> Universidad Politécnica Salesiana. Fajardo Christian. Amplificadores con Transistores BJT.

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PRÁCTICA #3
AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BJT
Fajardo Calle Christian Esteban, cfajardoc@est.ups.edu.ec, Universidad Politécnica Salesiana.
primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A
Abstract— In this report the completion of the third lab of diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo
Analog Electronics II is detailed in this practice will be making controlado por corriente y del que se obtiene corriente
some circuits that function as signal amplifiers, based on the use amplificada. De manera simplificada, la corriente que circula
of BJT transistor, we also entering a signal amplification, we
observe and we will check the operation of each setting as each
por el "colector" es función amplificada de la que se inyecta en
presents special features. el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la corriente que
Resumen— En este informe se detalla la realización de la circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
tercera práctica de laboratorio de Electrónica Analógica II, en esta continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el
práctica se van a realizar algunos circuitos que funcionan como "colector", según el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificadores de señal, basándonos en el usos del transistor BJT, amplificación logrado entre corriente de base y corriente de
además ingresando una señal tendremos una amplificación,
observaremos y comprobaremos el funcionamiento de cada
colector, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a
configuración ya que cada uno presenta características especiales. tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor,
de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor,
I. OBJETIVOS frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los
distintos parámetros tales como corriente de base, tensión
Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de los
Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc.
siguientes circuitos de Amplificadores con transistores BJT.
Los tres tipos de esquemas básicos para utilización analógica
A. Amplificador a Emisor Común, con y sin condensador de de los transistores son emisor común, colector común y base
RE, Ganancia 50, frecuencia de corte de 1kHz y resistencia común. [1]
de carga de 1kΩ.
B. Descripción esquemática de un BJT.
B. Amplificador a Colector Común, con y sin condensador
de RC, Ganancia 1, frecuencia de corte de 1kHz y resistencia
de carga de 1kΩ.
C. Amplificador a Base Común, con y sin condensador de
RB, Ganancia 10, frecuencia de corte de 1kHz y resistencia
de carga de 1kΩ.

II. MARCO TEÓRICO

A. Transistor BJT. Fig. 1. Símbolo del transistor (NPN). [1]
El Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor
que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador
o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés
de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los
enseres domésticos de uso diario: radios, televisores,
grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de
microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración,
alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, Fig. 2. Corriente del transistor. [1]
impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres
partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
específicos en cantidades específicos) que forman dos uniones
bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los
recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos
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III. MATERIALES, HERRAMIENTAS Y EQUIPOS

• 1 Transistor BJT Tipo NPN 3904
• Varias Resistencias.
• Varios Capacitores
• 2 Protoboard.
• Varios cables con bananas.
Fig. 3. Voltajes del transistor. [1] • Varios cables multipar.
• 3 Sondas.
• 1 Pelacables.
C. Funcionamiento del transistor. • 1 Osciloscopio
En función de las tensiones que se apliquen a cada uno de los • 1 Fuente de voltaje continua regulable.
tres terminales del transistor bipolar podemos conseguir que • 1 Generador de señales.
éste entre en una región u otra de funcionamiento. Por regiones • 1 Multímetros.
de funcionamiento entendemos valores de corrientes y • Software Multisim.
tensiones en el transistor, que cumplen unas relaciones
determinadas dependiendo de la región en la que se encuentre. IV. DESARROLLO
[2]
1. Amplificador a Emisor Común.
El emisor es común a entrada y salida, la entrada es la base y
D. Zona Lineal.
la salida es el colector.
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni Es la configuración más empleada por sus buenas
en la región de corte entonces está en una región intermedia, la prestaciones de ganancia e impedancias de entrada y salida.
región activa. En esta región la corriente de colector (𝐼𝑐)
depende principalmente de la corriente de base (𝐼𝑏), de β
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y
emisor. Esta región es la más importante silo que se desea es
utilizar el transistor como un amplificador de señal. [2]

Fig. 6. Amplificador a emisor común.

Fig. 4: Curva característica del BJT. [2]

E. Recta de carga y puntos de trabajo.

Fig. 7. Circuito equivalente del amplificador a emisor común.

1.1. Datos

Av=50, β=340, RL=1kΩ, IC=2.81mA, rs=50Ω,

VCC=15V, VCE=7.5V

Fig. 5. Recta de carga. [2]

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1.2. Cálculos 𝑍𝑖 = 3.542𝑘Ω

Calculamos re y RC
𝑍𝑜 = 𝑅𝐶
𝐼𝐶 2.81𝑚𝐴 𝑍𝑜 = 1𝑘Ω
𝐼𝐵 = = = 8.265𝜇𝐴 ( 1)
𝛽 340
Calculo Ganancia Total.

𝐼𝐸 = (𝛽 + 1) ∙ 𝐼𝐵 = (341)(8.265𝜇𝐴) = 2.818𝑚𝐴 𝑍𝑖 3.542𝑘Ω

𝛼𝑖𝑛𝑔 = = = 0.986
𝑍𝑖 + 𝑟𝑠 3.542𝑘Ω + 50Ω
33.44𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 11.9Ω 𝐴𝑉𝑇𝑂𝑇 = 𝛼𝑖𝑛𝑔 ∙ 𝐴𝑉
2.81𝑚𝐴
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 𝐴𝑉𝑇𝑂𝑇 = 0.986 ∙ (50) = 49.3
𝐴𝑉 = − = |− |
𝑟𝑒 𝑟𝑒
𝑅𝐶 ∥ 1𝑘Ω Calculo Condensadores
50 = |− |
11.9Ω 1
𝐶𝑖 =
𝑅𝐶 = 1.469𝑘Ω ≈ 1.5𝑘Ω 2𝜋 ∙ 𝑓𝑐 ∙ (𝑍𝑖𝑛 + 𝑟𝑠)
1
𝐶𝑖 = = 443.1𝑛𝐹
Lazo de salida 2𝜋 ∙ 1000 ∙ (3.542𝑘Ω + 50)
𝐶𝑖 ≈ 450𝑛𝐹
𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐶𝐶 = 0
1
3𝑚𝐴 ∙ (762Ω) + 7.5𝑉 + (3.010𝑚𝐴)𝑅𝐸 − 15𝑉 = 0 𝐶𝑜 =
2𝜋 ∙ 𝑓𝑐 ∙ (𝑅𝐿 + 𝑅𝐶 )
5.21𝑉 1
𝑅𝐸 = = 1.1𝑘Ω ≈ 1.2kΩ 𝐶𝑜 =
3.010𝑚𝐴 2𝜋 ∙ 1000 ∙ (1𝑘Ω + 1.5𝑘Ω)
𝐶𝑜 = 63.66𝑛𝐹
Lazo de entrada
1
𝐶𝐸 =
𝑉𝑏𝑒 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐵 = 0 2𝜋 ∙ 𝑓𝑐 ∙ (𝑅𝐸 ∥ 𝑟𝑒)
1
𝑉𝐵 = 0.7𝑉 + 3.382𝑉 = 4.08𝑉 𝐶𝐸 = = 13.51𝜇𝐹
2𝜋 ∙ 1000 ∙ (1.2𝑘Ω ∥ 11.9Ω)
𝛽 ∙ 𝑅𝐸 ≥ 10 ∙ 𝑅2
𝐶𝐸 ≈ 13.33𝜇𝐹
𝛽 ∙ 𝑅𝐸
𝑅2 ≤ Máxima Dinámica.
10
340 ∙ 1.2𝑘Ω 𝑉𝐶𝐸𝑝 = 𝐼𝐶 ∙ 𝑅𝑃𝐶
𝑅2 ≤
10 𝑉𝐶𝐸𝑝 = 3𝑚𝐴 ∙ (432.5Ω) = 1.297𝑉
𝑅2 ≤ 40.80𝑘Ω
𝑅2 = 39𝑘Ω 𝑉𝐶𝐸𝑝𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐶𝐸𝑝
𝑅2 𝑉𝐶𝐸𝑝𝑚𝑎𝑥 = 7.5𝑉 + 1.297𝑉 = 8.797𝑉
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶
𝑅1 + 𝑅 2
39𝑘Ω 𝑉𝐶𝐸𝑝𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑝
4.08𝑉 = (15𝑉)
𝑅1 + 39𝑘Ω 𝑉𝐶𝐸𝑝𝑚𝑖𝑛 = 7.5𝑉 − 1.297𝑉 = 6.203𝑉
𝑅1 = 104.4𝑘Ω ≈ 100𝑘Ω + 4.7𝑘Ω
𝑉𝐶𝐸𝑝𝑝 = 2 ∙ 𝑉𝐶𝐸𝑝
Calculo de impedancias. 𝑉𝐶𝐸𝑝𝑝 = 2 ∙ (1.297𝑉) = 2.594𝑉

𝑍𝑖 = 𝑅𝐸𝑄 ∥ 𝛽 ∙ 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐸𝑝𝑝
𝑅𝐸𝑄 = 28.42𝑘Ω 𝑒𝑠𝑝𝑝 =
𝐴𝑉𝑇𝑂𝑇
𝛽 ∙ 𝑅𝐸 = 4.046𝑘Ω 2.594𝑉
𝑒𝑠𝑝𝑝 = = 0.0529𝑉
49.3𝑉
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𝑒𝑠𝑝𝑝
𝑒𝑠𝑝 =
2
0.0529𝑉
𝑒𝑠𝑝 = = 26.47𝑚𝑉
2

Fig. 10. Señal de entrada y salida obtenida del osciloscopio.

Fig. 8. Recta de carga Amplificador Emisor Común.

1.3. Mediciones y Resultados de laboratorio.

TABLA I
REGISTRO DE LOS VALORES OBTENIDOS FRECUENCIA VS. AV

Frecuencia [Hz] Av [V]

250 6.9 Fig. 11. Grafica de Ganancia y Angulo en el NI ELVIS ¨BODE”.

500 11.9
1k 29.3
2. Amplificador a Colector Común.
5k 40.2
10k 51.83 La señal de salida está en fase con la señal de entrada y tiene
20k 50.8 una ganancia de tensión ligeramente menor que uno.
50k 50.27 Por otro lado la ganancia de corriente es significativamente
100k 51.03 mayor que uno.

60
50
40
30
20
10
0
0 20000 40000 60000 80000 100000

Fig. 9. Gráficas de ganancias VS frecuencias obtenidas del circuito.

Fig. 12. Amplificador a colector común.

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𝑅2
𝑉𝐵 = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶
47𝑘Ω
4.927𝑉 = (15𝑉)
𝑅1 + 47𝑘Ω
𝑅1 = 96𝑘Ω ≈ 100𝑘Ω

Calculo impedancias

𝑍𝑖 = 𝑅𝐸𝑄 ∥ 𝛽 ∙ (𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 ∥ 𝑅𝐿 )
Fig. 13. Circuito equivalente del amplificador a colector común.
𝑍𝑖 = 31.97𝑘Ω ∥ 340 ∙ (11.87Ω + 1.5𝑘Ω ∥ 1𝑘Ω)

2.1. Datos 𝑍𝑖 = 27.71𝑘Ω

𝑅𝑆 ′
Av=1, β=340, RL=1kΩ, IC=2.81mA, rs=50Ω, 𝑍𝑜 = 𝑅𝐸 ∥ ( + 𝑟𝑒)
𝛽
VCC=15V, VCE=7.5V
𝑅𝑆 ′ = 𝑟𝑠 ∥ 𝑅1 ∥ 𝑅2 = 49.92Ω
2.2. Cálculos
49.92Ω
Calculamos re y RE: 𝑍𝑜 = 1.5𝑘Ω ∥ ( + 11.87Ω)
340
𝐼𝐶 2.81𝑚𝐴 𝑍𝑜 = 11.92Ω
𝐼𝐵 = = = 8.265𝜇𝐴
𝛽 340
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1) ∙ 𝐼𝐵 = (341)(8.265𝜇𝐴) = 2.818𝑚𝐴 Calculo Ganancia total
33.44𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = 11.87Ω 𝑍𝑖 27.71𝑘Ω
2.81𝑚𝐴 𝛼𝑖𝑛𝑔 = = = 0.998
𝑍𝑖 + 𝑟𝑠 27.71𝑘Ω + 50Ω
𝑅𝐸 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑉 = 𝐴𝑉𝑇𝑂𝑇 = 𝛼𝑖𝑛𝑔 ∙ 𝐴𝑉
𝑅𝐸 ∥ 𝑅𝐿 + 𝑟𝑒
𝑅𝐸 ∥ 1𝑘Ω 𝐴𝑉𝑇𝑂𝑇 = 0.998 ∙ (0.98) = 0.978
0.98 =
𝑅𝐸 ∥ 1𝑘Ω + 11.87Ω
Calculo condensadores
𝑅𝐸 = 1.39𝑘Ω ≈ 1.5𝑘Ω
1
𝐶𝑖 =
Lazo de salida 2𝜋 ∙ 𝑓𝑐 ∙ (𝑍𝑖 + 𝑟𝑠)
1
𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐷𝐷 = 0 𝐶𝑖 = = 5.733𝑛𝐹
2𝜋 ∙ 1000 ∙ (27.71𝑘Ω + 50)
2.81𝑚𝐴 ∙ 𝑅𝐶 + 7.5𝑉 + (2.818𝑚𝐴)(1.5𝑘Ω) − 15𝑉 = 0
𝐶𝑖 ≈ 5𝑛𝐹
15𝑉 − 7.5 − 4.227𝑉
𝑅𝐶 = = 1.165𝑘Ω ≈ 1.2kΩ 1
2.81𝑚𝐴 𝐶𝑜 =
𝑅 𝑟𝑠
2𝜋 ∙ 𝑓𝑐 ∙ [𝑅𝐿 + 𝑅𝐸 ∥ ( 𝐵 + ℎ𝑖𝑏)] ∥ ( )
𝛽 𝛽
Lazo de entrada
𝑅𝐵 𝑟𝑠
[𝑅𝐿 + 𝑅𝐸 ∥ ( + ℎ𝑖𝑏)] ∥ ( )
𝑉𝑏𝑒 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐵 = 0 𝛽 𝛽

𝑉𝐵 = 0.7𝑉 + 4.227𝑉 = 4.927𝑉 31.97𝑘Ω 50

[2.5𝑘Ω ∥ ( + 11.87)] ∥ ( ) = 0.1468
340 340
𝛽 ∙ 𝑅𝐸 ≥ 10 ∙ 𝑅2
1
𝛽 ∙ 𝑅𝐸 𝐶𝑜 = = 1.084𝑚𝐹
𝑅2 ≤ 2𝜋 ∙ 1000 ∙ (0.1468)
10
𝐶𝑜 = 1100𝜇𝐹
340 ∙ 1.5𝑘Ω
𝑅2 ≤ Máxima Dinámica
10
𝑅2 ≤ 51𝑘Ω 𝑉𝐶𝐸𝑝 = 𝐼𝐶 ∙ 𝑅𝑃𝐸
𝑅2 = 47𝑘Ω
𝑉𝐶𝐸𝑝 = 3𝑚𝐴 ∙ (280.6Ω) = 0.8417𝑉
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1,2
𝑉𝐶𝐸𝑝𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐶𝐸𝑝
𝑉𝐶𝐸𝑝𝑚𝑎𝑥 = 7.5𝑉 + 0.8471𝑉 = 8.342𝑉 0,7

𝑉𝐶𝐸𝑝𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑝 0,2

𝑉𝐶𝐸𝑝𝑚𝑖𝑛 = 7.5𝑉 − 0.8471𝑉 = 6.653𝑉
0 20000 40000 60000 80000 100000
-0,3
𝑉𝐶𝐸𝑝𝑝 = 2 ∙ 𝑉𝐶𝐸𝑝 Fig. 15. Gráficas de ganancias VS frecuencias obtenidas del circuito.

𝑉𝐶𝐸𝑝𝑝 = 2 ∙ (0.8417𝑉) = 1.683𝑉

𝑉𝐶𝐸𝑝𝑝
𝑒𝑠𝑝𝑝 =
𝐴𝑉𝑇𝑂𝑇
1.683𝑉
𝑒𝑠𝑝𝑝 = = 1.746𝑉
0.964𝑉

𝑒𝑠𝑝𝑝
𝑒𝑠𝑝 =
2
1.746𝑉
𝑒𝑠𝑝 = = 0.8731𝑉
2

Fig. 16. Señal de entrada y salida obtenida del osciloscopio.

Fig. 14. Recta de carga Amplificador Colector Común.

Fig. 17. Grafica de Ganancia y Angulo en el NI ELVIS ¨BODE”.
2.3. Mediciones y Resultados de laboratorio.

TABLA II 3. Amplificador a Base Común.

REGISTRO DE LOS VALORES OBTENIDOS FRECUENCIA VS. AV
Se caracteriza por tener baja impedancia de entrada, no
Frecuencia [Hz] Av [V] presenta ganancia de corriente pero si de voltaje.
250 0.3 Además tiene propiedades útiles en altas frecuencias.
500 0.478
1k 0.739
5k 0.956
10k 1.1
20k 1.08
50k 1.1
100k 1.03
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VCC Lazo de entrada

𝑉𝑏𝑒 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐵 = 0
R1 RC
𝑉𝐵 = 0.7𝑉 + 0.421𝑉 = 1.121𝑉
Co
𝛽 ∙ 𝑅𝐸 ≥ 10 ∙ 𝑅2
𝛽 ∙ 𝑅𝐸
𝑅2 ≤
10
Ci rs
RL
340 ∙ 2.7𝑘Ω
𝑅2 ≤
CB 10
R2
RE Vi 𝑅2 ≤ 91.80𝑘Ω
𝑅2 = 82𝑘Ω
Fig. 18. Amplificador a base común. 𝑅2
𝑉𝐵 = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶
82𝑘Ω
4.927𝑉 = (15𝑉)
𝑅1 + 82𝑘Ω
𝑅1 = 1.015𝑀Ω ≈ 1MΩ

Calculo impedancias

𝑍𝑖 = 𝑅𝐸 ∥ 𝑟𝑒
𝑍𝑖 = 2.7𝑘Ω ∥ 11.87Ω
𝑍𝑖 = 11.82Ω

Fig. 19. Circuito equivalente del amplificador a base común. 𝑍𝑜 ≈ 𝑅𝐶

𝑍𝑜 = 150Ω
3.1. Datos
Calculo Ganancia total
Av=10, β=340, RL=1kΩ, IC=2.81mA, rs=50Ω, 𝑍𝑖 11.82Ω
VCC=15V, VCE=7.5V 𝛼𝑖𝑛𝑔 = = = 0.191
𝑍𝑖 + 𝑟𝑠 11.82Ω + 50Ω
3.2. Cálculos 𝐴𝑉𝑇𝑂𝑇 = 𝛼𝑖𝑛𝑔 ∙ 𝐴𝑉
Calculamos re y RC:
𝐴𝑉𝑇𝑂𝑇 = 0.191 ∙ (10) = 1.91
𝐼𝐶 2.81𝑚𝐴
𝐼𝐵 = = = 8.265𝜇𝐴
𝛽 340 Calculo Condensadores
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1) ∙ 𝐼𝐵 = (341)(8.265𝜇𝐴) = 2.818𝑚𝐴 1
33.44𝑚𝑉 𝐶𝑖 =
2𝜋 ∙ 𝑓𝑐 ∙ (𝑅𝐸 ∥ 𝑟𝑒 + 𝑟𝑠)
𝑟𝑒 = = 11.87Ω
2.81𝑚𝐴 𝑅𝐸 ∥ 𝑟𝑒 + 𝑟𝑠
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑉 = 2.7𝑘Ω ∥ 11.87Ω + 50Ω = 60.48Ω
𝑟𝑒
𝑅𝐶 ∥ 1𝑘Ω 1
10 = 𝐶𝑖 = = 26.32𝜇𝐹
11.87Ω 2𝜋 ∙ 1000 ∙ (60.48Ω)
𝑅𝐶 = 134.7Ω ≈ 150Ω 𝐶𝑖 ≈ 24.7𝜇𝐹
Lazo de salida 1
𝐶𝑜 =
2𝜋 ∙ 𝑓𝑐 ∙ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 )
𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 − 𝑉𝐶𝐶 = 0 1
𝐶𝑜 = = 138.4𝑛𝐹
2.81𝑚𝐴 ∙ 150Ω + 7.5𝑉 + (2.818𝑚𝐴)𝑅𝐸 − 15𝑉 = 0 2𝜋 ∙ 1000 ∙ (1150Ω)
15𝑉 − 7.5 − 0.421𝑉 𝐶𝑜 = 150𝑛𝐹
𝑅𝐸 = = 2.519𝑘Ω ≈ 2.7kΩ
2.81𝑚𝐴
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1 3.3. Mediciones y Resultados de laboratorio.

𝐶𝐵 =
2𝜋 ∙ 𝑓𝑐 ∙ (𝑅𝐸𝑄 ∥ 𝛽(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 ))
TABLA III
𝑅𝐸𝑄 ∥ 𝛽(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 ) REGISTRO DE LOS VALORES OBTENIDOS FRECUENCIA VS. AV

75.79𝑘Ω ∥ 340(11.87Ω + 150Ω) = 31.88𝑘Ω Frecuencia [Hz] Av [V]

1 250 3.6
𝐶𝐵 = 500 5.71
2𝜋 ∙ 1000 ∙ (31.88𝑘Ω) 7.31
1k
𝐶𝐵 = 50𝑛𝐹 2k 9.01
3k 9.33
Máxima Dinámica. 5k 10.47
10k 11
𝑉𝐶𝐸𝑝 = 𝐼𝐶 ∙ 𝑅𝑃𝐸 100k 10.47
1M 9.16
𝑉𝐶𝐸𝑝 = 3𝑚𝐴 ∙ (95.65Ω) = 0.286𝑉
12
𝑉𝐶𝐸𝑝𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐶𝐸𝑝 10
𝑉𝐶𝐸𝑝𝑚𝑎𝑥 = 7.5𝑉 + 0.286𝑉 = 7.786𝑉 8
6
4
𝑉𝐶𝐸𝑝𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸𝑝
2
𝑉𝐶𝐸𝑝𝑚𝑖𝑛 = 7.5𝑉 − 0.286𝑉 = 7.214𝑉
0
0 200000 400000 600000 800000 1000000
𝑉𝐶𝐸𝑝𝑝 = 2 ∙ 𝑉𝐶𝐸𝑝 Fig. 21 Gráficas de ganancias VS frecuencias obtenidas del circuito.
𝑉𝐶𝐸𝑝𝑝 = 2 ∙ (0.286𝑉) = 0.572𝑉

𝑉𝐶𝐸𝑝𝑝
𝑒𝑠𝑝𝑝 =
𝐴𝑉𝑇𝑂𝑇
0.572𝑉
𝑒𝑠𝑝𝑝 = = 0.390𝑉
1.466𝑉
𝑒𝑠𝑝𝑝
𝑒𝑠𝑝 =
2
0.390𝑉
𝑒𝑠𝑝 = = 0.195𝑉
2

Fig. 22. Señal de entrada y salida obtenida del osciloscopio.

Fig. 20. Recta de carga Amplificador Base Común.

Fig. 23. Grafica de Ganancia y Angulo en el NI ELVIS ¨BODE”.

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4. Simulaciones.
4.1. Amplificador a Emisor Común

VCC
15V

RC 1.5kΩ
R1 104.7kΩ
Co

Ci 63.66nF
rs Q1
2N3904
50Ω 450nF CE
V1 RL
1kΩ
Fig. 27. Barrido del amplificador a colector común.
1Vpk
13.33µF
1kHz
0° R2 39kΩ
RE 1.2kΩ
4.3. Amplificador a Base Común.

VCC
Fig. 24. Circuito simulado en Multisim. 15V

RC 150Ω
R1 1MΩ
Co

150nF
Q1
2N3904
Ci RL
rs
V1 1kΩ
24.7µF 50Ω
1Vpk
CB 50nF R2 82kΩ 1kHz
RE 2.7kΩ 0°

Fig. 28. Circuito simulado en Multisim.

Fig. 25. Barrido del amplificador a emisor común.

4.2. Amplificador a Colector Común

VCC
15V

CC
RC 1.2kΩ
R1 100kΩ 63.66nF

rs Ci Q1 Fig. 29. Barrido del amplificador a base común.

2N3904
50Ω 5nF Co
V1
1Vpk
1100µF
1kHz
0° R2 47kΩ RL
RE 1.5kΩ 1kΩ

Fig. 26. Circuito simulado en Multisim.

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V. ANÁLISIS DE RESULTADOS https://www.itescam.edu.mx/principal/sylabus/fpdb/recur

Se pudo observar que en la mayoría de los circuitos los sos/r39426.PDF (21/11/2014)
valores obtenidos en la práctica no varían demasiado con los
simulados, es decir está dentro del margen de error que se puede
producir debido a las características propias de los componentes
con los que se armó los circuitos, además de que la mayoría de
los circuitos se armaron con resistencias aproximadas a las
calculadas.
En los amplificadores con configuraciones de base común
para obtener la ganancia de tensión, los dos tienen una
impedancia de entrada muy baja.
Para un colector común se debe saber que la señal de entrada
con la señal de salida está en fase, pero tiene una ganancia de
voltaje de menos de uno en esta configuración, la ganancia de
corriente es significativamente mayor que uno.

VI. CONCLUSIONES
El amplificador a emisor común es un amplificador de
tensión y de corriente, además la señal de salida tiene 180
grados de desfasamiento con respecto al ingreso, y tiene
impedancia de ingreso y salida altos
Las aproximaciones estándar de los parámetros híbridos del
transistor no son exactas, estos cambian dependiendo del tipo
de transistor
A altas frecuencias aparecen en el transistor componentes
capacitivos, esto hace que el amplificador se comporte como un
filtro pasa banda
Es recomendable al momento de realizar la práctica de los
amplificadores BJT, que todo se basa en conocer muy bien sus
características en cada polarización, ya que de ahí se parte el
diseño así como también los cálculos, aparte recomiendo que al
momento de utilizar un software como Multisim, tener en
cuenta que no es una herramienta de diseño, por lo cual la
usaremos como herramienta de comprobación.

The common emitter amplifier is a voltage amplifier and

current, the output signal also has 180 degrees of phase shift
with respect to income, and has high impedance input and
output
Standard approaches hybrid transistor parameters are not
accurate, they change depending on the type of transistor
A high frequency components appear in the capacitive
transistor, this makes the amplifier behaves as a bandpass filter
It is advisable when making the practice of BJT amplifiers,
everything is based on knowing its characteristics very well in
each polarization, as there design as well as the calculations are
part aside recommend that when you use a software as
Multisim, note that it is not a design tool, so we will use it as a
testing tool.

REFERENCIAS
[1] Savant, M.S. Roden y G.L.,Diseño electrónico. Circuitos
y sistemas C.J Carpenter Ed. Addison-Wesley
Iberoamericana, 1ª edición, 1992
[2] Transistores de Efecto de Campo, Julio2001, Juan Botsh,
Formato: PDF.