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UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO

ABAD DEL CUSCO


FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA,
INFORMÁTICA Y MECÁNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

“SEMINARIO DE TESIS”

CURSO: LABORATÓRIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I


GRUPO: JUEVES DE 13-15 HORAS
ALUMNOS:
1) YEFER TONY SÁNCHEZ CÁCERES 093869
2) CARLOS FRANCISCO CHULLA MONTES 104148
3) YHORDY ROLARDO MENDOZA

DOCENTE: ING. JORGE CHINCHIHUALPA GONZALES

JUNIO 2018
CUSCO-PERÚ
INFORME FINAL
1. ADJUNTAR LA HOJA DE DATOS EXPERIMENTALES VISADA POR EL
DOCENTE.
2. EN BASE A LAS TABLAS N° 1 Y 2, DIBUJAR EL ENCAPSULADO DEL
DIODO E INDICAR SU ÁNODO Y CÁTODO.

Figura N°1: Representación del diodo

3. TABULAR Y GRAFICAR EN UN SOLO PAPEL MILIMETRADO LAS DOS


REGIONES DE POLARIZACIÓN DEL DIODO PARA OBTENER SU CURVA
CARACTERÍSTICA I-V. USAR DOS TIPOS DE ESCALAS DE CORRIENTE,
UNA EN mA PARA LA REGIÓN DIRECTA Y EN µA PARA LA REGIÓN
INVERSA. USAR DATOS DE LA TABLA N° 3 Y 4.

Tabla N° 1: Tensiones y Corriente Obtenido en mA y µA

V laboratorio (V) I laboratorio (mA) I (mA) P.D. I (µA) P.I.


0.200 0 0 0
0.300 0 0 0
0.400 0 0 0
0.500 0 0 0
0.550 0 0 0
0.608 11 11 0
0.650 13 13 0
0.700 21 21 0
0.757 23 23 0
Grafico N°1: I-V de acuerdo a la tabla 1

I-V
25 23
21

20

15 13
11
I (mA)

10

0 0 0 0 0
0
-1.000 -0.800 -0.600 -0.400 -0.200 0.000 0.200 0.400 0.600 0.800 1.000

-5

V (V)

I-V
1 23 25
21
0.9
20
0.8

0.7
13 15
0.6 11
I (mA)

0.5 10

0.4
5
0.3
0 0 0 0 0
0.2
0
0.1

0 -5
-1.000 -0.800 -0.600 -0.400 -0.200 0.000 0.200 0.400 0.600 0.800 1.000
V (V)
4. PARA LA CURVA CARACTERÍSTICA OBTENIDA ANTERIORMENTE,
INDICAR PARA EL VALOR DE V=0.72 V EL VALOR DE LA RESISTENCIA
ESTÁTICA Y DINÁMICA.
𝑉𝐷
𝑅𝑒𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑐𝑎 = … … … … … … … … … … … … … … … … . . (1)
𝐼𝐷

0.72 𝑉
𝑅𝑒𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑐𝑎 = = 32.73 Ω
22 ∗ 10−3 𝐴

Para hallar la corriente dinámica en el la zona de operación para el voltaje de


𝑉 = 0.72 𝑉 se elige la corriente de 22 ∗ 10−3 𝐴 y se elige una variación de
corriente de 1 ∗ 10−3 𝐴 por encima y debajo de la corriente del diodo
especificada, entonces para 21 ∗ 10−3 𝐴 se tiene 0.700 𝑉 y para 23 ∗ 10−3 𝐴 se
tiene 0.757 𝑉

∆𝑉𝑑 26 𝑚𝑉
𝑅𝑑𝑖𝑛𝑎𝑚𝑖𝑐𝑎 = = … … … … … … … … … … … … … … … … (2)
∆𝐼𝑑 𝐼𝐷

(0.757 − 0.700)𝐴
𝑅𝑑𝑖𝑛𝑎𝑚𝑖𝑐𝑎 = = 28.50 Ω
(23 − 21) ∗ 10−3 𝐴

5. TENIENDO EN CUENTA QUE LA RESISTENCIA PROMEDIO 𝒓𝑨𝑽 DE UN


DIODO ES DEFINIDO ENTRE DOS PUNTOS DE TRABAJO Y ASUMIENDO
QUE DICHOS PUNTOS SON: V1=0.62 V y V2=0.72 V; ENTONCES USANDO
LA CURVA CARACTERÍSTICA OBTENIDA EXPERIMENTALMENTE,
MODELAR EL DIODO PARA EL CASO QUE TENGA UNA FUENTE 𝑽𝑻 , UNA
RESISTENCIA 𝒓𝑨𝑽 Y UN DIODO IDEAL. NOTA: ASUMIR 𝑽𝑻 COMO UNA
PROLONGACIÓN DE LA RECTA DE CONDUCCIÓN QUE CORTA AL EJE DE
LAS ABSCISAS.
∆𝑉𝑑
rAV = | … … … … … … … … … … … … … … … . . (3)
∆𝐼𝑑 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑎 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜

La resistencia promedio que nos pide seria:

𝑉𝑇
rAV = | … … … … … … … … … … … … … … … . . . (4)
∆𝐼𝑑 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜 𝑎 𝑝𝑢𝑛𝑡𝑜

Entonces:
(0.72 − 0.62) 𝑉
rAV =
∆𝐼𝑑

Resultando una gráfica parecida a:

Figura N°2: Modelado del diodo

La resistencia promedio de nuestra experiencia es:

(0.757 − 0.200) 𝑉
rAV = = 46.42 𝑚Ω
(23 − 11) ∗ 10−3 𝐴

Grafico N°2: I-V

25 I-V 23
21
20

15 13
11
10
I (mA)

5
0 0 0 0 0
0
0.000 0.200 0.400 0.600 0.800
-5
V (V)
6. ¿AUMENTA O DISMINUYE LA RESISTENCIA DINÁMICA DE UN DIODO AL
DISMINUIR LA INTENSIDAD DE CORRIENTE DEL PUNTO DE TRABAJO
DEL DIODO? CONTESTE ESTA PEGUNTA ANALIZANDO LA PENDIENTE
DE LA CURVA EXPERIMENTAL OBTENIDA EN LOS DIFERENTES PUNTOS
DE TRABAJO.
Observando la gráfica y comparando con la ecuación de (2) se concluye que la
resistencia dinámica aumenta al disminuir la intensidad de corriente en el
punto de trabajo

Grafico N°3: I-V para el análisis de la resistencia dinámica

25 I-V 23
21
20

15 13
11
10
I (mA)

5
0 0 0 0 0
0
0.000 0.200 0.400 0.600 0.800
-5
V (V)
7. INDICAR UN VALOR APROXIMADO DE LA RESISTENCIA QUE PRESENTA
EL DIODO POLARIZADO INVERSAMENTE.
En polarización inversa el voltaje del diodo es 𝑉𝐷 < 0, pero la corriente de
saturación en inversa es tan pequeña que puede ser aproximada a 0 𝑚𝐴,
tenemos la misma equivalencia de circuito abierto provista por el interruptor
abierto. En conclusión, la resistencia del diodo en polarización inversa es:

𝑉𝐷
𝑹𝒑𝒐𝒍𝒂𝒓𝒊𝒛𝒂𝒄𝒊𝒐𝒏 𝒊𝒏𝒗𝒆𝒓𝒔𝒂 = =∞Ω
𝐼𝐷

8. EXPLICAR POR QUE APARECE LA CORRIENTE INVERSA DE


SATURACIÓN.
Si se aplica un potencial externo de V volts a través de la unión p-n con la terminal
positiva conectada al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p
como se muestra en la figura 3, el número de iones positivos revelados en la
región de empobrecimiento del material tipo n se incrementará por la gran
cantidad de electrones libres atraídos por el potencial positivo del voltaje
aplicado. Por las mismas razones, el número de iones negativos no revelados
se incrementará en el material tipo p. El efecto neto, por consiguiente, es una
mayor apertura de la región de empobrecimiento, la cual crea una barrera
demasiado grande para que los portadores mayoritarios la puedan superar, por
lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce efectivamente a cero, como
se muestra en la figura 3a.

Figura N°3: Polarización inversa del diodo


9. INDICAR ALGUNOS PUNTOS Y O SUGERENCIAS
a) Se sugiere hacer una clase introductoria de los temas a experimentar antes
de comenzar con las experiencias.
b) Trabajar con dos multímetros sería lo más indicado dado que teníamos que
medir la tensión y la corriente del circuito y de la fuente.
c) La especificación de cada dispositivo DIODO lo podemos indagar en
DATASHEET en la Internet.

10. INDICAR ALGUNAS CONCLUSIONES


a) Para el caso de la resistencia estática, cuanto mayor sea la corriente a través
del diodo, menor será el nivel de la resistencia estática.
b) Para el caso de la resistencia dinámica, cuanto más bajo este el punto de
operación (menor corriente o menor voltaje), más alta será la resistencia
dinámica.
c) Para el caso de la resistencia promedio, cuanto más bajo sea el nivel de
corrientes utilizadas para hallar la resistencia promedio, más bajo será el
nivel de resistencia.
d) Existen variedades de diodos, como los diodos Zener, Varicap,etc.
Dependiendo del para el cual se necesita.