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Los profesores
UP4IVERS{DÁI> N A C I O N A L D E I N G E N I E R Í A Ciclo Académico: 2018-!
í'ACL'í ,TAD D E INGENIERÍA E L É C T R I C A Y E L E C T R Ó N I C A Fecha: 10-10-18
j' OEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 1H.50 m.
P r o b l o m a 1.- (6 P u n t o s )
E n el circuito m o s t r a d o l o s D i o d o s D1 y D2 s o n Ideales g r a f i c a r i ¡a f u n c i ó n de t r a n s f e r e n c i a V o V s V i para t o d o V i .
2ook V Y •
JO
Vi
300k
Vo
1 OOV r
50 V
P r o b l e m a 2.- {7 P u n t o s )
E n el s i g u i e n t e c i r c u i t o Figura2 l o s d i o d o s s o n i d e a l e s y el voltaje dei z é n e r e s de 30v. S I V i e s una o n d a triangular d e
50v de a m p l i t u d y i O H z , determinar:
a) E! g r á f i c o de V o c o n i n d i c a c i o n e s de p u n t o s de c a m b i o s e n !a f o r m a de o n d a (3 ptos.)
b) P o t e n c i a p r o m e d i o P z e n v a t i o s q u e d i s i p a ei z é n e r {2 ptos.).
c) C o r r i e n t e p r o m e d i o ío y voltaje p i c o i n v e r s o P i V del d i o d o D (2 píos.).
P r o b l e m a 3.- (7Puntos)
D
Característica l 'i ( m A )
del /
/
Zener -12 /
1 niA (Volt)
- ^ mA
F i g u r a del p r o b l e m a
S e tiene u n a fuente de t e n s i ó n c o m o s e m u e s t r a e n la s i g u i e n t e f i g u r a .
D o n d e V e es u n a t e n s i ó n s i n u s o i d a l de f r e c u e n c i a 6 0 Hz. Y u n a a m p l i t u d de 24 v o l t i o s R M S (Eficaces), Y e! d i o d o
r e n e r debe t r a b a j a r o n la r e g i ó n do ruptura permitida (en la c u r v a entre -•tmA y - 5 m A ) o l a a s í l l a m a d a z o n a de
r e g u l a c i ó n . L a r e s i s t e n c i a d i n á m i c a del z e n e r e s c e r o . V z = 1 2 V o l t i o s .
:;i !•:; f u e r Se tiene que s e r d i s e ñ a d a para Vo = 12v DC y la c a r g a ( R L ) tiene u n a r e s i s t e n c i a RL. = 1 K O..
A d e m á s ,se c o n s i d e r a q u e c-i v s i c r m e d i o de la t e n s i ó n entre Á y B e s la mitad de! v a l o r p i c o - p i c o entre esos
T7 ^AV> pica—pico
puntos A y B , O sea : =
a) ¿ C u á l s e r á el v a l o r m e d i o de I I ?
b) ¿ C u á ! s o r á ei v a l o r efectivo de !L?
c) Si sf. d i s e ñ a el s i s t e m a para el m í n i m o c o n s u m o de corriente. ¿ C u á n t o vale IR?
d) Si ía t e n s i ó n p i c o de Ve es de 18v
¿ C u á n t o d e b a valer R i ?
TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. Ex. PARCIAL EX. FINAL n I EX. SUST.
N O T A : S i n c o p i a ni a p u n t e s de c l a s e , s o l o s e p e r m i t e n t a b l a s .
Problema 1.- (7 p u n t o s )
A d e m á s b a j o la c o n s i d e r a c i ó n d e I n v e c c i ó n a b a j o n i v e l d e o b t i e n e q u e :
1. / í = P „ „ . e x p /''^
a) . - C a l c u l a r l a t e n s i ó n d e p o l a r i z a c i ó n V e x t p a r a la c u a l la c o n c e n t r a c i ó n d e portadores
m i n o r i t a r i o s e n el l a d o n i g u a l a a la d e p o r t a d o r e s m a y o r i t a r i o s .
(3 p u n t o s )
C o n s i d e r e q u e iV^ =1000N^y = l0^^cm~', el m a t e r i a l e s d e g e r m a n i o .
b) . - d i b u j a r l a s c o n c e n t r a c i o n e s de electrones y huecos si s e a p l i c a u n a t e n s i ó n e x t e r n a de
Vext=-1 voltio. (1 p u n t o )
D o s d i o d o s i g u a l e s d e S i s o n c o n e c t a d o s c o m o s e m u e s t r a e n la f i g u r a a H a l l a r (a) i (2
P u n t o s ) (b) V I (2 P u n t o s ) (c) S i la CTi = 1 0 p F d e l d i o d o d e u n i ó n a b r u p t a c o n V I N V I = 5 V o l t
C o n q u e v o l t a j e VINV2 t e n d r á la C T 2 = 2 0 p F (2 P u n t o s ) A s u m i r ND = 10^^ cm"^ ( t i p o n), NA =10''^
cm-3(tipop), e r = 1 2 ; n,Y3oo°/<j = 1 0 ^ ° c m - 3 , 1A/T= 4 0 ; A = lO'^ cm2;^^,= 1 3 0 0 c m W s y "
3 5 0 c m W s ; Dp= 1 0 cm^/s; Dn= 2 5 cm2/s
Tn (tipon) = 4x10"^ s e g . Tp(t¡pop) = 10-^ s e g . T = 3 0 0 ° K .
DI D2
^ W--]
+V1- +V2-
r 19" u - a a
P r o b l e m a 3.- (TPuntos)
E n el s i g u i e n t e c i r c u i t o l a s r e s i s t e n c i a s e s t á n e n o h m i o s y e i d i o d o z é n e r e s d e 1 W .
C o n s i d e r a n d o q u e IZMIN=5% IZMAX:
a) D e t e r m i n a r el r a n g o d e V b b p a r a q u e s e m a n t e n g a el v o l t a j e d e 5 v s o b r e ia c a r g a
(3 ptos.) y ia p o t e n c i a m á x i m a q u e d e b e p o d e r d i s i p a r la r e s i s t e n c i a d e 4 8 . 7 o h m i o s
(1 pto.).
b) E n c a s o d e que V b b t e n g a el r a n g o e n c o n t r a d o e n a), la p o t e n c i a d e l d i o d o z é n e r
c a m b i e a 2VV y la c a r g a v a r í e ent(eRLMf^)e infinito, h a l l a r el m e n o r v a l o r p o s i b l e d e
Los profesores.
^ UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA Ciclo Académico: 2018-1
Mf^M FACULTAD D E INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Fecha: 14/11/18
DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 1h50'
C U R S O : _ D I S P 0 S I T I V 0 S ELECTRÓNICOS C O D . C U R S O : E E 4 1 1 M,N,0
TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. 3 Ex. PARCIAL EX. FINAL EX. SUST.
-12V
-Vl 2.- E n el s i g u i e n t e circuito R 3 = R D = R I = R 2 = R L = 1 K. V z = 1 2 v (ideal).
C a l c u l a r , a p r o x i m a d a m e n t e , c o n errores m e n o r e s a 10%:
a) El punto d e r e p o s o d e c a d a transistor p a r a V i = 5 0 v (2 ptos. c/u). ' ^/
b) L a p o t e n c i a m á x i m a q u e d i s i p a ei d i o d o z é n e r p a r a V i = 5 0 v +/-10% (1pto.).
c) V o p a r a V¡=55v (Iptos.). '
d) R e p e t i r c) si RL=0.1 K (1 pto.)f
3. E n el siguiente circuito (se c o n s i d e r a r á un análisis estático c o n s i d e r a n d o q u e los
transistores e n c a d a tramo e s t á n o s a t u r a d o s o cortados, s e g ú n el c a s o ; pero, p u e d e aplicar
criterios d i n á m i c o s q u e usted b o s q u e j e y c o n s i d e r e a d e c u a d o s )
a) . - C a l c u l a r y dibujar c o n t e n s i o n e s e n voltios y t i e m p o s e n m i l i s e g u n d o s la figura q u e m á s
s e a p r o x i m a a l a s t e n s i o n e s Voi, V02 y V03. (4 ptos.)
b) .- B o s q u e j a r y dibujar la figura q u e m á s s e a p r o x i m a a las c o r n e n t e s e n los c o l e c t o r e s
d e los 5 transistores corriente e n miliamperios y s i e m p r e dibujadas v e r s u s el tiempo (
m i l i s e g u n d o s ) (2 ptos.). E n el circuito s e tiene q u e los transistores s o n 2 N 2 2 2 2 , c u y a hoja d e
d a t o s t é c n i c o s s e adjunta. Vc=5Voltios, R=2K.
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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA Ciclo Académico: 2018-2
FACULT/VD DE INGENIERÍA E L É C T R I C A Y E L E C T R Ó N I C A Fecha: 28/11/18
DEPARTAIVIENI'OS A C A D É M I C O S Duración: 1h50'
P r o b l e m a 1.- (7 Puntos)
En el circuito se aplica una señal Vin con 10 mv de amplitud. Si Vout es el voltaje sobre R L ,
hallar:
a) (VDS, ID) (2 ptos.) y Vout (2 ptos.) si el P E I tiene IDSS=5 m A y V G S (off)=-3v.
b) Un juego de nuevos valores para IDSS y V G S (off) para que Vout=-30 mv con V D S - 1 2 V. (3
ptos.)
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P r o b l e m a 2.- (6 Puntos)
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Los profesores
CURSO: _ D I S P O S I T I V O S E L E C T R O N I C O S COD. C U R S O : E E 4 1 1 M, N, O
TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. Ex. PARCIAL EX. FINAL f x ~ EX. SUST.
Fig.1 Fig.2
3. Los MOS de tipo enriquecimiento canal N tienen los siguientes parámetros:
KpRocEso=1uA/v2 y VT=0.8V; (W/L)6=(W/L)4=(W/L)i=0.5 y en los demás (W/L)=50.
a) .- Dibujar en el tiempo V Q I , V02 y V03 (4 ptos.)
b) .- Presentar un bosquejo de las corrientes que pasarían por los M O S : M2, M4 y M6 en
forma gráfica. (2 puntos)
I,..
• o
F i g u r a a. Circuito Figura b. S e ñ a l e s
Los profesores