Manual Practico de Microwind en Espanol PDF

UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER
ESCUELA DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA

Y DE TELECOMUNICACIONES
Perfecta combinación entre energía e intelecto
MANUAL PRÁCTICO DE MICROWIND

Versiones 2 y 3
Elkyn Enrique Hernández Sanabria

twobrains007@hotmail.com
Jhonatan Camacho Navarro

Camacho.navarro.jhonatan@gmail.com
Estudiantes Ingeniería Electrónica

Universidad Industrial de Santander
Bucaramanga - Colombia
Noviembre de 2005
CONTENIDO
INTRODUCCION 4
ALGUNAS DEFINICIONES Y CONCEPTOS BÁSICOS DE MICROWIND 5
FUNCIONES BÁSICAS DE MICROWIND 7
“Open file” 7
“Save this file” 7
“Draw box” 7
“Delete some layout” 7
“Copy elements” 7
“Stretch, move” 8
“Zoom in” 8
“Zoom out” 8
“View all” 8
“View electrical node” 8
“Run simulation” 8
“Measure distance” 8
“2D vertical cross-section” 9
“Process steps in 3D” 9
“Design Rule Checker” 9
“Add text to layout” 10
“Connect layers” 10
“Simulate MOS characteristics” 10
“Show palette of layers” 10
Botones de direccionamiento 10
BARRA DE MENÚ 11
File 11
“Insert layout” 11
“Convert into” 11
“Select foundry” 11
View 11
Edit 12
“Move step by step” 12
“Flip and rotate” 12
“Protect all” 12
“Generate” 12
“Virtual R, L or C” 12
“Duplicate XY” 12
Simulate 13
“Simulation on layout” 13
“With/Without crosstalk” 13
Analysis 13
“Parametric analysis” 13
PALETA DE FONDOS (LAYERS) 14
Polysilicon 14
P+ diffusion 15
N+ diffusion 15
N Well 15
Contact 15
Metal (1 – 6) 15
Option layer 15
Contactos varios 15
Botón de visibilidad en simulación 15
Manual práctico de Microwind 1

VENTANA DE NAVEGACIÓN DE MICROWIND 16
Pestaña propiedades (props) 16

Pestaña crosstalk (ctlk) 17
Pestaña dispositivos (device) 18
Pestaña opciones (options) 18
GENERACIÓN AUTOMATICA DE DISPOSITIVOS EN MICROWIND 19
Transistores MOS 19
Resistores 19
Capacitores 20
Inductores 20
Contactos 21
Diodos 21
CONSTRUCCIÓN MANUAL DE LAYOUT DE UN DISPOSITIVO MOS 22
Para crear un MOS canal N: 22

Para crear un MOS canal P 25
Visualización del aspecto vertical de proceso del MOS 26
Ejemplo de corrección de errores de diseño 26
OTRAS CONSIDERACIONES Y EJEMPLOS PARA CORRECCIÓN Y OPTIMIZACIÓN 29
Número y distribución de contactos 29
Construcción de transistores con canal muy ancho 30
CONSTRUCCIÓN MANUAL DE LAYOUT PARA OTRAS CELDAS ANÁLOGAS 31
Layout para resistencias 31

Layout para capacitores 33
Minimización de errores 34
Layout para circuitos digitales 34
Layout para circuitos analógicos 34
Para minimizar ruido 38
INCLUSIÓN DE POLARIZACIÓN EN UN LAYOUT DE MICROWIND 39
Fuentes de tensión contínua (DC supply) 39

Reloj (clock) 40
Pulso (pulse) 40
Función senoidal (sinus) 41
Secuencia lógica de pulsos (PWL) 41
Función matemática f(t) (math) 42
Tierra (ground) 42
Variable 42
SIMULACIONES EN MICROWIND 43
Simulación de características de dispositivos MOS 43

Id contra Vds 43
Id contra Vgs 44
Tensión de umbral (Treshold voltaje) 44
Capacitancias 45
Simulación del comportamiento de circuito 45
Transformada Rápida de Fourier 46
“Voltages and currents” 47
“Voltage vs Voltage” 47
2 Manual práctico de Microwind

“Frequency vs time” 47
Mediciones manuales 48
Ventajas y desventajas de las herramientas de simulación en Microwind 48
UTILIZACIÓN DE TECNOLOGÍAS, REGLAS DE DISTANCIAS MÍNIMAS Y ARCHIVOS DE

REGLAS DE MICROWIND 49
Evolución en el tiempo de las tecnologías de fabricación de IC’s 49

Tecnologías de fabricación en Microwind 50
Unidades Lambda 51
Reglas de diseño 51
Reglas para pozo (Well) 51
Reglas para difusiones (diffusion) 52
Reglas para polysilicon 52
Reglas para polysilicon2 52
Reglas MOS 53
Reglas para contactos 53
Reglas para metal1 53
Vía 53
Modelos de dispositivos MOS 54
Modelo de nivel 1 54
Modelo experimental de nivel 3 55
Modelo MOS BSIM4 56
CONSEJOS GENERALES DE DISEÑO 58
DOS EJEMPLOS DE SIMULACIÓN 60
Inversor lógico digital 60

Par diferencial con carga activa 65
Inconsistencias con los resistores 66

INTRODUCCIÓN
La mayor utilidad del software Microwind es la posibilidad que le brinda al usuario de

“meterse” dentro de un IC a construir, ampliando así las posibilidades de diseño del
mismo en sus características mínimas para que cumpla con determinados
comportamientos requeridos. Una vez que se adquiere un conocimiento adecuado de este
paquete es posible construir elementos y configuraciones de manera personalizada y a la
vez cumpliendo con requisitos mínimos de diseño dependiendo de la tecnología a
trabajar. Pero nosotros, estudiantes de Ingeniería Electrónica de la Universidad
Industrial de Santander, pensamos que existe un problema para llegar a este nivel.
Además de que no es posible que se nos haga una ilustración adecuada del paquete
debido a que no se dispone de suficiente tiempo para ello, no existe una herramienta
práctica en Español (tutorial, manual, etc.) que nos sirva de guía para adquirir
experiencia en el manejo de éste software, en especial para los propósitos enmarcados
dentro de la asignatura.
Este problema pone al descubierto una necesidad que necesita ser resuelta. Una manera
de ayudar a hacerlo, es mediante la elaboración de este manual práctico de Microwind,
que sirva de apoyo y guía para el usuario que intenta manejar éste software “desde cero”.
Así se logrará reducir en gran escala la dificultad que en muchos estudiantes se presenta
para adquirir destreza en este paquete, por tanto serán capaces de realizar diseños de gran
eficiencia más rápidamente.
Este manual pretende ser instructivo y práctico, para fomentar el auto-aprendizaje del
programa. Incluye desde definiciones de conceptos básicos del programa, pasando por la
descripción de la interfaz y el proceso de construcción de diferentes dispositivos, hasta
sugerencias de diseño para implementaciones complejas en éste programa. El manual
está orientado a las versiones 2 y 3 de Microwind, ya que comparten la gran mayoría de
sus funciones. En caso de presentarse alguna excepción, se indicara al respecto.
Esperamos que nuestro trabajo sea de agrado para todas aquellas personas que empiezan
a explorar el diseño de circuitos integrados en Microwind. Si e desea dar sugerencias y/o
críticas sobre el manual, o sobre Microwind, los autores estamos gustosos de
escucharlas.
ALGUNAS DEFINICIONES Y CONCEPTOS BÁSICOS DE MICROWIND

Resulta engorroso, que siendo la primera vez que una persona trabaje en un software, se
encuentre con una cantidad de términos desconocidos y no muy fáciles de entender.
Microwind es uno de los paquetes donde más acontece esta dificultad, por tanto es útil
conocer algunos conceptos básicos del programa antes de empezar su descripción
detallada. Algunos de los conceptos a los que se hará referencia con frecuencia en este
manual son los siguientes:
Tecnología de proceso: Consiste un conjunto de reglas de diseño, que permiten

construir circuitos integrados con determinadas características.
Reglas de diseño: Para Microwind, son una compilación de reglas geométricas, de

propiedades eléctricas, químicas, y de parámetros de modelo, que juntas conforman una
tecnología de proceso de construcción de IC’s.
Archivos RUL: Bajo esta extensión se guardan los archivos que contienen las reglas de
diseño para Microwind.
Layout: Disposición de capas, o layers, que representan la litografía de dispositivos en

un circuito integrado. En palabras más castizas, es un conjunto de máscaras, las cuales
representan materiales, que son constitutivos de dispositivos a implementarse en un IC.
Layer: Cada una de las capas o máscaras que forman un layout. Layers diferentes
representan diferentes tipos de material, los cuales tienen usos específicos dentro de un
layout.
Archivo MSK: Con esta extensión de archivo, se guardan los layout hechos en
Microwind.
Workspace o “fondo negro”: Como su nombre indica, es el fondo negro sobre el cual
se construyen los layouts de Microwind. Este fondo en realidad representa una gran
oblea lineal, isotrópica y homogénea de silicio dopado tipo P, de dimensiones infinitas.

Lambda (λ): Es una escala de longitud que utiliza Microwind, para ajustar distancias a
la tecnología empleada. No debe confundirse éste lambda, con el lambda (λ) del modelo
de segundo orden del transistor MOSFET operando en región de saturación. Para la
tecnología, el valor de lambda es ajustado a la mitad del largo del canal de un transistor
MOS, por defecto.
Lambda grid: Es una cuadrícula dispuesta sobre el workspace de Microwind, escalada

en lambdas, que sirve como referencia para ajustar distancias en la construcción de un
layout.
Botones (Funciones) de Microwind
A continuación se muestra una vista la barra de botones de aplicación de Microwind:
Sus nombres y funciones son:
1) “Open file”: Como su nombre lo indica, este botón se utiliza para abrir cualquier
archivo de layout de Microwind (*.MSK).
2) “Save this file”: Presionando este botón se guarda el layout actual en un archivo
(*.MSK), con la ubicación en disco y nombre que se elija.
3) “Draw box”: Cuando se activa este botón, se puede dibujar sobre el “fondo negro” o
espacio de trabajo de Microwind, rectángulos del material seleccionado en la paleta
de fondos (botón 19), del área que usted desee, con escala de magnitud dada en
lambda (λ). Sobre la paleta de fondos se hablará más adelante.

4) “Delete some layout”: Con este botón activo se pueden borrar toda clase de layers
con sólo hacer un clic sobre el que se desee eliminar; o bien se pueden borrar todos
los layers de un área determinada con sólo un arrastre de Mouse.
5) “Copy elements”: Si se activa este botón se puede copiar o clonar todos los layers de
un área específica a otra parte del espacio de trabajo. El área a copiar se selecciona
con un arrastre de Mouse.
6) “Stretch, move”: Con este botón activo se pueden cambiar las dimensiones de
cualquier layer, con sólo hacer clic sobre cualquier parte del perímetro del layer a
modificar, y mediante un arrastre de Mouse, asignar la nueva posición. Si en vez de
hacer esto se quiere mover uno o varios layers a un área determinada del workspace
de Microwind, se debe seleccionar mediante un arrastre de Mouse los elementos a ser
movidos, y mediante otro arrastre ser llevados al área deseada.
7) “Zoom in”: Este botón típico se utiliza para acercar la distancia de representación
del layout en uso. Al activar este botón y luego hacer un arrastre de Mouse sobre un
área determinada del workspace, ésta se magnifica.
8) “Zoom out”: Este botón es el complementario del botón de acercamiento. Haciendo

clic sobre éste botón la distancia de representación del layout se alejará. Tantas veces
como se haga clic en este botón, se harán "alejamientos" de la vista al layout.
9) “View all”: Cuando se hace clic sobre éste botón, se ajusta la distancia de
representación al tamaño del layout actual, haciendo que éste ocupe toda la pantalla.
10) “View electrical node”: Presionando este botón y luego haciendo clic sobre
cualquier punto del workspace, se obtiene una visualización del nodo eléctrico (el
nodo seleccionado se ve en colores, el resto del layout se muestra en color gris),
además se despliega la ventana de navegación, de información sobre las
características eléctricas de ese nodo, como son: la resistencia, inductancia y
capacitancia del nodo, si es visible o no en las simulaciones de circuito, la
polarización del nodo (si está conectada alguna fuente), más una lista de propiedades

y opciones ajustables para el material o dispositivo al cual pertenece el nodo
seleccionado. Sobre este botón se hablará más adelante.
11) “Run simulation”: Si se hace clic sobre este botón, se despliega una ventana
dinámica de simulación para el layout actual, donde se muestran comportamientos de
tensión contra tiempo, tensión contra tensión, tensiones y corrientes, respuesta en
frecuencia y curvas de transferencia para el circuito plasmado en el layout. También
se hablará en detalle más adelante sobre la herramienta de simulación de Microwind.
12) “Measure distance”: Este botón es un simple medidor de distancias en el workspace.
Cuando se selecciona ésta función, y después se hace un arrastre de Mouse sobre un
área determinada, es mostrada sobre el perímetro de esta área, una regla mostrando
su largo y ancho en unidades de longitud.
13) “2D vertical cross-section”: Al activar éste botón y después hacer clic sobre un
punto del workspace, se despliega una ventana mostrando una disposición vertical de
la sección transversal que contiene al punto seleccionado. En esta ventana se muestra
además una lista con los layers vistos en la sección transversal, con su altura y
espesor.
14) “Process steps in 3D”: Al hacer clic sobre éste botón, se despliega una ventana
donde se muestran los pasos del proceso de elaboración “real” en tres dimensiones
del circuito representado mediante el layout actual. A continuación se muestra una
ventana de ejemplo de esta función:

15) “Design Rule Checker”: En el proceso de construcción de un layout en Microwind,
siempre es necesario verificar que se cumpla con las reglas de distancias mínimas
que se requiere según cada tecnología de trabajo. Al presionar éste botón, se
muestran todos los errores que hasta el momento se lleven en cuanto a estas
distancias. Enseguida queda usted habilitado para corregirlos, pues automáticamente
se activa el botón 6, “Stretch, move”. Si no se lleva ningún error en el layout, en la
barra de eventos se muestra un mensaje de felicitación y la memoria usada hasta el
momento.
16) “Add text to layout”: Cuando se necesite añadir un texto importante en alguna parte
del layout, se activa este botón mediante un clic, y después se escoge un punto en el
workspace donde se desea que se muestre el texto. Seguido de esto aparecerá una
ventana donde se podrán ingresar el texto requerido y así poder asignarlo.
17) “Connect layers”: Al hacer clic en este botón y después en un punto del workspace,
se creara en ese punto una unión metal-contacto, que conecta todos los layers que se
encuentren en ese punto.
18) “Simulate MOS characteristics”: Esta función despliega una ventana donde se
muestran las características de corriente contra tensiones y el comportamiento de las
capacitancias internas conforme varían las tensiones de los posibles dispositivos
MOS que se encuentren en el layout. Sobre esta importante función se hablará más
adelante.
19) “Show palette of layers”: Cuando se hace clic sobre este botón, se muestra la paleta
de layers o fondos con la cual es posible hacer la construcción de cualquier layout en
Microwind. Se profundizará más sobre las funciones contenidas en la paleta en las
secciones siguientes.
20) “Botones de direccionamiento”: Estos 4 botones simplemente sirven para correr la

vista del layout hacia el lado indicado por la flecha.
OTROS COMANDOS IMPORTANTES

A continuación se muestra la barra de menú de Microwind:
Ésta barra contiene otros comandos útiles que no se muestran en la barra de botones y
funciones de Microwind. Se muestran a continuación los más importantes:
FILE
“Insert layout”: Esta función permite importar un layout guardado anteriormente al

layout actual. Cuando se hace clic aquí, se despliega una ventana donde se puede buscar
el archivo (*.MSK) que se quiere importar. Al ser seleccionado, el layout de ése archivo
aparecerá a la derecha del layout actual, si se tiene alguno.
“Convert into”: Al situar el Mouse aquí, se desprenderá otro submenú que mostrará dos
opciones para conversión: CIF layout file y SPICE netlist. Si se convierte a archivo .CIF,
este archivo puede ser exportado a un software de VLSI CAD. Si por el contrario se
convierte a netlist de SPICE, el archivo .CIR generado podrá ser exportado al software
SPICE. Este archivo contendrá información de todos los nodos eléctricos del circuito, los
dispositivos MOS de canal n y p contenidos en el layout, las redes pasivas (R, L y C), y
de la polarización dada al circuito. Se podrá escoger el modelo de representación del
transistor, la duración de la simulación en el tiempo y la adición o no de ruido en las
entradas, así como otras opciones de simulación.
“Select foundry”: Al seleccionar ésta función, se procede a escoger el archivo de reglas

de tecnología (.RUL) que asigna la tecnología de trabajo.
VIEW
Ésta barra contiene todas las instrucciones de visualización de layout ya tratadas

anteriormente (Zoom in, Zoom out, View all). Además se muestran otras opciones de
visualización, como mostrar o no la cuadrícula escalada en lambda, la lista de
dispositivos MOS del layout, la ventana de navegación y la paleta de fondos.

EDIT
“Move step by step”: Utilizando ésta función se puede mover cualquier conjunto de
layers paso a paso. Cuando se hace clic sobre ésta función, y después se selecciona el
área a mover, se visualiza un cuadro que permite el movimiento del área en las cuatro
direcciones y en la cantidad de lambdas que se especifique.
“Flip and rotate”: Con ésta herramienta se refleja y se rota cualquier conjunto de layers
en el workspace. Situando el Mouse aquí se despliega otro submenú que indica las
reflexiones y dotaciones disponibles.
“Protect all”: Esta función permite que se bloqueen todos los layers del layout en uso.
Cuando un layout está bloqueado no puede borrarse, ni moverse ni copiarse. La función
complementaria se lista a continuación, “Unprotect all”.
“Generate”: Mediante ésta función, es posible generar cualquier tipo de dispositivo que
se pueda hacer con Microwind, esto incluye desde una simple caja de material, hasta
dispositivos MOS, resistencias, capacitancias, inductancias, contactos complejos, buses
de metal y diodos. Sobre cómo generar dispositivos en Microwind, se hablará con
profundidad más adelante.
“Virtual R, L or C”: Con ésta función se generan, como su nombre en inglés lo indica,
resistencias, inductancias, y capacitancias virtuales entre un nodo y tierra. Estos
dispositivos no están mostrados físicamente en el layout, pero en el momento de las
simulaciones, el programa asume real sus efectos. Con situar el Mouse aquí, se
despliega otro submenú para escoger la R, L o C a incluirse en el layout. Seguido de esto
se hace clic en el punto donde se va a ubicar el dispositivo, y por último se escoge el
valor del dispositivo en sus respectivas unidades.
“Duplicate XY”: Mediante esta función se multiplica un área seleccionada del layout
(selección mediante arrastre), tantas veces como se desee, horizontal (X) y verticalmente
(Y). Esta función es bastante útil cuando se necesita repetir celdas un número
determinado de veces, como es el caso de celdas lógicas RAM

SIMULATE
“Simulation on layout”: Mediante esta función se puede observar la circulación de

corrientes en el circuito en tiempo real. La intensidad de las corrientes son escaladas
mediante colores, siendo las zonas de color azul las de mayor circulación de corriente, y
las de rojo las de menor circulación.
“With/Without crosstalk”: En español: diafonía. Este es un efecto indeseado en buena

parte de los casos, que se produce en largas líneas situadas muy cerca unas con otras. La
proximidad de las interconexiones crea un efecto de acople que produce la diafonía entre
las líneas agresoras y las víctimas. El resultado de éste efecto se da más que todo,
mediante una resistencia parásita. Por defecto, en la simulación no se tiene en cuenta
éste efecto; pero haciendo clic en esta opción, se alterna la toma en cuenta o no de este
efecto parásito.
ANALYSIS
“Parametric analysis”: se utiliza ésta herramienta para mirar efectos de influencia de la

capacitancia del nodo sobre el comportamiento del circuito, así como la variación de
tensiones y corrientes con la temperatura y el análisis de Monte Carlo. Al hacer clic aquí
se abre una ventana dinámica donde se puede variar estos parámetros a un valor y paso
deseados. Al ejecutar el análisis se muestra una curva con las variables de interés.
PALETA DE FONDOS (LAYERS)
A continuación se muestra la paleta de fondos o layers de Microwind:

En la paleta de layers se encuentran los distintos materiales que se pueden utilizar en la
construcción de cualquier dispositivo en Microwind. El nombre del material que se
encuentra resaltado en rojo, es el del material que está activo. Por tanto si se tiene
activada la función “Draw box”, la caja dibujada será de ese material. La llave al lado de
cada material indica si está bloqueado o no. Si la llave está roja, el material está
bloqueado, si por el contrario está gris, se encuentra desbloqueado. A continuación se
dará una breve descripción de cada tipo de material:
Polysilicon: En español: Polisilicona, más exactamente dióxido de silicio (SiO2). Este

material es utilizado para construir las compuertas de los dispositivos MOS. También se
utiliza para construir resistencias y capacitancias. La polisilicona2 no es utilizada en las
puertas de dispositivos MOSFET, sin embargo es uno de los materiales más utilizados
para construir resistencias y capacitores en Microwind.
P+ diffusion: Es una región tipo P fuertemente contaminada, que constituye el drenador

y fuente del MOSFET tipo P, y la zona de sustrato del MOSFET tipo N.
N+ diffusion: Es una región tipo N fuertemente contaminada, con la cual se construye el

drenador y fuente del MOSFET tipo N, y la zona de sustrato del MOSFET tipo P.
N Well: Como su nombre en inglés lo indica, es un pozo tipo N sobre cual se construye
el MOSFET tipo P.

Contact: simboliza un contacto entre layers. Dos diferentes layers que se conecten
mediante un contacto, se transformarán en un solo nodo eléctrico. La corriente máxima
que puede pasar un contacto es de 1mA, por tanto, si se sabe que se va a trabajar con
circuitos donde circule una corriente más alta, es necesario hacer las uniones con más
contactos.
Metal (1 - 6): son diferentes tipos de metal (con diferente resistividad, inductancia por
unidad de longitud, etc.) que se utilizan para unir nodos eléctricos, y para hacer
capacitores.
Option layer: Cualquier cosa que esté dentro de un área demarcada por éste layer, podrá
ser sometida a cambios especiales, por ejemplo, la remoción de silicatos para aumentar
resistencia. Estas opciones se revisan en la ventana de navegación, en la pestaña
“Options”.
Los “contactos varios” son plantillas predeterminadas que contienen uniones de

metales-siliconas mediante contactos (ejemplo: entre metal1 y metal2, o entre poly2 y
metal5). Ahorran tiempo cuando se está trabajando con muchos tipos de material.
El botón de visibilidad en simulación, alterna la aparición o no del nodo seleccionado en

las pruebas de simulación del programa. Esta operación también se puede hacer desde la
ventana de navegación.
VENTANA DE NAVEGACIÓN DE MICROWIND
La gran importancia de ésta ventana radica en que brinda información detallada sobre las
propiedades eléctricas y la polarización de un nodo seleccionado del layout actual.
Además muestra listas de todos los dispositivos MOS del layout con los cuales esté
relacionado el nodo, realiza los cálculos de diafonía (crosstalk) y permite hacer los
ajustes que puedan ser habilitados por el Option layer. Se accede a esta ventana
utilizando la función “View electrical node” o simplemente haciendo doble clic sobre
cualquier nodo del layout. A continuación se mostrará la visualización de la ventana de
navegación y sus características más importantes:

PESTAÑA PROPIEDADES (PROPS)
En ésta pestaña se muestran las propiedades

eléctricas del nodo seleccionado. Son dispuestos en
orden descendente: el nombre del nodo, sus
propiedades de polarización (Vdd, Vss, sinus,
variable, etc), su visualización o no en la simulación
(desde aquí también se puede cambiar ésta
condición), y las propiedades pasivas del nodo
(capacitancia entre nodo y tierra, resistencia, ancho e
inductancia). En el cuadro inferior de texto se
muestran con más detalle estas propiedades.
PESTAÑA CROSSTALK (CTLK)
Mostremos cómo se realiza el cálculo de diafonía mediante un ejemplo sencillo.

Construimos un condensador cualquiera, para este caso de material poly/poly2:
Aquí precisamente es favorable la

aparición del fenómeno de diafonía,
pues el acople entre éstas placas grandes
de material favorece la aparición de
capacitancias entre ellas. Al hacer clic
sobre cualquier nodo de este
condensador y visualizar la ventana
navegación, hacemos clic en la pestaña
ctlk y hacer clic en Compute aparecerá
entonces:

La medida del efecto de diafonía para cada uno de los nodos del layout se ve reflejada en
la escala de colores de efecto crosstalk de la pestaña y por una tensión y porcentaje para
cada nodo en el cuadro de texto inferior. La escala de colores puede ser cambiada por el
usuario mediante los botones de zoom. En un nodo donde no se presente este efecto, éste
será resaltado en color negro. Posteriormente a un cálculo del efecto de diafonía, su
capacitancia resultante será tomada en cuenta en las simulaciones.
PESTAÑA DISPOSITIVOS (DEVICE): Esta ventana muestra todos los dispositivos

MOS a los cuales está conectado el nodo seleccionado, con su tipo, ancho y largo de
canal. También puede escogerse si se muestran o no todos los transistores MOS del
layout actual, y se puede generar desde aquí el netlist de SPICE.
PESTAÑA OPCIONES (OPTIONS): Esta ventana permite escoger opciones de Option

layer, como la clase de dispositivo MOS (Baja carga (Low leakage), Alta velocidad
(High speed) y alta tensión (High voltaje)). Además permite quitar el material Salicide
para aumentar la resistencia, lo cual es muy útil en la construcción de resistores.

GENERACIÓN AUTOMATICA DE DISPOSITIVOS EN MICROWIND
Microwind cuenta con plantillas predeterminadas de layout para diferentes dispositivos

análogos. En ocasiones, se ahorran mucho tiempo construyendo configuraciones
recurriendo a estas plantillas en vez de hacer elemento por elemento manualmente.
A continuación se muestra la ventana de generación de dispositivos (Layout generator)

de Microwind, para los dispositivos realizables más utilizados:
TRANSISTORES MOS
La ventana de generación de
transistores MOSFET pregunta al
usuario el ancho (W) y largo (L)
del canal del transistor, así como
su equipo (N, P o doble
compuerta). Brinda además la
opción de escalamiento en
micrómetros o en unidades
Lambda.
Además se brinda la opción de añadir polarización al transistor que se quiere generar; y
de crear múltiples canales (es decir, múltiples transistores acoplados fuente-dren para
construir MOSFET de canal ancho).
RESISTORES
Para generación de un resistor es
necesario escoger el tipo de
material, la división en partes
horizontales, el ancho de resistor,
el poner o no contactos al final del
elemento, insertar o no el símbolo
de resistencia, y obviamente el
valor de resistencia en Ohmios.

Importante:
Existe un problema con ésta clase de resistencias hechas en Microwind. Si se crea una
resistencia en un layout, y después se convierte en netlist de SPICE, puede darse uno
cuenta de que la resistencia creada pertenece toda a un mismo nodo eléctrico. Esto quiere
decir que se está creando una resistencia entre un mismo nodo, y obviamente, una
resistencia que no existe. Éste problema será ilustrado a profundidad con un ejemplo
práctico más adelante.
CAPACITORES
(Esta opción es exclusiva de

Microwind 3)
Para la generación de un capacitor
se debe ingresar al programa el
tipo de material del capacitor y el
valor en pico-Faradios de la
capacitancia de este.
El uso de capacitores en Microwind tiene la limitación de que estos dispositivos utilizan

mucha área en la pastilla de silicio comparado con el resto de dispositivos, por tanto no
es conveniente hacer capacitores que sobrepasen cierto valor en su capacitancia. (Más o
menos unos 100 pF)
INDUCTORES
Al generar un inductor es
necesario ingresar las vueltas,
ancho, espaciamiento y radio
menor del inductor, así como el
material del cual estará hecho el
inductor. También puede
escogerse si se insertan o no los
símbolos de resistencia y
capacitancia serie del dispositivo.

Los inductores también presentan el problema del gran espacio que utilizan en el chip de
silicio, lo cual limita su utilización.
CONTACTOS
Al generar contactos, debe

ingresarse el tipo de contacto, más
la repetición del mismo horizontal
(rows) y verticalmente (columns)
DIODOS
Se genera un diodo (exclusivo de

Microwind3), ingresando el tipo
de diodo (P+/Nwell ó N+/P-sub),
el número de contactos
horizontales y verticales, y la
polarización local.
CONSTRUCCIÓN MANUAL DE LAYOUT DE UN DISPOSITIVO MOS
Para realizar manualmente el dibujo del diseño de un dispositivo MOS y simular su

comportamiento, podemos usar fácilmente microwind de la siguiente manera:
Para crear un MOS canal N:
Debe realizarse antes una observación sobre el dibujo en el layout, el fondo (negro por
defecto) representa un sustrato de un MOS canal n, es decir una difusión p.

1. En la paleta de layers, escoja el material polysilicon1 (con este material se construye
la compuerta del transistor). Fije la primera esquina del cuadro con el Mouse.
Manteniendo presionado el Mouse, muévalo a la esquina opuesta del cuadro. Ha sido
creado un cuadro en capa de polysilicon mediante un arrastre de Mouse. El ancho del
cuadro no debe ser inferior a 2 lambda., que es el ancho mínimo del cuadro.
En este caso hemos realizado, para
un lambda de 0.050um, un cuadro
de 3 por 23 lambda (0.150 X 1.150
um). Se entiende que el lado más
corto del rectángulo formado va a
ser la longitud del canal (se mide
horizontalmente) del transistor a
crear, en éste caso L= 3λ =
0.150um. El material y el área real
en (um) de cualquier caja dibujada
sobre el workspace (fondo negro o
sustrato P) de Microwind serán
mostrados en la barra de resultados.
2. Cambie la capa actual a difusión n, haciendo clic sobre el botón de difusión n en la

paleta, asegúrese que el material escogido (esto se refiere a que se encuentre
resaltado en color rojo sobre la paleta) sea ahora la difusión n+ (Alto dopaje, “N+
diffusion”). Dibuje un cuadro de difusión n+, este cuadro queda representado por un
color verde. La intersección entre el polysilicon y la difusión n+ crea el canal del
dispositivo MOS. Para este ejemplo, si queremos un transistor con un canal de
W=19λ (medido verticalmente) y L=3λ, dibujamos un cuadro que cumpla con la
condición de ancho, y preferiblemente simétrico a lado y lado del canal:

Debe observarse en este momento el orden en el que se van dibujando las capas actuales
(primero el polysilicon, que representa la compuerta del dispositivo, luego la difusión de
alto dopaje que posiblemente son la fuente y el dren del dispositivo, ya que el dispositivo
es simétrico, entonces se debe tener una vaga idea de cómo es el proceso de construcción
en estos momentos)
3) Para asignar los contactos, debe tenerse en cuenta que deben tener dimensiones
mínimas, y que deben distribuirse de modo que quede el máximo número de
contactos distribuidos en sus distancias mínimas en la difusión N que se tenga.
Recordando lo anterior procedemos a escoger en la paleta el layer “contact”,
distribuirlos en su tamaño y separación mínima, y cubrirlos con el layer “metal1”.
El resultado es el siguiente:

Como vemos que en este caso el área de la difusión N permite poner dos contactos en
vez de 1 a cada lado del canal, por eso utilizamos el número máximo permitido. Hasta
este punto sólo faltaría colocar el contacto de compuerta, para completar el dispositivo
MOS de canal N.
Algunos diseñadores optan por diferenciar entre drenador y fuente, poniendo al lado de
una de las dos difusiones N una difusión P e interconectarlas mediante contactos y metal.
Esta difusión P simboliza entonces la terminal del cuerpo conectado a la fuente. El
layout resultante es:
En realidad, hacer esta modificación no

influye demasiado en el comportamiento del
dispositivo, por tanto no es obligatoria.

Para crear un MOS canal P:
Para crear un dispositivo MOS de canal P, deben seguirse esencialmente los mismos
pasos de construcción para su análogo de canal N; sólo deben tenerse en cuenta estas
diferencias:
- El transistor MOS de canal P, debe ser construido sobre una región N especialmente
creada, llamada “N well”, o pozo N. esta área debe ser más grande que el transistor a
crear, el archivo de reglas determina qué tan grande debe ser.
- Las regiones de difusión para drenador y fuente, son de tipo P (“P+ diffusion”). Si se
quiere hacer una región de cuerpo, esta debe ser de difusión N. El layout de un
transistor MOS tipo P es el siguiente:
Visualización del aspecto vertical de proceso del MOS
Para ver un aspecto vertical del MOS (en este caso tipo N), debe hacerse clic sobre el
icono que permite tener acceso al proceso de simulación (comando
>>”SIMULATE”>>”Process Section in 2D” en el menú principal) la sección
transversal es tomada haciendo clic con el Mouse en un primer punto y soltándolo en un
segundo punto (haciendo un arrastre). Se mostrará la siguiente ventana:

La sección transversal debe mostrar tres nodos, la puerta (de color rojo), la difusión
izquierda es la fuente (verde) y la derecha el dren (color verde) sobre un sustrato de color
gris. Al lado de la fuente se encuentra la difusión P en que simboliza el terminal de
cuerpo de transistor. Un oxido débil o tenue, llamado oxido de la puerta, separa el
terminal de puerta. Varios pasos de oxidación llevan a amontonar el oxido sobre la
superficie de la puerta. Sobre todo esto está el metal de los contactos.
Ejemplo de corrección de errores de diseño

Pueden verificarse las reglas de diseño en todo momento, que son las medidas mínimas
según la tecnología de fabricación, haciendo clic sobre el icono “Design Rule Checker”
en la barra aplicaciones. Como seguramente habrá errores de diseño para el layout que
llevamos construido hasta ahora, lo único que falta entonces es corregir estos errores en
el diseño de acuerdo al archivo de reglas. A continuación se dará un breve ejemplo de
corrección de diseño, para esto hemos generado un layout que contiene los errores mas
comunes:
Al acceder a la función “Design Rule Checker” nos encontramos con varios errores de
diseño, para un archivo de reglas cualquiera:
Figura A

Aquí (Figura A) sólo basta con alargar la longitud del polisilicio sobrante de la difusión
N en 2λ. Al hacerlo mediante la función Stretch para ambos lados del canal y verificar de
nuevo nos encontramos con otro error (Figura B):
Mediante la función
move, alejamos los
contactos a la distancia
adecuada, en éste caso,
4λ. Volviendo a verificar
el diseño nos
encontramos con lo
siguiente (Figura C):
Figura B
Mediante la función
Stretch, corregimos la
distancia circundante de
la difusión N a los
contactos, que para este
archivo de reglas es de
4λ. Al volver a verificar
el diseño, nos damos
cuenta que ya no hay
más errores, por tanto
nuestro dispositivo MOS
de canal N es el
siguiente. (Ver figura D)
Figura C
Como ya no hay más errores en el diseño, se mostrará un mensaje de felicitación, más la
memoria usada hasta el momento por el layout.

La manera como se corrigen éstos
defectos de distancias mínimas es la
misma para toda clase de
dispositivos e interconexiones.
Figura D
OTRAS CONSIDERACIONES Y EJEMPLOS PARA CORRECCIÓN Y
OPTIMIZACIÓN
Número y distribución de contactos
Si comparamos estos dos layouts para un transistor MOS canal N:

Llegaremos a la conclusión de que los contactos del dispositivo de la izquierda pueden
ser dañados por las limitaciones de corriente de los contactos. La forma correcta de
distribuir contactos es la mostrada en el dispositivo de la derecha, donde la corriente es
compartida por los contactos.
Construcción de transistores con canal muy ancho

Observemos estos tres layouts para transistores MOS de canal ancho:
El diseño del transistor de la

izquierda es muy malo. Es
extremadamente largo(en cuanto a
dimensiones verticales se refiere),
por tanto, aparte de aumentar los
efectos de diafonía, es fastidioso
de visualizar e implementar. Dos
soluciones para éste problema son,
implementar puertas en paralelo,
muy fácil de entender (diseño de
la mitad), y la configuración en
anillo (diseño de la derecha),
donde la longitud del anillo
constituye el ancho del canal, y se
escoge como drenador el terminal
interno y como fuente el terminal
externo.
Nota:
Otra manera de construir un dispositivo MOS, un camino más seguro, es usar el

generador de layout. Sin embargo, esto no siempre es lo mejor, pues los layouts
generados por esta herramienta no siempre cumplen con las reglas de diseño que se
desean. La construcción manual o automática de dispositivos MOS, así como los de

cualquier otro tipo, dependen de la experiencia del diseñador y las particularidades de
layout a diseñar.
CONSTRUCCIÓN MANUAL DE LAYOUT PARA OTRAS CELDAS ANÁLOGAS
LAYOUT PARA RESISTENCIAS
Una resistencia puede ser implementada usando diferentes materiales. La tabla 1 ofrece
un listado de los valores típicos de la resistencia laminar (sheet Resistance en ohmios por
cuadro), la tolerancia y los coeficientes de temperatura para los materiales mas usados, a
saber: polysilicon, difusión y pozo.
Tabla 1
Para resistencias pequeñas, pueden ser usados segmentos rectos, y el valor de la
resistencia puede ser calculado como:
R= Rsh L/W= pL/tW p=1/(quND) (1)
Donde L, W, t, Rsh., y p son la longitud (medida horizontalmente), ancho (medida
verticalmente), espesor (esto porque lo que se muestra en el workspace es la capa
superior, debe entenderse que el proceso es en tres dimensiones y tiene un espesor o
profundidad, puede medirse al realizarse un corte vertical del segmento), resistencia
laminar y resistividad laminar del segmento, respectivamente.
Para resistencias con valores grandes, una estructura en forma de serpiente como muestra
la figura 1 debe ser usada.

Figura 1 estructura en forma de serpiente para lograr resistencias grandes
Squares = cuadritos
En este caso cada esquina puede ser aproximada de 0.5 a 0.55 cuadros y
Cada contacto contribuye 0.14 cuadros.
Para calcular el valor de la resistencia mostrada en la figura 1, debemos calcular la
cantidad de cuadros presentes en el layout:
 6 lados aportan 4 cuadros

 5 lados aportan 1 cuadro ( se refieren al intermedio de las esquinas)
 Los contactos aportan 0.14 cuadros cada uno
 Las esquinas aportan 0.55 cuadros cada una, hay 10 esquinas
Para un total de (6 x 4 + 5 + 5 x 2 x 0.55 + 2 x 0.14) = 34.78 cuadritos, dependiendo del

material que se usó se calcula la resistencia de acuerdo a la resistencia laminar del
material (ohmios/cuadro) y al espesor del segmento (t).
Las esquinas redondas contribuyen con más resistencia y puede ser mejor aproximadas
que las esquinas cuadradas.
Típicamente la variación en la resistencia laminar es muy pequeña, y L>> W. de la
ecuación (1) el error en el valor absoluto de la resistencia puede ser obtenido como:
R/R R/R L/L W/W (2)
Para un proceso dado delta (W) es fijo, y como resultado el error de la resistencia pude
ser minimizado maximizando el ancho W.

LAYOUT PARA CAPACITORES
En un circuito integrado las capacitancias pueden ser fácilmente obtenidas usando placas
paralelas de alguno de dos diferentes capas, colocando una sobre otra, de esta manera la
capa dieléctrica será oxido de silicio. La tabla 2 ofrece un listado de las capacitancias
típicas por unidad de área, ambas con su tolerancia para diferentes estructuras en
procesos CMOS de 0.8 um.
Frinding edge = efecto de borde

Es importante observar que la capacitancia usada en la puerta del MOS sobre el espesor
del oxido, puede ser usada para lograr una gran capacitancia por unidad de área .sin
embargo, estas capacitancias en general son altamente dependientes del punto de
polarización lo que resulta en algo complicado y molesto.

Nótese también que la capacitancia de borde puede resultar bastante significativa y
puede ser utilizada para alcanzar el valor requerido de capacitancia.
La estructura más popular con un gran valor de capacitancia por unidad de área puede
ser obtenida con una de las capas, o ambas, siendo polysilicon.
La tabla 3 muestra los valores típicos de capacitancias, las tolerancias, temperatura y
coeficientes de voltaje para varios tipos de estructuras.
Tabla 3
Capacitance / area = Cox
El valor de la capacitancia, para un capacitor de placas paralelas, puede ser obtenido por:
C =Eox A / tox = Cox WL
Donde A, W, L, Cox, y Eox son el área de la placa, el ancho, la longitud, el espesor del
dieléctrico y la constante dieléctrica del capacitor respectivamente.
Para lograr una gran capacitancia por unidad de área y conservar el área total, es común
usar muchos capacitores tipo sándwich y conectarlos luego en paralelo (ver figura 2)
Figura 2

Note que la capacitancia total es la suma de las capacitancias individuales. Un problema
grande son las capacitancias parásitas entre el poly y el sustrato, inevitablemente existe y
puede afectar el desempeño del circuito. Como comparación, las capacitancias totales
típicas, junto con la parasita se muestra en la tabla 4.
Tabla 4
Designed capacitance = capacitancia diseñada en el layout

Parasitic capacitance= capacitancias parasitas presentes en el layout
Ratio = relación entre las dos capacitancias
El error absoluto en el valor de la capacitancia puede ser obtenido como:
 C/CCS/CS L/LW/W (2)
Típicamente el error debido al efecto de borde (over-etching) es el mismo para ambos

lados
L/L W/W
Esto se traduce en que la capacitancia de error debida a la impresión es proporcional al

perímetro y al área del capacitor.
Como resultado el error en la capacitancia se reduce si las dimensiones son escogidas al
mínimo, el perímetro sin embargo guarda la misma área. Esto sugiere que una estructura
cuadrada podría lograr un error mínimo para un capacitor dado.
Conociendo cómo se genera el layout de una resistencia y de un capacitor, es posible

mejorar las propiedades cuando se quiere generar varios dispositivos pasivos.

MINIMIZACION DE ERRORES
Cuando se realiza el correspondiente layout de un circuito en general, pueden surgir

capacitancias y resistencias parasitas, además de otros factores que influyen para que el
circuito opere de manera indeseada. Esto se mencionará mas adelante.
Un layout es la especificación física y las interconexiones entre todos los dispositivos

(En Microwind descritos como layers o capas) de un circuito. De esta manera un layout
es usado para generar todas las mascaras de capas usadas para la fabricación de un chip.
Cuando se está generando un layout, se debe estar consciente que se desea simular el
comportamiento real del circuito, entonces hay que tener en cuenta diferentes aspectos:
LAYOUT PARA CIRCUITOS DIGITALES
Un layout para circuitos digitales tiene las siguientes características:

 usualmente muchos transistores.
 muchos transistores requieren tamaño mínimo (para mayor velocidad de
procesamiento).
 se les asocia un retardo mínimo.
 se enfoca en interconexiones entre módulos.
LAYOUT PARA CIRCUITOS ANALOGICOS
Un layout para circuitos analógicos tiene las siguientes características:

 usualmente pocos transistores.
 pocos transistores de tamaño mínimo.
 Minimiza desniveles.
 Se enfoca en optimizar dispositivos individuales.
Para lograr que este comportamiento de diseño realmente se logre, es necesario seguir
algunas recomendaciones en la implementación del layout:

1. Controlar la geometría para evitar incertidumbres en los cálculos. (Por ejemplo,
cuando se calcula la resistencia de un segmento por las relaciones dadas
anteriormente, existe una incertidumbre en el final de la resistencia. (efecto mostrado
en la figura 5)
Figura 5
 La solución al anterior problema es doblar la resistencia en los puntos de
incertidumbre y controlarla a través de capas de baja resistividad, como se muestra
en la figura 6
Figura 6
 Los cálculos son más precisos si se evitan utilizar medidas mínimas
 Un buen diseño del circuito, maximiza la confianza en los valores absolutos de los
componentes.
2. La precisión se mejora si los dispositivos se emparejan (tienden a ser iguales)

 Los dispositivos son los mismos debido a que se puede emparejar la precisión:
R/R~ 0.1% Is/Is~ 1–10%

C/C~ 0.1%
Es decir emparejar las relaciones e incertidumbre.
 Para características del circuito que dependen de relaciones entre valores de los
componentes (ej. Ganancia):
Emparejamiento preciso  características aproximadas


 Para mejorar el emparejamiento de los dispositivos deben diseñarse con las
siguientes características:
Misma temperatura…………………………………..espaciamiento mínimo
Geometrías de centroide común……………………..idéntica forma y tamaño
Misma orientación…………………………………...mismo ambiente
Evitar mínimos tamaños
Adicionalmente, pueden usarse las siguientes técnicas:

 Minimizar las resistencias parasitas usando la mínima cantidad de contactos posibles.
 Usar múltiples contactos pequeños en vez de un solo contacto largo, para reducir la
curvatura de la superficie del metal y esto reduce el riesgo de micro fractura.
 Usar estructuras acopladas para realizar transistores largos
PARA MINIMIZAR RUIDO
 Maximizar la separación entre las líneas análogas y digitales.

 Múltiple alimentación y tierras en los pines de alimentación de layouts digitales
cuando sea posible; de no ser posible, las conexiones deben ser estrechas y rellenas
lo mejor posible.
 Usar guardas contra riesgo de aislamiento
 Usar wells para aislamiento, escudo y capacitores de derivación para los voltajes de
alimentación.
 Usar líneas de metal con inclinación constante entre interconexiones de líneas.

INCLUSIÓN DE POLARIZACIÓN EN UN LAYOUT DE MICROWIND
El objetivo de construir un layout en Microwind, es construir un circuito integrado que

se ajuste a especificaciones de comportamiento de tensiones, corrientes, respuesta en
frecuencia, etc. que se requieran. De nada nos sirve entonces diseñar cualquier
configuración si no se le agrega la polarización adecuada para que esta funcione.
Microwind cuenta con adecuadas fuentes de polarización para cualquier diseño
dependiendo de la tecnología de fabricación escogida.
Cuando se desee ingresar una fuente de polarización en cualquier nodo del layout, en la
paleta puede escogerse cualquiera de los botones de fuentes de polarización que en ella
se encuentran. Seguido de esto se hace clic en un punto perteneciente al nodo al cual se
le va a aplicar la polarización. Dependiendo de la clase de polarización escogida, se
abrirá la siguiente ventana:
FUENTES DE TENSIÓN CONTÍNUA (DC SUPPLY)
Esta ventana muestra las opciones

de polarización para fuentes de
tensión continua. Para la
tecnología en uso, los valores de
VDDH (fuente de alta tensión),
VDD (fuente de tensión), y VDD
2/2 (fuente de baja tensión), son
cambiantes pueden ajustarse en
archivo de reglas.
Para esta y las demás clases de polarización, puede ingresarse un nombre personalizado
para la fuente y decidir si el nodo es o no visible en las simulaciones.
Importante:
En la versión 3 de Microwind, es permitido al usuario ingresar un valor libre positivo de
nivel de tensión en el campo “DC Voltage Level (V)”; mientras que la versión 2 sólo
permite asignar los valores predeterminados de acuerdo a la tecnología.

RELOJ (CLOCK)
Para generar un reloj o tren de

impulsos en un nodo, se debe
asignar los niveles bajo y alto del
reloj, así como su tiempo en nivel
bajo (tl), su tiempo en nivel alto
(th), y sus tiempos de
levantamiento (tr) y caída (tf).
Aparte de estos campos existen botones automáticos (Faster y Slower) que aceleran o
ralentizan el reloj a asignar en un factor de 2. El botón Last Clock invierte el último reloj
ajustado.
PULSO (PULSE)
Para incluir un pulso unitario (que

no se repite en el tiempo), se debe
asignar el tipo de pulso (positivo o
negativo), y los niveles bajo y alto
del pulso, así como el tiempo
inicial (ts), el tiempo de
levantamiento (tr), el tiempo del
pulso (t), y el tiempo de caída.
Los botones Larger y Shorter alargan o acortan la duración del pulso, respectivamente.
El botón Last Clock invierte el último pulso ajustado.

FUNCION SENOIDAL (SINUS)
Los parámetros a ingresar para

generar una función senoidal son
su amplitud en (V), su frecuencia
en (MHz), su nivel de tensión de
continua u offset en (V) y un
incremento en la frecuencia de la
onda si se desea.
Los botones Slower y Faster cumplen con funciones análogas para reloj y pulso. Se
puede activar la aparición de ruido en la señal con el botón Add noise, y después
especificar el valor promedio del ruido en (mV).
SECUENCIA LOGICA DE PULSOS (PWL)
Una secuencia lógica de pulsos

(propia de Microwind3) es una
sucesión libre de niveles lógicos
alto y bajo que se distribuyen
equitativamente o no en un tiempo
determinado.
Los parámetros a ingresar para

crear una secuencia de éste tipo son los niveles alto y bajo de la sucesión, y la secuencia
de niveles de esta que se ingresa a la tabla haciendo clic en el botón Insert. Por defecto,
los tiempos de duración de cada nivel son iguales, pero el diseñador puede cambiar estos
tiempos a su conveniencia.

FUNCIÓN MATEMATICA f(t) (MATH) --------------------- (Sólo en Microwind 3)
Mediante esta útil función, se

puede polarizar un nodo con
cualquier función matemática
constante o variante en el tiempo.
Sólo hay que ingresar la ecuación
con la cual se desea polarizar el
nodo y hacer clic en Assign.
 TIERRA (GROUND): Como su nombre lo indica, con esta función sólo se está
agregando a un nodo una polarización de 0 (V). El nodo aterrizado queda marcado
como Vss por defecto.
 VARIABLE: Esta función se utiliza solamente para agregar un nombre a un nodo

que no se encuentre conectado a ninguna fuente de polarización, y decidir si se verá o
no en las simulaciones.
SIMULACIONES EN MICROWIND
Simulación de características de dispositivos MOS
Se accede a esta utilidad de Microwind presionando el botón “Simulate MOS

characteristics” en la barra utilidades, o mediante el comando Simulate  MOS
characteristics. Después de seleccionar el polysilicon de canal (o nodo de compuerta)
del transistor seleccionado en el layout, se abrirá la siguiente ventana:

En ella se muestran las curvas de comportamiento de Id contra Vds, para varios valores
de Vgs escalados a un paso determinado. La ventana presenta una lista de todos los
parámetros que se pueden variar según el modelo de transistor (Level1, level3 y BSIM4),
y también se puede variar la temperatura a la cual se ejecuta la simulación y añadir
obligar efectos del cuerpo. Una utilidad importante de esta ventana es que también se
puede obtener una gráfica del comportamiento de transistores, si designa un largo y
ancho de canal diferentes en el campo “MOS Size” (Tamaño MOS).
En la gráfica de Id contra Vgs se presenta la influencia del efecto cuerpo sobre su

comportamiento a una tensión Vds determinada.

En esta ventana se varía la tensión Vb hasta un valor determinado a un paso escogido. Se
puede apreciar que la corriente disminuye a medida que se hace más negativo el voltaje
Vb.
En la ventana de Tensión de umbral (Treshold voltaje) se visualiza el efecto cuerpo sobre
la tensión umbral:
Se observa que al hacer más negativo el voltaje Vb, el umbral para el funcionamiento del
transistor aumenta.
En la ventana de capacitancias, se muestra la variación de las capacitancias internas del
transistor conforme varía Vds, a una tensión Vgs fija.

Simulación del comportamiento de circuito
Cuando se tiene un layout con polarización y se desea analizar el comportamiento de este

en tiempo y frecuencia, Microwind pone al alcance del diseñador una herramienta de
simulación de circuito. A ella se accede mediante el botón “Run simulation” o mediante
el comando Simulate Run simulation. Esta ventana dinámica permite observar
ganancias de circuito, comportamientos lógicos y anchos de banda, y con base a estos
comportamientos, corregir los errores de diseño que se puedan estar presentando.
Supongamos que, por ejemplo, tenemos un amplificador diferencial cualquiera y se

quiere observar la ganancia. Al acceder a la función de simulación de circuito se
visualiza la siguiente ventana:
Aquí se observa el comportamiento del tiempo de la señal en el nodo de salida

comparado con las entradas, que para este caso son los nodos visibles en la simulación.
Al no ser apreciables en la gráfica las entradas contra la salida, sabemos que la salida es
más grande que las entradas. Como se marcó la casilla de verificación “Min/Max/Av”,
son mostrados para el nodo de salida sus valores máximo y mínimo. Como la entrada en
este caso es de Vd = 20mV y la amplitud de la salida es mostrada como dV = 0.564V,
Podemos obtener Av = dV/Vd = 28.2[V/V].

La ventana dinámica muestra además para todos los tipos de simulación, funciones para
la escala de tiempo “Time Scale”, y el paso utilizado, así como para graficar la
Transformada Rápida de Fourier (“FFT”), que despliega la siguiente ventana:
Esta gráfica muestra los

armónicos y la respuesta en
frecuencia de estado estable
para el nodo de salida de
nuestro circuito de ejemplo.
La pantalla de tensiones y corrientes (“Voltages and currents”) muestra el

comportamiento de estas cantidades y su interrelación.
Aquí se puede escoger las

corrientes disponibles para
graficar y su escala, la
evaluación de máximos,
mínimos y ganancia, al
igual que la escala de
tiempo y el paso utilizado.
Por su parte, la ventana de tensiones contra tensiones, (“Voltaje vs Voltage”) se utiliza

para construir curvas de transferencia de tensión y así establecer regiones lineales de
amplificación y puntos de operación.

La ventana de frecuencia contra tiempo (“Frequency vs time”) se utiliza para observar
las variaciones en frecuencia de un nodo específico del layout conforme existan
perturbaciones temporales en las señales del circuito. A continuación se muestra un
ejemplo de visualización de esta ventana:
Esta ventana es muy útil

para llegar cualquier
frecuencia de señal en
cualquier nodo del layout
actual, así como para mirar
variaciones en la
frecuencia de la señal de
interés.
Mediciones manuales
En todas las ventanas de simulación se puede hacer arrastres para medir diferencias de
magnitud de tensiones y corrientes, al igual que diferencias de tiempo y frecuencia. Por
ejemplo, si se desea calcular el periodo de una señal cualquiera en una simulación, basta
con hacer un simple arrastre de Mouse entre los puntos adecuados (en este caso sobre
una longitud de onda) de la señal a medir, se obtiene:

La distancia entre picos sucesivos de esta
señal senoidal (marcada como línea punteada)
arroja el periodo y la frecuencia de la onda de
interés.
Ventajas y desventajas de las herramientas de simulación en Microwind
Aunque Microwind ofrece una herramienta poderosa de simulación, sobre todo por la
función de simulación de comportamiento de dispositivos MOS y el dinamismo de las
ventanas; en un buen número de casos es más apropiado realizar las tareas de simulación
en otra herramienta que permita, por ejemplo, realizar un mejor escalamiento de las
señales, incluir más formas de onda en un mismo plot y realizar operaciones entre
señales, como es el caso de SPICE. Es ésta una de las principales razones por la cual
Microwind permite la conversión de un layout a netlist de SPICE.
UTILIZACIÓN DE TECNOLOGÍAS, REGLAS DE DISTANCIAS MÍNIMAS Y

ARCHIVOS DE REGLAS DE MICROWIND
Evolución en el tiempo de las tecnologías de fabricación de IC’s
Ya se ha hablado anteriormente sobre reglas de diseño de acuerdo a tecnologías de

construcción, y sobre archivos de reglas (.RUL). Las tecnologías de fabricación de IC’s
son un conjunto de reglas geométricas, químicas, eléctricas, etc. que forman estándares
para fabricación de circuitos integrados. Estas tecnologías han tenido una evolución en el
tiempo de acuerdo al avance de la ciencia de los semiconductores, que ha permitido
aumentar la escala de integración de dispositivos, y por tanto aumentar la rapidez y
disminuir las pérdidas de energía en los circuitos integrados. A continuación se muestra
una gráfica donde se muestra el avance incontenible en términos de litografía (que es el
conjunto de disposiciones más pequeñas que se pueden lograr en la construcción de un
IC) en los campos industriales y de investigación que se han dado en los últimos 25 años
y una proyección hacia el futuro cercano:

Desde 1995, cuando se introdujo la escala de integración deep submicron al crearse
litografía más pequeña que 0.3um, hubo una explosión en términos de desarrollo de
tecnologías de fabricación de IC en producción masiva; los productos Pentium I y II son
resultados del trabajo que se realizó entre los años 1995 hasta 2001, año donde aparece la
escala ultra deep submicron, que incluyó tecnologías que manejaban litografía por
debajo de los 0.1um. En el 2004 aparece la escala nano de integración, con la tecnología
de fabricación CMOS de 90nm. Se estima que entre los años 2010 a 2013, se llegue a
una escala de integración deep nano, que incluya tecnologías entre los 22um y 32 um. Si
hablamos de la línea de investigación, ésta se mueve aproximadamente unos cinco años
más adelante que la línea de producción masiva de IC’s.
Tecnologías de fabricación en Microwind
El software Microwind es capaz de manejar múltiples tecnologías. La versión 2

manejador respecto la tecnología CMOS de 0.35um, mientras que la versión 3 maneja
por defecto la tecnología de proceso CMOS de 0.12um, 6-metal. Sin embargo, las
tecnologías del trabajo pueden ser cambiadas según lo quiera el diseñador, cambiando

las reglas de diseño. Estas reglas consisten en distancias mínimas entre capas, y las
propiedades de estas. También pueden cambiarse los parámetros para cada uno de los
modelos de representación de transistores con los cuales trabaja el programa. Microwind
posee archivos de reglas predeterminados para varias tecnologías de fabricación.
Unidades Lambda
Microwind trabaja en unidades de cuadrícula dadas en lambda, no en unidades de

longitud, por tanto, cualquier layout puede ser simulado en cualquier tecnología. El valor
de lambda para cada tecnología es la mitad del largo del canal de un dispositivo MOS.
La siguiente tabla muestra la correspondencia entre el valor de lambda y el largo del
canal para cada tecnología disponible en el paquete de instalación del software:
Reglas de diseño
A continuación se muestra la referencia y significado de las reglas de diseño contenidas

en un archivo .RUL, acompañado de algunas gráficas útiles:
Reglas para pozo (Well)
r101: tamaño mínimo del pozo

r102: distancia entre pozos

r110: área mínima de pozo
Reglas para difusiones (diffusion)
r201: ancho mínimo difusiones

r202: entre 2 difusiones N y P
r203: pozo sobresaliente a difusión P
r204: entre difusión N y pozo
r205: borde del pozo después de polarización N
r206: entre polarizaciones N y P
r207: borde de pozo después de polarización P
r210: área mínima de difusión
Reglas para polysilicon
r301: ancho de polysilicon

r302: puerta de polysilicon en difusión
r303: puerta de polysilicon en difusión
para MOS de alta tensión
r304: entre dos cajas de polysilicon
r305: polysilicon contra otra difusión
r306: difusión después de polysilicon
r307: extra puerta después de polysilicon
r310: superficie mínima
Reglas para polysilicon2
r311: ancho de polysilicon2

r312: puerta de polysilicon2 en difusión
r320: superficie mínima de polysilicon2

Reglas MOS
rOpt: borde de capa de “opción” sobre

Difusiones N y P
Reglas para contactos
r401: ancho del contacto

r402: entre dos contactos
r403: difusión extra sobre contacto
r404: polysilicon extra sobre contacto
r405: metal extra sobre contacto
r406: entre contacto y puerta
r407: polysilicon2 extra sobre contacto
Reglas para metal1
r501: ancho metal

r502: entre dos cajas de metal
r503: superficie mínima
Vía
r601: ancho de vía

r602: entre dos vías
r603: entre vía y contacto
r604: metal extra sobre vía
r605: metal2 extra sobre vía

Las reglas para los metales 2 al 6 y sus respectivas vías tienen referencias y significados
semejantes. Todas las reglas anteriores deben especificarse en unidades de lambda.
Algunas de las reglas más comunes
Otras reglas son anexadas en los papers, estas fueron presentadas para tener una idea
general de las mismas.

Modelos de dispositivos MOS
Microwind dispone de tres modelos para caracterizar y simular los dispositivos MOS:
Modelo de nivel 1
Para la evaluación de Id en función de Vgs y Vds en un transistor MOS, puede usarse

este viejo pero muy útil modelo de representación:
Las condiciones y ecuaciones para los tres estados del dispositivo se listan a
continuación (por supuesto, deben tenerse en cuenta las polaridades para cada tipo de
transistor):
Donde ε0= 8.55e-12 es la permitividad eléctrica del vacío.
εr= permitividad relativa del medio, 3.9 en el caso del SiO2
Ahora se muestra la lista de parámetros utilizados por Microwind en este modelo:
Modelo experimental de nivel 3

Este modelo calcula Id en función de Vgs y Vds de una manera muy cercana a las
ecuaciones del modelo de nivel 3 utilizado en la herramienta SPICE. Al mirar el
comportamiento para un mismo transistor utilizando los modelos de nivel 1 y 3, nos
damos cuenta que en la zona de saturación hay un tratamiento en el valor de corriente Id.
Esto debido a la introducción de la cantidad Vsat, que es una tensión de saturación en la
cual la corriente se estanca y no llega a los niveles mostrados en las simulaciones del
nivel 1. A continuación se muestra una extracción de las ecuaciones de este modelo:
Ahora se presenta la lista de parámetros para este modelo:

Modelo MOS BSIM4
Este modelo de gran complejidad fue introducido en el año 2000. Aunque conserva las
propiedades a gran escala de los modelos pasados, este modelo ofrece una perfecta
relación de continuidad entre las regiones de operación del transistor. Microwind opera
con un modelo BSIM4 simplificado, ya que en realidad los parámetros que contiene
modelo completo son más de 300. El software solamente toma en cuenta los 20 más
significativos. La extracción de sus ecuaciones viene a continuación:
La ecuación para la tensión de umbral es:
La ecuación para la movilidad es:
Donde

TOXE es el espesor del óxido = 3e-9m para tecnología de 0.12um
UC es el coeficiente de degradación de movilidad = 0.045e-15 m/V2
EU es un coeficiente = 1.67 para MOS canal N y 1.00 para MOS canal P
Y la ecuación general que describe Ids para los tres estados de operación es:
Todos los parámetros que pueden ser fijados por el usuario se listan a continuación:

CONSEJOS GENERALES PARA DISEÑO DE IC’S EN MICROWIND
Para “atacar” un diseño de manera general en Microwind, es necesario tener en cuenta

ciertas consideraciones antes de sentarse en frente del computador a utilizar el software.
Microwind es un proyecto que aún tiene fallas de cierta gravedad, y que exige mucha
paciencia por parte el diseñador para corregir errores. Los siguientes consejos son
producto de la experiencia de los autores al trabajar en este programa.
 Haga siempre diseños analíticos. Si bien esto garantiza que su layout vaya a
funcionar en el primer intento, si da una idea de cómo se debe plasmar el diseño a
lápiz y papel en esta herramienta de software. Realmente es tedioso hacer pruebas y
errores para que algo funcione, sobre todo en Microwind.
 La mejor manera de armar un layout complicado es “modularizar” todas la partes a

utilizar e ir armando el diseño pieza por pieza. Resulta muy útil dividir todas las
partes o etapas de una configuración compleja en partes que puedan ser ensambladas
para construir un layout completo. Resulta adecuado hacer esto pues, al ahora de
presentarse errores, es mejor hacer una revisión por módulos, o volver armar el
circuito por partes, que mirar en que parte de un circuito completo sin módulos, es
donde se encuentra el error. Además, estos módulos sirven para ser utilizados en
diferentes layouts que los pueda necesitar
 No es posible diferenciar transistores del mismo tipo en Microwind. Esto debido a

que se supone que se está trabajando sobre una única oblea homogénea de silicio,
donde las propiedades eléctricas, térmicas, etc. No varían de punto a punto. Teniendo
en cuenta esto es imposible lograr transistores donde se tenga movilidades de
electrón diferentes, por decir un ejemplo, ya que se está trabajando con la misma
clase de material en todos los puntos del IC y los cambios que se hagan para los
parámetros de tecnología de proceso que se hagan afectan a todos los transistores.
 Existen limitadas alternativas de alimentación en Microwind. En el proceso de diseño

que se haga en Microwind se debe tener en cuenta que la alimentación no es un punto

al cual haya que llegar; esto es más bien un punto del cual hay que partir.
Dependiendo de cada tecnología se ofrecen distintas alternativas de fuentes de
polarización (1.2V, 1.75V, 3.3V, 3.5V, 5.0V con referencia de 0V para tecnología de
0.35um, por ejemplo) y es inapropiado escoger tensiones de alimentación diferentes
a las especificadas por cada tecnología. Es por esto que la versión 2 de Microwind no
permite estos cambios en el valor de las fuentes de tensión.
 Diseño basado en la geometría. Basándonos en los puntos anteriores nos damos

cuenta que en realidad el único grado de libertad que brinda Microwind para el
trabajo de diseño es la geometría, es decir, la razón de aspecto (W/L) de los
MOSFET. Esto es lo único que permite variar las relaciones i-v de los transistores en
un mismo IC.

DOS EJEMPLOS DE DISEÑO EN MICROWIND
Inversor lógico digital
Con base a la configuración de inversor lógico realizamos el siguiente análisis:
Vdd
5V
Qp
V
Vin
Qn
Los cuerpos de los transistores N y P están conectados a la fuente de cada transistor, por
lo tanto no se considera el efecto del cuerpo y se considera la entrada Vin en los casos
extremos, y tomando el transistor tipo N como de excitación y el tipo P como de carga,
tenemos:
Para Vin = 5V
La tensión Vgsp = 0 > Vtp, por tanto el transistor P está en corte.

La tensión Vgsn = 5 > Vtn, el transistor N conduce y puede estar en tríodo o saturación
dependiendo de Vout.
Para Vin = 0V sucede el caso complementario, el transistor P conduce mientras que el

transistor N no lo hace.
Como Vin varía de 0 a 5V, las curvas de comportamiento para cada transistor crecerán o
disminuirán mientras el otro se comporta de manera contraria. Pero para un rango de
valores, obviamente mayores que 0 y menores que 5, que es la tensión de alimentación,
las curvas de corriente de los transistores se cruzarán en su región de saturación. Ésta se

constituye en la zona de conmutación de tensión. De aquí sabemos que el inversor pasa
por las siguientes regiones de operación:
I Qn en corte
II Qn saturado, Qp en triodo
III Ambos transistores saturados
IV Qp saturado, Qn en triodo
V Qp en corte
Y es ahora de interés hallar los puntos críticos que determinan el paso de una región a
otra. Reemplazando en las ecuaciones de corriente teniendo en cuenta las condiciones
límite de las regiones de operación de transistores obtenemos:
Va = 1V; Vb = 4V
Los puntos donde se presenta ganancia unitaria, que están en las regiones II (Vil) y IV
(Vih) se calculan igualando corrientes según la región de operación de cada transistor en
cada una de las regiones de operación del inversor. Haciendo esto llegamos a:
Vil = 2.25V; Vih = 2.75V
Después de haber realizado el diseño de inversor lógico digital, se procede a armar el

montaje del circuito inversor lógico, en el siguiente layout teniendo en cuenta que la
arquitectura exige comportamiento simétrico por parte de los transistores N y P:

Este layout está hecho con base en la recomendación de ancho y largo de canales
mínimo, para aumentar rapidez de conmutación. Se ingresa una señal de reloj a la
entrada (puerta de los transistores N y P) con las siguientes características:
Mediante la herramienta de simulación se obtiene la forma de onda de salida, que se

mide en los drenadores de los transistores:
4.0V
2.0V
0V
-2.0V
0s 0.1us 0.2us 0.3us 0.4us 0.5us 0.6us 0.7us 0.8us 0.9us 1.0us
V1(Vreloj1) V(4)
Time
Aquí en realidad se muestra la inversión de onda hecha por nuestro circuito. Ahora
procedemos a mirar la curva transferencia de tensión, donde encontramos:

Aquí se describen las zonas de operación del inversor lógico y los puntos críticos donde
hay un cambio en la pendiente de la curva transferencia.
Utilizando la herramienta de Transformada Rápida de Fourier, se observa:
Se observa que la respuesta decae al aumentar la frecuencia, al llegar a 2Ghz la respuesta

del sistema se pierde por completo. Esto sugiere que la frecuencia máxima que podría
soportar el sistema sería la mencionada anteriormente. Para verificar este hecho se
cambiará la frecuencia del reloj a aproximadamente 2Ghz para observar el
comportamiento del inversor. Graficando se tiene:

Efectivamente, vemos que la señal de salida (mostrada en rojo) se distorsiona para una
frecuencia de señal de entrada de 1.98Ghz. Este efecto es causado entre otras cosas por
las capacitancias parásitas entre metales y contactos, polisilicio de puerta y difusiones, y
entre estas y el fondo de sustrato (cuerpo).

Par diferencial con carga activa
Después de haber realizado el diseño para el siguiente par diferencial (que no se muestra
para que usted se anime a hacerlo), se ha construido el siguiente layout que representa
este circuito:
Vdd V
M8
M7
Vd/2 M6 M5 - Vd/2
Vdd
RF
M4 M3
No se puso
contacto, más
adelante se
M1 M2
explicará porqué
- Vss
Los dos transistores tipo P son la carga activa del par diferencial alimentado con la señal
Vd. La corriente es suministrada al circuito por la fuente de corriente Wilson mejorada
representada por los 4 transistores tipo N de la parte inferior.
Vdd+ es la fuente de alimentación de tensión con valor de 3.3V, mientras que la fuente
de corriente se polariza con una fuente de -7.3V.
La resistencia hecha de polisilicio 2 es de 8.66K.
El montaje tuvo que ser realizado en la versión 3 de Microwind porque la versión 2 no

permite una polarización negativa (en este caso de -7.3V). Cuando se trató de mirar la
respuesta de este circuito, nos encontramos con que todo estaba en corte, debido a que no

Se hicieron los ajustes geométricos adecuados, pero en gran parte teniendo en cuenta este
problema:
Problema de las resistencias “transparentes”
Se hizo una resistencia de poly2 con valor de 8.66K y se conectó al circuito por medio de
un contacto. Si se mira el nodo eléctrico se ve lo siguiente:
M4
Lo cual indica que todo lo que está en color está al potencial de la fuente (3.301V). Si se
supone que entre la compuerta de M4 y la fuente Vdd hay una resistencia de 8.6K con
circulación de corriente, es obvio que en la resistencia habrá una caída de tensión, por lo
tanto no sería posible lo que estamos viendo en la gráfica. Pero el hecho es que LO
ESTAMOS VIENDO. Entonces, ¿qué pasa?...
Si quitamos el contacto (que une 2 layers) de
la unión entre la resistencia y el transistor, se
podría solucionar el problema, pero si
miramos la sección transversal de esta parte:
Aquí se observa que simplemente este nodo
está “flotando” en el aire, entonces no hay
circulación de corriente, por tanto no hay
corriente que reflejar, entonces no hay
polarización en el circuito.

Ahora la pregunta es: ¿Cuál es la solución? Sinceramente no sabemos.
Teniendo en cuenta todos los problemas anteriores obtuvimos la siguiente respuesta para
el amplificador:
La gráfica muestra que no se está trabajando en la región adecuada de saturación, pero al

menos no se está en corte absoluto (3.3V constantes). Esta salida se da para el caso de la
resistencia unida mediante contacto al transistor.
El problema de la resistencia se pudo salvar gracias a una reconsideración del diseño,

pues, al principio, como se tuvieron que moderar transistores con comportamientos
distintos de I vs. Vd, se pensó en cambiar para cada transistor diferente las características
de movilidad, tensión de umbral, etc. para que cuadraran con el diseño analítico. Pero
teniendo en cuenta que el único grado de libertad que Microwind permite modelar para
diferenciar transistores del mismo tipo es la geometría, se hicieron los ajustes pertinentes
mostrados a continuación:

Replanteamiento del diseño:
Tomando en cuenta lo anterior se procede a replantear el diseño para el par diferencial

con carga activa.
Respetando la polarización de cada uno de los transistores y asumiendo simetría:

En el espejo de corriente (NMOS1):
Id=600uA Vgs=2.7V
En el par (NMOS2):
Idn=id/2=300uA Vgsn=2V
La carga del par (PMOS):
Idp=id/2=300uA Vgsp=-2.8V
Se cambiaron los parámetros de diseño de los transistores a los siguientes valores:

Un=857 [cm2/V-s] Up=1309 [cm2/V-s]
Vtn=1V Vtp=-1.7V
El diseño se hace variando W y L para que se cumpla con las relaciones Id vs Vds
requeridas. El resultado para los diferentes transistores utilizados en el layout:
En el espejo (NMOS1): W=0.3um L=0.3um

Concuerda que a Vgs=2.7V, Id=600uA
En el par diferencial (NMOS2): W=0.9um L=0.6m
Se observa que a Vgs=2.0V, Id=300uA

Y por último para la carga activa (PMOS): W=0.6um L=0.7um

Se observa que a Vgs=-2.8V, Id=300uA
Con esta disposición geométrica de los transistores se garantiza el punto de operación del
par diferencial.
Se construyó entonces el layout con todas las especificaciones antes mencionadas:
Para este layout se obtuvo la siguiente forma para gráfico de tensión de salida:

Ahora observamos la relación entre tensiones y corrientes:
Aquí podemos fijarnos en que la corriente resultó estar por encima de la esperada, esto
debido a las imprecisiones del modelo y el fenómeno de las “resistencias transparentes”
que hacen que al drenador del NMOS reciba enteramente los 3.3V de polarización y
cambia en cierta forma las condiciones de polarización del circuito. Esto ocasiona que se
corte la señal de salida cuando rebasa los -1V con una entrada diferencial de 40mV. Esto
pasa cuando Los transistores del par dejan de estar saturados. Con una entrada más
pequeña (10mV p/p) miramos la salida no cortada para hallar la ganancia del par:

Ahora hallamos la ganancia:
Av = 0.818/0.01  Av = 81.8 V/V
Esta es una ganancia relativamente alta que se paga con una disminución de la
alternancia de señal de entrada; además tampoco se ha mirado el efecto de la frecuencia
en el comportamiento del par.
Consideraciones:
Debe tenerse en cuenta la distribución de geometrías al dibujarse un par diferencial, aquí
presentamos algunas de las mas comunes, y que se mejoran unas respecto aotras:
Feo Malo
Ingenioso Bueno

BIBLIOGRAFIA
 El material anteriormente expuesto, fué realizado tomando como apoyo en su

gran mayoría información hecha por estudiantes de la Ingeniería Electrónica de
la UIS, que antes de nosotros han trabajado con el software. Este material se
anexa con el nombre de PAPERS.
 Además fue utilizado el manual (en ingles) presentado por el autor del software,
en formato PDF tanto de las versiones 2 y 3, así como la información que se
encuentra en la página WEB MICROWIND.ORG.
 Se anexan también, algunos archivos .MSK que contienen algunos ejemplos

desarrollados.
OBSERVACIONES Y AGRADECIMIENTOS
Los autores, estamos conscientes que al ser esta la versión 1.0 de un manual de
Microwind en español, contiene diversos aspectos que no tratamos con mayor detalle,
debido a la falta de tiempo y que sugerimos a modo de comentario:
 Se debe realizar en el futuro una mayor explicación sobre los botones y

funciones de Microwind que no mencionamos, ya que solo se explicaron las mas
importantes, porque este manual pretende ser una introducción a Microwind
 En el futuro debe realizarse una explicación mas concisa y detallada sobre
algunos efectos presentes en el comportamiento de un transistor MOS, ya que
aunque el manual esta enfocado principalmente a la realización de IC”S supone
un conocimiento previo de los mismos, esto se refiere por ejemplo al efecto de
diafonía, por que se utiliza polysilicona en la construcción de compuertas del
MOS.
 En el manual presentado por el autor del software esta sugerido una pequeña
parte sobre dieléctricos que no hemos mencionado, el cual seria pertinente
mencionar en un futuro.
 No presentamos comportamientos en 3D, lo cual seria deseable presentar.
Estos comentarios son a modo general, con el fin de mejorar el manual práctico de
MICROWIND.
Los autores estamos agradecidos con la estudiante de Ingeniería Electrónica GLADYS

ELENA ABRIL, el profesor de laboratorio OMAR LEONARDO NUÑEZ GOMEZ,
quienes revisaron el manual y brindaron sus aportes para mejorarlo y junto con el
profesor de ELECTRONICA 2 JAIME BARRERO presentaron la idea para que se
realizara este manual.
Además agradecemos a nuestros lectores y esperamos que sea del agrado y que este
manual cumpla con la expectativa deseada.

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