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UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD


ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS, TECNOLOGÍA E INGENIERÍA
PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
CURSO ELECTRÓNICA DE POTENCIA GRUPO 203039_29
mavergarac@unadvirtual.edu.co
Miguel Ángel Vergara Cod. 1.116.614.076

RESUMEN:
➢ Cumplir con las actividades practicas
En este documento encontrara el informe sobre el propuestas para a si verificar los
desarrollo del componente práctico del curso electrónica cálculos realizados mediante la teoría.
de potencia, por medio del cual se afianza lo aprendido
a lo largo del curso y adquirir mas conocimientos a partir
de los resultados obtenidos a lo largo del desarrollo de la ➢ Verificar el comportamiento de cada
practica con semiconductores de potencia y sus circuiros uno de los semiconductores con carga y
de disparo. sin carga, y así identificar sus ventajas
PALABRAS CLAVE: semiconductores, circuitos, y desventajas.
potencia, electrónica.
III. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA
Abstract

In this document you will find the report on the Materiales estudiantes.
development of the practical component of the electronic ➢ Todos los componentes electrónicos de cada
power course, through which learning is strengthened circuito.
throughout the course and acquires more knowledge of ➢ Protoboard.
the results obtained throughout the development of the ➢ Cables de conexión.
practice with semiconductors of power and your trip. ➢ Pinza y corta frio.
circuits
Materiales centro.
KEY WORDS: semiconductors, circuits, power, ➢ Multímetro.
electronics. ➢ Osciloscopio (incluir puntas de prueba).
➢ Fuente de poder regulada variable. (incluir
I. INTRODUCCIÓN cables).
➢ Generador de señal. (incluir cables).

En el siguiente trabajo se encontrará el desarrollo


del componente práctico del curso electrónica de
potencia, las cuales están indicadas en la guía de
PROCEDIMIENTO
actividades y cuyo objetivo es desarrollar habilidades de
1. El desarrollo del componente practico del curso
identificaciones, selección y utilización de circuitos
Electrónica de potencia es in-situ y la asistencia es
convertidores y acondicionadores de señales; basados
obligatoria el estudiante debe inscribirse para realizar las
en el uso de Semiconductores de potencia. Todo esto
prácticas a través del aplicativo de oferta integrada de
contextualizado en la estrategia de aprendizaje basado
laboratorios en campus virtual.
en proyectos en la cual se enmarca el curso y que
garantiza la asimilación de los conocimientos
2. El intervalo de tiempo para desarrollar la práctica
propuestos.
es informado en el momento que el estudiante se
inscribe por el Aplicativo Oferta Integrada de
Laboratorios - OIL.
II. OBJETIVOS
3. Es necesario que el estudiante verifique los
➢ Desarrollar cada uno de los circuitos de componentes electrónicos solicitados en los
experimentos, en caso tal que amerite la realización de
semiconductores de potencia SCR, cálculos previos por favor darle cumplimiento, con el fin
MOSFET e IGBT propuestos en la que puedan adquirir los elementos antes de ir al centro a
guía. realizar la práctica.

1
.

4. El producto esperado es la asistencia


participación y un informe final en formato IEEE que el
estudiante debe entregar a su tutor de prácticas.

5. El tutor de prácticas de laboratorio asignado en


el centro orientara y evaluara el desempeño del
estudiante. El tutor deberá reportar la calificación final en
el aplicativo de oferta integrada de laboratorios.

6. Se sugiere usar el software Proteus para realizar


la simulación de circuitos electrónico, lo puede
descargar e instalar la versión de prueba usando el link
que encuentra en el entorno de aprendizaje práctico del 3. Lentamente varié el valor de V2 hasta que el
curso. Es preciso aclarar, que no hay problema si decide SCR conduzca. ¿Qué sucede con el valor del
utilizar cualquier otro simulador. VAK y por qué?

Práctica # 1 Características Del SCR

El valor VAK disminuye a medida que la corriente


aumenta ya que a menor tensión el SCR arranca con el
voltaje que se le inyecta.

4. Asegúrese que el SCR está en estado de


1. Realice el montaje del circuito de la figura.
conducción.

EL SCR se encuentra en conducción

5. Desconecte temporáneamente el pin puerta


(GATE) y poco a poco reducir la tensión V1
hasta que la corriente del SCR repentinamente
cae a cero. Tenga apunte el valor antes anterior
al que la corriente cae a cero “este es el valor
de la corriente de mantenimiento IH.

Pregunta: ¿Qué crees que va a pasar en el circuito si se


dispara el SCR, y luego se reduce la corriente de puerta
a cero de nuevo?

Rta. El SCR deja de conducir, ya que a medida que la


corriente de puerta tiende a cero, la corriente IAK re
reducirá tendiendo a cero también evidenciado que el

Pregunta: ¿Qué observas ahora que repentinamente


usted aumenta y reduce la corriente de puerta?

Rta. Al reducir la corriente de puerta el SCR dejara de


conducir paulatinamente, sin embargo al aumentar dicha
corriente de puerta cerca al punto de disparo se notarán
corrientes de fuga dado la cercanía del dispositivo a su
2. Ajuste V1 de modo tal que el VAK sea punto de conducción.
aproximadamente 15 Voltios.

2
.

Práctica # 2 Características Del MOSFET

3. V2 debe estar en cero voltios ahora cambie el


valor de VGS variando el valor de V2.
(mantenga R2 en el valor mínimo) y observe
como cae el valor de VDS cada 0.5V de
variación del voltaje VGS, llevando VGS a 5V.

4. Repita los pasos anteriores para diferentes


valores con
VDS2 = 12V.
VDS3 = 15V.

Llenar las siguientes tablas.


1. Realice el montaje del circuito de la anterior Voltaje de umbral = 4.6 Vth
figura.
V1=VDS1 = 10V
VGS V IDS (mA)
0v 0mA
1v
2v 0.0mA
3v
4v 0.0mA
5v
6v 1.23mA
7v
8v 1.23mA

V1=VDS2 = 15V o 12V


VGS V IDS (mA)
0v 0mA
1v
2v 0.0mA
3v
4v 0.0mA
4.6v 0.04mA
6v 1.97mA
7v
8v 1.97mA
2. Ajuste VDS=10V variando V1, mantenga R1
ligeramente mayor a ¼ del valor total.

3
.

Características de drenaje: si hay alta tensión o hay electricidad estática. Por esta
última razón, no son implementados en circuitos de lata
potencia.
5. Ajustar el VG variando el valor de V2 a VTH -
threshold voltaje (Voltaje umbral).
Practica # 3: Características V-I Del IGBT
6. Variar VGS cambiando el valor de V2 en
variaciones de 0.5V y anote el valor de IDS.
(hasta que IDS sea constante)

7. Repetir los pasos anteriores para diferentes


valores de VGS2 = VTH ± 0.1V.

8. Llenar las siguientes tablas.

VGS = VGS1 =VTH=4.7


VDS V IDS (mA)
0.5v 0.10mA
1v 0.11mA
1.5v 0.12mA R1= Potenciómetro de 4K y R2 = Potenciómetro de 10K
2v 0.13mA Características de transferencia
2.5v 0.14mA 1. Realice el montaje del circuito de la figura.
3v 0.15mA
3.5v 0.16mA
4v 0.17mA
4.5v 0.18mA
5v 0.19mA
5.5v 0.20mA
6v 0.21mA
6.5v 0.22mA
7v 0.23mA
7.5v 0.24mA
8v 0.24mA

VGS = VGS2 =VTH ±0.1V


VDS V IDS (mA) 2. Inicialmente mantenga V1 y V2 al valor mínimo
0.5v 0.35mA y R1 y R2 a un ½ del valor total.
1v 0.84mA 3. Seleccione el valor de V1 hasta que VCE=10V.
1.5v 1.31mA 4. Lentamente varié V2 (VGE) y anote VCE e IC
2v 1.8mA en cada 0.5V de cambio tenga en cuenta que el
2.5v 2.29mA VGE máximo debe ser 10 voltios.
3v 2.76mA 5. El mínimo voltaje de compuerta VGE, el cual es
3.5v 3.24mA requerido para que el IGBT conduzca es
4v 3.75mA llamado VTH.
4.5v 4.24mA 6. Repita los pasos anteriores con diferentes
5v 4.73mA valores de VGE y dibuje la gráfica de VGE vs
5.5v 5.22mA IC.
6v 5.7mA
6.5v 6.07mA
7v 6.56mA
7.5v 7.04mA
8v 7.51mA

Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son


implementados en aplicaciones de elevadas potencias?

Rta. En los transistores MOSFET el terminal gate es


muy sensible, la capa de óxido es muy delgada y se
puede perforar y por ende dañar con facilidad el
dispositivo; se deben manipular con mucho cuidado,
teniendo en cuenta que se pueden destruir con facilidad

4
.

IV. CONCLUSIONES

➢ Cuando se produce una variación brusca de


tensión entre ánodo y cátodo de un tiristor, éste
puede dispararse y entrar en conducción aún
sin corriente de puerta. Por ello se da como
característica la tasa máxima de subida de
tensión que permite mantener bloqueado el
SCR. Este efecto se produce debido al
condensador parásito existente entre la puerta
y el ánodo.

➢ Los SCR se utilizan en aplicaciones de


electrónica de potencia, en el campo del
control, debido a que puede ser usado como
interruptor de tipo electrónico.

V. REFERENCIAS

[1] Introducción a los sistemas electrónicos de potencia. Mohan, N.


Undeland, T. Robbins, W. (2009). Electrónica de potencia: convertidores,
aplicaciones y diseño (pp. 3-14). Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=22
&docID=10565530&tm=1482450097688

[2] Circuitos de disparo. Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009).


Electrónica de potencia: convertidores, aplicaciones y diseño. (pp. 608-
637). Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=62
7&docID=10565530&tm=1482451710573

[2] Dispositivitos de potencia. Mohan, N. Undeland, T. Robbins, W. (2009).


Electrónica de potencia: convertidores, aplicaciones y diseño (pp. 445-
582). Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=46
4&docID=10565530&tm=1482450513143

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