El Transistor MOS Estructura Física y Modelos de Circuito

Electrónica
Básica
Tema B.1.
El Transistor MOS: Estructura Física y Modelos de Circuito
Gustavo A. Ruiz Robredo

Juan A. Michell Mar<n
DPTO. DE ELECTRÓNICA Y COMPUTADORES

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Estructura del Transistor NMOS
•  Transistor NMOS de enriquecimiento:
Substrato Fuente Puerta Drenador
Conductor
p+ n+ n+
Aislante
Substrato - P
Electrónica Básica. 2º Curso. 2

Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación
Transistor NMOS
•  Características físicas
Difusiones S/D Polisilicio
SiO2 W
n+ tox n+
LD
Leff
L
Substrato - P
ε ox
Leff = L − 2 LD , Cox =
tox
Transistor NMOS
•  Layout
Active Metal 1
N-select Poly
P-select

Transistor NMOS
•  Layout
Active Metal 1
N-select Poly
P-select

Transistor NMOS
•  Layout
Active Metal 1
N-select Poly
P-select

Transistor NMOS
•  Layout
Active Metal 1 G
N-select Poly
P-select
B S D
Transistor NMOS
•  Layout simplificado
a a
S W D
b c
As = a´ b Ad = a´ c
Ps = 2(a+b) Pd = 2(a+c)
L
Tensión Umbral Intrínseca: VTN0
•  Formación del canal: VGS=VTN0 (VSB=0).
VGS=VTN0
Electrones
−
+
G
B S D
p+ n+ n+
Iones Negativos
Substrato - P
2qε si N A( SUB ) 2Φ F
VTN 0 = VFBN + 2Φ F +
Cox
KT N A( SUB )
ΦF = ln
q ni
Tensión Umbral Generalizada: VTN
•  Efecto substrato (body):
VG
−
+
VD
VS
G
+
−
−
+
B S D
p+ n+ n+
Substrato - P
VTN = VTN 0 + γ n ( 2Φ F + VSB − 2Φ F ) ∧ VSB ≥ 0
2qε si N A( SUB )
γn =
Cox
Electrónica Básica. 2º Curso.
Modelo de Gran Señal: Región Lineal
•  Canal formado en toda la superficie
VB VS VG VD
ID
G D ID +
B S D
p+ n+ n+ G B
− VDS
+
VGS VSB
S + −
−
Substrato - P
VSB ≥ 0 ∧ VGS ≥ VTN > 0 ∧ VGS − VTN ≥ VDS ≥ 0

Características I-V: Región Lineal
•  Modelo Idealizado:
⎧VGS ≥ VTN
ID
VGS6 ⎨
Región
⎩VGS − VTN ≥ VDS
Lineal
2
VGS5 W ⎡ VDS ⎤
I D = µnCox ⎢(VGS − VTN )VDS −
L ⎣ 2 ⎥⎦
VGS4
1 W 2
VGS3 I D max = µnCox (VGS − VTN )
2 L
VGS2
VGS1
VDS

Características I-V: Región Lineal
•  Resistencia controlada por tensión:
VGS ≥ VTN ∧ 2 (VGS − VTN ) >> VDS
W
ID
VGS6 I D ≈ µnCox (VGS − VTN )VDS
L
Región
Lineal VDS 1
VGS5 Ron = =
ID ID µ C W V −V
n ox ( GS TN )
VGS4 L
VGS3
VDS
VGS2
VDS

Modelo de Gran Señal: Región de Saturación
•  Canal parcialmente formado en la superficie:
VB VS VG VD
ID
G D ID +
B S D
p+ n+ n+ G B
− VDS
+
VGS VSB
S + −
−
Substrato - P
VSB ≥ 0 ∧ VGS ≥ VTN > 0 ∧ VDS ≥ VGS − VTN ≥ 0

Características I-V: Región de Saturación
•  Modelo Idealizado:
ID VGS6
Región
Lineal
Región de
Saturación
⎧VGS ≥ VTN
VGS5 ⎨
⎩VGS − VTN ≤ VDS
VGS4
1 W 2
VGS3 I D = µnCox (VGS − VTN )
VGS2 2 L
VGS1
VDS

Características I-V: Región de Saturación
•  Modulación de la longitud del canal:
ID VGS6
Región Región de
Lineal Saturación
VGS5
⎧VGS ≥ VTN
VGS4 ⎨
⎩VGS − VTN ≤ VDS
VGS3
VGS2
VGS1
VDS
1 W 2
I D = µnCox (VGS − VTN ) (1 + λnVDS )
2 L
Modelo de Pequeña Señal en Baja Frecuencia
•  Transistor NMOS polarizado, sometido a
variaciones de tensión de pequeña señal.
VDS0 DVDS
− +
−
+
VGS0 DVGS
− +
−
+
G
S D
VSB0 DVBS B IDS0 + DIDS

+ −
−
+

•  Aproximación de las variaciones de corriente:
ΔI DS ≈ g m ΔVGS + g mb ΔVBS + g ds ΔVDS
∂I DS
–  Transconductancia: gm ≡
∂VGS VBS ,VDS
∂I DS
g mb ≡
–  Transconductancia de substrato:
∂VBS VGS ,VDS
∂I DS
–  Conductancia drenador-fuente: g ds ≡
∂VDS VGS ,VBS

•  Circuito equivalente:
ΔI DS = g m ΔVGS + g mb ΔVBS + g ds ΔVDS
G D
+
vgs gmvgs gmbvbs ro
−
S −
vbs
B +
−1
id = gmvgs + gmbvbs + gdsvds ∧ ro = g ds

Parámetros de Pequeña Señal en Saturación
•  Transconductancia:
∂I D W
gm = = 2µnCox I D (1 + λnVDS )
∂VGS L
–  Modelo idealizado:
W
g m ≅ 2µnCox I D
L

Parámetros de Pequeña Señal en Saturación
•  Conductancia de salida:
∂I D 1
−1 W 2
g ds = r = o = µnCox (VGS − VTH ) λn ≈ λn I D
∂VDS 2 L
•  Transconductancia de substrato:
∂I D γ n gm
g mb = = = ηn g m
∂VBS 2 2Φ F + VSB

Modelo de Pequeña Señal en Alta Frecuencia
•  Circuito equivalente
Cgd
G D
+
Cgs vgs gmvgs gmbvbs ro
−
S
−
Cgb vbs Csb Cdb
+
B

•  Capacidades en G:
Cg ( eff ) = CoxWeff Leff
–  Región de corte:
Cgb = Cg ( eff ) + Leff Cgbo Cgs = Weff Cgso Cgd = Weff Cgdo
–  Región lineal:
Cg ( eff ) Cg ( eff )
C gb = Leff C gbo Cgs = + Weff Cgso Cgd = + Weff Cgdo
2 2
–  Región de saturación
2Cg ( eff )
C gb = Leff C gbo Cgs = + Weff Cgso Cgd = Weff Cgdo
3
•  Capacidades en S y D:
C j AS C jsw PS
Csb = mj
+ m jsw
(1 + (V SB φB ) ) (1 + (V
SB φB ) )
C j AD C jsw PD
Cdb = mj
+ m jsw
(1 + (V DB φB ) ) (1 + (V DB φB ) )

Transistor PMOS
•  Estructura física y símbolo de circuito.
VB VS VG VD
ID
G
−
B S D S − −
n+ p+ p+ VGS VBS
+ + V
DS
G B
Substrato - N D ID +
–  Tensión umbral negativa:

VTP < 0 ,
–  Tensiones de polarización negativas:
VSB ≤ 0 , VGS ≤ 0 , VDS ≤ 0
Transistor PMOS
Pozo-N Active Poly
•  Layout
N-select P-select Metal 1

Transistor PMOS
Pozo-N Active Poly
•  Layout

Transistor PMOS
Pozo-N Active Poly
•  Layout

Transistor PMOS
•  Layout Pozo-N Active Poly
G
B S D
Transistor PMOS
•  Layout simplificado
a a
S W D
b c
As = a´ b Ad = a´ c
Ps = 2(a+b) Pd = 2(a+c)
L
Transistor PMOS: Tensión Umbral
•  Tensión umbral intrínseca: VTP0.
2qε si N D ( SUB ) 2 Φ F
VTP 0 = VFBP − 2 Φ F −
Cox
KT N D ( SUB )
ΦF = − ln
q ni
•  Tensión umbral generalizada: efecto body.
VTP = VTP 0 − γ p ( 2 Φ F − VSB − 2 Φ F )

2qε si N D( SUB )
γp =
Cox
Transistor PMOS: Modelo de Gran señal
•  Modelo idealizado en la región lineal:
VB VS VG VD
ID
G
B S D
n+ p+ p+
Substrato - N
VGS ≤ VTP , VGS − VTP ≤ VDS
W ⎡ 1 2 ⎤
I D = − µ pCox ⎢⎣(VGS − VTP )VDS − 2 VDS ⎥⎦
L
•  Modelo idealizado en la región de saturación:
VB VS VG VD
ID
G
B S D
n+ p+ p+
Substrato - N
VGS ≤ VTP , VGS − VTP ≥ VDS

1 W 2
I D = − µ pCox (VGS − VTP )
2 L

•  Modulación de la longitud del canal en
saturación:
VB VS VG VD
ID
G
B S D
n+ p+ p+
Substrato - N
VGS ≤ VTP , VGS − VTP ≥ VDS

1 W 2
I D = − µ pCox (VGS − VTP ) (1 − λ pVDS )
2 L

Modelo de Pequeña Señal en Saturación
•  Transconductancia (gm):
W
g m = 2µ pCox I D (1 − λ pVDS )
L
–  Modelo idealizado:
W
g m ≈ 2µ pCox I D
L

Modelo de Pequeña Señal en Saturación
•  Conductancia de salida (go):
1 −1 W 2
g ds = r = µ pCox (VGS − VTP ) λ p ≈ λ p I D
o
2 L
•  Transconductancia de efecto substrato (gmbs) :
γ p gm
g mb = = η p gm
2 2 Φ F + VSB

Circuito Equivalente de Pequeña Señal en LF
•  Inclusión del efecto substrato:
G D
+
vgs gmvgs gmbvbs ro
−
S −
vbs
B +
•  Modelo simplificado:
G D
+
vgs gmvgs ro
−
S
Circuito Equivalente de Pequeña Señal en HF
•  Inclusión del efecto substrato:
Cgd
G D
+
Cgs vgs gmvgs gmbvbs ro
−
S
−
Cgb vbs Csb Cdb
+
B


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Electrónica

Gustavo A. Ruiz Robredo

Electrónica Básica. 2º Curso. 2

Difusiones S/D Polisilicio

Electrónica Básica. 2º Curso. 4

Electrónica Básica. 2º Curso. 5

Electrónica Básica. 2º Curso. 6

VTN = VTN 0 + γ n ( 2Φ F + VSB − 2Φ F ) ∧ VSB ≥ 0

VSB ≥ 0 ∧ VGS ≥ VTN > 0 ∧ VGS − VTN ≥ VDS ≥ 0

Electrónica Básica. 2º Curso.

Electrónica Básica. 2º Curso. 12

Electrónica Básica. 2º Curso.

VSB ≥ 0 ∧ VGS ≥ VTN > 0 ∧ VDS ≥ VGS − VTN ≥ 0

Electrónica Básica. 2º Curso.

Electrónica Básica. 2º Curso.

VSB0 DVBS B IDS0 + DIDS

Electrónica Básica. 2º Curso. 17

Electrónica Básica. 2º Curso. 18

Electrónica Básica. 2º Curso. 19

Electrónica Básica. 2º Curso. 20

Electrónica Básica. 2º Curso. 21

Electrónica Básica. 2º Curso. 22

Electrónica Básica. 2º Curso. 24

– Tensión umbral negativa:

Electrónica Básica. 2º Curso. 26

Electrónica Básica. 2º Curso. 27

Electrónica Básica. 2º Curso. 28

VTP = VTP 0 − γ p ( 2 Φ F − VSB − 2 Φ F )

VGS ≤ VTP , VGS − VTP ≤ VDS

VGS ≤ VTP , VGS − VTP ≥ VDS

Electrónica Básica. 2º Curso. 33

VGS ≤ VTP , VGS − VTP ≥ VDS

Electrónica Básica. 2º Curso. 34

Electrónica Básica. 2º Curso. 35

• Transconductancia de efecto substrato (gmbs) :

Electrónica Básica. 2º Curso. 36

Electrónica Básica. 2º Curso. 38

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