Laboratorio Nº 07: EL TRANSISTOR

UNIPOLAR – FET
Álvarez Blas, Abel Alberto
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú

INTRODUCCIÓN

El siguiente componente que vamos a estudiar es el transistor unipolar o FET

(fieldeffect transistor). El FET de unión fue descrito por primera vez en 1952 por
Shockley y se llamó FET de unión o JFET. Más adelante se desarrolló el FET de
puerta aislada (insulatedgate FET) o MOSFET (metal-oxide semiconductor FET).
Este ha sido el artífice de los circuitos digitales de alta velocidad y bajo consumo.

I. OBJETIVO II. TEORÍA

 Estudiar las características de
polarización de los transistores
unipolares de efecto de campo
(FET).
 Determinar la operación del FET
en señal alterna.
 Identificar los terminales, sistema
de polarización, impedancia de
entrada.
 Identificar los niveles de señale del
FET sin distorsión
El JFET
Transistor de efecto de campo de
juntura o unión es un dispositivo
electrónico, esto es, un circuito que,
según unos valores eléctricos de
entrada, reacciona dando unos
valores de salida. En el caso de los
JFET, al ser transistores de efecto
de campo eléctrico, estos valores de
entrada son las tensiones eléctricas,
en concreto la tensión entre los
terminales S (fuente) y G (puerta),
VGS. Según este valor, la salida del
transistor presentará una curva
característica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, óhmica
y saturación.
Mediante la gráfica de entrada del
transistor se pueden deducir las
expresiones analíticas que permiten
analizar matemáticamente el Que suele expresarse como
funcionamiento de este. Así, existen
diferentes expresiones para las
distintas zonas de funcionamiento.
Siendo:
Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la
curva de valores límite de ID viene
dada por la expresión:

Por tanto, en esta zona y a efectos

Siendo la IDSS la ID de saturación
que atraviesa el transistor para
VGS = 0, la cual viene dada por la
expresión:
de análisis, el transistor puede ser
sustituido por una resistencia de
valor Ron, con lo que se observa
una relación entre la ID y la
VDS definida por la Ley de Ohm.
Esto hace que a esta zona de
funcionamiento se le denomina zona
óhmica.

Los puntos incluidos en esta curva A partir de una determinada VDS la

representan las ID y VGS (punto de
trabajo, Q) en zona de saturación,
mientras que los puntos del área
inferior a ésta representan la zona
óhmica.
Para |VGS| > |Vp| (zona de corte):
corriente ID deja de aumentar,
quedándose fija en un valor al que
se denomina ID de saturación o
IDSAT. El valor de VDS a partir del
cual se entra en esta nueva zona de
funcionamiento viene dado por la
expresión:

Ecuación de salida
Esta IDSAT, característica de cada
En la gráfica de salida se pueden circuito, puede calcularse mediante
observar con más detalle los dos la expresión:
estados en los que el JFET permite
el paso de corriente. En un primer
momento, la ID va aumentando
progresivamente según lo hace la
tensión de salida VDS. Esta curva
viene dada por la expresión:
 III. RESPUESTAS A PREGUNTAS Simulando el circuito obtenemos los
siguientes valores:
3.1.- Realice los cálculos empleando
un simulador. Ajuste la tensión y Rs=1K RS=5.6K RD=3.3K RD=5.6K
frecuencia del generador a los valores VD 1.509V 8.817V 7.005V 9.188V
de la experiencia.
VS 1.049V 1.782V 1.648V 1.657V
3.2.-Simule el circuito y anote las
VG 2.829uV 10.323uV 8.368uV 11.131uV
tensiones y corrientes que se piden en
el experimento para ambos circuitos
considerando todos los valores 3.-Con el circuito original, aplicar una
resistivos dados. señal Senoidal de 50mVoltios (pico) a
una frecuencia de 1Khz y determinar
Simulación: la Ganancia de tensión midiendo la
salida
1.-Armar el circuito de la figura 1.
V0 = 150.973mV

2.-Teniendo cuidado de verificar la 4.-Retirar el condensador Cs= 500uf y

conexión del JFET, medir el punto de determinar la Ganancia de tensión.
operación, tomando las tensiones de
los terminales del transistor respecto a
tierra, las corrientes tomadas en forma
indirecta (VRS/IRS).
 IV. DATA SHEET Y HOJA DE DATOS
NTE312 DATASHEET

V0/Vi=AV=24,9/20=1.245

5.-Armar el circuito de la figura

mostrada (fig. 2), dando el punto Q y la
ganancia de tensión.

La ganancia de tensión será AV= V0/Vi

=550/50=11 En este circuito la señal se
amplifica enormemente.
 VI. DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA

1.- Con la ayuda del manual o data

sheet reconocer los terminales del
FET. Dibujar su esquema de pines y
colocar sus datos:

2.-Armar el circuito de la figura 1.

V. EQUIPOS Y MATERIALES

 02 FET canal N, NTE 312

 Resistores de 1KΩ, 2KΩ, 10KΩ,
5.6KΩ, 3.3KΩ, 1MΩ 3.-Polarizar el circuito y medir los
 01 Generador de funciones terminales del FET con respecto a
 Capacitores 2x10uf, 47uf (25v) tierra, evaluando el punto de
 01 Osciloscopio operación.
 01 panel de conexiones
 Conductores de conexión
 01 Potenciómetro de 10K
 01 Multímetro
 02 Fuentes de Alimentación
4.-Repetir el paso anterior para los
valores de RD y RS indicados.
5.--Graficar las curvas de 9.-Armar el circuito de la figura
transferencia y las rectas de carga en mostrada (fig. 2), dando el punto Q y
cada caso. Trazar las rectas de la ganancia de tensión. Explicando
polarización y de carga indicando los las ventajas y desventajas que se
puntos de operación logrados. logra.
Evaluar por extrapolación IDss
(Corriente de Drenaje de Saturación) y
Vpo, asi como la transconductancia
gm.
6.-Aplicar una señal V1 de 50mV,
1Khz senoidal y medir la señal Vo a fin
de determinar la ganancia del
transistor
Forma de onda en la carga y en la
entrada

7.-Aumentar la amplitud de Vi hasta

lograr una deformación de Vo y
determinar la máxima amplitud de la
salida que se puede obtener sin
distorsión.

VII. BIBLIOGRAFÍA

8.-Retirar el condensador C3 y
evaluar la ganancia, así como la  http://es.wikipedia.org/wiki/JFET
máxima señal obtenible sin  http://es.wikiversity.org/wiki/Tra
distorsión. nsistor_JFET

 http://www.unicrom.com/Tut_Ca
racteristicas_electricas_JFET.asp

Forma de onda en la carga y en la

entrada