1.

OBJETIVOS
Objetivos generales:
 Analizar aplicaciones de termistores y fotorresistencias, utilizando
circuitos divisores de voltaje y puente de Wheatstone.
Objetivos específicos:
 Entender el uso y aplicaciones de termistores y fotorresistencias
 Analizar experimentalmente las propiedades de una fotorresistencia, y
conocer su funcionamiento.

2. RESUMEN

En la Parte I de esta experiencia vamos a estudiar las propiedades de los termistores,

haciendo medidas directas con el ohmímetro, para eso utilizaremos una sonda
térmica, que será puesta en contacto al termistor a la vez que el ohmímetro está
conectado a las patillas de componente, este mismo proceso lo haremos a una
temperatura distinta al ambiental.

Figura_5.1 Figura_5.2
La medida indirecta del valor de la resistencia del termistor a diferentes
temperaturas, lo logramos armando el circuito de la figura_5.1 para ello
utilizaremos la teoría de divisor de voltaje, una vez registrado el valor de los
voltajes 𝑉𝐴𝐵 y 𝑉𝐵𝐶 , procedemos a calcular la proporción del voltaje con la
𝑉
resistencia quedando 𝑅𝑡 = ( 𝐵𝐶⁄𝑉 ) × 𝑅1 .
𝐴𝐵
Como parte de otra medición indirecta utilizamos un puente de Wheatstone, el
objetivo es balancear el puente con ayuda de un potenciómetro, hasta obtener el
𝑅
𝑉𝐴𝐵 = 0, esto genera que utilicemos la proporción ( 1⁄𝑅 ) 𝑅4 = 𝑅𝑡 para
3
encontrar el valor de la resistencia del termistor, la resistencia 𝑅4 es el valor que
le demos al potenciómetro.
En la Parte II vamos a analizar lo anteriormente expuesto, pero utilizando la
fotorresistencia 𝑅𝑓 . Para esto no es necesario utiliza una sonda térmica, pero sería
muy provechoso utilizar un medido de la luz. Para esta labor se utilizará la
Figura_5.3 y la Figura_5.4
 Figura_5.3 Figura_5.4
3. TAREA

En la siguiente hoja se adjuntará la tarea entregada previamente.

 4. FUNDAMENTO TEÓRICO

Termistor: Es un sensor de temperatura por resistencia. Su principio físico en el

que se basa en la variación de la resistividad que presenta un semiconductor con
respecto a la temperatura.
Existen 2 tipos de termistores:
 NTC: Coeficiente de temperatura negativo
 PTC: Coeficiente de temperatura positivo

Principio Físico. - Esto ocurre debido a la propiedad del enlace químico de los
electrones en los materiales semiconductores. En esos materiales los electrones de
valencia están conectados con enlaces covalentes, cuando aumente la temperatura
en el semiconductor, las vibraciones rompen esos enlaces y liberan algunos
electrones. Como los electrones ya no están conectados a átomos específicos son
capaces de responder a campos eléctricos aplicados al material, es así como esos
electrones sumados a la corriente que circula por el semiconductor y el material
parecen tener menos resistencia

Fotorresistencia: Es un componente electrónico cuya resistencia disminuye con el

aumento de intensidad de luz incidente.

Principio Físico.- Su funcionamiento se basa en el efecto fotoeléctrico. Un fototransistor

está hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la
luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por las
elasticidades del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para saltar
la banda de conducción.
Termocupla: es un transductor formado por la unión de dos metales distintos que
produce una diferencia de potencial muy pequeña (del orden de los milivoltios) que es
función de la diferencia de temperatura entre uno de los extremos denominado
«punto caliente» o «unión caliente» o de «medida» y el otro llamado «punto frío» o
«unión fría» o de «referencia».
5. EQUIPO
 Fuente DC
 Multímetro
 Termistor
 Fotorresistencia
 Resistencias
 Potenciómetro
 Cables

6. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
Parte 1

Parte 2

7. HOJA DE DATOS
La hoja de datos se adjuntará en la siguiente hoja.
 8. CÁLCULOS Y TABLAS

Parte I Termistores Paso 1.- Medida Directa

Temperatura Resistencia Escala
26°C 5.250KΩ 200K
31°C 3.902 KΩ 200K
Tabla_8.1
Como podemos notar, cuando la temperatura aumento el valor de la resistencia ha
disminuido, por eso dándole un vistazo a la teoría podemos concluir que este termistor
tiene un coeficiente de temperatura negativa (NTC)
Paso 2 Medida Indirecta
Para armar los circuitos de este experimento necesitamos las siguientes resistencias.
Resistencia Valor nominal Valor real
R1 100 KΩ 99.1 KΩ
R2 100 KΩ 98.3 KΩ
R4 5.96 KΩ
Tabla_8.2
En los cálculos utilizare los valores reales de estas resistencias con el objetivo de obtener
datos experimentales más precisos. Seguidamente, utilizando la figura_5.1 obtuve los
voltajes medidos por los extremos.
R1 =99.1KΩ 𝑽𝟏 𝑽𝒕 Temperatura
𝑇𝑎𝑚𝑏𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 9.69V 0.517V 26°C
𝑇𝑐𝑜𝑟𝑝𝑜𝑟𝑎𝑙 9.56V 0.354V 31°C
Tabla_8.3
En vista de que los voltajes son proporcionales a las resistencias sobre las cuales fueron
calculadas, podemos hallar el valor de la resistencia del termistor utilizando la siguiente
ecuación:
o Temperatura: 26°C (temperatura ambiente)

𝑉 0.517𝑉
𝑅𝑡 = ( 𝑡⁄𝑉 ) × 𝑅1 = × 99.1𝐾Ω = 𝟓. 𝟐𝟗𝑲Ω
1 9.69𝑉
Comparando este resultado con el de la Tabla_8.1 para esta temperatura, tenemos el
siguiente porcentaje de error relativo.
|𝑅𝑀𝐷 − 𝑅𝑀𝐼 | |𝟓. 𝟐𝟓𝟎 − 5.29|
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100% = × 100% = 0.76%
𝑅𝑀𝐷 5.25
o Temperatura: 31°C (temperatura corporal)

𝑉 0.354𝑉
𝑅𝑡 = ( 𝑡⁄𝑉 ) × 𝑅1 = × 99.1𝐾Ω = 𝟑. 𝟖𝟏𝑲Ω
1 9.56𝑉
Comparando este resultado con el de la Tabla_8.1 para esta temperatura, tenemos el
siguiente porcentaje de error relativo.
|𝑅𝑀𝐷 − 𝑅𝑀𝐼 | |3.902 − 3.81|
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100% = × 100% = 𝟐. 𝟑𝟔%
𝑅𝑀𝐷 3.902
Ahora analizamos los resultados cuando ponemos una resistencia de R1 =50.06KΩ
R1 =50.06KΩ 𝑽𝟏 𝑽𝒕 Temperatura
𝑇𝑎𝑚𝑏𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 1.932V 0.230V 26°C
𝑇𝑐𝑜𝑟𝑝𝑜𝑟𝑎𝑙 9.21V 0.681V 31°C
Tabla_8.4
En vista de que los voltajes son proporcionales a las resistencias sobre las cuales fueron
calculadas, podemos hallar el valor de la resistencia del termistor utilizando la siguiente
ecuación:
o Temperatura: 26°C (temperatura ambiente)

𝑉 0.230𝑉
𝑅𝑡 = ( 𝑡⁄𝑉 ) × 𝑅1 = × 50.06𝐾Ω = 𝟓. 𝟗𝟔𝑲Ω
1 1.932𝑉
Comparando este resultado con el de la Tabla_8.1 para esta temperatura, tenemos el
siguiente porcentaje de error relativo.
|𝑅𝑀𝐷 − 𝑅𝑀𝐼 | |5.25 − 5.96|
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100% = × 100% = 𝟏𝟑. 𝟓𝟐%
𝑅𝑀𝐷 5.25
o Temperatura: 31°C (temperatura corporal)

𝑉 0.681𝑉
𝑅𝑡 = ( 𝑡⁄𝑉 ) × 𝑅1 = × 50.06𝐾Ω = 𝟑. 𝟕𝟎𝑲Ω
1 9.21𝑉
Comparando este resultado con el de la Tabla_8.1 para esta temperatura, tenemos el
siguiente porcentaje de error relativo.
|𝑅𝑀𝐷 − 𝑅𝑀𝐼 | |3.902 − 3.7|
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100% = × 100% = 𝟓. 𝟏𝟖%
𝑅𝑀𝐷 3.902
Paso 3 Otra forma de medición indirecta del valor de la resistencia del termistor es,
utilizando el puente de Wheatstone de la Figura_8.2 para este paso utilizaremos las
resistencias R1 y R2 de la Tabla_8.2.

𝑹𝟒 Temperatura
5.96KΩ 26°C
3.683KΩ 33°C
Tabla_8.5
Los pasos para estos cálculos son los siguientes, resolver la condición del puente
balaceado, con los valores medidos de R1, R3 y R4.
o Temperatura: 26°C (temperatura ambiente)
 𝑅 99.1𝐾Ω
𝑅𝑡 = ( 1⁄𝑅 ) × 𝑅4 = × 5.96𝐾Ω = 𝟔. 𝟎𝟎𝟖𝑲Ω
2 98.3𝐾Ω
Comparando este resultado con el de la Tabla_8.1 para esta temperatura, tenemos el
siguiente porcentaje de error relativo.
|𝑅𝑀𝐷 − 𝑅𝑀𝐼 | |5.25 − 6.008|
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100% = × 100% = 𝟏𝟒. 𝟒𝟒%
𝑅𝑀𝐷 5.25
o Temperatura: 33°C (temperatura corporal)

𝑅 99.1𝐾Ω
𝑅𝑡 = ( 1⁄𝑅 ) × 𝑅4 = × 3.683𝐾Ω = 𝟑. 𝟕𝟏𝟑𝑲Ω
2 98.3𝐾Ω
Comparando este resultado con el de la Tabla_8.1 para esta temperatura, tenemos el
siguiente porcentaje de error relativo.
|𝑅𝑀𝐷 −𝑅𝑀𝐼 | |3.902−3.713|
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100% = × 100% = 𝟒. 𝟖𝟒%
𝑅𝑀𝐷 3.902

Parte II Fotorresistencia
Paso 4 Estos son los resultados al medir la fotorresistencia directamente con el
Ohmímetro, haciendo variar la intensidad de la luz a la que se encuentra expuesta.
Luz Resistencia
Oscuro 2MΩ
Ambiente 83.2kΩ
Tabla_8.6
Paso 5 Medida Indirecta
Utilizando la Figura_5.3 obtuvimos los siguientes valores de voltajes, estos valores nos
ayudaran a encontrar el valor de la fotorresistencia.
R=4.962KΩ 𝑽𝟏 𝑽𝒇
Oscuro 39mV 10.14V
Ambiente 680mV 9.53V
Tabla_8.7
Pusimos dos condiciones de luminosidad estables, la oscuridad la obtuvimos tapando la
fotocelda con el dedo.
o Oscuro

𝑉 10.14𝑉
𝑅𝑓 = ( 𝑓⁄𝑉 ) × 𝑅1 = × 4.962𝐾Ω = 1.3𝑴Ω
1 39𝑚𝑉
Comparando este resultado con el de la Tabla_8.6, tenemos el siguiente porcentaje de
error relativo.
|𝑅𝑀𝐷 − 𝑅𝑀𝐼 | |2 − 1.3|
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100% = × 100% = 𝟑𝟓%
𝑅𝑀𝐷 2
 o Luz ambiente

𝑉 9.53𝑉
𝑅𝑡 = ( 𝑓⁄𝑉 ) × 𝑅1 = × 4.962𝐾Ω = 69.54𝑲Ω
1 680𝑚𝑉
Comparando este resultado con el de la Tabla_8.6, tenemos el siguiente porcentaje de
error relativo.
|𝑅𝑀𝐷 − 𝑅𝑀𝐼 | |83.92 − 69.54|
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100% = × 100% = 𝟏𝟕. 𝟏𝟒%
𝑅𝑀𝐷 83.92
La siguiente tabla muestra los valores de voltajes para otro valor de resistencia
R=9.93KΩ 𝑽𝟏 𝑽𝒇
Oscuro 0.102V 10.08V
Ambiente 1.28V 8.91V
Tabla_8.8
Pusimos dos condiciones de luminosidad estables, la oscuridad la obtuvimos tapando la
fotocelda con el dedo. Esta vez para una resistencia de valor nominal de 10kΩ, localizada
como se muestra en la figura_8.3 para el divisor de voltaje

o Oscuro

𝑉 10.08𝑉
𝑅𝑓 = ( 𝑓⁄𝑉 ) × 𝑅1 = × 9.93𝐾Ω = 1𝑴Ω
1 0.102𝑉
Comparando este resultado con el de la Tabla_5.6, tenemos el siguiente porcentaje de
error relativo.
|𝑅𝑀𝐷 − 𝑅𝑀𝐼 | |2 − 1|
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100% = × 100% = 𝟓𝟎%
𝑅𝑀𝐷 2
o Luz ambiente

𝑉 8.91𝑉
𝑅𝑡 = ( 𝑓⁄𝑉 ) × 𝑅1 = × 9.93𝐾Ω = 69.12𝑲Ω
1 1.28𝑉
Comparando este resultado con el de la Tabla_8.6, tenemos el siguiente porcentaje de
error relativo.
|𝑅𝑀𝐷 − 𝑅𝑀𝐼 | |83.62 − 69.12|
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100% = × 100% = 𝟏𝟕. 𝟑𝟒%
𝑅𝑀𝐷 83.62
Paso 6
Intensidad luminosa 𝑹𝟒
Oscuro 1.4MΩ
Ambiente 83.6KΩ
Tabla_8.9
Los pasos para estos cálculos son los siguientes, resolver la condición del puente
balanceado, con los valores medidos de R1, R3 y R4.
o Oscuro

𝑅 9.93𝐾Ω
𝑅𝑡 = ( 1⁄𝑅 ) × 𝑅4 = × 1.4𝑀Ω = 1.4𝑴Ω
2 9.92𝐾Ω
Comparando este resultado con el de la Tabla_5.6, tenemos el siguiente porcentaje de
error relativo.
|𝑅𝑀𝐷 − 𝑅𝑀𝐼 | |2 − 1.4|
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100% = × 100% = 30%
𝑅𝑀𝐷 2
o Ambiente

𝑅 9.93𝐾Ω
𝑅𝑡 = ( 1⁄𝑅 ) × 𝑅4 = × 83.6𝐾Ω = 𝟖𝟑. 𝟔𝟖𝑲Ω
2 9.92𝐾Ω
Comparando este resultado con el de la Tabla_5.1 para esta temperatura, tenemos el
siguiente porcentaje de error relativo.
|𝑅𝑀𝐷 − 𝑅𝑀𝐼 | |83.62 − 83.68|
𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = × 100% = × 100% = 𝟎. 𝟎𝟕𝟐%
𝑅𝑀𝐷 83.62
9. DISCUSIÓN DE RESULTADOS
Parte 1

Discusiones y Observaciones. - Por los resultados obtenidos de los errores porcentuales

podemos notar que, cuando usamos una resistencia de menor valor, los resultados
obtenidos para 𝑅𝑡 son muy cercanos a los valores medidos directamente, esto se debe a
que el valor de dicha resistencia se encuentra en el rango del valor del termistor.
Parte 2
Discusiones y Observaciones. – En este parte del experimento se presentan varios
inconvenientes. Uno de estos inconvenientes es que cuando trabajas con la
fotorresistencia el valor de la resistencia oscura es de orden Megas y nunca se queda
estable al parecer sigue subiendo, en este caso pasa esto por que por el dedo aun se filtra
la luz.
También se obtuvo errores un poco grandes por lo mismo de la magnitud trabajada de 1
M.
10. CONCLUSIONES
 En esta experiencia reconocimos la diferencia entre los dos tipos de termistores y
al trabajar con ella se percibió la sensibilidad que tiene dicho componente al
cambio de temperatura.
 Los resultados obtenidos en el experimento del termistor son satisfactorios ya
que los errores relativos son pequeños aun trabajando con resistencias de orden
kilo.
 Al trabajar con el fotorresistor tenemos una toma de datos aceptable ya que el
error cuando el fotorreceptor recibe luz es de 17.34% y 0.072% el único
problema es que nuestros datos se alejan un poco cuando se trabaja en oscura ya
que la resistencia crece mucho y es del orden mega.

 Estos dos componentes electrónicos resultaron ser muy versátiles y sus

propiedades las hacen formar parte de muchas actividades cotidianas del
hombre.

11. REFERENCIAS
1.-INTRODUCCIÓN AL ANALISIS DE CIRCUITOS. Robert Boylestad,
2003. Prentice hall
2.-ELECTRÓNICA BASICA PARA CIENTIFICOS, James Brophy.1979,
Editorial Reverte. Circuitos de corriente continua, circuitos equivalentes

3.- ELECTROTECNIA, Santamaría,, Santillana, Lima 1997, pág. 46