Laboratorio JFET

OBJETIVOS:

 Analizar el comportamiento del transistor FET en circuitos de polarización.

 A partir de las mediciones obtenidas, comparar los resultados teóricos con los
resultados prácticos.

 Utilizar herramientas de simulación para analizar el comportamiento de los circuitos

implementados.

Marco Teórico

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura

o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como
interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje.
Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G)
y fuente (S).
A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por un
voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través
de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando
una tensión eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece
resistencia al paso de la corriente eléctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S
cuando la tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (región de saturación), pero
cuando esta tensión aumenta en módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre los
terminales D y S crece, entrando así en la región óhmica, hasta determinado límite cuando
deja de conducir y entra en corte. La gráfica de la tensión entre los terminales D y S (VDS) en
el eje horizontal contra la corriente del terminal D (ID o corriente de drenaje) es una curva
característica y propia de cada JFET.
Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente en el orden
de1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable respecto a los componentes
o circuitos externos conectados a su terminal de puerta.
Amplificadores de fuente común

El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal

semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.

Está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con
impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidad entre sí. Los terminales
de este tipo de transistor se llaman:

Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se

conoce. La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado
delos electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) Fuente(S). Ver el
gráfico.

La curva característica del FET

Este gráfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador -fuente), para un
Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumentará pidamente (se comporta como una
resistencia) hasta llegar a un punto A(voltaje de estricción), desde donde la corriente se
mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la región de disrupción o
ruptura), desde donde la corriente aumenta rápidamente hasta que el transistor se
destruye.
Simulación proteus
Preguntas

Que es un transistor fet?

Durante su funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el

flujo de corriente a través del dispositivo.

Cuál es el funcionamiento principal de un JFET?

Ensanchamiento y estrechamiento de un canal semiconductor a partir del aumento o

disminución del ancho de la región de carga espacial de la juntura generada a ambos
lados del canal.

A que se debe que el circuito equivalente del JFET, el circuito de entrada(terminal

de puerta), se deja abierto?

La resistencia de entrada es muy elevada

Es preferible usar un canal de tipo n o tipo p? Por qué?

Tipo n, porque para una tensión determinada el flujo de electrones es más rápido que el
de huecos.

Por qué es mayor el estrechamiento del canal cerca del drenador?

Al encontrarse a un potencial mayor, en valor absoluto, que la fuente.

Bibliografía

https://es.scribd.com/doc/97985212/Amplificador-Fuente-Comun

https://es.wikipedia.org/wiki/JFET

https://unicrom.com/fet-de-juntura-o-jfet-transistor-efecto-de-campo/

http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/JFET.html

http://ingeniatic.euitt.upm.es/index.php/tecnologias/item/636-transistor-jfet