Capítulo I. Electrónica de Estado Sólido PDF

Universidad de Piura
Electrónica de estado sólido
Dr. Ing. César Chinguel Arrese

UNIVERSIDAD DE PIURA 2
1. Electrónica de estado sólido

Conceptos previos
Conductividad y Resistividad:
La conductividad eléctrica es la capacidad de un cuerpo para permitir el paso de los

electrones, los mismos que forman a su paso una corriente eléctrica. Por el contrario se le
llama resistividad al grado de dificultad que encuentran los electrones en sus
desplazamientos. Se designa por la letra griega rho minúscula ( ) y se mide en ohm-metros
(Ω*m). Su valor describe el comportamiento de un material frente al paso de corriente
eléctrica, por lo que da una idea de lo buen o mal conductor que es. Un valor alto de
resistividad indica que el material es mal conductor mientras que uno bajo indicará que es
un buen conductor. Generalmente la resistividad de los metales aumenta con la temperatura,
mientras que la resistividad de los semiconductores disminuye ante el aumento de la
temperatura.
La resistividad está definida por la siguiente ecuación:
( )( )
Ecuación 1.- Resistividad
Ejemplo:
Supongamos que tenemos un conductor cuyo material es de cobre, trabaja a temperatura

ambiente y su área es A= 1 . Determina su resistividad
Resistividad de:
8
Plata: 𝜌 55 𝑚
8
Cobre: 𝜌 7 𝑚
8
Grafito: 𝜌 6 𝑚
= 1.7 *
( )
= 1.7 *
8
= 1.7 *
1.1. Bandas de Energía:
Las bandas de energía son un modelo que consiste en que los electrones de un mismo nivel
de energía se encuentran en estados energéticos ligeramente diferentes. Es por ello que no
es correcto hablar de capas de energía sino que más bien de bandas de energía. Estas bandas
se siguen los siguientes principios:
 Los electrones poseen niveles de energía de valor discreto pues se mueven en distintas
trayectorias respecto del núcleo.
 Los electrones tienden siempre a ocupar los niveles de energía más bajos.
 En cada nivel de energía el número de electrones no puede ser mayor al número de
estados cuánticos.
 Principio de Exclusión de Pauli: solo un electrón puede ocupar un estado cuántico.
Para el estudio de los fenómenos presentes en la electrónica nos ocuparemos de las dos
últimas bandas de energía. Estas son la banda de valencia y banda de conducción las cuales
a su vez están separadas por la banda prohibida (Ilustración 1)
Ilustración 1.- Modelo de bandas
Conductor y Aislante
El núcleo en un conductor atrae los electrones

orbitales, y estos no caen hacia el núcleo debido a la
fuerza centrífuga creada por su movimiento orbital;
cuando un electrón se halla en órbita estable, la fuerza
centrífuga esta en equilibrio con la atracción eléctrica
ejercida por el núcleo. En las órbitas más alejadas, es
necesaria una menor fuerza centrífuga para "La diferencia entre conductores,
contrarrestar la atracción ejercida por el núcleo. La semiconductores y aislantes"
menor fuerza de atracción se dará en la órbita
exterior, y como ésta es tan débil, este electrón recibe Los conductores son todos aquellos que poseen
menos de 4 electrones en la capa de valencia, el
semiconductor es aquel que posee 4 electrones
en la capa de valencia y el aislante es el que
posee más de 4 electrones en la capa de
valencia.
el nombre de “electrón libre”, el cual puede ser arrancado fácilmente por una fuerza
externa. Aún la tensión más pequeña puede hacer que los electrones libres de un conductor
de cobre se muevan de un átomo al siguiente, siendo éste el principio de la conductividad.
Los mejores conductores (plata, cobre y oro) tienen un único electrón de valencia.
Es interesante comparar las bandas de energía de los materiales vistos (conductores,

semiconductores y aislantes) ya que permite entender el comportamiento de estos
materiales y la importancia de la banda prohibida. Como se observa en la ilustración 2 en
los aislantes las bandas de conducción y de valencia están separadas por una banda
prohibida muy grande; esto significa que será necesaria mucha energía para hace pasar un
electrón de la banda de valencia a la banda de conducción. Por el contrario en los
conductores las bandas de conducción y de valencia están superpuestas y no existe banda
prohibida por lo que será muy fácil que se dé la conducción eléctrica. El tercer material es
el semiconductor que presenta una banda prohibida relativamente pequeña y por lo tanto
necesitará mucha energía para conducir la electricidad.
Ilustración 2.- Diferencias entre las bandas de energía de los materiales conductores, semiconductores y
aislantes)
Enlace Covalente
El enlace covalente consiste en el compartimiento de pares de electrones por dos átomos,

dando lugar a moléculas, y se realiza cuando existe electronegatividad polar pero la
diferencia de esta entre los átomos no es lo suficientemente grande como para que haya
transferencia de electrones.
En el caso particular del silicio, cada átomo vecino comparte un electrón con el átomo
central, quedando este con cuatro átomos adicionales sumando un total de 8 electrones en
su órbita de valencia (órbita más exterior en la cual se encuentran los electrones de
valencia), estando ahora compartidos por átomos adyacentes, por medio de fuerzas iguales
y opuestas, constituyendo un enlace entre las partes internas opuestas.
1.2. Semiconductores
Un semiconductor es un elemento con valencia 4; en el cual su número de electrones en la

órbita de valencia es clave para la conductiva eléctrica. Es un material que posee un nivel
de conductividad que se localiza entre los extremos de un aislante (8 electrones de valencia)
y los conductores (1 electrón de valencia).
Silicio (Si):
El átomo de silicio posee 14 protones y 14 electrones, de tal forma que en la primera orbita
contiene 2 electrones, la segunda contiene 8 y dejando en la última orbita 4 electrones
(característica del semiconductor).
Ilustración 3.- Átomo de silicio
El silicio es el material semiconductor más ampliamente utilizado.
Germanio (Ge):
El átomo de germanio posee 32 protones y 32 electrones, de tal forma que en la primera

orbita contiene 2 electrones, la segunda contiene 8, en la tercera contiene 18 y dejando en la
última órbita 4 electrones (característica del semiconductor).
Ilustración 4.- Átomo de Germanio
Algunas de las características únicas del Ge y Si, son el resultado de su estructura atómica.
Los átomos de ambos materiales organizan un patrón bien definido que por naturaleza es
periódico. Un patrón completo se denomina Cristal y el arreglo periódico de los átomos se
denomina red. Para el caso del Ge y Si, el cristal presenta la estructura tridimensional del
diamante. Cualquier material compuesto únicamente de estructuras cristalinas repetidas del
mismo tipo se denomina estructura de monocristal.
Cristales Semiconductores
Cuando los átomos un semiconductor como el silicio o el germanio se combinan para

formar un sólido, organizan un patrón bien definido que por naturaleza es periódico, es
decir se repite periódicamente. Un patrón completo se denomina cristal y el arreglo
periódico de los átomos se denomina red. Para el caso del Si y Ge, el cristal presenta la
estructura tridimensional del diamante de la ilustración 5. Cada átomo comparte sus
electrones de valencia con los átomos vecinos, de tal forma que tiene 8 electrones en la
órbita de valencia. Cuando un átomo posee 8 electrones en su órbita de valencia, se vuelve
químicamente estable. Aunque el átomo central tenía originalmente 4 electrones en su
órbita de valencia, ahora tiene 8 electrones en esa órbita. Esto es apreciable en la ilustración
6.
Cualquier material compuesto únicamente de estructuras cristalinas repetidas del mismo

tipo se denomina estructura monocristal, siendo esta una característica de los materiales
semiconductores de aplicación práctica en el campo de la electrónica. Además se observa
que la periodicidad de su estructura no se altera mucho con la adición de impurezas en el
proceso de dopado.
Ilustración 5.- Estructura de monocristal de Ge y Si. Ilustración 6.- Enlaces Covalentes
Las vibraciones de los átomos de silicio pueden, ocasionalmente hacer que se desligue un
electrón de la órbita de valencia. Al suceder esto, el electrón que es liberado gana la engería
suficiente para situarse en una órbita mayor. En dicha órbita el electrón es un electrón libre,
y además su salida deja un vació, el cual se denomina hueco.
1.2.1. Semiconductores Intrínsecos:
Es un material semiconductor de un cristal sin ningún otro tipo de átomos dentro del cristal,
es decir puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene
unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica, mientras que a cero
grados Kelvin no existen electrones libres.
En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la

corriente total resultante sea cero, debido a que por acción de la energía térmica se producen
los electrones libres y los huecos por pares, es decir hay tantos electrones libres como
huecos. Definiremos como la concentración de portadores intrínsecos, y se halla mediante
la siguiente ecuación:
( ) : constante relacionada con el material

: temperatura en grados Kelvin
Ecuación 2.- Concentración de portadores
intrínsecos : nivel de energía entre bandas
: constante de Boltzman
Donde B es una constante relacionada con el material, T es la temperatura (Kelvin), es

el nivel de energía entre bandas (eV) y k es la constante de Boltzman (86 ).
Algunos valores de B y se muestran en la siguiente tabla:
Material (eV)
( )
Silicio (Si) 1.1 5.23*
Arseniuro de Galio (GaAs) 1.4 2.10*
Germanio (Ge) 0.66 1.66*
Tabla 1.- Algunos valores de B y Eg
Desde el punto de vista de bandas de energía un semiconductor intrínseco tendría la

estructura mostrada en la ilustración 7. La energía térmica hace saltar algunos electrones de
la banda de valencia a la banda de conducción generando unos pocos huecos y electrones
libres en pares. Por ello se puede observar que el semiconductor intrínseco posee la misma
cantidad de huecos que de electrones libres. Además los huecos se localizan en la banda de
valencia y los electrones libres en la banda de conducción.
Ilustración 7.- Bandas de energía de un semiconductor intrínseco

Dopado de un Semiconductor:
El dopado es una forma de aumentar la conductividad eléctrica de un conductor, y consiste

en añadir deliberadamente átomos de impurezas a un cristal intrínseco.
El proceso consiste en fundir un cristal puro de silicio para romper los enlaces covalentes y
cambiar el estado del silicio del sólido. En el caso de querer aumentar el número de
electrones libres se añaden átomos pentavalentes al silicio fundido. Como estos materiales
donarán un electrón extra un electrón extra al cristal de silicio se les conoce como
impurezas donadoras.
1.2.2. Semiconductores Extrínsecos:
Debido a que las concentraciones de electrones y huecos en un semiconductor intrínseco

son relativamente pequeñas, sólo son posibles corrientes muy pequeñas. Sin embargo estas
concentraciones pueden aumentarse de manera considerable al añadir cantidades
controladas de ciertas impurezas. Una impureza deseable es aquella que entra a la estructura
cristalina y reemplaza (sustituye) uno de los átomos del semiconductor, aun cuando el
átomo de la impureza no tiene la misma estructura de electrones de valencia.
Un semiconductor extrínseco, es aquel que posee impureza con la finalidad de aumentar la

conductividad eléctrica. Si el material posee impurezas, se dice que esta dopado y el tipo de
impurezas pueden ser elementos trivalentes o pentavalentes, con lo cual se puede diferencia
dos tipos:
1.2.2.1. Semiconductores extrínsecos tipo n1:
Son los que están dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (As, P, Sb).
Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que tienen cinco electrones en la última
capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un electrón quede fuera de ningún
enlace covalente, quedándose en un nivel superior al de los otros cuatro. Como
consecuencia de la temperatura, además de la formación de los pares electrón-hueco, se
liberan los electrones que no se han unido.
1
Portadores de carga mayoritarios: electrones
Portadores de carga minoritarios: huecos
Portadores de carga minoritarios: huecos
Como ahora en el semiconductor existe un mayor número de electrones que de huecos, se

dice que los electrones son los portadores mayoritarios, y a las impurezas se las llama
donadoras.
En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma muy elevada, por
ejemplo; introduciendo sólo un átomo donador por cada 1000 átomos de silicio, la
conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.
Ilustración 8.- Representación de dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con elemento de 5
electrones de valencia.
Esto se puede visualizar en el esquema de bandas de energía de la ilustración 9. Como es de

esperarse este tiene mayor número de electrones libres en la banda de conducción que
huecos en la banda de valencia debido a que los primeros son los portadores mayoritarios y
los segundos los minoritarios.
Ilustración 9.- Bandas de energía de un semiconductor intrínseco tipo n
1.2.2.2. Semiconductores extrínsecos tipo p2:
En este caso son los que están dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In). El hecho
de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina, exista un número
insuficiente de electrones para completar los enlaces covalentes de la red recién formada
dejando una vacante con un nivel energético ligeramente superior al de la banda de
valencia, pues no existe el cuarto electrón que lo rellenaría.
Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando huecos en la banda
de valencia, y siendo los huecos portadores mayoritarios.
2
Portadores de carga mayoritarios: huecos
Portadores de carga minoritarios: electrones
Ilustración 10.- Representación en dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con un átomo de 3
electrones de valencia.
Si observamos este tipo de semiconductor desde el modelo de bandas de energía se puede

apreciar que hay más huecos en la banda de valencia que electrones libres en la banda de
conducción como se aprecia en la ilustración 11. Esto se debe a que además de los pares
hueco- electrón libre creados por efectos térmicos hay huecos adicionales generados por la
presencia de impurezas aceptadoras.
Ilustración 11.- Bandas de energía de un semiconductor intrínseco tipo p
La unión PN
Un semiconductor, sea de tipo n o de tipo p, no tiene más importancia que una resistencia.
Sin embargo, si al cristal se le agregan impurezas de tal manera que la mitad sea de tipo n y
la otra mitad de tipo p, aparece el efecto diodo. La separación o frontera física entre un
semiconductor tipo n y uno tipo p se llama unión pn, también denominada como zona de
deplexión.
Ilustración 12.- Zona de deplexión
Bajo condiciones sin polarización (sin un voltaje aplicado), cualquier portador minoritario
(hueco) en el material tipo n que se encuentre dentro de la frontera pn fluirá directamente
hacia el material tipo p.
Zona de Deplexión
La repulsión mutua entre los electrones libres en el lado n, tiende a dispersarlos en cualquier
dirección, ocasionando que algunos de estos se difundan atravesando la unión. Cuando un
electrón libre entra en la región p se convierte en un portador minoritario, que estará
rodeado de huecos, por lo que este electrón libre tendrá un tiempo de vida corto, ya que
poco después de entrar en la región p se recombinará, convirtiéndose en un electrón de
valencia. Cada vez que el electrón abandona el lado n deja un átomo pentavalente al que le
falta una carga negativa, convirtiéndose en un ion positivo. Algo análogo sucede cuando un
electrón cae en un hueco en el lado p, el átomo trivalente que lo ha capturado se convierte
en un ion negativo. Por lo tanto cada vez que un electrón se difunde crea un par de iones, lo
cual es apreciable en la ilustración 12.
Cada par de iones positivo y negativo se llama dipolo. Al aumentar el número de dipolos, la
región cercana se va quedando sin portadores, siendo esta, la zona de deplexión.
Barrera de Potencial
Existe un campo eléctrico entre los iones positivo y negativo de cada dipolo formado. Por lo
tanto este campo eléctrico tratará de devolver los electrones libre adicionales que intenten
entrar en la zona de deplexión a la zona n. Este campo eléctrico será proporcional al número
de electrones que atraviesen la zona de deplexión, por lo tanto luego de cierto tiempo
terminará por detener la difusión de electrones a través de la unión. Este campo eléctrico
entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada barrera de potencial,
la cual es aproximadamente 0.3 V para el Germanio y 0.7 V para el Silicio.
Ilustración 13.- Zona deplexión y barrera de potencial
1.2.3. Polarización Directa:
Se explicara mediante el uso de una fuente de corriente continua conectada a un diodo (este
término quedo definido anteriormente como la unión de las zonas p y n en un solo
elemento); el terminal negativo de la fuente está conectado al material tipo n, mientras que
el terminal positivo se conecta al material tipo p; a esta forma de conexión se denomina
Polarización Directa.
Ilustración 14.- Polarización directa
Flujo de Electrones Libres
Debido a esta configuración, la batería empuja a los huecos y a los electrones libres hacia la
zona de unión. Además, hay que prestar atención en la medida de tensión; ya que si esta no
es mayor que la barrera de potencial, los electrones libre no poseerán la suficiente energía
para atravesar la zona de deplexión. Por lo tanto si no se supera la barrera de potencial, no
circulará corriente por el diodo, ya que cuando los electrones entre en la zona de deplexión,
no la atravesaran sino que los iones se ven empujados de regreso a la Zona n.
Cuando el voltaje es mayor a la barrera de potencial, los electrones libres y los huecos son
empujados a la zona de deplexión, pero esta vez los electrones libres si cuenta con la
suficiente energía para pasar dicha zona y recombinarse con los huecos; ahora como los
electrones libres entran continuamente por el extremo derecho del diodo, y continuamente
se crean hueco en el extremo izquierdo, existirá una corriente que circula por el diodo.
Flujo del Electrón
Observemos más detenidamente lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el terminal

negativo de la fuente, entra por el extremo derecho del cristal y se desplaza a través de la
zona n como electrón libre. En la unión se recombina con un hueco y se convierte en
electrón de valencia. Luego se desplaza a través de la zona p como electrón de valencia,
saltando a través de los huecos y tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al
terminal positivo de la fuente.
Ilustración 15.- Flujo de electrón
Si ahora aplicamos a dicha unión una tensión de signo contrario a la barrera de potencial
interna, ésta irá disminuyendo en anchura. A mayor tensión aplicada externamente
corresponderá una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha barrera
desaparezca totalmente.
1.2.4. Polarización Inversa:
Si se invierte la polaridad de la fuente continua, el diodo se polariza en inversa. Esto se

logra conectando el terminal negativo de la batería al lado p y el terminal negativo al lado n.
A esta conexión se le denomina “Polarización Inversa”.
Ensanchamiento de la Zona de Deplexión:
El terminal negativo de la fuente atrae los huecos, y el terminal positivo atrae los electrones
libres, por ellos los huecos y los electrones libres se alejan de la unión; como consecuencia
la zona de deplexión se ensancha y los iones recién creados hacen que aumente la diferencia
de potencial hasta que iguale a la tensión inversa aplicada.
Ilustración 16.- Ensanchamiento de la zona de deplexión
Al ir aumentando esta tensión inversa llega un momento en que el diodo pierde su

capacidad de bloqueo y fluye entonces una gran corriente inversa. Esta tensión recibe el
nombre de "tensión de ruptura". Normalmente en esta situación el diodo se destruye.
Corrientes en Polarización Inversa:
En esta situación tenemos que tener en cuenta la generación térmica de pares electrón-
hueco. Los pocos electrones generados térmicamente pierden energía y bajan de p a n, es la
"Corriente Inversa de Saturación" (Is) que es muy pequeña.
Además de esta corriente tenemos otra corriente debida a las fugas, que se denomina
"Corriente de Fugas" (If).
Entonces la corriente resultante en polarización inversa, será la suma de Corriente Inversa

de Saturación y la Corriente de Fugas.
Ilustración 17.- Simbología
Ilustración 18.- Polarización
Ruptura
Cuando se polariza en inversa, se tiene que tener en cuenta una tensión inversa de ruptura,
que es la máxima tensión en sentido inverso que puede soportar un diodo sin entrar en
conducción; esta tensión para un diodo es destructiva, ya que cuando alcanza dicha tensión
una gran cantidad de portadores minoritarios aparecen repentinamente en la zona de
deplexión y el diodo conduce descontroladamente. Esta gran cantidad de portadores
minoritarios, son producidos por el efecto avalancha que se da en presencia de elevadas

tensiones inversas.
Cuando la tensión inversa disminuye, provoca que los portadores minoritarios se muevan
más rápido, chocando de esta forma con los átomos de cristal. Si dichos portadores tienen la
energía suficiente pueden golpear a los electrones de valencia y liberarlos, y aumentar el
número de electrones libres que a su vez provocaran la liberación de otros electrones de
valencia, de ahí viene el nombre de Efecto Avalancha.
Ilustración 19.- Efecto avalancha
Efecto Zener
El efecto zener se basa en la aplicación de tensiones inversas que debido a la característica

constitución de los mismos originan fuertes campos eléctricos que causan la ruptura de los
enlaces entre los átomos dejando así electrones libres capaces de establecer la conducción.
Su característica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensión inversa nominal y
superando la corriente a su través un determinado valor mínimo, la tensión en los bornes del
diodo se mantiene constante e independiente de la corriente que circula por él.
Referencias
Ecuaciones
Ecuación 1.- Resistividad ..................................................................................................................... 2
Ecuación 2.- Concentración de portadores intrínsecos ...................................................................... 7
Tablas
Tabla 1.- Algunos valores de B y Eg...................................................................................................... 8
Ilustraciones
Ilustración 1.- Modelo de bandas........................................................................................................ 3
Ilustración 2.- Diferencias entre las bandas de energía de los materiales conductores,
semiconductores y aislantes) .............................................................................................................. 4
Ilustración 3.- Átomo de silicio ............................................................................................................ 5
Ilustración 4.- Átomo de Germanio..................................................................................................... 6
Ilustración 5.- Estructura de monocristal de Ge y Si. .......................................................................... 7
Ilustración 6.- Enlaces Covalentes ....................................................................................................... 7
Ilustración 7.- Bandas de energía de un semiconductor intrínseco .................................................... 8
Ilustración 8.- Representación de dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con
elemento de 5 electrones de valencia. ............................................................................................. 10
Ilustración 9.- Bandas de energía de un semiconductor intrínseco tipo n ....................................... 11
Ilustración 10.- Representación en dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con un
átomo de 3 electrones de valencia. .................................................................................................. 12
Ilustración 11.- Bandas de energía de un semiconductor intrínseco tipo p ..................................... 12
Ilustración 12.- Zona de deplexión .................................................................................................... 13
Ilustración 13.- Zona deplexión y barrera de potencial .................................................................... 14
Ilustración 14.- Polarización directa .................................................................................................. 15
Ilustración 15.- Flujo de electrón ...................................................................................................... 16
Ilustración 16.- Ensanchamiento de la zona de deplexión ................................................................ 17
Ilustración 17.- Simbología ................................................................................................................ 18
Ilustración 18.- Polarización .............................................................................................................. 18
Ilustración 19.- Efecto avalancha ...................................................................................................... 19
Bibliografía
 Principios de Electrónica, Albert Paul Malvino 6ta edición – Capítulo 2: Semiconductores

 http://www4.ujaen.es/~egimenez/FUNDAMENTOSFISICOS/semiconductores.pdf
 https://iesvillalbahervastecnologia.files.wordpress.com/2008/04/materiales-
semiconductores.pdf
 http://www.uv.es/~navasqui/Tecnologia/Tema3.pdf
 http://ocw.usal.es/ensenanzas-
tecnicas/electronica/contenido/electronica/Tema1_SemiConduct.pdf
 http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1806-11172006000400013

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1. Electrónica de estado sólido

La conductividad eléctrica es la capacidad de un cuerpo para permitir el paso de los

La resistividad está definida por la siguiente ecuación:

Ecuación 1.- Resistividad

Supongamos que tenemos un conductor cuyo material es de cobre, trabaja a temperatura

1.1. Bandas de Energía:

Ilustración 1.- Modelo de bandas

El núcleo en un conductor atrae los electrones

Es interesante comparar las bandas de energía de los materiales vistos (conductores,

El enlace covalente consiste en el compartimiento de pares de electrones por dos átomos,

Un semiconductor es un elemento con valencia 4; en el cual su número de electrones en la

Ilustración 3.- Átomo de silicio

El silicio es el material semiconductor más ampliamente utilizado.

El átomo de germanio posee 32 protones y 32 electrones, de tal forma que en la primera

Ilustración 4.- Átomo de Germanio

Cuando los átomos un semiconductor como el silicio o el germanio se combinan para

Cualquier material compuesto únicamente de estructuras cristalinas repetidas del mismo

Ilustración 5.- Estructura de monocristal de Ge y Si. Ilustración 6.- Enlaces Covalentes

1.2.1. Semiconductores Intrínsecos:

En un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la

( ) : constante relacionada con el material

Donde B es una constante relacionada con el material, T es la temperatura (Kelvin), es

Silicio (Si) 1.1 5.23*

Arseniuro de Galio (GaAs) 1.4 2.10*

Germanio (Ge) 0.66 1.66*

Tabla 1.- Algunos valores de B y Eg

Desde el punto de vista de bandas de energía un semiconductor intrínseco tendría la

Ilustración 7.- Bandas de energía de un semiconductor intrínseco

El dopado es una forma de aumentar la conductividad eléctrica de un conductor, y consiste

1.2.2. Semiconductores Extrínsecos:

Debido a que las concentraciones de electrones y huecos en un semiconductor intrínseco

Un semiconductor extrínseco, es aquel que posee impureza con la finalidad de aumentar la

1.2.2.1. Semiconductores extrínsecos tipo n1:

Como ahora en el semiconductor existe un mayor número de electrones que de huecos, se

Esto se puede visualizar en el esquema de bandas de energía de la ilustración 9. Como es de

Ilustración 9.- Bandas de energía de un semiconductor intrínseco tipo n

1.2.2.2. Semiconductores extrínsecos tipo p2:

Si observamos este tipo de semiconductor desde el modelo de bandas de energía se puede

Ilustración 11.- Bandas de energía de un semiconductor intrínseco tipo p

Ilustración 12.- Zona de deplexión

Ilustración 13.- Zona deplexión y barrera de potencial

1.2.3. Polarización Directa:

Ilustración 14.- Polarización directa

Flujo de Electrones Libres

Flujo del Electrón

Observemos más detenidamente lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el terminal

Ilustración 15.- Flujo de electrón

1.2.4. Polarización Inversa:

Si se invierte la polaridad de la fuente continua, el diodo se polariza en inversa. Esto se

Ensanchamiento de la Zona de Deplexión:

Ilustración 16.- Ensanchamiento de la zona de deplexión

Al ir aumentando esta tensión inversa llega un momento en que el diodo pierde su

Corrientes en Polarización Inversa:

Entonces la corriente resultante en polarización inversa, será la suma de Corriente Inversa

Ilustración 17.- Simbología

Ilustración 18.- Polarización

minoritarios, son producidos por el efecto avalancha que se da en presencia de elevadas

Ilustración 19.- Efecto avalancha

El efecto zener se basa en la aplicación de tensiones inversas que debido a la característica

 Principios de Electrónica, Albert Paul Malvino 6ta edición – Capítulo 2: Semiconductores