (pu¡rto dc rrcodor), ocurrc un ca¡nbio
Una aplicación del uso de los genc¡ado¡es de dc csLado. Ta¡r p¡onto
función es la solucló¡r dc pro_ co¡no ttr so hacc rnayo¡ cllLc l¡s, cl clioclo concluce y aparccc como un
cortocircuito.
blcmas en que una ccuación difcrcJcial
lir*l q;;;;;;;rcrrr"
"" ¡nalógico. Los
deba se¡ rcsuelta uLilizando un computadrir un ,,.*rno ,,r,.o l,rrr'go para todos Ios valorcs rlc o. > V", cl circuito consiste cn el rcsistor.R..en
términos no tincalcs r¡ric con Il Lonsión V3, t¡uc ploporciona cl scgmcnto 2 clc la curva.
son afroximados por curv{rs lincrlci pol Lrozos j'.1f¡1,¿njo.r.',tJi
.. ,.ru.rr. ¡llslc rcsLrlL.clo s. puedc urilizu. jra¡¡ siltctizar ra curva dc |Ies scgmontos
cl problema completo electrónicamentc y cl ¡esultado ,. ."pr"r"nrn d¡: la fi¡.¡rrr¡¡ 1.7-1a. El cir.cui[o de 1a llaufa 1.7_2a sintetiza los
automáticamente o sc visualiza en un osciloscopio gráliea l, scgmcntos I y 2
{cst¡n(lo ,susLituido -ti. por. .R,, ¡, V. por V1). Todavia hay provistó un purrto
ta aproximación de tres segmintos para ta caracte¡istica de
,,_^9iTld:*i"r. no t'r,¡lo en 1,'r, r' la pendicnte dc la curva en la región 3 debe¡á ser 1/I1,.
lneal ¡ep¡escntada en la ligura 1.2_1a como
cjemplo dc ta ,int.rir-J. un ci¡cuito ql¡c cstr pclldicntc es mal¡o¡.(Juc la del segmento
Obsérvesc
trozos. Obsérvese qlc cuatquier curva no tineal r lo quc ta resjsic;;;Gr¡i-
liy \¡lr lc ,il cst¡.rnrr¡.lcD ,lcb,. scr tnct)or. Esto sugicrc ,¡uc
tanto l:]
pu"J"-..i'np.o*tn ¡rrcJc-ser cr,rdiC,,
como se desec utiljzando ¡rno o más segmcntos
¿e inea ¡ecta. para fines
"an. uu crrcurro f¡r.,lcLo f¡rir conse{r¡ir una ¡educción de resistencia. El circuir¿d de
prácticos el núme¡o dc segmcntos cle linea
sc ¡nantie"" a"" p"ü"¡" cotno sca ¡.i figL¡ra 1.7-2¡ produci¡¿i t¡l rcsrrltaclo deseado. La ¡írma dc la izquierd.r cs la
nÍrrr¡ r.7*rr, corsisrcnLc;;;;r,,;l;..',;;;;nLos, ¡mDos nrisma qrre ll p¡.oviitlll{I)l.c <ro¡tsirlcr¡rll¡ y nos da los scgmcnlos 1 y tlc la crrrva.
:::jl]:;.:i^"":"i,rr,ri, .a a¡rroxinrar.s0 2
l,u(.,ie
,...::l::l:lll,.^,ir
,,r(sirrir 'ltl||zi¡r ¡r
pcIl)l e rt {,r'tot.gr¡r¡r(]c
l Lr cr¡r\.¡ cr¡un<lo la cxa0Litr¡(l I-¡ r¡¡,rr rl. l. rlc.ct:ll¡r r¡r) t.r{r*i (rkr0tr) argano rrnsta r¡rrc u.: 11 ,¡n,,,,,., tt
¡.cl)rcs0nlAdo. Ijs si¡rtctizacla COmo 0l ctrcuitO c(rnduce. l)ílr¡ ot), V,¿, D¿ ¡,.1)1 cstín ambos cn cortocil.cuito y ia resistcncii
de ia llgura 1.7-2a. L¿, operación del
circuito se cxplica fecii-inte sise consiAera {lel ci¡cuito toial es.Rjl1?r, Con cl fin de adaptar la penclicnte deseada 1/?i.,

1 : 1-- -,- ,1
n3 1i, _¡l ftr-ft,
Ilsto compleLa cl circuito.
. -Es importanie distinguir c¡rL¡c los circuitos equivalc¡rtes lineales ljo¡ trozos
dc los quc aqui tratamos y cl circuito equivalcnte lineal para se¡.ialcs dóbiles
cstu_
diado en la sccción 1.4. L-os valo¡cs dc rcsistencia pucden diferir consiclc¡ablc-
¡renlc a causa de quc cn cl caso rlc scrlal débil las pcndientcs se mirlcn en un
punto particular dc funcio n am ii:n Lo, t¡icntras que cn el caso lincal po¡ trozos
son lalorcs promcdiados cn nrhr.gcDcs o inteavalos relativamentc largos. El
ci¡-
c!ito lincal I)o¡. trozos sc pr¡c(lc tltiliz¡t para calcular las corricntes v las ten_
siones lolc¿¿s, mienhas q(lc cl circr¡ito cquivalcnte para serial débil cstá
restrin_
I¡j(. 1.7
giclo a variacioncs pcquci]lrs aJredcrlor dcl punto rlc trabajo.
1 Iinculcs por trozos o scÉnrcDtosr ({) trrs
^pro\inracjoncs s¡:g|lrrrtosi (¡) dos scg_
Ej€mplo 1.7-1. SintcLizar utr circLrito quc proporcione una ap¡oxirn¡(:i¿)l¡
linfitl l)()r
38 trozos de lA lunción v : ln ¡r p¡ra el tn¡rgen 0 <,| < 3,
fl Se plantea¡I v¡rios proltcnlrs l)ri\cticos cuando sc inte const¡uir cl circuito
de la ligura 1.7-5 utiliz;ndo clioclos y rcsistcncias rcalos ¿{ -¡usa dc que un diodo
Írr,,fi, L7 r] r)r(lscnh rrn crri{i.c:-:1c^ :..=,,:]. l]l',1.1,,i;,J," ,,li"?iifil real ticñe una tensión (lc r(tPturx clistinta (le ccro y unr rcsistcncia seric cquivi-
illii',1,;ll;.,i;ll,ilil',iii;i.-ll'J'iii;ii;ii;li,'i'.ii't""^''¡i"i'"pen(iio'tcodccodocn/ lentc. ,\demás, la rcsistcncia équivalentc dísminugc con la corrientc, lo cual produce
---1 üna caracteristica cllye cu¡!-aturl cs opuesta a la descad¡
t: ,,
gr {irlto 3 tlei)c I'r\¡r I'or ¡l Prrnl0 i 3 u¡ ' 20
\ ( l st

t
n=$:ro,en
I.'jg. 1.7-5 Circuito complcto par¡ cl cjernplo 1-?-1
!n= fi -::n r = sü
l'is 1.? 3 Lr función €v Y
apioxnnación linc^l por trozos Paraninimiz¡r estos problcmas, usualmente sc mu¿¿¡pii¿dn las variablcs lor
¡:,rt una constante, por lo qüe sc co,rsidcra que cn el ci¡cuito circula un^a corrientc de
e¡r viz cle rniliamperios. I'ara vcr cómo se hace esta transform¡ción vol_
".ne¡io.
{amos a la ecuación o¡iginal y esc¡ibámosla en la lorúa

lil:r',.'""ilriliir i";w I'i: Jifll{5i:f¡i{ ¡'r¡ift tii:i'*il i\hor¡ sustiLui,nos

'"';f "::l;:"lil'i'i 'i:.;ill:'j;il.',lljluiliu l;1";l'¿Ji:':xi?"li'"1;í;1 .¿: aD? y U:bi
il :lilxxiir,:lill lml';'li ll,::i*.] lÍ'l¡' :r¡4o:l:o']"1i":':r';l::1 Lucgo
1

ii?;"1#Tlilfl,*:ll,xilüTi.j''li+;:n:i:';',"*ulmÍ:i"::''i;"n:i""ülli"n'i;
Si ¡: 103, corrierl-c vicnc dada cn mili¡mpcrj^ r- ar"¡i¡nte un ¡1"':' l r' 6'
l¡
de la constaDtc d, la iensión sc puedc cxpresar cn una escala dc múltiplos ilt(lc-
- i r,;f nendientenlcnte. l.Natutallnente, todos los valoles de los resistores canlDlan cn
iorlron"n"io. Si rI : 1 Y , : 103, todos los resistores dcl circuiLo de l[l figlrra 1 7_5
ra*r
t r"iuri"ti pol 103 i las corrientes qlre circulan clr el nucvo circuito
", I z,su son multiplicaias pu. i0 t lo titi.tnu qu" las (lcl circLrito o¡jginal -l-as tcnsioncs
"turtipri".,los
eNistcntes cn cl nJcr'o ci|cuito son lns rnislD¿s que 0n cl origirlal llD
gcncral' sc
(lc los scgNcntos 1 y z ¿"fen Divcles dc tcnsión sLtlicricDtelircnte altos par¡r (lrrc no sc¡rr cxLlsr tLc
Fig. 1.r-_'l Circuiio para la rcalizxción qraniles"l"f:i.
-T lr ngufa 17_:J' ei¡ores las caldas (]e tcnsión eD los cliodos'
dc " gn la figura 1.7-6 esl¿i rcplcscnta(lll Llrra lcrsión a escaltl Inúltiplo del circuito
dc Ia ngu.a i.f-S. En cste cir'¡uito sc ha sriprimido el suninistro {lc 1 V, -v Dr
h¡
rlll¡ i \ tcofricntc' mnrrores 'lc i'f'l Ar'
.iáá rr.iit"i¿" por un diodo dc sjlicio y uno clc gcrmanio en scric l-n srrr¡l dcy las
ulr ¡'orto.ircuilo 0'rrr lcnsioncs.rft'¡llolc\ 1v' str
i"".ió"". J" ruptrtra cle cstos dos (Iio¿los es l\p¡oxim a{lirmcn l e igr¡al:r
l*'ril J;;,; lllti¡l.'J; lrj:i;iiillrl*l 'llllj'ru l il*;il:llil.i: nlenor quc 2,5 ]r!) cn cstos Divelcs
es rnucho {Lc
h1 resiste[cia intc;na combinada
y
íiii.,ir"'é'"',J" I - '.q' l: 'l ":l:;iJiJl ll;.i',1."¿,,il,,".lll'l,J,lJ'n','" ,, * "^ ;;;;i;;i;, p;" lo que resultar'/r u¡1a ca¡actcrfstica cle lfrea rccta ontre 1 1'61 nrA'
Lo fuente'cl" cor';iente está sustitLlida por una batcría dc 13,5 V cn seric coll t¡l
ll,J;ll,"l;,,11".' *l.llli,lil,"i"il',ill"i',
.u''''" ¡esistor de 8,3 kQ.
"''
t¡ - (i - l'1i1XS'3) I 2'5i + 1 ,;: i,'t+
n hall¡¡ l¡ solución dc las
Ejemplo 1.7-2. Utilizando circuitos l;rrcales por trozos,
f cuaciones silrrulttlneas
cs
[,ir l)c (licntlf li c:ll pol trozos cl1 cstc rnarÉcn 0<r<2
ll:r!
Alr t'' I '.' l0'S r¿
A
2'r-r
1/:i llz-r"2
til coulo sc l cqllcrill 4I
 tr

Ce

13,5 V
2,5 k0

l:'ig. 1.7,8 Circuito ¡ineat por t¡ozos para U : ¡2.

I:ig. 1.7-6 Vcrsión práctica dcl circuito dc lr flgura 1.7_5.
El circuito cot.rcsl)Llll(iienLc :l q.-.:¡ (y .- ¡ tniliarmpcrios; ¡: u
linplcme'tc .na rcsisLcncia dc I 1i!1. r'xri rrr[ar 1. soiuciór dc ras voltios) cs
La solución esJ natDralmente, r: 1. Veamos cómo se puede obtencr eiect¡ónica_ ecuaclones
ti¡nulLiinc¡s haccmos (lltc ¡(: ¡r) scr ia rnisrnil en a¡nbos ci¡cuitos conectánclolos
mente esta solución. {'o pe¡alclo, corno sc lllLtcstr¡ e¡l lll llgrtrt 1.?_9.
Sola¿¿dn. P¡ime¡o sc rcprescn_ta lq ccuación y Lll tensión D -. y1 c( luLljo vlt¡.i¡(la ll¡sta i : ir. En estc punto : yr
- recta
de
.
dibujados en la figr¡ra 1.?-2.-Un prorcrliinicnto - ¡, por los ¿res seg¡nentos
directc pcra clegir los
t i.=.ir (: q) rcpres,tt!l I^ solr¡cir'r. <lc l¡s ccr.r¡cio¡res sirnr¡ltáneas. ¡)En estc(:caso
r)
scgmentos dc rccta es dividir cl intcrv¡lo en fiftes igu¡lcs, corno sc inclica. Émpe- rcncillo,.. Vr ,. 1 V r: i. i,,.1 rltA (lan l¡ solución_
zamos
_por.
los segnentos 1 y 2, tenic¡rdo er cllerta las pcndicntes cn los punios
indicados (en este caso r : 0 y n Si el ellor entr.e la ec¡lación lineal por lrozos
y la ccuación no lineal es dcmasiado - 2).grdnde,
se ¡ilade un scgmcnto 3. I-a pcndicnte
del s_egmento 3 cs la mis¡na quc cn Í : 1. Si el c¡ror siguc sicnáo <iemasia<lo granclc se
pueclen- añadir dos scgmentos más en :¡ : t 12 y i : j12, ctc. I_Iay quc
sc¡talar
qrrc indrr\o c^oD LIcs scgntcr¡L|Js sc po(lrii¡ rc(lucir cl error innsidcra¡rcló sirnplenrcntc II

¡ l sc¡{nl(tllo :l c{,rrlo cI|r'rrlll ,lc llr trrr.r'a ctl

vcz (l(] corüo t¡nficntc ¡ 0lln, (Col)lo los L

cl'¡lculos sc sünpljficr utilizundo un{ Lnugc[tc, aqui llo nos dctcnclnos a consi_
(le¡ar el cr¡o¡ rcducido.)
Aho¡a ponemos
y:¿ (mA) y ¡:D(v)
llntonccs sc pucde sintctizar cl circuito co¡¡cspondieütc a y : jcr como sc nlucstra l;jg. 1.7 0 Cone\ión prfr ln solucióD dc tas ccuacionca si¡nulurncas lj _ 1:z e ! ::t.
en la figura 1.7-3.

Itn otro ln¿todo sc concct¡ l¡ rcsistencia tlc 1 kO cn se¡ic con la ¡e(l _,:xx,
U
ro,l lo quc la corricnte y scrá la misma en ambos circuitos. La tensión clc cntratta
es.entoltccs variada hasta quc la tensión (: f) entre los terminaia: dc c¿tdr cir_
fuilo .set l¡ rnistna,
Ejomplo. 1.7'3. Utiliznr cl rcst¡lLa(lo clcl cjemplo 1.?-2 para rcsolvc¡ la
ccuación
diferencial no liDeal
dr ¡(0) : 0
l+t!:l() to:4
Solucíót1. Lo Dris')'lo quc en cl cjc¡npto 1.2-2, ajust^mos j¿ convcnlcntenrcnto
l¡ra qrlc seo
lnáloga.a u, por Lo que se puede utilizai cl circuito de la ngura 1.7_8
norr cl segundo tórmino de I¡ ecuáción. Esto produce una co!¡iente, en mA, igual
a r,: (: .rl). El primer término se puede representar po¡ un condensador rle 1000
7rIr,
en ct cu¡l t¡ corr¡cnte cs

, == ':;;
" ,J:¡ (mA): du
¿:-¿
¿¡
"
Asl tcne¡nos corrieDtcs análogas a los dos té¡minos variables de la ccuación
(lil(ronci¿rl. Ilsto sugie¡c quc hacc¡nos uso d6 la prime¡a ley de l{irchhoff par¡
rñadir l¡s clos corrietltes a llna luc¡lte de corrientó constante de.1 mA, comó cn
¡:r ngur¡ 1.7,10.

43
"ffi
, . ,,|i

l <O *O I-. r-l .F+ .ts+

I *O *o I

+]* +*
1000!Fl u=r
--O *O -
5oo f] |
+a+ a+
l
;' I

I
l.ig. 1.?-10 Circuito para rcsolvct drldt + 12:4.

Si se abre cl interruptor en t : 0, estando el condensado¡ descargado, de modf l

que D(0) : :r(0) : 0, cl osciloscopio conectado en paralelo con cl circuito reg¡e
trorri lc solrr.ión D(i ) ¡(1).
El tector observará quc se pucde reprcscntar una condición inici'l no nul:
Doniendo ulrÍl carga inici3l en cl condcnsador. Untl /(¿) difercnto requeri a sin
llenrente unr luelrle de corrjentc que tuvicse la misnla lor¡na de /(¡) { (r'+Co
I
1.8 CAPACIDAD DEL DIODO
I

En csta sección describimos cicrlos cfcctos que ocurren en los dioclos ¡'qul;
conclujeron r elementos dc capacidad en el ¡nodelo de circuito para cl diodo:
Los valores dc cstas caprcidadcs dependen dc la magnitud y de la polaridad
de la tcnsión aplicada al diodo, asi como del tipo dc unión formada durante el¿
proceso de fabricación. La capacidad real no es lineal, pcro usualmcllte se la co¡fi {l,)
,i,lar" ,,no primera aproximación como clemento lineal. fro¡ t r.t cnp".i,tn,l (lcl (liodo, polariz^ción inversa: (a) rcprcscnt.rciún gri¡llcr; (ó) varia-
"n 'r.¡'t|! l:ti.a Jc la capaci(lrd con la tensirln inversx aplicada.
Pol¿rización invcrsa, captcidatl dc tr¿nsición. Consideremos el diodo dc Irniór
2npolarizadoinvclsamcntcreprcscn|adocnllligura1.8-1a'Ctrand'oeldiodlil,a¡t|iorlclsooricapo]cr4clo¡csL.infabricados
runciona dc csie modo, los rruccos de ta resión p t los clcctroncs de ,r rcsión¡:;;;'";':i';1";:'i;lIi'f"á;;;-;;";.ii"do0"*t,ii"';lo".il""u"lJnili"
se mueven separándose da la unión, formando por tanto una región.dc -enllolunor cent,nrrcs tle ¡icofaradios si asi sé requiere- Una aplicación del uso de
btrcimientt) en la cual han sido sustraidos Portadores dc carga La lo n git ud eler'¡ bl.r d iorl os c s l¡ d c los circui Los clc modulación de frecuencia (FM), donde se
tiva Z de la región de cmpobrccimiento se hace más ancha cuando la tensiÓrf(s8(t¡ un diodo invcrsamcnte Dolarizado cn Daralelo con un inductor. La f¡e-
inversa Vr, aumenta puesto que el campo clóctrico l-ambién aumenta proporclo[ramcia resonante del circuito sintoniza¡lo resultante se puede cambiar variando
nalmente a V¡ . [l'. fror tanto. si V,, es una scnal vocal, por ejemplo, la lrecuencia resonantc
Como los electrones y los huccos se han separado dc la ir¡rión, la regiotl*| proporcionnl r ia omplitud clc la señai vocal; és deci¡, la frecue[cia estará
de empobrecimicnto establccida cn cl male¡ial p sc ha cargado n€gativamenhlFd;leda. Sc construycn muchos sistcmas clc FM utilizando este principio.
micntras que la región de empoblecimiento cstablccida en el material t'na ecuación que relaciona la capacidad de transición en patalelo con un
sc ha cargaclo l)ositivanleoLe. La unión con po:larización invelsa se comportan'ldÉdo inr.crsr¡ncntc nolarizado y la icnsión del diodo Vn es
pucs, como un condcnsado¡ cuya capacidad valia teóricamente o" -"uj t:::1;
strncrrtc pr-o¡rolcio¡r¡l ¡r lir caidx dc tensión yx¡, dcsdc N hasta P Real
l- t+z'v^lt
C0
C¡' : (1 8-1)
rncntc la r:l¡ncirlrcl (i,, cs invcrsantcnl-c plopor'cional a la potcncir L/2 o 1,t. 'l' ii
rlc V"r,, tlepcnclicntlo dc si cl clisposilivo tienc tna unión de alcación o una unlo!
clc c¡ccimiento. Iin un <liodo cle alta velociciad csla capacidacl cs más bien pequer'ra Co:r<le C.
- ctprci(l¡d dcbida a la clipsula clel diodo
usualmcnl.c mcnor quc 5 pF En los dioclos rcctificado¡tls para alta conienl¡ Co : clpaciOaO ctct rlio¿o cuanclo y¡ : (]
l)ucdc scr Lan gr¡rndo corno 500 lF. n:ll2 o ll3
44 45
&L
t,rr li¡1rrr':t griilico dc la capacidad dcl diodo en función cle I
l ll-l/r (is tl¡l
cn los cálculos 'r $
l,ir r;il.lllrllczil Ito lincal de Cn se desprecia ordinariamente
rrlilizrr Ltrr vrllor constlnLe'
Cuando el diodo cs"
l'oltriz¡roiólt dirccta, capacidad ilc ¿lmaccn¿micnto'
,,,rf,,.irr,i" en scntido ciireóto, la anchura de la región de empobrecimiento I.
aumenta con respecto al valor de cap:i
[r;;t;;;; y r"."p""lo"a de transición
Sin embargo, en la condiciói'
inve$amcnte polarizado.
ciclad hallado e¡r un dioclo
mucho nayor' quc c
de polarización directa ocune un cfecto de capacidad
;"",i";;;;;;;
'^'" un elemento llamado capacitlntl de almacenamíen|.oi.d:^11':'¡1'
¡" in ."..lon 1.2 describimos el mecanismo del lluio de coniente como els
,'",ii;;;,;;;""en (\'acanle)
a
dcsde un hueco S'!:ic-ii1',1re el-tlemli
moverse entre
,
dos huecos es
"l* t s (z es el tieml-
o'a"-aOi" q.a tarda un electrón en
-ronli¿.r"n¿o
Ir"J¡ ambos flujos dc electrones en la banda de conducción '
es^I',: Q/r' dono
i"-¡^.¿" de valencia) Entonces el flujo mcdio cle corriente (1
". l"-*tg" media. Sin enbargo, por la ecuación del
;';
diodo 2-3) tenemos
(r¡ )

Iol L: I"6vott'' (1 &:

f

Sidcftni¡loslacapacitiacldca]macenanricn|oC.'comoC":rlQ/rlV¿,hal]ar.:
IiiciinenLc clltc

^ I n't (1.$. " -to

a la corrientc dirccta c
Asi pucs, la capacidad es directamente proPorcional
,L"¿i o ot"¿" se, m,,y g.ande. Por cjemplo, si z : 1 ns e J'.: 1 mA' entono -
de conmutacron I
á" ]iO'oe. Esta esia capacidad que limita la velocidad
ciicuitos iógicos que utilizan dispositivos dc unión'

1.9 DloDos SCHoTTKY 4

(.)
rcl¿Liva¡ncntc nltcvo lttilizado cn los circr¡itos intcgradosi
Un componcntc *¡ l-!.1 l)ioilos Schottlt):(d) (lislribü(iirlD (lc potcncial después de la difusión inicial;(b) dis-
dc unión' lal c.omo platü lf¡¡(l¿n
OioOu S"itotLtll', qttc cstá formatlo pol un llrctal- dc pottncirl (lcsfuas (lc rplic¡r unr tensjón positiva; (¿) distribución de potencjal
"t
a,r,r ..lli"i,, <tc Lipo n. I')sLos disposilivoi Licncrl rrrt ¡lI¡lacc amicnto
dc carga ü óít,r{t dc aplicnf un¡ tcnsióD nrgntivl: (d) sttrrbolo dc circLrito.
cn lplicaciotrcs rlc corunut¡ción clc
ir"ai"f,i" y .,,in .'", ," utilizan r¡lis
al

vclocidad''.^l¡Ii.]^.Pnlornaralosel.dn!1decntrc]osternlialcs
(ilr nrr.lrl, Irtt ujtrtttltlo l)ltilino, rl0llil colllo lllatctill ccPtor Pa
ctllll:cl¡<lolllsilicior]rlLi|on'losclectroncsr]cl-silicioscdifün(lcnl#¡i'-¿.la.unión1''¡.e5LllLil,j)

:l:",il.Tl:"J,'$"1,ñ;if':iT:xl'* H:T::iJ:':"'.*
csta tcnsión Positi\'^ i¡npidc
paI|c'cuan(loes¡rl)licada"*t",io.i.'.nt".*o|"n,ionpositivaslrficjerrtem"i,lliu"1,^"i'Ji'ili'*'ji;..l:;"_'::.,]l

46 47
 rtrw ¡
rrilLlrln(rrll(r 0,til V). tltl ll{:(lll(lllo lltllll(l¡)l.o dtr Ilt lcnsión V" por cncima de }"
(ror¡i(:llt(r Illlly ¡;randc 0uando sc invie¡te la tensióo
¡r{Jdllcc rlllrr v:rlilt:iólr rltl
ir¡llicarlrr lrl (lio(lo (l(1 ¡t\o(lr) r¡rrtr trl maLctiltl t¡ sc hac0 positivo con respecto a!
7 plllt.irro (u tllltl.lrriirl /)), Ilt Irltrsió¡r ctl ll c¡rrl ¡¡ rle la unión aumenta (lig 1 9-1c) Cáracterístlca dtrectá

¡,,,.,,tt"i,,,,, tlt:l ¡rivtrl indica<lo ctr l¡ ligurit

l Mc y no lly ltjg 9: corriente'
(lulrrtlo so (rslill)lccti ull cor¡Lll0to óhl)li0o, no hay difusión inicial de electro'
lles ¡ llltv¡s rltl Iir rrrtión, Pllcsto (lll(l ctt los dos ¡D¡terialcs la densidad energh t
y
(kr los (to(itforltrs cD llnll)¡s oill-lls {l(r l¡ Llnjón son las mismas f ,, uI
l,ls illlcrr:sirnLc ol)s0rvl[ (llr(! sc Ioull¡ unil unión matal-silicio n incluso enI
rrn rliorlo ¡n In0sLo ¡ltlc rltrlli: strl ttllitlo urI hilo nctálico al material
n utilizando f
F
(iollll\i(')ll exterior' Para evitar que Simbolo del
irlLlllliDio pari\ cstill)l(rcct llllli con cl 0ircuito dlodo Zener
crlt conixióu clcl tltr¡tlinio co cl silicio (ic tiPo n se comporte como un diodo'i Cá.acteristic6 lnversa
Nóteñs6 l3s escalss
dlferenl€s dé las reglone6
rl silicio cle tipo n cs int¡rrrl ilioarlo o <rlopado'r dc modo clue tenga un exceso dei dlrecta e lnversa
clcctroncs cn la olra qüc (lcbc scl tlnidir al lrlcLal Esta región de electTones
en ¡' -2,0
cxceso es lo quc sc lllmll rclii()n nr' l)os¡lttós dc l¡ rlifusión inicial dc electrona'
nccpLor, las regiones n y ¡¡
0n el metal ltccpLor,
en ¡¡!¡ ao(lulelcu mismas caracte sticat i
las Ilrrsruas
ad(luielcu l¿ls 1""'i"""""'¡
¡ig. 1.10'1 Sinrbolo rlc circuito dc rliodo Zencr y caractc¡lstica ,i.
qLL0 el Inetal y entouccs cl contacLo sc conviertc cn óhmico;
cs decir' actúa comol'
Lrnr pcqueria rcsistcncia para tensiones de cualquier polaridad' . . .. , g-!.r ¡rnr:r dc v¡lo¡cs. El f ncion¡rnienlo del circuito ¡luedc exDlicarse cualita-
Coan¿o dioclo Schottky fuüciona cn el modo directo, la corriente cs dcbide t¡r¡r¡¡c0tc cn función dc la ca¡aclcrística ui clc la figura 1.10-1. Si la tensión de
"t
a los electrctes qo" ," t,ru"u"n desdc el silicio de tipo n a t¡avés
de la unión r¡lñd¡ al¡mcnta, cl diodo ticnde I mantcner una tcnsión constante en bo¡nes
y a travós <lel metal. Pucsto que los elgctrones se muevcn relativamentc libre¡ .!a ll carga de modo que la ctrda dc tensión en ¡r aumenla, El incremento ¡esul-
a través dcl mctal, cl ¡iempo de recombinación z fvéanse ecs (1 8-2) y (1 8-3)]
i¡nle dc ,ri circula a través dcl diodo, mientras que la coriente de carga per-
es muy pequello, típicamenie dcl orden de 10 ps, esto es, varios órdenes de mag gltnecc constante.
"menos
nitud quc los que se corresponden utilizando diodos de silicio pn' Por
ejemplo, utilizando (1.8-3), hallamos, con I, - 1 mA que C"
:.0,1 pO
" Ei sim¡oto cle circuito dcl diodo Schotlky es el que aparece en la figura .1 9-1d ^.,i
El diodo tiene una caractedstica ui simiiar a la cle un iiodo o¡dina¡io de silicio t
,- que la tensión cli¡ccta de ruptura del diodo es Vo : 0'3 V v¿"
G .l* t)
, t L,,
tzl+Yz vL
ii
"*""pto I
Fi8. 1.10 2 licgLrla(lor dc lcnsión (lf ,riñ,la 7.-".
1 .10 DIODOS ZEN ER
Los diodos Zener, o diodos de avalancha, son diodos semicondLlctores dei Supongamos ahora quc la lensión dc enlrada permanece constante pero que
qulf disntinLr_r'e la resistcncia
unión pn con propicdadcs controladas en la zona dc pola zación inversa dc car¡¡a. Esto requiere un increnento de la co¡riente
los ]raien muy irtiles en nlln'terosas aplicaciones, especialmente como dlsposltr-. Cc cxrg¡. Esta cor¡iente extra no pucde venir de Ia fuente de alirnentación ya
que la caida en lr y, por lo tanto, la couic¡rte suminisl¡ada, no puede cambiar
vo, de ¡elerencia de tensióu La ltgura i.10-1 muestra una caracteristica tipica i
ui
simila¡ a la de los diodos semiconduciores nor'f crie tras cl diodo trabajc dc¡rlro dc su zona de rcgulación. La corricntc dc carga
La caracLcrística di¡ccta cs
nalcs. La caracteristica invcrsa, sin cnlbargo' presanta una región cn la cuall ¡dicional será debida, por tanto, a üna clisminución dc la co¡r.icntc a travós del
la tensión es casi indcpcn(licntc dc la corrientQ tal como sc expuso- cn la secÍ diocio Zenc¡.
por.l¡l ,\nrbns ¡rccio¡cs dc rc¡¡ullcirin rlc¡rcndcn tlcl Iulcionamic¡rLo rlci diodo ¡rhs
ciiin 1.2, I-a tcrtsió¡r Zcllt¡ rlc curlqtricl tliodo espccilico csti'I co¡rholcda-valores
cantidacl tlc clopado aplicacla en el proceso de fabricación Los usualel: ¡llá dei codo de la curva, clonde su tensión pcrmanece prácticamenlc consran[c,
vari¡n cntrc 2 y 200 V, con caPacida¿cs rle tlisipación dc energía dc b¡sta 100
\\'' I el m¡rgen dc rcgulaciirn di:pcndc¡.ii dcl valor dc ¡, cn cstc circuito. (Las ca¡lc-
I]II la mayoria do las uplicucio[cs los tliotlos Zotror trirbljaD cn l^ rc{{ió¡l dl; lcristicas d(i l.Li¡r rl)ont Llr rir sr:riirr cx¡rlica<las ell Ia sccción 1.11.)
polarización in.r"..a. Una aplicacitn típica es el sencillo- ¡cgulador.de tensión dti
(rst( bictt pt'oylrtntlo, ln l'cnsión cn lít cflrgl: fj.mplo 1,10-1, IJn(lio(loZc|cf (lc ?,2 V s(] tillzil ('Jl ct cir{jl¡ilo (lol¡t fl¡.{lll.¡l l,l0-2,
in flgrrlt 1.10-2. (ltr¡tntlo rrsttr 0il'0llil0 y Ir (o¡rlcntc (lo cltgll l)Ltcrtc Yllriitr 0nlrc 12 y 100 DlA. llullaf cl valor (10 ¡r Ilccc-
V, pc.-anec" consLantc c ignal a la lensión nominal Zcncr, incluso aunqut r¡rio lara maDtencr csta corricntc (lc {iarga si la tcnsió¡r dc la ftlcnLc (le tlli¡ncnLrción
la tensión dc cntrada V(rc y la rcsistcncia tlc carga I?r, varicn denfo de una
¡m'
.t l,r. .- 12 V.
:
4R1 4q
 12,5 I1,5

Ya"- Y¡,
", IZ+IL
La Lensión cn los tcrminales de ¡, dcbe pernanecer en el valor 12 7,2 : 4,g l
¡ lo llrrgode todo el margcn de rcguláción. La corriente mfnjma en -el diodo Zeüd Hipérbo s
ocurljrli cuarldo la cor¡icntc de carga sea má\ima, dc nrodo que de poteñcta
m¿xima Pó¡r - 1W
V¡c V¿
1,,-r +- 1r,*. :i1 V¡c
-
+ oJ[,,*.
V¿
:¡;i:43.5 o

. Cuando la conicnte de carga disminuyA teniendo ri el valor fijo calculado ante! ;

1e cor¡iontc en el diodo Zcncr aurne¡ttará, perlnaneciendo la suma de las dos corrjcr.i
lcs con\lintc c igucl .r 110 InA.
Nótese que si la ¡csistellcia de carga qucda acci(lent¿rltnente en ci¡cuito ¡bierl¡ I
(lc rrlodo quc JL :0 c Iz =. 110 nlA, cl (lio(lo Zcncr (lcbc scr cal¡z (Ic
di\ip¡r., i ir- - 12 mA
P, : (7,2) (1i0 x 10-) ^,
0,s w
pára cvita¡ su dcstrucción debida a cxccsivc disil)ación cle potencia. 300
Escojamos un diodo Zener de 1 W que tienc un¡Ltcnsión de ?,2 \¡ cüando ci¡cul¡
por ól 10 ¡nA, \' un¡ rcsislcncin dinrinlicl¡ r¿ rlc 2 C). Clrlctrlnrc.riros l¡s \llri .ioltrr
(lc tcnslóu dc sltlld{ lll)lictr(ltt il l¡! c¿ll.gil lrliliz¡lD(lo lt)¡to(los grliflc0s ¡:L¡ 1.lo ii (;lrirctcfistirl (Lf 1liorl,, Z(rrrr J, rcctus (tc c rgu l, f cl elc rl)lo t.l0-1.
La carxctcristicx uí {lc 0stc (liodo sc ¡rucsLrr\ cn l¡ flgur¡ i.10-3. 'I.rnlbión v.
\'¡ lr cur\n (lc nolcncin Ilt.i\iDt:t.
r': trnsió¡ Zencr 0s lo (luc sc llalua tlc prLLcba I"r. 'lipica'
1 1t2 _D"í.df 'rorlintlpolcncjir llo¡ninal dcl diodo co¡¡lcnlcYcces
i.:¡tr j¡ l]tli\intt
p": : Vz¡¡ lzo:1\\ cs cuatro ntayor rluc la disi-
-I )| -Tl2 ¡¡r¡a,n (ie I)otcnci. cn la Lcnsirin Zcner, cs decir,
Esl¡ cs li .cua, ión rl¡ ln hipórbola rcprc\cnti,l.r .obre I. c.rrartcrislici ¡,,.
Lrr opcr¡ción m.is ¡ilá_dc cstir hipct.bola (lará pot.resultado la djsipación de potcnch. l',, : ll (1.10-3)
,l.l dl0do en e\ccso do sr¡ nr¡ximo v¿lo¡ ornirr.,l ,1. I \\'. ",,' ',Y "
Las ecuacio¡res de la recta dc ca¡ga (le corrierrtc continlla puc(lcn rltro l)¡rlinlcLro (lc i¡rlcr¿s p¡r¡ trosot¡.os es Ia corricntc c¡r cl codo ci0 Ia ca¡ac-
(libui¡ndo {lc ¡tucvo ln ligurN 1.10-2 1rl (or o s(i in(lic,r cn tll ligrrra 1.10_.1. Ahallars(
partir :rnsti.ir Zf¡ro¡. l:,sl^ nttit'r¡l( rlt: Lorlo I^ r(rsulLa ¡proxinr¡(liürlfnL(: (lonsLulltc
(lcl (:ircuilo c|l cu(]stión sc 1)uc(fc llllllr lN ccLr (i(i¡r (lc lr¡ f(rjt¡ (lo cIf,ta
l¡r¡ ü¡ra (lisil)il(iióu ¡nlixiltit r'sl)(i(iilicil(lir y cs irrdo¡rcntlicnlo (lc l¡l ,itrlsi(i!t i.l0llcr
: t.-ll{c¡ficadu. I.ln cl i¡l)óu(licc (l ltilv uua lista de cs¡rccilicacioncs dt: diotlo Zcnqr.
-.t3,5(I¡. i
oz t2 iz) (1.10-1r
I)¡t¡ el clioclo Zenel neccsario cn el ejemplo 1.10-1 que hcnlos caracLcriztdo
(1t orr¡o (lisl)ositivo 7,2 \¡, 1 \\¡, la ligur.a C.1-1 indica que 1",,: 1/4 rnÁ, por (1.10-3),
rz rz. t3.5; r J ]r;" a
1,_. ]: ||'\ (1.10-2,
,¡ur' /,r' : li5 rn.\. Ol¡sór'r'csc r¡rrc ll minima co¡ricntc prcvisiblc cn cl diodo
L /,r¡j) /r ¡rrrr I A
.r ll) u,\, (lrr(: os rrrrrcho nitvr)r (lu(! //(, ), t¡mbiin r¡rrc /rr. cstli colrr¡rri:)Ilrlirlir
. Lrs do.s rc(:^las (lc cut.glr dij (1.10-2) sc ltitn Iepresontldo cn l¡ ngur!¡ 1.10_3. rntrc los vxlolcs rIliixinro r']ltinirrlo (lc la corl.icntc provisiblc..ñsi prlcs, nucstl.a
pa¡Li¡ dcl gráfico es cvidente quc l¡ tensión inveis¡ clel diodo ¿rz, y por lo tanto
^l¡ tcnsión cn llr c¡rglr ¡,r, \'itrf¡rn (lc 7,2 \r(ui (lo /¡,,. 100 lDr\ i,31 \'cu¡lrrl, dticitin rlol diorlo cs l'¡zonlltlc.
,l¡ - 12 ¡r.\. NóLosc ql¡c si cl diodo Zc¡rer no cstll!ic].¡ Dl.csentc. la te|lsión cll l¡
carga Yariari{ (nanteniendo r¡ : 43,5 Q) dc ?,6i V cua¡ráo 1, .= 100 mA a 11,5 \
cu¡n(lo 1¡.:12 r¡,{. I-uof.{o \'cr)tos (luc cl (lio(lo ZcIor l.cf{Ulir lr tcnsi(in scl{(iu l05
,.üIll,l,'s ¡1. l:r .,,rfir.Dtr rtr' r'rr|g:r. Iillu sLr{.,,,t,. t., irrp,.,r¡¡r,,.i:r c.
{l l¿) compar¡d¡ cull l¡ rcsistcncia de carga ll,I,,,r,1u,. > ?,2 \¡/100 mA : ?2 f).I,r,t-
,,irr

Los labrictntcs csllccilicln los diodos Zcncr'<ic acuor.clo con su Lcnsión Zenc¡
y la máxima disip¡ción dc potencia. La corrientc ¡bsorhicla por cl dioclo con I:ig. l.1r) I Ill (it1.üito rlf lN fiJ.{r¡fr l.l1) Llil,r¡jx(lo (lc ¡rUc\o I)urir ri|lr\i)f ct

50 5l
Ejomplo 1.10-2. Roducción ds la ondulac¡ón con el regulador Zener. El diodo
Zcncl dc ?,2 V sr] r¡tiliza crl rln circuito simil¡r al dc l:¡ figu¡a 1.10-2, con una tcnsió¡
(lc r)lrdLrLl(:ii1n (lc (n¡ricrrtc altcrn¡ añadida a 1a tensión continua sin regular. Tal
r0'r)o [l¡o r:st|l)lccj(b r¡ltcaio¡ ¡ncntc, cstas tcusioncs son tfpicas de la salida de un¡
IU{:Dtc {l) alinrcDlación (lc col'ricnte continua. La carga abso¡be una corriente dr
I(X) iDA. l,1r s¡li(l¡ dc l¿r fuente dc alime¡'rtación sin regular prede representarsa Zo¡a de t¡6bajo
rr)n lll (:currción !2+32i2 - 12-3,2-L
¡rr:12+1cos rr¡ (1.104) d€ enkada de 2V
cresta a cresta 1A
ll¡ll¡r 11| resistcl'rcia ¡i dc la luentc de alimcntación para un fllncionamiento
xd(cüado y cl valor de crcsta de la tensión de ondulación prescnte en bornes d! 100

lir carg¡. H pérbo ¿ de Potencia

maxirna Pm¡¡- 1W
,Soluc¡jn. Lar ccuxción dc la recta dc ca¡ga dc cste problema se obtiene lácilrüentr
si (libujamos (lc nrlcvo la figura 1.10-2 tal como sc indica cn I¡ figr¡ra 1.10-5, Asi
nz .= 12 | 1 cos úl - ¡¡(0,1 + ¿z)

:12
-0,1¡{ +
úz -1- rt iz 1 cos (i,l (1.10,51

+ Flecta de carga
uz +32i z - t2-3,2 +l
z

|ig. 1.1u-; ltcgulr(lof Zerrrf prrr rl cjrmplo 1.10-2.

Fig. 1.10 0 Ca¡actcrlslica Zenc¡ y rectas dc carga para cl cjcnplo 1.10-2,

El
problema püedc rcsolversc analíticamcnte o gráflcamente utilizando l¡
caracterlstica linedl ctel dioclo de la ligura 1.10-3. Utilizaremos el método grállco La ondulación de la salida sc pue(le calcular más lácilmente suponiendo que
porque da una visión nlás clara del problema. La ca¡acte¡istica de la ngura 1.10-3 r¡ (l¡cr¡lto es lineal pa¡a una tensión de ondulación de entrada de 2 V. (La validez
sc ha vuelto a traza¡ cn lA flgura 1.10-6, dc cate supuesto está li¡nitada por el camido de ondulaclón en funclonqmlento
La gama de los posibles valores de la ¡esistencia de Ia luentc de alimentación ¡¡ lr4lcado cn la figu¡a 1.10-6.) Esto nos permite utilizar eI p¡incipio de supelposlción
será elevada debiclo a las corrientes ¡náximo y mfnima admitidas en el diodo Zene¡. f \'on5iderar la porción de c.a. de l¡ respuesta separadamente. El ci¡cuito de c.a. está
Luego si iz, : 10 mA (quc es cl 10 % dc Ia corricnte máxima), entonces Dz,orn = I¡dlcado cn la ngura 1.10-7. Hn cl circuito, ¡d:2 O ¡eplesenta la resiste¡rcia diná-
:7,2\ypor(1.10'5)
",in
-1 rllci del diodo, rnient¡as que la carga está ¡epreserii.i..l- i^r el ¡esia',or .i.7-u..
l{;,2 \')^100 mA)1. Evidentemente podemos despreciar la resistencia de ca¡ga, po¡

' .(tulit;*r),.": ffi:,n,, n (1.10-6) lo que utilizando la fórmula dcl di\isor dc tensión podemos hallar la ondulación
dr s¡llda
2
,ondulación
= (2) : 0,118 V cresta a cresta
2 + 32

iz,
"'¡*
: 135 ¡nA uz,¡¡¡x x'7,4 \l Esto concucrda con cl valor h¡ll¡do ¡ntcrio¡¡ncntc.
el resistor ¡i de la luente será .,=l:A

t, > (12-7,4 - cos @t) , 5.0 zq O (1.10J)

\ 0, r 0,135 0,235 ^
Escojamos ¡ho¡a arbit¡arlamcrltc ¡¡:32 O. I-a ccuacjón dc la reotq dc carg¡
(1.10-5) puedc trazarse en la ngura 1.10-6, y puede dcte¡minarse ln tenslón dc ondu.
loclón dc s¡ll(l[. Como sc vo cn l& llgura, ls tcnslón dc crcstn dc onduloción apllcldl
¿r la carga es cle 7,33 7,22 : 0,11 V comparada con los 2 V de tenslón de ondu. nf. l.l0-? Clrculio
-
lación dc cresta de ent¡aala. &c.¡. para el cálculo
& l¡ ondulactón.

52 53
 ':=

1.11 EFECTOS DE LA TEMPERATURA r¡ria clc modo importaute con la L0nsi(in del (liodo. Si cmbargo, una p¡^ctica
normai en ingenic¡ít es suponc¡ qllc,k cs const¡ntc. I¡rs valorcs o¡dinaria¡ncntc
l) cl ¡rroy0r:l.o (lc los cil0uitos dc diodo, cspccialmcntc para niveles altos nsunidos son las aprc,ximacioncs hallrdas por la ligura 1.ll-1, con las tcnsioncs
rlc ¡toteuoia, sc rkrbe Lcnu c¡r cucrrLa Ia dcpentlcncia da las caracteristicas del diodo uo(To):0,7 V pa¡a d silicio, 0,3 V prra cl diodo Schottl(y
tipicas de diodo,
(x)¡) rcsl]cclo it l¡ t0rlrpcralura. Estl depende cia da lugar a una variación de
\'0,2 V pa¡a el germanio. So¡r
la tclsión tlirccla V¡,, la l-cnsión Zctcr \'"y la corticnlc inversa de saturación 10.
l)or ol-¡a Partc, uD aulrlc l-o irrportante dc la tenperatura suele ir acompañado
[ 2,5 nV/"c gcrnlanio
dc un aurncnto dc la disipacirin de Potcncia, lo c¡uc hace que la temperaiura del /tlv { 2 mV/'C silicio (1,1 1-2)
diodo aumcntc ílirn niás. listo cs lo quc sc llama emóalamíenIo t¿rmíco y, a no [ 1,5 ¡nV/'C Scholtl<y
scr quc pucdc scr clisip¡do cl calol dcsar¡ollado dentro del diodo, conducirá al
dclsrioro o dcstrucción dcl diodo. En csla sección se describen alguno de ios Por ejemplo, si un diodo dc silicio ticnc una caída dc letsión cle 0,? V a
elecLos mhs i¡IIpott¡nl"cs dc la tcurPcrttura. ?.i'C con una co¡r'iette de diodo dc 1 mA y la temperatu¡¡ del diodo sc aumenta
hlsta 125 "C, entonces si la cor¡iente del diodo sc manticne en 1 rnA, (1.11-l)
Tonsión dcl diodo. Cu¡¡rlo Iunciona un diodo en sentido directo, un aumento indica que la tensión del diodo disminuirá hasta 0,b V. Si la tempcratura ha
de la tcmperatrua origina utra disminución dc la tensión. Una relaciún que cs Crslninuido hasta la Lcnsión dcl diodo habr¡'r aumenlado hasta 0,9 V
válida cuando sc mantiene consLanLc h corricntc cs ccn I rnA. -75'C,
oo(7',) oo('1') :- k('t't-'t'.) i,' : conslanLo (1.11-l) Corricntc iriyorsil d0 s¿tur:Iciórr. I-il co¡ricntc invorsa cle s¡turación 1" taln-
- biin es función de la tcmpclatu¡a. En la práctica sc encucntra que a una tem_
donde ?o : temperatura ambiente 25'C perxtura próxima a la del ambicnte, sc duplica 1, aproximadamcnte con un
?1 : nueva tempcrattlra dcl diodo, "C aumento clc la lenperatura dc 10'C (análogancntc 1,, sc rcduci¡á a la mitad
,¿(?'o) : tcnsiórl dcl diodo a tempcralur¿i anrbie¡rlc, V con una rlisnrinuciriü de la tct¡rIcratula de 10 "C).
¿,r(?1) : tensión del diodo en ?r, V
l¡ : coeficicnte clc tempelatura, V/'C Trnsión Zcncr. Lt va¡.jacitin dc la tcnsión Zcner y, a colsccucrrril clc r¡n
c¡utbio rlc la lcnrl)craLllra lcsulla plopolcional al valol de la tcnsión Zcncr írsi
La figura 1.11-1 cs utr gr1¡iico dc /'' en función de la tensión dirccta del diodo (o¡¡ro a l¿r variación dc la temper¿rLura. Esta variación sc suclc cxproslr corno
x tcmperatura ambicntc. Estc grálico intiica que el coclicienle de temperatura <tcfitíctttc rlc tcntpetaluru (TC), donde

l. mV/"C
'r, : oYtr'" x 1oo %rc (l. r 1-3)

S: ha hailado quc cuando V, es aproximadamente 6 V, el'IC cs ccro y V, es

indepcn{licntc d0 la lcmpcr:itur¡. Si V, excedc dc 6 V, aproxinadalncn Lc, cl
TC cs positilo, y si Vr cs mcrror (lue 0 V, cl TC cs ncgativo. U¡r TC tipico r0,1 l",
rs dccir, la tqnsió¡l Zenc¡ aumenta 0,001 V, por cada aumento dc-i.C dc tcn-
prratura.

Electo dc l¿ disbación dol calor sobro cl funcionamicnto dcl diodo. En csta

0 0,1 0,2 0,.1 0,zl 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
l:ig. 1.11-1 Corlicicntes (lc l{lrrl)(rrtur¡ dc los diotlos.rL ftrrrci(h (lc 1¡ tcrlsiÚll dcl diodo r
lx lon\rerlrtur.r ar¡1riLIk,.
s.cción consiLlerarctnos cl ¡rr-oblcnra pr¿'lctico dc h¡llar la máxima disipación (lc
calor pcrmisible cn un cliodo dc unión pn. I,a disipación de la potencia eléctrica
cc'mo calol en el diodo hace que la temperatura de la unión aumentc. Estc auncnto
. ile temperatura se debe ¡rantener deniro de limites aceptables, o de lo cont¡ario
tidiodo se dete¡iorará. El problena térmico se trata de una rnanera fácil por
una simple analogía tér¡nica de la ley dc Ohm, en que la corriente cs sLlstitui.lo
uD (ro ), V prr la potencia, la tensión por la tempe¡atüra y la rcsistencia elóctrica por la
l ¡rsistencia té¡mica 0.
La figura 1.11-2 muestra un diodo montado sobre un radiador dc calo¡. Iill
diodo está aislado eléctrica¡nenLe (no térmicamente) dcl racli¡(lor gr¡ (lo (lc

54
55
 Tcmpcmtur¡ onrblcnrc To El calor es transmtrido Temper¿tura do t¿ capsuta
do la union a la cápsula
emperarura de a un¡óñ 7./

Ter¡peratlrra de la cápsula ¡.

Ter¡per¿tLr¡¿ ar¡b,enre I"

r¿, (óJ
ti{ l.¡l :} Dio(lo y rr).rloÍji fl¡cLrifl (lft sisr!Ira tór.nrico: (() {tiodo sju r¡¡o rurx; (¿) ¡natogja

I;ie. 1Il-2 Dro,lo Ino lrdo soirr" rr,trx'lor dc citrr. lil circuito do la figura 1.11-31) ¡.cp¡cscnta una analogia cl¿ctrica del sistema
l.rn¡ico de la figura 1.11-3a, con las siguientes análogias clcrivadas dc (1,11_4) y
t l.l l-5):
calor. El funcionamiento dcl sistema cs como sigue. Cuando no hay conexión
cléctrica cn el diodo, la tenpcratura dc la unión I scrá la misma que la tenr_ [)irminL¡ción dc te¡rrpcrllu¡a Caida de Lensión
pcratura ambientc ?o. Cuando sc aplica una seiial se disipará potencia cn cl diodo, ¡)ii¡p:rcidx dc fotcnci¿ PJ Generaclor de co¡¡ienLe constante
hacicndo que armente la tcmperatura dc la unió¡r. El calor producido fluye hacia llesistencia tér¡nica 0t,l 0,. Resistcncia eléctrica
lucra hasta la cápsula y lucgo cs transportado por.conducción desde la cápsula dei
cliodo hasta cl radiador de calor. Este ticne un áre¿r superficial grande, desde lin ia figura 1.11-3 y en las ccuaciones (1.11_a) y (1.11-b) se ve que
la cual i¡¡adia cl calor llasta el circunambientc.
Si Ia poLcncia disipada cn la unión es constante y no excede de la capacidad T,:P10¡+PtA,.+7; (1.11-6)
de potencia del diodo, después de transcurrido un ticmpo suhciente, el sistema
alcanzará un estado de eqüilib¡io térmico. En gcncral, cada uno de los elementos liste rcsLrltado se puedc extcnder inmcdiatamcn[e al sistc¡na dc conducció¡r
estará a una tcmperatura diferentc. Una buena aproximación es considerar que de cálor dc la llgura 1.11-2
el aümento de la temperatu¡a se¡¿i proporcional a la potcncia disipada en la r.rnión,
La constante de proporcionalidad es lo que se llama ¡¿s¡sl¿nc¿a témíca 0, 1't : P,(.0r + A", + A) +.1'" (1.1 1-7)
Un aumento de la temperatura de la unión por encima dc la temperatura
de la cápsula cstá relacionado con la potcncia disipada por la ecuación Aqui las resistencias térmicas no definidas antes son

7',1-7,:0hP1 (1.11-4)
0.,: r¿siste¡rcia tórmica cúpsula-radiador de calor (inclLryendo el aislaclor)

0- : resistenci¡ Lérmica radiador de calr,,..,,rL1¡-te

donde 7i 7" :ar¡mento du la temperatura dc la unión por encima de la tem-
- peratura de la cápsula, "C l)ir un problema pr¿ictico de discio cl uso de esta ecuación sc basa cn las
P/ = potencia cléctrica disipada cn la unión, W riguicntes condiciones:
0r" : resistcncia térmica entre la unión y la cápsrrla, .C/W.
l. L¿ ¡n¿ixima Lcrnpcr.atura pcr¡lisiblc de la u¡ii¡n la cla cl fabricantc. Los
La ¡csislencia lórmica cs función dc la construcción dcl diodo y dc la cáp- valores tipicos son aproxirnadamenle l_Q[lpara diodos de gcrnranio y 1bO
srrla y ordinariamente csti cspccilicada por cl fabricante. a 2C0'C para diodos dc silicio.
Co¡rsiclcrcnos un {iio(lo ¡t¡oj¡do cn una ciipsula sin tnonLura alguna, cotno mucs- ?. I-a tcnrpcratunr anrbienLc cs una v¡rrirblc no colL¡.ola(lt r¡uc tlcporrric tlcl
Lra la ligrrll 1. t 1-3. Las lcnrpcr¡Luras dc la clipsula y dcl ambicnte difieren en una anrblente en que dcba funcionar.cl equipo.
0¡n'.irl¡(i igu¡l ¡l lroduclo dc P./ y la ¡csisLoncia lórnica cntre la cápsula y el am- 3. La potencia disipada etn )a rrnirin rlepcndc rlel sistema elócirico y para cot.r.icn_
l)icutc f1,.,,. l)llcs, cl ¡ll¡t])crrto (lc l¡ LcDip0r¡Lurit dc lt <:ii¡rsrrla ¡ror cncima clc la tes y lension,rs v¡r.iltl¡lcs con:l Liernpo vienc dada
l)or
lcnip¡rill.llrn^sí¡Drl)icrrtc vicnc dndo por
1 l'I
't.-7":0",Pr (1.ii,5)
: dt
', i' )oI)DQ)íD(t)
56
 l)¡ur irlrl(riotrllrni0nto en c.c. es siInplcmentc

L l)nl \'02 clcgido un tliodo particular que satisfaga las especificaciones eléc-
t¡icas, sc cleie lljar su resistencia térmica 0r" Esta la dará o¡dinariarnente el
Iabricantc
que la resis- '.n- ¡6mperatura de
Obsetra¡rdo cstos hechos y teniendo cn cucnta (1 11-6), vemos
la

tcncia ténnica cápsula-ambiente cs la ítnica variable de quc se dispone para dl cuat empteza ta reducclón

ajuste a fin de mantener la temperatura de la unión en un valor de seguridad' |j8. 1.11-4 Crr¡v.r dc (lcgf.idación (hl (tio(lo.

La resolución dc (1.11-6) da
.r i-'tilizando (1,11-4) vcmos quc la tasa de disminución dc potencia cuando
¡ -r'mtrx-'l a
0.11-8) ¡vx¡cntala tcmpe¡atura de la cápsula cs_Q¡g, En la figura 1.11_4 observamos que
,..::ndo P,:0, ?'.: ?',,,,,"*. Rcfirióndorñs a (1.11_1) y
sustituyendo ?, por
Ir. ¡¡r! tencmos
Esta expresión se utiliza para determina¡ la máxima 0"o' cuando son cono- T. :
ci¿os to¿os los facto¡es del iegundo miembro La ecuación
(1 11-7) se puede l'r, ñú - 0r,P1 (1.11-e)
ntilizur, natu.ulm"nte, para determinar cualt¡uiera de las variablcs implicadas
1." .:uo:lol (l.l1-9) rep¡escnta la pendicnte cle la porción de la curva de degra_
Ejsñplo 1.11-1, En ur1 circuito p¿rrticul¡[ tlD diodo Zcner dc silicio de 50 \v dcb! drt¡Lin. lleliriónilonos nucvamcnLc a la frgura 1.1i_4 vcmos que cuando
N. La máxima tcmpe;aturl permisiblc-de la unlón es 175'C' la tem'
ái.iou. rO
p"lit".. cs i0 c y 2'4;c/w Hallar la máxima resistcncia tér- T, : 7",, Pt: &, _._.
"t"¡l'*"
rnic{r que debc ser pro\rslir '/"-:
untrc 1r cápstlla 'v
cl am}iente para que la tcmpcratura
¿e 1a irnión no e{ced¿l (lc 175'C. ).rt¡tuvL'0do cn (1.11-9) y despejando 07", tenemos
So¡ucidn. De 11 11-8)
'f ,t-

o-.. 1i'5 50 , : .c/N ''p (l.l -10)

-
10
2,4 10,1 r

I-x resistencia tér¡nica c¡rtre la cápsula y

Un radiaclo¡ de calor tDico con ^islacLor de )nica pártl estcsetipo dc diodo tienl
cmplca estc radia' jr.tli.xmrnte utilizando (1.11-5) y Ia curva de degraclación
cl ambierltc 0.. sc pucclc .lete¡.nrinar
i.,': Az;Cnv, que será atlecuatlo para csta aplicación Si de la ligura l.ll_4,
á'á" ¿"'*r"i, lá icmperatura real cló l¡ unión se puedc calcular
por (1 11-6) i'r:r,, s. e\pllca en ei siguientc cjemplo.
7't - (10)(2,4 + 3,2) -i : 100'C t¡.hplo 1.11-2. t,:n (iioLlo Zcncr (lc lJ \v (curv¡ de degr¡dación (ic 1^ figura Lll_r-))
')0
':.Lr.,li.iIir¡ :t.j-, \\' cn un cjrcuitu particular. I_a temfcraturr anrbicnü cs 100 "C.
Curvas de dcgradación. La potencia nominal dc un diodo
se cspecifica usual' r,.r rr:¡||:rr r.¡ p¡r¡ qt¡c ct diodo no se
.a¡ilicioncs. (c) Si se dispusie¡a de un Ladiador_sobaecaliente. (¿)) Ha ¡r ?" pa¡a cstas
mente para una temperatura ambiente dc :5 "C Lj¡ lnáxima ,potencia que-ll de calor'i;Iinito, ¿_-.ánta Doicrr.i¡
tti It ia l:l.r 'lr..il,11r c\'. ,lio,lo
Jioáo ,i,'.¿,
pit6lcia nominal debc ser disminuida cuando la temPe¡atü¡a ambrente aumenla'
con cl lin tle mantenct la tempcratura de Ia unión en un linite de seguridad ¡.t(.'ro\ ll,l CorneDzár)ros
):,-',.lll lrrlrrtos rcnrcscntanclo (1,11-5) sob¡c la cL¡r.va (te (tegradación.
conocidos c¡t (1.11-5) son T": I'd:100.C cuan(lo 1] : 0 y cl
orclina¡iamentccllabricanteSuministlalasculvasdedegladaciónquesepue. i,rñlo_ forntido por Pr : 3,5 \\' \ob¡e la curva de degrad¡ción. Rcfiri¿ndo'os a
rl l1-51, \'emos que cuando ?" : 0
clen utiliza¡ para determinar la ¡náxima disipación de potencia admisible
pam

una temperatura de cáPsula dada ,,

En ia figLtla 111-4 está dibujada una curva tipica
cl 'lc
pucde disipar sl
degradación Se \e
' -7.
a."
q,.,a aon unn' tcmperatura tlc la cápsula menor que ?'."' d-iodo
p otcn cia' pclm isible Con tempcraluras de la cápsula-quc exceden de T* .\jl I)or l¿ figura 1.11-5 tc¡rcmos _ Tdlj* - '*71, y por r¡nto
iLi.rimr
la¡nlixiniarlisipaciónpclrnisiblcrcsultadisminuidahasla?":7',,'""'Aestt h
Lc¡nlcratura ,r,iillinta cl (liodo no pueclc tiisipar una poLencia que
exceda de 100
tt"' = tt :9'C/\¡
n¡íxinlrl L(:lrll)orxhlril P(rlrltisiblc de l¡ Llnión
59
58
 cc. fi.r r-5), d., = 0

cc ll.lt5)
6,2
r-í8- 1.12-1 Curv.r dc dcgr¡1dnción o rcducci¿n (lc la (:ofrifr¡(( Jr)Irir) t plrfn ur) (ljo(lo (rc
r¡liclo 1N566.

7,.'c Car¡ctt¡istica l. T,¡ l.ensi(irr irtvqrsa dc crcsta (PIV) cs la Lcnsión nc¡l¿rtiv¡

r, = 100, 4,ñd r¡üixima admisiblc quc pucdc tltlicarsc ll diodo anlcs dc la ruptura. Esta tcn_
rión cs, pucs, algo menor quc Ia Lcnsión Zcncr, pcro cn la práctica no haccmos
4=l3o rrfe¡encia a la tensión Zene¡ dc un diodo rluc cstá dcstinado a sc¡ utilizado como
¡r(tificador.
C8rscterfsiico 2. La cor¡icntr: invcrsa mhxima de satu¡ación 1, cs 1,5 7zA.
.\sl, cuando el diodo se utilicc en un circuito rcctificador, Ia corriente negativa
máx¡ma a través de él scrá <tc 1,5 ¡A.
C8¡r¡cterfstic¿ 3. Si cl diodo cs atravcsado por una coniente continua de
500 m.\, la caída dc tcnsión m¡ixir¡a i:n Jl scfti de 1,2 V.

l.i!. 1.11 ; '1¿c|liclt g|lilica par{ h¡llar0.d. I]slrin ¡cp¡cscntados dos valores de 0,", Las ca¡acteristicas 4 a 6 pucdcn e\plica¡se por mcdio de las figuras 1.12-3
¡ 1.12-1.
(b) La intcrsección de (1.11-5) y la cü¡va dc degradación en la potencia de
Iuncionamiento dc 3,¡ W cla la rnáxima tcrnpcratura dc la cápsula permisible fara Caractcrlstice 4. Cuando la tcnsi(in cle cnt¡ada |,¡ cn la figura 1.12-3 cs sc-
cliLar cl sobrecalcntamicnto. Por la ngura 1.11-5, ?" t 130.C. noidal, la co¡¡ientc rnedia cn scntido directo rcctificada e¡r media onda cs
(c) Si : 100'C y 0* : 0 (un radiador infinito), (1.11-5) se puede dibujar
". una r'ecta vertical, como müestra la figu¡a 1.11-5. La intersección
como si luesc
clc csta ¡ecla con lA curva dc degradación da la máxima disipacjón de lotencia ''n -
permisible. Po¡ la ligura, ésta cs P/ ! 6,2 W. "R
Caracterlsticas 5 y 0. La figura 1.12-1 indica que si la temperatura ambiente
?5 menor de 60 "C,
1.12 CARACTERISTICAS DE LOS FABRICANTES
: rrz
1.'12-1 EL DIODO R ECTIFICADO R
r", a 1,5 ¡
Las caracte¡lsticas del dioclo que normalmcntc suninistran los labricantcs
son las siguientes (véansc figs. 1.12-1 a 1.12-3):
500 mA
'fipo: Diodo dc silicio 1N566 (los valorcs scr.hn para 25.C)
L lcnsiil il\'¡rsa d,.rn.tr (PIV) -. t00 V
2. I'I¡lxima cor¡iento invcrsa 1" (para la PIV) : 1,5 ¡rA
ll. lf¿ixinie lcnsiór1 dircct¡ dc c.c. : 1,2 V p¡¡a 500 mA
.1. (lor'ricntc dirccta mcdia ¡cctificada cn media onda, 1Fn : 1,5 A
5. 'lir¡npcrnl-ura rn¿'rxima .lc l¡l unión ?j, ¡,,r. : 175 'C Io - - l'5¡A
{j. (lurva dc (lqgf¡d¿lción o del facto¡ .lc lcducción (lc la coüiente nomllxl
r: ¡i lll liou¡¡ 1.12-1

l,¡s caracLcrísLicas I a 3 sc cxplic¡n fácilmcntc considerando la llgura 1.12-2. I iJ. 1.12-l¿ (idract(ri5ticl\ (lif(ct{ c in!usa ,hl {lio(lo.

60 61
üsu[ ]

5% Reglón do tolera¡cla
".'l) | -v"J

Ir¡-5
I ig. r.12'3 ltcctificador diodo de mcdia onda.

Para tempe¡aturas mayores de 60 "C, csta corrientc máxima debe reduci¡se

linealmente hasta que la temperatura ambiente sea la misma que la máxima
dc la unión de 175'C, en cuyo punto 1¡¡ :0.
Cuando se proyectan circuitos con diodos, un bucn ¡rLétodo es utiliza¡ un
factor de segu dad del 10 al 20 % en todos los valo¡es nominales dados, para I ,r' 76
tener en cuenta la dispersión de las caracteristicas de los diodos individuales. - | lR
'r

1.12.2 EL DIODO ZEN ER l:ig. Ll2.l (;.¡1rclcrjslirtl j"v(r\ | t,:,r.r ,I ,lr.,lu l"iLrf 1N2stC.

'filo: DjoLlo Z(nur dc I8 V. lN28l0

1. Tensión nominal de refcrencia Vz¡ :18 V
2. Tolcrancia :5 %
3. Disipación máxima (a 25 "C) : 50 W
4. Corricnte dc prueba 1,r :700 mA
5. Impedancia dinámica para Izr, RzÍ :2 A
0. Corrientc dc codo 1zk :5 mA
7. Impcdnucin <lirtrinricrt ¡nlu /z/,, Iilt -= 80 o
8. Tcmpcratula m¿'txima dc la unión : 150 "C
9. Coeficiente de tempcratura TC :0,075 %/'C

Las caracteristicas se explican fácilrnente utilizando las figuras 1-12-4 a 1.12-0.

La ligura 1.12-4 ilust}a los apal l,ados 1, 2 y 4. Nól"csc quc un diodo Zcrtct' dc 18 Y Fig. 1.12'5 Curva dc d0gradación par¡ ct djodo Zrnrr 1N2Bl{j.
plledc tencr una tcnsión (noninal') comprcndida c¡rt¡e 17,1 y 18,9 V debido a Ja
tolcrancia tlcl 5 1". La corricnl.c dc prucbl indica la rcgión dc l.abajo nominal,
Dl apartado 3, disipación máxima, da la potcncia máxir¡a admisiblc quc el diodo
tucde disipar a tcmperatura ambiente. La impedancia dinámica, apartado 5.
cs h De¡rdiento dq lx caractcristica dcl diodo polarizado cn sentido inverso mcdid¡
¡r;rlr lrr t:or'r'ir:rrIr: rlc ¡r'rrr:lrrr //.¡.. Lr t l l
( rI
I
¡| ¡
) r rrr'rxirrrr rlt: lrr rrrririrt y lrr rlist-
r : r
' i r r' r

¡rrrciórr rrrrixiru cstr'rn ¡\rlirciol|rrrlrrs ¡rot llr cLrLvu <lo rkrgIrrrlitcirirr o fc(luc0iótt (lu ]l
lrolcncia visla en l¿r frgura 1.,72-5. Ak es la ¡esistcncia lérmica (! 2,4"C/W pam
cstc diodo), ¡r gcncülmcntc vic¡ro dada por cl labricantc. La tcmpcralura ?., cs
Iu tcmpcratura náxima de la cápsula pala la cual puede disiparse la plcna
Iol cncin ¡lot¡lirrrl.
l,ll coclicicrrlc (lo tolrrl)Lrr'irlLrrir cortcsl)orl(licüLo Lrl :rl)irfLx(lo 1) csLil clclilti(10
cn (1.11-3) como

LV zlv zr
.,
1Lt"/¡¡:__ %l'c
^? Iri8. 1.12'0 C¡rr clcrlsticr (le ilio(lo Zctlcr itustrando cl (octicic rc de tcurtrcl1rtullr.
62
 Ij¡r ll sclciril Lll lrc¡llrs soñ.Llclo qu0 cl .IC cs positivo
cuantlo V, excede ¡,1-3. Irar¡ rl circuito dr ln llgur;r l)1.1-ila k) trazrr r¿(i) si Ilb : 100 kO, r¡:1i¿ _
'], ,].,U.:",:ll':ij',,,,u,rrnrr y n,,ljrrivo si-V,' cs meno'r ,lr" 6 V.';;;; este diodo 1 kO
r¡, rñ v, )u w, ur ruurcntu do Lcmperatura dc 50 originará ' :, (omo murstrr la flgIrn 1,1.1,:11,.
(¡) Itcpctir l¡ partc (a) si r)¡(t) .s scnoidnt, tri^nAuln¡. (1 V crcsto).
(lc ¡¡l Lo¡)sión ZcD0r dc "C una va¡iación

LV"
v",
: (0,075 %l"c) (50 "c) : 3,75 %

Ayz : (0,0375X18) :0,67 v V", x 18,7 \

cuando la temperatura aumente 50 "C.

REFERENCIAS
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3. Moto¡ola Inc., Ensinee¡ing srarf, ;rnteá¡tect ñ¿i" yo¡k,
Witev. New rr;;;"'i,iü''
106?. l.¡-:¡. La t0nsión dc sali(la dada por 1.1-3 sc aptica fl ll¡ cntrad:r dcl nltro ¿C rcDruscnrroo cn
19ii5.
¿i.;;;i;,,;;;'i.*;:H]., New ..ork, l, nÍLrr¡ Pl.l-4. S,¡n 1.C - 10,,.., ) /í/: tuul z ¡,¡.
(o) rl¡llar r.ll). Comtar.rt¡ co cl rcs ltado obrcnido utitjzando cl nltro nC,
' " rnoiitll'L"J;,,:1i;"i'*J"i:;:*i11t;:"' ci¡cuit Ensineeri¡rgT, pp. 24,
(ó) Calcülar la tcnsión clcaz dc oIl(lutnclón.
(c) Calcul¡r. la reLrcló rnlf0 ln tfnsión rftc¡z ¡tc on(tul¡ción y lll tcnsi(rn rtc c.c.

PROBLEMAS -
1.1-1. Para el circuito de la liAura p1.1

i;iiru,¿iljru;l"iirir1"$r;r"".J,ü ]itr{tT,'".,'^,i1i+1"H{$i J;]f,:i:i'?r: fi,ir

l,ig. l'1. I ,l

t
1.1.6. Rcpctir cl p¡oblcnla 1.1,4 utilizando cl 0ltro cn pi repr"""ntaao cn ta llgura t)1.1-5.

Irig. P1.1-1

ii;',, (ó)":ff';iftiii i:'ñflfl""ii';: 'a\

trazñ DL cn runciún dcr ricmpo cn miriscsundos
Rcpctir la parte (a) si ,ll) cs scnoidal, triangular (1 V cresta).
|ig- I'1. l -r-)

1.t.8. [l cjrc ito rctr.scnt3do cn ]. tjgura p1.1-6 cs un circuito dcsu¡ccióno li¡ftción.!¿ nitct.
¡r¡n¡. r,¿r¡) cUnDdo ¿ti(¡) : ¡ coi ol.

+
|ig. P1.1-2

.Ins dos Dfinc¡as cirras dcl nLimcro dcl probtcma i¡¿lica¡ la sccción
_ del tcxto o
lrjg. I,l . l -(i
64
65
r;ru l
]nÁs prÁcticn dcl ci¡cult0
l..l.lI lll circLrito (tc la flgura I,1.1 13 cs una fuentc dc alimcntación con rccliflcador de crcsta
1.1-7. ljl clrcrlito rcprcscntsdo cn li 0gura Pl 1-7 es un¡dctvcrsión
dtodo Trn-zar u¿(l) cuan(lo ur cr
{¡r ooJ¡ complcLa dondc r, y J), son dlorlos idcales.
nl"i"r ,-1" l- nc,,* Pi r'0, vo qu" lnclutc las rcslste,ncl¡s (¿) 'Irazar u¿.
i;i;i^;;;;i;,i;;;p;;""niiráa. s'r,po""r qire nu : 1 ko, ¡¿ : 50 o v rdc < r" 'nicntr¡s nDc >Í' (ó) C¡lcLrl¡r ln tcnsión rlf ..c. v lll on(lLrl:rcii)D cn r,r.

u¡ - l0 cos 200 r¿

Fig. P1.1-7
|ig. 1,1.I l3
dc ond¡
1.1-8. El circuitorepresentado cn la ngu¡a P1 1_8 cs un pucntc dc diodos rcctiflcador
complet¡. Trazar ,¿(l) cuando ,ll) cs scnoidal
¡ l.ll. I:rpfcillcar n, C y la ondulación cn Ia fuente de alimentación dcl dctcctor dc crcsta
4x ¡ fltura l)1.1'1{ para quc cntreguc 30 V c.c. a la ca¡ga dc 100 O cor\ na tcnsión dc ondr-
!t'.t: i6ü¡l o nrenor (lcl 10 % de la tcnsión c.c.
(,)
. ldeat ¡J

156 cos I20nl 100 a

P 1.1-6

l.l.g.Elcircuitorcctincailor(lcond¡rconplcLxdcl¡ng|lrn1'l.8csconpl|cadoporlnprcso].
0. lr3z3r ¡'¿(r) cuxrldo f¡
iiiÁir*-r";ii"i*cnscricconD,yD,,conrorllrcsrr¡Innsurxr,r.1
cs senoi¿lal con l¡ccucncia o! Suponer qllc n - 0'2ni
rrig. I,1.1-14
D1
l:1 !.r.t9. l.r (nLnrda nl circuilo (liodo nj.¡dor dc la flgura 1.1-12d ticnc lx fornra do onrlr rcprc-
¡nrl¡,1¡ Ín lx llUUfa P1.1-15. Supone. quc Yn : 10 V.
+[--] r.¡) i.(lu:il cs rl nivel (lc c.c. (lc la fornra dc onda?
l¡),i(;!rál cs l.l tcnsión (lc c.c. cntlii los lermirralcs dcl condcrs:rdor?
-.' l.) l-r^zar oL.
+ rrl l.t.\l- l':¡ (lclcclor (lc crcsta dc ln n¡{rr.r 1.1-10 sc pucdc analizrr dc nlxnflll (lllf pcl]llite Lr
*, 1!1rrr 'l{ llltr)s 1r(li.io ll(:s-
rrig. Pr.1-9

1.1-10.l.ttelll|lt(1ntr1{l(l|.11,|(|cc|\':tl¡|{|tIlt|(1|n()|j{l¡|u'|'¡|sIl)1¡lIo|r||llll{l|flll'l.lr'¡$ (lr t/rs.(:rl."r¡r rtton!

,."olr¿^ lr"J*¿" con nivclcs de tcnsiótl +r) 5 \ y ü[ t,urr,,ii,,
ij''iiJ ái-ti"*iJiló si ia a¡minr¡ción dc d¡sdc cr varor.mr\inro dc +5 v dcbc scr mcttol
'¿
;l;;;;ü. nl;4" iii'mlnrtción o (lcc¡imicDto cs lo quc sc lln¡na inc¡inn'¡¡ir'
1.1-11. La cnt¡adx ¿l circuito rcPrcsentado cn la flgur'r 1 1_10r¡ cs

5lt i'(r)l (a)s

'¡(i) - 'D"r

dondem(l)esunaondacuarlrldaconnivelcsdctensión+1y-1\'yunpcriododclnlr
¡l¡'c : 0r1' 1 10
i;';;;iii;i"ñ l'- r rirrr' IrnTnr lr icuál scrá
tcnslón ¡', crrnn(lo v ¡s' d

valor <lc ¡r¡ quc nr{s cslrcdrnrrltntc tcfro(lrt'l(11 lo onrlI

cLll\(lfn(llr'¿

a.1.12.r:;n}af]gur¡1'110scanü¿:10cos200zi,R¿=.1lioyC_100/¡|'calcu].rrl l:i!. l,l.l-l;

(c.c. y valor cflc¡7 dc ondLrlrci(1n)
6't
 I

- y¿r<yrñ,
kl) Itcfl¡l(1|l'l¡,sf ¡ lIt ll{ur¡r 1.1-10c y suponicn(lo rlnn p0rtueir¡ ondulación
l(le¡l
uliliz.r lx .{:uici(ir) 1lf l,i prrrr cl cc¡nd(:nsrdor

,,. .'. f" , ,,, ' v,.,.

y fl lreclro (lo (tuc ¡ : 1D., -. Ynltlt prla cAlcular y¡-' y {rbtener (1.1-6).
(r) (i)nsi(lerrf el circnito dc l¡ flgurr l'1.1-16d.'ll.azar ¡," suponicndo quc cl diod,)
,\ i{le¡l J (1u0 la ondulación cs pcquci)4.
(¿) Utilizrr la tócnjca dc l¡ partc (d) p¡ra calcula¡ la ondulación crcsta a crest¡ ctr ,¡
(1) Lx ondL'lnción cn Dr sc pncdc calcul¡r rpro\inradamentc por lr tornra dc ond¡
(lc la ligLrr.r P1.1 1tjlr. Uiiliz¡r üna scrie dc Fo ricr rrig..t,1.1 1rJ

,' : V1 scn (@i + q) l- vr sen (2¿ol + q, l-

1i fi.r.), (i0 Hz, a una cargll dc 100 f) coü ullr ondulación mcnor
0,1 %. Dctcrminar la rcla-
don.lc yr: vLtln:l v1: u,rr. unun",o. las condicion0s qrre so¡ nccesarias para quL
(,)i {,c cspiras n dcl trrnsfofn)¡dof y /, y C¿. Suponcr quc tas dep¿rdirlas cn ta bobina scan
u, : V¿ scn (@r + qú), .rl¡r, quc ¿' : í00 l¿1. y qr¡c la oDduluci(jn dcl 20 % cn ¡," es suflcientementc peqüeña pqra
(¿) Utiliza¡ los resultados dc ti partc (d) para demostr¡¡ que ¡.iltr h:rcer uso dc las aproxin¡¡rcio cs ¡ncncionrdas en cl íroblcma 1.1-16.
l-t-¡0, \iri0c:rf (conrprobur) (1.1 2).
vL x JL' ::- ¡.r.2¡. \'rriflc¡r ( 1.1 :l).
¡J-t. Rctrcscntrf irl.¿o dado pof (1.2 1)crrtuDcióndclarcnsióndcldiodouDutitizandopaFet
*n'r¡og¡¡ltnrico. SupoDcr ? .. :J00 Ii (tcn¡pcrarura onrlricnro).
lJ-3. ltcpctir cl trobleDa 1.2-1 p¡r.r 7 : :)00 y 200 I{. Explicar cstos resültaatos.
¡.!'3. Un diodo dc siljcio ticnc una corricntc invcrsa dc saturación /o : 1 n^. Rcp¡csentar iD cn
icnc¡ón dc ,r. No utilizar papel scmiloftarltmico. Un diodo dc gcrmanto que ticnc ta misma
r¡p¡cidad de disipación dc potcnci¡r quc cl diodo dc silicto ticne una Io : 100 /¿A. R¿prcsentár
.n ¡os n¡isnros cjes i]) cn función de .)D para cl dlodo de germanio.
(d) Dctcrminar las tcnsioncs dc concxión, o sea, ¿tc conrnutaclón en con¿lucclón.
(r) Hallar las rcprcscntacioncs cn llnca ¡ccta (funcionamicnto Iincal por trozos) pa¡a
¡or dos dlodos. ULiliza¡ dos rcclas cn )a rcgión de polarización djrccta para obtcner ¡€sultodos
¡n¡logos a los reprcsentados cn ta ngura 1.2-6ó.

¡.2-{. Calcular la ¡Drl¡Dr que rcsulta dc cambiar la tcnsión dcl diodo por 50, 100 y 200 mV.
S{ lr¡ponc que : 300 l{.
"
rr-5. Calcular la variacjón dc la tensión del diodo para una ¡elación d¿ corrientc de 100 y
l$]0

tl-6. Rcpctir cl problcma 1.1-1 utilizando cl modelo dc funcionamicnto tincsl por trozos
'T T ¿. h ngufa 1.2-8.
(b, I:¡:j. I'1.1- 1r;
t-!.r. Para cl circuito de la ngura P1_3,1 rcp¡escntar i, cuando r!, €s unaonda cuadrada que
llr¡e r¡n\'olor mcdio nulo y una tensión crcsta a cresta dc 2 V. Obtenc¡ anatttica y gránca-
rrntc I¿ solu crón.

1. 1.1-17. Dn la ngura P1.1-16 supJnc¡ ¿,r : 10 scn 200J¡1, ]l¿ : 1 kO, C : C¿ : 100 ¿F ]'
I :10 H. tkn
(a) 'tr^zar v" r- calcular la ondulación crcsta a cresta. Comprobar la suposición hecha
dc ondulación Dcqueña.
(ó) 'frazar la forma dc onda previsiblc cn Dr. ¿Cuál es la ondulación crcsta a cresl¡?
- Disposltivo io llnoál
1.1-18. PaIa el circuilo (lc la llgura P1.1-18: (d) tl.arar'r. y calcular lo ondLrlaclón crcsta t | )t-
rra ->o
basrlndosc cn los supucstos dcl problema 1.1"16.
(lr) llrcrll)lr la s0rlc (lc Fourlcr para 10 ondulocl¿)n cD ,¡ como cn lr pnrlc (l) dcl Pio'
',-1( 0
"
u,<0
1.1-10 y cnunciar las condlcloncs para quc u¿ sea senoidal.
(c) Poncr dc mqnlncsto 1a vcntala de la rectlflcaclón dc onda complcta para el cÁicnio Irig, l'}1.3-1
(lr 1r on(lul0clón crcsln ¡r crcsto cn r,¿ y comp¡¡¡rlo con cl )csultndo de ln pnrtc (¿) dcl probl.'
|li{ Ll-10.
!,1.¡. Para cl clrcullo de la flgura I,1.:]-2a rcprcscntar t, cuando 0r es scnol¿lal con un valo¡
,.1-10. Dls0ilor un¡r lucntc dc nllmcntoclón dcl dctcctor.lc crcstq dc onda complcta ttlllzando dc crcsts de 4 V (rtl¡lz¡rr lo tócnlcu ,{rdncn). Ln c¡rrnctcrhtlca dcl dlsDosttlvo no ltncal cstt r0-
'
l flllr) Cr,rl,, (lo ln fltnür l'1.1-18 (trr( (r¡trcfrrc l!0 V .,c (lcÉ(lc,r'r¡ Ir,.¡1,: (lLf 120V.rl.itxr! t¡trcnt¡r(l¡¡ .n l¡ ll¡411r¡ t'1.1r-2¿. lltlll?.¡rr 1/ - r¡ * l(r(r0 n, .flr. - ó¡t, () y ,Dc - ¡t V.

68 69
 l,+,1. l.:n h flgur.r 1,1.4-1 la crractcristicn¡)i (icl dio(lo vicnc {la(t¡ por

t,l*
¡b . 1t) "(.,1,D1k7'- 1) (lo¡(t0 ?. .. ;100 I(
5

4 l¿) Obtrncr cl circujto (lc ,t.hóvfniD, nr y r,7,.

(¡) Deternrina! la corrienr0 cn r¡rDoso.tct ( orlo.
+ 3 (.) Calcular ¡d.
: (,i) Calcular I,¿(t).
I

100 0 140 a

fig. I,1.J-2

1.3-3. (o) v^olv€r a clibDj¡r lr ngum_prj,2d y obtcncr el circuito dc Thévcnin (r" y _¿t?,).
i;í
R.prFscntar la rccta
ntar Ia ";;; ñ:"i'ihl",i:'i:"id;1,"ji:Tih:'
rccla dc carga dc c.c. cuandto"t
cuando o"t - 0.
(c)ReprcsentaIuL(l),InsÍnuación:uI':RLiD'
;'j:'l'"''.:
jr-i, yv _.,"r.
0, * ¡"5. a2
i-'ll,iil
i?i,{"^3,; ..
Fig. l)1.4 1

t-:¿ d0 lr ltgura pt.4-2 csrf caracterizado por (1.2-1) dondc 10:10-!

1.3-4._ cl circuito dc ta flgu¡a p1.3-4 calcutar u¿(t) utiljzrndo l¡s caractcrhticas dc la . 3-rl ,Iit,,lio(lo
ti. I{ lhf iD. A y ?:
^En con Y¡ : 0,? V.
gurr 1.2-8 fl.

lo -3sen do t

ko
'3
l0 mA
) zka ( { 30 ) cos d,,/ aooa ( 20 mA
5 x l0 -3 + l0-6cos r.rot

Fjg. P1.3-.1
I:ig. P1.4-2
!,1f. ro) llall:rr cl circuiio rlc ,fh¿vcnin cquivalcntc, R", y pafa cl
Dj: circuito dc la flgr¡-
1.3-s. Slrt!,r¡lcn{1,, (t c l's (lir)rtos /), \. /)r sci! irt(irrtifos rI ol cifcllilo ¡lf 1^ fiA r¡r lrl.l]-,i), '¡ Ir1.l.J.
(¡) Itrt)rrsurt¡f ir(/).
r.) llIlllllr ll corrlcntc nrcdir cn cl diodo.

. [z ' ro-,
'"i ,,, ) o 500 0
,,' <0 +
250 n l¡-
Iiig. P1.3-5

, ir,.nir,,.rirrrir,¡,r,Jr.r,.r,ks,nri¡,ro trr l¡ fr(!f¡ r,r.j,{n,,.I

\,,r¡ i:
]:i. llll.l.,:l0s t"'r {ruc ros (r¡o(ros./), y r),
r)s,rry.f t:' t' r t.2 li ,.,,I VI t),7 l/, t¡r1t!¡r (d) ¡r(l) (on Dr (orDo sc r¡ rcsrr¡ en
lr IlgUr¡ l,1.li-0r, y (¡) ,¡_(i) con ¡,¡(t) ., 10 cos @,,/.

tk0

t
I:ig. r,1.3-f;
- to-'z(ú D

I)lg. l,l..t tl
1t)

11
@i
ti&r. tn l:¡ fllu¡.r 1.ü2 scrn¡r loQ, /i", 10 tiQ,.¡1, = 5,1 I{t) y ,¡ ,.. 5 sur orr. La scñal
.9i <c-.,tr¡¡.sli\ rcprcscnla(la c¡r t1r Jtf¡u.r I,t.G1 y tos ( o¡los son l(tontcs.
(l'l rlio(!' vicnt tld(lA por
1.4'4. I x .It|¡|II ||sIIc:t ri ¡¿, Dctcr¡Dinar irnrs y, y y, .rtt:rbtcs
I)llfn tt| scn l (lc (o trol.
it) ' Ia('atDlkr - 1) (0) I,&rr los valorcs (lc l¡ Iril|lc (d) rct)rc$c¡rtflr,, st n) 4 o¡.

,,,, r),:s¡rK'rrrr
(,¡, r:r ,c,,r.¡i1 :l
,, s:,rr¡,,,:,,' ,:,
,1":'Uc!rrc!rrr irj
:':'i,ll
:;:,::;::',lJl,,illIl'li'l;;i:lll'i:: k primeros
,llvJi,,,iii;;;i;;;;¿; á" ros dos Jí; 'n
cl

¡, r' ||'..r',', :
.'l ''<./:1.J ',:l'"-'l'^
'i'" 's i/' rD ,.,,",,.
' '¡rd ¡d
,, "l"itr'r"'i
,
'11,"'i,:lilii';''lr
l).";,;;-,;'' *t u'"oo en reposo cn ra nsura P1 4'5 La caracteristica -.. ';
"""""" 14-1'
i,i",i' ,i'i'í-"liu ,,"i" '^cn cr probr.¡.:r
I rg. l,l.(i-l
lil ifliüi^I,1¿; cuanrro ('n - 106' 10¡' 1010'adis'

r-Gt- t:n la fl8ufa 1.0-2 scl,r r{ . l0 f¡, /l¿ -. I 1rO, ¡rr - Yr,' scn ¿¿ol, Yo! : 15 V y yofi
100 pF - 0.

1¡) Ilallaf un valor ¿decur(lo l)lra .¿t¿.

l-l-l Utiliz¡r el nrodclo por trozos (l{j 1 llgur¡ 1.2 I cn la.Jlgur{ 1.6_2 y dcmost¡ar quc ta
nJ¡:::¡ t"nriuu 'l' cntr..l,¡ I(rini(i1'1, fi
l0v

1 g. P1.4-5
Y{.., 'v",, - u",-,L-
¡-r_r. Ii¡ I¡ frgura r.8 5 ticnc una
con¡¡rutarlor ¡nalógico con scis diodos dc scilal dc cont¡ol
rr"O. rrf¡rdrDtad¡ cn I¡ flgura Pl.ü 1, dondc V¡ : V,. Sea ¿,r - scn ¿ol.
rd) I)ctcrnrinar un margcn accptrblc de la aml)litud dc onda cuad¡ada (y,: yJ de
t.',;1":.,(,"l.,i1ii,,ll'"+,'""':':i:.${iitji{1ff[.ru:lilj{mi:t'*:':;:T:::",; n.i¡',¡,ir cl conmutador funcionc corrccr IneDLc.
(¡) Ilcprcscntar ur(l) si {, .- ¿rol,i) y dcmostrar quc ,, cs cl p¡oducto dc ,¿ y una on¿ta
c*@ r,¡¡d!-¡.la s¡(l).
t¡-5. I-:n el problcn)a 1.6 4 sc pucde cscrjbir. Sr(l) como una serie atc Fourier obscrvando que
rc (1.6.7) /. . f :1lT y quc I csrá sustilüido tor I _ T14. Exprcsár r¿(¡) como una suma dc

2x l0-3cos uroI
l.t....lo) I.ln cl circuito dc la figurr 1.6,5 sc suponc quc ül = Vr,¡ sen (])0¿. Demostrar que
¡¡ rondlción para quc la scñal dc control sca una on¿ta cuadrada simét¡ica ¿te amplitu¿l y, y que
.l (onnrutador funcionc corrcctamentc, sc dcbc tener
i, se
L¡ c¿'&tetislrca r'4_l
-Y Fig. P1.ó-1
da en probrem¿

señal ¡)¿ = 0'1 cos {]J"1'

v,. < Jf\- : :,os v dondc VF :0,7 V
ir ^lr.,,ilñ (lol (lio(lo (lt ltl llgrrrA Pt d(r 5-? ti0nc na tcnsión ¿lc
1.5-2. rr conicntc 0rr r'r'0so' (ó) Ilallar la anrplitud dc V, dc onda cu:rdrada co¡¡cspondicntc al ¡csultarto de la
i,\'üii:i,r i;',";;'i;' ydc-c¡rgr ¡1, ',j"
'r'o'ro
Frt. (o).
,¡i consrrrrir lr rcctr o"'"""" u", n'ouo.
tcj Dttcrmin¡t lfl rcrrstfncrr '
l¡-?.- El s:stcma de scis diodos dc la ltgura 1.6-1 sc utiliza como pue¡ta shunt o cn paratelo
.! l¡ fi8ura P1.6-?.Ios diodos ,¡ y ,. provccn la fucnte ¿te control con carga stmét¡ic;. Supo-
100 fl E t.¡uc todos los diodos son ideales y quc la scñat rtc control es una on¿la ¿uaal¡ada simútrica
ira¡(a Jig. P1.6-1 y suponer V,: Y.).
(o) Dibuja¡ e] circuito cqujvatcnte visto por ri
- ,¿ cuando Ios ¿tiodos ¡, . D. .¡n.t,1-¡¡
(¿l Si r'¡=yrnscnó.lyú,:2,d"{véascfig.p1.6-1),dibujarr¿srjponienctoqucelcircuito
I0v .
+ (c) D€mostrar quc l¡ corricntc cn ,j vjcne dada por
io" : !1
nd -
u'
2Ro
,a¡¡nlro.¡dn. Suponer un puente equilibrado y utilizar la supcrposición.
(4 ¿qlrál cs cl vator máxinro dc yrn pcrmjtido si y, = ¡ v, ¡¿ : 10 kO, n¿ : 1 ke
rR.-1kO?
-? un2 oo>o l.?.1. Obtene¡ una aproximación lineal po. trozos dc ¿los scgnrentos para la ccuación
',,<0
",-l'"': lJ:11 0<¡<3
!¡l qre cl valor nbsoluto de la máxnna difcrcncia cnrrc la función y y su:rproximactón
c¡lquier jnstantc ¡, es sicmprc ¡nenor quc 0,5_ i, cn
IiÁ. P.15-2

73
ó
I E l.?'6.
tlc¡ ¡'1
G¡lcular un ci¡cuito utilizando rcsistores
relres€ntada cn la flgura P1,7-5.
y
ljig. l'1.?-5

¿riodos icreales para sintetizar ra ca¡acterrs-

l.?¿. Pro-\,ecta¡ un circuito utilizando ¡esistores y diodos l¿teales para sintetizar la ca¡actc_
rl¡l¡(¡ oi dc la flgura P1.7-6.
n' n

¡ru", -l +ru"

rrjg. 1,r.7-ü

¡.7.?. Ih)vcctar un clrcuito quc resuelva la ccuación ¿ljferencial no lineal

Fig. P1.6-?

u,'a-bat:lili,lLt"x"l'"""i:ii:"¿;"":tit¿ii:tii;;":""' f,-,""e.0.a utot:o t>o |ir.-i

|1.7-2. utirizando un resistor {(1L rio)'
?-2. UtilLzando """:'iiát;Ti}irü'.ói""""t"a^' en la flgurá P1.7-2
frra ";;;
rcalizar cada una de las caracter)st
;"" lncor.p¡r^':11: í;y.i
frd¡r Ias cor¡icntcs sc dcben cxpresar cn m iamperios y las tensiones sc cxpresarán cn voltios.
;.;;. aproxrm¡crón f,:::i:::':ii}::"'il:J.'üil'il .t"ii,:l
¡.?-1. Ilcsolvcr cl clcmplo 1.7-3 cuando ¡(0) : 1.
lÍJ ., ffj"ü"i ,..T ;':"J il!:!*1'^¡'lij1", pequeña se puedt
ft :l5;tl ffi,'".:'l ;ñL'#lffH':;l;; ^:[T ,¿;i¡;"-":.$:T;L:Ji'"ñ",.",1
¿í'""í;ir";;¡ ¿cuán l.¡Gl. .l:l diodo Zcncr dc la flgura p1.10.1 ücne una cal¿la nJa dc.tcnsión de 18 V cntrc sus
l.rn¡¡nr¡cs cn ta to quc L sc n)antcnga cntrc 200 mA y 2 A.
hacei li - 9lóai? ¡¡ dc ]rodo quc y¿ sc mantenga cn i8 V micntrrs ydc pueda varjar librc-
el circuito del ejemplo'1_7-1
pa¡a quc las corrientes cst{D .(¿) H-allar
_ dcsdc
r.".nlc
1.7-4. Re¿lucir a la escala conveniente cn volrios 22 hasta 28 V.
las tcnsioncs
v lo csrLln
:;;;.^;;"-;;;;;""-perios ^
(D) Hallar la máxima potcncia disipada por el aliodo.

s ..L
22Y uDc< 28v _t l
R¡ - 18o

Fig. P1.10,1

l.ro-2. Sc c'DI)10¡ LrD (lio(lo Zcnrr (lc jO V p¡rrn rcgu)flr tn tcnstón cn borncs (lc unn cnr(n vnrln,
f¡A
!!. co¡r) l¡ r(prrsf'rt¡r,lú r',t. ,{,r'r I't.lt)-2. I^ tcrslón {tc cntrn(tn u¡ v,rrl. cnrrc rl y tti v.
1i rr co¡flcnrc 'lu_ cu¡.gr ¡¿ vnrf¡ rntrr l0 y 85 mA. La mfntma corrlcntc Zencr cs 15 ,nA:
1') \" '"' rd, Latcutar cl valor ml\imo J. r¡.
(ü) Calcular la máxlma potcncia disipnda poa el ¿lio¿lo Zcnc¡ r¡tilizando estc v^lor de ¡¡.
tb) .\ \
:.1G3. . Lha tucnte no rcgulada vxrla cntrc 20 y 25 V y tiene una impc¿lancia lnterná dc 10 O.
//,_, U¡ dlodo Zcner dc 10 V debc ¡egula¡ csta tcnsión pará utiliza¡la enlun magnetólono o ¡egis_
rig. l'1.7-2
75
 l) L!^.rjsP'102 |ig. r)1. r2-1

t|l|ll{)|(lccinLa'Elregistradofabsolb.cs0mAmicntrasg¡Abay50n1Acuandoreproduce.El 1.72-7. L^ cor¡jcntc invcrsa dc saturación dcl diodo dc la flgura p1.12-1 cs 1pA. Su tcnsión
2".* ri"'" ,..;*':l:1"11", *o*:Tll,lil XT;,";T i;l:i ;:i.X'i'Jl*; li,i"iil'i,i"ii
,i',,,i,, inlersa dc crcsta (I,tV) cs 500 V. llalta¡ ¡i para quc no sc cxccala la plv.
.xrrctc sticx Zcncr ticnc lugaf cn ru ¡'/
nráxi ¡ dc 800 m\v' ri >10 o) l.L2-2. L^ ¡náxima cofricntc dircctLr r¡crlia rectillcada cn media on¿ta a tmv¿s det diodo cs
de moilo quc cr (riodo rcsurc-con^ün^uam"l.lif" "'0"*
i:"l1Htilüi;;;;;;; 1 A cn la figura P1.12 2.
ij;ii;; J'¿'rracion 3 'resrr dc saridx (a) Haliar nr para quc no sc cxcccta cstc valor.
l;; "*'ra (ó) Si Jo : 1 tA, l)altar tr minitna pJV ncces^ri¡ para impcdir
¡uptura oc avalancha. Esto está ¡uptu¡a rtel
caracteristica Zencr sc dcbc ,usurlmentc a lrna
1a ctiodo.
,.to-*. \.
(lcscrilo aProtimidamcnte poI ll ccuacron

"-<v^ J1 a 1¡¡
'" = í-"N;"
ld) llcDfcscnur l.r ctlt¡clcrísticr Dziz p^t'\ tt:.1 v ' t9'. --,..-,..,,-^
,"-*"¡)',1'?Jí'-*ii". i,li" ¿" p"" o¡t"i'"' una car¡crcrisLica nornr¡rizada'
(b) obtcncr tl codo dc "'ii"'"r¿' 'ili'
ia ltttull'rt,n""t dos llncas
por trozos dc la curva üLilizando
(¿) RcPrescntat una aProxLm¡c1

"""' (lllc: o*lql:.1l.:J:":11'1.*,1"^'j"j,iilffli""l" *

,r-" ."
,r, La pendicntc dc rx c,rlv3
¿';.'i^; ','o¡"'"'uo' qüe r' c'mbi^ continuamentc' " l iS. l'1.1:¿-2
''i"'"ii,"llll)i);'>;'';. 1 11.3¿ en

i;'.1;i;,,31'X1"l,ii:ii,i"l'ii'i":lf"'ii:*,1"1"?"lifi,'::':?i:""i"'ra,ngura 1^t3:3:.
di ?0
!1" una
\. Tiene
corriente dc prucba dc 100 mA, un diodo Zcncr ticÍe una rcnsión nominxl
una tolcrancia del 2 %. CAtcular cl margen dc las tcnsiones ¿te
lrurba ¡jinámicas.
1.11-2.UndiodoZcncr.lesiliciocst¡cspecinc^do^cn"15'w'Larrráximatcmpcmtur'dclauniÓn
i;',i,,i,'': :l',ñ"'c'i; i;.;;;i "* ;.i:'t:: iiníl'"i'i^ííi':""i'i*il"a
l.l2-4.. El diodo Zcnef 1N281(j dc ta figufa p1.12-4 sc dcbe utilizar para manlcncr.una tcnsión
::;1 :,1"í,,i" "';,1.ÍiI potcn"ia nomhrr der ra corrlcnte continur suflcientcmentc consLante cnt¡e ios tcn¡inalc; dc la carga, ta cüal varfa
¿;".?1o"'";"iXi"fi':::l$:"^n'::t: d.¡dc 10 a 100 O. La tcnsión dc entrada varta desde 80 trasta 100 V.
(liodo Dcrmisible
"'""" '''ii,j'lóiiel es la tcmperatura dc ra unión dcl diodo? Í91 !¡lcLlta. ¡¿ suponicndo vzr :18 v y Rzr x2 e.
(ó) Calcular r¿ tcniendo cn cuenta la totcrancia det 5 % y;l hccho dc quc cl circuiro
i;i ;¿;n * la tcmperatura dc la cápsula del diodo? tun<iona por cncima del mafg€n (tc tcmpcratura de 0 a 25
si cl ¡adiador clc cllor ticrrc una rcsislcncia tórmica
U"d "C.
1.11-3. Repctir cl problcma 1 11_2
(lc 2 'C/w.
rrlcnorcs que 50 "C La máxima tcmpcra-
1.11-4. Un diodo pucdc disiprr 20 W a tempcraturrs
tura de la unión cs 200'C. Hallar
'j" : 100'C y 0'4 : 3 "C/W'
1,11-5, Rcpcti¡ cl problcma 1 11-2 si ?j nax
:t'" ncurs rr r: Úl

. YL i\le íl;i Íl il"'l i::

'':"'i""li!",.,liil i,iiifiil"llnJ,
" " i, "i;;
l;,11
rl-':"'-o , r"- 'lrr' I rr¡n'i'rof Iro "^ soLr''xri¡ntc rrig. t)1.12-,1
(¡) Ir,,üaf.?" pl" ":t": "ilillii",]i."sJe potencia podrra rrisiprr
(.) Si so disP siera de ün riroLl caror inrLniio, i,cuánta
t l?'¡. I)cnrostraf quc cl varor nominir rrIV de los diodos cn cl circL¡ito rectillcador (rc oncra
.rsplctr (lc l¡flÉurA 1.1 I dcbc scr Inayor qL¡c 2t¡t,¡. Suponcr (tio(los i(lc lcs.
i t.ll'¡. Dcnrostr¡f quc cl valof nominal l,IV rtc tos ctiodos cD rl fircLrito rcctincado¡ pucntc
ft o'r{n cornplcla dc la ngura Pl.1 I dclrc scr mayor qL¡c t/in. S lroncf (liodos idcatcs.

g
I 77