Escuela Politécnica Nacional

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Laboratorio de Control de Máquinas
Informe #4

Tema: DISEÑO DE GATE DRIVER´S PARA EL DISPARO DE IGBT’s EN UN INVERSOR

TRIFÁSICO

Objetivos:
 Analizar los métodos de disparo de IGBT’s en un inversor trifásico.
 Diseñar los gate driver´s para el disparo de IGBT’s en un inversor trifásico
compuesto por 6 IGBT´s.
 Implementar y comprobar el funcionamiento de los drivers diseñados.

Equipo Y Materiales:

 Fuente de DC de dos salidas  Variac Monofásico

 Osciloscopio  Puente de Diodos
 2 sondas de voltaje  Condensador
 Sonda de corriente  3 cargas resistivas
 Multímetro
Marco Teórico:

 Disparo de un IGBT:
[1]
Un IGBT es un dispositivo semiconductor que presenta cuatro capas: PNPN. Si
estructura es similar a la de un MOSFET. Posee la característica de las señales de
puerta de los transistores de efecto campo (MOSFETs) y la capacidad de alta
corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar (BJTs). Presenta una
puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor. El circuito de excitación del IGBT es como el MOSFET, controlado por
voltaje, mientras que las características de conducción son como las del BJT.

La topología de un inversor trifásico en puente completo es la siguiente: (omitiendo

la parte de rectificación)

Se componen 6 transistores IGBTs, cada uno con un diodo en conexión inversa,

empleados para conducir la corriente reactiva de retorno a la fuente. Los inversores
se dividen según su forma de operar:
En conducción a 180° de cada elemento, con lo cual existen 3 elementos en
conducción al mismo tiempo, y conducción a 120°, con 2 elementos por vez. Se
pueden alimentar cargas trifásicas simétricas en delta y en estrella.
Para que los IGBTs conduzcan es necesario generar una señal de voltaje de
alrededor de 15 V, entre puerta y emisor. Por lo tanto, al cambiar de estado los
IGBTs generan tierras flotantes en las fuentes de disparo, lo que hace necesaria la
implementación de un circuito de disparo que sea capaz de generar los 15V,
independientemente para cada uno. Para solucionar este problema se hizo uso del
circuito integrado IR2110.

El diagrama circuital para los GateDrives es el siguiente:

9V

C1
0.01u
R1 U1
2 7
PWM1
330 470

12V
10k
3 6

OPTOCOUPLER-NAND
U3:A D1
1 2
BAV20WS-7
7414

U4 C3 C4
3 100n 22u
10 6
HIN VC VB
11 7
R3
9V SD HO TIRISTOR 1
5 68
VS
12 1
LIN COM LO
C2
GND 1
U2 0.01u
2 IR2110
R4
R2 2 7
PWM2 68
330 1 TIRISTOR 2
470
3 6

GND 2
OPTOCOUPLER-NAND
U3:B
3 4
GND DEL CONTROL
7414

En donde se observa la parte de optoacoplamiento para aislamiento, los

disparadores Schmitt para obtener disparos verticales y el GateDrive IR2110 para
generar las tierras necesarias para el disparo de los IGBTs.

Preguntas:

1. Mostrar las formas de onda obtenidas para los puntos 1 y 2 del

procedimiento. Se debe observar al menos: t encendido y t de
apagado para cada IGBT, tiempo de retardo entre el encendido y
apagado para un par de IGBT´s en un mismo ramal, asi como los
tiempos de retardo entre la señal de control y la señal de salida del
gate drive.

 Formas de onda utilizando la siguiente configuración:

 Retardo en el encendido entre la señal
generada por el microprocesador y la
que llega al Gate del Transistor.
t = 180 [ns]

Retardo en el apagado entre la señal

generada por el microprocesador y la que
llega al Gate del Transistor.
t = 300 [ns]

 Formas de onda utilizando la siguiente configuración:

 Encendido del transistor 1 y apagado del transistor
2.
Visualización de los tiempos muertos.

Encendido del transistor 2 y apagado del transistor

1.
Visualización de los tiempos muertos.

2. Presentar los diseños finales y diagramas circuitales implementados

en el laboratorio.

En el diagrama circuital se observa la parte de aislamiento control-potencia, que

consta de un optoacoplador y un disparador de Schmitt, el GateDrive IR2110 que
servirá para generar las tierras para el disparo de cada IGBT y el control, de donde
se obtuvieron las señales correspondientes para el disparo de los IGBTs.
 3. Realizar el diseño de hardware de un inversor trifásico alimentado a
partir de la RED eléctrica trifásica (R, S, T) para un motor de ½ HP,
220V, 1.9A. Dimensionar puente de Diodos, circuito de carga y
descarga de condensador en el lado DC, dimensionamiento de
IGBT’s.

Existen 3 partes a ser dimensionadas (con sus respectivas protecciones), la parte de

rectificación (diodos), el bus DC (capacitores) y el inversor (IGBTs, diodos de retorno
rápidos):
  Para el puente rectificador
Se han utilizado los diodos FR 307
cuyas características son las
siguientes:

Es necesario además un fusible, que será 4 o 5 veces la corriente de nominal:

I = 5*1.9 = 9.5 [A]

Por lo tanto se ha seleccionado un fusible de 10 [A]

 Para el Bus DC:

Son necesarios 2 capacitores, que soporten el voltaje de línea pico.

VLL = 220 [V]

El voltaje pico a la salida será:

V P =√ 2∗V ¿ =√ 2∗220=311.12[V ]

Por lo tanto se necesitan dos capacitores que soporten la mitad del voltaje pico.

 Para la inversión:

Se han seleccionado los IGBTs IRG40PC50W cuyas características principales son:

I = 27 [A]
V = 600 [V]

Conclusiones y Recomendaciones:

Francisco Ayala:

o El dimensionamiento de los tiempos de retardo fue consecuencia de la

elección de los semiconductores de potencia, en nuestro caso los IGBTs; para
ello, se escudriñó las hojas de datos para que aumentemos el tiempo de
encendido y apagado para cada uno de los IGBTs con un factor de seguridad
de 0.5.

o Es importante considerar el aislamiento de las tierras de cada uno de los

circuitos para que no existan interferencias o en caso más grave un
cortocircuito entre los elementos que se utilizan; sin embargo, al emplear el
gate driver, dicha etapa entre la entrada del driver y la potencia, no necesita
 ser aislada debido a su configuración interna y su propósito para el cual fue
creado.

o Debido al hecho de que los IGBTs permiten soportar la conducción de

corrientes inversas, no existe la necesidad de un diodo en antiparalelo
conectado a él. No obstante, se debe conectar un diodo para proteger al
elemento frente a alguna corriente indeseada. Además, cuando ya se trabaja
con corrientes más altas, es indispensable utilizar disipadores de calor junto
con micas aislantes.

o El uso del timer0 en configuración pwm fase correcta permitió obtener los
tiempos muertos de acuerdo a los que se necesitaba para el IGBT; además,
debido a la configuración interna del microcontrolador, el cálculo para la
frecuencia nos daba un valor aproximado a los 5KHz, es decir 4.902KHz, lo
cual era aceptable con respecto a los requerimientos del trabajo preparatorio.

Diego Ocaña:

 Se comprobó el correcto funcionamiento de los Gate Drivers para controlar

los IGBTs.
 Al analizar las formas de onda respectivas para los disparos de cada IGBT se
comprobó los retardos respectivos tanto el apagado como en el encendido.
 Se debe aumentar el retardo hecho en software para que no interpongan los
diparos de cada IGBT y exista un mal funcionamiento.

Samantha Toinga:

 El control para el disparo de los IGBT´s debía estar correctamente, es decir

que el tiempo muerto entre las el disparo del uno y del otro era importante
para que los dos no se activaran al mismo tiempo.
 En el diseño del Gate Driver se utilizaron unas optonand (6N137), por
seguridad de la etapa de control. Con este se aseguraba tener una tierra para
el control y otra para la potencia. Se podría retirar las optonand una vez que
se haya asegurado que el funcionamiento del control está bien.
 Una de las formas de comprobar que el control se encuentra bien, es
conectando los dos IGBT´s al gate driver para que cada una de estas reciba
la señal de disparo, y se conecta un foco en serie de la fuente con el IGBT de
la parte superior; el cuál no se debía encender por la ausencia de corriente.
 Lo que los tiempos muertos permiten asegurar es que los dos IGBT´s no se
encuentra encendidos al mismo tiempo. Sino que mientras el uno ya se
apague el otro IGBT para que reciba el disparo esperará unos micros
segundos para encenderse.
Felipe Zambrano:
 Debido a que las señales que entran a cada transistor necesitan estar
referenciadas a la parte del emisor, es necesario la utilización de GateDrives,
cuya función es obtener referencias distintas y de esta manera realizar el
control y el disparo de los IGBTs o MOSFETs. Para un inversor es necesario
 contar con 4 referencias diferentes, 1 para cada transistor de la parte
superior del inversor (3), y 1 para los transistores que conectan a la carga
con la parte negativa del puente de diodos.
 Es primordial tener en cuenta el tiempo de encendido y apagado de los
transistores para el correcto dimensionamiento de los tiempos muertos. Ya
que de esta manera se impedirá que los transistores entren en conducción al
mismo tiempo, evitando un cortocircuito entre las líneas. Los tiempos
muertos pueden ser establecidos por software, en el programa realizado para
el control, o por hardware, aumentando retardos con compuertas o con otros
elementos.
 Para tener un control óptimo y evitar posibles fallas, es necesario aislar la
parte de control de la parte de potencia, es por ello que el uso de opto
acopladores tipo NAND es fundamental para realizar dicha función. Además
se han usado disparadores de Schmitt para obtener disparos verticales a la
entrada del GateDriver.
Bibliografía:

[1] DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DE UN INVERSOR TRIFÁSICO Design and Construction

of a Three-phase inverter. Universidad Tecnológica de Pereira