BOLETÍN IA - SEMICONDUTORES

1. Se dopa silicio con fósforo en una proporción de 1 ppm (partes por millón).
a) Calcular la concentración intrínseca del Si.
b) Indicar el tipo de conducción del Si.
c) Calcular la concentración de impurezas y la concentración de electrones y huecos (n
y p) a temperatura ambiente si todas están ionizadas.
d ) Calcular la posición del nivel de Fermi.
e) Dibujar el diagrama de bandas.
f ) ¿Qué pasa si la concentración de impurezas igualase el valor de NC ?
(DATO: Constante de red del Si a0 = 5,431 Å).
2. Una muestra de Si está dopada con 6 · 1014 átomos de As por cm3 .
a) ¿Cuál es la concentración de portadores en la muestra de Si a temperatura ambiente?
b) ¿Cuál es la concentración de portadores a 470 K?
c) Para cada una de las condiciones determinar la posición de Ei , calcular EF − Ei y
dibujar a escala el diagrama de bandas de energía para la muestra de Si.
d ) Si dopamos el Si con 1016 átomos donadores y 5 × 1015 átomos aceptores por cm3 .
¿Cuál es la concentración de portadores a temperatura ambiente?.
e) Y si dopamos con con 1014 átomos donadores y 1014 átomos aceptores por cm3 .
Comprobar que la concentración de portadores coincide con la intrínseca. ¿Por qué?
Tener en cuenta que EG = 1,08 eV a 470 K y suponer que m∗p /m∗n = 0,69 es independiente
de la temperatura.
3. Cuestiones sobre el nivel de Fermi:
a) Calcular la temperatura T para que el nivel de Fermi de un cristal de Silicio tipo
N con ND = 1016 cm−3 quedara a una energía EG /3 por debajo de la banda de
conducción. Suponer que NC y EG son constantes con la temperatura e iguales a sus
valores a temperatura ambiente.
b) En un semiconductor determinado, la probabilidad de que los electrones ocupen un
estado de energía KT , por encima del extremo inferior de la banda de conducción
es e−10 . Determinar la posición del nivel de Fermi en dicho material.
c) ¿Cuál es la probabilidad de que un estado de energía KT por debajo del nivel de
Fermi esté ocupado por un hueco?
4. Cuestiones sobre la resistividad y mobilidad:
a) La resistividad de un material tipo n es por lo regular más pequeña que la resistividad
de un material tipo p de dopado comparable. Explicar por qué.

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 b) Calcular la resistividad del Si si se dopa con fósforo con una concentración de
1017 cm−3 . Repetir el cálculo para el caso en que dopemos con aluminio con la
misma concentración. Calcular la corriente de arrastre en ambos casos considerando
un campo eléctrico de 105 V/cm.
c) Calcular la densidad de impurezas necesarias para tener un cristal de Si tipo P con
resistividad 10 Ω·cm. ¿Qué proporción hay de átomos de impurezas sobre el número
de atomos de Si? (DATO: Constante de red del Si a0 = 5,431 Å).
d ) Se sabe que µp = 500 cm2 /V·s a 300 K. Si el semiconductor es no degenerado,
¿cuánto vale Dp ?

5. Un semiconductor está caracterizado por el diagrama de bandas de energía siguiente:

EC
EG /4
EG /4
EF
Ei
EV

-W/2 0 W/2

a) Si el semiconductor de Si se mantiene a temperatura ambiente, determinar la resis-

tividad del semiconductor para la región x > W/2.
b) Un electrón localizado en x = W/2 intenta moverse a la región x < −W/2, sin
modificar su energía total. ¿Cuál es la mínima energía cinética que debe tener el
electrón para conseguir este objetivo?
c) Dibujar el potencial electrostático interno en función de x.
d ) Dibujar el campo eléctrico en el interior del semiconductor en función de x.
e) El semiconductor está en equilibrio. ¿Cómo se deduce este hecho del diagrama de
bandas de energía?
f ) Cuál es la densidad de corriente de electrones (Jn ) y la densidad de corriente de
huecos (Jp ) en x = 0?
g) ¿Existe corriente de arrastre de electrones en x = 0?. Si así fuera, ¿cuál es la dirección
del flujo de corriente de arrastre?
h) ¿Existe corriente de difusión de electrones en x = 0?. En tal caso, ¿cuál es la dirección
del flujo de corriente de difusión?

6. Interpretación de un diagrama de bandas de energía para un semiconductor de silicio:

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a) ¿Cuál sería la forma del potencial electrostático en el interior del semiconductor?.
Dibujarla y explicarla.
b) ¿Cuál sería la forma del campo eléctrico en el interior del semiconductor?. Dibujarlo
y explicarlo.
c) ¿Se dan condiciones de equilibrio?
d ) ¿El semiconductor es degenerado en algún punto?
e) En x = x2 , ¿a qué es igual p?
f ) ¿Cuál es la densidad de corriente de electrones Jn que fluye en x = x1 ?
g) ¿Cuál es la densidad de corriente de arrastre de huecos Jpa que fluye en x = x1 ?
h) ¿Cuánto vale la energía cinética del hueco que aparece en el diagrama?