Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
I. OBJETIVOS
Obtener experimentalmente el contenido armónico de la corriente de drenado del transistor de
efecto de campo (FET)
1. Diseñar la red de polarización del GATE determinando los valores de RB y CB, tal que CB se cargue al valor
pico de v1(t) (frecuencia del generador = 255kHz MHz)
Para la fuente:
V1cos(Wot)
Y la f0 = 455 KHz.
Carga de Cb:
ReCe=1/455x1000 Hz = 2.2x10−6s
Rb gran valor para virtual:
Rb = 1MΩ
Cb = 100pF
2. Determinar una expresión general v0(t) en resonancia asumiendo los datos de la bobina y un QT alto (datos
del transistor son conocidos).
Se sabe que v0(t) depende de la relación entre V1 y VP. Esta relación podemos resumirla en tres casos.
VP
I DSS
2
V1
ID
2
2 VP V1 2 VP V1 V1 cos wo t (1 cos 2 wo t )
VP 2
I DSS
2 2
V1 V1
I D 2 VP V1 2 VP V1 V1 cos wo t
2
cos 2wo t
VP 2 2
I D I o I1 cos wo t I 2 cos 2wo t
Vp V1 V1
2 I DSS
I1
V p2
I' I N1
1 I' I1
N1 N 3 N3
N1
vo (t ) I1 RL cos wo t
N3
N1 2 I DSS
2 P
vo (t ) V V1 V1 RL cos wo t
N 3 VP
N1 I
vo (t ) DSS RL cos wo t
N3 2
V V
cos1 P 1
V1
In
iD I P cos wo t I o I1 cos wo t I 2 cos 2wo t ...
n 0 I P
Donde :
3
I o 1 4 sin 2 2 cos 2
IP 1 cos
2
sin 2 sin 4
I2 2 4 6 48
IP 1 Cos
2
I1 2 4 n sin n n 1 n 2 sin n cos n 3n sin n 2
2
IP
n n 2
1 n 2
4 1 cos
2
3 1
sin sin 3 cos
N1 2 I DSS 4 12
vo (t ) RL cos wo t
N3 1 cos
3. Especificar los métodos para determinar los parámetros del FET(uno para determinar experimentalmente
VP y el otro para IDSS). Explicar en forma clara y concisa.
a) Determinación de IDSS.-
Para VGS = 0.
Se aumenta VDD hasta que ID alcance su nivel de saturación, esto es IDSS.
Vmeter VGS 0
I DSS
RD
b) Determinación de Vp.-
En VDD = 15V.
Variar Vgg_var haasta IDSS = 0.
V p VGS I D 0
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
Lima – Perú
2018
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
Lima – Perú
2018
Lima – Perú
2018