UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD 1

ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS, TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

PROGRAMA DE INGENIERÍA

Informe Práctica Electrónica de Potencia Curso 203039

 JAIRO LUIS GUTIERREZ – DIRECTOR DEL CURSO
Cristian Alfonso Jerez Hernández; Código: 91473493; Grupo 6.
Juan Camilo Mercado López Juan Camilo; Código: 1096223039
Luis Iván Amaya Bautista; Código: 1049622597: Grupo 6.
John Alexander Roldan Código: 1088241872; jaroldano@unadvirtual.edu.co ; Grupo 22.
Escuela de Ciencias Básicas Tecnologías e Ingeniería – ECBTI.
Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD.
23 de Mayo de 2017.

III. DESARROLLO DE LA ACTIVIDAD

RESUMEN
El presente documento corresponde al informe sobre el
desarrollo del componente práctico del curso de Electrónica de
potencia, mediante el cual se procura experimentar y ampliar
los conocimientos propuestos de forma teórica en el curso sobre
los semiconductores de potencia y sus circuiros de disparo.
Practica llevada a cabo en las instalaciones de la sala CISCO
del CEAD Bucaramanga de la UNAD.
I. INTRODUCCIÓN
El presente trabajo contiene la evidencia del desarrollo de las
de las actividades requeridas para el componente práctico del
curso, las cuales están indicadas en la guía de actividades y cuyo
objetivo es desarrollar habilidades de identificaciones,
selección y utilización de circuitos convertidores y
acondicionadores de señales; basados en el uso de
Semiconductores de potencia. Todo esto contextualizado en la
estrategia de aprendizaje basado en proyectos en la cual se
enmarca el curso y que garantiza la asimilación de los
conocimientos propuestos.
II. OBJETIVOS
 Identificar y desarrollar los circuitos de disparo requeridos
para semiconductores de potencia. SCR, MOSFET e IGBT.
 Desarrollar un análisis teórico-práctico sobre el
comportamiento de estos componentes bajo diferentes
voltajes y corrientes de disparo.
 Realizar las actividades prácticas propuestas para
contextualizar el desarrollo de los componentes teóricos del
curso de Electrónica de Potencia.
Materiales estudiantes.
 Todos los componentes electrónicos de cada circuito.
 Protoboard.
 Cables de conexión.
 Pinza y corta frio.
Materiales centro.
 Multímetro.
 Osciloscopio (incluir puntas de prueba).
 Fuente de poder regulada variable. (incluir cables).
 Generador de señal. (incluir cables).
PROCEDIMIENTO
1. El estudiante debe inscribirse para realizar las prácticas a
través del aplicativo de oferta integrada de laboratorios en
campus virtual
http://academia.unad.edu.co/laboratorios/programacion.
2. El intervalo de tiempo para desarrollar la práctica es
informado en el momento que el estudiante se inscribe por
el Aplicativo Oferta Integrada de Laboratorios - OIL.
3. Es necesario que el estudiante verifique los componentes
electrónicos solicitados en los experimentos, en caso tal
que amerite la realización de cálculos previos por favor
darle cumplimiento, con el fin que puedan adquirir los
elementos antes de ir al centro a realizar la práctica.
4. El producto esperado es la asistencia participación y un
informe final en formato IEEE que el estudiante debe
entregar a su tutor de prácticas.
5. El tutor de prácticas de laboratorio asignado en el centro
orientara y evaluara el desempeño del estudiante. El tutor
deberá reportar la calificación final en el aplicativo de
oferta integrada de laboratorios.
6. Los estudiantes que se les haga imposible asistir a las
prácticas (in-sito presencial) deben informar al tutor de
prácticas asignado en su centro con soportes de justa causa
la razón por la cual no podrán asistir, para que este decida
si le autoriza la realización de la práctica de manera auto
dirigida.
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PRACTICA No.1 CARACTERÍSTICAS DEL SCR 3. Ajuste la corriente de puerta IG = IG1 (valor de corriente de
puerta para disparo No 1) Tal que el voltaje ánodo cátodo
VAK de ruptura en directa VBO este entre 15 y 20V ajústelo
variando R2 y V2.

R3
-0.00
mA 4k

R1 RV2
2k
75
74%

+9.39 +20.0
mA Volts
V2
15V

1. Realice el montaje del circuito de la figura.

Ig=9.3mA SCR aun no conduce - simulador Proteus.

RV1
75
R3
+88.8 28%

mA 4k

R1 RV2
10k R3
-0.01
75
50% mA 4k
U1 R1 RV2
+88.8 SCR +88.8
mA Volts
2k
V2 V1 75
1.5V 2.5V 73%

+9.51 +20.0
mA Volts
V2
15V

Montaje del circuito en el simulador Proteus.

Ig=9.5mA SCR conduce- simulador Proteus.

Para realizar este paso, fue necesario reducir el valor de R2 de

10k a 2k para generar una variación de corriente más baja y así
poder determinar de forma precisa el valor de corriente de
puerta para el disparo del SCR.

Se puede evidenciar entonces que para un voltaje de 15V en V2,

Montaje del circuito practica CEAD Bucaramanga.
2. Lleve a R1 y R2 al valor medio y V1 y V2 al valor mínimo.
un valor de 74% de resistencia para un potenciómetro de 2K, es
decir 1480Ω, una corriente de puerta de 9.3mA, y un voltaje
VAK de 20V; el SCR aún no se encuentra conduciendo. Sin
embargo, al reducir dicho valor de resistencia a 73%, es decir
1460Ω, se obtiene una corriente de perta de 9.5mA y a partir de
allí se evidencia que ya hay paso de corriente en el punto IAK.
Por ende se puede concluir que la corriente de disparo para el
SCR debe ser mínimo de 9.5mA.

Resistencias y fuentes tanto del simulador como de la práctica

en el CEAD en los valores requeridos.
Variación fuente V2 practica CEAD Bucaramanga.
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4. Lentamente varié el valor de V1 en aumentos de 2 voltios

anote el valor del voltaje ánodo cátodo VAK y de la
corriente ánodo cátodo IAK en cada aumento hasta que el
SCR conduzca. ¿Cuál es el valor máximo de VAK antes que
el SCR conduzca?

Voltaje V1 Voltaje VAK Corriente IAK

(V) (V) (mA)
2.5 2.47 0
4.5 4.47 0
6.5 6.47 0
8.5 8.47 0
10.5 10.5 0
12.5 12.5 0
14.5 14.5 0
16.5 16.5 0 𝐼𝑔 = 7𝑚𝐴 ; 𝑉1 = 2.5 𝑉 𝑉𝐴𝐾 = 14.57 𝑉
18.5 18.5 0.01 Practica CEAD Bucaramanga

RV1
75
R3
-0.00 50%

mA 4k

V1
16.5V
+9.51 +16.5
mA Volts

𝐼𝑔 = 7𝑚𝐴 ; 𝑉1 = 4.5 𝑉 𝑉𝐴𝐾 = 14.58 𝑉

Practica CEAD Bucaramanga
Ig=9.3mA SCR aun no conduce- simulador Proteus.

RV1
75
R3
-0.01 50%

mA 4k

V1
18.5V
+9.51 +18.5
mA Volts

Ig=9.3mA SCR aun no conduce- simulador Proteus. 𝐼𝑔 = 7𝑚𝐴 ; 𝑉1 = 8.4 𝑉 𝑉𝐴𝐾 = 14.47 𝑉
Practica CEAD Bucaramanga
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5. Asegúrese que el SCR está en estado de conducción. Pregunta: ¿Qué crees que va a pasar en el circuito de la figura
1 si se dispara el SCR, y luego se reduce la corriente de puerta
6. Inicie reduciendo el voltaje VAK en decrementos de 2 a cero de nuevo?
voltios, revise el estado del SCR al estar apagada la fuente
V 2. A medida que la corriente de puerta tiende a cero, la corriente
IAK re reducirá tendiendo a cero también evidenciado que el
VGS =VGS1=VTH SCR deja de conducir.
VDS V IDS (mA)
𝟎𝑽 𝟎 Pregunta: ¿Qué observas ahora que repentinamente usted
𝟏𝑽 𝟎. 𝟎𝟕 aumenta y reduce la corriente de puerta?
𝟐𝑽 𝟎. 𝟐𝟖
𝟑𝑽 𝟎. 𝟓𝟐 Como ya se concluyó en el punto anterior al reducir la corriente
𝟒𝑽 𝟎. 𝟕𝟒 de puerta el SCR dejara de conducir paulatinamente, sin
𝟓𝑽 𝟎. 𝟗𝟔 embargo al aumentar dicha corriente de puerta cerca al punto
𝟔𝑽 𝟏. 𝟐𝟎 de disparo se notaran corrientes de fuga dado la cercanía del
𝟕𝑽 𝟏. 𝟒𝟐 dispositivo a su punto de conducción.
8V (max) 𝟏. 𝟔𝟓

PRACTICA No.2: CARACTERÍSTICAS DEL MOSFET

RV1
75
R3
-0.01 50%

mA 4k

V1
16V
+16.0
Volts

VKA=16V IAK=0.01mA - simulador Proteus

RV1
75
R3
-0.00 50%

mA 4k

V1
14V
+14.0
Volts

VKA=14V IAK=0mA - simulador Proteus Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la figura.

Según lo obtenido en la simulación, al reducir el voltaje VKA
RV1
se encuentra el punto de disparo en un voltaje superior a 15V, 4k
R2
siendo que al inducir un voltaje de 16V se obtiene una corriente RV2
+88.8
mA
50%

75
10k
de IAK igual 0.01 mA. R1
50%
75

Q1 V1
7. Desconecte temporáneamente el pin puerta (GATE) y poco IRF740
+88.8
Volts
30V

V2
a poco reducir la tensión de alimentación hasta que la 15V
+88.8
Volts

corriente del SCR repentinamente cae a cero. Tenga en

cuenta el valor de la corriente anterior a cero “este es el
valor de la corriente de mantenimiento IH.

Montaje del circuito ene l simulador Proteus.

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Montaje del circuito practica CEAD Bucaramanga.

𝐕𝐃𝐒 𝐕 = 𝟏 𝑽 𝐈𝐃𝐒 (𝐦𝐀) = 𝟎. 𝟎𝟕
2. Ajuste VGS=10V variando V1, mantenga R1 ligeramente
mayor a ¼ del valor total.

RV2
10k
R1
30%
75

V2 +10.00
10V VGS Volts

𝑽𝑫𝑺 𝑽 = 𝟓 𝑽 𝑰𝑫𝑺 (𝒎𝑨) = 𝟎. 𝟗𝟔

VGS =VGS1=VTH
Determinado el valor de R2 en el 30% de su capacidad, es decir
VDS V IDS (mA)
3k, y el valor de VGS en 10V.
𝟎𝑽 𝟎
𝟏𝑽 𝟎. 𝟎𝟕
3. Cambie el valor de VGS variando el valor de V2. 𝟐𝑽 𝟎. 𝟐𝟖
(mantenga R2 en el valor mínimo) y observe como cae el 𝟑𝑽 𝟎. 𝟓𝟐
valor de IDS cada 0.5V de variación del voltaje VGS. 𝟒𝑽 𝟎. 𝟕𝟒
𝟓𝑽 𝟎. 𝟗𝟔
4. Repita los pasos anteriores para diferentes valores de 𝟔𝑽 𝟏. 𝟐𝟎
VDS2 = 15V. 𝟕𝑽 𝟏. 𝟒𝟐
8V (max) 𝟏. 𝟔𝟓

V1=VDS1 = 10V
Características de drenaje:
1=VDS2 = 15V
VGS V IDS (mA) Ajustar el VG variando el valor de V2 a VTH.
𝟓. 𝟓 𝑽 𝟏. 𝟎𝟗 𝒎𝑨 VGS V IDS (mA)
𝟔. 𝟎 𝑽 𝟏. 𝟐𝟎 𝒎𝑨 5. Variar VDS cambiando el valor de V1 en variaciones de
𝟔. 𝟓 𝑽 𝟏. 𝟑𝟐 𝒎𝑨 𝟗. 𝟓 𝑽 2.13 𝑚𝐴 0.5V y anote el valor de IDS. (hasta que IDS sea constante)
𝟕. 𝟎 𝑽 𝟏. 𝟒𝟐 𝒎𝑨 𝟏𝟎 𝑽 2.21 𝑚𝐴
𝟕. 𝟓 𝑽 𝟏. 𝟓𝟓 𝒎𝑨 𝟏𝟎. 𝟓 𝑽 2.33 𝑚𝐴 6. Repetir los pasos anteriores para diferentes valores de VGS2
𝟖. 𝟎 𝑽 𝟏. 𝟔𝟖 𝒎𝑨 𝟏𝟏 𝑽 2.47 𝑚𝐴 = VTH ± 0.1V.
𝟖. 𝟓 𝑽 𝟏. 𝟕𝟗 𝒎𝑨 𝟏𝟏. 𝟓 𝑽 2.61 𝑚𝐴
𝟗. 𝟎 𝑽 𝟏. 𝟖𝟕 𝒎𝑨 𝟏𝟐 𝑽 2.75 𝑚𝐴
𝟗. 𝟓 𝑽 𝟐. 𝟎𝟐 𝒎𝑨
𝟏𝟎 𝑽 𝟐. 𝟏𝟗 𝒎𝑨
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7. Tabla 3. Tabla 4. Características de transferencia

VGS=VGS2 VGS=VGS2
=VTH± 0.1V =VTH± 0.1V 1. Realice el montaje del circuito de la figura.
VDS V IDS (mA) RV1
R2 10k
VDS V IDS (mA) 0.5 0.35 +88.8 50%

0.5 0.10 Amps 75

1 0.84
1 0.11 Q1
1.5 1.31 RV2
10k
IRG4BC10U

1.5 0.12 R1
2 1.8 75
51%
+88.8

2 0.13 Volts
V1
2.5 2.29 30

2.5 0.14 V2
3 2.76 10
3 0.15
3.5 3.24
3.5 0.16
4 3.75
4 0.17
4.5 4.24
4.5 0.18 Montaje del circuito en el simulador Proteus.
5 0.19
5 4.73
5.5 0.20 5.5 5.22
6 0.21 6 5.7
6.5 0.22 6.5 6.07
7 0.23 7 6.56
7.5 0.24 7.5 7.04
8 0.24 8 7.51

Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son implementados en

aplicaciones de elevadas potencias?
Montaje del circuito practica CEAD Bucaramanga.
Los transistores MOSFET son dispositivos de gran utilidad
y que presentan un bajo consumo, sin embargo el terminal
gate es muy sensible, la capa de óxido es muy delgada y se 2. Inicialmente mantenga V1 y V2 al valor mínimo.
puede perforar y por ende dañar con facilidad el dispositivo; 3. Seleccione el valor de V1=VCE1=10V.
se deben manipular con mucho cuidado, teniendo en cuenta
que se pueden destruir con facilidad si hay alta tensión o hay
4. Lentamente varié V2 (VGE) y anote VGE e IC en cada
electricidad estática. Por esta última razón, no son 0.5V de cambio tenga en cuenta que el VGE máximo debe
implementados en circuitos de lata potencia. ser 8 voltios.

Su funcionamiento está limitado por niveles de tensión, 5. Seleccione el valor de V1=VCE1=10V.

correspondientes a redes de baja tensión y menores 400 𝑉𝑎;.
por lo que son empleados en soluciones de baja y mediana V2=VGE V1 IC
potencia.
𝑽𝟐 𝑽𝑪𝑬 𝑽𝟏 𝑰𝑪
PRACTICA No.3: CARACTERÍSTICAS V-I DEL IGBT
𝟎. 𝟓 𝑽 9.19 𝑉 0.01 𝑚𝐴
𝟏. 𝟎 𝑽 9.19 𝑉 02.5 𝑚𝐴
𝟏. 𝟓 𝑽 9.19 𝑉 07.0𝑚𝐴
𝟐. 𝟎 𝑽 9.19 𝑉 12.5𝑚𝐴
𝟐. 𝟓 𝑽 9.19 𝑉 15.3 𝑚𝐴
𝟑. 𝟎 𝑽 9.19 𝑉 20.9 𝑚𝐴
𝟑. 𝟓 𝑽 9.19 𝑉 14.1 𝑚𝐴
𝟒. 𝟎 𝑽 9.19 𝑉 28 𝑚𝐴
𝟒. 𝟓 𝑽 9.19 𝑉 32.5 𝑚𝐴
𝟓. 𝟎 𝑽 9.19 𝑉 36.6 𝑚𝐴
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6. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y

dibuje la gráfica de VGE vs IC.

V2=VGE V1 IC

𝑽𝟐 𝑽𝑪𝑬 𝑽𝟏 𝑰𝑪
𝟎. 𝟔 𝑽 𝟐. 𝟎 𝑽 𝟎. 𝟎 𝒎𝑨
𝟎. 𝟔 𝑽 𝟒. 𝟎 𝑽 𝟎. 𝟎 𝒎𝑨
𝟎. 𝟔 𝑽 𝟔. 𝟎 𝑽 𝟎. 𝟒𝒎𝑨
𝟎. 𝟔 𝑽 𝟖. 𝟎 𝑽 𝟎. 𝟑𝒎𝑨
𝟎. 𝟔 𝑽 𝟏𝟎. 𝟎 𝑽 𝟎. 𝟑 𝒎𝑨
𝟎. 𝟔 𝑽 𝟏𝟐 𝑽 𝟎. 𝟑 𝒎𝑨

VGE vs IC 0,4
0,3 0,3 0,3
𝑽𝟐 𝑽𝑪𝑬 = 𝟓. 𝟎 𝑽 𝑽𝟏 = 𝟗. 𝟏𝟗 𝑽 𝑰𝑪 = 𝟑𝟔. 𝟔 𝒎𝑨 0,3

IC (A)
0,1 0 0

-0,1 0 5 10 15

VGE (V)
Gráfica de VGE vs IC

𝑽𝟐 𝑽𝑪𝑬 = 𝟏. 𝟎 𝑽 𝑽𝟏 = 𝟗. 𝟏𝟗 𝑽 𝑰𝑪 = 𝟎𝟐. 𝟓 𝒎𝑨

𝑽𝟐 𝑽𝑪𝑬 = 𝟎. 𝟔 𝑽 𝑽𝟏 = 𝟐. 𝟎 𝑽 𝑰𝑪 = 𝟎. 𝟎 𝒎𝑨

𝑽𝟐 𝑽𝑪𝑬 = 𝟎. 𝟔 𝑽 𝑽𝟏 = 𝟏𝟎. 𝟎 𝑽 𝑰𝑪 = 𝟎. 𝟑 𝒎𝑨

𝑽𝟐 𝑽𝑪𝑬 = 𝟑. 𝟓 𝑽 𝑽𝟏 = 𝟗. 𝟏𝟗 𝑽 𝑰𝑪 = 𝟏𝟒. 𝟏 𝒎𝑨
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PRACTICA No.4: 4.1. Montar en el simulador el circuito de la Figura 2. (Anexe

CONTROL DE FASE DE MEDIA ONDA imagen del circuito al informe).
Cuando se pretende desarrollar un control del ángulo de
encendido del SCR partiendo de la misma tensión que alimenta

AC Volts
+88.8
a la carga, es preciso recurrir a circuitos capaces de retardar la
señal de disparo durante un intervalo regulable mientras R1
330
transcurre todo el semiciclo de conducción del dispositivo.
R2 RV1
La configuración más sencilla para conseguirlo se puede
820
materializar utilizando una red desfasadora serie R-C, a cuyos

100%
+88.8
AC Volts
U1
extremos se aplica una fracción de la tensión que ha de estar D1 R3 5k
presente en la carga. La propia naturaleza de la red R-C
820
introduce un desfase variable entre 0° y 90° respecto de la SCR 1N4007
C1
tensión aplicada, pudiéndose conseguir con una adecuada 0.1uF

relación de valores resistencia-capacidad un control pleno de la

corriente por la carga entre los 0° y prácticamente los 180°.

Montaje del circuito en el simulador Proteus.

4.2. Realizar la simulación anexe la gráfica que muestre al

menos 4 ciclos de la tensión entrada V1 y la de la tensión en la
carga RL ¿Que ha notado?

Podemos evidenciar en la gráfica obtenida al simular el circuito

propuesto, que al no obtener un voltaje suficiente, y por ende
no alcanzar la corriente de disparo, para que el SCR pueda
conducir, la señal es la misma que la que se aplica a la entrada
En el circuito de la figura 2 la red desfasadora está formada por del circuito. Esto con un valor de P1 máximo es decir 5K, es
R1 + P1 y C, que tiene aplicada la tensión presente entre ánodo decir un periodo de 0.1667ms
y cátodo del SCR. La señal de control, variable en fase y
amplitud por la acción de P1 se extrae en extremos de C y se
aplica entre puerta y cátodo a través de la resistencia limitadora
R2 y el diodo D1 que previene la descarga de C durante los
semiciclos negativos.

En el análisis del funcionamiento del control debe tenerse

presente que cuando el valor de la reactancia que presenta C es
mucho mayor que el de la resistencia serie asociada con éste R1
+ P1 (P1 al mínimo), el circuito se comporta como capacitivo,
la tensión que se extrae del condensador es máxima y se puede
considerar en fase con la tensión aplicada; la conducción del
SCR se produce casi al inicio de cada semiperiodo positivo. Podemos evidenciar en la gráfica anterior obtenida al simular el
circuito propuesto con un valor de P1 mínimo, para la cual se
obtiene la corriente y voltaje de conducción para el SCR.
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4.3. Observar la tensión de salida para diferentes valores del 4.4. ¿Para qué valor de P1 la potencia entregada a la carga es la
potenciómetro P1. ¿Qué sucede cuando la resistencia mitad de la potencia máxima?
disminuye?

Para un 70% de P1(3.5k) se observa que aún no se alcanza ni la

corriente de disparo no el voltaje requerido para que el SCR se Siendo que la máxima transferencia de potencia para el circuito
encuentra en modo de conducción. se da cuando P1 está en su valor mínimo, tenemos que:

Siendo: 𝑉 = 23.9𝑉
𝐼 = 48𝑚𝐴
Por lo tanto:
𝑃(𝑊) = 𝑉. 𝐼

𝑃 = 23.9𝑉 ∗ 0.0048𝐴 ≅ 0.115𝑊 ≡ 115𝑚𝑊

Por lo tanto, para obtener la mitad de la potencia (57.5𝑚𝑊)

0.0575𝑊 = 23.9𝑉 ∗ 𝐼
Para un 64% de P1(3.2k) se observa que ya se sobrepasó la 0.0575𝑊
corriente mínima de disparo la cual corresponde a 32.2mA; por 𝐼= = 2.4𝑥10−3 𝐴 ≡ 24𝑚𝐴
ende el SCR se encuentra en modo de conducción y en la gráfica 23.9𝑉
se puede observar tanto el periodo como el ángulo de disparo.
Siendo que la corriente mínima de conducción para el SCR es
de 32.5mA; se puede concluir, soportado en la gráfica, que la
mitad de la potencia se entrega a RL cuando P1 vale el 64% de
valor real, es decir 3.2k.

4.5 Calcule los ángulos de disparo y conducción para al menos

Para un 40% de P1(2k) se observa que ya se sobrepasó la
corriente de disparo y por ende el SCR se encuentra en modo
de conducción.
6 valores distintos de P1 Registrar los valores en una tabla.
Utilizar como referencia la Figura 3 y emplear las siguientes
ecuaciones.

Para un 1% de P1(50Ω) se observa la corriente máxima y el

ángulo de disparo mínimo para el SCR. Figura No.6
Ángulo de conducción ⱷt2 = 180º - ángulo de disparo ⱷt1
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Para determinar el ángulo de disparo en cada valor seleccionado IV. CONCLUSIONES

para P1 se tendrán en cuenta los siguientes datos:
Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y puerta. La
𝑓 = 60𝐻𝑧 puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el
1 1 ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un diodo
𝑇= = ≅ 0.01667𝑠 ≡ 16.67𝑚𝑠 rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un
𝑓 60𝐻𝑧
solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la
Por lo tanto, para cuando el potenciómetro trabaja el 100% de puerta del SCR no se inicia la conducción y en el instante en
su capacidad, el SCR no conduce y la señal tiene la misma que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir. El
frecuencia de la onda de entrada; en consecuencia: pulso de disparo ha de ser de una duración considerable, o bien,
repetitivo. Según se atrase o adelante éste, se controla la
Para 𝑃1 = 100% corriente que pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos
16.67𝑚𝑠 360° anular la tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo
hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la
Luego entonces, determinando mediante el osciloscopio de corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el
Proteus el tiempo de disparo para cada uno de los valores SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando
seleccionados tenemos que: en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo
forzado.
Valor 𝑷𝟏 Angulo de Disparo ⱷ𝑡1 Angulo de conducción
% / 𝐦𝐬 16.67𝑚𝑠 → 360° ⱷ𝑡2 = 180º − ⱷ𝑡1 Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo
60% / 4.31 4.31𝑚𝑠 → 93° 180° − 93° = 87° y cátodo de un tiristor, éste puede dispararse y entrar en
50% / 3.73 3.73𝑚𝑠 → 81° 180° − 81° = 99° conducción aún sin corriente de puerta. Por ello se da como
40% / 3.33 3.33𝑚𝑠 → 72° 180° − 72° = 108° característica la tasa máxima de subida de tensión que permite
30% / 3.08 3.08𝑚𝑠 → 67° 180° − 67° = 113° mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al
2.65𝑚𝑠 → 57° condensador parásito existente entre la puerta y el ánodo.
20% / 2.65 180° − 57° = 123°
10% / 2.39 2.39𝑚𝑠 → 52° 180° − 52° = 128°
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia,
en el campo del control, debido a que puede ser usado como
interruptor de tipo electrónico.

V. BIBLIOGRAFIA

Introducción a los sistemas electrónicos de potencia.

Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009). Electrónica de
potencia: convertidores, aplicaciones y diseño (pp. 3-14).
Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reade
r.action?ppg=22&docID=10565530&tm=1482450097688

Angulo de disparo 60% y 40% de P1 Dispositivitos de potencia.

Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009). Electrónica de
potencia: convertidores, aplicaciones y diseño (pp. 445-582).
Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reade
r.action?ppg=464&docID=10565530&tm=1482450513143
Circuitos de disparo.
Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009). Electrónica de
potencia: convertidores, aplicaciones y diseño. (pp. 608-637).
Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reade
r.action?ppg=627&docID=10565530&tm=1482451710573
Angulo de disparo 20% y 10% de P1