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LUZ E ILUMINACIN

OBJETIVOS Despus de completar el estudio se este tema podr usted:



1. Analizar la investigacin histrica acerca de la naturaleza de la luz y explicar porque la luz
a veces se comporta como onda y otras veces como partculas.
2. Describir las grandes clasificaciones en el espectro electromagntico que se basan en la
frecuencia, la longitud de onda o la energa.
3. Escribir y aplicar formulas para mostrar la relacin entre la velocidad, la longitud de onda y
la frecuencia; y entre la energa y la frecuencia, en el caso de la radiacin electromagntica.
4. Describir los diversos experimentos que permiten hacer una estimacin razonable de la
velocidad de la luz.
5. Ilustrar con dibujos su comprensin de la formacin de sombras, diferenciando umbra
(sombra) y penumbra.
6. Demostrar que ha comprendido los conceptos de flujo luminoso, intensidad luminosa e
iluminacin.


Una barra de hierro en reposo sobre una mesa se encuentra en equilibrio trmico con todo lo
que est a su alrededor. Por su apariencia externa uno jams sospechara que internamente esta
activa. Todos los objetos continuamente emiten energa trmica radiante que esta relacionada con
su temperatura. La barra esta en equilibrio trmico tan slo porque irradia y absorbe energa con
la misma rapidez. Si se rompe el equilibrio al poner un extremo de la barra en contacto con una
llama. la barra se vuelve ms activa en su interior y emite energa trmica con mayor rapidez.
Mientras el calentamiento contina hasta alcanzar ms o menos 600C. Parte de la radiacin
emitida desde la barra se vuelve visible. lo cual significa que afecta nuestro sentido de la vista. El
color de la barra se torna rojo claro y se va volviendo ms brillante a medida que se le suministra
ms calor.
La energa radiante emitida por este objeto, antes de que dicho efecto se haga visible, consiste
en ondas electromagnticas de longitudes de onda mayores que la correspondiente a la luz roja.
Las ondas de ese tipo se conocen como rayos infrarrojos, lo cual significa "por debajo del rojo".
Si la temperatura .de la barra se incrementa hasta aproximadamente 3000C, se pone al rojo
blanco, lo que indica una extensin an ms amplia de la energa radiante en la regin visible.
Este ejemplo establece las bases para nuestro estudio sobre la luz. La naturaleza de la luz no es
fundamentalmente distinta de la naturaleza de otros tipos de radiaciones electromagnticas, por
ejemplo, el calor, las ondas de radio, o la radiacin ultravioleta. La caracterstica que distingue a
la luz de otras radiaciones es su energa.

La luz es radiacin electromagntica capaz de afectar el sentido de la vista.

El contenido de energa de la luz visible vara de aproximadamente de 2.8 X 10
19
J a casi 5.0
x 10
-19
J.



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QUE ES LA LUZ?

La respuesta a esta pregunta ha sido en extremo huidiza a travs de la historia de la ciencia. La
larga bsqueda realizada para encontrar tal respuesta es un ejemplo que nos sirve de modelo a fin
de ilustrar el procedimiento cientfico aplicable en la resolucin de un problema. Cada una de las
hiptesis que surgieron con miras a explicar la naturaleza de la luz se puso a prueba, tanto lgica
como experimentalmente. La afirmacin de los filsofos de la antigedad acerca de que los rayos
visuales eran emitidos por el ojo hasta llegar al objeto percibido, fracas desde el punto de vista
lgico y tambin en el plano experimental.
A fines del siglo XVII se propusieron dos teoras para explicar la naturaleza de la luz, la teora
de partculas (corpuscular) y la teora ondulatoria. El principal defensor de la teora corpuscular
fue Sir Isaac Newton. La teora ondulatoria era apoyada por Christan Huygens (1629-1695), que
era un matemtico y cientfico holands, 13 aos mayor que Newton. Cada una de esas teoras
intentaba explicar las caractersticas de la luz observadas en esa poca. Las tres caractersticas
principales se resumen a continuacin:

1. Propagacin rectilnea: La luz viaja en lnea recta.
2. Reflexin: Cuando la luz incide en una superficie lisa, regresa a su medio original.
3.Refraccin: La trayectoria de la luz cambia cuando penetra en un medio transparente.

De acuerdo con la teora corpuscular, las partculas muy pequeas, de masa insignificante,
eran emitidas por fuentes luminosas tales como el sol o una llama. Estas partculas viajaban hacia
afuera de la fuente en lneas rectas a enormes velocidades. Cuando las partculas entraban al ojo,
se estimulaba el sentido de la vista. La propagacin rectilnea se explicaba fcilmente en trminos
de partculas. En realidad, uno de los ms fuertes argumentos a favor de la teora corpusculr se
bas en esta propiedad. Se pensaba que las partculas producan sombras con contornos bien
definidos como se muestra en la figura 1(a), mientras que las ondas pueden flexionarse alrededor
de los bordes. Dicha flexin de las ondas, como muestra la figura 1(b) se llama difraccin.


Figura 1. Un poderoso argumento en apoyo de la teora corpuscular de la materia es la
formacin de sombras ntidas. Se sabe que las ondas se flexionan cuando encuentran
obstculos en su trayectoria.

Las sombras ntidas que se forman bajo los rayos luminosos hicieron pensar a Newton que la
luz tena que consistir en partculas. Huygens, por otra parte, explic que la flexin de las ondas
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acuticas y las ondas sonoras alrededor de los obstculos se apreciaba fcilmente debido a sus
grandes longitudes de onda. El razonaba que si la luz era en realidad una serie de ondas cuya
longitud de onda era corta, dara lugar a una sombra bien definida. puesto que el grado de flexin
sera pequeo.
Era difcil explicar por qu las partculas que viajaban en lneas rectas provenientes de gran
nmero de direcciones podan cruzarse sin estorbarse entre s. En un trabajo publicado en 1690,
Huygens escribi:

Si, ms an, prestamos atencin y valoramos la extraordinaria velocidad con que la luz se
propaga en todas direcciones, tomando en cuenta el hecho de que proviene de direcciones
diferentes e incluso opuestas, los rayos se penetran sin obstaculizarse. por lo que podemos
entender que siempre que veamos un objeto luminoso, esto no puede deberse a la transmisin de
materia que nos llega desde el objeto, como si fuera un proyectil o una flecha volando a travs
del aire.

Huygens explic la propagacin de la luz en trminos del movimiento de una perturbacin a
travs de la distancia entre una fuente y el ojo. Bas su argumento en un sencillo principio que es
til an en la actualidad para describir la propagacin de la luz. suponga que se deja caer una
piedra en un estanque de agua en reposo. Se produce as una perturbacin que se mueve en una
serie de ondas concntricas, alejndose del lugar del impacto. La perturbacin contina incluso
despus de que la piedra toca el fondo del estanque. Ese tipo de ejemplo indujo a Huygens a
postular que las perturbaciones que se producen en todos los puntos a lo largo de un frente de
ondas en movimiento en un instante determinado, pueden considerarse como fuentes de onda en
el siguiente instante. El principio de Huygens establece:

Cada punto de un frente de onda que avanza puede considerarse una fuente de ondas
secundarias llamadas pequeas ondas. La nueva posicin del frente de onda envuelve a las
pequeas ondas emitidas desde todos los puntos del frente de onda en su posicin previa.

La aplicacin de este principio se ilustra en la figura 2 para los casos frecuentes de una onda
plana y de una onda circular.











Figura 2. Principio de Huygens (a) para una onda esfrica y (b) para una onda plana.

El principio de Huygens tuvo un particular xito para explicar la reflexin y la refraccin. La
figura 3 muestra cmo se puede utilizar este principio para explicar la flexin de la luz al pasar
del aire al agua. Cuando las ondas planas golpean la superficie del agua con cierto ngulo, los
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puntos A, C y E se vuelven las fuentes de nuevas ondas pequeas. La envoltura de estas pequeas
ondas secundarias indica un cambio en la direccin. Se puede elaborar una construccin similar
para explicar la reflexin.
La reflexin y la refraccin se explicaron fcilmente en trminos de la teora corpuscular. Las
figuras 4 y 5 ilustran los modelos que se pueden usar para explicar la reflexin y la refraccin
sobre la base de corpsculos minsculos. La existencia de partculas perfectamente elsticas de
masa insignificante que rebotan en una superficie elstica podran explicar la reflexin regular de
la luz en superficies lisas. La refraccin puede ser anloga al cambio de direccin de una pelota
que rueda al encontrarse una pendiente. Esta explicacin requera que las partculas de luz
viajaran ms rpido en el medio de refraccin, mientras que la teora ondulatoria necesitaba que
la luz viajara ms despacio en el medio de refraccin. Newton acept que si se pudiera demostrar
que la luz viaja ms lentamente en un medio material de lo que tarda en el aire, tendra que
abandonar la teora corpuscular. No fue sino hasta mediados del siglo XIX cuando Jean Foucault
demostr en forma convincente que la luz viaja ms lentamente en el agua que en el aire.

Figura 3. Explicacin de Huygens acerca de la refraccin en trminos de la teora
ondulatoria.



Figura 4. Explicacin de la reflexin en trminos de la teora corpuscular de la luz.

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Figura5. La refraccin de la luz cuando pasa del aire a otro medio explicada por medio de
un ejemplo mecnico.

PROPAGACION DE LA LUZ

El descubrimiento de la interferencia y la difraccin en 1801 y en 1816 inclino el debate al
apoyo firme de la teora ondulatoria de Huygens. Sin duda, la interferencia y la difraccin se
podan explicar nicamente en trminos de la teora ondulatoria. Sin embargo, an quedaba un
problema sin resolver: se crea que todos los fenmenos ondulatorios requeran la existencia de
un medio de transmisin. As, por ejemplo, podan viajar las ondas a travs del vaco si no haba
nada que "vibrara"? Adems, cmo podra la luz llegar a la Tierra desde el Sol o desde otras
estrellas a travs de millones de millas de espacio vaco? Para evitar esta contradiccin, los
fsicos postularon la existencia de un ter transportador de luz. Se pens que este medio
universal, que lo penetraba todo, llenaba todo el espacio entre todos los cuerpos materiales y
dentro de ellos. Pero, cul es la naturaleza de ese eter? Con seguridad no poda ser un gas, un
slido o un liquido que obedeciera las leyes fsicas conocidas en ese tiempo. Sin embargo, no
poda desecharse la teora ondulatoria tomando en cuenta las pruebas de la interferencia y la
difraccin. No pareca haber opcin posible salvo definir el ter como "el que transporta luz".
En 1865, un fsico escocs, James Clerk Maxwell, emprendi la tarea de determinar las
propiedades de un medio que pudiera transportar luz y adems tomar parte en la transmisin del
calor y la energa elctrica. Su trabajo demostr que una carga acelerada puede radiar ondas
electromagnticas en el espacio. Maxwell explic que la energa en una onda electromagntica se
divide por igual entre los campos elctricos y magnticos que son perpendiculares entre s.
Ambos campos oscilan en forma perpendicular a la direccin de propagacin de la onda, como
muestra la figura 6. Por lo tanto, una onda luminosa no tendra que depender de una materia que
vibrara. Se propagara mediante campos oscilatorios transversales. Una onda de ese tipo
"surgira" de los alrededores de una carga acelerada y cruzara el espacio con la velocidad de la
luz. Las ecuaciones de Maxwell predijeron que el calor y la accin elctrica, al igual que la luz,
se propagaban ala velocidad de la luz como perturbaciones electromagnticas.
La confirmacin experimental de la teora de Maxwell fue lograda en 1885 por H. R. Hertz,
quien prob que la radiacin de la energa electromagntica puede ocurrir a cualquier frecuencia.
Es decir, la luz, la radiacin trmica y las ondas de radio son de la misma naturaleza, y todas ellas
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viajan a la velocidad de la luz (3 X 10
8
m/s). Todos los tipos de radiacin pueden ser reflejados,
enfocados mediante lentes, polarizados, etctera. Pareca que la naturaleza ondulatoria de la luz
no poda ya ser puesta en duda.
La confirmacin de la teora electromagntica despej el camino para la cada del postulado
del "ter transportador de luz". En 1887, A. A. Michelson, un fsico estadounidense, demostr en
forma contundente que la velocidad de la luz es constante, independientemente del movimiento
de la fuente. No pudo encontrar ninguna diferencia entre la velocidad de la luz al viajar en
direccin al movimiento de la Tierra y al viajar en direccin opuesta a dicho movimiento.



Figura 6. La teora electromagntica sostiene que la luz se propaga como campos
transversales oscilatorios. La energa se divide por igual entre las campos elctrico E y
magntico B, que son perpendiculares entre s.


ESPECTRO ELECTROMAGNTICO

Actualmente se sabe que el intervalo de frecuencias del espectro electromagntico es enorme.
En la figura 7 se presenta un esquema de dicho espectro. La longitud de onda de la radiacin
electromagntica esta relacionada con su frecuencia f mediante la ecuacin general:


c = f

donde c es la velocidad de la luz (3 X 10
8
m/s).




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Figura 7. Espectro electromagntico.

Debido a las pequeas longitudes de onda de la radiacin luminosa, es ms conveniente
definir unidades de medida menores. La unidad del SI es el nanmetro (nm).

Un nanmetro (1 nm) se define como la milmillonsima parte de un metro.
1 nm = 10
-9
m = 10
-7
cm.

La regin visible del espectro electromagntico se extiende desde 400 nm para la luz violeta
hasta aproximadamente 700 nm para la luz roja. Otras antiguas unidades son el milimicrn (m),
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que es igual al nanmetro, y el angstrom (), que es igual a 0.1 nm.

EJEMPLO 1 . La longitud de onda de la luz amarilla de una llama de sodio es de 589 nm. Calcule
su frecuencia.
Solucin
La frecuencia se calcula a partir de la ecuacin c = f

f = c/ = 3x 10
8
/ 589 x 10
-9
m = 5.09 x 10
14
Hz

Newton fue el primero en estudiar detalladamente la regin visible dispersando la "luz blanca"
a travs de un prisma. En orden de longitudes de onda creciente, los colores del espectro son:
violeta ( 450 nm), azul ( 480 nm), verde (520 nm), amarillo (580 nm) anaranjado (600 nm) y rojo
(640 nm). Quien haya visto un arco iris se ha dado cuenta de los efectos que tienen las diferentes
longitudes de onda de la luz sobre el ojo humano.



Figura 8. Parte visible del espectro electromagnetico.

El espectro electromagntico es continuo; no hay separaciones entre una forma de radiacin y
otra. Los lmites establecidos son tan slo arbitrarios, dependiendo de nuestra capacidad para
percibir directamente una pequea porcin y para descubrir y medir las porciones que quedan
fuera de la regin visible.
El primer descubrimiento de radiacin con longitudes de onda mayores que las
correspondientes a la luz roja fueron descubiertas por William Herschel en 1800. Estas ondas
actualmente se conocen como radiacin trmica y se les llama ondas infrarrojas.
Poco despus del descubrimiento de las ondas infrarrojas, se observ tambin la radiacin de
longitudes de onda ms cortas que la luz visible. Estas ondas, ahora conocidas como ondas
ultravioletas, se descubrieron por su relacin con el efecto que tienen sobre ciertas reacciones
qumicas.
La extensin de la regin infrarroja hacia mayores longitudes de onda no se conoci en la
mayor parte del siglo XIX. Por fortuna, la teora electromagntica de Maxwell abri la puerta al
descubrimiento de muchas otras clasificaciones de radiacin. El espectro de las ondas
electromagnticas en la actualidad se ha dividido por conveniencia en ocho regiones principales
que aparecen en la figura 7: (1) ondas largas de radio, (2) ondas cortas de radio, (3) la regin
infrarroja, ( 4) la regin visible, (5) la regin ultravioleta, (6) rayos X, (7) rayos gamma y (8)
fotones cosmicos.
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LA TEORA CUNTICA

Los trabajos de Maxwell y de Hertz respecto al establecimiento de la naturaleza
electromagntica de las ondas de luz, fue en realidad uno de los hechos ms trascendentes en la
historia de la ciencia. No slo explicaron la naturaleza de luz, sino que dieron paso a un enorme
intervalo de ondas electromagnticas. Resulta sorprendente que tan slo dos aos despus de que
Hertz verificara las ecuaciones de onda de Maxwell, la teora ondulatoria de la luz haya tenido
que enfrentar un nuevo reto. En 1887, Hertz observ que una chispa elctrica poda saltar
fcilmente entre dos esferas cargadas cuando sus superficies estaban iluminada por la luz que
provena de otra chispa. Este fenmeno, conocido como efecto fotoelctrico, se demostr
mediante el aparato que se muestra en la figura 9. Un haz de luz incide sobre la superficie
metlica A en un tubo al vaco. Los electrones emitidos por la luz son enviados al colector B por
medio de bateras externas. El flujo de electrones se detecta mediante un dispositivo llamado
ampermetro. El efecto fotoelctrico es un desafo para la explicacin en trminos de la teora
ondulatoria. En realidad, la emisin de electrones puede explicarse ms fcilmente a travs de la
antigua teora corpuscular. Sin embargo, tampoco quedaban dudas acerca de las propiedades
ondulatorias. La ciencia se enfrent a una paradoja sorprendente.
Figura 9. Efecto fotoelctrico.

El efecto fotoelctrico, junto con otros experimentos que incluan la emisin y absorcin de
energa radiante, no poda explicarse nicamente mediante la teora de ondas electromagnticas
de Maxwell. En un esfuerzo por lograr observaciones experimentales que apoyaran la teora, Max
Planck, un fsico alemn public su hiptesis cuntica en 1901. l encontr que los problemas
con la teora de la radiacin se basaban en la suposicin de que la energa era radiada en forma
continua. Se postul que la energa electromagntica se absorba o emita en paquetes discretos, o
cuantos. El contenido de energa de estos cuantos, o fotones, como fueron llamados, es
proporcional a la frecuencia de la radiacin. La ecuacin de Planck se puede escribir como:

E = hf

donde E = energa del fotn
f = frecuencia del fotn
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h = factor de proporcionalidad llamado constante de Planck (6.626 X 10
-34
Js)

En 1905, Einstein ampli la idea propuesta por Planck y postul que la energa en un haz de
luz no se difunde en forma continua a travs del espacio. Al suponer que la energa luminosa est
concentrada en pequeos paquetes (fotones) cuyo contenido de energa est dado por la ecuacin
de Planck, Einstein fue capaz de predecir el efecto fotoelctrico matemticamente. Por fin, la
teora se reconcili con la observacin experimental.
Por consiguiente, tal parece que la luz es dual. La teora ondulatoria se conserva, ya que se
considera que el fotn tiene una frecuencia y una energa proporcional ala frecuencia. En la
prctica actual se utiliza la teora ondulatoria cuando se estudia la propagacin de la luz. Por otra
parte, la teora corpuscular es necesaria para describir la interaccin de la luz con la materia.
Podemos pensar en la luz como energa radiante transportada por fotones y transmitida por un
campo ondulatorio.
El origen de los fotones de luz no se comprendi sino hasta que Niels Bohr en 1913 propuso
un modelo para el tomo basndose en ideas cunticas. Bohr postulo que los electrones se pueden
mover alrededor del ncleo de un tomo nicamente en ciertas rbitas o niveles de energa
discretos, como se aprecia en la figura 10. Se dijo que los tomos estaban cuantizados. Si en
alguna forma se les suministra energa a los tomos, por ejemplo en forma de calor, los electrones
orbitales pueden saltar a una rbita superior. Algn tiempo despus, estos electrones excitados
caern de nuevo a su nivel original, liberando tantos fotones de energa como los que hayan sido
absorbidos originalmente. Aunque el modelo de Bohr no es correcto en sentido estricto,
estableci las bases para comprender la emisin y la absorcin de radiacin electromagntica en
unidades cunticas.














Figura 10. Teora del tomo de Bohr.

VELOCIDAD DE LA LUZ

Quizs la velocidad de la luz es la constante mas importante utilizada en la fsica y su
determinacin exacta representa una de las mediciones ms precisas que ha 1ogrado el hombre.
Su magnitud es tan grande (aproximadamente 186000 mi/s) que las mediciones experimentales
fueron totalmente infructuosas hasta finales del siglo XVII. Era una creencia generalizada que la
transmisin de la luz deba ser instantnea.
Los primeros intentos por medir experimentalmente la velocidad de la luz los realiz Galileo
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en 1667. En forma resumida, este mtodo consista en ubicar a dos observadores en dos torres
separadas por una distancia conocida. Durante la noche se enviaban seales con linternas. El
segundo experimentador descubra su linterna en cuanto perciba la seal de luz hecha por el
primer experimentador. De este modo, la velocidad de la luz poda determinarse a partir del
tiempo requerido por la luz para viajar entre las dos torres. El experimento no fue concluyente y
Galileo simplemente se sum a la opinin generalizada de que la transmisin de la luz era
instantnea. Dicho experimento actualmente nos parece ingenuo debido a que ahora conocemos
la verdadera magnitud de la velocidad de la luz.
Ocho aos despus, el astrnomo dans Olaus Roemer realiz la primera medicin de la
velocidad de la luz. l bas sus clculos en las irregularidades en la prediccin de los eclipses de
una de las lunas del planeta Jpiter. Roemer haba medido el intervalo de tiempo entre eclipses
sucesivos durante varios aos. Observ una variacin uniforme en sus clculos cuando llevaba a
cabo sus mediciones desde diferentes porciones de la rbita terrestre alrededor del Sol. Roemer
sac la conclusin correcta de que las irregularidades en sus mediciones se deban a la distancia
que tena que recorrer la luz para llegar a la Tierra. Basndose en sus mediciones bastante
inexactas, Roemer calcul que la velocidad de la luz era de 140000 mi/s.
La primera medicin terrestre confiable de la velocidad de la luz fue realizada por A. H. L.
Fizeau, un cientfico francs. En 1849, su experimento implic simplemente el clculo del tiempo
necesario para que la luz recorriera una distancia conocida. Un diagrama esquemtico del aparato
se muestra en la figura 11. Una rueda dentada giratoria W permite que la luz que proviene de la
fuente sea interrumpida, produciendo una serie de destellos cortos. Supongamos que primero la
rueda est inmvil y que la luz pasa a travs de una de las aberturas entre los dientes. La luz que
proviene de la fuente S es reflejada por la placa de vidrio semiplateada P a travs de la abertura
de la rueda y en un espejo plano M localizado a pocas millas de distancia. La luz reflejada
retorna, pasa por una de las aberturas ya travs del vidrio P, para llegar as al observador O.
Figura 11. Aparato de Fizeau para medir la velocidad de la luz.

Ahora suponga que la rueda dentada est girando a una frecuencia constante. La luz de la
fuente pasar a travs de la abertura A al espejo situado a cierta distancia y luego regresar a la
rueda. La frecuencia rotacional de la rueda se ajusta de tal modo que la luz que regresa pase
justamente por la abertura E. En estas condiciones, la luz de la fuente pasa por el borde 1 hacia el
espejo y regresa a travs del borde 2. Por lo tanto, el tiempo requerido por la luz para recorrer la
distancia conocida es el mismo que la rueda necesita para girar el ancho del hueco y de un diente.
O sea que la velocidad de la luz es una funcin de la frecuencia conocida de rotacin de la rueda,
y puede calcularse. Si la frecuencia se incrementa gradualmente, la luz ser interceptada de nuevo
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hasta que reaparezca pasando por el borde 3. La velocidad de la luz calculada por Fizeau fue de
3.13 x 10
8
m/s.El error se atribuye a medidas inexactas.
En 1850, Foucault refin el aparato desarrollado por Fizeau reemplazando la rueda dentada
por un espejo giratorio. l es recordado sobre todo por sus mediciones de la velocidad de la luz
en agua. Ofreci la primera prueba concluyente de que la luz viaja ms lentamente en el agua que
en el aire.
Probablemente ningn otro cientfico es ms recordado por sus trabajos acerca de la medicin
de la velocidad de la luz que Albert A. Michelson (1852-1931). Utilizando el mtodo de
Foucault, fue capaz de obtener mediciones que fueron extremadamente precisas. Un diagrama
esquemtico de su aparato se muestra en la figura 12. La fuente de luz, un espejo giratorio de
ocho lados, y el telescopio, se colocaron en el monte Wilson, California. Los espejos reflejantes
se colocaron a unas 22 millas de la cima del monte San Antonio. A partir de las distancias
conocidas y del tiempo requerido, Michelson determin que la velocidad de la luz en el aire es de
2.997 x 10
8
m/s. Este valor es como una de las mediciones mas precisas que se basan en el
principio de Foucult.




Figura 12. Mtodo de Michelson para medir la velocidad de la luz en el aire.

Las investigaciones acerca de la velocidad de la luz han continuado hasta fechas recientes, en
que las tcnicas lser han dado por resultado el valor
c = 2.99792457 x 10
8
m/s
que tiene una exactitud de aproximadamente 12 partes en 100 millones. Esta cifra se basa, sin
embargo, en la vieja definicin del metro en trminos de la longitud de onda del criptn. El
segundo se puede medir en la actualidad con una incertidumbre de slo una parte en 10 billones.
El metro fue redefinido en 1983 en funcin de la unidad de tiempo. Para mayor precisin, el
metro qued establecido como la distancia que recorre la luz en un tiempo de 1/299 792 458 s,
medido con un reloj de cesio. Esta decisin dej establecida la definicin de la velocidad de la
luz como:
c= 2.99792458 X 108 m/s (exactamente).

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Aproximaciones tiles son 3 X 108 m/s y 186000 mi/s. Estos valores se pueden usar en la
mayora de los clculos fsicos sin temor de cometer un error significativo.

RAYOS DE LUZ Y SOMBRAS

Una de las primeras propiedades de la luz que se estudiaron fue la propagacin rectilnea y la
formacin de sombras. Instintivamente, confiamos mucho en esta propiedad para estimar
distancias, direcciones y formas. La formacin de sombras ntidas se aprovecha en un reloj solar
para medir el tiempo. En esta seccin estudiaremos cmo podemos predecir la formacin de
sombras.
De acuerdo con el principio de Huygens, cada punto en un frente de onda en movimiento
puede considerarse como una fuente de pequeas ondas secundarias. El frente de onda en
cualquier instante es la envoltura de estas pequeas ondas. Por lo tanto, la luz emitida en todas
direcciones por medio de la fuente puntual de luz en la figura 13, puede representarse con una
serie de frentes de onda esfricos que se mueven alejndose de la fuente a la velocidad de la luz
Figura 13. Un rayo es una lnea imaginaria trazada perpendicularmente a los frentes de
onda que avanzan, lo que indica la direccin de la propagacin de la luz..

Para nuestros propsitos, una fuente puntual de luz es aquella cuyas dimensiones son
pequeas en comparacin con las distancias estudiadas. Observe que los frentes de onda esfricos
se vuelven prcticamente frentes de onda planos en cualquier direccin especfica a distancias
muy alejadas de la fuente. Una lnea recta imaginaria trazada perpendicularmente a los frentes de
onda en la direccin de los frentes de onda en movimiento se llama rayo. Por supuesto, hay un
nmero infinito de rayos que parten de la fuente puntual.
Cualquier objeto de color oscuro absorbe luz, pero uno negro absorbe casi toda la luz que
recibe. La luz que no es absorbida cuando golpea un objeto, es reflejada o transmitida. Si toda la
luz que incide sobre un objeto se refleja o se absorbe, se dice que el objeto es opaco. Puesto que
la luz no puede pasar a travs de un cuerpo opaco, se producir una sombra en el espacio situado
atrs del objeto. La sombra formada por una fuente puntual de luz se ilustra en la figura 14.
Puesto que la luz se propaga en lneas rectas, los rayos que emergen de la fuente y pasan por los
bordes del objeto opaco formando una sombra ntida proporcional a la forma del objeto. Esa
regin en la cual no penetra la luz se llama umbral o sombra.
Si la fuente de luz es de tipo extendido y no puntual, la sombra consistir en dos porciones,
como muestra la figura 15. La porcin interior no recibe luz de la fuente y por lo tanto es la
umbra. La porcin exterior se denomina penumbra. Un observador dentro de la penumbra podra
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ver una porcin de la fuente pero no toda la fuente. Un observador situado fuera de ambas
regiones podra ver toda la fuente. Los eclipses solares y lunares pueden estudiarse mediante
construcciones de sombra similares.
Figura 14. Sombra formada por una fuente puntual de luz.

Figura 15. Sombras formadas por una fuente de luz extendida.

FLUJO LUMINOSO

La mayora de las fuentes de luz emiten energa electromagntica distribuida en mltiples
longitudes de onda. Se suministra energa elctrica a una lmpara, la cual emite radiacin. Esta
energa radiante emitida por la lmpara por unidad de tiempo se llama potencia radiante o flujo
radiante. Slo una pequea porcin de esta potencia radiante se encuentra en la regin visible: en
la regin entre 400 y 700 nm. El sentido de la vista depende tan slo de la energa radiada visible
o luminosa por unidad de tiempo.

El flujo luminoso F es la parte de la potencia radiante total emitida por una .fuente de luz que es
capaz de afectar el sentido de la vista.

En una lmpara comn de luz incandescente, slo aproximadamente el l0 por ciento de la
energa radiante es flujo luminoso. La mayor parte de la potencia radiante no es luminosa.
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El ojo humano no es igualmente sensible a todos los colores. En otras palabras, iguales
potencias radiantes de diferentes longitudes de onda no producen la misma brillantez. Una
lmpara de luz verde de 40 W se ve ms brillante que una lmpara de luz azul de 40 W. La figura
16 muestra una grfica que indica la respuesta del ojo a diversas longitudes de onda. Observe que
la curva de sensibilidad tiene forma de campana centrada aproximadamente en la regin media
del espectro visible. En condiciones normales, el ojo es ms sensible a la luz verde-amarilla de
longitud de onda de 555 nm. La sensibilidad decae rpidamente para longitudes de onda ms
largas y ms cortas.
Figura 16. Curva de sensibilidad del ojo humano.

Si la unidad elegida para el flujo luminoso debe corresponder a la respuesta sensitiva del ojo
humano, es preciso definir una nueva unidad. El watt (W) no es suficiente debido a que las
sensaciones visuales no son las mismas para colores diferentes. Lo que se necesita es una unidad
que mida la brillantez. Dicha unidad es el lumen (lm), el cual se determina por comparacin con
una fuente patrn.










Figura 17. Definicin de ngulo plano e expresado en radianes.

Para comprender la definicin de un lumen en trminos de la fuente patrn, debemos primero
desarrollar el concepto de un ngulo slido. Un ngulo slido en estereorradianes (sr) se define
en la misma forma que un ngulo plano se define en radianes. En la figura 17 el ngulo en
radianes es:
LUZ E ILUMINACIN - 15
R
S
= rad

donde S es la longitud del arco y R es el radio. En forma similar se define el ngulo slido en
la figura 18. ste puede imaginarse como la abertura del extremo de un cono subtendido por un
segmento de rea sobre la superficie esfrica.
Un estereorradin (sr) es el ngulo slido subtendido en el centro de una esfera por un rea A
sobre su superficie que es igual al cuadrado de su radio R.


Figura 18. Definicin de ngulo slido en estereorradianes.

En general, el ngulo slido en estereorradianes est dado por :

2
R
A
= sr

El estereorradin, al igual que el radin, es una cantidad adimencional. Igual que hay 2 rad
en un circulo completo, se puede demostrar con la ecuacin anterior que hay 4 sr en una esfera
completa.

EJEMPLO 2. Qu ngulo slido se subtiende en el centro de una esfera de 8 m de dimetro por
medio de un rea de 1.5 m
2
sobre su superficie?
Solucin
De la ecuacin
2
R
A
=
( )
0938 . 0
4
5 . 1
2
2
= =
m
m
sr


Ahora estamos en condiciones de aclarar la definicin de una unidad que mide el flujo
luminoso. El lumen se define por comparacin con una fuente patrn reconocida
internacionalmente.

LUZ E ILUMINACIN - 16
Un lumen (lm) es el flujo luminoso (o potencia radiante visible) emitido desde una abertura de
1/60 cm
2
de una fuente patrn e incluido dentro de un ngulo slido de 1 sr.

La fuente patrn consiste en un recipiente hueco que se mantiene a la temperatura de
solidificacin del platino, aproximadamente 1773C. En la prctica es ms conveniente usar
lmparas incandescentes estndar que han sido calibradas por comparacin con una lmpara
patrn.
Otra definicin conveniente de lumen utiliza la curva de sensibilidad del ojo como base para
establecer el flujo luminoso. Relacionndola con la fuente patrn, un1m se define en trminos de
la potencia radiante de la luz verde-amarilla.

Un lumen es equivalente a 1/680 W de luz verde-amarilla de 555 nm de longitud de onda.

Para determinar el flujo luminoso emitido por luz de diferente longitud de onda, debe usarse la
curva de luminosidad a fin de compensar la sensibilidad visual.

EJEMPLO 3. Una fuente de luz roja monocromtica (600 nm) produce una potencia radiante
visible de 4 W Cul es el flujo luminoso en lmenes?

Solucin
Si la luz fuera verde-amarilla (555 nm) en vez de roja, tendra un flujo luminoso F dado por:

F = (680 lm/W)(4 W) = 2720 lm

A partir de la curva de sensibilidad, la luz roja tiene una longitud de onda de 600 nm y
produce aproximadamente el 59 por ciento de la respuesta obtenida con la luz verde-amarilla. As
pues, el flujo luminoso que emana de la fuente de luz roja es:

F= (0.59)(2720 lm) = 1600 lm

El flujo luminoso con frecuencia se calcula en el laboratorio determinando la iluminacin que
produce sobre un rea de superficie conocida.

INTENSIDAD LUMINOSA

La luz viaja radialmente hacia afuera en lneas rectas desde una fuente que es pequea en
comparacin con sus alrededores. Para una fuente de luz de ese tipo, el flujo luminoso incluido
en un ngulo slido permanece igual a cualquier distancia de la fuente. Por lo tanto, con
frecuencia es ms til hablar del flujo por unidad de ngulo slido que hablar simplemente del
flujo total. La cantidad fsica que expresa esta relacin se llama intensidad luminosa.

La intensidad luminosa I de una fuente de luz es el flujo luminoso F emitido por unidad de
ngulo slido .

=
F
I

LUZ E ILUMINACIN - 17
La unidad de intensidad es el lumen por estereorradin (lm/sr), llamada candela. La candela o
buja, como a veces se le llama, se origin cuando el patrn internacional qued definido en
trminos de la cantidad de luz emitida por la llama de cierta buja. Este patrn no result
adecuado y se reemplaz finalmente por el patrn de platino.

EJEMPLO 4. La mayora de las fuentes de luz tienen diferentes intensidades luminosas en
diferentes direcciones. Una fuente isotrpica es aquella que emite uniformemente luz en todas
direcciones. Cul es el flujo luminoso total emitido por una fuente isotrpica de intensidad I?

Solucin
A partir de la ecuacin anterior, el flujo est dado por:

F = I

El ngulo slido total para una fuente isotrpica es 4 sr. Por lo tanto,

F = 4I

EJEMPLO 5. Un proyector de luz est equipado con una lmpara de 40 cd que concentra un haz
de luz sobre una pared vertical. El haz cubre un rea de 9 m
2
de la pared, y el proyector est
situado a 20 m de dicha pared. Calcule la intensidad luminosa del proyector.
Solucin
El flujo total emitido por la lmpara de 40 cd es:

F = 4I = (4)(40 cd) = 160 lm

Este flujo total se concentra por medio de reflectores y lentes en un ngulo slido dado por:

( )
sr
m
m
R
A
0225 . 0
20
9
2
2
2
= = =

La intensidad del haz se encuentra a partir de la ecuacin I = F/ :

cd x
sr
lm F
I
4
10 23 . 2
0225 . 0
160
= =

=



Observe que las unidades de intensidad ( cd) y las unidades de flujo (lm) son iguales desde el
punto de vista dimensional. Esto sucede debido a que el ngulo slido en estereorradianes es
adimensional.

ILUMINACION

Si la intensidad de la fuente aumenta, el flujo luminoso transmitido a cada unidad de rea en la
vecindad de la fuente tambin aumenta. La superficie aparece ms brillante. En la medicin de la
eficiencia luminosa, el ingeniero se interesa en la densidad del flujo luminoso sobre una
superficie. Esto nos lleva entonces a analizar la iluminaci6n de una superficie.
LUZ E ILUMINACIN - 18

La iluminacin E de una superficie A se define como el flujo luminoso F por unidad de rea.

A
F
E =

Cuando el flujo F se mide en lumenes y el rea A en metros cuadrados, la iluminacin E tiene
las unidades de lumenes por metro cuadrado o lux (lx). Cuando A se expresa en pies cuadrados, E
se da en lmenes por pies cuadrados. Al lumen por 1 pie cuadrado a veces se le denomina buja-
pie.
La aplicacin directa de la ecuacin requiere un conocimiento del flujo luminoso que incide
en una superficie dada. Desafortunadamente, el flujo de las fuentes de luz comunes es difcil de
determinar. Por esta razn, la ecuacin se usa con ms frecuencia para calcular el flujo cuando A
se conoce, y E se calcula , a partir de la intensidad medida.
Para entender la relacin entre intensidad e iluminacin, consideremos una superficie A a una
distancia R de una fuente puntual de intensidad I, como muestra la figura 19. El ngulo slido
subtendido por la superficie en la fuente es:

2
R
A
=
donde el rea A es perpendicular a la luz emitida.

Figura 19. Clculo de la iluminacin de una superficie perpendicular al flujo luminoso
incidente.

Si el flujo luminoso forma un ngulo con la normal a la superficie, como muestra la figura
24-19, debemos considerar el rea proyectada A cos . sta representa el rea efectiva que el flujo
"ve". Por lo tanto, el ngulo slido, en general, se puede determinar a partir de:
2
cos
R
A
=
LUZ E ILUMINACIN - 19


Despejando el flujo luminoso F en la ecuacin

=
F
I , obtenemos:
2
cos
R
IA
I F

= =

Ahora ya es posible expresar la iluminacin como una funcin de la intensidad. Sustituyendo
la ecuacin anterior en la ecuacin que define la iluminacin nos queda:

2
cos
AR
IA
A
F
E

= =

o bien;
2
cos
R
I
E

=

Para el caso especial en el que la superficie es normal al flujo, = 0, y la ecuacin anterior se
simplifica quedando:
2
R
I
E =


Debe verificar que las unidades de candela por metro cuadrado sean equivalentes
dimensionalmente a las unidades de lmenes por metro cuadrado o lux.


Figura 20. Cuando una superficie forma un ngulo con el flujo luminoso incidente, la
.iluminacin E es proporcional a la componente A cos de la superficie perpendicular al
flujo luminoso.
LUZ E ILUMINACIN - 20

EJEMPLO 6. Una lmpara incandescente de 100 W tiene una intensidad luminosa de 125 cd.
Cul es la iluminacin de una superficie situada a 3 ft abajo de la lmpara?

Solucin
Sustituyendo directamente en la ecuacin
2
R
I
E = , obtenemos:

( )
2
2 2
9 . 13
3
125
ft
lm
ft
cd
R
I
E = = =

EJEMPLO 7. Una lmpara de filamento de tungsteno cuya intensidad es de 300 cd est situada a
2.0 m de una superficie de 0.25 m2 de rea. El flujo luminoso forma un ngulo de 30 con la
normal a la superficie. (a) Cul es la iluminacin? (b) Cul es el flujo luminoso que choca
contra la superficie? (Consulte la figura 20).

Solucin (a)
La iluminacin se encuentra directamente a partir de la ecuacin
2
cos
R
I
E

= .

( )( )
( )
lx
m
cd
R
I
E
o
65
2
30 cos 300 cos
2
2
= = =



Solucin (b)
El flujo que incide en la superficie se determina despejando F de la ecuacin
A
F
E = . De
modo que:

F = EA = (65 lx)(0.25 m
2
) = 16.2 lm.


Las ecuaciones anteriores que incluyen la iluminacin y la densidad luminosa son
formulaciones matemticas de la ley del recproco del cuadrado. que puede enunciarse en la
siguiente forma:

La iluminacin de una superficie es proporcional a la intensidad luminosa de una fuente de luz
puntual y es inversamente proporcional al cuadrado de la distancia.

Si la luz que ilumina una superficie se eleva el doble de su altura original. la iluminacin ser
solamente la cuarta parte del total. Si se triplica la distancia de la lmpara, la iluminacin se
reduce a una novena parte del total. En la figura 21 se ilustra esta relacin del recproco del
cuadrado.

LUZ E ILUMINACIN - 21

Figura 21. La intensidad luminosa I es constante para un ngulo slido dado . Sin
embargo, la iluminacin E (flujo por unidad de rea) disminuye en proporcin al cuadrado
de la distancia a la fuente de luz.























LUZ E ILUMINACIN - 22
REFLEXION Y ESPEJOS

OBJETIVOS Despus de completar el estudio de este tema podr usted:

1. Demostrar, mediante definiciones e ilustraciones, que ha comprendido los siguientes
trminos: imgenes virtuales, imgenes reales, espejo convergente, espejo divergente,
amplificacin, longitud focal y aberracin esfrica.
2. Usar tcnicas de trazado de rayos para construir imgenes formadas por espejos esfricos.
3. Predecir matemticamente la naturaleza, el tamao y la ubicaci6n de imgenes formadas por
espejos esfricos.
4. Determinar la amplificacin y/o la longitud focal de espejos esfricos mediante mtodos
matemticos y experimentales.


El ojo responde a la luz. Es posible ver todos los objetos gracias a la luz, ya sea por la luz que
emite el objeto o por luz que se refleja en l. Ahora tenemos una comprensin general de la
naturaleza de la luz y hemos estudiado objetos luminosos y mtodos para medir la luz emitida por
ellos.
Aun cuando todo tipo de luz se origina en una fuente de energa, por ejemplo el Sol, una
lmpara elctrica, o una vela encendida, la mayor parte de la luz que vemos en el mundo fsico es
el resultado de luz reflejada. Nos ocuparemos de las leyes que describen cmo regresa la luz a su
medio original como resultado de incidir sobre una superficie. Aunque este fenmeno, llamado
reflex6n, puede interpretarse en trminos de la teora ondulatoria electromagntica de Maxwell,
es ms sencillo describirla mediante el trazo de rayos.
El tratamiento en forma de rayos, que se conoce generalmente como ptica geomtrica, se
basa en la aplicacin del principio de Huygens. Recuerde que los rayos de luz son lneas
imaginarias trazadas en forma perpendicular a los frentes de onda que avanzan en la direccin de
la propagacin de la luz.


LAS LEYES DE LA REFLEXION

Cuando la luz incide en la frontera o lmite entre dos medios, por ejemplo aire y el vidrio, se
pueden presentar una o varias de estas tres situaciones. Como se muestra en la figura 22, una
parte de la luz que incide sobre una superficie de vidrio se refleja, y otra parte penetra en el
vidrio. La luz que entra al vidrio es absorbida parcialmente y la parte restante se transmite. La luz
transmitida en general sufre un cambio de direccin, lo cual se conoce como refraccin. En este
tema nos ocuparemos nicamente del fenmeno conocido como reflexin.
La reflexin de la luz obedece a la misma ley general de la mecnica que rige otros fenmenos
de rebote; es decir, el ngulo de incidencia es igual al ngulo de reflexin. Por ejemplo,
consideremos la mesa de billar de la figura 23. Para golpear la pelota negra hacia la derecha es
necesario localizar un punto sobre el borde de la mesa, de tal modo que el ngulo de incidencia
i

sea igual que el ngulo de reflexin
r
. En forma anloga, la luz reflejada de una superficie lisa,
como en la figura 24(a), tiene sus ngulos de incidencia y de reflexin iguales. Los ngulos
i
y

r
, se miden Con respecto a la normal a la superficie. Se pueden enunciar dos leyes bsicas de la
reflexin:
LUZ E ILUMINACIN - 23

El ngulo de incidencia es igual al ngulo de reflexin
El rayo incidente, el rayo reflejado y la normal a la superficie se encuentran en el mismo
plano.
Figura 22. Cuando la luz incide en la zona limtrofe o frontera entre dos medios, puede
reflejarse, refractarse o absorberse.

La reflexin de la luz que proviene de una superficie pulida, en la figura 25-3(a), se llama
reflexin regular o especular. La luz que incide sobre la superficie de un espejo o vidrio se
refleja especularmente. Si toda la luz incidente que golpea una superficie se reflejara de esta
manera, no podramos ver la superficie. nicamente seramos capaces de ver imgenes de otros
objetos. Es la reflexin difusa (figura 25-3(b)) la que nos permite ver una superficie. Una
superficie irregular o spera esparce y dispersa la luz incidente, lo que da por resultado que se
ilumine la superficie. La luz reflejada por ladrillos. concreto o peridicos son ejemplos de la
reflexin difusa.

Figura 23. La reflexin de la luz sigue la misma trayectoria que cabra esperar en el caso de
una bola de billar que rebota. El ngulo de incidencia es igual que el ngulo de reflexin.

LUZ E ILUMINACIN - 24


Figura 24. (a) Reflexin especular, (b) reflexin difusa.

ESPEJOS PLANOS

Una superficie muy pulida que forma imgenes a causa de la reflexin especular de la luz se
llama espejo. Los espejos que cuelgan de las paredes de nuestras casas son en general extendidos
o planos. y tenemos bastante familiaridad con el tipo de imgenes que se forman en ellos. En
todos los casos. la imagen parece estar ala misma distancia, detrs del espejo. que la distancia a la
cual se encuentra colocado el objeto real delante del espejo. Como se muestra en la figura 25, las
imgenes tambin aparecen invertidas en el sentido derecha-izquierda. Cualquier persona que
haya aprendido a anudarse la corbata o a aplicarse maquillaje mirndose en un espejo est muy
consciente de estos efectos.

Figura 25. Las imgenes que se forman en los espejos planos aparecen invertidas en el
sentido lateral, es decir, a derecha e izquierda.

Para comprender el proceso de la formacin de imgenes en un espejo plano, consideremos
primero la imagen I formada por los rayos emitidos desde el punto O en la figura 26. Vemos que
se han trazado cuatro rayos luminosos que parten de la fuente puntual de luz. El rayo luminoso
OV es reflejado sobre s mismo por el espejo. Puesto que la luz reflejada parece haber recorrido
la misma distancia que la luz incidente, la imagen se forma a una distancia igual, detrs del
espejo, cuando se observa a lo largo de la normal a la superficie de reflexin. Cuando la luz
LUZ E ILUMINACIN - 25
reflejada se ve en el espejo desde cierto ngulo, la conclusin es la misma: la distancia de la
imagen q es igual a la distancia del objeto p. Esto es cierto porque el ngulo es igual al ngulo
' en la figura. Por lo anterior, se puede decir que:

Para un espejo plano, la distancia al objeto es igual en magnitud a la distancia a la imagen.

p = q



Figura 26. Construccin de la imagen de un objeto puntual formada por un espejo plano.

Ahora consideremos la imagen formada por un objeto extendido, como se muestra en la figura
27. En el caso de un objeto extendido, se puede imaginar que est formado por muchos objetos
puntuales distribuidos de acuerdo a la forma y el tamao del objeto. Cada punto del objeto tendr
una imagen puntual localizada a igual distancia atrs del espejo. Se deduce que la imagen tendr
el mismo tamao y forma que el objeto. Sin embargo, la derecha y la izquierda estarn invertidas,
como ya se dijo.



Figura 27. Imagen de un objeto extendido.

LUZ E ILUMINACIN - 26
Observe que las imgenes formadas por el espejo plano son, en realidad, producto de la
reflexin de objetos reales. Las imgenes en s mismas no son reales porque la luz no pasa a
travs de ellas. A las imgenes que ante nuestros ojos parecen estar formadas por rayos de luz,
pero que en realidad no existen, se les denomina imgenes virtuales. En cambio, una imagen real
es una imagen formada por rayos de luz verdaderos.

Una imagen virtual es la que parece estar formada por luz que proviene de la imagen,
pero que en realidad no es atravesada por ningn rayo de luz.

Una imagen real est formada por rayos de luz reales que la atraviesan. Las imgenes
reales se pueden proyectar en una pantalla.

Puesto que las imgenes virtuales no se forman por rayos de luz reales, no se pueden proyectar
en una pantalla.
Las imgenes reales no pueden formarse por un espejo plano debido aqueja luz reflejada en
una superficie plana diverge. Pero, si un espejo plano forma imgenes virtuales que no existen
fsicamente, cmo es que podemos verlas? La respuesta completa a esta cuestin debe esperar
hasta que se estudie la refraccin y las lentes. Una respuesta preliminar se ilustra en la figura 28,
que sirve tambin para demostrar los dos tipos de imgenes. El ojo aprovecha el principio de
refraccin para lograr que converja la luz reflejada que parece provenir de la imagen virtual. Una
imagen real, por la tanto, se proyecta sobre la retina del ojo. Esta imagen, que est formada por
rayos de luz reflejados, reales, es interpretada por el cerebro como si se hubiera originado a partir
de un punto situado atrs del espejo. El cerebro est condicionado para la propagacin rectilnea
de la luz. Se confunde cuando la luz por alguna razn cambia de direcciones. Las personas que
dudan que el cerebro puede estar condicionado para interpretar imgenes deberan intentar
anudarle a alguien la corbata sin mirar al espejo. En este caso, el objeto real parece menos natural
que su imagen virtual.


Figura 28. La imagen formada por un espejo plano es virtual. Esas imgenes aparecen ante
nuestros ojos como si estuvieran colocadas detrs del espejo.
LUZ E ILUMINACIN - 27
EPEJOS ESFERICOS

Los mismos mtodos geomtricos aplicados a la reflexin de la luz desde un espejo plano se
pueden utilizar para un espejo curvo. El ngulo de incidencia sigue siendo igual que el ngulo de
reflexin, pero la normal a la superficie cambia en cada punto a lo largo de dicha superficie. De
esto resulta una relacin complicada entre el objeto y su imagen.
La mayora de los objetos curvos usados en aplicaciones prcticas son esfricos. Un espejo
esfrico es un espejo que puede considerarse como una porcin de una esfera reflejante. Los dos
tipos de espejos esfricos se ilustran en la figura 29. Si el interior de la superficie esfrica es la
superficie reflejante, se dice que el espejo es cncavo. Si la porcin exterior es la superficie
reflejante, el espejo es convexo. En cualquier caso, R es el radio de curvatura, y C es el centro de
curvatura para los espejos. El segmento AB, que es til frecuentemente en problemas de ptica,
se llama abertura lineal del espejo. La lnea punteada CV, que pasa a travs del centro de
curvatura y del centro topogrfico o vrtice del espejo, se conoce como eje del espejo.

Figura 29. Definicin de trminos para los espejos esfricos.

Examinemos ahora la reflexin de la luz en una superficie esfrica. Como un caso sencillo,
suponga un haz de rayos de luz paralelos que inciden sobre una superficie cncava, tal como se
ilustra en la figura 30. En virtud de que el espejo es perpendicular al eje en su vrtice V, un rayo
de luz CV es reflejado de regreso sobre s mismo. En realidad, cualquier rayo de luz que avanza a
lo largo de un radio del espejo se refleja de regreso sobre s mismo. El rayo de luz paralelo MN se
refleja de modo que el ngulo de incidencia
i
sea igual al ngulo de reflexin
r
. Ambos ngulos
se miden con respecto al radio CN. La geometra de la reflexin es tal, que el rayo reflejado pasa
a travs del punto F sobre el eje a la mitad del camino entre el centro de curvatura C y el vrtice
V. El punto F, en el cual convergen los rayos luminosos paralelos, se conoce como punto focal
del espejo. A la distancia de F a V se le llama longitud focal f. Como ejercicio conviene
demostrar, a partir de la figura 30(a), que:

2
R
f =


La longitud focal f de un espejo c6ncavo es igual a la mitad de su radio de curvatura R.
LUZ E ILUMINACIN - 28

Figura 30. Punto focal de un espejo cncavo: (a) la longitud focal es la mitad del radio de
curvatura; (b) el objeto se encuentra en el infinito y la imagen en el punto focal; (c)el objeto
est en el punto focal y la imagen en el infinito.

Todos los rayos de luz de un objeto distante, como por ejemplo el sol, convergen en el punto
focal F, como muestra la figura 30(b). Por esta razn, a los espejos cncavos frecuentemente se
les llama espejos convergentes. El punto focal puede encontrarse experimentalmente haciendo
que converja la luz del sol en un punto sobre un trozo de papel. El punto a lo largo del eje del
espejo donde la imagen formada sobre el papel es ms brillante corresponder al punto focal del
espejo.
Por el hecho de que los rayos de luz son reversibles, si una fuente de luz est colocada en el
punto focal de un espejo convergente, su imagen se formar a una distancia infinita. Es decir, el
haz de luz emergente ser paralelo al eje del espejo, como se muestra en la figura 30(c).
Un anlisis similar se aplica a un espejo convexo, como se ilustra en la figura 31. Observe que
el haz de luz paralelo que incide en una superficie convexa, diverge. Los rayos de luz reflejados
parecen provenir del punto F situado detrs del. espejo, pero ningn rayo de luz pasa realmente a
travs de l. Aun cuando el punto focal es virtual, la distancia VF se sigue llamando longitud
focal del espejo convexo. En vista de que los rayos de luz reales divergen cuando inciden sobre
una superficie de este tipo, a los espejos convexos se les llama espejos divergentes.
La ecuacin f = R/2 tambin se aplica aun espejo convexo. Sin embargo, para ser consistentes
LUZ E ILUMINACIN - 29
con la teora (que se expondr posteriormente), la longitud focal f y el radio R deben considerarse
como negativos en el caso de los espejos divergentes.




Figura 31. Punto focal de un espejo convexo.


IMAGENES FORMADAS POR ESPEJOS ESFERICOS

El mejor mtodo para comprender la formacin de imgenes por medio de espejos es a travs
de la ptica geomtrica, o trazado de rayos. Este mtodo consiste en considerar la reflexin de
unos cuantos rayos divergentes a partir de algn punto , de un objeto O que no se encuentre en el
eje del espejo. El punto en el cual se intersectarn todos estos rayos reflejados determina la
ubicacin de la imagen. Analizaremos ahora tres rayos cuyas trayectorias pueden trazarse
fcilmente. Cada uno de los rayos se ilustra, tanto para un espejo convergente (cncavo) en la
figura 32, como para un espejo divergente (convexo) en la figura 33.

RAYO 1 Un rayo paralelo al eje del espejo pasa a travs del punto local de un espejo cncavo
o parece provenir del punto local de un espejo convexo.

RAYO 2 Un rayo que pasa a travs del punto local de un espejo cncavo o que se dirige al
punto local de un espejo convexo se refleja paralelamente al eje del espejo.

RAYO 3 Un rayo que avanza a lo largo de un radio del espejo se refleja a lo largo de su
trayectoria original.

En una situacin especfica, slo se necesitan dos de estos tres rayos para ubicar la imagen de
un punto. Si se eligen los rayos que provienen de un punto extremo del objeto, la imagen restante
se puede completar generalmente por simetra. En las figuras, las lneas discontinuas se usan para
identificar los rayos virtuales y las imgenes virtuales.
LUZ E ILUMINACIN - 30



Figura 32. Principales rayos para la construccin grfica de las imgenes reflejadas por
espejos cncavos.


Figura 33. Principales rayos para la construccin grfica de las imgenes reflejadas por
espejos convexos.

Para ilustrar el mtodo grfico y al mismo tiempo visual izar algunas de las imgenes que
pueden presentarse, vamos a considerar ahora varias imgenes formadas por un espejo cncavo.
En la figura 34(a) se ilustra la imagen formada por un objeto O que se ha colocado afuera del
centro de curvatura del espejo. Observe que la imagen se ha formado entre el punto focal F y el
centro de curvatura c. En este caso, la imagen es real, invertida y ms pequea que el objeto.
En la figura 34(b)., el objeto O se localiza en el centro de curvatura c. En ese caso, en el centro
de curvatura del espejo cncavo se forma una imagen que es real, invertida y del mismo tamao
que el objeto.
En la figura 34(c), el objeto O se localiza entre C y F. Al trazar los rayos correspondientes se
observa que la imagen se forma ms all del centro de curvatura. Dicha imagen es real, invertida
y mayor que el objeto.
Cuando el objeto se encuentra en el punto focal F, todos los rayos reflejados son paralelos
(vase la figura 34(d)). Por el hecho de que los rayos reflejados jams se intersectarn, por ms
que se prolonguen en cualquier direccin, no se formar ninguna imagen. (Algunas personas
prefieren decir que en este caso la distancia a la imagen es infinita.)
LUZ E ILUMINACIN - 31
Cuando el objeto se localiza entre el punto focal F y el vrtice, como se muestra en la figura
34(e), parece que la imagen est detrs del espejo. Esto se puede apreciar si se prolongan los
rayos reflejados hasta un punto situado atrs del espejo. Por lo tanto, la imagen es virtual.
Observe tambin que la imagen es mayor que el objeto y que no est invertida, sino en posicin
normal. En este caso, el aumento de la imagen es el mismo principio que se aplica en los espejos
para afeitarse y en otros donde se forman imgenes virtuales amplificadas.
Por otra parte, todas las imgenes que se forman en espejos convexos tienen, las mismas
caractersticas. Como ya se mostr en la figura 33, se trata de imgenes virtuales, que estn en
posicin normal (no invertida) y tienen un tamao reducido. El resultado de esto es que ofrecen
un campo de visin ms amplio. Las ventajas de este efecto se han aprovechado en un gran
nmero de aplicaciones prcticas de los espejos convexos. Los espejos retrovisores para
automvil suelen ser convexos para ofrecer una capacidad visual mxima. En algunas tiendas se
instalan grandes espejos convexos en lugares estratgicos, porque ofrecen una visin panormica
muy til para detectar ladrones.


Figura 34. Imgenes formadas por un espejo convergente para las siguientes distancias del
objeto: (a) ms lejos que el centro de curvatura C, (b) en C, (c) entre C y la longitud focal F,
(d) en F, y (e) entre F y V.
LUZ E ILUMINACIN - 32
LA ECUACIN DEL ESPEJO

Ahora que ya tenemos una idea de las caractersticas de las imgenes y de cmo se forman,
ser conveniente desarrollar un procedimiento analtico de la formacin de imgenes. Considere
la reflexin de la luz de un objeto puntual O, como se ilustra en la figura 35 para un espejo
cncavo. El rayo OV es incidente a lo largo del eje del espejo y se refleja sobre s mismo. El rayo
OM se selecciona arbitrariamente y avanza hacia el espejo con un ngulo formado con el eje
del espejo. Este rayo es incidente a un ngulo i y se refleja con un ngulo igual r. Los rayos de
luz reflejados en M y en V cruzan al punto I, formando una imagen del objeto. Tanto la distancia
al objeto p como la distancia a la imagen q, se miden a partir del vrtice del espejo y se indican
en la figura. La imagen en I es una imagen real, puesto que se forma por medio de rayos
luminosos verdaderos que pasan a travs de l.

Figura 35. En un espejo convergente se forma una imagen puntual a partir de un objeto
puntual.

Consideremos ahora la imagen formada por un objeto ms extenso OA, como se muestra en la
figura 25-15. La imagen del punto O se encuentra en I, como antes. Trazando los rayos a partir de
la punta de la flecha, somos capaces de dibujar la imagen de A a E. El rayo AM pasa a travs del
centro de curvatura y se refleja de regreso sobre s mismo. Un rayo AV que incide en el vrtice
del espejo forma los ngulos iguales i y r. Los rayos VE y AM cruzan en E, formando una
imagen de la punta de la flecha en ese punto. El resto de la imagen IR se puede construir trazando
rayos similares para los puntos correspondientes en el objeto OA. Observe que la imagen es real e
invertida.
Las siguientes cantidades se identifican en la figura 36:

Distancia al objeto = OV = p
Distancia a la imagen = N = q
Radio de curvatura = CV = R
Tamao del objeto = OA = y
Tamao de la imagen = IR = y'

LUZ E ILUMINACIN - 33

Figura 36. Deduccin de la ecuacin del espejo.

Ahora intentemos relacionar estas cantidades. A partir de la figura, se observa que los ngulos
OCA y VCM son iguales. Representando a este ngulo por a, podemos escribir:
q R
y
R p
y
tan

=
'


de donde

R p
q R
y
y

'


El tamao de la imagen y' es negativo porque est invertido en la figura. En forma similar, los
ngulosi y r, en la figura son iguales, de modo que:

tan i = tan r
q
y
p
y
'

=

Combinando las ecuaciones anteriores tenemos:

R p
q R
p
q
y
y

= =

'


Reordenando los trminos, obtenemos esta importante relacin:

R q p
2 1 1
= +

Esta relacin se conoce como ecuaci6n del espejo. A menudo se escribe en trminos de la
longitud focal f del espejo, en lugar de hacerlo respecto al radio de curvatura. Recordando que f =
R/2, podemos reescribir la ecuacin anterior como:
f q p
1 1 1
= +
LUZ E ILUMINACIN - 34

Se puede hacer una deduccin similar en el caso de un espejo convexo, y aplicamos la misma
ecuacin, siempre que se adopte la convencin de signos apropiada. Las distancias al objeto ya la
imagen p y q, deben considerarse positivas para objetos reales y negativas para objetos e
imgenes virtuales. El radio de curvatura R y la longitud focal f deben considerarse positivos para
espejos convergentes (cncavos) y negativos para espejos divergentes (convexos).

EJEMPLO 8. (a). Cul es la longitud focal de un espejo convergente cuyo radio de curvatura es
de 20 cm?. (b). Cul es la naturaleza y la colocacin de una imagen formada por el espejo si un
objeto se encuentra a 15 cm del vrtice del espejo?.

Solucin.
La longitud focal es de la mitad del radio de curvatura y el radio es positivo para un espejo
convergente.
cm
cm R
f 10
2
20
2
+ =
+
= =

La ubicacin de la imagen se determina a partir de la ecuacin del espejo:
f q p
1 1 1
= +
Despejando q nos queda:
f p
pf
q

=
de donde:

( )( )
cm
cm cm
cm cm
q 30
10 15
10 15
+ =

=

Por consiguiente, la imagen es real y se localiza a 30 cm del espejo. Al trazar rayos en forma
similar a como se hizo en la figura 34(c), se demuestra que la imagen tambin ser invertida.
Casi siempre resulta ms sencillo resolver la ecuacin del espejo en forma explcita para la
cantidad desconocida, en lugar de sustituirla directamente. Le sern muy tiles las siguientes
expresiones en la resolucin de la mayor parte de los problemas referentes a espejos:

f q
qf
p

=
q p
pq
f
+
=
f p
pf
q

=

La convencin de signos se resume en la siguiente forma:

1. La distancia al objeto p es positiva para objetos reales y negativa para objetos virtuales.
2. La distancia a la imagen q es positiva para imgenes reales y negativa para imgenes
virtuales.
3. El radio de curvatura R y la longitud focal son positivos para espejos convegentes y
negativos para espejos divergentes.

LUZ E ILUMINACIN - 35
Esta convencin se aplica nicamente a los valores numricos sustituidos en las ecuaciones
anteriores. Las cantidades q, p y f deben conservar sus signos sin cambio alguno, hasta el
momento en que se realiza la sustitucin.

EJEMPLO 9. Determine la posicin de la imagen si un objeto est colocado a 4cm de un espejo
convexo cuya longitud focal es de 6 cm.

Solucin
En este caso, p = 4 cm y f = -6 cm. El signo menos es necesario porque un espejo convexo es
un espejo divergente.

( )( )
( )
cm
cm
cm
cm cm
cm cm
f p
pf
q 4 . 2
10
24
6 4
6 4
2
=

=


=

=

La distancia a la imagen es negativa, lo que indica que la imagen es virtual.

AMPLIFICACIN

Las imgenes formadas por los espejos esfricos pueden ser mayores, menores o iguales en
tamao que los objetos reflejados en ellos. La razn del tamao de la imagen al tamao del objeto
es la amplificacin M del espejo.

y
y
in Amplificac
'
=

El tamao se refiere a cualquier dimensin lineal, altura o ancho, Recurriendo a la ecuacin
R p
q R
p
q
y
y

= =

'


y a la figura 36, obtenemos la til relacin:
p
q
y
y
M

= =
'

donde q es la distancia a la imagen y p es la distancia al objeto. Una caracterstica muy
conveniente de la ecuacin anterior es que una imagen invertida siempre tendr un aumento o
amplificacin negativa, y una imagen en posicin normal (derecha) tendr siempre una
amplificacin positiva.

EJEMPLO 10. Una fuente de luz de 6 cm de altura se coloca a 60 cm de un espejo cncavo cuya
longitud focal es de 20 cm, Determine la ubicacin, la naturaleza y el tamao de la imagen.


Solucin:
Primero determinamos la distancia a la imagen q, en la siguiente forma:

LUZ E ILUMINACIN - 36
( )( )
cm
cm cm
cm cm
f p
pf
q 30
20 60
20 60
=

=

Puesto que q es positiva, la imagen es real. El tamao de la imagen se obtiene de la ecuacin
de relacin de tamao:

( )( )
cm
cm
cm cm
p
qy
y 3
60
6 30
'
= = =
El signo negativo indica que la imagen es invertida. Observe que la amplificacin es de 1/2.


EJEMPLO 11. A qu distancia de un espejo convexo se debe sostener un lpiz para que forme
una imagen de la mitad de tamao del lpiz? El radio del espejo es de 40 cm.

Solucin
La longitud focal del espejo es
cm
cm R
f 20
2
40
2
=

= =

El signo menos se debe al espejo divergente. Ese tipo de espejo siempre forma u imagen en
posicin normal (al derecho), de tamao reducido. (Vase la figura 33.) La amplificacin en este
caso es +1/2 . Por lo tanto,
2
1
+ =
p
q


De la ecuacin del espejo, q es tambin:
f p
pf
q

=

Combinando las dos ecuaciones para q, tenemos:

2
p
f p
pf
=



Dividiendo entre p queda:
2
1
=
q p
f


2f = -p + f

p = -f

p = -(-20 cm) = 20 cm

LUZ E ILUMINACIN - 37

O sea que, cuando un objeto se sostiene a una distancia igual a la longitud focal de un espejo
convexo, el tamao de la imagen es de la mitad del tamao del objeto.


ABERRACION ESFRICA

En la prctica, los espejos esfricos forman imgenes razonablemente ntidas siempre que sus
aberturas sean pequeas comparadas con sus longitudes focales. Cuando se usan espejos grandes,
sin embargo, algunos de los rayos que provienen de los objetos inciden cerca de los bordes
externos y son enfocados a diferentes puntos sobre el eje. Este defecto de enfoque, ilustrado en la
figura 37, se conoce como aberraci6n esfrica.

Figura 37. Aberracin esfrica.

Un espejo parablico no presenta este defecto. Tericamente, los rayos luminosos paralelos
que inciden en un reflector parablico se enfocarn hacia un solo punto sobre el eje del espejo.
(Vase la figura 38.) Una pequea fuente de luz ubicada en el punto focal de un reflector
parablico es el principio usado en muchos proyectores y faros buscadores. El haz emitido por un
dispositivo as es paralelo al eje del reflector.


Figura 38. Un reflector parablico enfoca toda la luz paralela incidente hacia el mismo
punto.
REFRACCION

OBJETIVOS Despus de completar el estudio de este tema podr usted:

LUZ E ILUMINACIN - 38
1. Definir el ndice de refraccin y expresar tres leyes que describen el comportamiento de la
luz refractada.
2. Aplicar la ley de Snell para resolver problemas que impliquen la transmisin de la luz en dos
o ms medios.
3. Determinar el cambio de velocidad o de longitud de onda de la luz cuando se mueve de un
medio a otro.
4. Explicar los conceptos de reflexin interna total y ngulo crtico, y utilizar estas ideas para
resolver problemas similares a los que aparecen en este tema.

La luz se propaga en lnea recta a velocidad constante en un medio uniforme. Si cambia el
medio, la velocidad cambiar tambin y la luz viajar en lnea recta a lo largo de una nueva
trayectoria. La desviacin de un rayo de luz cuando pasa oblicuamente de un medio a otro se
conoce como refraccin. El fundamento de la refraccin se ilustra en la figura 39 para el caso de
una onda de luz que se propaga del aire al agua. El ngulo i que se forma entre el haz incidente y
la normal a la superficie se conoce como ngulo de incidencia. Al ngulo r formado entre el haz
refractado y la normal se le llama ngulo de refraccin.

Figura 39. Refraccin de un frente de onda en la frontera entre dos medios.

La refraccin es la causante de la distorsin de algunos objetos. En la figura 40(a), la varilla
parece flexionarse en la superficie del agua, y el pez de la figura 40(b) parece estar ms cerca de
la superficie de lo que en realidad se encuentra. Estudiaremos las propiedades de los medios
refractivos y se desarrollarn las ecuaciones para predecir su efecto sobre los rayos luminosos
incidentes.
LUZ E ILUMINACIN - 39


Figura 40. La refraccin es la causante de la distorsin de estas imgenes. (a) La varilla
parece estar flexionada. (b) Este pez aparece ms cerca de la superficie de lo que est en
realidad.

NDICE DE REFRACCION

La velocidad de la luz dentro de una sustancia material generalmente es menor que la
velocidad en el espacio libre, donde es de 3 X 10
8
m/s. En el agua. la velocidad de la luz es casi
de 2.25 X 10
8
m/s, la cual es casi equivalente a las tres cuartas partes de su velocidad en el aire.
La luz viaja aproximadamente a dos tercios de esa velocidad en el vidrio, o sea a unos 2 X 10
8

m/s. La relacin de la velocidad de la luz c en el vaco entre la velocidad v de la luz en un medio
particular se llama ndice de refraccin n para ese material.

El ndice de refraccin n de un material particular es la razn de la velocidad de la luz en el
espacio libre con respecto a la velocidad de la luz a travs del material.

v
c
n =

El ndice de refraccin es una cantidad adimensional y generalmente es mayor que la unidad.
Para el agua, n= 1.33, y para el vidrio, n= 1.5. La tabla siguiente, muestra los ndices de
refraccin de diversas sustancias de uso comn. Observe que los valores all sealados se aplican
al caso de una luz amarilla de 589 nm de longitud de onda. La velocidad de la luz en sustancias
materiales es diferente para longitudes de onda diferentes. Este efecto, conocido como dispersin.
Cuando la longitud de onda de la luz no se especifica, se suele, suponer que el ndice corresponde
al que tendra una luz amarilla.







LUZ E ILUMINACIN - 40
TABLA 1 ndice de refraccin de la luz amarilla, con longitud de onda de 589 nm.
EJEMPLO 12. Calcule la velocidad de la luz amarilla en un diamante cuyo ndice de refraccin
es de 2.42.
solucin Despejando v en la ecuacin anterior nos da:

s m x
s m x
n
c
v
8
8
10 24 . 1
42 . 2
10 3
= = =

Se trata de un ndice de refraccin excepcionalmente grande que constituye una de las pruebas
ms convincentes para identificar diamantes.

LAS LEYES DE REFRACCION

Desde la antigedad se conocen y se aplican dos leyes bsicas de refraccin. Estas leyes se
enuncian como sigue (consulte la figura 41):

El rayo incidente, el rayo retractado y la normal a la superficie se encuentran en el
mismo plano.
La trayectoria de un rayo retractado en la entrecara entre dos medios es exactamente
reversible.

Figura 41. (a) El rayo incidente, el rayo reflejado y la normal a la superficie estn en el
mismo plano. (b) Los rayos refractados son reversibles.
LUZ E ILUMINACIN - 41

Estas dos leyes se demuestran fcilmente mediante la observacin y la experimentacin. Sin
embargo, desde el punto de vista prctico, es mucho ms importante entender y predecir el grado
de flexin que ocurre.
Para entender cmo un cambio de velocidad de la luz puede alterar la trayectoria de sta a
travs de un medio, consideremos la analoga mecnica que se muestra en la figura 42. En la
figura 42(a) la luz que incide sobre una lmina de vidrio primero sufre una desviacin hacia la
normal mientras pasa a travs del medio ms denso, y luego se desva alejndose de la normal al
retornar al aire. En la figura 42(b) la accin de las ruedas que encuentran a su paso una franja de
arena se asemeja al comportamiento de la luz. Al aproximarse a la arena, una de las ruedas la toca
primero y disminuye su velocidad. La otra rueda contina ala misma velocidad, provocando que
el eje forme un nuevo ngulo. Cuando ambas ruedas estn en la arena, de nuevo se mueven en
lnea recta con velocidad uniforme. La primera rueda que entra en la arena es tambin la primera
en salir de ella, y aumenta su velocidad al dejar la franja de arena. Por lo tanto, el eje regresa a su
direccin original. La trayectoria del eje es anloga a la trayectoria de un frente de onda.

Figura 42. (a) Desplazamiento lateral de la luz al pasar por vidrio. (b) Una analoga
mecnica.

El cambio en la direccin de la luz al entrar en otro medio se puede analizar con la ayuda de
un diagrama de frente de onda como el de la figura 43. Una onda plana en un medio de ndice de
refraccin n
1
. choca con la superficie plana de un medio cuyo ndice de refraccin es n
2
. El
ngulo de incidencia se designa como
1
y el ngulo de refraccin se representa con
2
. En la
figura se supone que el segundo medio tiene una densidad ptica mayor que el primero (n
2
> n
1
).
Un ejemplo de esto se presenta cuando la luz pasa del aire (n
1
= 1) al agua (n
2
= 1.33). La lnea
AB representa el frente de onda en un tiempo t = 0 justamente cuando entra en contacto con el
medio 2. La lnea CD representa el mismo frente de onda despus del tiempo t requerido para
entrar totalmente al segundo medio. La luz se desplaza de B a D en el medio 1 en el mismo
tiempo t requerido para que la luz viaje de A a C en el medio 2. Suponiendo que la velocidad v
2

en el segundo medio es menor que la velocidad v
1
en el primer medio, la distancia AC ser menor
que la distancia BD. Estas longitudes estn dadas por:

AC = v
2
t BD = v
1
t
LUZ E ILUMINACIN - 42


Figura 43. Deduccin de la ley de Snell.

Se puede demostrar por geometra que el ngulo BAV es igual a
1
y que el ngulo AVC es
igual a
2
, como se indica en la figura 43. La lnea AD forma una hipotenusa que es comn a los
dos tringulos AVB y AVC. Partiendo de la figura tenemos:

AD
t v
1
1
sen =
AD
t v
2
2
= sen


Dividiendo la primera ecuacin entre la segunda obtenemos:

2
1
2
1
sen
sen
v
v
=



La razn del seno del ngulo de incidencia con respecto al seno del ngulo de refraccin es igual
a la razn de la velocidad de la luz en el medio incidente con respecto a la velocidad de la luz en
el medio de refraccin.

Esta regla fue descubierta por el astrnomo dans Willebrord Snell en el siglo XVII, y se
llama en su honor ley de Snell. Una forma alternativa para esta ley puede obtenerse expresando
las velocidades v
1
y v
2
en trminos de los ndices de refraccin de los dos medios. Recuerde que:

1
1
n
c
v = y
2
2
n
c
= v

LUZ E ILUMINACIN - 43
Utilizando estas ecuaciones en la ecuacin de la ley de snell, tenemos:

n
1
sen
1
= n
2
sen
2

Puesto que el seno de un ngulo aumenta al aumentar el ngulo, vemos que un incremento en
el ndice de refraccin provoca una disminucin en el ngulo y viceversa.

EJEMPLO 13. La luz pasa del agua al aire con un ngulo de incidencia de 35. Cul ser el
ngulo de refraccin si el ndice de refraccin del agua es de 1.33?

Solucin
El ngulo
a
se puede determinar por la ley de Snell.

N
w
sen
w
= n
a
sen
a

1.33 sen 35 = 1.0 sen
a

sen
a
= 1.33 sen 35 = 0.763

a
= 49.7

El ndice de refraccin decreci de 1.33 a 1.0 y por lo tanto el ngulo aumento.

EJEMPLO 14. Un rayo de luz en el agua (nw = 1.33) incide sobre una lmina de vidrio (ng = 1.5)
a un ngulo de 40. Cul es el ngulo de refraccin en el vidrio? Consulte la figura 44.
Figura 44.
solucin
Aplicando la ley de Snell a la entrecara, obtenemos:

nw sen
w
= n
g
sen
g

1,33 sen 40 = 1.5 sen
g

sen
g
= 40 sen
5 . 1
33 . 1
= 0.57

g
= 34.7

Esta vez n aument, as que disminuy.
LUZ E ILUMINACIN - 44

LONGITUD DE ONDA Y REFRACCION

Hemos visto que la luz disminuye su velocidad cuando pasa a un medio de mayor densidad
ptica. Qu le pasa a la longitud de onda de la luz cuando entra a un nuevo medio? En la figura
45 la luz viaja en el aire a una velocidad c y se encuentra con un medio a travs del cual se
propaga a una menor velocidad v
m
. Cuando regresa al aire, de nuevo viaja a la velocidad c de la
luz en el aire. Esto no viola la conservacin de la energa porque la energa de una onda luminosa
es proporcional a su frecuencia. La frecuencia f es la misma dentro del medio que fuera de l.
Para que se percate de que esto es cierto, considere que la frecuencia es el nmero de ondas que
pasan por cualquier punto en la unidad de tiempo. El mismo nmero de ondas que sale de un
medio en un segundo es el que entra al medio en un segundo.
Figura 45. La longitud de onda de la luz se reduce cuando sta entra en un medio de mayor
densidad ptica.

Es decir, la frecuencia dentro del medio no cambia. La velocidad se relaciona con la
frecuencia y la longitud de onda mediante:

c = f
a
y v
m
= f
m


donde c y v m son las velocidades en el aire y dentro del medio y
a
y
m
son las longitudes de
onda respectivas. Puesto que la velocidad disminuye dentro del medio, la longitud de onda dentro
del medio debe disminuir proporcionalmente para que la frecuencia permanezca constante.
Dividiendo la primera ecuacin entre la segunda queda:

m
a
m
a
m
f
f
v
c

= =

Si se sustituyen v
m
= c/n
m
, obtenemos:
m
a
m
n

=
LUZ E ILUMINACIN - 45

Por lo tanto, la longitud de onda
m
dentro del medio se reduce a:

m
a
m
n

=

donde n
m
es el ndice de refraccin del medio y
a
es la longitud de onda de la luz en el aire.



EJEMPLO 15. Una luz roja monocromtica, con una longitud de onda de 640 nm, pasa del aire a
una placa de vidrio cuyo ndice de refraccin es de 1.5. Cul ser la longitud de onda de la luz
dentro de este medio?

Solucin
m
a
m
n

= nm
nm
427
5 . 1
640
= =

Como un resumen de las relaciones estudiadas hasta aqu, podemos escribir:

2
1
1
2
2
1
2
1
sen
sen

= = =
n
n
v
v


en la que los subndices 1 y 2 se refieren a los diferentes medios. De ese modo se aprecia la
relacin entre todas las cantidades importantes afectadas por la refraccin.


DISPERSION

Ya hemos mencionado que la velocidad de la luz en diferentes sustancias vara segn las
longitudes de onda. Definimos el ndice de refraccin como la razn de la velocidad c en el
espacio libre a la velocidad dentro del medio.

m
v
c
n =

Los valores que se presentan en la tabla 1 son vlidos slo en el caso de la luz monocromtica
amarilla (589 nm). La luz con una longitud de onda diferente, como la luz azul o la luz roja, dara
como resultado un ndice de refraccin ligeramente diferente. La luz roja viaja con mayor
rapidez, dentro de un medio especfico, que la luz azul. Esto se puede demostrar haciendo pasar
luz blanca a travs de un prisma de cristal, como en la figura 46. Debido a las diferentes
velocidades dentro del medio, el haz se dispersa en sus colores componentes.

Dispersin es la separacin de la luz en las longitudes de onda que la componen.

LUZ E ILUMINACIN - 46
.De un experimento as, podemos concluir que la luz blanca es en realidad una mezcla de luz,
compuesta de varios colores. La proyeccin de un haz disperso se conoce como espectro.





Figura 46. Dispersin de la luz por medio de un prisma.

REFRACCION INTERNA TOTAL

Puede presentarse un fenmeno fascinante, conocido como refraccin interna total, cuando la
luz pasa en forma oblicua de un medio a otro de menor densidad ptica. Para entender este
fenmeno, consideremos una fuente de luz sumergida en un medio 1, como se ilustra en la figura
47. Observe los cuatro rayos A, E, C y D, que divergen de la fuente sumergida. El rayo A pasa al
medio 2 en direccin normal a la entrecara. El ngulo de incidencia y el ngulo de refraccin
valen cero en este caso especial. El rayo E incide con un ngulo
1
y se refracta alejndose de la
normal con un ngulo
2
. El ngulo
2
es mayor que
1
porque el ndice de refraccin para el
medio 1 es mayor que para el medio 2 (n
1
> n
2
). Cuando el ngulo de incidencia
1
aumenta, el
ngulo de refraccin
2
aumenta tambin hasta que el rayo refractado C emerge en forma
tangencial a la superficie. El ngulo de incidencia
c
en el cual ocurre esto se conoce como
ngulo crtico.

El ngulo crtico
c
es e1ngulo de incidencia lmite en un medio mas denso, que da por
resultado un ngulo de refracci6n de 90.

Un rayo que se aproxime a la superficie con un ngulo mayor que el ngulo crtico es reflejado de
nuevo al interior del medio 1. El rayo D en la figura 47 no pasa al medio de arriba, sino que en la
entrecara se refleja internamente en forma total. Este tipo de reflexin obedece a las mismas
leyes que cualquier otro tipo de reflexin; esto significa que el ngulo de incidencia es igual al
ngulo de reflexin. La reflexin interna total puede ocurrir nicamente cuando la luz incidente
procede de un medio de mayor densidad (n
1
> n
2
).
LUZ E ILUMINACIN - 47


Figura 47. Angulo crtico de incidencia.

El ngulo crtico para dos medios determinados se pueden calcular a partir de la ley de Snell.

n
1
sen
c
= n
2
sen
2


donde
c
es el ngulo crtico y
2
= 90. Simplificando, escribimos:

n
1
sen
c
= n
2
(1)

o bien:

1
2
sen
n
n
c
=

Puesto que sen
c
nunca puede ser mayor que 1, n
1
debe ser mayor que n
2
.

EJEMPLO 16. Cul es el ngulo crtico para una superficie vidrio-aire si el ndice de refraccin
del vidrio es de 1.5?
.
Solucin
Sustituyendo en forma directa queda:

667 . 0
5 . 1
0 . 1
sen = = =
g
a
c
n
n

c
= arc sen 0.667 = 42

El hecho de que el ngulo crtico para el vidrio sea de 42 permite el empleo de prismas a 45
LUZ E ILUMINACIN - 48
en gran nmero de instrumentos pticos. Dos de esas aplicaciones se ilustran en la figura 48. En
la figura 48(a) se puede obtener una reflexin de 90 con poca prdida de intensidad. En la figura
48(b) a 180 se obtiene una desviacin. En los dos casos, la reflexin interna total ocurre debido
a que todos los ngulos de incidencia son de 45 y por lo tanto mayores que el ngulo crtico.

Figura 48. Los prismas de ngulo recto hacen uso del principio de reflexin interna total
para desviar la trayectoria de la luz.



























LUZ E ILUMINACIN - 49
LENTES

OBJETIVOS Despus de completar el estudio de este tema podr usted:

1. Calcular matemtica o experimentalmente la longitud focal de una lente y de- terminar
si es convergente o divergente.
2. Aplicar la ecuaci6n del fabricante de lentes para resolver parmetros desconocidos
relacionados con la construcci6n de lentes.
3. Usar tcnicas de trazado de rayos para construir imgenes formadas por lentes
divergentes y convergentes con diversas ubicaciones del objeto.
4. Predecir matemticamente o determinar en forma experimental la naturaleza, tamao y
ubicaci6n de las imgenes formadas por lentes convergentes y divergentes.


Una lente es un objeto transparente que altera la forma de un frente de ondas que pasa a travs
de l. Las lentes generalmente se construyen de vidrio y se les da forma de tal modo que la luz
refractada forme imgenes similares a las que ya hemos estudiado en el caso de los espejos.
Quien haya examinado objetos a travs de un vidrio de aumento, observado objetos distantes por
medio de un telescopio, o tenga experiencia en fotografa, tiene conocimientos sobre los efectos
que tienen las lentes sobre la luz. En este tema estudiaremos las imgenes formadas por medio de
lentes y estudiaremos sus aplicaciones.

LENTES SIMPLES

La forma ms sencilla de entender cmo funcionan las lentes consiste en considerar la
refraccin de la luz mediante prismas, como ilustra la figura 49. Cuando la ley de Snell se aplica
a cada superficie de un prisma, la luz se desva hacia la normal cuando entra a un prisma y se
aleja de ella cuando sale del prisma. El efecto, en cualquier caso, es provocar que el haz de luz se
desve hacia la base del prisma. Los rayos de luz permanecen paralelos debido a que tanto la
superficie de entrada como la de salida son planas y forman ngulos iguales con todos los rayos
que pasan por el prisma. Por lo tanto, un prisma simplemente altera la direccin de un frente de
onda.



Figura 49. Los rayos paralelos de luz se flexionan hacia la base del prisma y permanecen
paralelos.
LUZ E ILUMINACIN - 50
Suponga que colocamos dos prismas base con base, como muestra la figura 50(a). La luz
incidente que viene de la izquierda va a converger, pero no se reunir en un foco. Para enfocar los
rayos de luz en un punto, los rayos extremos deben ser desviados ms que los rayos centrales.
Esto se consigue tallando las superficies de modo que tengan una seccin transversal
uniformemente curvada, como indica la figura 50(b). Una lente que conduzca un haz de luz
paralelo aun foco puntual en la forma mencionada se llama lente convergente.

Una lente convergente es la que retracta y converge la luz paralela hacia un punto focal situado
ms all de la lente.
Figura 50. (a) Dos prismas colocados base contra base hacen convergir los rayos pero no los
conducen hacia un foco comn. (b) Una lente convergente puede construirse curvando
uniformemente las superficies.

Las superficies curvas de las lentes pueden tener cualquier forma regular, por ejemplo
esfrica, cilndrica o parablica. Puesto que las superficies esfricas son ms fciles de fabricar,
la mayora de las lentes se construyen con dos superficies esfricas. La lnea que une el centro de
las dos esferas se conoce como eje de las lentes. En la figura 51 se muestran tres ejemplos de
lentes convergentes: biconvexa, planoconvexa y de menisco convergente. Observe que las lentes
convergentes son ms gruesas en el centro que en los bordes.


Figura 51. Ejemplos de lentes convergentes: (a) biconvexa, (b) planoconvexa, y (c)
menisco convergente.
LUZ E ILUMINACIN - 51

Un segundo tipo de lente se puede construir fabricando los bordes ms gruesos que la parte
media, como muestra la figura 52. Los rayos de luz paralelos que pasan a travs de ese tipo de
lentes se desvan hacia la parte gruesa, provocando que el haz se vuelva divergente. La
proyeccin de los rayos de luz refractados muestra que la luz parece provenir de un punto focal
virtual ubicado frente a la lente.

Una lente divergente es la que retracta y diverge luz paralela a partir de un punto situado frente
a la lente.


Figura 52. Una lente divergente refracta la luz de tal manera, que sta parece provenir de
un punto situado enfrente de ella.

Ejemplos de lentes divergentes son: bicncava, planocncava y de menisco divergente. Vea la
figura 53.



Figura 53. Ejemplos de lentes divergentes: (a) bicncava, (b) planocncava, y (c) menisco
divergente.

LUZ E ILUMINACIN - 52


LONGITUD FOCAL Y LA ECUACIN DEL FABRICANTE DE LENTES

Una lente se considera "delgada" si su espesor es pequeo comparado con sus otras
dimensiones. Al igual que en el caso de los espejos, la formacin de imgenes por lentes delgadas
es una funcin de la longitud focal; sin embargo, hay diferencias importantes. Una diferencia
obvia es que la luz puede pasar a travs de una lente en dos direcciones. Esto da por resultado
dos puntos focales para cada lente, como se muestra en la figura 54 para una lente convergente, y
en la figura 55 para una lente divergente. La primera tiene un foco real F, y la ltima .tiene un
foco virtual F'. La distancia entre el centro ptico de una lente y el foco en cualquier lado de la
lente es la longitud focal f.

La longitud focal f de una lente es la distancia del centro ptico de la lente a
cualquiera de sus focos.

Puesto que los rayos de luz son reversibles, una fuente de luz que se coloque en cualquier foco
de la lente convergente da por resultado un haz de luz paralelo. Esto puede verse si se invierte la
direccin de los rayos ilustrados en la figura 54.
Figura 54. Demostracin de la longitud focal de una lente convergente. El punto focal es
real debido a que pasan por l los rayos de luz reales.


Figura 55. Demostracin de los puntos focales virtuales de una lente divergente.

LUZ E ILUMINACIN - 53
La longitud focal f de una lente no es igual a la mitad del radio de curvatura, como en los
espejos esfricos, sino que depende del ndice de refraccin n del material con el que est
fabricada. Tambin est determinada por los radios de curvatura R
l
y R
2
de sus superficies. como
se define en la figura 56(a). Para lentes delgadas, estas cantidades se relacionan mediante la
ecuacin:

( )

+ =
2 1
1 1
1
1
R R
n
f


Debido a que la ecuacin anterior implica la construccin de parmetros para una lente, se
conoce como ecuacin del fabricante de lentes. Se aplica por igual para lentes convergentes y
divergentes siempre que se siga la siguiente convencin de signos:

1. El radio de curvatura (ya sea R
1
o R
2
) se considera positivo si la superficie es curva hacia
afuera (convexa) y negativa si la superficie es curva hacia adentro (cncava).

2. La longitud focal de una lente convergente se considera positiva, y la longitud focal de
una lente divergente se considera negativa.


Figura 56. (a) El punto focal de una lente est determinado por los radios de sus superficies
y por el ndice de refraccin. (b) Convencin de signos para el radio de la superficie de una
lente.

EJEMPLO 17. Un fabricante de lentes planea construir una lente planocncava de vidrio con un
ndice de refraccin de 1.5. Cul debera ser el radio de su superficie curva si la longitud focal
deseada es -30 cm?

Solucin
El radio de curvatura R
1
para una superficie plana es infinito. El radio R
2
de la superficie cncava
se determina a partir de la ecuacin del fabricante de lentes.

LUZ E ILUMINACIN - 54
( ) ( )

=
2 2
1
1
1 1
1
1
R
n
R
n
f


R
2
= f (n-1) = (1.5 1.0) (-30 cm) = -15 cm

Por convencin. el signo menos indica que la superficie curva es cncava.

EJEMPLO 18. Una lente menisco tiene una superficie convexa cuyo radio de curvatura es de 10
cm y cuya superficie cncava tiene un radio de -15 cm. Si la lente se construye en vidrio con un
ndice de refraccin de 1.52, cul ser su longitud focal?


Solucin:
Sustituyendo en la ecuacin del fabricante de lentes queda:


( )

+ =
2 1
1 1
1
1
R R
n
f


( )

+ =
cm cm f 15
1
10
1
0 . 1 52 . 1
1

cm cm 30
52 . 0
30
2 3
52 . 0 =


=

cm
cm
f 7 . 57
52 . 0
30
= =


El hecho de que una longitud focal sea positiva indica que se trata de una lente menisco
convergente.

FORMACION DE IMGENES MEDIANTE LENTES DELGADAS

Para entender cmo se forman las imgenes por medio de lentes, hay que introducir ahora
mtodos de trazado de rayos similares a los que se estudiaron para los espejos esfricos. El
mtodo consiste en trazar dos o ms rayos a partir de un punto seleccionado sobre el objeto y
utilizar el punto de interseccin como la imagen de ese punto. Puede considerarse que la
desviacin completa de un rayo que pasa a travs de una lente delgada se lleva a cabo en un plano
a travs del centro de la lente. Anteriormente se hizo notar que una lente tiene dos puntos focales.
Definimos el primer punto focal F
1
como el que se localiza del mismo lado de la lente donde
incide la luz. El segundo punto focal F
2
se localiza en el lado opuesto o ms distante de la lente.
Con estas definiciones en mente, hay tres rayos principales que se pueden trazar fcilmente a
travs de la lente. Estos rayos se ilustran en la figura 57 para una lente convergente y en la figura
58 pata una lente divergente:


LUZ E ILUMINACIN - 55
Rayo 1 Es un rayo paralelo al eje que pasa a travs del segundo punto focal F 2 de una lente
convergente o que parece provenir del primer punto focal F
1
de una lente divergente.


Rayo 2 Un rayo que pasa a travs del primer punto focal F I de una lente convergente o avanza
hacia el segundo punto focal F z de una lente divergente se retracta paralelamente al eje de la
lente.


Rayo 3 Un rayo que pasa a travs del centro geomtrico de una lente no se desva.


Figura 57. Rayos principales para construir la imagen formada por una lente convergente.


Figura 58. Rayos principales para construir la imagen formada por una lente divergente.

La interseccin de cualquiera de estos rayos (o sus extensiones) que provienen de un objeto
puntual, representa la imagen de ese punto. Puesto que una imagen real producida por una lente
se forma mediante rayos de luz que en realidad pasan a travs de la lente, una imagen real
siempre se forma del lado de la lente opuesto al objeto. Una imagen virtual aparecer del mismo
lado de la lente donde se encuentra el objeto.
Para ilustrar el mtodo grfico y, al mismo tiempo, entender la formacin de diversas
LUZ E ILUMINACIN - 56
imgenes mediante lentes, consideraremos algunos ejemplos. Las imgenes formadas por una
lente convergente se aprecian en la figura 60 para las siguientes posiciones del objeto:

(a) Objeto localizado a una distancia de ms del doble de la longitud focal. Se forma una
imagen real, invertida y menor entre F
2
y 2F
2
en el lado opuesto de la lente.

(b) El objeto est a una distancia igual al doble de la longitud focal. Una imagen real,
invertida, del mismo tamao se ubica en 2F
2
en el lado opuesto de la lente.

(c) El objeto se localiza a una distancia entre una y dos longitudes focales de la lente. Se
forma una imagen real, invertida y mayor, ms all de 2F
2
del lado. opuesto de la lente.

(d) El objeto est en el primer punto focal F
1
. No se forma imagen. Los rayos refractados
son paralelos.

(e) El objeto se encuentra dentro del primer punto focal. Se forma una imagen virtual,
erecta (derecha) y mayor, del mismo lado de la lente donde se encuentra el objeto.

Observe que las imgenes formadas por una lente convexa son similares a las que se forman
mediante espejos cncavos. Esto se debe a que ambos hacen converger la luz. Puesto que las
lentes cncavas divergen la luz, es de esperarse que formen imgenes similares a las que forman
los espejos divergentes (espejo convexo). La figura 59 demuestra esta similitud.

Las imgenes de objetos reales formadas mediante lentes divergentes siempre
son virtuales, derechas y de menor tamao.



Figura 59. Las imgenes que se forman mediante lentes divergentes siempre son virtuales,
erectas y de menor tamao.

Para evitar confusiones, es conveniente identificar las lentes y los espejos como convergentes o
divergentes. Las lentes divergentes con frecuencia se emplean para neutralizar el efecto de las
lentes convergentes.
LUZ E ILUMINACIN - 57


Figura 60. Construccin de la imagen para las siguientes distancias del objeto: (a) ms all
de 2 F
1
, (b) en 2 F
1
, (c) entre 2 F
1
y F
1
, (d) en F
1
y (e) dentro de F
1
.





LUZ E ILUMINACIN - 58
LA ECUACIN DE LAS LENTES Y EL AUMENTO

Las caractersticas, el tamao y la localizacin de las imgenes pueden tambin determinarse
analticamente a partir de la ecuacin de las lentes. Esta importante relacin se puede deducir
aplicando la geometra plana a la figura 61. La deduccin es similar a la que se hizo para obtener
la ecuacin del espejo, y la forma final es exactamente igual. La ecuacin de las lentes puede
escribirse:

f q p
1 1 1
= +

donde p = distancia al objeto
q = distancia a la imagen
f = distancia focal de la lente

Las mismas convenciones de signos establecidas para los espejos se pueden usar en la
ecuacin de las lentes si tanto las convergentes como las divergentes se comparan con los espejos
convergentes y divergentes. Esta convencin se resumen en la siguiente forma:

1. La distancia al objeto p y la distancia a la imagen q se consideran positivas para objetos e
imgenes reales y negativas para objetos e imgenes virtuales.

2. La longitud focal f se considera positiva para lentes convergentes y negativa para lentes
divergentes.


Las siguientes formas alternativas de la ecuacin de las lentes resultan tiles para .resolver
problemas de ptica

f q
fq
p

=
f p
fp

= q
p q
qp
f
+
=

Es conveniente que verifique cada una de estas expresiones resolviendo la ecuacin de las
lentes explcitamente para cada parmetro que aparece en la ecuacin.
El aumento de una lente tambin se deduce de la figura 61 y tiene la misma forma estudiada
para los espejos. Hay que recordar que el aumento (amplificacin) M se define como la razn del
tamao de la imagen y con respecto al tamao del objeto y, por lo que:

p
q
y
y
M = =
'


donde q es la distancia a la imagen y p es la distancia al objeto.

Un aumento positivo indica que la imagen es derecha, mientras que un aumento negativo ocurre
slo cuando la imagen es invertida.

LUZ E ILUMINACIN - 59


Figura 61. Deduccin de la ecuacin de las lentes y el aumento.

EJEMPLO 19. Un objeto de 4 cm de altura se localiza a 10 cm de una lente convergente delgada
que tiene una longitud focal de 20 cm. Cul es la naturaleza, tamao y ubicacin de la imagen?

Solucin:
La situacin corresponde ala que se ilustra en la figura 59(e). La distancia a la imagen se
encuentra a partir de:

( )( )
cm
cm
cm
cm cm
cm cm
f p
pf
q 20
10
200
20 10
20 10
2
=

=

El signo menos indica que la imagen es virtual. La relacin de aumento nos permite calcular el
tamao de la imagen:

( )( )
cm
cm
cm cm
p
qy
y 8
10
4 20
'
+ =

=

=

El signo positivo indica que la imagen es derecha. Este ejemplo ilustra el principio de una lente
de aumento. Una lente convergente que se sostiene ms cerca de un objeto que su punto focal,
produce una imagen virtual, derecha y ampliada.

EJEMPLO 20. Una lente menisco divergente tiene una longitud focal de -16 cm. Si la lente se
sostiene a 10 cm del objeto, dnde se localiza la imagen? Cul es el aumento de la lente?

Solucin
Por sustitucin directa:

( )( )
( )
cm
cm cm
cm cm
f p
pf
q 15 . 6
26
160
16 10
16 10
=

=


=

=

El signo menos de nuevo indica que la imagen es virtual. El aumento es:

LUZ E ILUMINACIN - 60
( )
615 . 0
10
15 . 6
+ =

= =
cm
cm
p
q
M

El aumento positivo significa que la imagen es derecha.

COMBINACIONES DE LENTES

Cundo la luz pasa por dos o ms lentes, puede determinarse la accin combina- da si se
considera la imagen formada por la primera lente como el objeto de la segunda, y as
sucesivamente. Considere. por ejemplo, el arreglo de lentes de la figura 62. La lente 1 forma una
imagen real e invertida I
1
del objeto O. Considerando esta imagen intermedia como un objeto real
para la lente 2, la imagen final I
2
se ve como real, derecha y ampliada. La ecuacin de las lentes
se puede aplicar sucesivamente a estas dos lentes para determinar analticamente la posicin de la
imagen final. El aumento total producido por un sistema de lentes es el producto del aumento
causado por cada lente del sistema. La clave de esto puede apreciarse en la figura 62. Los
aumentos en este caso son:

1
1
'
1
y
y
M =
2
2
'
2
y
y
M =

Puesto que y

1
= y
2
, el producto M
1
M
2
nos lleva a:

1
2
'
2
2
'
1
1
'
y
y
y
y
y
y
=

Entre las aplicaciones de los principios mencionados estn el microscopio, el telescopio y
otros instrumentos pticos.

Figura 62. El microscopio.

LUZ E ILUMINACIN - 61
TRANSDUCTORES OPTOELECTRONICOS


Hay dos aspectos relacionados con la luz que se utilizan, juntos o separados, para explicar
muchos fenmenos relacionados con ella. Fenmenos pticos, tales como la interferencia y la
difraccin, se explican con la teora ondulatoria, en forma similar que con las ondas de radio. Sin
embargo, la mayora de los fenmenos estudiados en este tema se explican mejor con la teora
cuntica, donde se considera la luz como partcula. De acuerdo con esta teora, la luz consiste en
cuantos discretos o paquetes llamados fotones. Estos son partculas sin carga, cada una de las
cuales tiene una energa que depende slo de su frecuencia o longitud de onda, dada por:

c
h hf E = =
siendo:

E = energa en eV.
h = constante de Planck, 4.137 X 10
-13
(eV)(s).
f = frecuencia, en Hz.
c = velocidad de la luz, 3X10
8
m/s.
= longitud de onda, en m
2
.

Se observar en la Ecuacin anterior que cuando la longitud de onda de la luz decrece, su
energa aumenta. Este fenmeno se observa en el espectro electromagntico. La energa exacta,
asociada con una longitud de onda determinada de luz, puede calcularse usando la ecuacin:

( )
( ) nm
eV E

240 , 1
=

Las unidades de longitud de onda, generalmente se expresan en nanometros (nm) (10
-9
m),
angstroms ()(10
-8
m).
La emisin de fotones procedentes de los tomos, obedece tambin a las ecuaciones anteriores, es
decir, cuando un electrn cae de un nivel alto de energa a otro inferior, se emite un fotn cuya
energa es igual a la diferencia de energa de los dos niveles. En la Figura 1 se muestran las lneas
caractersticas de emisin en tales transiciones, para varios elementos.
Los fotones tambin son absorbidos en una variedad de materiales. Si la energa de un fotn
entrante es superior al intervalo de energa inherente del material, los electrones de valencia del
material pueden ser excitados a la banda de conduccin, con lo cual se crean electrones y huecos
libres, portadores de corriente. Este proceso es el funcionamiento bsico de los fotodetectores. La
Tabla 1 muestra el intervalo tpico de energa para varios materiales, entre los usados para la
fabricacin de fotodetectores.
Tambin es conveniente hacer referencia a la absorcin de fotones en distintos materiales
fotoconductores. La absorcin de fotones se refiere mas bien a su atenuacin que al proceso de
conversin en otra forma de energa. Cuando un fotn que viaja a la velocidad de la luz choca
con un tomo, se aniquila y toda su energa se transfiere al tomo. Por tanto, un simple fotn, no
importa con cunta energa, no puede crear ms que un par electrn-hueco. Sin embargo, si el par
es de una energa adecuada, puede crear ms portadores por colisin con otros tomos.
FOTODISPOSITIVOS- 1






Tabla 1. Intervalo de energa ptica para
Varios materiales fotodetectores.

























Figura 1. espectro de emisin atmica de
Los elementos.



Alguna energa de un fotn puede transformarse en calor, pero es ms importante considerar
el caso en que el fotn con una energa adecuada es absorbido en la estructura de un fotodetector
y libera un electrn de valencia, completando as la conversin de energa radiante en energa
elctrica. El coeficiente de absorcin se define como la medida del promedio de disminucin de
la intensidad del haz de fotones, al pasar por una determinada sustancia. La Figura 2 muestra un
grfico del coeficiente de absorcin para el silicio. Para explicar las unidades del coeficiente de
absorcin se hace referencia a la frmula de la intensidad de atenuacin y a un simple ejemplo.
La intensidad final de un haz de luz que atraviesa un medio es:

I = I
o
e
-ax




FOTODISPOSITIVOS- 2
siendo,
I = intensidad a una distancia x de la superficie (o de otro punto de referencia).
I
o
= intensidad de la luz incidente.
a = coeficiente de absorcin, cm
-1
.
x = distancia recorrida en el material, cm.

Figura 2. Coeficiente de absorcin del silicio.

La transmisin es I/I
o
.

Con relacin a la Fig. 2 se observa que a una longitud de onda de 370 nm, el coeficiente de
absorcin del Si es 10
5
cm
-1
. Una de las formas ms simples de emplear la ecuacin anterior es
tener en cuenta que cuando ax = 1, e
-ax
= e
-1
= 0,37 I = 0,37 Io. Es decir, el haz incidente se
reduce a 37 % de su valor, cuando ax = 1. En este ejemplo, ax ser 1, cuando x = 10
-3
cm, es
decir, -(a) (x) = -(10
+5
cm
-1
)(10
-5
cm) = -1 cm, 10
-5
cm = 100 nm, con lo cual se ve que los
fotones de una radiacin ultravioleta, que son aproximadamente de una longitud de onda de 370
nm, se reducen al 37 % de su intensidad original, slo a 100 nm, que es muy cerca de la
superficie del silicio.
Para resumir, la Fig. 2 muestra cmo la absorcin de un fotn aumenta rpidamente al
aproximarse al ultravioleta, y sta es la razn por la que la respuesta de los fotodetectores cae en
la banda ultravioleta. Pero, simplemente invirtiendo el signo del coeficiente de absorcin, puede
usarse para medir directamente la profundidad para la cual la intensidad original se reduce a 37
%; un coeficiente de absorcin de l0
3
cm
-1
, en la Fig. 6-3 corresponde a 63 % de absorcin (100 -
37, en tanto por ciento de transmisin) a una profundidad de 10
-3
cm.
FOTODISPOSITIVOS- 3
La medida de la emisin de luz, de la absorcin, o de la reflexin se emplea frecuentemente
para determinar la composicin y/o la densidad de una sustancia desconocida. Como ejemplo de
utilidad de los estudios de emisin, la composicin de un gas desconocido puede deducirse
calentando una muestra hasta que, emita luz, y registrando las distintas longitudes de onda
emitidas con una instrumentacin ptica adecuada. Por medio de unas tablas de emisin y
absorcin puede determinarse la composicin de la muestra. En los estudios de absorcin o
reflexin, el haz luminoso se sita d forma que pueda pasar a travs del medio y se registra el
promedio de luz que se transmite o que se refleja. Esta tcnica emplea para medir la
concentracin y el tamao de partculas extraas en los sistemas de acondicionamiento de aire,
para eliminar frutos en mal estado, y en la elaboracin de granos y alimentos; en un oxmetro
mdico se puede medir el promedio de oxgeno en la sangre. A menudo se observa
alternativamente una fuente de luz estndar antes y despus de pasar por el medio que se analiza,
proporcionando electrnicamente una salida igual a la diferencia entre las dos seales.


CLASIFICACION DE LOS TRANSDUCTORES OPTOELECTRONICOS

FOTODETECTORES

1. FOTORESISTENCIA (FOTOCONDUCTOR DE UNA PIEZA).
2. FOTODIODOS.
+. FOTODIODO pn.
+. FOTODIODO pin.
+. FOTODIODO DE AVALANCHA.
3. FOTOTRANSISTOR.
4. FOTOFET.
5. FOTOTIRISTOR (LASCR).
6. FOTOCELDA.

FUENTES LUMINOSAS

1. LAMPARAS
2. LED
3. Ir LED
4. DIODO LASER
5. DISPLAYS


FOTODETECTORES

PARAMETROS BASICOS DEL FOTODETECTOR

El fotodetector o transductor es el corazn de casi todos los sistemas optoelectrnicos, por lo
tanto, la seleccin del mejor detector, en una aplicacin determinada, es de suma importancia.
Esto no quiere decir que no sea importante la fuente luminosa del sistema, pero a veces la fuente
es natural. Como el sol.
Los fotodetectores pueden dividirse en dos categoras.

FOTODISPOSITIVOS- 4
1. Detectores trmicos. En los que la radiacin es absorbida y transformada en calor, con lo
que el detector responde a un cambio de temperatura (energa).
2. Detectores cunticos, que responden directamente a los fotones incidentes. Este grupo se
divide en los siguientes subgrupos:

a. Fotoemisivo, cuando los fotones incidentes liberan electrones de la superficie del
detector. Este fenmeno generalmente ocurre en el vaco, en un fotodiodo de vaco
o fototubo multiplicador.
b. Fotoconductivo, en que la conductividad del fotosensor vara con la luz incidente.
1. Fotoconductores intrnsecos, tales como fotorresistores generalmente
intrnsecos.
2. Fotoconductores dopados, tales como fotodiodos.
c. Fotovoltaicos, en que se genera una tensin al incidir la luz, sin polarizacin
exterior. Un ejemplo de este tipo son las clulas solares; sin embargo, el
funcionamiento del fotodiodo tambin se basa en este efecto.

Hay cuatro caractersticas bsicas que son importantes para hacer una seleccin ptima de los
fotodetectores (sensores).
1. Responsividad; Se refiere a la sensibilidad del detector, o salida por unidad de luz de
entrada. Tal como salida en amperios/flujo radiante de entrada, en vatios.
2. Respuesta espectral. Indica la habilidad del detector para responder a radiaciones de
diferentes longitudes de onda. Por ejemplo, si la salida de una fuente espectral est
comprendida entre los 400 y 800 nm con un pico en la zona media, el detector deber tener
una respuesta espectral similar, o al menos deber tener un solape apreciable.
3. Respuesta en frecuencia o velocidad con la cual el detector puede responder a una
radiacin modulada.
4. Ruido. Se refiere a las fluctuaciones aleatorias de las corrientes o tensiones de salida (se
emplea el trmino corriente oscura para indicar la c.c. de salida del fotodetector en la
oscuridad, mientras que la corriente de ruido es una corriente alterna aleatoria). El ruido es
directamente proporcional a la raz cuadrada del rea del detector.

La relacin seal-ruido del detector se obtiene dividiendo I
seal
por I
ruido
, para una entrada y
condicin de funcionamiento dadas.
Normalmente se indican dos factores de calidad para especificar el comportamiento de un
fotodetector. Primero, la potencia equivalente de ruido (NEP), definida como la potencia
necesaria para producir una relacin seal-ruido de 1, con un ancho de banda de ruido de 1 Hz.
Esto es una medida del mnimo nivel de seal detectable.

NEP para un fotodiodo =
respuesta
corriente
de
de ( )
( ) W A corriente
Hz A ruido
2 1


siendo las unidades vatios por raz cuadrada de hertzios (W/Hz
1/2
). Cuanto ms bajo sea NEP,
menor ser el lmite de deteccin. Con un ancho de banda de 1 Hz y una entrada de detector de
10
-13
W, un NEP de 10
-13
(W /Hz
1/2
) significara que la seal de salida del detector no es
discernible de ruido. El segundo factor de calidad es la detectividad (D) y la denominada D*
FOTODISPOSITIVOS- 5
(lase D asterisco). La detectividad se define como la relacin seal-ruido producida por vatio de
flujo radiante, incidente en el detector.

NEP
D
1
=

W
Hz
2 1


Es ms popular la notacin D*, que es independiente del ancho de banda del detector y del
rea A.
D* = D A (cm)(Hz
1/2
) / W

Por lo tanto,
D*

=
NEP
A


As pues, D* es un factor de calidad que expresa el comportamiento del detector solamente en
funcin de su estructura, y permite una comparacin entre detectores de reas distintas.


FOTODISPOSITIVOS- 6
FOTOCONDUCTORES DE UNA PIEZA (FOTORESISTENCIAS)

Cuando se aade suficiente energa, por cualquier medio, a un material, los electrones de
valencia escapan de sus tomos y se convierten en electrones libres. Por definicin, un hueco es
la ausencia de un electrn; por lo tanto, por cada electrn libre que se crea, se crea tambin un
hueco libre. La energa necesaria para ello es del orden entre 0.2 y 3 eV. dependiendo del
material (Tabla 1), por lo tanto, una radiacin de longitud de onda entre 400 y 6,000 nm es
adecuada. Este fenmeno es la base del funcionamiento de todos los fotoconductores de una
pieza como se representa en la Fig. 3(a). Se observar que no es necesaria ninguna unin entre
estos dispositivos, basta con una capa de material fotoconductor, cuya resistencia decrece (o cuya
conductancia aumenta) proporcionalmente a la intensidad de la luz. El campo aplicado es
necesario para que los electrones circulen a travs del detector y el circuito exterior,
recombinndose con los huecos que existen en el extremo negativo del fotoconductor.
Realmente, la idea bsica de todo fotodetector de una pieza, o de unin, es convertir la luz en una
seal elctrica, o recoger los fotones incidentes en el detector con la menor reflexin posible y
extraer de un modo eficiente los electrones libres resultantes. Para conseguir esto, el
fototransductor debe hacerse de un material prcticamente transparente a las longitudes de onda
que interesen, con un intervalo de energa menor que la energa del fotn. Es necesario un
potencial exterior (o interno, autogenerado) para extraer la corriente inducida por la luz.
Figura 3. (a) Esquema de un fotoconductor de una pieza.


El proceso es algo ms complicado que el indicado en la Fig. 3, debido a los mecanismos de
captacin de electrones y huecos, y a los efectos trmicos. Realmente, algunos fotoconductores
de una pieza han sido fabricados con un alto nivel de imperfecciones cristalinas, en cuyo caso,
varios electrones adicionales pueden penetrar desde el terminal negativo de la batera para
neutralizar los huecos atrapados en la estructura cristalina. Esto origina un rendimiento cuntico
(electrones de salida por fotn incidente) mayor que la unidad, lo cual no es posible ms que en
los fotodetectores de unin, que se analizan en la seccin siguiente. Otros refinamientos en la
fabricacin conducen a fotoconductores de una pieza de una sensibilidad extremadamente alta.
En la Figura 4 el smbolo una fotografa y el corte de un fotoconductor tpico (o fotorresistor).
El dispositivo est fabricado depositando, por evaporacin, el material fotoconductor sobre un
sustrato de cermica. Para completar el dispositivo se aaden electrodos metlicos y se encierra
en una cpsula con una ventana transparente.
FOTODISPOSITIVOS- 7
Los materiales que se comportan con estas caractersticas son:
- En el espectro visible.
+ Sulfuro de Cadmio - CdS.
+ Seleniuro de Cadmio - CdSe.
- En los Infrarrojos.
+ Silicio - Si .
+ Sulfuro de Plomo - PbS.
+ Seleniuro de Plomo - PbSe.

La variacin de la resistencia de un fotoconductor con la radiacin es casi exponencial como se
muestra en el ltimo dato, siendo la relacin entre las resistencias en oscuridad y con luz, del
orden de 1,000:


Figura 4. Smbolo, fotografa y un corte de una fotorresistencia tpica.

La respuesta espectral de varios materiales fotoconductores intrnsecos se muestra en la Fig. 5
(Para poder establecer una comparacin, el espectro de salida de una lmpara incandescente se
seala con una x). La respuesta de cualquier material cae a mayor longitud de onda porque la
energa de los fotones se hace menor que la energa del intervalo de energa del material, con lo
cual la energa no es adecuada para excitar los electrones de valencia hasta elevarlos a la banda
de conduccin. La respuesta en la zona de longitud de onda menor (ultravioleta) es ms baja
porque la absorcin tiene lugar ms cerca de la superficie. La respuesta puede desplazarse
dopando el cristal.
La Figura 6 muestra el tiempo de subida y el tiempo de cada de un fotoconductor de una
pieza tpico. Se recordar que la resistencia de un fotoconductor de una pieza disminuye con la
luz, de ah la apariencia contraria en la figura entre los tiempos de subida y de cada. El tiempo de
cada es considerablemente ms largo porque lleva ms tiempo a los electrones en volver a la
banda de valencia, debido a las imperfecciones cristalinas.


FOTODISPOSITIVOS- 8

Figura 5. Respuesta espectral de varios fotoconductores intrnsecos.



Figura 6. Velocidad de respuesta de un fotoconductor tpico de una pieza.

Los fotoconductores resistivos tienen coeficientes de temperatura que varan
considerablemente con el nivel de la luz y con el material, como se muestra en la Figura 7. Se
observar que el sulfuro de cadmio (CdS) es superior al seleniuro de cadmio (CdSe) en cuanto a
estabilidad con la temperatura, y el funcionamiento a altas intensidades debe ser con mxima
estabilidad.

FOTODISPOSITIVOS- 9

Figura 7. Dependencia de la temperatura en fotoconductores de CdS y CdSe.

Los fotorresistores tienen un efecto de memoria a la luz; es decir, su resistencia especfica
depende de la intensidad y duracin de una exposicin previa y al tiempo transcurrido desde una
exposicin anterior.
Las principales caractersticas de las fotorresistencias son:

1. Resistencia de oscuridad, valor de la resistencia despus de 20 seg. En la oscuridad (10
4

R
D
10
9
).
2. La disipacin mxima, (50 mW 1W).
3. Resistencia de iluminacin(100 Lux), (10 R
I
5x10
3
).
4. Voltaje Mximo, (600V).
5. Respuesta Espectral.
6. Tiempo de respuesta, ( su principal desventaja).

Los fotoconductores resistivos tienen las siguientes ventajas:

1. Alta sensibilidad (debido a la gran superficie).
2. Fcil empleo.
3. Bajo costo.
4. No hay potencial de unin.
5. Alta relacin resistencia luz-oscuridad.

Sus inconvenientes son:

1. Respuesta espectral estrecha.
2. Efectos de histresis.
3. Estabilidad por temperatura baja para los materiales ms rpidos.
4. Respuesta lenta en materiales estables.
5. Falta de linealidad entre resistencia e iluminacin.

Los campos de ms aplicacin de los fotorresistores son: medida de luz de poca precisin y
econmica, troceador para amplificadores de c.c. de bajo nivel, y control de alarma y de rels
FOTODISPOSITIVOS- 10
En la Figura 8 se muestran dos aplicaciones de las ms simples de un fotorresistor.
Seleccionando la tensin apropiada de la batera, el fotorresistor, el instrumento de medida, y los
shunt, puede medirse un amplio margen de nivel de luz con el circuito de la Fig. 8(a).
Reemplazando un extremo de un simple divisor de tensin por un fotorresistor se obtiene una
tensin dependiente de la luz, como muestra la Fig. 8(b). Como ejemplo de la sensibilidad de
estos fotorresistores, considrese el circuito de la izquierda de la Fig. 8(b), con R
1
= 10 k y un
fotorresistor CL905L y unas condiciones de iluminacin que varan desde la oscuridad hasta 2
pies-candelas. (Mas adelante se indicara la tcnica para hacer lineal la tensin de salida de la Fig.
8(b), aunque se emplee un elemento no lineal, como es un fotorresistor.) Si se sustituye el resistor
fijo por un condensador, como muestra la Figura 8(c) su promedio de carga ser proporcional a la
radiacin incidente. Por ejemplo, si se suponen el mismo fotorresistor y las mismas condiciones
de luz del caso anterior, la constante de tiempo RC variar desde 147 ms en la oscuridad, a 2,2
ms con 2 pies-candela.
Figura 8. (a) Medidor de luz usando un fotoconductor de una pieza; (b) circuitos divisores
de tensi6n fotosensibles; (c) circuito de conversin luz-tiempo.

En los circuitos anteriores la salida no es lineal, esto lo podemos corregir con el circuito de la
siguiente figura.








FOTODISPOSITIVOS- 11
La Figura 10 muestra un circuito para medida de luz ms perfeccionado, que se basa en el
equilibrio de un puente para medir la atenuacin de luz en el detector R
2
. Como los dos
fotorresistores son similares variarn juntos, tendiendo a mantener el puente equilibrado cuando
varan las condiciones ambientales. Este circuito reduce el efecto de variacin en las fuentes de
alimentacin, la histresis y variaciones con la temperatura de los fotorresistores y las
variaciones en la salida de la lmpara porque ambos fotodetectores (dos brazos del puente)
experimentan los mismos cambios, y por tanto, la salida (E
1
-E
2
) tiende a permanecer constante.
Para analizar el circuito de la Figura 10 se desprecia R
p
y se considera cada salida como un
divisor de tensin separado. De esta forma,

( V
R R
R
E +
+
=
2 1
2
1
) y ( ) V
R R
R
E +
+
=
4 3
4
2


Para obtener el equilibrio E
1
= E
2
, es decir,
4 3
4
2 1
2
R R
R
R R
R
+
=
+

Por tanto,

R
2
R
3
= R
4
R
1
equilibrado.

Figura 10. Circuito puente para medida de luz mejorando la estabilidad.

La Figura 11 muestra lo fundamental de un amplificador troceador de c.c. de bajo nivel, en
que una combinacin de fotorresistores y una lmpara de nen reemplaza a un troceador
mecnico. Los fotorresistores trabajan como interruptores, como se muestra en la parte inferior de
FOTODISPOSITIVOS- 12
la Figura 11 y convierten la seal de c.c. en c.a. La seal de c.a. se amplifica y finalmente se
demodula o rectifica en sincronismo con la entrada. De esta forma, los problemas debidos a las
variaciones en la fuente de alimentacin, a la temperatura, etc., se eliminan. Como los
fotorresistores tienen una R
oscuridad
/ R
luz
de 1,000 o ms, la relacin del divisor de tensin vara
entre 10
-3
en la fase 2 y 10
+3
en la fase 1. Esta relacin es suficientemente alta, con lo cual puede
considerarse el fotorresistor como un interruptor ideal.

Figura 11 (a) Esquema de un amplificador troceador; (b) representacin ideal para ambas
fases del troceador de la parte (a).


La Figura 12 nos muestra un regulador de voltaje en el cual al disminuir Vi baja la intensidad
de la lmpara L1 aumentando con esto el valor de la fotorresistencia, incrementndose el valor de
Vo compensndose le disminucin de Vi. Si aumenta Vi baja el valor de la fotorresistencia
disminuyendo Vo(de la siguiente formula)
2 1
2
R R
R
Vi Vo
+
=
FOTODISPOSITIVOS- 13

Figura 12 Regulador de voltaje.

La Figura 13 muestra dos circuitos de interruptor de crepsculo (control de iluminacin),
Cuando la radiacin luminosa es intensa el valor de la fotorresistencia es pequeo de tal modo
que el DIAC esta apagado y por lo mismo el TRIAC y la lmpara esta apagada, al oscurecer el
valor de la fotorresistencia se va incrementando llegando el momento en que se logra que se
ponga ON el DIAC disparndose as el TRIAC pasando corriente por el prendindose la lmpara.





Figura 13. Interruptores de crepsculo.


FOTODISPOSITIVOS- 14
FOTODIODO

Casi para cada tipo de semiconductor de unin existe un dispositivo ptico anlogo que
responde a la luz en vez (o en conjuncin) de a una seal elctrica. La primera vez que se observ
que un diodo semiconductor era sensible a la luz, tuvo lugar probablemente al observarse un
considerable aumento de la corriente de prdida de un diodo de unin, al exponerlo a la luz.
La Figura14 muestra el smbolo, la estructura bsica y el funcionamiento de un diodo de unin
pn de silicio. Cuando son absorbidos por el dispositivo fotones cuya energa es mayor que la del
intervalo de energa, se generan pares electrn-hueco. Una de las ventajas principales del dopado
es introducir impurezas que originan electrones o huecos muy prximos ala banda de conduccin;
por tanto se requiere menor energa para excitar estos estados aadidos hasta la banda de
conduccin.






(a)








(b)
Figura 14. (a) Smbolo. (b) Corte y funcionamiento de un fotodiodo de unin p-n.

La generacin de pares ocurrir a varias profundidades, dependiendo de la energa de los
fotones y de la naturaleza y grosor de los materiales. Se observa que en la zona dentro de la
regin desierta no hay prcticamente electrones libres. En esencia, el dispositivo se asemeja a un
condensador en el que la regin desierta sirve de dielctrico y las zonas dopadas actan como las
placas cargadas de un condensador. De aqu que el campo electrosttico principal exista dentro de
la regin desierta y cualquier par electrn-hueco tender a separarse (en direcciones opuestas)
atrado por la combinacin de la tensin en la regin desierta y la tensin de polarizacin inversa
aplicada. (Se observar que las polaridades de estas dos tensiones son del mismo sentido.) Si se
producen pares electrn-hueco fuera de la zona desierta, tendrn una elevada probabilidad de
recombinacin, en cuyo caso no habr fotocorriente disponible. Por tanto, es necesario que la
FOTODISPOSITIVOS- 15
parte superior de la capa p sea tan delgada como sea posible y la regin desierta efectiva tan
ancha como sea posible, para llevar al mximo el rendimiento cuntico. La regin desierta puede
ensancharse aumentando la polarizacin inversa del diodo. Aumentando la polarizacin inversa
tambin disminuye el tiempo de trnsito que tardan los electrones y los huecos en alcanzar los
extremos. Las ventajas e inconvenientes de la polarizacin inversa se analizarn despus de
estudiar algunas caractersticas bsicas de los fotodiodos.
La Figura 5 presenta las respuestas espectrales relativas tpicas para el Si y para el Ge
intrnsecos. El corte, para una longitud de onda de 1,100 y de 1,800 nm, se explica por el hecho
de que los intervalos de energa para el Si y el Ge son 1,1 y 0,69 eV, respectivamente. Por lo
tanto, se ve que cuanto mayor es la longitud de onda, los fotones tienen menos energa y pueden
pasar a travs del fotodiodo sin ser absorbidos, ni producir un par electrn-hueco. La respuesta
cae para longitudes de onda cortas (alta energa), al lado del pico de respuesta porque la radiacin
ultravioleta de alta energa tiende a crear pares ms cerca de la parte superior de la superficie p, e
incluso con una regin p delgada, el par nunca puede difundirse ala regin desierta antes de
recombinarse. (La respuesta sealada para el ultravioleta, en la mayora de los diodos es
notablemente ms baja que las disponibles actualmente.) La razn es que la mayor parte de las
ventanas se hacen de vidrio plano, que tiene un corte en la transicin por debajo de los 300 nm.
Parte de la hoja, de datos de un fotodiodo PIN se reproduce en la figura 22. A estos datos se
hace referencia a lo largo de esta seccin para ilustrar las caractersticas de varios fotodiodos. En
la estructura particular de la figura 15, existe una capa I o intrnseca entre los extremos p y n.
Como la regin desierta se extiende ligeramente ms all del rea dopada, se obtiene una regin
desierta ms ancha con la estructura PIN. El aumento del ancho de la capa I puede considerarse
como un aumento de la separacin de las placas en un condensador; por tanto, la capacidad de la
unin disminuye, ya que la capacidad vara inversamente con la separacin. As pues, un diodo
PIN es mucho ms rpido que un diodo convencional pn. Esta estructura tiene menor ruido y
corriente de oscuridad, adems de un rendimiento mayor a longitud de onda ms larga.
Figura 15. corte de un fotodiodo PIN.
Con relacin a las caractersticas corriente-tensin de la Figura 16, se recordar que stas son
caractersticas de polarizacin inversa, invertidas segn las convencionales. Hay varias
FOTODISPOSITIVOS- 16
observaciones importantes que hacer de estas caractersticas. Primero, se observar que la
fotocorriente es solo ligeramente dependiente de la tensin inversa por lo cual el dispositivo
presenta una alta resistencia dinmica, caracterstica de un generador de corriente. Tambin, a
una polarizacin inversa constante, la fotocorriente de salida es lineal ms all de 10 dcadas de
la radiacin incidente. (Esto se refiere al funcionamiento en modo de corriente; es decir, tensin
constante de polarizacin y extraccin de corriente como medida de la radiacin incidente.)
La Figura 16 muestra que el dispositivo puede tambin operar sin polarizacin externa, es decir,
en circuito abierto sobre una lnea de corriente constante horizontal. La tensin en circuito abierto
puede servir como una indicacin de la radiacin incidente. Esto se denomina modo de tensin,
es decir, polarizacin de corriente constante y tensin sensible a las variaciones de luz.
El funcionamiento en el modo de corriente produce menos distorsin y falta de linealidad,
variacin de la polarizacin, sensibilidad al ambiente, etc. Desde luego, el funcionamiento no est
limitado a las rectas de carga horizontal o vertical, sino que puede trabajar segn rectas de carga
con cualquier pendiente.
Figura 16. Caractersticas voltaje-corriente de un fotodiodo PIN.

La Figura 17 es el circuito equivalente de un fotodiodo. Se observar la fuente de seal y las
fuentes de ruido no deseadas y de corriente de saturacin inversa, que se denomina corriente
oscura (I
D
). Los valores de ID e I
n
determinan el lmite inferior de sensibilidad del dispositivo.









FOTODISPOSITIVOS- 17
V inverso

Figura 17. Circuito equivalente. Figura 18. Corriente oscura-V inverso.

La corriente oscura se duplica aproximadamente cada 8 C, en diodos de Si, y tiene dos
componentes. Una es la corriente de prdida, que vara con la polarizacin inversa(Figura 18) y el
rea activa, y la otra es la Ico convencional, o corriente de saturacin, que aumenta con la
temperatura. Las componentes de la corriente de ruido son:

1. f qI I
D nalla
= 2
gra


2. I
1/f
, que aumenta cuando la frecuencia de trabajo disminuye.

3.
T
termica
R
f KT
I

=
4

siendo:
q = carga del electrn (1,602 X 10
-19
C).
ID = corriente oscura.
K = constante de Boltzmann (8,62 X 10
-5
eV /
o
K 1,38 X 10
-23
julios por
o
K ).
T = temperatura, K (K = 273 + C).
R
T
= R
fuente
+ R
carga
en ohms.
f = ancho de banda, en Hz.

Las frmulas anteriores muestran que hay dos componentes de ruido que son proporcionales
al ancho de banda elctrico, por lo tanto, es deseable limitar el ancho de banda para reducir el
ruido. Tambin tiene ventaja trabajar por encima de los 20 Hz para reducir el ruido 1/f. Se
observar en la frmula de la corriente de ruido trmico y en la Figura 19, que para un
funcionamiento con bajo ruido el fotodiodo debe trabajar con una alta resistencia de carga.




FOTODISPOSITIVOS- 18

Figura 19.

La Figura 20 muestra la reduccin de la capacidad de la unin del diodo que pude obtenerse
aumentando la polarizacin inversa. (La superficie superior, en el diodo, es cuatro veces mayor
que la inferior).



Figura 20.
FOTODISPOSITIVOS- 19
Como se muestra en la Figura 21, se obtienen sensibilidades direccionales tpicas con lentes y
ventanas planas. Para aplicaciones que requieren una reduccin del ngulo de visin, es preferible
el lbulo direccional estrecho producido por una lente. La adicin de una lente no afecta
apreciablemente la respuesta, como se muestra para el 4205 en las, especificaciones d la Figura
16. Sin embargo, las lentes captan luz de un rea mayor y la concentra en el diodo, con un
aumento efectivo del rea activa (figura 22).
Figura 21. Sensibilidad direccional relativa.

Figura 22. Especificaciones de un fotodiodo PIN.

Comparando los fotodiodos de unin con fotoconductores de una pieza, se ve que los
fotodiodos poseen considerablemente mejor respuesta en frecuencia, linealidad, respuesta
espectral, y menor ruido. Entre las desventajas del fotodiodo se incluyen: rea activa pequea, un
aumento rpido de la corriente oscura con la temperatura, tensin offset y necesidad de
amplificacin para radiaciones de baja potencia.
FOTODISPOSITIVOS- 20
Como se indic anteriormente, el modo de corriente, o funcionamiento a tensin constante
mientras el diodo detecta la fotocorriente, es generalmente el mejor modo de funcionamiento. La
corriente del fotodiodo es en este caso lineal en varias dcadas, y es igual a:

I
foto
= q
r
J
r
A
D

siendo:
q = carga del electrn (1,6 X 10
-19
C).

r
= rendimiento cuntico, electrones/fotn.
J
r
= flujo de radiacin de la fuente, fotones/(s) (cm
2
).
A
D
= rea del detector, en cm
2
.

Por lo tanto, la corriente inducida vara slo con el rendimiento cuntico, siendo constantes las
otras magnitudes.
La Figura 23 muestra dos mtodos de obtener una tensin proporcional a la irradiancia
incidente. El ms simple (Fig. 23(a) lleva consigo la polarizacin inversa del diodo como se
indica, y detectar o amplificar la tensin inducida por la luz (I
foto
R
1
). (Se observar que I
foto
es
una corriente inversa.) El nico inconveniente de este circuito es que la polarizacin real del
diodo variar cuando vare el nivel de luz. Es decir, cuando la irradiancia aumente, I
foto
aumenta y
la tensin (I
foto
R
1
) tambin aumenta. Esta cada de tensin realmente reduce la polarizacin
inversa del diodo; por tanto, la polarizacin no es constante y de hecho cambia debido al
fenmeno que se trata de detectar. Sin embargo, la Fig. 23(b) muestra que la fotocorriente de un
fotodiodo pin es relativamente independiente de la tensin de polarizacin inversa. En la Fig.
23(b) se muestra una disposicin para lograr una polarizacin inversa constante. El circuito
consiste en un amplificador operacional inversor con una alta impedancia de entrada y ruido y
desplazamiento bajos.
El funcionamiento se explica fcilmente teniendo en cuenta las dos consideraciones aplicables
a un amplificador operacional. (1) El amplificador se supone que tiene una impedancia de entrada
infinita y por tanto no toma corriente. Esto permite que toda la corriente de salida del diodo fluya
en el elemento de realimentacin. (2) Debido a la alta ganancia en bucle abierto, no hay
diferencia de tensin entre las dos terminales del amplificador. Esto significa que cualquier
tensin negativa que aparezca en el terminal (b) como consecuencia de la batera tambin aparece
en la terminal (a): y, como V
ab
es pequeo (~ 1 mV) y prcticamente constante para un buen
amplificador operacional, la polarizacin del fotodiodo (Va, tierra) permanece prcticamente
constante. Como la entrada est conectada a la terminal negativa o inversor, la salida se invertir.
As pues, la tensin de salida se aproxima a la R
fb
ideal, multiplicada por la corriente de salida del
diodo.

V
salida
= - I
foto
R
f,b

Por ejemplo, si la fotocorriente del diodo fuese 1 A y la resistencia de realimentacin 1 M, la
tensin de salida sera -1 V.





FOTODISPOSITIVOS- 21




























Figura 23. Circuitos con fotodiodo. (a) Circuito simple; (b) un amplificador operacional
inversor que proporciona polarizacin constante al fotodiodo.

En este punto conviene resumir las relaciones entre el rea del detector y algunas de sus
caractersticas importantes. En el fotodiodo, la corriente de seal y la capacidad de la unin
aumentan casi linealmente con el rea efectiva. La corriente de ruido es proporcional a; sin
embargo, la corriente oscura aumenta normalmente ms rpidamente que el rea, como
consecuencia de aumentar la probabilidad de incluir imperfecciones en la lmina. Resumiendo :
al aumentar el rea de deteccin: (1) aumenta la relacin S/N (seal-ruido) en un factor rea /;
(2) puede realmente disminuir la relacin I
seal
/ I
oscura
y (3) aumenta la capacidad de la unin
aproximadamente en 1.1. Esto disminuye la respuesta en frecuencia de un circuito simple como
el que se muestra en la Figura 23(a), pero no afecta a la respuesta en frecuencia en la Figura 23(b)
si el punto b (entrada no inversora) est conectado a tierra.






FOTODISPOSITIVOS- 22
FOTODIODO DE AVALANCHA.

El fotodiodo de avalancha es un fotodiodo especial que trabaja en la regin de ruptura en
avalancha para obtener una amplificacin de corriente interna. Con relacin a la Figura 24, la
generacin de par electrn-hueco y la separacin es la misma que la descrita en las subsecciones
anteriores. Los electrones separados se desplazan hacia la regin de avalancha donde un campo
electrosttico elevado los acelera hasta una velocidad muy elevada. Cuando los electrones
acelerados se recombinan o chocan hay una gran posibilidad de que se cree un nuevo par por
ionizacin por impacto. El segundo par tambin se separa y estos nuevos electrones repiten el
proceso. El proceso contina hasta que todos los portadores abandonan la regin de avalancha.
De esta forma puede generarse un nmero considerable de portadores por la absorcin de un solo
fotn. El fotodiodo de avalancha puede considerarse como el equivalente en estado slido de un
fototubo multip1icador.

Figura 24. Proceso de avalancha en un fotodiodo de avalancha.

Los fotodiodos de avalancha se fabrican con rendimientos cunticos de 100 a l GHz, y
potencias equivalentes de ruido de 10
-12
W /{Hz
1/2
). Como su respuesta espectral es similar a la
de los fotodiodos y fototransistores, son probablemente los ms rpidos, los ms sensibles y los
de banda ms ancha entre los fotodetectores disponibles. El fotodiodo de avalancha tambin tiene
sus desventajas; entre ellas est que la ganancia es sensible a la temperatura; microplasma o
pequeas zonas de ruptura; el ruido aumenta ms rpidamente que la ganancia a la seal, y
existen problemas de polarizacin debido ala dependencia de la ganancia.
FOTODISPOSITIVOS- 23
Figura 25. Ganancia de un fotodiodo de avalancha en funcin de la polarizacin Inversa.

La Figura 25 muestra la caracterstica de un fotodiodo de avalancha tpico; ganancia, en
funcin de la tensin inversa. El promedio de ionizacin es muy dependiente de la tensin
aplicada porque la intensidad del campo elctrico determina la energa de los portadores
generados y por tanto la multiplicacin total. Esta dependencia de la ganancia de la tensin est
en contraste con el rendimiento cuntico de los fotodiodos convencionales en los cuales es
prcticamente independiente de la tensin inversa, como se ve en la Fig. 16. El fotodiodo de
avalancha se parece ms aun fotomultiplicador, por cuanto en ambos la ganancia depende de la
tensin de trabajo. La frmula del ruido de granalla para un fotodiodo de avalancha es similar a la
de polarizacin inversa de un fotodiodo convencional, excepto que tiene una multiplicacin de
ganancia que puede llegar a elevarse al cubo. El coeficiente de temperatura del diodo de
avalancha es consecuencia del hecho de que el promedio de ionizacin vara con la temperatura,
afectando a la tensin de ruptura. Como la ganancia depende de la tensin, la ganancia vara con
la temperatura.
Las aplicaciones de los diodos de avalancha se centran en su alta velocidad, alta sensibilidad
de deteccin de luz modulada del lser y de diodos emisores de luz. Cabe preguntarse por qu los
fotomultiplicadores o los fototransistores no satisfacen estos requerimientos, y la respuesta es que
los tubos fotomultiplicadores tienen una respuesta pobre a los infrarrojos y los fototransistores
responden mal a bajas frecuencias. El mejor modo de funcionamiento de los fotodiodos de
avalancha es la misma configuracin del amplificador operacional inversor que se muestra en la
figura 23(b).

FOTODISPOSITIVOS- 24
Los fotodiodos PIN son extremadamente estables, tienen cero coeficiente de temperatura para
< 800 nm, y operan sobre 100 db con distorsin menor a 1 %. Esto se aplica en los circuitos de
servosistemas como el de la figura 26, este circuito esta mas limitado por la estabilidad de los
componentes mecnicos que por los fotodiodos. El lazo esta formado por el amplificador A
1
y la
realimentacin ptica de D
1
a D
2
la cual estabiliza la intensidad de I
e2
siendo esta proporcional a
V
REF
. Si el DIVISOR DEL HAZ es estable, entonces la relacin de I
e3
a I
e2
es constante y V
OUT

es linealmente proporcional a V
REF
. Lo anterior es verdad aun cuando I
e1
disminuya ya que el
servo formado por A
1
, D
1
, D
2
aumenta la corriente por D
1
para compensar la degradacin. Como
las tierras 1 y 2 no es la misma esto nos permite un acoplamiento lineal ptico (optoaislador).
Con I
e3
estable, la incidencia de luz a D
3
mantendr una relacin directa con la transmitancia de
cualquier material insertado entre el divisor del haz y D
3
, haciendo un transmisometro ptico. Si
el material lo ponemos entre el divisor y D
2
, I
e3
permanecer proporcional a la atenuacin. Si
ponemos un amplificador A
2
lograremos un V
OUT
proporcional a lo que aparece en el diodo D
3
.
Esta figura puede funciona como un medidor de densidad ptico.

Figura 26. Medidor ptico de densidad.






FOTODISPOSITIVOS- 25
FOTOTRANSISTORES

Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la deteccin de luz y la ganancia. Su
construccin es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie superior
se expone a la luz a travs de una ventana o lente como se muestra en la Figura 27.



(a) (b)



(c)
Figura 27. Fototransistor (a) Smbolo. (b) Circuito equivalente. (c) Corte.

Los fotones incidentes generan pares electrn-hueco en la proximidad de la gran unin CB.
Las tensiones de polarizacin inversa de la unin CB, llevan los huecos a la superficie de la base
y los electrones al colector. La unin BE polarizada directamente, hace que los huecos circulen de
base a emisor mientras que los electrones fluyen del emisor a la base. En este punto la accin
convencional del transistor se lleva a cabo con los electrones inyectados del emisor cruzando la
pequea regin de la base y alcanzando el colector que es ms positivo. Este flujo de electrones
constituye una corriente de colector inducida por la luz. Los pares electrn-hueco fotoinducidos
contribuyen a la corriente de base y si el fototransistor se conecta en configuracin de emisor
comn, la corriente de base inducida por la luz, aparece como corriente de colector multiplicada
por h
fe
.
La Figura 28 muestra los datos de un fototransistor tpico. La sensibilidad de radiacin
colector a emisor (S
RCEO
) de la Fig.28, se define como la corriente de salida de colector por
unidad de irradianca incidente con la base abierta. La correspondiente sensibilidad S
RCBO
se
refiere a la corriente de la base por unidad de irradiancia incidente con el emisor abierto. As
pues, S
RCBO
se refiere a la pequea corriente de base generada por los fotones y S
RCEO
incluye el
factor multiplicador del fototransistor. puede calcularse de;

( )( )
( )( )
500
2
1
2
2
= = =
cm mW A
cm mW mA
S
S
RCBO
RCEO



para el transistor de la Fig. 28. De la definicin de S
ROEO
, se observar que:

Ic = S
RSEO
(densidad de flujo)
FOTODISPOSITIVOS- 26
Figura 28. Hoja de datos de un Fototransistor.

Puede pensarse que la combinacin de deteccin de luz y la funcin de amplificacin en un
solo dispositivo, es ya el sensor perfecto, pero esto no es cierto en muchas aplicaciones. Primero,
es importante tener en cuenta que en el fototransistor la corriente oscura (I
CBO
) tambin se
multiplica por , como la fotocorriente de base. Una buena prueba de este hecho es una
comparacin de la irradiancia cuando I
luz
= I
oscura
para varios fotodetectores. La respuesta en
frecuencia de los fototransistores es menor que la de 1a combinacin fotodiodo-amplificador.
Esto es debido a la gran capacidad base-colector del fototransistor que toma una carga elevada
que slo puede descargarse por la corriente oscura, relativamente baja (Figura 5-22(d).
Las Figuras 29 y 30, muestran que la regin de funcionamiento lineal del fototransistor es
varios rdenes de magnitud menor que en los fotodiodos. El problema de la linealidad y muchas
otras limitaciones del fototransistor, se deben a la variacin de con el nivel de corriente y la
temperatura.










FOTODISPOSITIVOS- 27

















Figura 29. I
CB
en funcin de la radiacin.

A la vista de las desventajas mencionadas del fototransistor, su uso se restringe generalmente
a aplicaciones ON-OFF, en que su ganancia propia puede eliminar la necesidad de amplificacin
posterior. De hecho, el mayor mercado para el fototransistor es para las aplicaciones de mayor
velocidad donde es mejor fotoconductores de una pieza y ms ganancia que un fotodiodo, con lo
cual se elimina la necesidad de una amplificacin posterior

Figura 30. I
B
en funcin de la radiacin.


FOTODISPOSITIVOS- 28
Figura 31. Interruptor simple con fototransistor.

La Figura 31 muestra un fototransistor en su aplicacin ms general, que es un interruptor
sensible a la luz. En estas aplicaciones, el terminal de la base no est conectado y de hecho
muchos fototransistores no cuentan con terminal de base. El fototransistor est EN CORTE antes
de aplicar la radiacin, y por tanto no circula corriente de emisor por R
E
y la salida es 0 V. Con
una iluminacin adecuada, el fototransistor CONDUCE y una gran corriente de emisor origina
una salida igual a I
E
R
E
. La salida aumenta cuando R
E
aumenta; sin embargo, la frecuencia
disminuye debido a la constante de tiempo C
CB
R
L
, como muestra la figura 32. Como ejemplo del
uso de los datos del fototransistor de la Figura 28, considrese que Vcc en la Figura 31 es + 20 V,
R
E
= 1 k y que se desea una salida de 5 V cuando el fototransistor conduzca. Como V
SALIDA
=
I
E
R
E
, I
E
= 5 V /1 k = 5mA. Usando la Ecuacin Ic = S
RSEO
y el valor tpico de S
RCEO
de la
figura 6-22(a), se ve que la densidad de flujo requerida para producir una Ic de 5Ma es:

( )( )
2
2
12 . 3
6 . 1
5
cm mW
cm mW ma
ma
S
Ic
H
RCEO
= = =
















Figura 32. Respuesta a la frecuencia de un fototransistor en funcin de resistencia de carga.

FOTODISPOSITIVOS- 29
(La Figura 29 muestra un valor algo mayor, Estas irradiancias se obtienen normalmente con
pequeas lamparitas incandescentes)
La Fig. 32 muestra que la respuesta en frecuencia cae a 50 Hz para una R
B
de 1 k. Un
mtodo de evitar esta reduccin de velocidad reteniendo aproximadamente la misma ganancia, se
demuestra en la Fig. 33. En este caso, la baja impedancia de salida de la etapa en base comn
(Q
2
), est en paralelo con R
L
y proporciona as una resistencia de carga baja para el fototransistor.
De esta forma, la respuesta en frecuencia se hace prcticamente independiente de la resistencia de
carga. Como la ganancia de corriente de una etapa en base comn es aproximadamente la unidad,
la corriente por Rc es aproximadamente la misma que si no existiese Q
2
. Suponiendo las mismas
condiciones que en el ejemplo anterior de la Figura 31, la respuesta en frecuencia de la Figura 33
aumentara en la relacin de la reduccin de la resistencia de carga efectiva:

= 5 1000
'
e
L
r
R
para Ic = 5 mA
es decir, 200:1. Como con cualquier transistor conmutador, el tiempo de recuperacin del
fototransistor aumenta al estar saturado. As pues, la entrada ptica debe limitarse a un valor que
produzca una Ic satisfactoria.
El fototransistor tiene una ventaja comn con cualquier dispositivo de tres terminales, y es que
la tercera terminal o base, proporciona un medio de control elctrico o compensacin. Por
ejemplo, considrese el aumento de la corriente oscura con la temperatura, inherente a todo
dispositivo con unin.

Figura 33.Circuito para alta frecuencia.

En el fototransistor esto se aade a la corriente de colector, pero puede mantenerse un grado
de estabilizacin de la corriente del colector con la temperatura empleando las tcnicas de
estabilizacin con termistor en el circuito de polarizacin de la base, como se muestra en la Fig.
34. La estabilizacin con termistores es en esencia, un aumento de I
oscura
y por tanto de Ic, debido
a la temperatura, se compensa con una reduccin de la tensin base-emisor debido a la reduccin
de la resistencia del termistor con la temperatura. Esto hace que I
B
disminuya y por tanto, como
IcI
B
, la corriente de salida de colector se estabiliza dentro de un margen. Con la corriente de
colector estabilizada por temperatura, el terminal de la base puede usarse para cortar
elctricamente al fototransistor y su corriente de colector. Entonces se requerir una cierta
FOTODISPOSITIVOS- 30
al fototransistor esto es que cuando la luz da al fototransistor el capacitor no se puede cargar
porque la corriente pasa por el fototransistor y en la carga no hay corriente. Cuando la luz no da
al fototransistor este se apaga permitiendo que el capacitor se cargue y el resto del circuito
o un oscilador de relajacin llegando corriente a la carga.


















Figura 35. Detector de falta de luz
radiacin para hacer que el dispositivo CONDUZCA; de esta forma es posible establecer un
control de umbral. (Aumentando R
BE
se reduce la sensibilidad.)








Figura 34. estabilizacin de la temperatura
con termistor.











La figura 35 un detector muy sensible a la luz el cual energiza la carga cuando la luz no irradia
funciona com
de gran sensibilidad.
FOTODISPOSITIVOS- 31

La figura 36 muestra dos circuitos de rel manejados por luz, en l (a) el transistor Q2
conduce cuando le da luz al fototransistor pasando corriente por el rel, en l (b) pasa la corriente
por el rel cuando no le da luz al fototransistor.





(a) (b)
Figura 36 relevadores manejados por luz. (a) Se activa con la luz. (b) Se desactiva con la
luz.
Los dos circuitos anteriores e pueden usar para una gran variedad de aplicaciones como son
actuadores para puertas automticos, alarmas como se muestra en la figura 37. El circuito (a) de
la figura nos muestra al rel desactivado por luz de la figura 36(b) que se usa para disparar un
SCR, cuando no le da iluminacin al fototransistor, el rel se energiza pasando corriente hacia el
tiristor provocando que la alarma se active, para desactivar la alarma se usa el switch S
1
. La
figura (b) nos muestra una modificacin al circuito anterior, aqu directamente se activa la alarma
con la falta de iluminacin sin necesidad del rel.













(a) (b)

Figura 37 Alarmas activadas por Luz. (a) Con relevador. (b) Con circuito directo.

FOTODISPOSITIVOS- 32
La iluminacin producida por una lmpara incandescente es muy dependiente del voltaje RMS
aplicado a ella, Si un fototransistor es sensible a los cambios de iluminacin de la lmpara,
entonces podemos usar al fototransistor para controlar con un lazo cerrado el voltaje aplicado a la
lmpara, un circuito con este propsito de muestra en la figura 38.

Figura 38 Regulador de voltaje para una lmpara de un proyector.


El voltaje RMS aplicado a la lmpara es controlado por el disparo del SCR. El ngulo de
disparo del SCR es controlado por el oscilador de relajacin en el cual los transistores Q
1
y Q
2

forman una fuente de corriente para cargar al capacitor C. La magnitud de la corriente de carga y
la posicin de R
6
determinan el ngulo de disparo del SCR, La regulacin se logra con el
fototransistor Q
3
. La brillantez de la lmpara da el nivel de corriente de Q
3
, el cual maneja la
cantidad de corriente que llega al C. El potencimetro R
6
se usa para ajustar la brillantez de la
lmpara deseada. Si el voltaje de la lnea se incrementa, esto provoca que la iluminacin de la
lmpara se incremente, causando que le llegue mas luz al fototransistor aumentando su corriente
lo que hace que la corriente de carga del capacitor disminuya de tal modo que UJT retraza su
disparo y este retraza el del SCR. El retrazo en el SCR provoca que el voltaje RMS aplicado a la
lmpara disminuya logrndose que la brillantez de la lmpara se ajuste al valor deseado.
El circuito de la figura 39 muestra a un flash que funciona como esclavo, esto es que funciona
con la iluminacin que viene de un flash principal. Cuando le llega la luz del flash principal el
fototransistor conduce provocando que se dispare el SCR Q
2
activando al flash esclavo
.
La bobina

entre la base y el emisor del fototransistor es para quitarle sensibilidad al fototransistor y no sea
afectado por la iluminacin del ambiente.




FOTODISPOSITIVOS- 33


Figura 39. Adaptador para un flash esclavo.

































FOTODISPOSITIVOS- 34
FOTOTRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

El fotofet es similar a un FET convencional, con la excepcin de contar con una lente para
enfocar la luz en la unin de la puerta. Este dispositivo fotofet proporciona una excelente
combinacin de unin pn fotosensible con un dispositivo de alta impedancia y amplificadores de
bajo ruido.
Los fotones que penetran en el rea de la puerta excitan a los electrones de la banda de
valencia hasta la banda de conduccin. Los portadores de corriente fotoexcitados originan un
pequeo cambio (I
G
) de la corriente nominar de puerta I
G
fluye a travs del resistor de puerta
y desarrolla un cambio de tensin puerta-surtidor (V
GS
). La V
GS
se multiplica por la
transconductancia del fotofet (g
fs
) y se produce una corriente de drenador I
D
. La variacin de
I
D
vara la cada de tensin en R
D
alterando as la tensin drenador-surtidor. En resumen;

V
DS
= I
G
R
G
g
fs
R
L


La tensin desarrollada en R
G
por la fotocorriente inducida se amplifica por la accin del
FET.

(a) (b)
Figura 40. (a) Seccin de Un fototransistor de efecto de campo; (b) esquema de un
fototransistor de efecto de campo.

La Figura 41 muestra los datos para un fotofet tpico. Comparando estos dispositivos con los
fotodiodos, se ve que el rea activa, la sensibilidad, la corriente oscura con 10 V de polarizacin
inversa, la dependencia de la corriente oscura con la temperatura y el tamao fsico, son
similares. La respuesta espectral relativa del fotofet est ligeramente desplazada hacia el
infrarrojo.


FOTODISPOSITIVOS- 35
Figura 41. Datos de un fotofet.

Las ventajas del fotofet, comparado con otros fotodetectores semiconductores, son:

1. Combinacin de unin fotosensible y el bajo ruido con la amplificacin a alta
impedancia de una unin FET.
2. Eliminacin de algunas fuentes de ruido, tales como el ruido de recombinacin existente
en los transistores bipolares.
3. Umbral de sensibilidad ajustable mediante el terminal de puerta.
4. Compensacin de temperatura mediante una polarizacin adecuada.
5. Tolerancia de radiacin superior.
6. Menor tensin de offset, que permite un comportamiento superior como conmutador.
7. Mayor ganancia de potencia que en muchos fototransistores.
8. Superior respuesta en frecuencia que en los fototransistores.
FOTODISPOSITIVOS- 36
Las desventajas de los fotofet son:

1. Menor rea efectiva sensible.
2. Menor sensibilidad y D* que algunos fotodiodos de rea mayor.
3. Mayor mnimo de corriente oscura que en los fotodiodos (baja polarizacin) y aumento
del Consumo de potencia inherente a la baja tensin puerta-surtidor necesaria para una
alta g
fs
y baja corriente oscura.
4. Respuesta lenta y mayor ruido trmico y se requiere un resistor de puerta alto para tener
sensibilidad.
5. Margen lineal limitado (caractersticas de transferencia).

Como ejemplo de un diseo sencillo con fotofet, con relacin a la Figura 40(b), se supondr lo
siguiente: El fotofet es un P237 (Fig. 41),

VDD= + 12 V R
G
= 1 M R
D
= 2.7 k

y la irradiancia incidente = 0,1 mW /cm
2
. Entonces.

( )
( ) A cm mW
cm mW
A
I
foto

3 . 0 1 . 0
3
2
2
=

V
GS
R
G
I
foto
0.3 V
I
D
= V
GS
g
fs
0.3 (2x10
-3
) = 0.6 mA
V
D
= I
D
R
D
= 0.6 mA (2.7 K) = 1.62 V

La relacin de I
G
a I
GSS
(relacin seal-corriente oscura) para V
GS
= 2 V, es probablemente
mayor de l0
4
.
La Figura 42 muestra un circuito de un amplificador operacional diferencial fotofet, muy til
en aplicaciones radiomtricas lineales de bajo nivel. El segundo fotofet, en la oscuridad, cancela
los desplazamientos de la seal debidos a temperatura y otras causas, porque cualquier grado
razonable de ajuste, hace que las corrientes de prdida de puerta cambien similarmente con la
temperatura, etctera, y producen tensiones de surtidor iguales. Como el amplificador diferencial
responde slo a las diferencias entre las tensiones de entrada, la diferencia entre las salidas de los
fotofet se reducir por la accin conjunta y mejorar la estabilidad del sistema. El fotofet se
conecta en configuracin de seguidor de surtidor, y por tanto, producen una ganancia de tensin
casi unidad y una impedancia de entrada muy alta, permitiendo que toda la fotocorriente fluya
por el resistor de realimentacin. El potencimetro del surtidor permite poner a cero el sistema
y/o un ajuste fino para el punto ptimo de polarizacin del FET.








FOTODISPOSITIVOS- 37
Figura 42. Circuito fotofet diferencial para reducir la desviacin.

Los resistores de surtidor (R
S1
, R
S2
y R
SP
, de la Fig. 42) se escogen de la siguiente forma. La
polarizacin ptima del fotofet determina la variacin con la temperatura de las caractersticas I
D
en funcin de V
DS
, en un trazador de curvas. Esto determina el mejor punto de funcionamiento
para un desplazamiento trmico mnimo. Con relacin a Q
2
, en la Fig. 42, se supone que los
valores ptimos de V
GS
y de I
D
son -3 V y 1 mA, respectivamente. Como la cada de tensin en
R
G2
es despreciable, V a 0V, V
B
= + 3 V para una polarizacin apropiada y V
DS
= 9 v.
Suponiendo que el contacto de R
SP
est centrado, la tensin desde el contacto a S
2
es 15 V.
Considerando que I
D
I
S
, el valor ptimo de I
D
= 1 mA se obtiene cuando:

R
S2
+ R
SP
= 15 V /1 mA = 15 k

Escogiendo R
SP
, R
S1
y R
S2
de 10 k se cumplen los requerimientos para una resistencia total
desde S
1
a S
2
de 30 k y R
SP
es adecuada para 16% de variacin en la polarizacin.
Las ventajas del FET como conmutador, son tensin de offset cero y alta impedancia de
entrada. Otra ventaja adicional de aislamiento entre la entrada y el conmutador se obtiene
combinando fotofet con lmparas miniatura o con diodos emisores de luz como entrada.




FOTODISPOSITIVOS- 38
FOTOTIRISTORES(LASCR)

Los fototiristores son como los fototransistores o FET muy similares a sus correspondientes
convencionales, excepto en la adicin de una ventana o lente para enfocar la luz en un rea
apropiada. Tienen tres terminales, y por tanto, el umbral del disparo ptico puede controlarse
electrnicamente. La ventaja principal del fototiristor es que es un excelente conmutador, con una
capacidad de gobernar potencias muy superiores a otros fotodetectores. Con refrigeracin
apropiada, algunos fototiristores pueden trabajar a unos cientos de voltios con un ampere.
Figura 43. SCR activado por luz. Seccin, smbolo y construccin.

La Figura 43 muestra un corte de un foto-SCR tpico. Con polarizacin apropiada los
fotones entrantes crean pares electrn-hueco en la vecindad de la segunda unin y estos
portadores libres son atrados a travs de las uniones produciendo una corriente nodo-ctodo. A
un cierto nivel de radiacin, la ganancia neta de corriente del dispositivo excede a la unidad y la
corriente nodo-ctodo slo viene limitada por la impedancia exterior. En este punto, el SCR ha
cambiado de ser un conmutador prcticamente abierto a uno casi en cortocircuito, como se ve en
la Figura 44.















Figura 44. Circuito tpico con LASCR

FOTODISPOSITIVOS- 39
La salida de un foto-SCR no es proporcional a la radiacin incidente como en el caso de los
fotodetectores anteriores. El foto-SCR est CORTADO (baja corriente de nodo) antes que una
irradiancia adecuada lo dispare (Figura 45) y CONDUCE en cuanto se supera el umbral ptico.
La corriente de nodo no vara prcticamente con el nivel de luz. Como los fototiristores se
aproximan a los conmutadores, sus aplicaciones principales son para sistemas pticos lgicos,
tales como contadores clasificadores y funcionamiento como rels.
Figura 45. Caractersticas de disparo (por luz) de un LASCR.

La mayora de las aplicaciones de 1os foto-SCR requieren una resistencia externa entre la
puerta y el ctodo que puentea efectivamente parte de la corriente en la porcin npn del
dispositivo. De aqu que la resistencia puerta-ctodo (R
G
K) determine la sensibilidad a la luz
(figura 46) y a su vez influye en los efectos de temperatura, respuesta en frecuencia y dv/dt.
Aumentando R
G
K aumenta la sensibilidad a la luz ya la temperatura, pero disminuye la respuesta
en el tiempo. Como puede esperarse, el nivel de disparo de un foto-SCR depende de la
temperatura de la unin, de la tensin aplicada, etc.
La Fig. 44 muestra lo esencial de un circuito con foto-SCR. Antes que se alcance el umbral
ptico, el SCR est CORTADO y solo Huye una pequea corriente de prdida (unos A) de
nodo a ctodo, por tanto, la carga no tiene conexin a masa. Cuando la irradiancia alcanza el
valor de disparo adecuado, el SCR CONDUCE 0,9 A. Como el foto-SCR no se CORTA al
eliminar la luz, debe emplearse un mtodo de conmutacin. C
1
es necesario para evitar que el
SCR conduzca con un falso disparo si la alimentacin se aplica muy rpidamente.
FOTODISPOSITIVOS- 40

Figura 46. Sensibilidad en funcin de resistencia puerta-ctodo.

La figura 47 muestra dos circuitos para manejar SCRs de potencia controlados por luz con
LASCR. El circuito de la figura 47 (a) es un rel normalmente abierto y l (b) normalmente
cerrado.

(a) (b)
Figura 47. Reles con SCR (a) Normalmente abierto, (b) Normalmente cerrado.


FOTODISPOSITIVOS- 41
Los dispositivos sensores de luz se pueden usar para disparar el circuito de control para un
motor reversible. La figura 48 muestra un circuito activado por luz para controlar la direccin de
rotacin de un motor usando dos triacs. El transformador T
1
es seleccionado para tener en el
secundario un voltaje de CD de 6 a 24 volts.


ma
V
I
V
I
V
R R
Gate Gate
100
1
2
1
1
1
2 1
= = = = R
5
10 ohms

Cuando la luz le da al LASCR
1
el triac 1 se pondr on girando el motor en un sentido. Al no
darle luz al LASCR
1
el triac
1
se apaga y al darle la luz al LASCR
2
el triac
2
se pondr on
provocando el cambio de sentido de giro en el motor.

Figura 48. Circuito de control del sentido de giro de un motor de induccin.

La figura 49 muestra un circuito para controlar el paso por una puerta usando una barrera de
luz. Con la puerta cerrada y llegando luz al LASCR la corriente circula de la terminal 1 por R
1
, el
LASCR y a tierra, estando el SCR
1
apagado. Cuando se interrumpe el haz, el LASCR se apaga
circulando corriente por R
1
, D
1
cargando al capacitor al mximo, permitiendo a la vez que el SCR
conduzca activndose el rel permitiendo que la puerta se abra, al momento que llegue el haz de
nuevo al sensor la constante de tiempo del circuito formado por C, R
3
y R
4
mantiene conduciendo
al SCR y la puerta esta abierta. Cuando la descarga de C no pueda mantener conduciendo al SCR
la puerta quedara de nuevo asegurada. Si de nuevo se interrumpe el haz estando la puerta abierta
el ciclo se reinicia ya que con la nueva interrupcin se recarga el capacitor, permitiendo as el
paso de un grupo de personas.

FOTODISPOSITIVOS- 42

Figura 49. Control de una puerta con barrera de luz.


FOTODISPOSITIVOS- 43
CELDAS FOTOVOLTAICAS

Ya hemos visto que si la energa de los fotones que llegan a un semiconductor es suficiente,
superior al trabajo de extraccin, o sea, a la que hace falta para hacer pasar los electrones
perifricos de los tomos del semiconductor de la banda de valencia a la de conduccin, esos
electrones presentaban una cierta energa cintica:

1/2 mv
2
= h (v v
o
)

Esta energa se manifiesta en un fotodiodo en forma de una diferencia de potencial que
aparece en bornes de la unin. Tal es efectivamente lo que comprobamos si conectamos un
galvanmetro en bornes de un fotodiodo y lo iluminamos. Si el galvanmetro presenta una
resistencia interna suficientemente baja para que, vista desde la unin, pueda ser asimilada aun
cortocircuito, podemos comprobar experimentalmente que la corriente de cortocircuito del
fotodiodo es directamente proporcional ala iluminacin. En cuanto a la fuerza electromotriz, sube
bastante rpidamente cuando crece la iluminacin, para llegar a una saturacin.
Por lo tanto, los fotodiodos de unin se pueden usar como generadores en ese caso se llaman
celdas fotovoltaicas. En realidad, las celdas fotovoltaicas de unin se diferencian de los
fotodiodos por la configuracin de la superficie activa, de su unin. Los hay que presentan una
superficie activa de varios centmetros cuadrados.


La figura 50 muestra el smbolo, un corte esquemtico y las curvas caractersticas e una
fotocelda, en principio, prcticamente todos los semiconductores utilizados para la fabricacin de
fotodiodos pueden entrar en la de las celdas fotovoltaicas; pero en la prctica los ms usados son
los de silicio. Hay otros tipos de celdas fotovoltaicas llamadas de barrera superficial, que se
obtienen partiendo de un depsito de semiconductor policristalino en una placa metlica, que
forma el electrodo posterior, el anterior est constituido por un depsito de oro bastante fino para
resultar transparente, o por un depsito metlico en forma de rejilla Los semiconductores ms
usados en la fabricacin de estas celdas son actualmente el selenio y el telururo de cadmio. Desde
el punto de vista de la corriente de cortocircuito y de la fuerza electromotriz, las celdas de capa
de barrera se comportan de la misma manera que las de unin.


Una ventaja sobre la mayora de los fotodetectores es que no requiere una alimentacin
exterior para el funcionamiento ya que la salida es en voltaje. Las principales aplicaciones son.

1. Detectar la presencia de un cuerpo opaco(figura 51).
2. Detectar el grado de translucidez (Capacidad de dejar pasar luz) o el grado de
luminiscencia (Capacidad para generar luz) de un fluido o un slido (figura 52).






FOTODISPOSITIVOS- 44

































(a)



(b)
(c)

Figura 50. (a) Smbolo. (b) Corte esquemtico. (c) Curvas del voltaje de circuito abierto y la
corriente de cortocircuito de una celda fotovoltaica.


La figura 51 es un ejemplo tpico del uso de la fotocelda en aplicaciones industriales donde el
arreglo lmpara-celda esta acoplado tomando en cuenta la iluminacin del medio, el circuito
permite detectar un objeto entre la lmpara y el sensor, esto es para detectar por ejemplo cuando
FOTODISPOSITIVOS- 45
un operador industrial no a retirado las manos en una troqueladora y de este modo no permitir
que la maquina accione.


Figura 51. Aplicacin tpica de una celda fotovoltaica.


La figura 52 muestra una aplicacin donde el arreglo lmpara-fotocelda se usa para detectar
concentracin de productos qumicos (hipoclorito de sodio (cloro)), esto se logra con la
coloracin del producto o con la viscosidad del producto. En el diagrama podemos ver que la
concentracin depende de la iluminacin que le llega a las celdas fotlvoltaicas el circuito puente
nos permite calibrar el galvanmetro para detectar concentracin.




Figura 52. Medidor de concentracin en productos qumicos.

FOTODISPOSITIVOS- 46



La figura 53 muestra un circuito para un uso extraordinario de la celda fotovoltaica, este uso
se debe a que las cmaras fotogrficas son muy pequeas, el uso es para el exposmetro el cual
permite ajustar la cantidad de luz que le llega a la pelcula y as tomar mejores fotografas.






Figura 53. Control de exposicin fotogrfica con celda fotovoltaica.


FOTODISPOSITIVOS- 47
DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)

El hecho de que las uniones pn puedan absorber luz y producir una corriente elctrica, se
estudi anteriormente. Lo contrario tambin es posible; es decir, un diodo de unin puede emitir
luz o tener electroluminiscencia(EMISIN DE LUZ POR UN SLIDO EXITADO POR UN
CAMPO ELECTROSTATICO). Esta emisin de luz debida a la inyeccin de electrones en un
semiconductor, es uno de los hechos ms notables en la tecnologa moderna de semiconductores.
La luz emitida en este caso procede de la recombinacin electrn-hueco. Esto se ve claramente al
considerar que cuando un electrn se recombina, cae desde un nivel sin ligadura, o de alta
energa, a su estado neutro y se obtiene luz de una longitud de onda correspondiente a la
diferencia de niveles de energa asociada con esta transicin. En los diodos emisores de luz de
estado slido (LED), el suministro de electrones de mayor energa proviene de la polarizacin
directa, inyectando as electrones en la regin n (y huecos en la regin p), como muestra la
figura 68. Los huecos y electrones inyectados se recombinan con los portadores mayoritarios
prximos a la unin. La radiacin por recombinacin es emitida en todas direcciones,
observndose la mayor luz en la superficie superior porque el promedio de material entre la unin
y esta superficie es mnimo. [La electroluminiscencia tambin ocurre en materiales de una pieza,
o sin dopar, en condiciones de fuertes campos elctricos, sin embargo, una unin dopada tiene un
rendimiento grande, lo que significa una generacin en exceso de electrones y huecos a niveles
de energa apropiados].


(a)

FOTODISPOSITIVOS- 78
(b)
Figura 72. Seccin de un diodo emisor de luz (LED). (a) Explicacin de funcionamiento. (b)
construccin tpica.

La Figura 73(a) es un diagrama de niveles de energa, que se emplea para describir la
radiacin que tiene lugar en un LED. La multitud de cristales que se han empleado para construir
LED se muestra en la Fig. 73(b). Se observar que varias de las sales de plomo empleadas en
fotodetectores de infrarrojos tambin se emplean como emisores de luz electroluminiscentes.
Realmente, en cualquier semiconductor con polarizacin directa, se producen transiciones
radiativas o no, pero en muchos predomina esta ltima, o los fotones perdidos son tantos que no
se observa ninguna radiacin exterior.

Materiales mas comunes para construir LEDs

Material --------- Banda de energa(eV) --Long. de onda(nm) ---Tipo de Transicin

Germanio (Ge) 0.66 1880 Indirecto
Silicio (Si) 1.09 1140 Indirecto
GaAs 1.43 870 Directo
GaP 2.24 560 Indirecto
GaAs
60
P
40
1.91 650 Directo
AlSb 1.60 775 Indirecto
InSb 0.18 6900 Directo


FOTODISPOSITIVOS- 79
Figura 73. (a) Diagrama de niveles de energa para varios LED y las transiciones asociadas.
(b) varios materiales cristalinos y la porcin del espectro en la cual emiten radiaciones.

El GaAs es uno de los materiales ms antiguos y mejores para LED. Una de las ventajas
principales del GaAs es que tiene una gran probabilidad de transicin directa radiactiva. Es
decir, toda transicin directa es siempre de la banda de conduccin a la de valencia, A en la Fig.
73(a). As pues, la energa de radiacin en el GaAs es casi igual a la de la banda prohibida, es
decir 1,4 eV (Tabla 6), lo cual corresponde a la longitud de onda de 885 nm.
El GaP y el GaAsP se emplean para fabricar LED visibles y sus transiciones ms probables
son B y C respectivamente, en la Fig. 73(a). El GaP es un semiconductor indirecto de poco
rendimiento. Ocurre una transici6n indirecta cuando difieren los momentos del electrn y el
hueco (momento = masa x velocidad). En este caso ocurre una transicin intermedia y la energa
se pierde en forma de calor. Una mezcla de GaAs y GaP con 45 % de GaP es un material de
banda directa con intervalo de energa de 1,97 eV, o longitud de onda de emisin de 630 nm.
Cuando se aumenta la proporcin de GaP en un LED de GaAsP la longitud de onda disminuye.
LEDs de GaAsP con GaP pueden fabricarse para emitir en cualquier Onda entre 550 nm y 910
nm (siendo 555 nm el pico de la respuesta del ojo).






FOTODISPOSITIVOS- 80
El material de construccin para LEDs es el GaAsP, a este material le podemos cambiar la
relacin de impurezas(AsP) lo que permite diversas longitudes de onda(colores) sobre la base de
la siguiente ecuacin Ga As
1-X
P
X
(x es una fraccin de mol), para x=1(verde), x=0.85(amarillo),
x=0.40(rojo) y x=0(infrarrojo).

El rendimiento cuntico del LED convencional de infrarrojos (fotones de salida por electrn
de entrada) ha aumentado considerablemente, pero an es bajo. Puede aumentarse
considerablemente trabajando en la regin del lser. La relacin entre la energa de luz visible a
la energa elctrica de entrada para un LED, es menor de 1 %. (El rendimiento del GaAsP es
mximo a 650 nm y cae a mayor o menor longitud de onda). Para tener una inyeccin
luminiscente eficaz o un alto rendimiento de conversin de energa elctrica en energa de
recombinacin, es necesario: (1) una buena alimentacin o inyeccin de portadores minoritarios,
(2) un alto rendimiento de recombinacin radiativa, y (3) una elevada probabilidad de los fotones
de escapar del LED. Para tener el mximo rendimiento de un LED, los fabricantes:

1. Utilizan los materiales menos absorbentes y de alto rendimiento directo con cristales lo
menos defectuosos posible, de forma que los portadores o fotones no se pierdan en el
sistema, atrapados en los defectos del cristal.
2. Colocan lentes con ndices de refraccin lo ms prximos posible al del material del LED,
de forma que se refleje la menor luz posible hacia el interior cuando atraviesan la
separacin LED-aire.
3. Trabajan en funcionamiento intermitente para eliminar problemas de Saturacin y
temperatura.
4. Enfran los dispositivos para disminuir el nmero de transiciones no radiantes originadas
por la dispersin de estados de energa cuando se aade energa trmica.


La mayora de los LEDs tienen un encapsulado comercial de plstico con una lente
directamente sobre la unin p-n. No todos los fotones generados por la unin salen de la
superficie del LED, tres elementos separados disminuyen la cantidad de fotones emitidos.

1. Perdidas debidas a los materiales de construccin(GaAsP/GaAs =0.15, GaAsP/GaP
=0.76).

2. Perdidas FRESNEL(en dos elementos con diferente ndice de refraccin una parte de la
radiacin se refleja).

( )
2
1
1
2
2
2
4

+ +
=
F


3. Perdidas por ngulo critico.
2
1
2

C


FOTODISPOSITIVOS- 81
La unin de todas las perdidas nos da:



Las ecuaciones anteriores se aplican cuantas veces sea necesario, es decir cuando el LED esta
construido por varias capas hay perdidas entre cada cambio de ndice de refraccin y las perdidas
se multiplican para encontrar el total. Con la figura 74 nos damos cuenta de la desviacin de los
haces de luz y el ngulo critico segn el tipo de encapsulado.












Figura 74.





La figura 75 muestra la forma y caractersticas de un LED tpico de tipo T 1-3/4.

C F ABS optica

.
=

FOTODISPOSITIVOS- 82




























Figura 75. LED tpico.








La intensidad de la iluminacin de un LED depende de la caracterstica de aumento de la lente
del encapsulado como lo muestra la figura 76.

CURVA A x=0, FLUJO LUMINOSO = I
V1


CURVA B x=r, FLUJO LUMINOSO = n
2
I
V1


CURVA C x > D/2, FLUJO LUMINOSO < n
2
I
V1


Figura 76.
FOTODISPOSITIVOS- 83

El patrn de luminosidad en un LED es importante y generalmente las caractersticas nos
dicen la luminosidad a media intensidad. Esto es el ngulo al cual la intensidad luminosa es la
mitad de la del eje del LED, como se muestra en la figura 77.























Figura 77.






El patrn de iluminacin depende del tipo de encapsulado como lo muestra la figura 78.




FOTODISPOSITIVOS- 84

La Figura 79 muestra la hoja de datos de un LED de infrarrojos tpico. Se observarn las
velocidades de nanosegundos, los valores de mxima corriente y tensin, la mxima potencia de
salida radiante, el rendimiento [P
salida
/I
F
(V
F
)], unos nanometros de anchura de emisin, la
disminucin de la potencia de salida radiante al aumentar la temperatura, las caractersticas
corriente-tensin, y la potencia radiada en funcin de la corriente directa. Los LED de GaAs han
sido fabricados con rendimientos y potencias de salida superiores a las indicadas en la Figura
79(a) (6% y 200 mW). Puede ser interesante analizar dos de las caractersticas. Primero, si se
traza una recta sobre la curva P
salida
en funcin de I
entrada
, en la Figura 79(d), se observa que la
caracterstica es lineal, slo por encima de 30 mA. La Figura 79(e) muestra que la potencia
radiante de un LED de GaAs se duplica, aproximadamente, por cada 40
o
C que disminuye la
temperatura. Esta P
salida
/ T es bastante constante en todas las unidades, pero vara el nivel de
comienzo.
Con relacin ala Figura 79(d) se ve que existe una relacin sencilla y directa entre I
entrada
y
P
salida
; por tanto, un medio de compensar por temperatura es duplicar la corriente directa por cada
40
o
C de aumento en la temperatura. Hay dos configuraciones para realizar esta compensacin,
ms el excitador correspondiente, como se ve en la Figura 80. En la Figura 80(a), el coeficiente
negativo de temperatura del LED (Fig. 79(e) se anula por el coeficiente positivo de la corriente de
colector del transistor (Ic). El valor de R
E
, en tal aplicacin, es de unos cuantos ohms, y el valor
ptimo se encuentra mejor por experimentacin.
FOTODISPOSITIVOS- 85
Figura 79. Datos tpicos de un LED de GaAs. (a) Especificaciones; (b) caractersticas; (c)
espectro de emisin; (d) potencia de salida radiante en funcin de 1a corriente directa; (e)
potencia de salida radiante en funcin de 1a temperatura; (f) dependencia de 1a
temperatura del espectro de salido
FOTODISPOSITIVOS- 86
La Fig. 80(b) emplea un circuito con resistor-termistor y un amplificador operacional para
obtener la compensacin por temperatura. Suponiendo el amplificador ideal (corriente de entrada
despreciable, o diferencia de tensin entre terminales de entrada igual a cero) se observar que V
1

V
2
V
C
; por tanto, la misma tensin aparece en R
l
y R
2
, o I
entrada
= V
1
/R
1
y por tanto, I
salida
=
V
1
/R
2
. La ganancia de corriente del amplificador es:

2
1
1 1
2 1
/
/
R
R
R V
R V
I
I
entrada
salida
=

Como los termistores tienen un coeficiente de temperatura negativo, o su resistencia
disminuye al aumentar la temperatura, I
entrada
aumentar con la temperatura y le seguir I
salida
. El
circuito resistor-termistor de la Figura 80(b) puede disearse con una R/T que equilibre la
demanda de corriente directa del LED para una P
salida
constante, dentro de un determinado
margen de temperatura.
La situacin del pico espectral de salida de un LED es tambin funcin de la temperatura
(Figura 79(f)). La longitud de onda de emisin aumenta con la temperatura, porque el intervalo
de energa disminuye al aumentar la temperatura. La respuesta de algunos fotodetectores de Si es
relativamente constante en esta regin de longitud de onda. Esta desventaja puede convertirse en
una propiedad til, variando la temperatura del LED para analizar la salida espectral en este
margen. Esta aplicacin elimina la necesidad de filtros pticos que se emplean generalmente para
obtener resolucin espectral.
Figura 80 Compensacin de temperatura para excitacin de LED; (a) Transistor; (b)
amplificador operacional-termistor.
FOTODISPOSITIVOS- 87

Resumiendo las ventajas de los LED:

1. Velocidades extremadamente altas (pocos nanosegundos).
2. Ancho de banda espectral estrecho, centrado prximo al pico de respuesta de muchos
detectores de Si.
3. Bajo costo.
4. Larga vida comparada con las lmparas.
5. Linealidad en un amplio margen en P
salida
en funcin de I
entrada
.
6. Adaptable a funcionar con lser coherente.
7. Funcionamiento a baja tensin, lo cual los hace compatibles con circuitos integrados.
8. Variedad de colores.

Las desventajas del LED son:

1. La potencia de salida radiante y la situacin del centro de longitud de onda dependen de la
temperatura.
2. Fcil destruccin por sobretensin o sobrecorriente.
3. Tericamente no se consigue buen rendimiento excepto con enfriamiento especial o
trabajo intermitente.
4. Ancho de banda ptico grande, comparado al lser.

Uno de los usos ms comunes del LED es como fuente de luz de alta velocidad y longitud de
onda conocida para comprobar la linealidad, velocidad, etctera, de circuitos de deteccin
optoelectrnicos. La Figura 81(a) muestra un dispositivo tpico econmico donde se dispone de
una rampa lineal o una onda cuadrada de luz dentro del margen de mega hertz. En este circuito
debe tenerse cuidado de no exceder la tensin o corriente del LED, sin embargo, la tensin
inversa es ms alta que la directa, con lo cual es necesario insertar una batera para obtener unas
tensiones directas e inversa mximas simtricas. La Figura 81(b) demuestra la tcnica de
proteccin de un LED, utilizando un resistor serie, limitador de corriente. Suponiendo una
entrada de + 6 V y el LED 4107 de la Figura 79(a), la corriente directa mxima del LED es 100
miliamperios, y la tensin mxima 1.3 V. Por tanto,

47
100
3 . 1 6
mA
V V
R
limitadora


La proteccin de tensiones de entrada negativas puede conseguirse aadiendo un diodo serie
de baja prdida para limitar la corriente inversa del LED.








FOTODISPOSITIVOS- 88

Figura 81. (a) Circuito de instrumento de calibracin empleando un LED;
(b) proteccin del LED.

Unidades individuales y conjuntas de fuentes de luz de estado slido acopladas a fotodiodos
tienen aplicacin en codificadores, multiplexores, aislamiento y comunicaciones. Uno de los
mayores mercados para estos conjuntos es para reemplazar los dispositivos de lectura con tubos
de vaco, tales como los tubos Nixie, las lmparas incandescentes o de descarga gaseosa, e
incluso los TRC.
Las figuras 82 y 83 muestran aplicaciones de LEDs en la figura 82 vemos el uso del LED
visible a la salida de circuitos TTL para monitorear estas. La figura 83 muestra tres moduladores
ara LED dos digitales y uno analgico.












Figura 82.
FOTODISPOSITIVOS- 89

MODULADOR DIGITAL CON TTL
Figura 83.



FOTODISPOSITIVOS- 90
LASER SEMICONDUCTOR DE INYECCIN

La accin del lser es tambin posible en una unin de semiconductor, como se muestra en la
Figura 84(a). La diferencia principal entre esta estructura y la de un LED convencional es la
precisin en el corte del plano inicial y el pulido, el funcionamiento a tensiones y corrientes
directas ms altas y el hecho de que se produce luz coherente. Las aplicaciones ms importantes
del lser de inyeccin de semiconductor son las comunicaciones, la direccin y medida de
distancias pticas, la instrumentacin y control y la visin nocturna.




Figura 84. (a) Lser tpico con diodo de unin GaAs; (b) intensidad de emisin en funcin
de la corriente en un lser GaAs; (e) estrechamiento tpico del espectro observado por
encima del umbral laser.

La cavidad ptica en el lser de inyeccin consiste en un paraleleppedo, definido por las caras
del cristal y la regin desierta, como muestra la Fig. 84(a). Por lo tanto, las caras cumplen la
misma misin que los espejos reflectores en un lser de gas. Los lmites de la regin desierta,
aunque no muy ntidos y con muy diferente ndice de refraccin, cumplen el mismo objeto que la
FOTODISPOSITIVOS- 91
varilla de rub en le lser de rub. En este tipo de lser de inyeccin, la salida aumenta bastante
linealmente con la densidad de corriente, en forma similar a la emisin espontnea de un LED
normal, hasta alcanzar un determinado umbral. Entonces el brillo aumenta en dos o tres rdenes
de magnitud, como muestra la figura 84(b). El aumento del brillo va acompaado de un notable
estrechamiento del a ancho espectral, como se ve en la Figura 84(c). En el lser de inyeccin la
corriente directa produce la inversin de poblacin o bombeo; la misma corriente proporciona los
electrones y huecos que s recombinan y producen la adecuada densidad de fotones para sostener
la emisin estimulada; la directividad la proporciona la cavidad ptica anteriormente citada.
La Figura 85 muestra los datos de un lser de inyeccin de GaAs tpico, capaz de trabajar a
impulsos, a temperatura ambiente. Muchas de las caractersticas del lser de inyeccin de
semiconductor dependen de la temperatura, como ponen en evidencia las Figuras 85(b) y (c).
Como en el LED convencional, cuando aumenta la temperatura el intervalo de energa
disminuye, los lugares de intercepcin aumentan, y ms transiciones se hacen no radiativas, es
decir, disminuye la potencia de salida (Fig. 85(b)).

Figura 85. Datos del lser de diodo de GaAs (no son todos para el mismo diodo).
(a) Especificaciones; (b) corriente de pico directa en funcin de la potencia de salida a
distintas temperaturas; (c) dependencia con la temperatura de la corriente de umbral.
FOTODISPOSITIVOS- 92

El umbral de corriente del lser depende enormemente de la temperatura de las uniones, como
se observa en la Fig. 85(c). (La longitud de onda de emisin vara tambin con la temperatura, en
forma similar a la de la figura 79(f)). Por estas razones, el lser de inyeccin de estado slido
trabaja a menudo a temperaturas prximas al cero absoluto. Los circuitos de la figura 83 son
validos para el diodo lser semiconductor.






SISTEMAS PTICOS


Cada sistema ptico incluye una fuente de flujo ptico, un medio de transmisin y un
detector, en el anlisis de los sistemas, el flujo luminoso y la responsividad del sensor son
considerado constantes y consecuentemente los cambios de incidencia en el sensor son
resultantes de la modificacin de la transmisin. La figura 86 muestra las diferentes de
modulacin del patrn de flujo.
Figura 86. Diferentes tcnicas de modulacin del patrn de flujo.

En circuitos optoelectronicos donde tenemos un transmisor y un receptor ptico es comn que
estn acoplados como se muestra en la figura 87 para acoplamiento reflectivo y en la figura 88
para acoplamiento transmitivo.






FOTODISPOSITIVOS- 93
Figura 87. Acoplamiento reflectivo.











.
Figura 88. Acoplamiento

transmitivo por lentes

delgadas












FOTODISPOSITIVOS- 94
DISPLAYS (VISUALIZADORES)

TIPOS DE TECNOLOGIA DE FABRICACION

FLUORESCENTES AL VACIO.- Constan de tubos de vaco con nodos recubiertos de
fsforo. Cuando circula corriente por los filamentos, estos liberan electrones que bombardean los
nodos ocasionando que emitan luz.
PLASMA CC.- Se basa en la ionizacin del gas nen contenido en un recipiente cerrado.
Cuando se aplica un voltaje elevado de c.c. entre las terminales A y K el gas empieza a ionizarse,
emitiendo una intensa luz de color naranja.
CRISTAL LIQUIDO (LCD).- Utilizan compuestos de fluidos orgnicos cuyas propiedades
de transmisin de luz se pueden alterar al aplicar un voltaje de c.c. o c.a. y la forma de segmento
punto aparece a la vista en contraste con los alrededores. No emiten luz por si mismos y no se
ven en la oscuridad.
INCANDECENTES.- Estn construidos a partir de filamentos individuales de tungsteno
sellados en recipientes de vidrio. Al pasar corriente por un filamento ocasiona el calentamiento e
iluminacin con luz blanca.
VLED.- Son arreglos con leds redondos o rectangulares colocados lado a lado dependiendo
del tipo y forma del visualizador.

COMPARACIN DE LAS CARACTERSTICAS DE LOS DISPLAYS

Caracterstic
as
LED Al vaco Plasma Cristal
lquido
Incandescent
es
Brillo Bueno a
excelente
Bueno Bueno a
excelente
No disponible Cualquiera
Colores Rojo, naranja,
amarillo
Rojo,
amarillo,
verde y azul
naranja Iluminacin
externa
Cualquiera
Tipo de
caracteres
7 16 seg.
Matriz de
puntos
7 16 seg.
Matriz de
puntos
7 16 seg.
Matriz de
puntos
7 16 seg.
Matriz de
puntos
7 16 seg.
Temperatura -40 a 85 0 a 55 0 a 55 -20 a 60 -40 a 85
Voltaje 1.6v a 5v 10 a 35
(Vcd)
125 a 180
(Vcd)
3 a 20 (Vcd) 3 a 5 (Vcd)
Potencia/dgit
o
10 a 250 mW 20 a 250 mW 175 a 750
mW
10 a 250 mW 100 a 700
mW
Tiempo de
respuesta
50 a 500
nSeg.
1 a 10 Seg. 15 a 500
Seg.
50 a 200
mSeg.
10 mSeg.
Tiempo de
vida
100 000 hr. 50 000 hr. 50 000 hr. 50 000 hr. 1000 a 20
000 h


La tecnologa del Display con LED es relativamente nueva comparada con algunas tcnicas
listadas arriba. Basado en el uso, tamao, y en los requerimientos de manejo, estos Displays se
pueden dividir en cuatro categoras:
FOTODISPOSITIVOS- 95

1. Displays con C. I. Integrado.
2. Displays de siete segmentos.
3. Displays monolticos (con burbujas magnificadoras).
4. Displays de matriz de puntos.

La ms prominente caracterstica de los Displays es el arreglo fsico de los elementos. Este
arreglo o patrn es importante no solo por el tipo de informacin a transmitir sino por la
complejidad del soporte electrnico requerido por el Display. La figura 89 muestra los patrones
ms comunes en los Displays, los patrones A y C son los mas usados, el A para informacin
numrica y el C para informacin alfa-numrica.
La porcin visible que representa el Display en un sistema electrnico es solo la mnima parte
que convierte cdigos elctricos en informacin visual. La figura 90 muestra un diagrama tpico
de un subsistema de Display.
Figura 90. Subsistema tpico de Display.
FOTODISPOSITIVOS- 96



Figura 89. Patones ms comunes usados en Displays con LEDs.





Para muchas aplicaciones, es deseado un subsistema de Display empacado separadamente y
con una configuracin compacta a distancia de la fuente de datos. A la configuracin de este tipo
se le llama OBIC por sus iniciales en ingles.
El costo de una configuracin OBIC es mayor que aquella que en su interior no tienen C.I.
Hay algunas ventajas de este tipo de configuracin que compensan el costo inicial:

1. Las conexiones entre los C.I. integrados son reducidas y disminuyen a medida que
aumenta la integracin.
2. El diseo de sistema de Display es simplificado.
3. Los costos de manufactura y el tiempo requerido para ensamble se han reducido al
mnimo.
4. La confiabilidad en el Diasplay se ha incrementado considerablemente.
5. Menos espacio requerido para montar el sistema de Display.
6. Este sistema puede ser modificado a una matriz de 4x7 y se aaden mas funciones.

La figura 91 muestra un Display del tipo OBIC y la figura92 muestra la correccin para
convertir un OBIC en matriz de 4X7.





FOTODISPOSITIVOS- 97

Figura 91. Display tipo OBIC.
Figura 92. Display de matriz de 4x7 partiendo de un Display OBIC:
FOTODISPOSITIVOS- 98

Los Displays de siete segmentos tienen LEDs encapsulados en cavidades especiales de forma de
cono rectangular donde el LED esta en la parte ms estrecha al fondo, la parte de arriba forma un
segmento del Display como se muestra en la figura 93. La figura 94 muestra un corte de un
segmento del Display.

Figura 93. Tcnica de ensamble de un Display de 7 segmentos.

Figura 94. Corte de un segmento.
FOTODISPOSITIVOS- 99
Es simple el mtodo para manejar un Display de siete segmentos, este tiene un decoder/driver
por cada digito. La figura 95 muestra lo sencillo de este concepto.

Figura 95. Diagrama a bloques de un drive para Display de 7 segmentos.

El ms eficiente mtodo para manejar un Display de varios dgitos es multiplexarlo como se
muestra en la figura 96.



Figura 96. Diagrama a bloques para un Display de seis dgitos multiplexado
FOTODISPOSITIVOS- 100
Los Displays monolticos represent uno de los grandes segmentos de la industria
optoelectronica. Este tipo de Displays tenia el mayor uso en calculadoras y relojes. Esta
aplicacin actualmente paso a los Displays de cristal liquido. El Display monoltico difiere del
Tradicional LED en que tiene un sustrato comn (es de ctodo comn) y el material p esta
difundido y formando los segmentos como se muestra en la figura 97. Estos Display tienen
generalmente una lente que permite que se vea el digito de mayor tamao, la figura 98 muestra
los dos tipos de construccin mecnica de Display monoltico.


Figura 97. LED monoltico.








FOTODISPOSITIVOS- 101









(a) (b)

Figura 98. Forma de construccin de un LED monoltico. (a) Con LED dentro de la lente.
(b) Con LED fuera de la lente.





La figura 99 muestra el arreglo de los LEDs de un digito de un Display de matriz de 5x7, la
lnea de los renglones se conecta a los nodos de los LEDs y estn designadas por nmeros
Romanos (I-VII). Las columnas estn conectadas a los ctodos de la columna particular (A-E).
Cada elemento de la matriz tiene un modo de ser designado de acuerdo al rengln y la columna.
La generacin de la informacin de los caracteres se vuelve ms compleja que las tcnicas de
los anteriores Displays. En el arreglo 5x7 se puede hacer de 5 o 7 pasos de dato donde estn
presentes en una secuencia como se muestra en la figura 100.


FOTODISPOSITIVOS- 102
Figura 99. Matriz de LEDs de 5x7.
Figura 100. Generacin del digito. (a) Usando renglones (b) Usando columnas.
FOTODISPOSITIVOS- 103

La figura 101 muestra un diagrama a bloques para un Display alfanumrico. De 5x7 manejado
por columnas.

Figura 101. Diagrama a bloques de una Display de 5x7 manejado por columnas.

















FOTODISPOSITIVOS- 104


DISPLAYS DE CRISTAL LIQUIDO (LCD)
El Display de cristal lquido tiene la gran ventaja de ofrecer un requerimiento menor de
potencia que el LED. El valor de esta cantidad para dicho LCD se encuentra en el orden de
microwatts, en comparacin con el orden de miliwatts correspondiente al LED. Sin embargo, esto
requiere una fuente luminosa externa o interna, a una temperatura entre 0
o
y 60 C cuya duracin
requiere atencin para evitar que los LCD se degraden qumicamente. Los tipos que reciben
mayor atencin en la actualidad son las unidades de efecto de campo y de dispersin dinmica.
Ambos se cubrirn con cierto detalle en esta seccin.
Un cristal lquido es un material (por lo general orgnico para los LCD) que fluir como un
lquido, pero cuya estructura molecular tiene algunas propiedades que se asocian normalmente a
los slidos. En las unidades de dispersin luminosa, el mayor inters se encuentra en el cristal.
Lquido nemtico, cuya estructura cristalina se presenta en la figura 102. Las molculas
individuales tienen una apariencia alargada como se muestra en la figura. La superficie
conductora de xido de indio es transparente y, en las condiciones indicadas en la figura, la luz
incidente simplemente atravesar y la estructura del cristal lquido aparecer clara. Si se aplica un
voltaje (para las unidades comerciales el nivel umbral se encuentra casi siempre entre 6 y 20 V)
entre las superficies conductoras, como se muestra en la figura 103, el arreglo molecular se
distorsiona, con el resultado de que se establecern las regiones con diferentes ndices de
refraccin. Por tanto, la luz incidente se refleja en diferentes direcciones en la interfaz entre las
regiones de ndice de refraccin distintas (lo que se conoce como dispersin dinmica, que fue
estudiada primero por la RCA en 1968), con el resultado de que la luz dispersada tiene la
apariencia de un vidrio opaco. No obstante, ntese en la figura 103 que el aspecto opaco ocurre
solo donde las superficies de conduccin se oponen una a la otra y que el resto de las reas
permanecen traslcidas.

Figura 102. Cristal liquido Nematico sin polarizacin aplicada.







FOTODISPOSITIVOS- 105

Figura 103. Cristal liquido nematico con polarizacin aplicada.

Un digito sobre un Display LCD puede tener la apariencia de segmento que se muestra en la
figura 104. El rea negra es en realidad una superficie de conduccin clara conectada a las
terminales de abajo para control externo. Se colocan dos mscaras similares en lados opuestos de
una capa gruesa sellada de material de cristal lquido. Si se requiriera el nmero2, se energizaran
las terminales 8, 7, 3, 4 y 5 y slo se pondran opacas las regiones correspondientes, en tanto que
las otras reas permaneceran claras
Figura 104. Display de dgitos de 8 segmentos de LCD.

FOTODISPOSITIVOS- 106
Como se indic antes, el LCD no genera su propia luz, sino que depende de una fuente externa
o interna. En condiciones de oscuridad sera necesario que la unidad contara con su propia fuente
luminosa interna, ya sea detrs o al lado del LCD. Durante el da, o en reas iluminadas, puede
colocarse un reflector detrs del LCD para reflejar la luz posterior hacia el indicador y as obtener
una intensidad mxima. Para lograr una operacin ptima, los fabricantes de los relojes de moda
estn usando una combinacin de los modos transmisivo (fuente luminosa propia) y reflexivo,
que se denomina modo transflectivo.
El LCD de efecto de campo o nemtico de giro tiene la misma apariencia de segmento y la
delgada capa de cristal lquido encapsulado, pero su modo de operacin es muy diferente. En
forma similar a la del LCD de dispersin dinmica, el de electo de campo puede operarse con el
modo reflexivo o transmisivo con una fuente interna. El Display transmisivo aparece en la figura
105. La fuente luminosa interna se encuentra a la derecha y el observador a la izquierda. Esta
figura resulta notablemente diferente de la figura 102 en cuanto a que hay adems un polarizador
de luz. Slo la componente vertical de la luz entrante a la derecha puede atravesar el polarizador
de luz vertical de la derecha. En el LCD de efecto de campo, la superficie conductora clara a la
derecha se graba qumicamente o se aplica una pelcula orgnica para orientar las molculas en el
cristal lquido en el plano vertical, paralelo a la pared de la celda. Obsrvense las barras en el
extremo derecho en el cristal lquido. La superficie conductora opuesta se trata tambin para
asegurar que las molculas estn 90 fuera de la fase en la direccin que se muestra (horizontal),
pero que sigan paralelas a la pared de la celda. Entre las dos paredes del cristal lquido hay un
flujo lento de una polarizacin a la otra, como se muestra en la figura.
Figura 105. LCD de efecto de campo transmisivo sin polarizacin aplicada.

El polarizador de luz del lado izquierdo es tal que tambin permite el paso slo de la luz
incidente polarizada verticalmente. Si no se aplica voltaje en las superficies conductoras, la luz
polarizada verticalmente entra a la regin del cristal lquido y permite 90 de deflexin de la
estructura molecular. Su polarizacin horizontal en el polarizador luminoso vertical del lado
izquierdo no le permite cruzarlo y el observador mira un patrn uniforme oscuro en todo el
indicador. Cuando se aplica un voltaje de umbral (de 2 a 8 V para unidades comerciales), las
FOTODISPOSITIVOS- 107
molculas alargadas se alinean ellas mismas con el campo (perpendicular a la pared) y la luz pasa
sin el corrimiento de 90
o
. La luz que incide en forma vertical puede pasar entonces directamente a
travs de una segunda pantalla polarizada verticalmente y el observador ve un rea iluminada. El
efecto de campo de tipo reflexivo se muestra en la figura 106.
Figura 106. LCD de efecto de campo reflexivo sin polarizacin aplicada.

En este caso la luz que se polariza en forma horizontal en el extremo izquierdo encuentra un
filtro polarizado horizontalmente y pasa a travs de l hasta el reflector, donde se refleja de nuevo
hacia el cristal lquido, deflexionando de nuevo la otra polarizacin vertical y regresando al
observador. Si no se aplicara voltaje, el indicador se iluminara en forma uniforme. La aplicacin
de un voltaje ocasiona una luz incidente que encuentra un filtro polarizado horizontalmente a la
izquierda y que no es capaz de cruzar y de reflejarse.
Los LCD de efecto de campo se emplean normalmente cuando una fuente de energa es un
factor fundamental (esto es, en relojes, instrumentacin porttil, etc.) porque absorben mucho
menos potencia que los del tipo de dispersin luminosa ( intervalo de microwatts comparado con
el intervalo menor de miliwatts). El costo de .1as unidades de efecto de campo casi siempre es
ms alto, y su altura se limita a cerca de 2 pulgadas, en tanto que las unidades de dispersin de
luz se pueden encontrar con altura de hasta 8 pulgadas. Una consideracin adicional respecto a
los Displays es su tiempo de encendido y de apagado. Los LCD presentan caractersticas de ser
mucho ms lentos que los LED. Los primeros tienen tiempos de respuesta menores que 100 a 300
ms. en tanto que se dispone de LED con tiempo de respuesta menores que 100 ns. Sin embargo,
hay numerosas aplicaciones, como en el caso de los relojes, donde la diferencia entre 100 ns y
100 ms ( 1/10 de segundo) es de mnimas consecuencias. Para esas aplicaciones, la menor
demanda de potencia del LCD es una caractersti6a sumamente atractiva. El tiempo de vida de
servicio de las unidades LCD se incrementa continuamente ms all del lmite de 10,000 horas.
Puesto que el color que generan las unidades LCD depende de la fuente de iluminacin, hay una
Amplia gama de colores a elegir.


FOTODISPOSITIVOS- 108
OPTOACOPLADORES




INTODUCCIN



Cuando se Combina una fuente ptica (generalmente un Led) con algn tipo de detector
ptico (generalmente un semiconductor de si) en un solo encapsulado, el dispositivo
resultante se llama optoacoplador u optointerruptor.
Esta estructura produce un elemento que permite el acoplamiento de seales dos tipos de
circuitos electrnicos independientes y totalmente aislados entre si, segn el encapsulado de
estos dispositivos pueden tener un aislamiento hasta de 3500 V.
Ms adelante se presentan las caractersticas de varios dispositivos optoelectrnicos con
las cuales podremos compararlos.


Tipos de optoacopladores.




* Encapsulado tpico con vas de transmisin luminosa.






OPTOACOPLADORES- 1
* Encapsulado tpico Con vas de transmisin reflejada (sensor de objetos).




* Encapsulado tpico con camino de aire para la transmisin de la luz (interruptor ptico
de lmite rasurado).





OPTOACOPLADORES- 2
El acoplador ptico es un dispositivo que ofrece a los diseadores electrnicos una
mayor libertad para disear circuitos y sistemas. La operacin esta basado en la deteccin
de luz emitida. La entrada del acoplador esta conectada a un emisor de luz y la salida es un
fotodetector. Los dos elementos estn separados por un aislante transparente y dentro de un
empaque que lo asla de la luz exterior (figura 1). Hay muchos tipos de acopladores pticos,
todos ellos tienen una fuente de luz infrarroja (LED), pero el detector puede ser: fotodiodo,
fototransistor, LASCR, etc.

Figura 1. Corte de un optoacoplador.

Al encapsular un emisor y un detector ptico, la relacin ptica siempre esta establecida
y esto hace que la naturaleza de uso sea totalmente electrnica. Esto elimina la necesidad de
tener conocimientos de ptica para el usuario. Por lo tanto para una efectiva aplicacin solo
hace falta conocer algunas caractersticas elctricas, capacidades y limitaciones del emisor
y el detector.

OPTOACOPLADORES- 3
Los materiales ms comunes para los LED de los optos, son GaAs y GaAlAs. Cuando
una corriente directa (I
F
) pasa por el LED se emiten fotones, la potencia emitida (P
O
)
depende de la corriente I
F
. Las longitudes de onda ms comunes son 660, 850 y 940
manmetros (nm) como se muestra en la figura 2. El la figura 2 podemos ver que la
longitud de onda mas apropiada para los detectores de silicio es 850 nm. Siendo esta la ms
usada.
Figura 1. Emisividad contra longitud de onda.
OPTOACOPLADORES- 4
Figura 3. Diferentes tipos de optoacopladores.
La figura 3 muestra una seleccin de los diferentes optoacopladores tipo DIP existentes
en los cuales la diferencia es el tipo de detector. Un parmetro muy importante en optos es
la eficiencia, este parmetro define que cantidad de corriente necesitamos en el LED para
obtener la salida deseada. En el transistor y en el darlington esto se llama Radio de
transferencia de corriente (CTR), esto es simplemente dividiendo la corriente de salida
entre la corriente de entrada requerida. En el caso de los de salida Schmitt trigger y el driver
de triac la eficiencia esta definida por la cantidad de corriente requerida en el emisor para
poder disparar la salida (I
FT
).
El otro parmetro importante en optoacopladores es el voltaje de aislamiento el cual es
de 7500 Volts durante 1 segundo.
OPTOACOPLADORES- 5
La figura 4 muestra los diferentes tipos de optoacopladores DIP que fabrica
MOTOROLA a los cuales aremos referencia en estas pginas.
.


Figura 4. Tipos de optoacopladores fabricados por MOTOROLA.
OPTOACOPLADORES- 6







CARACTERSTICAS DE OPTOACOPLADORES




Las siguientes tablas de caractersticas nos muestran los principales tipos
de aplicaciones, diodo de entrada as como los elementos de salida de los
diferentes tipos de optoacopladores ms comunes de la marca MOTOROLA,
los cuales nos permitirn compararlos y poder determinar cual nos conviene
para una determinada aplicacin.








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OPTOELECTRONICA-
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OPTO INTERRUPTORES


Este es uno de tantos tipos de optoacopladores para uso especial. Existen varios
tipos pero los ms importantes son los switches de ranura pticos y los sensores
reflejantes pticos. Los de ranura tienen el emisor y el sensor insertados en el
paquete, este paquete sirve para mantener el alineamiento ptico. El espacio ente
ellos forma el rea sensible, estos dispositivos tienen la misma funcin que los
optos pero tienen un mecanismo de interrupcin mecnico. Este dispositivo puede
detectar la presencia de un objeto o su velocidad. Se fabrica en diferentes tipos de
empaque para poderlo acomodar en un rango de tamaos y restricciones de
montaje.
El sensor reflejante ptico consiste en un emisor y un sensor pticos en el
mismo empaque, y esta diseado para que la emisin del LED sea cortada por un
objeto y reflejada al sensor. Las siguientes tabas de caractersticas muestran un
ejemplo de opto interruptores.

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OPTOACOPLADORES- 26



OPTOACOPLADORES- 27












OPTOACOPLADORES- 28
APLICACIONES CON OPTOS

Los modos bsicos de operacin de los optoacopladores son: por pulsos y lineal, en pulsos el
LED s switchea on-off (figura 4). En el modo lineal, la entrada es polarizada por una fuente de
directa, y la entrada se monta a esta seal(figura 5).

Figura 4. Operacin por pulsos. Figura 5. Operacin lineal.

En el caso de sensor de transistor con base disponible se puede usar con acoplamiento diodo-
diodo como se muestra en la figura 6.







Figura 6. Acoplamiento diodo-diodo con optos.


OPTOACOPLADORES- 29
La figura 7 muestra un circuito para manejar un SCR con carga inductiva por medio de un
opto con salida a transistor, el SCR es un dispositivo de gate sensible el cual se dispara con una
corriente de 1mA. La figura 8 muestra un circuito que permite acoplar una carga de alto voltaje
con circuitos digitales.

Figura 7. Manejando un SCR. Figura 8.Acoplamiento potencia lgica.


La figura 9 muestra un simple circuito para manejar un triac usando un MOC3011. El mximo
valor de corriente del MOC da el mnimo valor para R1 de la siguiente ecuacin:

R1 (min) = Vin (pico) / 1.2

La figura 10 muestra al MOC3011 usado para cargas inductivas.

Figura 9. Manejador de triac. Figura 10. Manejando cargas inductivas.
OPTOACOPLADORES- 30

En algunas aplicaciones, como en los relevadores de estado slido, en los cuales la corriente
de entrada varia rpidamente es recomendable limitar la corriente aplicada al LED del MOC. La
figura 11 muestra un circuito de proteccin para manejar apropiadamente al LED.
Figura 11. Proteccin para el LED de un optoacoplador MOD3011.

La figura 12 muestra un circuito en el cual se usa para disparar un triac alimentado con 240 V
el MOC3011, el cual por diseo puede manejar hasta 200 V. Por esto se ponen dos MOC3011 en
serie y se logra el funcionamiento.

Figura 12. Disparando un triac en 220V.


OPTOACOPLADORES- 31
La figura 13 muestra un relevador de estado slido protegido para carga inductiva.


Figura 13. Relevador de estado slido.

El circuito de la figura 14 nos muestra el circuito bsico para manejar un triac con un OPTO
con detector de cruce por cero, suponiendo que el circuito esta off (I
F
=0), La seal de alterna
aparece en los dos elementos, el triac principal y el driver. Cuando un valor apropiado de
corriente I
F
le llega al LED y se detecta un cruce por cero, el driver conduce y dispara al triac
principal, el triac permanecer conduciendo hasta que la seal del LED tome de nuevo el nivel
bajo, las formas de onda del circuito las podemos ver el la figura 15. El valor de la resistencia
R de la figura 14 se calcula con la siguiente formula:

( )
( ) driver I
entrada V
R
max
max
=

Para uso con seal de CFE de 127 Volts y 1Amp. de corriente mxima del driver entonces R=
(127 2 ) / 1 = 180, entonces es recomendable un valor de 180 o ms para la resistencia
limitadora de corriente del driver R. El valor de la resistencia del gate R
G
es solo necesaria
cuando el valor de la impedancia interna del gate es muy grande, ya que si la impedancia del gate
es alta el tiac es pobremente inmune al ruido. El valor recomendado para R
G
esta entre 100 y
500 .








OPTOACOPLADORES- 32


Figura 14. Circuito bsico de manejo.

















Figura 15. Formas de onda de la figura 14.


La figura 16 muestra un circuito con el driver manejando dos SCRs en antiparalelo, el
circuito muestra que la carga es inductiva y que los SCRs tiene SNUBBER (Rs Cs).







OPTOACOPLADORES- 33


Figura 16.


La creciente demanda de circuitos de switcheo que puedan manejar corriente trifsica ha
incrementado el uso del TRIAC en circuitos de control de tres fases, la necesidad de aislamiento
entre el circuito de control y la lnea ha incrementado el uso de optoacopladores de la familia del
MOC3061 ya que estos tienen gran capacidad de voltaje de bloque y aislamiento. Estas
caractersticas hacen que este drive sea recomendable para esta aplicacin. Un efectivo circuito
para estas aplicaciones se muestra en la figura 17. Cada fase es controlada individualmente por
un drive, todos los LESs son conectados en serie y controlados por un solo circuito.

Formas de onda del circuito de la figura 17.
OPTOACOPLADORES- 34



























Figura 17. Circuito de control trifsico.


El control con detector de cruce por cero permite que el uso de los drives de la familia
MOC3061 se extienda para circuitos de controles de temperatura de hornos etc. La figura 18
muestra un controlador proporcional de temperatura de ciclos completos. El circuito esta formado
por un puente para el sensado de la temperatura, una etapa de amplificacin, un oscilador, un
comparador, el drive y la etapa de potencia. Uno de los diodos 1N4001 es el sensor de
temperatura el cual tiene una salida de 2mV/
o
C. Esta seal es invertida y amplificada 1000 veces
y comparada con la salida de un oscilador triangular. El comparador y el oscilador forman un
modulador de ancho de pulso variable. Cuando la temperatura es menor que la deseada la salida
del comparador es baja el driver y el triac estn conduciendo y le llega corriente a la carga.
Cuando la temperatura se acerca a la temperatura deseada se inicia el ciclo de trabajo done se
alternan tiempo de apagado y conduccin dl drive y el triac, las formas de onda del circuito de
muestran en la figura 19.





OPTOACOPLADORES- 35

Figura 18. Control proporcional de temperatura.

















Figura 18. formas de onda de control de temperatura.
OPTOACOPLADORES- 36
CELDAS SOLARES

INTRODUCCION

La energa elctrica no esta presente en la naturaleza como fuente de energa primaria y, en
consecuencia, slo podemos disponer de ella mediante la transformacin de alguna otra forma de
energa. Es por eso que han surgido todo tipo de plantas generadoras de energa a partir de
combustibles fsiles, sin embargo, se ha notado que esta forma de generacin produce mucha
contaminacin y devastacin de los recursos naturales con los que cuenta nuestro planeta. Las
llamadas "energas alternativas" son aquellas cuyo uso no genera contaminacin y entre ellas
podemos citar la energa elica o la energa solar. La generacin de este tipo de energa elctrica
no produce contaminantes, en especial la energa solar, y es por eso que ltimamente ha tomado
mucha importancia debido al mal estado en el que se encuentra nuestro ecosistema.

El hombre ha aprendido recientemente a transformar la energa solar en elctrica mediante
diferentes procedimientos. Algunos de ellos, los llamados heliotrmicos o fototrmicos, operan
sobre principios semejantes a los de las centrales trmicas y nucleares convencionales y por otro
lado se encuentran los llamados fotovoltaicos, los cuales significan una importante simplificacin
respecto a los procesos energticos convencionales. Las clulas o celdas fotovoltaicas son
dispositivos capaces de transformar la radiacin solar en electricidad; son dispositivos estticos,
es decir, carecen de partes mviles.

La conversin directa de la energa solar en electricidad, depende del efecto fotoelctrico que
ya haba sido descubierto en diversas formas en el siglo XIX. El efecto fotoelctrico, es la
emisin de electrones de una superficie slida (o lquida) cuando se irradia con emanaciones
electromagnticas. Debemos sealar que hay dos tipos de efectos fotoelctricos en las celdas
solares. El primero es el interno, donde ciertos portadores de carga se ven liberados dentro del
seno de un material mediante la absorcin de fotones energticos. En el caso del efecto
fotoelctrico externo, se emiten electrones libres mediante la absorcin de fotones energticos.

Partiendo de una oblea de Si (disco muy delgado) se produce una celda
solar una vez que se ha creado el campo elctrico interno y despus de preparar los contactos
elctricos adecuados. El campo elctrico debe ser superficial para que la radiacin solar llegue
fcilmente hasta l. Los contactos elctricos que se hacen en ambas caras de la oblea son de
geometra y caractersticas especiales. La cara que no recibe la radiacin se recubre totalmente,
mientras que la cara expuesta a los rayos solares slo se cubre parcialmente mediante un
electrodo metlico en forma de red. Esto permite que el electrodo recoja en forma eficiente los
portadores de carga elctrica generados en el interior de la oblea.

En aos recientes ha habido un creciente inters por la celda solar como una fuente alternativa
energa, Cuando consideramos que la densidad de potencia recibida del sol al nivel del mar es de
aproximadamente 100 mW/cm
2
(1 kW/m
2
). En verdad es sta una fuente de energa que requiere
ms investigacin y desarrollo para maximizar la eficiencia de la conversin de energa solar a
elctrica.


U4 T1(Introduccin Celdas Solares)- 1
CONSTRUCCIN

La construccin bsica de una celda solar de unin p-n de silicio se presenta en la figura 1.
Como se muestra en la vista superior, se hace todo tipo de esfuerzos para asegurar que el rea
superficial perpendicular al sol sea mxima. Adems ntese que la capa metlica conectada al
material tipo n y el grosor de este mismo son tales que aseguran que un nmero mximo de
fotones de energa luminosa alcancen la unin. Un fotn de energa luminosa en esta regin
puede chocar con un electrn de valencia e Impartirle suficiente energa para que abandone el
tomo padre. El resultado es una generacin de electrones libres y huecos. Este fenmeno
ocurrir a cada lado de la unin. En el material tipo n los nuevos huecos generados son
portadores minoritarios y se movern con bastante libertad a travs de la unin, como en el caso
de la unin p-n bsica sin polarizacin aplicada. Un argumento similar se cumple para los
electrones generados en el material tipo p. El resultado es un aumento en el flujo de portadores
minoritarios, cuya direccin es opuesta a la de la corriente directa convencional de una unin p-n.










Figura 1 Celda solar (a)seccin transversal (b) vista superior

Este incremento en la corriente inversa se muestra en la figura 2. Puesto que V = 0 en todas
partes sobre el eje vertical y representa una condicin de corto circuito, la corriente en esta
interseccin se denomina corriente de corto circuito y se representa mediante la notacin Isc.
















Figura 2 Corriente de cortocircuito y voltaje de circuito abierto contra intensidad luminosa

U4 T1(Introduccin Celdas Solares)- 2
En condiciones de circuito abierto (i
d
= 0) se producir el voltaje fotovoltaico Voc. Este es una
funcin logartmica de la iluminacin, como se muestra en la figura 2. Voc es el voltaje terminal
de una batera en condiciones sin carga (circuito abierto). Obsrvese en la misma figura, sin
embargo, que la corriente de corto circuito es una funcin lineal de la iluminacin. Esto es, se
duplicar para el mismo incremento en la iluminacin fc
1
y 2fc
1
en la figura 3, en tanto que el
cambio en Voc es menor para esta regin. El mayor incremento en Voc ocurre para aumentos de
menor nivel de la iluminacin. A la larga. Un aumento adicional en la iluminacin tendr muy
poco efecto sobre Voc aunque Isc aumentar, provocando que se incrementen las capacidades de
potencia.
Figura 3 V
OC
e I
SC
versus Iluminacin en una celda solar

Las principales caractersticas de las celdas solares con respecto de los fotodiodos son las
siguientes:
1. La resistencia serie (R
S
) que aparece en el circuito equivalente de la celda solar de la Figura
4 debe ser muy baja, del orden de 1 . La mxima potencia transferida no tendra lugar si
hubiese una cada de tensin apreciable en R
S
. (R
S
esta formada por dos resistencias: la
resistencia de contacto y la resistencia laminar.)

Figura 4 Circuito equivalente de una celda solar


U4 T1(Introduccin Celdas Solares)- 3

2. El dopado de las clulas solares es de magnitud ms elevado. Como el nivel de dopado,
se aproxima al de un conductor, la resistencia serie se reduce notablemente y la regin
desierta se hace muy estrecha, aumentando la tensin en circuito abierto.
3. El rea de la clula solar es mucho mayor con lo cual puede interceptarse mayor flujo
radiante.
4. El elevado dopado y la pelcula antirreflexiva disminuyen notablemente las prdidas por
reflexin.
5. La capa superior es tan delgada como es posible para extender la respuesta en
ultravioleta hasta coincidir con el espectro solar.
6. Las clulas solares trabajan siempre sin polarizacin.
7. La velocidad y responsividad de una celda solar son considerablemente menores que en un
Fotodiodo.
8. En muchas celdas solares, la resistencia de contacto se disminuye empleando un
contacto directo.
9. Normalmente se usa una pelcula superior para reflejar parte del espectro solar (prximo
al ultravioleta y al infrarrojo) que produce calor pero origina pocos portadores de
corriente.

El selenio y el silicio son los materiales que ms se usan en las celdas solares, aunque tambin
se emplean, entre otros, el arseniuro de galio. El arseniuro de indio y l sulfuro de cadmio. La
longitud de onda de la luz incidente afectar la respuesta de la unin p-n ante los fotones
incidentes. En la figura 5 ntese la proximidad de la curva de respuesta de la celda de selenio a la
correspondiente al ojo. Este hecho tiene una aplicacin ampliamente utilizada en el equipo
fotogrfico, tal como los medidores de exposicin y los diafragmas de exposicin automtica. El
silicio tambin se traslapa con el espectro visible, pero tiene su mximo en la longitud de onda de
800 nm que se encuentra en la regin infrarroja. En general, el silicio tiene una eficiencia de
conversin ms alta (20 a 1) y una mayor estabilidad estando menos sujeto a la fatiga. Ambos
materiales tienen excelentes caractersticas de temperatura. Es decir, pueden soportar
temperaturas muy altas o bajas sin una disminucin importante de la eficiencia.


Figura 5 Respuesta espectral del Si, Se y la visin

U4 T1(Introduccin Celdas Solares)- 4


La eficiencia de operacin de una celda solar se determina mediante la salida de potencia
elctrica dividida entre la potencia que proporciona la fuente luminosa. Es decir, los niveles
tpicos de eficiencia varan de l0 a 40% (valores que se mejorarn en forma considerable s
contina el actual inters). En la figura 6 se presenta un conjunto tpico de caractersticas de
salida para celdas solares de silicio de 10% eficiencia con un rea activa de 1 cm
2
. Ntese el lugar
geomtrico de la potencia ptima y el aumento casi lineal de la corriente de salida con el flujo
luminoso para un voltaje fijo.










Figura 6 Caractersticas de salida tpica de
una celda solar de silicio.








T1(Introduccin Celdas Solares)- 5
Las celdas solares con difusin n en la parte superior y p debajo como la de la figura 7 son
preferibles en aplicaciones espaciales porque son ms resistentes a la alta energa de radiacin
que existe en rbita cercana a la Tierra. La radiacin afecta al tiempo de vida de los portadores
minoritarios, y la respuesta de la clula a longitudes de onda larga se reduce debido a que los
pares inducidos por el infrarrojo se forman generalmente ms all de la regin desierta y tienen
mayor recorrido de difusin. En las clulas n sobre p, los portadores minoritarios en la regin
inferior p son electrones cuyo tiempo de vida es mucho mayor que el de los huecos, y por tanto
son menos afectados por la radiacin.


Figura 7 Celda solar tpica para
aplicaciones espaciales
U4



Debido a que una celda solar genera corrientes y voltajes pequeos, stas no son los elementos
que se utilizan en las aplicaciones prcticas, sino que, con objeto de lograr potencias mayores, se
acoplan en serie o en paralelo (paneles) para obtener mayores voltajes y corrientes formando lo
que se denomina mdulo fotovoltaico, que es el elemento que se comercializa. A la vez, estos
mdulos se conectan en serie o en paralelo para obtener los voltajes y corrientes que nos den la
potencia deseada. Los mdulos en serie aumentan el voltaje y conservan la misma corriente,
mientras que mdulos en paralelo aumentan la corriente, conservando el mismo voltaje.

Dos tecnologas bsicas son las contendientes en la continua bsqueda de la celda perfecta:

Tecnologa de la celda solar (obleas)

Silicio cristalino.- Hechos en largos cilindros y rebanadas en crculos, cuadrados, u obleas
octagonales, estas celdas son las ms eficientes y las ms caras. El silicio cristalino cuenta
alrededor de la mitad del mercado de celdas fotovoltaicas.

Silicio policristalino.- Hecho de silicio fundido en forma de lingotes o trazado en lminas y
cortados en obleas cuadradas, estas celdas son ms baratas pero menos eficientes.


(a) (b)

Figura 8 Celdas solares (a) Si cristalino (b) Si policristalino





U4 T1(Introduccin Celdas Solares)- 6

Tecnologa de pelcula delgada

Hecha mediante depsitos de capas de silicio amorfo (aSi), telurio de cadmio (GdTe), o cobre
indio diseleniuro (GIS) en un vidrio, metal o una superficie plstica; estas PV son normalmente
menos costosas y menos eficientes que las de silicio cristalino.





Figura 9 Celda solar con tecnologa de pelcula delgada


Las principales caractersticas de las celdas solares son:

* Son de fcil uso.
* Generan bajos voltajes pero se pueden interconectar para dar altos voltajes.
* No requieren mantenimiento (ocasionalmente limpiarlas).
* Contienen bancos de bateras que requieren del agregado de agua ocasionalmente.
* No almacenan la energa.
* Son costosas.
* No producen contaminacin
* Funcionan en el fro (Generan ms energa a bajas temperaturas).
* Funcionan en das nublados pero disminuye la energa generada hasta un 10%.
* La eficiencia es alrededor del 13%, tericamente se pueden lograr eficiencias de hasta un
y 50% en laboratorio se han logrado fabricar celdas con eficiencias superiores al 30%.
* Estn diseadas para durar al menos 30 aos e incluso cuentan con garantas de 20 aos.
* Soportan todos los rigores del medio ambiente, la cubierta superior es de vidrio templado
bajo contenido de hierro y lmina con una capa plstica. Esta construccin es de gran
duracin y alta resistencia al impacto.


U4 T1(Introduccin Celdas Solares)- 7
SISTEMAS DE CELDAS SOLARES(Fotovoltaicos)


Cualquier necesidad de energa elctrica puede satisfacerse mediante un diseo adecuado del
sistema de energa fotovoltaico, las principales aplicaciones de un sistema fotovoltaico son:

* Iluminacin
* Bombeo
* Radio comunicaciones (telemetra)
* Electrificacin domestica.
* Electrificacin de cercas.
* Anuncios panormicos.
* Faros.
* Satlites

Existen varias alternativas para configurar un sistema fotovoltaico de acuerdo al uso que le
daremos algunos se muestran a continuacin.

Paneles solares directamente conectados a una carga

Es el sistema mas simple en el cual el generador fotovoltaico se conecta directamente a la
carga, normalmente un motor de corriente continua. Se utiliza fundamentalmente en bombeo de
agua. Al no existir bateras ni componentes electrnicos aumenta la confiabilidad pero resulta
difcil mantener una performance eficiente a lo largo del da.




Sistema mdulo batera

Se puede utilizar un mdulo fotovoltaico para reponer simplemente la descarga de un banco
de bateras que se utilice por ejemplo para el arranque de un motor. Para ello pueden utilizarse los
mdulos de silicio amorfo o Monocristalino.
Otra importante aplicacin en la que el sistema fotovoltaico se conecta en forma directa a las
bateras es en sistemas de electrificacin rural de pequea potencia, en estos casos se utilizan uno
o dos mdulos de silicio Monocristalino de 30 celdas cada uno conectados en paralelo para lograr
la potencia deseada.

U4 -T2(sistemas de celdas solares)- 1


Sistema fotovoltaico general.

Es el sistema en el cual se tiene contemplado para manejar diferentes tipos de carga la cual
puede ser de C.A. y/o de C.D. usando ya sea inversor para C.A. o alimentacin directa para C.D.





Las caractersticas que debemos de tomar en cuenta de los diferentes elementos que
componen el sistema anterior para disearlo en particular son:

Panel de celdas solares

El panel de celdas solares esta formado por un conjunto de celdas individuales agrupadas en
mdulos y estos mdulos los podemos agrupar para formar conjuntos(paneles) como se muestra
U4 -T2(sistemas de celdas solares)- 2
en la figura siguiente, a los paneles los podemos conectar en arreglos serie-paralelo para obtener
la potencia deseada de acuerdo a las necesidades de la carga.



Debe tomarse en cuenta el movimiento terrestre alrededor del sol, existen tambin variaciones
estacinales. Para la posicin optima de los paneles es conveniente posicionarlos con un ngulo
intermedio entre la posicin optima del verano con la del invierno de acuerdo como se muestra en
la figura 10.

Figura 10.- Angulo de inclinacin optimo en verano e invierno.



Al hacer clculos es conveniente tomar en cuenta las variaciones de potencia entregada por los
U4 -T2(sistemas de celdas solares)- 3
paneles solares de acuerdo a las condiciones ambintales (radiacin, temperatura) de acuerdo a la
hora del da y poca de ao como se muestra en la figura 11, en la figura 12 se muestra un
comparativo de la potencia entregada por un panel y la potencia de consumo de la carga donde se
puede ver la necesidad se los sistemas de que tenga un arreglo de bateras.




Figura 11.- Caractersticas V-I de acuerdo a la hora de da.




Figura12.- Comparativo de la potencia entregada por el panel con la de consumo de la
carga para las 24 horas de da

Controlador.

La funcin del controlador es mantener el banco de bateras en ptimas condiciones as como
lograr el transito de la energa de los paneles a estas como a la carga, las funciones especificas de
un controlador pudieran ser:

Desconexin por alto voltaje (eliminar el flujo de corriente a las bateras cuando estas
estn totalmente cargadas).
Desconexin por bajo voltaje (desconectar las bateras para que ya no se descarguen para
evitar dao).
Proteccin para polaridad invertida.
U4 -T2(sistemas de celdas solares)- 4
Proteccin contra retorno de corriente (evitar la descarga de las bateras hacia los
paneles).
Conexin y desconexin por presencia o ausencia de luz solar.
Medir voltaje y corriente en las bateras.
La figura 13 muestra un diagrama a bloques de un controlador donde El controlador fue hecho
para entregar hasta 48 V y trabaja entre 45 a 60 V, el consumo es continuo y constante. La carga
se alimenta siempre del banco de bateras el cual es cargado por un arreglo de mdulos solares.
En el da los mdulos solares alimentan a la carga y recuperan alas bateras, cuando las bateras
llegan aun voltaje de 59.2 V, los mdulos solares se desconectan (K1 se abre) y se reconecta
cuando el voltaje en las bateras es menor a 51.2 V Por las noches las bateras alimentaran por si
solas a la carga y se estarn descargando ya que los mdulos solares no mandan corriente. El
arreglo solar esta dividido en subarreglos de cuatro mdulos solares en serie cada uno para que
entreguen 48 V. La corriente solar pasa en su totalidad por el control de carga y alimenta por un
lado a la carga y por otro al banco de bateras.
Figura 13.- Diagrama a bloques de un controlador.
El banco de bateras se forma por dos o mas grupos de en paralelo de cuatro acumuladores en
serie de 12 V cada uno. Durante las noches las bateras se descargan un 12% aprox. Por lo que
en la maana el relevador de carga (K1) se cierra para suministrar corriente cuando los mdulos
empiezan a generarla. En el amanecer el voltaje que generan los arreglos fotovoltaicos se eleva
U4 -T2(sistemas de celdas solares)- 5
desde cero hasta igualar al del banco de bateras y de esta forma el diodo 01 se polariza en directa
haciendo que fluya corriente hacia las bateras. La funcin de este diodo es evitar que las bateras
se descarguen en la noche a travs de las celdas. Cuando las bateras se carguen hasta 59.2 V, el
comprador CIM del control de carga detecta que se ha llegado al nivel de desconexin, operando
la bobina del relevador K1 de entrada y por tanto desconecta los mdulos, y cuando las bateras
se desconecten hasta 51.2 V en ese momento se reconectan las bateras. Este ciclo se repite varias
veces al da manteniendo cargada la batera. En das nublados la corriente de las celdas
disminuye por lo que las bateras casi no reciben carga. Este controlador esta diseado para
trabajar en das nublados por tres das manteniendo la carga. Pasado este tiempo se desconectan
las bateras para protegerlas.
El controlador contiene un relevador (K2) en serie con la salida al a carga que se abre cuando
el voltaje de las bateras ha bajado aun nivel en el cual las bateras pueden resultar daadas. Este
relevador es activado por el comparador CIC que monitorea constantemente el voltaje de las
bateras con un voltaje de referencia. La apertura ocurre a los 45.5 V y se vuelve a cerrar a los 52
V. El control de la carga contiene dos comparadores CIM y CIC independientes entre si que
controlan respectivamente la operacin de un relevador de los mdulos solares (K1) y la
operacin del relevador para desconexin por bajo voltaje (K2).

Banco de Bateras
Las bateras son el tanque de combustible del convertidor. Mientras ms grandes las bateras,
mayor tiempo puede el convertidor operar antes que sea necesaria la recarga. Un banco de
bateras demasiado pequeo resultar en una corta vida de la batera y un rendimiento
decepcionante del sistema.




Estimacin de los requerimientos de la batera
Para determinar el tamao apropiado del banco de bateras, es necesario computar el nmero
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de amperios hora que se usar entre ciclos de carga. Cuando conozca la cantidad de amperios
hora, haga que el las bateras tengan aproximadamente el doble de este valor. Esto asegura que
las bateras no se descarguen excesivamente y extiende la vida de las bateras.
Para computar el uso total en amperios hora, se ha de determinar los requerimientos de cada
aparato a usar y luego sumarlos. La siguiente tabla le ayudar a estimar los amperios por hora
(A/h) que consumen diferentes tipos y tamaos de cargas. Use la tabla de la forma siguiente: (1)
empiece a la izquierda con la lnea del aparato o la potencia adecuada, (2) empiece por arriba en
la columna que indique el tiempo que ese aparato funcionar entre ciclos de carga, (3) la
interseccin de lneas y columnas indicar los amperios hora que se consumirn.


Siga este procedimiento para cada aparato que desee usar con el convertidor. Sume los
requerimientos. El tamao mnimo del banco de bateras debe ser el doble de este valor. Tambin
podr calcular los requerimientos de bateras usando los consumos indicados en las placas de
caractersticas de cada aparato. La frmula es Potencia = Voltios x Amperios. Divida la potencia
de su carga entre el voltaje de la batera para determinar el amperaje que la carga consumir de
las bateras. Multiplique el amperaje por las horas y tendr, con razonable precisin, los amperios
hora. Recuerde que los perodos de tiempo menores de una hora sern fracciones (10 minutos es
1
/
6
de una hora).
Notas: Si se conoce la corriente AC, entonces el amperaje que un aparato absorber de la batera
ser: Corriente AC por voltaje AC dividido entre el voltaje de la batera.
Normalmente los motores vienen marcados con el consumo durante el funcionamiento y no
con el consumo de arranque. El consumo de arranque puede ser de 3 a 6 veces el consumo de
funcionamiento.


U4 -T2(sistemas de celdas solares)- 7
Etapas de carga de las bateras
Los inversores tienen como opcin que puedan actuar como cargadores de bateras que
automticamente recargan y mantiene el sistema de bateras a su plena carga. Esta seccin
describe la carga en tres etapas y como configurar su cargador para su banco de bateras. La
mayora de los inversores/cargadores realizan un programa de carga y de mantenimiento en tres
etapas -En bruto, absorcin y flotacin-.
Etapa de carga en bruto: Durante esta etapa el inversor carga las bateras a corriente constante.
Esta causa un incremento del voltaje de las bateras. Cuando este voltaje alcanza el nivel ajustado
de carga en bruto, el cargador pasa a la etapa de absorcin.
Etapa de absorcin: Durante esta etapa la corriente de carga se va reduciendo gradualmente
mientras que la tensin en la batera se mantiene constante al voltaje bruto de carga durante 2
horas (14.3 V
DC
para bateras selladas, 14.7 V
DC
para bateras no selladas). Si el voltaje AC cae
por debajo de 90 voltios AC durante esta etapa, la carga ser interrumpida, y el cargador
terminar el periodo de carga cuando esta tensin se de nuevo por encima de 90 voltios AC. Esto
asegurar que las bateras estn plenamente cargadas.
Estado de flotacin: En este punto la tensin de la batera se le permite disminuir hasta el punto
fijado de voltaje de flotacin, donde se mantiene hasta que otro ciclo de carga en bruto se inicie.
Esto reduce el gaseo de la batera y la mantiene plenamente cargada. Un nuevo ciclo de carga en
bruto se iniciar cuando una fuente AC se aplique a la entrada AC del cargador/inversor.


Configuraciones de conexiones de bloques de bateras
Se pueden crear bancos de grandes tamaos conectando juntas varias bateras. Hay tres
maneras de hacerlo. Las bateras pueden conectarse en serie, en paralelo, o en serie/paralelo.





U4 -T2(sistemas de celdas solares)- 8
Conexin en Serie
Cuando las bateras se conectan con el terminal positivo de una al negativo de la siguiente, estn
en serie. Un grupo de bateras en serie tendr el amperaje hora indicado de una sola batera pero
un voltaje igual a la suma de los voltajes de las bateras individuales.
Conexin en paralelo
Las bateras estn conectadas en paralelo cuando todos los terminales positivos de un grupo de
bateras estn conectados y a su vez todos los terminales negativos estn conectados entre s. En
paralelo, las bateras tendrn el mismo voltaje de una sola batera y el amperaje hora igual a la
suma del de las bateras individuales.
Conexin en Serie y Paralelo
Como lo indica su nombre, es una combinacin de ambas de las tcnicas indicadas anterirmente.

Tipos y constitucin de bateras
Actualmente predominan los elementos secos, en los que el electrolito ya no es lquido, si no
que se ha aglutinado en un gel de electrolito. (Se habla tambin de electrolito "inmovilizado")

Elementos primarios de las bateras

Cinc-Carbn
La clsica batera de cinc-carbn sigue siendo una alternativa econmica frente a la batera de
lcali-manganeso o la de acumuladores. Sin embargo. Poco a poco los crecientes requisitos de
capacidad y entrega de potencia van desplazando a este tipo de bateras. El elemento de cinc-
carbn est formado por un electrodo de carbn con un recubrimiento de perxido de manganeso
(MnO
2
) que absorbe el hidrgeno que pueda aparecer. Como electrolito se utiliza una solucin de
sal de amonaco espesada. Un vaso de cinc forma el electrodo negativo. Durante la descarga se
disuelve paulatinamente este revestimiento de cinc, de tal forma que en una batera vaca cabe la
posibilidad de que se salga electrolito. Se obtiene una mayor capacidad con el sistema de cinc-
cloruro, que es una variacin de la ya descrita batera de cinc-carbn.

Cinc-Aire
En las bateras de este tipo reacciona oxgeno, el cual puede entrar en el elemento a travs de
unas pequeas aberturas, con un ctodo cataltico y un nodo de cinc. Gracias a que tiene un
ctodo muy estrecho se dispone de relativamente mucho espacio para el material del nodo. Por
medio de esto, las bateras de cinc-aire obtienen una capacidad de los elementos relativamente
elevada. En el campo de las aplicaciones de consumo representan la densidad energtica ms
elevada, por ejemplo en audfonos, en donde son importantes las dimensiones ms pequeas,
unas elevadas capacidades y una caracterstica de descarga plana. Los elementos de cinc-aire
tienen una elevada resistencia hmica y por ello son adecuados para aplicaciones con las mnimas
corrientes de carga. El elemento se activa extrayendo el sello de obturacin a travs de las
aberturas de entrada de aire. En estado sellado, las bateras de cinc-aire pueden almacenarse
durante un tiempo casi indefinido.

Mercurio
En muchas bateras comerciales se ha podido reducir el contenido en mercurio hasta el lmite
de comprobacin -no as en las pilas de botn, que a pesar de sus mnimas dimensiones deben
poseer una estabilidad de tensin, una elevada densidad energtica y un rendimiento excepcional.
Los sistemas de mercurio se han conformado a partir de un par de xidos de cinc/mercurio.
U4 -T2(sistemas de celdas solares)- 9
Entregan unas tensiones de funcionamiento estables de entre 1,35 y 1,4 V por elemento. A
temperatura ambiente, estas pilas (de botn) tampoco pierden un valor importante de su
capacidad si se las almacena durante largos perodos de tiempo: despus de un ao y medio a
20

C, su capacidad sigue siendo el 95% de su valor inicial.



Oxido de Plata
En los sistemas de xido de plata lo ms caracterstico es una curva de descarga muy plana.
Las pilas disponibles en forma de elementos de botn tienen una tensin nominal de 1,5 V y se
utilizan sobre todo en relojes de pulsera de cuarzo y en el campo de la fotografa. A temperaturas
ambiente, estas bateras pueden almacenarse hasta dos aos.

Dixido de litio-manganeso
El metal ligero litio juega un papel cada vez mayor en la fabricacin de bateras y
acumuladores, ya que entrega una tensin tres o cuatro veces mayor de lo que es posible con
otros materiales. Al principio slo existan bateras de litio como elementos primarios. Fue en
1993 cuando se dio, con los acumuladores ligeros de iones de litio en Camcorder, el salto al
campo de los elementos secundarios. En los elementos primarios de LiMnO
2
se combina un
nodo de litio con un ctodo de dixido de manganeso. Este elemento se ha conformado
totalmente sin agua, porque el electrolito se ha disuelto en una sustancia orgnica. Como
consecuencia de ello, en estos elementos tampoco se produce hidrgeno. La salida de corriente de
los elementos de LiMnO
2
se sita en el margen situado entre unos pocos mA y varios cientos de
mA. Por ello se emplean en unas aplicaciones, en las que circulan unas corrientes de carga muy
escasas, a las que sin embargo se superponen unos impulsos de corriente mayores.




Elementos secundarios

Nquel-Cadmio
El elemento secundario ms conocido, junto con el acumulador de plomo, es el acumulador de
nquel-cadmio (NiCd). Con l nos encontramos casi a diario, por ejemplo en mquinas de afeitar,
al trabajar con destornilladores de acumuladores o en la electrnica comercial. Los acumuladores
de NiCd, que tienen una tensin nominal de 1,24 V, se emplean tambin habitualmente como
sustitutos de las bateras comerciales de cinc-carbn o lcali-manganeso en el sector de los
electrodomsticos o de los hobbys. Los acumuladores de NiCd estn formados por un electrodo
positivo de lminas sinterizadas o de espuma metlica, que se combina con un electrodo negativo
de electrodepsito. Estos electrodos altamente porosos se han bobinado en elementos redondos
con forma de espiral, formando una potasa custica el electrolito del elemento.
Las ventajas especiales del acumulador de NiCd estriban en su reducida resistencia interior, su
capacidad de carga rpida y una caracterstica plana de descarga. Que encuentra aplicacin
especialmente en las herramientas alimentadas por acumuladores con unas potencias elevadas.
Sin embargo, tambin existen inconvenientes como una auto-descarga relativamente elevada y
unos mayores costes de adquisicin en relacin a los sistemas de plomo. Aparte de esto, en los
acumuladores de NiCd puede producirse un efecto Memory, que reduce por ello la capacidad as
como su rendimiento. La causa de este efecto Memory son unas constantes descargas parciales o
bien unas prolongadas pausas de utilizacin (auto-descarga) con una carga que se conecta
U4 -T2(sistemas de celdas solares)- 10
directamente (es decir, sin una descarga completa). En ambos casos cristaliza el electrolito en los
electrodos y con esto impide el flujo de electrones en el elemento. Puede eliminarse este efecto
mediante la descarga del acumulador, hasta una tensin final de descarga de 0,9 V, y una ulterior
carga. El acumulador vuelve a recuperar de esta manera su plena capacidad. Un aparato de carga
con un dispositivo incorporado de descarga puede evitar eficazmente el efecto Memory, de tal
forma que en la actualidad pueden obtenerse ya 1.000 ciclos de carga o ms. En cualquier caso,
los acumuladores de NiCd no deben descargarse hasta por debajo de la tensin final de descarga.
El proceso de carga tiene lugar con una corriente constante, que puede ser, segn el
procedimiento de carga desde 1/10 de la capacidad nominal hasta el doble de la capacidad
nominal. Dependiendo de esto, el tiempo de carga puede oscilar entre 14 y 16 horas y aprox.
media hora. Para prevenir daos al acumulador, el proceso de carga debe finalizar con una
tensin final de carga de 14,7 V (a 20

C). Para este proceso de regulacin la temperatura del


elemento es un parmetro importante. Si se supera la tensin final de carga, el acumulador
empieza a desprender gases. Una vlvula de sobrepresin con auto-cierre impide que se produzca
una sobrepresin inadmisible en el elemento y con ello que exista riesgo de explosiones.
Tampoco es despreciable la auto-descarga dependiente de la temperatura del acumulador de
NiCd: con un tiempo de almacenamiento de tan solo tres meses se pierde aprox. el 30% de la
carga.

Hidruro metlico de nquel
Los acumuladores metlicos de nquel (NiMH). Desarrollados hace pocos aos, se diferencian
de los acumuladores de NiCd esencialmente en que no poseen metales pesados txicos como
plomo, cadmio o mercurio. En lugar de ellos se encuentran otros metales de la gama de las tierras
raras: el cadmio en el electrodo negativo se sustituye aqu por una aleacin metlica de nquel-
titanio o niquel-lantanio. Estas aleaciones son excepcionalmente buenas para almacenar
hidrgeno sin presin. Por medio de esto se obtiene una capacidad casi un 80% superior, en
comparacin con los sistemas de NiCd. A causa de su estructura, en los elementos de NiMH no
se produce ningn efecto Memory. Al tener una tensin de elemento de 1,2 V son compatibles
con los elementos de NiCd. La densidad de energa de los acumuladores de NiMH est situada
aprox. en 55 Wh/kg - el doble del valor correspondiente para los elementos de NiCd. Los
elementos de hidruro metlico de nquel pueden adems almacenarse durante un tiempo mayor y
soportan procesos de carga rpida. Como inconveniente debe tenerse en cuenta que muestran una
auto-descarga ms elevada, son ms sensibles frente a la sobrecarga y poseen una resistencia
interior superior.

Plomo-cido
Entre los diferentes tipos de reacciones qumicas que se pueden generar, un tipo de reaccin
llamado redox (es decir, reduccin- oxidacin) resulta ser de particular inters. Una reaccin
redox no slo implica reaccin qumica entre dos sustancias, sino tambin una transferencia de
electrones de una de las sustancias (el agente reductor) a las otras sustancias (el agente oxidante).
Como podra esperarse, si una reaccin redox se estableciera de manera que causara que la
transferencia de electrones se llevara a cabo por un alambre, se tendra realmente un medio de
generacin de corriente elctrica. Precisamente, estas condiciones son las que se establecen en
una celda o batera que de esta manera acta como una fuente de electricidad. (Una batera es un
grupo de celdas conectadas en serie y en paralelo para proporcionar el voltaje y la corriente
deseados. Por lo general las celdas individuales tambin se denominan bateras.)
Existen tres componentes esenciales en una batera: un nodo, un ctodo y un electrolito. Al
U4 -T2(sistemas de celdas solares)- 11
nodo y al ctodo juntos se les conoce como electrodos y estn compuestos por productos
qumicos que finalmente reaccionan para causar la transferencia de electrones. Adems, los
electrodos deben proporcionar un medio que ayude a la reaccin qumica y una trayectoria
conductiva adecuada para facilitar la circulacin de electrodos. Esta ltima estructura se conoce
como rejilla del electrodo. El nodo es el electrodo que libera a los electrones (que llegan a
oxidarse) durante la descarga de la batera. Igualmente, el ctodo es el electrodo que absorber
los electrones (que se reducirn) durante la descarga de la batera. El electrolito es un lquido
generalmente una solucin acuosa hecha conductiva por medio de la disolucin de un cido, una
base o una sal. El electrolito completa la trayectoria conductiva entre los electrodos de polaridad
opuesta. Se puede resumir e ilustrar esto con una celda seca primaria convencional.




Convertidor.
El convertidor es el dispositivo que se encarga del manejo de la alimentacin a la carga ya sea
de Corriente Directa o de Corriente Alterna(inversor).La gran mayora de las cargas en corriente
directa se conectan directamente al banco de bateras ya que disponemos una gran variedad de
voltajes posibles en ellas.
Cuando la carga es de Corriente Alterna hacemos uso de un circuito que convierte corriente
directa(paneles solares o bateras) en corriente alterna, este circuito es el inversor.

Inversor.
Las caractersticas propias para elegir un inversor son:
Tipo de carga.
Forma de onda de salida.
Voltajes de entrada y de salida.
Proteccin contra sobrecargas.
Eficiencia de operacin.
Factor de potencia.


Circuito inversor .
Un diagrama esquemtico de un circuito inversor se muestra en la figura 13. En este diagrama
podemos observar que se conecta un rectificador a la batera de 12V para que ste nos de un
voltaje fijo de 5V para poder de esta forma alimentar los dispositivos digitales. Existe un
multivibrador astable que genera pulsos aproximadamente a 240Hz. Estos pulsos son enviados al
conjunto de flip-flop's que dividirn la frecuencia cada uno entre 2 para de esta forma tener
pulsos de 60Hz. Estos pulsos alimentan de forma alternada, las bases de los TIP120, que son los
transistores que activarn a los transistores de potencia que nos darn la corriente necesaria para
general la seal alterna a 120V y 1 A (como el transformador es de 1:10 la corriente que entregan
es de aproximadamente 10 A). Estos pulsos son enviados al transformador, el cual elevar el
voltaje de 12V a 120V. A la salida del transformador podremos entonces, conectar cualquier
dispositivo que no requiera de una seal senoidal y que no consuma ms de lA. (Ej.
computadoras, televisores, radios, lmparas fluorescentes, etc.)

U4 -T2(sistemas de celdas solares)- 12




















Figura 13 Diagrama esquemtico del circuito inversor.




U4 -T2(sistemas de celdas solares)- 13
APLICACIONES Y USOS

Fuente de energa solar.
Donde no existe la red elctrica, o las redes de lneas de energa, el sol es frecuentemente la
mejor y la ms barata fuente de energa. Una poca de electricidad viaja por largos caminos: hasta
villas, hogares, granjas, ranchos y lugares donde el acceso a una limitada cantidad de energa
disponible hace una diferencia en la calidad de vida. Fuera de la red elctrica, donde no hay redes
de lneas de energa, la energa solar puede traer energa en forma de luz y agua.

Las bombas solares son soluciones efectivas, bajas en costo para problemas de reparticin de
agua. Como alternativas para la electricidad o sistemas de bombeo de energa diesel, las bombas
fotovoltaicas son bien adaptadas para reas remotas donde el combustible, el mantenimiento y la
transportacin son muy costosas y las lneas de energa son difciles de extender. El diseo de
esta fuente de energa solar, integra celdas fotovoltaicas o solares en una superficie curva para
agarrar los cambios de ngulos del son en una forma orgnica, apropiada para el ambiente de un
jardn. Este diseo ofrece tamao especializado, configurado y conexin de las celdas
fotovoltaicas policristalinas las cuales estn, encapsuladas en uretano claro. Los ocho arreglos
solares activos independientes impulsan las bombas de 12 volts, las luces y la carga de la batera.
la intensidad de la luz solar determina la corriente de agua de la fuente. Un despliegue visual en
la base de la fuente muestra la entrada de energa de las celdas, la carga o la demanda de energa,
y el nivel de carga de la batera.



U4 T3(Aplicaciones Celdas Solares)- 1
Libro solar.

El equipo de diseo industrial de Siemens, dise esta
computadora de apuntes de energa solar para cumplir los
requerimientos de cualquier unidad tradicional laptop: que
sea ligera, fuerte y compacta. El desafi para estos
diseadores era combinar la tecnologa porttil innovadora
con la nueva batera de carga electrnica que permite al libro
solar funcionar con ambos tipos de energa, la solar o con la
corriente elctrica normal. El estudio del diseo del libro
solar consiste en dos paneles solares ajustables e iteractivos,
sensibles al tacto con pantalla de cristal lquido (LCD).





Sistemas Solares Fuente de poder Mercury II y cargador de batera.
Paneles solares flexibles o rgidos construidos en estuches transportables proveen una
alternativa como fuente de energa para hacer funcionar computadoras o recargar sus bateras. El
sistema de cargo KISS es usado para por profesores en reas remotas, por cientficos
recolectando informacin de meteoritos en la Antrtica, por trabajadores refugiados, por
alpinistas de montaas y por viajeros de negocios.















U4 T3(Aplicaciones Celdas Solares)- 2



Unidad de energa renovable (Solar Moon Portable).

Esta compacta unidad, en forma de maletn,
es una planta de poder porttil. Cuando es
cargada con energa solar, puede operar
cualquier aparato pequeo empacado adentro
de el: Un radio, linterna, una luz de
emergencia.
Un bulbo de luz de alta eficiencia incluido
en la unidad puede proveer 10 watts de luz en
diez horas. La estacin de carga empotrada en
el maletn permite recargar bateras AA. Las
bateras de 12 volt pueden ser cargadas en ocho
horas en un da despejado. Los variados
controles para las mltiples funciones de la
unidad estn ingeniosamente ocultados en la
cubierta superficial, la cual es tambin una
celda fotovoltaica.

El segador solar.

El segador solar es impulsado
exclusivamente por el sol.
Activado por luz comienza a
trabajar en las maanas y
continua hasta anochecer. El
segador conserva a los cspedes
tanto como a los animales que
pastorean una vez utilizado, poco
podado pero con frecuencia.
Diseado para dejar cortes cortos en el csped donde el abono y los nutrientes regresan al suelo,
la segadora puede cubrir 13, 000 pies
2
de csped en el transcurso de una temporada de
crecimiento. La intensidad de la luz del sol determina la velocidad a la cual opera. Equipada con
un sensor en la orilla, un detector de impacto, un sistema de comunicaciones, una alarma contra
robo, y un cdigo de activacin personal, la segadora es ciertamente para mejorar la calidad de
vida de las personas que posean una, liberndolos del trabajo montono como es empujar una
segadora de csped.







U4 T3(Aplicaciones Celdas Solares)- 3


Comunicaciones.

La tecnologa solar impulsa a los sistemas de comunicaciones a una variedad de usos. Este
sistema de rastreo ha sido diseado para usarse en Africa para proteger a los animales de
cazadores y otros peligros. Donde quiera que
hay luz solar hay una fuente de energa
conectada a nosotros. Las celdas fotovoltaicas
o solares han suministrado energa para las
comunicaciones desde que los primeros
satlites fueron puestos en rbita.
Actualmente, las celdas solares o las PVs an
suministran energa confiable par los sistemas
de comunicaciones ya sea en el espacio o en
tierra, desde algunos watts de emergencia para
las estaciones repetidoras de microondas hasta
arriba de 25 kilowatts para encender una
estacin espacial MIR.
Durables, resistentes al clima y confiables,
las celdas solares suministran energa
dependiente para los telfonos celulares, radios
mviles, estaciones telemtricas, correos de
adquisicin de datos, transmisin reinyectada
para las fibras pticas, torres retransmisoras de
comunicaciones, y una conexin tierra para los
satlites. Por ejemplo, un panel solar sujetado
al animal impulsa una a un transmisor a
retransmitir la informacin de la situacin a la
computadora de un guardabosques. Un rebao
es libre de vagar, pero improbable a que
desaparezca


Arquitectura solar

Las primeras civilizaciones, donde quiera
que estuvieran, giraban hacia el sol y saban
sus cambios de ngulos, desde uno alto en el
verano a uno bajo en el invierno.
Construyendo ambos, sagrados y seculares
estaban orientados en su lugar hacia el sol, la
nica fuente de energa. Este uso del diseo
de la energa solar pasiva, mantiene un
balance entre el calor, el fro, y la luz sin
utilizar dispositivos mecnicos. La
arquitectura monumental, diseada para
U4 T3(Aplicaciones Celdas Solares)- 4
expresar valores colectivos, estaba basada en la explcita alineacin hacia el sol. Arquitectura
verncula -el amplio espectro de edificios cuyas formas tradicionales y funciones estn
estrechamente relacionadas a ambientes locales- continuada en su mayora para hacer uso de la
energa solar pasiva. Pero en general la tendencia de la arquitectura en la parte oeste del mundo
ha sido separada de la naturaleza y de los recursos naturales. Despus de la segunda guerra
mundial, una percepcin de la energa como barata e inagotable ayud a construir edificios que
fueron sistemas cerrados e independientes de su clima y ambiente local, pero dependientes de la
tecnologa para calentar, enfriar y de la iluminacin. Actualmente, la preocupacin por ahorrar
energa y la calidad del ambiente, se han convertido en catalizadores para el cambio. En la
bsqueda de nuevas soluciones en el ambiente constructivo, la arquitectura solar es el punto de
partida para los ingenieros y diseadores.

Transportacin (tierra, espacio, aire y mar).
El diseo de vehculos solares es un
valioso y necesario ejercicio en la economa,
inspirando nuevas formas y estructuras.
Compuestos de materiales ligeros, motores
compactos, ligero arrastre aerodinmico e
impulsados por una batera eficiente, son las
caractersticas que podran mejorar el
desempeo y ahorrar combustible de los
vehculos convencionales. La mayora de los
carros no pueden ser puramente impulsados
por energa solar, esto es debido a que ellos
deben de funcionar en cualquier clima ya
largas distancias. Carros elctricos solares
funcionan con electricidad generada por energa solar y almacenada en bateras. Esas bateras de
carros pueden ser cargadas cuando estn estacionadas, mediante celdas solares independientes del
vehculo o conectado ala red de energa. En la figura superior se muestra un prototipo de un
vehculo solar elctrico. Este vehculo es impulsado en parte por energa solar; este vehculo fue
diseado para demostrar la 'energa-eficiente' e ideal para el sonido del medio ambiente para los
transportes pblicos. El arreglo de celdas solares en el techo del vehculo, provee entre un tercio
y un quinto de la potencia diaria requerida, permitiendo al autobs correr a velocidades de hasta
24 millas por hora.
En el espacio, la luz solar es la nica
forma disponible de energa. Las celdas
fotovoltaicas tuvieron su inicio en el espacio.
En los aos 50's, las celdas solares eran
usadas para impulsar, equipos de
comunicaciones en la rbita de los satlites
Sputnik y Vanguard. La necesidad de una
fuente de poder altamente confiable, ligera en
una nave espacial y en los satlites era el
catalizador para los diseos de las primeras
celdas solares, y los fondos gubernamentales
apoyaron el esfuerzo intensivo. As como la
mxima actuacin est en espacio, pueden
U4 T3(Aplicaciones Celdas Solares)- 5
transferirse los materiales y tecnologa usadas all a la tierra. La demanda para la mxima
eficiencia a partir del mnimo de materiales, propicia el diseo que sigue en el aire, tierra, y mar.
Estos proyectos demuestran que ms puede lograrse con menos. Abajo se muestra el
Dupontsoponsored Solar Challenger, pesa 217 libras, con una ala que abarca 47 pies de luz, vuela
163 millas desde Francia hasta Inglaterra a 11,000 pies en 5 horas y 22 minutos. Volando con
menos potencia que dos secadores, este es el nico avin tripulado para volar exclusivamente con
energa solar

Iluminacin.

Alrededor del mundo, cerca de dos billones de personas en cuatrocientos millones de familias
no tienen acceso a la electricidad. Sus recursos incluyendo el keroseno, las velas, carbn, lea y
lmparas de bateras, tienden a ser escasos, costosos, no renovables e incluso arriesgados. Una
simple lmpara de elctrica solar puede cambiar su vida. En las regiones rurales y remotas, as
como en las reas urbanas, los diseos para las lmparas de sol, son una solucin de energa
limpia y eficientes. An en las ciudades y en los suburbios con lneas elctricas, la energa solar
puede suministrar iluminacin a casi todas las ubicaciones. Las lmparas de energa solar
proveen iluminacin de noche y una seal, donde hay luz, hay energa.
El desafo para los diseadores de iluminacin impulsada por energa solar para las grandes o
pequeas reas, desde los estacionamientos hasta las veredas, es repartir la mayor cantidad de
energa por la mayor cantidad de tiempo, desde las instalaciones en su forma ms compacta.
Dependiendo de su tamao y fuerza, las lmparas de energa solar para patios, jardines y
caminos, tpicamente suministran arriba de siete horas de luz en la noche. Diseadas para
instalaciones por tierra o para montarse en las paredes, las lmparas solares generalmente
incorporan celdas fotovoltaicas de silicio cristalino amorfo; led o bulbos fluorescentes, sensores
de luz que las encienden y apagan, y bateras recargables.



U4 T3(Aplicaciones Celdas Solares)- 6
Linterna Solar SL48.
La linterna solar SL48 ha sido
diseada para, llevarse, colgarse o
simplemente colocarse, hacindola
de mucha utilidad para cualquier
persona que necesite luz donde no
existe otra fuente, an y extremas
temperaturas. La luz del sol carga
la batera la cual enciende a la
lmpara para suministrar el
equivalente a 40 watts por cuatro
horas. Los materiales utilizados en
su fabricacin son las celdas
fotovoltaicas o celdas solares,
fuego resistente al policarbonato y
acero inoxidable.

Sistemas para el hogar.

En 1988 el concepto de sistemas solares para el hogar fue introducido en Sikatani, Indonesia.
Diez aos despus, todos los sistemas de los cien originales operaban. La geografa de Indonesia,
con alrededor de 13,000 islas, no est situada para la utilizacin de una red elctrica convencional
para suministrar la energa elctrica. Cerca de 20 millones de familias no tienen acceso a la
electricidad. Los Sistemas solares para el hogar son la mejor manera para llevar energa a las
reas rurales o a las islas remotas. Un sistema de un mdulo produce alrededor de 250 watts por
da. La energa solar genera electricidad que puede encender luces, radio y la televisin. La
televisin a color requiere de 500 a 1000 watts por da. El sistema solar para hogar ms barato en
Indonesia se vendi por casi $300- el preci inclua cinco lmparas, transporte, instalacin y un
ao de servicio. Los clientes pagaban por plazos mensuales. En un periodo de cuatro aos, 14,000
sistemas fueron vendidos, probando que este diseo poda hacer una diferencia.
Los sistemas solares para el hogar Sudimara, fueron diseados como paquetes completos.
Incorporando caractersticas que interesaban a sus propietarios, los productos en lnea incluan
atractivas lmparas as como un tablero diseado para sostener al televisor ya la batera que
impulsa al sistema para el hogar.

Cocina solar.

Una cocina solar es un reflector diseado
para concentrar la luz del sol como una manera
de generar calor para cocinar. Este simple
dispositivo y una olla oscura son todo lo que se
necesita para cocinar o para purificar agua bajo
el sol. En las regiones soleadas una cocina
solar como sta, puede salvar a una familia que
depende de la lea, alrededor del 30% de su
consumo anual de lea. Con alrededor de 1.5
billones de personas.
U4 T3(Aplicaciones Celdas Solares)- 7
Ambiente solar.
Los diseadores integraron la energa solar en un ambiente constructivo. Para
las ciudades y los suburbios. As como grande redes conectadas con sistemas
fotovoltaicos pueden generar electricidad para edificios y servicios municipales
los diseadores industriales y los arquitectos integran la tecnologa en una
pequea escala para objetos como los quioscos de informacin y el mobiliario
de las calles. Estos diseadores pueden realzar la calidad y la seguridad en una
comunidad todos los das. Por ejemplo, esta es una propuesta para una seal de
parada de autobs con un monitor impulsado por energa solar y un altavoz.


Sombrilla fotovoltaica.

La sombrilla fotovoltaica esta diseada para ser una fuente de energa gratis
en los parques, en los centros tursticos, sitios arqueolgicos o reas donde la
costa, la distancia o el paisaje natural hacen que sea impractica la red elctrica e
indeseable.Hecha con celdas fotovoltaicas la sombrilla se inclina en orden para
suministrar sombra, y maximizar su
exposicin al sol. Los diseadores han
creado una sombrilla que puede
combinarse en conjunto con otras celdas
fotovoltaicas, o incluir paneles de
publicidad en su superficie sin reducir su
capacidad de generar energa. La base de
asiento soporta una luz, bateras y una
planta.







Informa-sun.

Este concepto de una serie de quioscos
fotovoltaicos fue diseado para servir a residentes y
turistas en la ciudad de Nueva York con informacin
sobre servicios, amenidades y asistencia de
emergencia.







U4 T3(Aplicaciones Celdas Solares)- 8
Prgola Solar.

La estructura solar modular mostrada abajo, esta hecha de aluminio y cobre; esta diseada para
suministrar sombra y un asiento movible para seis personas, con iluminacin y ventilacin
opcional. La base de la prgola es el punto de rotacin para el banco giratorio el cual permite a
los usuarios disfrutar ya sea el solo la sombra. Elementos sencillos pueden ser ensamblados para
aumentar en conjunto, el tamao de la prgola para ser usada en parques, en plazas, o en terrazas.
Dependiendo del lugar, la prgola puede entregar arriba 1000 kWh la cual hace funcionar la
iluminacin.
Primer transplante exitoso de una retina artificial

Se logra la implantacin de una retina artificial por primera vez de manera exitosa en la
Universidad de Chicago, la operacin dur dos horas y media. Bajo la conduccin del Dr. Alan
Chow, director de la empresa 'Optobionics Corporation', tres pacientes recibieron la retina
artificial ASR (Artificial Silicon Retina) hecha de silicona, patentada por la mencionada
corporacin. La operacin transcurri sin mayores complicaciones. La retina artificial contiene
3500 celdas solares microscpicas que convierten la luz solar en impulsos elctricos
reemplazando de esta manera los fotoreceptores enfermos de la retina, particularmente aquellos
afectados por la degeneracin de la mcula, as como por la retinitis pigmentosa hereditaria.
La retina artificial est compuesta de un microcircuito ms pequeo que la cabeza de un alfiler
y no ms grueso que un papel. La intervencin comienza con tres pequeos cortes en la
esclertica. La sustancia muy parecida a un gel es removida del centro del ojo y reemplazada por
una solucin salina. Posteriormente los oftalmlogos inyectan lquido por la retina de manera el
fondo (parte exterior de la retina) se disuelva por s mismo. Aqu es donde desaparece el
microcircuito. Despus de ello los oftalmlogos bombean aire hacia el interior hasta que la retina
se ajuste en el fondo, El aire introducido durante la operacin es absorbido en pocos das y
reemplazado por humor vtreo. En las prximas semanas sabremos si los pacientes percibirn
nuevamente la luz mediante esta retina artificial. Mientras tanto tendrn que portar protectores de
ojos
U4 T3(Aplicaciones Celdas Solares)- 9
Una introduccin Prctica a las Bombas de Agua Solares.

Cmo Funciona

Los paneles FV. producen electricidad a partir de la luz solar usando celdas de silicio, sin
partes mviles. Estos han sido producidos en masas desde 1979. Son tan confiables que la
mayora de los fabricantes suministran una garanta de 10 aos, y una expectativa de vida de 20
aos. Estos funcionan bien en climas fros o calientes.
Las bombas de agua solares estn especialmente diseadas para usar energa elctrica directa
generada por los paneles FV. Estos deben trabajar en condiciones de luz baja a potencia reducida,
sin decaer o sobrecalentarse. Las bombas de baja capacidad usan mecanismos de desplazamiento
positivo (volumtrico) que sellan el agua en las cavidades y la fuerzan hacia arriba. La capacidad
de elevacin se mantiene an con un bombeo lento. Estos mecanismos incluyen al diafragma, el
impulsor y las bombas de pistn. Estas difieren de una bomba centrfuga convencional que
necesita girar rpidamente para funcionar eficientemente. Las bombas centrfugas se usan en
donde se requieren mayores volmenes.
Una bomba de superficie es aquella que se instala a nivel del suelo. Una bomba sumergible es
aquella que se hace bajar al agua en un pozo. La mayora de los pozos profundos usan bombas
sumergibles.
Un controlador de bomba (amplificador de corriente) es un dispositivo electrnico que se usa
con la mayora de las bombas solares. Este acta como una transmisin automtica, ayudando a
la bomba a encenderse y a no detenerse al decaer la luz solar.
Puede usarse un rastreador solar para inclinar los paneles FV a medida que el sol se desplaza
en el cielo. Esto incrementa la ganancia diaria de energa hasta en un 55%. Con ms horas pico
de luz solar, pueden usarse una bomba y un sistema elctrico ms pequeos, reduciendo as los
costos totales. El rastreo funciona mejor en climas soleados y despejados. Es menos efectivo en
climas nublados o en los das invernales cortos.
El almacenamiento es importante. Podra requerirse una reserva para tres a diez das,
dependiendo del clima y el uso del agua. La mayora de los sistemas usan el almacenamiento de
agua en lugar de las bateras. Por razones de simplicidad y economa. Un interruptor de flotacin
puede desactivar la bomba cuando el tanque de agua se llena, para evitar derrames.
Comparado con los molinos de viento, las bombas solares son menos costosas, y ms fciles
de instalar y mantener. Estas suministran un flujo constante de agua. Pueden instalarse en valles y
en reas boscosas donde la exposicin al viento es pobre. Un panel FV. Puede colocarse a cierta
distancia de la bomba misma, an a cientos de metros de distancia.

Para qu se usan:

Abrevamiento de ganado: Los ganaderos en Amrica Australia y Sudfrica son usuarios
entusiastas de las bombas de agua solares. Sus fuentes de agua estn dispersas en amplias reas
en las cuales las lneas elctricas son escasas o inexistentes, y los costos de transporte y
mantenimiento son altos. Algunos rancheros usan las bombas solares para distribuir el agua a lo
largo de varios kilmetros (hasta 5 Km.) de tuberas. Otros usan sistemas porttiles llevndolos
de una fuente de agua a otra.
Irrigacin: Las bombas solares se usan en granjas pequeas, huertos, viedos y jardines. Es
ms econmico bombear directamente del panel FV (sin bateras), almacenar agua en un tanque,
y distribuirla por gravedad. Donde se requiere la presurizacin, las bateras de almacenamiento
U4 T3(Aplicaciones Celdas Solares)- 10
estabilizan el voltaje para distribucin y flujo consistentes, y se podra eliminar la necesidad de
un tanque de almacenamiento.
Agua para uso domstico: Las bombas solares para casas privadas, villas, clnicas, etc. Una
bomba de agua puede alimentarse con su propio panel FV, o a travs de un sistema principal que
alimente las luces y los electrodomsticos. Puede usarse un tanque de almacenamiento elevado, o
una segunda bomba llamada bomba impulsora. La cual puede suministrar presin de agua
principal de bateras puede suministrar el almacenamiento en lugar de un tanque. El atrapar el
agua de lluvia puede suplir el bombeo solar cuando la luz solar es escasa. Para disear un
sistema, es importante tener una idea general de las necesidades y considerar todos los recursos.

Pensando en pequeo

No existen lmites para el tamao de las bombas solares. Pero, stas tienden a ser ms
competitivas en instalaciones pequeas donde los motores de combustin son menos econmicos.
Las bombas solares ms pequeas requieren menos de 150 vatios, y pueden elevar agua desde
profundidades superiores 65 a metros a razn de 5 a 7 litros por minuto. Ud. se sorprender del
desempeo de un sistema tan pequeo. En un da soleado con l0 horas de luz solar, la bomba
puede elevar 3,400 litros. Eso es un suministro suficiente para varias familias, 30 cabezas de
ganado 40 rboles frutales.
El bombeo solar lento nos permite utilizar fuentes de agua de bajo rendimiento. Tambin
reduce el costo de tuberas muy largas, ya que pueden usarse tubos de dimetro pequeo. La
longitud de la tubera tiene poca influencia sobre la energa requerida para bombear. Por lo que el
agua puede ser impulsada a grandes distancia a bajo costo. Las bombas solares pequeas pueden
instalarse sin necesidad de equipo pesado o herramientas especiales.
La forma ms efectiva de minimizar el costo del bombeo solar es minimizando la demanda de
agua a travs de la conservacin. La irrigacin por goteo, por ejemplo, puede reducir el consumo
a menos de la mitad que con los mtodos tradicionales. En los hogares, los sanitarios con bajo
consumo de agua pueden reducir el uso domstico total a la mitad. La eficiencia en el uso del
agua es una consideracin primaria en la economa del bombeo solar.

Enfoque el Diseo Cuidadosamente

Cuando estn presentes un generador u otra fuente principal, usamos una bomba relativamente
grande y encenderla slo cuando sea necesario. Con las bombas solares, no podemos darnos ese
lujo. Los paneles FV. son costosos, por lo que debemos determinar su tamao de forma exacta.
Es como arreglar un traje a la medida, se necesita tener todas las medidas.

Cuestionario para el diseo de un sistema de bomba solar

Ahora determinaremos si es mejor una bomba sumergible o una bomba de superficie. Esto se
basa en la naturaleza de la fuente de agua. Las bombas sumergibles estn adaptadas tanto para
pozos profundos como para fuentes de agua superficiales. Las bombas de superficie slo pueden
bombear agua desde una profundidad de 20 pies (6 m) por debajo del nivel del suelo, pero
pueden bombearla fcilmente colina arriba. Donde pueda usarse una bomba de superficie, esta
ser menos costosa que una bomba sumergible y hay a disposicin una gran variedad de ellas.


U4 T3(Aplicaciones Celdas Solares)- 11
Ahora, necesitamos determinar la tasa de flujo requerida. Esta es la ecuacin en trminos
bastante simples:

Galones (metros cbicos) por hora = galones (metros cbicos) por da/ horas pico de luz solar
disponibles por da.

Las horas de luz solar pico se refiere a las horas equivalentes promedio de energa solar
recibida por da. Estas varan con la ubicacin y la estacin del ao. Por ejemplo, en el rido
centro-oeste norteamericano el promedio es de 7 horas en el verano y disminuye a 4.5 horas pico
a mediados del invierno.


U4 T3(Aplicaciones Celdas Solares)- 12

LSER



INTRODUCCIN

Ahora se abordar el anlisis de los elementos particulares que se requieren en un
sistema optoelectrnico empezando con el primer elemento de la cadena: la fuente de luz.
Como ya se indic, la invencin del lser es quiz el punto ms importante en el desarrollo
de la optoelectrnica. Es dudoso que se hubieran presentado los otros eventos
significativos, como los avances logrados en las fibras pticas, por ejemplo, sin el impulso
y la promesa de todas las posibilidades importantes que present el lser. Inevitablemente,
el tratamiento de las fuentes luminosas debe concentrarse en este extraordinario dispositivo.
Sin embargo, no deben olvidarse las fuentes trmicas tradicionales como fuentes de arco,
fuentes incandescentes y descargas gaseosas o inclusive el sencillo diodo emisor de luz, que
tienen una funcin importante, aunque ms modesta. Estas fuentes sern mencionadas
cuando se considere apropiado.

Orgenes de la luz

Para comprender el lser y otras fuentes luminosas es necesario apreciar el carcter
nico de la luz emitida por gases y slidos. Cuando todos los cuerpos radiantes se observan
a simple vista parece que presentan un color caracterstico. La luz solar es blanca, un trozo
de fierro caliente puede ser de color rojo-anaranjado y la luz de un poste de alumbrado
publico es amarilla. Sin embargo, si la luz de tales fuentes se hace pasar a travs de un
prisma, entonces se dispersa en una serie de colores (componentes) denominado espectro.
La luz solar aparece como una banda continua de colores que varia del rojo al violeta, el
trozo de fierro tambin presenta una banda que varia del rojo apagado al anaranjado y la
lampara de sodio exhibe una serie de lneas brillantes estrechas. El que la distribucin
espectral sea continua o en lneas discretas depende de la naturaleza y temperatura de la
fuente.

Emisin espontnea de fotones

Los orgenes de la emisin espectral de la luz por un material pueden rastrearse hasta la
existencia de los niveles permitidos de energa dentro de la estructura del tomo en s ya la
excitacin y desexcitacin sucesiva de electrones entre tales niveles. Con base en el modelo
cuntico del tomo, no se permite que los electrones formen un continuo de rbitas
alrededor del ncleo, sino que estn confinados a un conjunto de rbitas discretas estables
mediante un equilibrio entre dos fuerzas opuestas. La fuerza de atraccin electrosttica,
denominada fuerza electrosttica de Coulomb, atrae el electrn negativo hacia el ncleo
positivo, mientras que la fuerza debida a la aceleracin de la masa del electrn acta
radialmente hacia fuera del ncleo. Los electrones enlazados no pueden asumir ningn
valor de energa, sino que slo poseen energas discretas especficas segn las rbitas
permitidas. Se dice que la energa est cuantizada y los valores permitidos de energa se
denominan niveles de energa. Mientras ms alejado del ncleo se encuentre el electrn, el
enlace ser menos fuerte.
LASER-
1
Para el caso ms sencillo de un tomo de hidrgeno, que slo tiene un electrn, en el
diagrama de nivel de energa de la figura 1 se muestra el intervalo de energa que puede
poseer el electrn. Cuando el electrn est en su nivel de energa ms bajo posible, se dice
que el tomo se encuentra en su estado fundamental (o base). Un tomo solo puede llevarse
a un estado excitado si el electrn absorbe una cantidad de energa exactamente igual a la
diferencia entre los niveles inferior y superior. Por ejemplo para elevar el tomo de
hidrogeno de un estado inferior W
i
a un estado excitado W
s
Se requiere que la energa
absorbida, W sea igual a W
s
- W
i
. Esta energa puede suministrarse por ejemplo, como
luz, calor o energa de colisin. Lo importante es que debe ser la cantidad necesaria. Por lo
general, la excitacin del tomo eleva los electrones de rbitas externas, los denominados
electrones de valencia, hacia niveles superiores.
Figura 1.- Diagrama de energa del hidrogeno en la que se observan las principales
lneas espectrales.

Cuando se encuentra en un estado excitado, es posible seguir excitando al tomo, hacia
un estado an superior o puede liberar parte, o toda su energa en exceso al regresar a un
estado inferior. En general, la vida de un tomo en un estado excitado es aproximadamente
LASER-
2
10 ns antes de que se relaje espontneamente a un nivel inferior con la liberacin de un
cuanto de energa igual a la diferencia entre su estado excitado inicial y su estado inferior
final. Aunque esta energa puede manifestarse de varias formas, lo que interesa son las
transiciones pticas, que dan por resultado la emisin de un fotn de luz.
La energa del fotn emitido, W
fot
, depende de la diferencia entre los dos niveles de
energa y esta dada por:

W
fot
= W
s
W
i
= W
si


puede recordarse que la energa del fotn tambin est dada por

W
fot
= hf
si
= hc/
si


en donde fsi es la frecuencia del fotn emitido
si
es su longitud de onda.

Debido a que el electrn tiene acceso a varios posibles niveles de energa es que puede
existir un intervalo de transiciones pticas, originando el espectro caracterstico de tal
elemento. En la figura 1 se muestran algunas de las transiciones posibles para el hidrgeno.

Densidad de poblacin

La situacin que acaba de ser descrita se relaciona con la de un solo tomo aislado.
Ahora, considere la situacin ms real en la que grandes cantidades de tomos existen en
diferentes estados de excitacin. En este caso, los electrones asociados con cada tomo
estn distribuidos a travs de todo el intervalo de niveles de energa disponibles para ellos.
En equilibrio trmico, la cantidad de tomos por unidad de volumen, la densidad de
poblacin en un estado de energa especfico depende exclusivamente de la temperatura del
gas y de la diferencia de energa entre el nivel excitado y un nivel inferior conocido.
Para un gas en equilibrio trmico cuyos alrededores se encuentran a una temperatura T, la
densidad de poblacin de los tomos N
s
en un estado excitado W
s
en relacin con los N
i
en
un estado inferior de energa W
i
est dada por la relacin de Boltzmann como:

|
.
|

\
|
=
(


=
kT
W
kT
W W
N
N
Si i S
i
S
exp exp


y se muestra esquemticamente en la figura 2. La importancia de la relacin anterior es que
a temperaturas normales la gran mayora de los tomos se encontrarn en sus estados
fundamentales. Relativamente pocos de ellos estarn en estados de excitacin superiores.
Aumentar la temperatura del sistema eleva ms tomos hacia los niveles superiores de
excitacin que posteriormente s desexcitarn mediante la liberacin espontnea de fotones
de regreso a los niveles inferiores. Existe una situacin dinmica en la cual el porcentaje de
poblacin de cualquier par de estados a una temperatura especfica est regido por la
ecuacin de Boltzmann a esa temperatura.


LASER-
3




Figura 2.- Distribucin de poblacin de Bolzmann.


Fuentes de luz trmicas

Los procesos que acaban de describirse constituyen la base de la emisin de luz a partir
de fuentes trmicas. Si un gas de baja presin como el hidrgeno se encierra en un tubo de
vidrio al vaco y se excita haciendo pasar una corriente elctrica a travs de l, los tomos y
molculas constituyentes absorben energa continuamente debido a la colisin con
electrones y tambin entre s. En cuanto los tomos ganan energa, inmediatamente la
pierden de nuevo debido a una combinacin de emisin espontnea de fotones, calor y
desexcitacin debida a las colisiones. En tal situacin dinmica, las poblaciones del nivel
de energa estn regidas por la relacin de Boltzmann a la temperatura especfica del gas.
Debido a que los tomos y las molculas estn lo suficientemente alejados entre s, de
modo que la estructura de energa se asemeja a la de un tomo aislado, la emisin de
fotones cubrir un amplio intervalo de longitudes de onda, pero ser de naturaleza discreta.
Tales fuentes luminosas se denominan fuentes de descarga gaseosa y se utilizan bastante
como fuentes de referencia en espectroscopia. Los ejemplos comunes son las lmparas de
sodio empleadas para el alumbrado pblico, ya mencionadas, y la lmpara de vapor de
mercurio. En la figura 3 se muestra un espectro para la lmpara de vapor de mercurio.
Cuando los tomos estn muy prximos entre s, como en un gas denso el Sol o un
slido como un trozo de fierro caliente, las estructuras de energa asociadas con los tomos
individuales se afectan mutuamente. Este es el comportamiento colectivo de muchos
tomos interactuantes de especies diferentes, en vez del comportamiento caracterstico de
los tomos individuales de un elemento especfico. Los niveles aislados deben correrse
ligeramente en energa y superponerse con respecto a los dems. A fin de dar cabida a
todos los electrones disponibles. En lugar de niveles de energa discretos individuales para
LASER-
4
el tomo aislado, se encuentra el desarrollo de bandas de niveles de energa bastante
prximas unas de otras. Entre ellas hay zonas prohibidas de energa, huecos de energa que
los tomos no pueden ocupar (figura 4).




Figura 3.- Espectro de una lampara de mercurio(arco)de 1000 W.

Figura 4.- Bandas de energa de un slido.

Para un gas a una temperatura dada, los niveles de energa disponibles ms bajos estn
llenos de electrones: estas bandas se denominan bandas de valencia. Por encima de stas se
encuentra un intervalo de bandas esencialmente vacas, denominadas bandas de
conduccin.
La excitacin eleva los tomos de las bandas de valencia densamente ocupadas hacia
las bandas de conduccin relativamente vacas. La emisin de un fotn ocurre cuando un
LASER-
5
electrn en una banda de conduccin se relaja a una banda de valencia con la liberacin de
una cantidad correspondiente de energa. Debido a que la emisin I ocurre entre bandas de
energa, en lugar de entre los niveles bien definidos recientemente descritos, el espectro
caracterstico es un continuo de banda ancha en el que son indistintas las transiciones
individuales, Aunque las poblaciones relativas de las bandas siguen siendo dependientes de
la temperatura, estn regidas no por la distribucin de Boltzmann, sino por la estadstica de
Femi-Dirac.
La distribucin espectral de energa radiada por tal fuente trmica est dada por la
radiacin de cuerpo negro, que proporciona la energa radiante emitida por un cuerpo
figura 5 se m

mpara de algeno de tungsteno de 100 W
operando a 3200
o
K.
Resumiendo, las fuentes lumin radiacin ptica como resultado
de un proceso dinmico de excitacin y desexcitacin espontnea de electrones de valencia.
caliente a una temperatura conocida. Esencialmente, mientras ms caliente est el cuerpo
ms energa emitir y menor ser la longitud de onda de la emisin pico. Por tanto, a
medida que un trazo de fierro se calienta, comienza a brillar con un color apagado,
cambiando a rojo-naranja ya amarillo mientras ms caliente est. Tales materiales
constituyen la base de las fuentes por descarga de arco o lmparas incandescentes. En la
Figura 5.- Espectro de una la
uestra un espectro tpico.

osas trmicas producen
Dado que la excitacin ocurre a varios niveles de energa, la radiacin est compuesta de un
amplio intervalo de longitudes de onda emitidas en instantes y direcciones aleatorios: se
dice que la luz es incoherente. Este comportamiento contrasta bastante con el de un lser,
en el cual la luz emitida es casi monocromtica, en fase y unidireccional: se dice que esta
luz es coherente.

LASER-
6




PRINCIPIOS BSICOS


Amplificacin de la luz


Para sistemas atmicos que se encuentran en equilibrio trmico con su entorno, la
emisin de luz es el resultado de dos procesos principales, a saber, la absorcin de energa
y, posteriormente, la emisin espontnea de energa. Sin embargo, existe un tercer
mecanismo, en el cual un tomo en un nivel de energa superior puede activarse o
estimularse en fase con un fotn incidente, a fin de emitir un fotn de la misma energa que
la del fotn estimulante. Este es el proceso conocido como emisin estimulada, que aunque
no es un proceso dominante en los sistemas trmicos a temperatura ambiente, es crucial
para la formacin del efecto lser.


Inversin de poblacin

La clave del comportamiento anterior es la probabilidad de ocurrencia real de una
transicin ptica. Lo que no se ha mencionado hasta el momento es que no todas las
transiciones, hacia arriba o hacia abajo, ocurren en igual probabilidad: algunas tienen
mayor probabilidad que otras para absorber o emitir un fotn. Para la emisin espontnea
de un fotn, la probabilidad de ocurrencia est inversamente relacionada con la longitud
media del tiempo t
espont
que un tomo puede permanecer en el nivel superior de la transicin
antes de que se relaje espontneamente. Por lo general, la duracin de t
espont
es del orden de
dcimas de nanosegundo. Mientras ms breve sea la vida espontnea, ms alta es la
probabilidad de ocurrencia de emisin espontnea. Para algunos pares de niveles en ciertos
materiales, la duracin espontnea puede ser del orden de unos cuantos milisegundos, por
lo cual la probabilidad de una transicin espontnea es relativamente baja. Sin embargo, a
medida que disminuye la probabilidad de emisin espontnea mejoran las condiciones que
favorecen la emisin estimulada. Debido a la existencia de estos estados de mayor vida es
posible crear una situacin en la que la velocidad a la que son bombeados los tomos hacia
uno de tales estados supera la velocidad a la que parte. As, es posible excitar una gran
cantidad de tomos hacia, y mantenerlos ah, el estado superior dejando atrs de ellos un
estado casi vaco. Esta situacin se denomina inversin de poblacin y evidentemente la
relacin de Boltzmann no la explica y el sistema ya no se encuentra en equilibrio trmico.

Emisin lser

Al irradiar un sistema atmico en el que se ha creado inversin de poblacin con un haz
de fotones de frecuencia f
si
correspondiente a la transicin entre los estados superior e
LASER- 7
inferior, se hacen vibrar los tomos del estado superior en fase con la luz incidente y de esta
forma se estimula la emisin de una cascada de fotones, cada una de frecuencia f
si
(figura
6). Todos los fotones emitidos tienen la misma longitud de onda y vibran en fase con los
fotones incidentes. Lo que se hizo fue aadir fotones al haz incidente promoviendo la
emisin estimulada a costa de la emisin espontnea: se ha amplificado la luz!
El comportamiento anterior constituye la base del efecto lser y proporciona el origen
de la denominacin LASER (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation),
amplificacin de la luz a partir de la emisin estimulada de radiacin.
















Figura.-6 Origen de la emisin estimulada de fotones en un sistema atmico
en el que Ns>>Ni.


Sistema lser de tres y cuatro niveles

En la prctica no es posible crear un lser que funcione con base en la absorcin y la
emisin entre slo dos niveles de energa, segn se acaba de describir. Dado que cuando
esto sucede, para cualquier par de niveles, la velocidad a la que se puebla el nivel superior
por absorcin iguala a la velocidad a la cual parten los tomos por emisin estimulada, lo
mejor que puede esperarse para un sistema de dos niveles es que las poblaciones sean
iguales en los niveles superior e inferior. No es posible lograr inversin de poblaciones. Se
requieren sistemas que presenten una estructura de tres e inclusive cuatro niveles.
En un sistema de tres niveles, los tomos son bombeados hacia el nivel ms alto, con la
ocurrencia de desexcitacin en el nivel intermedio de larga vida, que sirve como el nivel
superior de la transicin lser. Considere la estructura atmica que consta de los niveles b, e
i, como se muestra en la figura 7. La energa del nivel de bombeo superior se denota por
W
b
; la del nivel superior de la transicin lser, por W
s
Y la del nivel inferior (fundamental),
por W
i
Si inicialmente el sistema se encuentra en equilibrio trmico con su entorno,
entonces las poblaciones N
b
, N
s
y N
i
de los niveles respectivos estn dadas segn la
relacin de Boltzmann y por tanto N
b
es mucho mayor que N
s
que, a su vez, es mucho
mayor que N
i
.

LASER- 8















Figura 7.- Proceso de efecto lser en un sistema atmico de tres niveles. (a) La energa
de bombeo W
b
puebla el nivel b a partir del nivel i. (b) La rpida relajacin de bs
establece una inversin de poblacin entre los niveles s e i. (c) La emisin espontanea
estimula una cascada de fotones en la transicin lser (si).

Al suministrar energa de bombeo al sistema, equivalente en magnitud a W
b
, se elevan
los tomos del estado fundamental i al nivel superior de bombeo b. La desexcitacin del
nivel de bombeo al nivel lser superior.
Puede ocurrir por emisin espontnea o por procesos no radiativos como desexcitacin
por colisin. Si la velocidad a la que es alimentado el nivel lser superior por el nivel de
bombeo excede la de la desexcitacin espontnea del nivel lser, entonces es posible
establecer una inversin de poblaciones entre s e i, de modo que N
s
se haga mucho mayor
que N
i
Entonces, idealmente la velocidad a la que se alimenta el nivel lser superior del
nivel de bombeo debe ser rpida, con el despoblamiento consecuente del nivel fundamental
llevndose a cabo en forma relativamente lenta. La magnitud de la inversin de poblaciones
es sencillamente:

N
inv
= N
s
N
i

Ahora el sistema est en condiciones para el efecto lser. La emisin espontnea de un
fotn entre los niveles lser basta para estimular una avalancha de fotones coherentes,
caractersticos del efecto lser.
Una mejora de este comportamiento se obtiene con una estructura de cuatro niveles, en
donde la transicin lser se efecta entre los estadosexcitados tercero y segundo (figura 8).
En este caso se requiere que el despoblamiento del nivel inferior sea rpido, a fin de
asegurar que el nivel superior siempre est lleno y que el nivel inferior siempre est vaco.






LASER- 9

Figura 8.- Esquema de un sistema lser de cuatro niveles.

Cavidades resonantes pticas

Entonces, se ha demostrado que para obtener amplificacin de la luz de un medio dado
es necesario establecer una inversin de poblaciones entre un par elegido de niveles de
energa y promover la emisin estimulada a expensas de la emisin espontnea. Por s
misma, sin embargo, la afirmacin anterior no es un criterio suficiente para producir efecto
lser en un sistema dado. Si este sistema no se restringe de alguna forma especial, puede
radiar espontneamente en tantas direcciones que sera imposible mantener la emisin
estimulada. En la prctica, es necesario contar con algunos medios de realimentacin ptica
de modo que el haz estimulado pasa de ida y vuelta varias veces, permitiendo que estimule
emisin adicional mientras tanto. En otras palabras, se desea que la ganancia del sistema
sea positiva. Esto se logra restringiendo el medio lser entre dos espejos, uno totalmente
reflejante y el otro parcialmente reflejante La reflectividad del reflector parcial suele variar
de l0 a 90% y es necesaria para asegurar el escape de algo de luz lser y proporcionar
potencia ptica til.



Modos de cavidades longitudinales

Al limitar el medio lser entre un par de espejos y permitir que la luz rebote de un lado
a otro, se ha creado una cavidad resonante ptica en la que slo es posible mantener modos
de oscilacin especficos. Un modo de oscilacin en una cavidad resonante puede parecerse
al establecimiento de ondas estacionarias en un resorte estirado sujeto en ambos extremos,
slo se permiten los modos correspondientes a mltiplos de media longitud de onda, todos
los dems modos se extinguen. Esta condicin se expresa como:
LASER- 10

2
1
= L
en donde L es la longitud de la cavidad y es el nmero de modos permitidos.
La frecuencia de cada modo est dada por:

f
m
= c/2L

y la separacin entre modos est dada por:

f
m
/ = c / 2L

Al hacer que = 1 en la ecuacin anterior se obtiene la separacin entre modos
adyacentes. Para una cavidad lser, que puede medir un metro o algo as, son posibles
varios millones de modos de oscilacin, separados entre s por aproximadamente 150 MHz
(figura 9).
Figura 9.- Algunos modos de oscilacin posibles en una cavidad longitudinal.

Parece que ahora se tiene una irregularidad. Por una parte se est afirmando que dentro
de una cavidad solamente son permitidos ciertos modos que son mltiplos de una
frecuencia f
m
y por otra, slo es posible amplificar los fotones cuya frecuencia es f
si

Coinciden f
m
y f
si
? Si se trata como una lnea infinitesimal estrecha, entonces lo
anterior parece improbable. De hecho, la situacin real es ms optimista que la anterior,
debido a que la lnea espectral emitida por la transicin de s a i tiene un ancho de lnea
finito f
si
como se describir en la siguiente seccin.

Anchos de lnea espectrales

LASER- 11
Hasta el momento, se ha supuesto que el ancho espectral de la lnea lser emitida es
infinitesimalmente estrecho, con una frecuencia exactamente igual a f
si
= W
si
/ h. De
hecho este no es el caso. La lnea espectral emitida tendr un ancho de lnea finito f
si

centrado con respecto a f
si
(figura 10). El ancho de este perfil se relaciona con la pureza de
la monocromaticidad de la luz. Mientras mas estrecha sea la lnea, ms monocromtica
ser la luz lser, es decir, estar integrada con menos frecuencias. Pueden ocurrir varios
mecanismos que dan por resultado este estrechamiento de la lnea espectral.

Figura 10.- Ancho de una lnea lser de frecuencia f
si
.

En trminos generales, el ancho de lnea se representa por f (en Hz) o por (en nm).
Volviendo a la cavidad ptica, ahora es posible observar que los nicos modos de
oscilacin que pueden permitirse dentro de la cavidad son aquellos que coinciden con el
perfil de lnea de la transicin lser (figura 11). A estos modos permitidos se agregar
energa hasta que instantes como la ganancia del sistema supere el efecto acumulativo de
las prdidas. En otras palabras, el efecto lser se lleva a cabo cuando la ganancia
proporcionada por la emisin estimulada del nivel lser superior apenas exceda
cualesquiera prdidas debidas a, por ejemplo, emisin espontnea, fotones fuera de eje y
absorcin y dispersin en los espejos. La luz lser es emitida en un haz altamente
direccional a lo largo del eje ptico de la cavidad. La lnea lser de la que se est hablando
ahora no es una sola lnea infinitesimalmente estrecha, sino que est integrada por una serie
de unas cuantas lneas separadas por una frecuencia fija cuya intensidad est regida por el
perfil de lnea de la transicin lser.










LASER- 12


























(c)
Figura 11.- Modos de oscilacin longitudinal en una cavidad lser. (a) Posibles modos
de cavidad. (b) Perfil de lnea lser. (c) Modos de cavidad permitidos.

Operacin en una frecuencia nica

Ahora el lector ya debe poder darse cuenta de que si se incorpora algn elemento de
sintonizacin fina de la longitud de la cavidad es posible formar las oscilaciones de la
cavidad en un modo longitudinal nico. En otras palabras es posible hacer que el lser
oscile a la frecuencia de una sola cavidad.
En la prctica esto se logra insertando una componente selectora de frecuencias, por
ejemplo un interfermetro, dentro de la cavidad. Un interfermetro puede ser sencillamente
un bloque de cuarzo de grosor especfico y caras paralelas. Al inclinar el interfermetro en
la cavidad se modifica ligeramente la longitud de sta, de forma que slo un modo cumple
el criterio de la longitud de la cavidad. Los modos no deseados se pierden. Para asegurar
que se obtiene la mxima potencia disponible del lser, se intenta elegir el modo de
frecuencia ms prximo al centro del perfil de lnea. Por supuesto, aqu debe pagarse un
precio a costa de la potencia. En el proceso de sintonizacin de una sola longitud de onda,
en la operacin de multifrecuencias a una sola frecuencia, se pierde aproximadamente la
mitad de la potencia radiante posible.

LASER- 13

Modos de cavidad transversal

En el anlisis anterior se ha ignorado tcitamente cualquier ancho de la cavidad; los
modos de los que se est hablando son los modos longitudinal o axial. Por supuesto, la
cavidad tiene un ancho finito y permitir modos transversales surgidos de ondas que se
desplazan fuera de eje a lo largo de la cavidad. Estos modos afectan el perfil espacial del
haz. Tales modos se definen en trminos de la distribucin de onda electromagntica
transversal, los modos electromagnticos transversales (EMT), a travs de la cavidad. El
modo fundamental es el modo EMT
00
y corresponde a una distribucin suave de la luz a
travs de la salida de un lser. Este y algunos modos de orden superior, como el EMT
01
o el
EMT
11
, se muestran en la figura 12.Los modos transversales son una funcin del ancho de
la cavidad. Al instalar una apertura variable en la cavidad, es posible reducir el dimetro
hasta el punto en que sea posible permitir un slo modo EMT
00
. Una vez ms se pierde el
flujo radiante al pasar de un modo de frecuencia mltiple a uno de una sola frecuencia.

Figura 12.- Algunos modos tpicos de cavidad transversal. (a) Modo fundamental
EMT
00
(gaussiano). (b) Modo EMT
01
de primer orden (de dona). (c) Modo de orden
superior.(d) Modo EMT
01
de primer orden.

Condicin umbral para efecto lser

Al analizar las condiciones necesarias para producir oscilaciones lser en un sistema
dado no se ha tomado en cuenta ninguna prdida de potencia que pudiese ocurrir. Aunque
para el avance del efecto lser la inversin de poblaciones es indispensable, no es posible
producir ninguna luz lser til a menos que la potencia radiante producida por emisin
estimulada supere tal(es) prdida(s) mediante otros mecanismos. Las prdidas del sistema
incluyen la potencia emitida en transiciones espontneas, prdidas internas como absorcin
en el medio en transiciones indeseadas, dispersin en el medio y dispersin y difraccin en
los espejos.
Estas prdidas representan energa desperdiciada. La transmisin de la luz lser a travs
del espejo de salida tambin es prdida de potencia, aunque es una condicin esencial para
la extraccin de potencia til del lser. Por consiguiente, debe existir un umbral, antes de
LASER- 14
que sea posible la ocurrencia del efecto lser. Correspondiente al punto de equilibrio entre
ganancia y prdida.

Ganancia umbral del sistema

La condicin umbral de un sistema dado puede calcularse mediante el anlisis de la
figura 13. El medio lser de longitud L est limitado en cada extremo por dos espejos, uno
perfectamente reflejante y el otro con una reflexividad R. Inicialmente es posible imaginar
que un haz de potencia radiante
0
parte del reflejante total y atraviesa el medio activo. El
cambio fraccionario en potencia por unidad de longitud L de la trayectoria del haz puede
definirse en trminos de un coeficiente de ganancia g de pequea seal del medio como.


dL
d
g

1


que luego de ser integrado produce

=
0
exp gL

Para la amplificacin de la luz es necesario que el coeficiente de ganancia del sistema
sea positivo. Si g es negativo, que es la situacin perteneciente al equilibrio trmico,
entonces el haz pierde energa a medida que atraviesa el medio.
Figura 13.- Amplificacin de la luz en un medio lser de ganancia g y perdidas
internas g
i
.

Para tomar en cuenta las prdidas del sistema, el coeficiente g de ganancia global debe
reducirse por un coeficiente de prdida g
i
que incluye todas las prdidas internas ya
descritas. Despus de una pasada del haz a travs del medio lser, entonces su potencia
radiante se transforma en
0
exp [(g-g
i
)L]. La reflexin en el espejo de salida reducir la
LASER- 15
potencia a
0
Rexp[(g g
i
)L]. Otra pasada a travs del medio produce una potencia igual a

0
exp [2(g g
i
)L]. Por ltimo, despus de la reflexin en el reflejante total, el haz habr
completado un circuito completo a travs del sistema y ahora su potencia radiante estar
dada por cpoRexp[2(g -g)L]. Si en esta etapa la nueva potencia excede su valor inicial,
entonces es posible mantener oscilaciones lser. Por tanto, la condicin mnima para que se
lleven a cabo las oscilaciones es que

0
Rexp[2(g g
i
)L] =
0

o bien (1),

Rexp [2(g g
i
)L] = 1

Al reordenar los trminos se obtiene

exp[2(g g
i
)L_] = 1/R

Tomando logaritmos naturales en ambos miembros de la expresin se obtiene

2(g g
i
)L = In(1/R)

y se concluye en la siguiente condicin para el coeficiente de ganancia de seal pequea

g = g
i
+ (1/2L)In(1/R)

Dado que R suele aproximarse bastante a la unidad,

In(1/R) = 1 - R = t

en donde t es la transmisin del espejo de salida.
Ahora se tiene

g
umbral
= g
i
+ t2L

Para el coeficiente de ganancia umbral necesario para mantener oscilaciones lser en un
sistema dado. Esta condicin tambin puede escribirse como

g
umbral
= g
i
+ g
m


en donde gm es el coeficiente por prdidas de transmisin en el espejo de salida y esta dado
por la ecuacin (2) como:

g
m
= t / 2L

La existencia de este coeficiente de ganancia umbral implica que existe un valor
mnimo de inversin de poblaciones que debe establecerse antes de proceder con la accin
lser. Este valor mnimo se denomina inversin de poblaciones umbral, N
umbral
.
LASER- 16




La cavidad ptica como oscilador

Con base en el anlisis anterior es obvio que es posible comparar el comportamiento de
un lser y el de un amplificador electrnico al que se aplica realimentacin positiva. Por
analoga, la ganancia de cualquier amplificador con ganancia G
t
Puede relacionarse con su
ganancia G
0
de ciclo abierto mediante la relacin:

G
t
= G
0
(1-G
0
)

en donde es el factor de realimentacin (figura 14). Para que en tal amplificador se lleven
a cabo oscilaciones es necesario la siguiente condicin.

Go=1

En otras palabras, se ha aplicado realimentacin positiva al sistema.
Figura 14.-Representacin diagramtica de un amplificador con ganancia
de ciclo abierto G
0
y realimentacin positiva

La ganancia del haz lser a medida que efecta una pasada a travs del medio puede
estar dada por Go =/
0
= exp[(g g
i
)L]. Esto puede interpretarse como la ganancia de
lazo abierto, o ganancia sin realimentacin, del sistema. Al comparar las ecuaciones (1) y
(2) se observa que las dos condiciones son idnticas, suponiendo que cl factor de
realimentacin se interprete como:

= R
1/2


y la ganancia de lazo abierto como

Go = { exp[2(g -g
i
)L] }
1/2


LASER- 17
Al sustituir lo anterior en la ecuacin Go=1y reordenando los trminos se vuelve ala
condicin umbral como ya se proporcion antes.



Acoplamiento de salida

Acaban de analizarse las condiciones necesarias para mantener oscilaciones lser en su
valor umbral en una cavidad ptica. Sin embargo, para obtener una potencia de salida til
del lser mediante emisin estimulada se requiere que el sistema se bombee con energa a
una velocidad superior a la necesaria para establecer la inversin de poblaciones umbral. La
mnima potencia de bombeo necesaria para establecer una inversin de poblaciones es la
potencia de bombeo umbral
umbral
. La razn de la potencia de bombeo suministrada

bombeo
a la potencia de bombeo umbral est dada como
p =
bombeo
/
umbral

La potencia radiante total que es posible obtener del lser puede expresarse en trminos
de la potencia generada en transiciones estimuladas
estim
como:


salida
=
estim
|
|
.
|
\
|
+
i m
m
g g
g



en donde el trmino entre corchetes representa la friccin de potencia generada que sale del
espejo de salida. La potencia generada como radiacin estimulada est, en s, relacionada
con la potencia de bombeo suministrada al sistema menos cualesquiera potencia radiante
emitida en transiciones espontaneas, de acuerdo con:

estim
=
bombeo

espont

La potencia radiante emitida en transiciones espontneas es proporcional al coeficiente
de prdida total g
m
+ g
i
y por tanto. relacionado est con la potencia de bombeo umbral
como:

espont
=
umbral
(g
m
+g
i
)/g
i


Por consiguiente. al relacionar las ultimas ecuaciones se obtiene la siguiente relacin (3):

espont
=
umbral
p
(

)
`

+
i
m
i m
m
g
g
g g
g


Tpicamente, la razn de bombeo debe ser por lo menos cuatro veces la potencia de
bombeo umbral para obtener una salida radiante til.
La relacin anterior indica la potencia de salida posible para una velocidad de bombeo
dada y coeficientes de prdida especficos. Sin embargo. Debe ser evidente que la potencia
LASER- 18
que es posible obtener depende de la transmisin del espejo de salida. Al aumentar esta
transmisin para obtener ms potencia se incrementa la prdida global del sistema. Que por
tanto requiere mayor potencia de bombeo para alcanzar el umbral. Al reducir la transmisin
del espejo a cero se reduce la potencia de bombeo umbral a un mnimo, pero se evita
cualquier extraccin de la salida. Por consiguiente. Debe existir un factor ptimo de
transmisin del espejo al cual la potencia de salida radiante sea mxima.
La ptima transmisin del espejo se obtiene diferenciando la ecuacin (3) con respecto
a g
m
e igualando a cero. De esta forma se llega a la condicin de ptima transmisin del
espejo como

g
m
(opt) = g
i
( p
1/2
-1)

Ahora. sustituyendo a gm en la ecuacin se obtiene

T
opt
= 2g
i
L( p
1/2
-1)

El flujo mximo se obtiene al sustituir de regreso t
opt
en la ecuacin. Por consiguiente:

opt
=
umbral
(p
1/2
- 1)
2




LASER- 19
SISTEMA LASER

Introduccin

Anteriormente se presentaron los procesos fsicos necesarios para producir
amplificacin de la luz en un sistema atmico. Ahora la atencin se centra en cmo puede
lograrse lo anterior en la prctica. Cules son las restricciones impuestas al intentar
producir un amplificador ptico verdadero? En otras palabras, cmo se elabora un lser?

Amplificadores pticos: lser

Los requisitos bsicos en cualquier lser son idnticos. En primer lugar, se necesita un
medio que presente la estructura de nivel de energa deseada para permitir el efecto lser.
El medio puede ser un gas, un cristal slido aislante, un lquido un cristal semiconductor,
por consiguiente, se tienen lser de estado slido, lser gaseoso, lser coloreado y lser
semiconductor, por mencionar algunos de los tipos de lser ms conocidos. En segundo
lugar, para establecer una inversin de poblaciones, es necesario bombear energa al
sistema. El mtodo de bombeo utilizado, tambin depende del medio activo. En el lser
gaseoso, la excitacin se suministra generalmente haciendo pasar una descarga elctrica a
travs del gas; el lser de estado slido suelen bombearse inundando el cristal con
radiacin intensa de un tubo de destellos; Los lser coloreados se bombean mediante una
lmpara estroboscpica a partir de otro lser; los lser semiconductores se bombean al
dispositivo por medio de una inyeccin de corriente. Por ltimo, se necesita un mecanismo
mediante el cul sea posible introducir realimentacin ptica y as mantener la ganancia del
sistema por encima de todas las prdidas. Como se vio antes, esto se logra al limitar el
medio entre dos reflectores para formar una cavidad resonante ptica. En la Fig.15 se
muestra el sistema lser completo.

Figura 15.- Esquema de los elementos de un lser

LASER-
20
Aunque actualmente existen a disposicin varios cientos de lser diferentes, en
ingeniera slo son de uso comn unos cuntos tipos. En la tabla siguiente se enumeran las
caractersticas de los principales tipos de lser. Se intentar proporcionar bastantes
elementos para la comprensin del diseo, funcionamiento y propiedades de tales lser.
Debe tenerse en cuenta que el diseo de los lser modernos es ms complicado que como
aqu se presenta. Slo se pretende que el lector obtenga una idea acerca de los factores que
intervienen en tal diseo. Por ejemplo, en todos los anlisis realizados hasta el momento se
ha expuesto la existencia de una cavidad ptica limitada por reflectores paralelos. En la
prctica se adoptan muchas disposiciones de espejos.
Debido a que, como se ver posteriormente, los haces lser tienden a entregar su alto
flujo de salida en un haz direccional bastante estrecho, algunas veces es apropiado analizar
la salida en trminos de la irradiancia, o flujo por unidad e rea incidente sobre una
superficie.

CLASIFICACIN DE LOS LSER

Medio Principales
longitudes de
onda
Salida Modo Eficiencia
tpica %
Dimetro del
haz tpico
(mm)
LSER GASEOSO
HeNe 633 nm 0.1 50 mW Continuo 0.1 1
Argn 488 514nm 5mW - 20W Continuo 0.1 1
CO2 10.6m 20W 15kW Continuo 10 25

LSER DE ESTADO SLIDO
Rub 694nm 30mJ 100J Pulsos 0.5 5 - 10
Nd - YAG 1.064m 10mJ 150J Pulsos 1 - 2 1 10
LSER SEMICONDUCTOR
GaAlAs 750 905nm 1 40mJ Continuo Hasta 20
GaAsP 1.1 - 1.6m 1 10mW Continuo Hasta 20
LSER EXIMER
Ar
Fluoruro
193nm 50W Pulsos Hasta 1 2x4 25x30
KrFluoruro 248nm 100W Pulsos Hasta 2 2x4 25x30
LSER COLOREADO
Bombeado
con lser de
iones
4001000nm
ajustable
Hasta 2W Continuo 5 - 25 0.6 1
Bombeado
con lser de
pulsos
3001000nm
ajustable
Hasta 15W Pulsos Depende de
la luz de
bombeo
2 - 10


Propiedades del lser.

LASER-
21
Para poder comparar los sistemas de lser comunes es pertinente presentar aqu las
principales propiedades y parmetros de los lser y de la luz lser.

Potencia radiante.

Una de las caractersticas mas importante es su capacidad para proporcionar alta
potencia radiante en modo de pulsos continuo. La potencia por pulsos vara desde unos
cuantos watts producidos por lser semiconductores hasta aproximadamente 10 watts
proporcionados por lser de estado slido en sistemas de fusin lser. La potencia ptica
continua, vara desde unos cuantos miliwatts en lser de HeNe hasta varios kilowatts
proporcionados por lser de CO2.

Coherencia.

Una de las caractersticas ms extraordinarias de los lser gaseosos es la emisin de un
haz estrecho de luz cintilnte que se utiliza para producir efectos vistosos en espectculos a
base de luz lser.
El alto grado de paralelismo, direccionhabilidad y monocromaticidad se observa en
alguna medida en todos los lser y est relacionado con la coherencia del haz. Es posible
identificar dos tipos de coherencia: la temporal, que define la constancia de fase del haz
entre dos instantes dados en el tiempo y la espacial, que define la constancia de fase del haz
entre dos puntos a travs del frente de ondas (figura 16). Los parmetros mencionados se
modifican a su vez por el diseo de la cavidad ptica y por la estructura de energa del
medio lser.

Figura 16.- Luz coherente e incoherente. (a) Incoherente espacial y temporalmente;
(b) Coherente espacial y temporalmente.

LASER-
22
Longitud de coherencia.

Para fines prcticos, la coherencia temporal se describe mejor en trminos de la
longitud de coherencia del lser. Si la salida de un haz lser se divide en dos partes y se
recombina luego de haber recorrido dos trayectorias diferentes de igual longitud, los dos
haces interferirn, formando un patrn de interferencia en el punto de la recombinacin.

Al cambiar la longitud de la trayectoria de un haz con respecto a la otra se reduce la
visibilidad del patrn de interferencia hasta que en algn punto, cuando las longitudes de
las trayectorias difieran por I
C
, ya no haya interferencia. El parmetro Ic define la
longitud de coherencia del lser.

La longitud de coherencia est relacionada con la monocromaticidad o ancho de lnea
del haz segn la expresin:
Ic = c / f

Mientras ms estrecho sea el ancho de lnea mayor ser el grado de coherencia.
El ancho de lnea tambin est, como ya se vio antes, relacionado con el nmero de
modos longitudinales que es posible mantener en una cavidad ptica. Al restringir el lser
de forma que opere en un modo longitudinal nico es posible reducir su ancho lnea y por
tanto incrementar su longitud de coherencia. Los anchos de lnea para los lser de
operacin en modos mltiples suelen ser de decenas de Giga hertz, con lo que se obtienen
longitudes de coherencia de unos cuantos milmetros. Al operar en un modo longitudinal
nico, los anchos de lnea se reducen a unos cuantos cientos de Mega hertz, originando
longitudes de coherencia de unos metros. En contraste, los mayores anchos de lnea de lser
de estado slido originan longitudes de coherencia de fracciones de milmetro en operacin
de modos mltiples y de aproximadamente un metro en operacin de modo nico.
Es en aplicaciones como la holografa que la longitud de coherencia es de suma
importancia, ya que determina efectivamente la distancia que pueden recorrer dos ondas
mutuamente coherentes y seguir produciendo un patrn de interferencia.

Divergencia del haz.

La coherencia espacial de un haz lser se define por medio del nmero de modos de
cavidad transversal que puede permitir la cavidad, la que a su vez est relacionada con la
dispersin angular o divergencia del haz a medida que abandona la cavidad. La dispersin
angular se debe ala difraccin, o curvatura, experimentada por la luz a medida que pasa por
una abertura. La divergencia del haz o la cantidad por la cual se incrementa el dimetro
del haz a travs de una distancia dada es mnima para los modos de orden ms bajo. Por
consiguiente, un lser que oscila en el modo fundamental EMT
00
exhibir mxima
coherencia espacial y mnima divergencia. La divergencia suele medirse en radianes. Por
ejemplo una divergencia de 1 mR corresponde a un incremento de 1 mm en el dimetro a lo
largo de 1 m de recorrido. La divergencia es mnima para los lser gaseosos a
LASER-
23
aproximadamente 0.5 mR que se incrementan hasta lser de estado slido a
aproximadamente 5 mR hasta los 20 mR o algo as para los lser semiconductores.
Con la divergencia tambin se relaciona la capacidad de enfocar un haz lser aun
pequeo tamao de punto. El dimetro d al que es posible enfocar un haz lser mediante
una lente de distancia focal f suele expresarse como:

d= 2f

Por consiguiente, los menores tamaos de punto se obtienen para los lser que operan
en el modo fundamental EMT
00
.

LASER-
24
TIPOS DE LSER
Lser gaseoso.

Este tipo de lser se caracteriza por tener como medio activo un gas atmico, inico
molecular con el conjunto idneo de niveles de energa. La estructura del nivel de energa
de un gas de baja densidad se aproxima a la de un tomo aislado con transiciones entre
niveles individuales quiz en algunos grupos de niveles muy prximos entre si. El medio
est cerrado en un tubo cilndrico sellado en cada extremo por un espejo a fin de formar la
cavidad ptica. El bombeo se lleva a cabo por medio de una descarga elctrica que se hace
pasar a travs del gas.

El lser de HeNe.

El lser de HeNe fue el segundo sistema en funcionamiento demostrado, pero fue el
primer lser gaseoso en funcionar y tambin fue el primero en producir un haz de salida
continuo, es de uso comn por ejem., ptica general, holografa, topografa y
procesamiento de imgenes.
El medio activo es una mezcla gaseosa de helio y nen, en proporcin aproximada de
10:1,contenida en un tubo de cuarzo cerrado. Se crea una descarga brillante en el gas
mediante la aplicacin de un alto voltaje de entre 1 y 10 kV entre un par de electrodos
insertados en extremos opuestos del tubo (figura 17). Una vez encendido para mantener la
descarga basta una corriente directa estable de entre 3 a 10 mA. La corriente elctrica que
fluye produce excitacin de los tomos de He debido a colisiones con los electrones
energizados. A su vez, los tomos excitados de He transfieren parte de esta energa,
mediante colisiones atmicas, a los tomos de Ne, con lo que stos son elevados a sus
niveles de excitacin superiores. (vase el diagrama de nivel de energa de la Fig. 18). En
ste nivel se establece una inversin de poblaciones y puede llevarse a cabo el efecto lser a
una longitud de onda de 632.8 nm. Es importante observar que los tomos de He
proporcionan el medio para excitar los tomos de Ne; el efecto lser se lleva a cabo en los
niveles del Ne.







Figura 17.- Lser HeNe

LASER- 25
El efecto lser contina en tanto sea posible mantener la inversin de poblaciones y sea
emitido un haz continuo con potencias en el intervalo de 0.5 a 50 mW.


Figura 18.- Diagrama de energa HeNe


La ganancia HeNe a esta longitud de onda es baja y slo es posible permitir pequeas
prdidas de cavidad, lo que implica el empleo de espejos de alta calidad con bajas prdidas
por dispersin y absorcin. Los anchos de lnea en los lser gaseosos son mucho ms bajos
que en cualquier otro tipo de sistema lser. En particular, para el lser de HeNe los anchos
de lnea suelen ser del orden de unos cuantos picmetros.
En el lser de HeNe baratos de baja potencia, hasta aproximadamente 1 mW, los
espejos estn fijos directamente al tubo de descarga. En las versiones de alta potencia, los
espejos son externos al tubo de descarga y ste debe estar sellado con ventanas de ajuste.
Estas ventanas estn inclinadas aun ngulo especfico con respecto al eje ptico, el ngulo
de Brewster. Cuando se hace incidir luz no polarizada sobre una pieza de cristal o cuarzo
inclinada a su ngulo de Brewster, slo son transmitidas las componentes de luz polarizada
en el plano de la ventana. Las dems componentes son reflejadas y la luz emerge
plenamente polarizada.

Requisitos de potencia de bombeo para un lser de HeNe

Los lser de baja potencia, como los de HeNe, suelen bombearse a partir de una fuente
de CD de alta tensin a travs de los extremos de un tubo lleno de gas. Por lo general, para
obtener larga duracin y rendimiento ptimo basta un circuito como el que se muestra en la
figura 19, suponiendo que se tiene cuidado en la eleccin de los parmetros de operacin.
La consideracin ms importante es la relacin negativa voltaje-corriente tpica de tales
LASER- 26
lser (figura 20). La pendiente negativa de esta curva indica el empleo de una resistencia
autorreguladora (o de compensacin) a fin de obtener una resistencia positiva y evitar la
sobrecarga de la fuente de alimentacin. Inicialmente, para producir suficiente ionizacin
del gas, de modo que empiece el efecto lser, se requiere un alto voltaje aproximado de
8kV (V
inicio
). La accin lser no puede sostenerse sino hasta que se alcanza una corriente
especfica I
lser
en la cual la resistencia positiva de la resistencia de compensacin equilibra
la resistencia negativa de la columna de gas. La corriente a travs del tubo es incrementada
a partir de este punto hasta que se alcanza la corriente ptima de operacin, ala cual la
potencia de salida es mxima. El voltaje ptimo de operacin V
op
para el tubo que se
muestra es aproximadamente igual a 1800 V a una corriente ptima I
op
igual a 7.5 mA. Los
fabricantes recomiendan valores idneos para la resistencia de carga, de aproximadamente
50 a 100 k., as como puntos de operacin ptimos para el voltaje y la corriente.



Figura 19.- Suministro de potencia tpica para el lser de HeNe.







LASER- 27


Figura 20.- Caracterstica voltaje-corriente tpica para el lser de HeNe.

Como se ver a continuacin, los lser de argn son inherentemente ms complicados
debido a la necesidad de suministrar grandes cantidades de potencia de bombeo para
ionizar inicialmente los tomos de argn y luego excitar los iones a los niveles de energa
requeridos. El diseo de tales lser est ms all de los objetivos de este texto.

El lser de iones de argn.

A diferencia del lser de HeNe, en el que el efecto lser se lleva a cabo en especie
atmica, el medio activo en el lser de argn es un plasma de iones excitados. Se crea una
descarga elctrica en un tubo estrecho de argn gaseoso. Primero se ionizan los tomos del
argn y luego son excitados por colisiones mltiples con los electrones en sus niveles de
energa superiores (figura 21). Para ionizar los tomos del argn se requieren
aproximadamente 16 eV y otros 20 eV para excitarlos hacia sus niveles lser superiores.
Debido a la existencia de una banda de niveles superiores muy prximos entre si, varias
transiciones lser ocurren simultneamente en la regin azul-verde del espectro, de las
cuales la ms intensa se lleva acabo a 514 y 488 nm (figura 22). Debido a la alta energa
necesaria para ionizar y excitar los tomos de argn se requieren densidades de corrientes
muy altas, del orden de 1 A por mm
2
.


LASER- 28



Figura 21.- Diagrama de energa para el Argn.


Figura 22.- Espectro de salida del lser de argn (9 W de potencia radiante total).


Un campo magntico rodea un tubo lser para ayudar a constreir la descarga gaseosa y
mantener alta la densidad de corriente. El campo longitudinal incrementa la densidad de
electrones en el plasma al restringir el movimiento de los electrones a una trayectoria
helicoidal alrededor de las lneas de campo. Con esto se evita la prdida de electrones hacia
las paredes. El tubo de descarga generalmente se fabrica de un material con baja
conductividad trmica, como xido de berilio (BeO), grafito o una construccin de un tubo
LASER- 29
de metal-cermica. Para mantener bajas las temperaturas de ejecucin, la ltima generacin
de lser de argn presenta discos metlicos insertados dentro del tubo para actuar como
intercambiadores de calor.
Los lser de argn emiten aproximadamente de 1 a 20 w de flujo distribuido entre casi
todas las longitudes de onda de la accin lser. A las ms poderosas de tales longitudes de
onda es posible obtener hasta 5 6 w. la lnea de 514 nm. Los lser de argn suelen
utilizarse a una sola longitud de onda, en vez de en el modo de todas las lneas. La
operacin en una sola longitud de onda se obtiene mediante la insercin de una componente
selectora de longitud de onda, como un prisma, dentro de la cavidad. Al hacer girar el
prisma se hace entrar en operacin cada longitud de onda en forma idnea. Una vez que el
usuario ha elegido la operacin en una sola longitud de onda, a continuacin puede elegir
pasar a operacin de frecuencia nica, que es esencial para aplicaciones que demandan una
gran longitud de coherencia. Esto se lleva acabo mediante la insercin de una componente
selectora de frecuencia, como un interfermetro. El espectro secuencial de pasar de la
operacin de todas las lneas ala frecuencia nica, con su consecuente prdida de potencia
de salida, se muestra en la figura 23.
Algunas de las aplicaciones comunes de los lser de argn se dan en la holografa,
ciruga ocular, espectroqumica, procesamiento de imgenes, procesamiento de
semiconductores y finalmente, aunque no por ello menos importante en trminos de
nmeros de lser suministrados, espectculos a base de la luz lser.

Figura 23.- Seleccin del modo longitudinal en un lser de argn. (a) Operacin en
todas las lneas (potencia total 6 W); (b) Operacin nica (2 W);
(c) Operacin en frecuencia nica (1 W).
LASER- 30

El lser de bixido de carbono.

El tercer lser gaseoso que se analiza es fundamentalmente distinto a los otros dos. Los
niveles de energa importantes se obtienen no por la distribucin de los electrones, sino que
se deben al movimiento oscilatorio de toda la molcula de carbono en s. Esta molcula
puede representarse como un arreglo lineal de tomos O-C-O que vibran cada uno con
respecto a los dems. Varios diferentes modos de vibracin originan un conjunto de niveles
de energa con transmisiones que se ubican en el infrarrojo profundo. La principal longitud
de onda del CO
2
es 10.6 m. Se obtienen salidas de potencia continuas hasta de varios kilo
watts, por lo que este lser es la eleccin preferida para aplicaciones de procesamiento de
materiales como corte, soldadura y recocido. A diferencia de casi todos los dems lser, el
de CO
2
presenta eficiencia apreciablemente alta, tpicamente de l0 a 25%. Para alcanzar las
elevadas potencias requeridas de este lser, las longitudes de la cavidad pueden estirarse
hasta 2, 3 o ms metros. Algunas variantes, como el atmosfrico excitado transversalmente
(AET), en el cual la excitacin es aplicada a travs en lugar de a lo largo de la descarga,
permiten la construccin de lser de CO
2
ms compactos. Otras variantes, como los lser de
CO
2
de gua de ondas son capaces de producir cientos de miliwatts en un lser que mide no
ms de 20 30 cm de longitud.

Lser de estado slido.

Este tipo de lser se caracteriza por tener como medio activo no un gas, sino una varilla
una plancha slida de aislante cristalino ligeramente impurificado. Es el constituyente
impurificador lo que proporciona la estructura energtica requerida para producir el efecto
lser. La red cristalina acta especialmente como material husped, aunque tambin
modifica la estructura energtica global.

Lser de rub.

El lser de rub tiene un lugar histrico debido a que fue el primer lser cuyo
funcionamiento se demostr. El medio activo es un cristal cilndrico de rub sinttico
(Al2O3) no purificado, con aproximadamente 0.05% en peso de iones de cromo (Cr).Los
extremos de la varilla son planos, paralelos y estn pulidos. Se requieren normas bastante
rigurosas de calidad de plano y paralelismo, la calidad del plano en toda la cara no debe
variar en mas de un cuarto de longitud de onda y ambas superficies deben ser paralelas
entre s con una exactitud de unos cuantos segundos de arco. El bombeo se obtiene por
energa ptica de un tubo de destellos. A menudo el rub y el tubo de destellos se colocan
en los focos respectivos de un reflector elptico, para asegurar que se bombee a la varilla la
mxima cantidad de luz posible. El rub absorbe la energa de bombeo en la regin azul-
verde del espectro y emite su energa lser principal a una longitud de onda de 694.3 nm.
La absorcin de la luz verde eleva los iones de cromo a una banda ancha de niveles
superiores a partir de los cules se relajan muy rpidamente al nivel superior de la
LASER- 31
transicin lser (figura 24). Este es un estado metaestable cuya duracin es de 3ms. Entre
este estado y el estado fundamental se establece una inversin de poblaciones.
La emisin radiante ocurre como un pulso corto de energa de duracin aprox. de
250s, Las energas comunes para los lser de rub varan desde unos cuantos milijoules
hasta varios cientos de joules.








Figura 24 -. Lser de estado solido y Diagrama de energa de Rub


El lser de Nd-YAG

Ahora, concediendo que el lser de rub es el lser de aislante impurificado de mayor
uso, el material husped es un cristal de itrio-aluminio-granate (YAG) impurificado con
iones de neodimio (Nd
3+
). La ventaja del lser de Nd-YAG sobre el de rub es su menor
umbral y mayor ganancia. Las implicaciones de lo anterior son que el lser funciona ms
fro, tiene una operacin ms eficiente, puede hacerse ms pequeo para una energa dada y
se puede operar a velocidades de repeticin relativamente altas, hasta de 50 kHz.
LASER- 32
El bombeo ptico eleva los iones hacia el gran nmero de niveles de aproximadamente
2 eV, con relajamiento no radiativo hacia el nivel lser superior (figura 25). La emisin
lser se lleva acabo a 1.064 m.



Figura 25.- Diagrama de energa para el Nd-YAG (Nd
+3
)

Conmutacin Q.

El modo de operacin que acaba de describiese para los lser de estado slido se
denomina funcionamiento libre. Existe un modo alternativo de operacin, de uso comn,
denominado conmutacin Q (CQ) que permite la obtencin de potencias pico mucho ms
altas para una energa de bombeo dada. En cl modo CQ, en la cavidad se coloca un
obturador ptico, por lo general entre el espejo posterior y cl medio lser, a fin de impedir
la realimentacin del espejo. De esta forma se incrementa la capacidad de la cavidad para
almacenar energa, con respecto a su valor normal y, an cuando la inversin de
poblaciones se est llevando a cabo, se evita el afecto lser. La capacidad de una cavidad
resonante para almacenar energa suele definiese en trminos de su factor Q. La Q de una
cavidad es una medida de cunta energa es posible almacenar en ella en contra de la
prdida de potencia de esta. Una cavidad con una Q alta permite el almacenamiento de
bastante energa. Los lser suelen tener factores Q de unos cuantos millones, en
comparacin con los pocos cientos de los osciladores elctricos. La inversin de poblacin
se llevar a cabo bastante por encima de su valor umbral normal. Cuando se abre el
obturador, se lleva a cabo emisin de energa en un destello corto y brillante. De esta
forma es posible obtener duraciones de pulso tan breves como del orden de unos cuantos
nanosegundos, obtenindose potencias medias de megawatts y mayores.
Para la conmutacin Q existen varios mecanismos. Uno de los mtodos ms sencillos, y
de uso ms reciente, era la sustitucin del reflector total, el espejo posterior, por un espejo
giratorio. La oscilacin lser es impedida hasta que el espejo se alinea con el eje ptico de
la cavidad, en otras palabras, hasta que los espejos frontal y posterior se encuentran
LASER- 33
momentneamente paralelos entre s. Por consiguiente, se obtienen mejor control de la
operacin y mayor flujo mediante el empleo de un colorante orgnico decolorable, como la
criptocianina. El colorante (o tinte) es opaco inicialmente, y mantiene la oscilacin lser
hasta que se alcanza cierto flujo y a partir de entonces el colorante se vuelve transparente y
es posible llevar a cabo la accin lser. El valor particular del flujo umbral depende del tipo
y espesor del colorante, as como de la longitud de onda de la luz lser. La principal
desventaja del colorante es su duracin limitada y la variabilidad en la sincronizacin del
inicio de la accin lser. Estas deficiencias son superadas gracias al empleo de una celda de
Pockel. Cuando a travs de una celda de Pockel se establece un alto voltaje, se hace girar el
plano de polarizacin del haz de luz. Entre haces de polarizaciones diferentes no es posible
que se efecten oscilaciones de cavidad, por lo que suspende el efecto lser. Al eliminar el
voltaje, el plano de polarizacin se invierte a su estado original y entonces se lleva a cabo la
oscilacin.

Bombeo de lmpara estroboscpica de lser de estado slido.
El principal mtodo para suministrar energa de bombeo a un lser de estado slido es
mediante la inundacin de radiacin ptica de banda ancha a partir de un tubo de descarga
gaseosa. La energizacin se lleva a cabo descargando la energa almacenada de un
capacitor cargado a travs de los extremos del tubo de descarga. El tipo de circuito que se
utilice depende de la naturaleza de la aplicacin. Si solamente se requiere un pulso lser,
por lo general basta una sola red RC a la que se aplica un alto voltaje. Para velocidades de
repeticin rpidas hasta de l0 Hz, entonces una red LC crticamente amortiguada
proporciona mejor control de las condiciones de carga y descarga. La energa descargada en
el tubo de descarga est dada por:

W
descarga
= CV
2
/ 2

en donde C es la capacitancia y V es el voltaje de carga. La activacin se lleva a cabo a
partir de un pulso de alto voltaje aplicado a una bobina de alambre arrollada alrededor de
una envolvente de cuarzo. En la figura 26 se muestra un circuito tpico.
Figura 26.- Circuito tpico de bombeo de lmpara estroboscpica.

Una vez que se ha calculado cunta energa es necesaria descargar a travs del tubo de
descarga, ahora se requiere calcular los parmetros del circuito con los que sea posible
lograr lo anterior. Dado que la curva voltaje-corriente de un tubo de descarga no es lineal,
LASER- 34
para el clculo de parmetros idneos del circuito se utilizan procedimientos empricos de
diseo.
Lser de estado slido moderno.

Los principios y procedimientos que acaban de describirse deben permitir el diseo y
construccin de un lser sencillo, de Nd-YAG aunque por supuesto que los lser a la venta
en el mercado son algo ms complicados. En la prctica, en vez de considerar varillas ms
y ms largas y disear consecuentemente mayores bancos de capacitores, el diseo de un
lser moderno es ms sutil. Por lo general, se construye una varilla lser primaria,
denominada oscilador, que produce aproximadamente de l0 a 30 mJ. La salida del oscilador
se sincroniza para llegar a una segunda varilla, el amplificador, exactamente cuando la
energa del tubo de descarga haya creado una inversin de poblacin en sta. El pulso que
llega estimula la emisin de fotones, lo que origina una salida amplificada
aproximadamente igual a l joule. Etapas adicionales de amplificacin pueden agregarse
segn sea necesario. Arreglos como el mencionado tambin permiten mejor control del
perfil temporal y espacial del haz.
Lser semiconductor.

El lser semiconductor es en muchos sentidos la ltima fuente optoelectrnica. Al
proporcionar alta potencia en un pequeo paquete a bajo costo, el diodo lser (para llamarlo
por su nombre alternativo) se ha convertido en la fuente normal de las comunicaciones
pticas y de aplicaciones de almacenamiento de alta densidad como el disco ptico. Para
apreciar por completo su operacin, es necesario estudiar algo de los principios bsicos de
los semiconductores, ya que se aplican a los diodos lser.

El diodo lser.

El primer diodo lser operacional consisti en un solo cristal de arseniuro de galio
(GaAs), impurificado para formar una unin pn, y un potencial directo aplicado (figura 27).
Se eligi el arseniuro de galio para en lugar de silicio debido a su banda prohibida directa.
En materiales de banda prohibida directa, los electrones de conduccin pueden perder
energa directamente por emisin de fotones. En materiales de banda prohibida indirecta,
los electrones deben perder primero el exceso en cantidad de movimiento (mpetu) antes de
emitir un fotn. Por consiguiente, los materiales de banda prohibida directa son mas
eficientes para la produccin de luz.










LASER- 35


Figura 27.- Estructura de un diodo lser de homounin nica.

A fin de crear una inversin de poblacin y mejorar la posibilidad de recombinacin se
requieren altos niveles de impurificacin para asegurar que, en la regin de agotamiento,
los estados llenos en la banda de conduccin estn directamente por encima de los estados
vacos en la banda de valencia. Lo anterior se aplica solo a travs de una regin muy
estrecha del rea de agotamiento, de aproximadamente 1nm de ancho, denominada capa
activa. Para ganancia significativa, es necesaria alta densidad de corriente, del orden de
varios cientos de amperes por milmetro cuadrado. El inicio del efecto lser se caracteriza
por una corriente de inyeccin especifica denominada corriente umbral. Por debajo de ste
umbral. (Iumbral), la emisin de luz es espontnea e incoherente. Los extremos del diodo
estn hundidos y pulidos a fin de proporcionar la cavidad ptica. Los lados son speros,
para impedir la prdida de luz. Los primeros lser tienen duraciones de slo unos cuntos
cientos de horas y requieren enfriamiento a base de nitrgeno lquido para operacin
eficiente.
Las mejoras al funcionamiento de los diodos lser se presentaron con las
modificaciones a la estructura sencilla de unin nica (homounin). Al rodear la capa
activa con regiones de menor ndice de refraccin que la capa activa en s, la emisin lser
fue confinada horizontalmente a esta estrecha regin de unin en la cual puede estimular
mas fotones (figura 28). Este en un tipo de efecto de gua de ondas. Tales estructuras de
heterounin nica (HU) pueden producir impulsos lser cortos con potencias pico bastante
altas (hasta de unos cuantos watts) para corrientes de inyeccin en el intervalo de 1 a 40
amperes. Mejoras adicionales fueron posibles con el diodo de heterounin doble (HD). Al
reducir mas la regin activa y emparedando una doble capa fue posible reducir las
corrientes umbral a cientos de miliamperes y permitir operacin eficiente tanto en el modo
por impulsos como en el modo continuo. Mejoras a la calidad del haz de salida fueron
posibles con el lser de ndice guiado en el haz esta confinado tanto horizontal como
verticalmente por capas de diferente ndice de refraccin. Los lser de ganancia guiada (o
LASER- 36
de banda) obtiene un comportamiento, semejante mediante la restriccin de del flujo de
corriente a travs del diodo y por lo tanto de la emisin de luz, a una banda central. Las
menores corrientes de inyeccin decenas de miliamperes, prolongan la vida de operacin.
Compara esto con los pocos cientos de amperes necesarios para operar los diodos de
homounin originales.
Existen a disposicin diodos con un amplio intervalo de longitud de onda de emisin en
el infrarrojo cercano, tpicamente 820nm, 850nm, 904nm, 1.3m, y 1.5m. Las diferentes
longitudes de onda se obtienen mediante el empleo de un material semiconductor
compuesto, como Ga
x
Al
1-x
As y haciendo variar la proporcin Ga:A1 de las concentraciones
de impurificacin.
Debido a que entre bandas anchas de energa ocurren transiciones pticas, el ancho de
lnea de la luz emitida es mayor que para otros tipos de lser, y suele ser aproximadamente
entre 5 y 10 nm. La pequea longitud de la cavidad ptica, del orden de los 500 m,
aumenta la separacin del modo longitudinal hasta varios cientos de Giga hertz y, por
consiguiente, disminuye las longitudes de coherencia hasta fracciones de milmetro. Debido
a que la radiacin lser es emitida a partir de una delgada rea activa, la difraccin del haz
origina divergencias ms altas. Adems, ya que el rea activa es varias veces ms ancha
que su altura, la divergencia es mayor en el plano horizontal que en el plano vertical,
originando un perfil espacial elptico. El perfil elptico vuelve ms engaoso el enfoque de
un haz diodo lser que el de los perfiles circulares.




LASER- 37
Figura 28.- Estructuras de diodos lser
LASER- 38
Circuitos de activacin para diodo lser.

Al disear circuitos de activacin para diodos lser debe tomarse en cuenta la baja
resistencia del diodo cuando se opera con un voltaje directo a travs de l. Aqu la
implicacin es que los diodos deben alimentares con una fuente de corriente, es decir, con
una fuente que tenga alta resistencia interna. Tales condiciones pueden lograrse mediante la
sustitucin del resistor de carga en un circuito de emisor comn completamente
estabilizado por el diodo lser (figura 29). La corriente constante se obtiene al sustituir un
diodo Zener en lugar de la resistencia, normalmente entre la base y tierra. La corriente a
travs del diodo lser est dada por:

I
D
= (V
Z
-V
BE
) / R
E

en donde Vz es el voltaje de ruptura del diodo Zener, V
BE
es el voltaje base-emisor y R
E
es
la resistencia del emisor. Una disposicin alternativa es colocar el diodo en el emisor del
circuito. Debido a que la corriente del emisor es determinada por el voltaje de la base, y por
ello el voltaje Zener, esta disposicin ayuda a asegurarse en contra de variaciones del
voltaje suministrado.


Figura 29.- Circuito de activacin para un diodo lser.

El circuito de emisor comn completamente estabilizado tambin representa un punto
de inicio idneo en caso de que el diodo vaya a ser activado en el modo por pulsos con la
seal de modulacin acoplada capacitivamente a la base. El punto de operacin es
determinado por la resistencia de emisor y por la cadena de polarizacin del
potencimetro, R1 y R2 (figura 30) y debe elegirse a1rededor del punto medio de la
caracterstica de salida potencia-corriente. En caso de que no se disponga de esta
informacin, el punto de operacin debe elegirse a 1a mitad de 1a corriente umbral y la
corriente directa pico.
LASER- 39





Figura 30.-Circuito de modulacin para un diodo lser.




LASER- 40
SENSORES DE IMAGEN


Introduccin

Los detectores analizados tienen una caracterstica en comn: integran en el espacio y
en el tiempo la cantidad total de luz que incide en ellos. Por ejemplo, si un haz luminoso de
flujo radiante dado incide en una pequea rea de la superficie de un fotodiodo, entonces
producir la misma respuesta que el haz de igual flujo que cubre toda el rea del diodo
(figura1). Sin embargo, al saturar con luz el detector, producir una respuesta proporcional
al flujo radiante por unidad del rea del detector. Al mover el detector a travs del campo
luminoso se produce una respuesta que vara con la irradiancia de punto a punto de la luz
incidente. En muchas aplicaciones de la optoelectrnica es indispensable preservar
cualquier carcter espacial que pudiera tener la onda de luz. Los detectores con los que se
logra lo anterior se denominan detectores por formacin de imgenes.

Figura 1.- Acoplamiento de la luz en el detector. a) Detector parcialmente cubierto:
salida proporcional a ; b) Detector completamente cubierto: salida proporcional a
;
c) Detector sobre cubierto: salida proporcional a /A.

De tales detectores, quiz el ms conocido, de mayor uso y ms devaluado sea el de la
emulsin fotogrfica comn. Cada grupo de granos de haluro de plata, que integran la
SENSORES DE IMAGEN- 1
emulsin, responder por separado a la irradiancia de la luz incidente. Despus de un
procesamiento qumico, la emulsin retiene una imagen permanente de la luz incidente. La
caracterstica ms importante de la pelcula fotogrfica es esta permanencia de registro.
Otras caractersticas son sus altas capacidades de resolucin sobre un amplio intervalo
espectral, as como su bajo costo. En contra de lo anterior es necesario ponderar su bajo
intervalo dinmico, no linealidad, carencia de respuesta de tiempo real y el requisito del
procesamiento hmedo.
El tubo vidicn es otro ejemplo de detector por formacin de imgenes de uso comn.
Con base en los principios del tubo de rayos catdicos, un objetivo fotoconductor
iluminado es explorado por un haz electrnico, a fin de obtener una variacin en la
corriente elctrica extrada por l. En sus muchas variaciones, el vidicn ofrece la
formacin de imgenes en tiempo real sobre un amplio intervalo espectral y con eficiencia
cuntica moderadamente alta. Sus desventajas incluyen una baja relacin seal sobre ruido,
susceptibilidad de retencin de parte de la seal despus de la lectura (denominado retraso)
y fuga de la seal de reas intensamente iluminadas hacia zonas vecinas (denominado
fluorescencia). Las cmaras basadas en el vidicn y sus derivados son estndar para la
transmisin por televisin.
Sin embargo, el futuro de la deteccin por formacin de imgenes en tiempo real radica
en la generacin actual de formadores de imgenes de estado slido que estn, comenzando
a dominar el mercado industrial. Las cmaras basadas en tales formadores de imgenes
ofrecen alta resolucin, alta sensibilidad, tamao pequeo, bajo consumo de energa y fcil
vinculacin para el control por computadora y manejo de datos.
Los sensores de imagen que veremos en el curso son:

CCD (Dispositivo Acoplado por Carga)

CIS (Sensor de Imagen de Contacto)

APS (Sensor de Pixeles Activo)

VIS (Sensor de Imagen Variable)
SENSORES DE IMAGEN- 2


DISPOSITIVOS ACOPLADOS PR CARGA (CCD).

Tales cmaras estn siendo rpidamente favorecidas en cuanto al procesamiento de
imgenes, visin a travs de mquinas supervisin y control industriales. Un mtodo para
la formacin de imgenes de estado slido es fabricar muchos fotodiodos delgados juntos
en una disposicin lineal o bidimensional. Sin embargo, las dificultades de fabricacin y las
bajas densidades de encapsulamiento han conducido al desarrollo del dispositivo acoplado
por carga (CCD). Como su nombre indica, el CCD conduce su informacin mediante la
transferencia eficiente de paquetes de carga elctrica a travs del dispositivo. Las ventajas
ofrecidas por la tecnologa CCD son el incremento en la densidad de encapsulamiento con
respecto a la del arreglo de fotodiodo, la libertad en cuanto al retraso y a la fluorescencia y
la sensibilidad a bajos niveles de luz. Tal vez ms significativa sea la libertad de distorsin
geomtrica de la imagen, que es una seria limitacin de las cmaras vidicn. Gran parte del
futuro de la formacin de imgenes de estado slido depende de este dispositivo y por
consiguiente, el anlisis se centrar en las cmaras de CCD y su aplicacin.

Almacenamiento de carga

Considere la situacin en la que se tiene un semiconductor tipo p sobre el que se ha
depositado una capa delgada de bixido de silicio. En la capa de xido se deposita un
electrodo metlico. Antes de la aplicacin de un voltaje los huecos estn uniformemente
distribuidos a travs del material, al aplicar un voltaje positivo, los huecos se expulsan del
rea bajo el electrodo y se forma una capa de agotamiento. Al aumentar el voltaje se
incrementa la extensin de la capa de agotamiento. A cierto voltaje, el potencial superficial
es tan alto que los electrones son atrados hacia la superficie, en donde forman una capa
delgada pero densa de carga negativa. Esto crea un CCD de canal n. La capa de
agotamiento puede concebirse en trminos de un pozo de potencial, una regin de bajo
potencial en el material por debajo de la placa, que acta como un sumidero de electrones
(figura 2a). La capa de xido entre el electrodo y el silicio ayuda a evitar deriva de carga
lejos del pozo. El dispositivo que se ha descrito es un CCD de canal superficial. En todos
los dispositivos prcticos se utiliza una estructura de canal subterrneo en la cual la carga
es almacenada bastante por debajo de la superficie para efectos de una transferencia ms
efectiva. Los conceptos, sin embargo, son semejantes.

Transferencia de carga.

El paquete de carga contenido en el pozo puede moverse a travs del dispositivo
mediante aplicaciones consecutivas de un pulso de voltaje a los electrodos de interconexin
(figura 2b). Inicialmente se supone que la carga est contenida bajo el primer electrodo.
Cuando se aplica un potencial al segundo electrodo aumenta el ancho del pozo a travs de
la regin bajo los dos electrodos. Ahora, la carga es compartida entre los dos electrodos. Al
eliminar el voltaje del primer electrodo se provoca la destruccin del pozo, haciendo que
toda la carga disponible pase al segundo pozo. El pozo y su carga asociada se han movido a
travs del semiconductor. Merece la pena sealar que la carga acumulada puede
SENS0R DE IMAGEN- 3
almacenarse durante varias horas sin desintegracin apreciable. La eficiencia del proceso
de transferencia de carga tiende a un valor extraordinario de 99.999%!.


Figura 2.- Movimiento del paquete de carga entre los electrodos. a) Pozo de potencial
conteniendo carga; b) Creacin de un pozo adyacente, la carga se "derrama" en l; c)
Carga compartida entre los pozos; d) Desaparicin del primer pozo; e) El paquete de
carga se ha movido entre los pozos.



Formacin de imgenes pticas.

Como ya se ha visto, muchos materiales semiconductores, como el silicio, son
fotosensibles. La luz incidente genera pares electrn-hueco en el material. Los electrones
son atrapados en el pozo de potencial, en tanto que los huecos desaparecen en el sustrato. Si
se considera un CCD de canal n, el nmero de electrones producidos en un lapso dado y por
tanto la carga acumulada, es proporcional a la intensidad de la luz incidente. El patrn de la
carga acumulada a travs del dispositivo reproduce la variacin en intensidad de luz de la
imagen original.
SENS0R DE IMAGEN- 4
La lectura de la seal se lleva a cabo mediante la transferencia de paquetes de carga a
CCDs adyacentes, para ser ledos como imgenes de vdeo. Aunque en principio es posible
conectar cada detector con un reloj de pulsos por separado, en la prctica los electrodos se
agrupan en conjuntos de tres o cuatro, denominados fases. Cada fase se conecta a un voltaje
sincronizado por separado. Para el sistema que se ha presentado, un sistema de
sincronizacin trifsico permite que la carga sea movida por completo a travs del
dispositivo (figura 3). Para la transferencia en lnea son posibles velocidades del reloj hasta
de 10 MHz.
Figura 3.- Formacin de imgenes utilizando un arreglo de pixeles CCD.

La sencilla disposicin de formacin de imgenes en lnea, segn se acaba de presentar,
no es idnea para los detectores por rea, debido al tiempo requerido para transferir la carga
a travs del dispositivo. Para los detectores por rea, los pixeles individuales estn
dispuestos en una matriz de M x N elementos. Los paquetes de carga son conmutados a una
serie de almacenes y lecturas secuenciales mientras se graba una segunda imagen. Los
formadores de imgenes por reas deben ser capaces de transferir datos a velocidades
compatibles con los sistemas convencionales de TV. Existen dos formas principales en las
que es posible organizar informacin en una pastilla CCD, a saber, la transferencia de
cuadros y la transferencia de interlneas.
En la transferencia de cuadros, el arreglo se divide en columnas verticales entre las
cuales hay detenciones de canal (figura 4). Los electrodos estn colocados en el arreglo,
perpendiculares a las columnas. El arreglo es dividido en dos secciones, una regin de
almacenamiento protegida contra la luz y una regin pticamente sensible.
El principio bsico de operacin es que toda el rea sensible es expuesta a la luz y luego
la carga desarrollada es transferida al rea de almacenamiento para su lectura. Esto es
innecesario para las altas velocidades de lectura requeridas en los sistemas de TV y slo
entonces debido al tiempo necesario para la lectura y no para la transferencia de datos. Los
datos son ledos secuencialmente, mientras se graba el siguiente cuadro.
SENS0R DE IMAGEN- 5

Figura 4.- CCD para transferencia de cuadros.

En la transferencia de interlneas, las secciones de lectura estn mezcladas con los
elementos sensibles. La salida de cada columna es tomada en paralelo utilizando un registro
comn (figura 5). Aunque potencialmente es ms rpida que la transferencia de cuadros
debido a que las regiones sensibles a la luz estn intercaladas con regiones no sensibles, se
pierde la mitad de los puntos de la imagen.



Figura 5.- CCD para transferencia de interlneas.




SENS0R DE IMAGEN- 6
SISTEMAS DE ESCANEO EN MODO CIS


INTRODUCCION.

El Dispositivo Acoplado por carga (CCD) ha estado ampliamente utilizado en el
escaneo detallado de pagina de documentos por muchos aos. Como la longitud de un CCD
es cerca de una pulgada; se requiere un lente de reduccin cncavo para centrar la imagen
de una pagina de tamao estndar de ancho de 8.5 pulgadas en el CCD.
El uso de sensores de imagen lineales para ecanear documentos comenz hace 20 aos.
El dispositivo principal utilizado para este propsito son los CCD o arreglos de fotodiodos,
al ecanear un documento requiere tres elementos principales para capturar la imagen:

1.- Una fuente de luz para iluminar el documento.
2.- Un lente para centrar la imagen del documento en un sensor de imagen.
3.- Un sensor de imagen.

Desde entonces se utilizo un CCD para esta aplicacin y reducir a una pulgada la
imagen standard de una pgina de 8.5 pulg. mediante una lente de reduccin. Este tambin
requiere una distancia de separacin de 30 cm entre el sensor y el documento.



EL MODULO CIS.

El modulo de sensor de imagen de contacto (CIS) se ha desarrollado para mejorar 1as
deficiencias del sistema de reduccin de lente de sensor de imagen. La distancia del
documento al sensor de imagen SE ha reducido a 2 cm y un plan de reduccin de lente no
esta requerido, desde entonces la longitud de mdulo CIS esta a una relacin uno a uno
para el documento que se registra.
La longitud del mdulo esta determinado por la longitud requerida para el documento
registrado. Para longitudes arriba de 36 pulgadas an se estn desarrollando. La luz
proviene de un arreglo de LED's que iluminan el documento. La pagina iluminada esta
SENS0R DE IMAGEN- 7
enfocada hacia el sensor de imagen mediante un lente de varilla. El sensor de imagen se
mont en un substrato cermico junto con un amplificador de salida y componentes
electrnicos





DESCRIPCION DEL MODULO CIS.

Dos configuraciones de chips estn disponibles. Un chip con 200 dpi tiene un tamao de
7935 x 700 micrmetros. Hay 64 foto elementos que tienen 85 x 85 micrmetros en 125
micrmetro cuadrados al centro. El Chip de 400 dpi tiene 8088 x 700 micrmetros. Hay
128 foto elementos que tienen 34.5 x 87 micrmetros en 63.5 micrmetros al centro. Estas
largas reas de foto elementos ofrecen una mayor sensibilidad que los CCD's usuales que
generalmente tienen foto sitios de 10 a 15 micrmetros cuadrados. Los chips son punteados
al final en el substrato cermico para producir la longitud deseada.
El arreglo de LED's est compuesto por elementos LED individuales que estn
espaciados para una iluminacin ptima del documento. LED's amarillo-verde estn
utilizados para ofrecer un uso ms amplio con papel de diferentes colores y marcas de
pluma y lpiz. Otros LED's pueden utilizarse en aplicaciones donde se usan diferentes
colores. El LED rojo estn disponibles con una emisin de pico de longitud de onda de 660
nanmetros que son ms eficientes que el LED amarillo-verde y proveer mejor
sensibilidad. Es tambin posible proveer un banco de LED's con tres colores de azul, rojo y
verde para obtener registros a color.
El lente de varilla utilizado en el mdulo CIS es un arreglo lineal de micro lentes que se
coloca en una o dos filas dependiendo de la transmisin ptica requerida (para 400 dpi el
mdulo CIS Utiliza dos filas). Cada varilla esta cerca de 1 mm en dimetro y puede ser
provisto con una conjugacin total desde 16 a 65 milmetros. El uso de este lente provee
calidad superior de imagen sin distorsin en la periferia.
El mdulo CIS estndar utiliza unos 15.5 milmetros tota1es y conjuga los lentes para
proporcionar la configuracin ms pequea. Este lente produce una profundidad de foco de
mas o menos 0.3 milmetros. Una lente con una conjugacin ms larga y mayor
profundidad de foco puede ser provista para aplicaciones con requisitos ms estrictos para
escaneo facsmil. El lente y los 400 dpi del chip sensor de imagen ofrece una excelente
resolucin con una funcin de transferencia de modulacin ( MTF) que mejora el 60% a 4
pares de lnea por milmetro (4 Ip / mm).

SENS0R DE IMAGEN- 8
FOTODETECTOR.

El foto detector de este chip CIS es un fototransistor. A diferencia de un fotodiodo, el
fototransistor amplifica la foto corriente debido a la ganancia de emisor comn (hfe) del
transistor. Luz con unos 620 nm de longitud de onda provee la respuesta mxima, con un
ancho de banda de cerca de 250 nm (- 3 db). El primero y ultimo fotoelemento
generalmente tiene menos sensibilidad de luz debido a un efecto de borde, as estn
diseados para tener 10% mas rendimiento comparadas con otras reas de foto elementos.
Debido a la ganancia alta suministrada por el fototransistor, la carga almacenada en el
condensador de almacenamiento asociado a cada transistor puede ser descargada
rpidamente cuando el interruptor fototransistor esta encendido. Esto permite que el
modulo opere en una frecuencia de reloj tan alta como 2 MHZ.

















SENS0R DE IMAGEN- 9
SENSORES DE IMAGEN DE PIXELES ACTIVOS CMOS (A.P.S.)


Introduccin

El campo de aplicacin de los sensores de imagen de estado slido se ha incrementado
continuamente desde la invencin de la tecnologa CCD en 1970 (imgenes digitales,
visin industrial, robtica, teledeteccin, microcmaras. ..)
Recordaremos que el concepto CCD (para Charge coupled device) est basado en la
transferencia paso a paso de cargas fotoelectrnicas creadas por la luz en cada pixel, hasta
un punto nico de salida.
Los dispositivos CCD, muy conocidos por ejemplo en las cmaras de vdeo, las
cmaras astronmicas o en los sensores de imagen en tos satlites..., han ido constituyendo
hasta la fecha la tecnologa dominante, pero deben ahora competir con un nuevo sensor de
imagen llamado A.P.S. (Active Pixel Sensor), el cual posee algunas ventajas. Estamos
desarrollando nuestra investigacin en torno a esta clase de sensor, en especial en el campo
de aplicaciones aeronuticas y espaciales.

Qu es un A.P.S. ?

El principio del APS, como se ve en la figura ms abajo, consiste en asociar al detector
fotosensible en cada clula pixel (fotodiodo o fotoMOS) varios transistores activos para
proporcionar una ampliacin y una seleccin de la seal que proviene de las cargas
fotogeneradas. La seal de voltaje es entonces transferida hasta la salida a travs de un
column-bus, como en una clula de memoria. Con este principio ya no se necesitan, como
en los CCD, las numerosas transferencias de carga de pixel a pixel hacia la salida del CCD,
con las limitaciones que acarrea.

El concepto APS presenta las ventajas siguientes:

Los sensores del CMOS pueden tomar la ventaja por los costos bajos en la
produccin.

Los productos pueden correrse en los procesos mas comunes sub micron
CMOS con mnimos cambios, permitiendo fabricarlos fcilmente en las
fundiciones.
Desde que los sensores del CMOS son manufacturados en los mismos procesos
como aquellos procesos para circuitos analgicos y digitales, permitiendo
virtualmente que cualquier funcionalidad puede integrarse en el chip,
reduciendo el nmero por eso, de componentes y logrando el ms bajo costo
del sistema.

Acceso aleatorio a pixeles y sistemas de ventanas. Posibilidad de alta velocidad
de lectura.
SENS0R DE IMAGEN- 10
Bajo consumo de energa (20-50 mW) El CI CMOS se alimenta con 3.3V y se
est moviendo rpidamente a 2.5 V. Los CCDs usan una fuente de
alimentacin de 15V

Posibilidad de aprovechar las mejoras en la reduccin de tamaos para
realizar pixeles de dimensiones reducidas y una mayor superficie de matrices
de sensor.




(a)













(b)
Figura 12.- (a).- El concepto APS. (b).- Una matriz APS de 256*256 pixeles
desarrolladapor el grupo CIM

SENS0R DE IMAGEN- 11

Los Sensores de Imagen CMOS, Los Sistemas de Imagen en un
solo Chip

LA RECETA PARA PROCESAR EL PODER

Los sensores de estado slido, incluso CCDs y CMOS, usan una propiedad fsica
particular del silicio llam el efecto fotoelctrico. Cuando los fotones golpean silicio, ellos
excitan los electrones de la banda de valencia a la banda de la conduccin. El nmero de
electrones" liberado" es proporcional al nmero de fotones que golpean al silicio y su
longitud de onda. As, en vigencia, el nmero de electrones coleccionado vara con la
intensidad y el color de la iluminacin. Estos electrones son, una representacin electrnica
de la escena tomada. Para una aplicacin tpica, la escena es enfocada sobre el pixel con la
ayuda de una lente ptica. A ms grande nmero de pixeles, es ms fina la resolucin del
sensor. El pixel es el ojo del sensor. Su eficacia de la conversin de fotones a los electrones
determina su sensibilidad. sta es tpicamente una funcin del tamao y abertura del pixel.
La proporcin de conversin de carga en voltaje tambin es importante ya que el paquete
de carga de electrn tiene que ser convertida en una seal que puede medirse y puede
manipularse para el proceso sealado. Cuando los pixeles se ponen tpicamente en una reja
ortogonal (para las series del rea), un mecanismo tiene que existir para leer todas las filas
y columnas de pixeles individuales que comprenden el sensor. En este punto, el CMOS y el
CCD son idnticos en su funcionalidad. Slo est en la aplicacin dnde ellos difieren.

PONIENDO TODO JUNTO

La tecnologa de fabricacin CCD no ha estado sujeta a mucha evolucin desde que su
invencin. Todava se fabrican CCDs en los procesos de NMOS. Quizs el cambio ms
significante ha estado en el rea de rendimientos, ahora los rendimientos les permiten a los
fabricantes producir sensores de CCD de multi-megapixel de resolucin. La lenta evolucin
de equipo ha obligado a los fabricantes de CCD a que continen usando obleas de 4-6
pulgadas dnde el resto de la industria est en obleas de 8-12 pulgadas. La desigualdad en
SENS0R DE IMAGEN- 12
el proceso de la tecnologa para CCDs evita la integracin adicional en chip para tener en el
mismo el sensor y la conversin de voltaje. Como resultado, toda la seal se procesa fuera
del sensor con circuitos integrados CMOS
Esto no quiere decir que los sensores del CMOS no tiene problemas. La calidad de la
imagen de sensores del CMOS puede variar significativamente entre los fabricantes
diferentes y en la mayora de los casos no est a la par con los CCDs. El problema principal
con los sensores CMOS es la actuacin del ruido. Estos sensores usan los pixeles activos,
de sus nombre Active Pixel Sensores (APS). Cada pixel tiene un amplificador que
convierte el paquete de carga reunido a un voltaje. Las desigualdades en los transistores
pueden producir las desigualdades en los amplificadores, causando una desigualdad en la
respuesta de los pixeles. La otra fuente mayor de ruido es la corriente oscura que produce
una carga que contamina la imagen.
Desde que cada pixel tiene un amplificador, el rea del pixel entera no puede usarse para
detectar fotnes. Esto produce que la abertura sea de menos de 100 por ciento, causando
una insensibilidad y una cada de la seal de salida. Con las cadas sealadas y el ruido, el
signo neto a la proporcin del ruido (SNR) deteriora, produciendo un ms bajo rango
dinmico del sistema. Alguna de esta prdida se compensa por el hecho que toda las seales
se procesan en un solo chip, cerca de la fuente sealada. Los adelantos han producido
calidad de la imagen de sensores del CMOS que eran hace una dcada escasamente
aceptables, siendo comparable a las de CCDs.
Los sistemas completos en un solo chip a veces son llamados "los sistemas inteligentes",
los sistemas que pueden darse cuenta de la luz, datos del proceso y hacer las decisiones
inteligentes sern los sistemas verdaderamente inteligentes. Varios proveedores del CMOS,
estn siguiendo la investigacin agresivamente en el rea de "Sistemas de Imagen
Inteligentes". Como las normas para las aplicaciones especficas para los sensores de
imagen empiezan, se harn los esfuerzos ms convenidos en este rea por todos los
jugadores.




















SENS0R DE IMAGEN- 13























SENSOR DE IMAGEN FOVEON X3 (VPS)

La empresa Foveon Inc, de Santa Clara, California, anunci el 11 de febrero de 2002 el
lanzamiento de su nueva lnea de sensores para imagen digital. El Foveon X3.
Ser el primer sensor, en captar la luz roja, verde y azul del espectro visible en cada
pixel. La compaa manifiesta, que esto dar lugar a capturas de imgenes ms agudas y
fieles al color. Encajan el color, utilizando 3 fotodetectores de silicio, uno por cada color,
en cada pixel. Se prev, que estar disponible prximamente en el mercado para cualquier
tipo de cmara digital y soportes digitales.
La "tecnologa de Foveon X3 permite obtener la fotografa digital con la calidad que los
consumidores han venido esperando solamente de la pelcula." "la tecnologa de sensor
actual la imagen no ha permitido a cmaras fotogrficas digitales realizar su capacidad
mxima. Se cree que las brechas de la tecnologa de Foveon X3 formarn la fundacin de
una nueva generacin de cmaras fotogrficas digitales en todas las clases."
El nombre X3 viene de una capacidad nica que la tecnologa de Foveon X3
proporciona; la capacidad de capturar tres colores en cada pixel. Los sensores de la imagen
de Foveon X3 capturan el color completo de una imagen sin usar un filtro del mosaico del
color y sin el costo, la complejidad, y las limitaciones de los sistemas de la multi-viruta
tales como una cmara fotogrfica 3-CCD o similares,esencialmente, Foveon ha
desarrollado una solucin monopastilla para capturar color completo en una imagen. Los
SENS0R DE IMAGEN- 14
mtodos anteriores para capturar color completo eran costosos, y eran solamente
apropiados para los sistemas muy high-end.




La brecha de Foveon X3 es lograda apilando tres fotodetectores dentro de cada pixel.
Cada uno de los fotodetectores se templa para capturar un diverso color, uno dedicado a la
luz roja, uno al verde, y uno al azul. Virtualmente cada sensor de la imagen del color
registra apenas un color por pixel. Consecuentemente, la tecnologa de Foveon X3 entrega
dos veces la agudeza, el detalle mejor del color, y la resistencia mucho mayor a los
artefactos imprevisibles del color en la comparacin a otros sensores de imagen con el
mismo nmero de pixeles.
Adems de la brecha en la resolucin del color, los sensores de la imagen de Foveon X3
son los primeros para incorporar el tamao variable del pixel para los sensores de la imagen
del color, permitiendo una nueva clase de las cmaras fotogrficas duales de la capacidad
still/video que sobresalen en la calidad de la imagen para ambos modos de la captura.

Ventajas Del Funcionamiento: Agudeza creciente sin artefactos

Los sensores de la imagen con la tecnologa de Foveon X3 son mucho menos
susceptibles a los artefactos digitales y crean imgenes ms agudas. Los sensores actuales
de la imagen de color (CCD y CMOS) contienen apenas una capa de detectores
monocromticos de la foto, con un fotodetector por pixel. Para capturar color, los pixeles
en el sensor de imagen se organizan en un patrn del mosaico que se asemeja a un tablero
de damas de tres colores. Consecuentemente, cada pixel captura apenas un color rojo,
SENS0R DE IMAGEN- 15
verde o azul. El uso de los filtros del color del mosaico en sensores de la imagen tiene
desventajas inherentes, puesto que capturan solamente un color, los sensores mosaico de
imagen deben confiar en el proceso complejo para interpolar los dos tercios restante de los
colores que no se capturan. La interpolacin conduce a una prdida del detalle y del color
de la imagen. Para compensar, algunas cmaras fotogrficas velan intencionalmente
cuadros para reducir estos efectos.





Los pixeles de Foveon X3 maximizan el uso de la luz puesto que los tres colores se
recogen en cada pixel. Con los sensores de la imagen de Foveon X3, las fotografas estn
agudas y virtualmente libres de artefactos del color. "el detalle y el color fotogrficos que
se puede alcanzar con esta tecnologa es sin igual," "pixel por pxel las cmaras
fotogrficas digitales basadas en Foveon X3 entregar imgenes de la ms de alta calidad
que cualquier otro sensor de imagen. "




VPS: Funcionamiento y alta resolucin video en un solo chip. Los sensores de
Foveon X3 se disean con el VPS (Variable Pixel Sensor). VPS combina las ventajas de
pixeles grandes y pequeos juntas en un solo sensor de la imagen. Pixeles ms pequeos
traen la ventaja de una resolucin ms alta y de imgenes ms agudas exigidas por
fotografa inmvil. Pixeles ms grandes traen la ventaja de una sensibilidad ligera ms alta
que sea necesaria para las situaciones de la luz corta, sistemas automaticos ms rpidos del
foco y los usos en video. El cambiar de los tamaos del pixel se logra instantneamente y se
alcanza solamente con la captura del lleno-color de la tecnologa de Foveon X3.

Separacin De colores Del Silicio. Los sensores de la imagen de Foveon X3 son los
nicos sensores de imagen del mundo que capturan imgenes del color aprovechndose de
las caractersticas de la separacin de color que proporciona el silicio de forma natural. Es
una caracterstica bien conocida del silicio que la luz de diversos colores se absorbe en
SENS0R DE IMAGEN- 16
diversas profundidades; la luz azul se absorbe cerca de la superficie, la luz verde es
absorbida ms lejos, y la luz roja es incluso ms profunda. Cada pixel de Foveon X3
consiste en tres fotodetectores situados en diversas profundidades dentro del sensor que
detectaron la absorcin de la luz roja, verde, y azul que ha penetrado en el silicio. Los tres
fotodetectores convierten la luz que se absorbe en el silicio en tres seales que despus se
convierten a datos digitales y se procesan con el software del proceso de imagen de Foveon.





Costo Menos Complejo, Ms bajo. Los sensores de la imagen de Foveon X3
aerodinamizan el diseo electrnico de cmaras fotogrficas digitales. Las cmaras
fotogrficas digitales de hoy deben utilizar algoritmos matemticos complejos para estimar
los valores rojos, verdes, y azules de cada pixel, puesto que solamente un color por pixel se
est midiendo verdaderamente. Para lograr esta interpolacin, el hardware de proceso
dedicado y el software, se requieren dentro de la cmara fotogrfica. La interpolacin del
color agrega costo y complejidad a una cmara fotogrfica mientras que el aumento retrasa
entre disparar el botn del obturador y capturar un cuadro. Este retraso causado por los
SENS0R DE IMAGEN- 17
requisitos del proceso, pueden dar lugar a la diferencia entre capturar un gran cuadro o
ninguno. Capturando los tres colores en cada pixel, los sensores basados en Foveon X3
eliminan la necesidad de la interpolacin costosa, compleja, adems de evitar errores en el
color. "Para desarrollar la tecnologa de Foveon X3, se ha integrado el conocimiento de la
ciencia del color, proceso de imagen, diseo del sensor de imagen y software para
desarrollar un producto que est destinado convertirse en el estndar en los sensores de
imagen para las cmaras fotogrficas electrnicas," dijo al fundador de Carver Mead, de
Foveon y presidente de la mesa.

Disponibilidad. La disponibilidad inmediata de los primeros dos sensores de imagen.
El primero, el F7-35x3-a25b, tiene una resolucin de 2304 x 1536 x 3, y se disea para un
formato ptico de 4/3 pulgada. El segundo sensor de la imagen, el F10-14x3-d0, se disea
para un formato el 1/2"ptico, tiene una resolucin de 1344 x 1024 x 3. Los kits del diseo
de la referencia que consisten en un hardware se refieren a la plataforma y el desarrollo del
software est tambin disponible para O.E.M.s. El primer cliente de Foveon para la
tecnologa de Foveon X3 es Sigma Corporation, que est utilizando el sensor de imagen de
F07-35x3-a25b en la cmara fotogrfica digital de la sigma SD9 SLR. Sigma Corporation
introducir el SD9 en la cabina #1635 en PMA en Orlando, la Florida, el 24 de febrero de
2002.




























SENS0R DE IMAGEN- 18

TC 102 SENSOR DE IMAGEN LINEAL (CCD) DE 128 1




Caractersticas.

Sensor de 128 1 elementos.
Tecnologa CMOS canal n.
Eficiencia cuntica alta.
Salida de 1 V pp.
Referencias internas para el blanco y el negro.
Operacin simple y estable.


Sensor de 128 1 elementos para aplicaciones de alta resolucin como lectura de
documentos.


Descripcin funcional de las terminales:

1.- Voltaje de referencia (V ref.) para los amplificadores de salida.
2.- Seal de salida (OS) Salida de vdeo.
3.- Polarizacin (V
DD
) Alimentacin del circuito.
4.- Reloj de transferencia (T
CK
) Maneja los registros de transferencia.
5.- Reloj de referencia blanco (W
RCK
) Manda una carga controlada a los registros.
6.- Reloj de transferencia (X
CK
) Controla la transferencia de los pixeles a los
registros.
7.- Reloj de reset (R
CK
) Controla la recarga de los diodos en los amp. De salida.
SENSORES DE IMAGEN- 19
8.- Salida de final (EOS) Indica que termino la transferencia.
9,10.- Sustrato (V
SS
) Voltaje del sustrato (referencia).


ELEMENTOS SENSORES - Tiene 128 reas fotosensibles de 12.7 m
2
, Los fotones crean
pares electrn-hueco, los electrones son recogidos por los elementos sensores y los huecos
van al sustrato. La cantidad de la carga acumulada depende de la cantidad de luz incidente.

COMPUERTA DE TRANSFERENCIA .- Esta estructura esta junto a los sensores, la carga
acumulada en los sensores es transferida a las compuertas de transferencia cuando el voltaje
de la compuerta va a alto. Cuando el, voltaje de la compuerta va a bajo, la carga es
transferida a los registros de transporte y movidos en serie al amplificador de salida.
Tambin controla el tiempo de exposicin.

REGISTROS DE CORRIMIENTO .- Tiene dos registros y mandan alternadamente y en
serie a los amplificadores de salida la informacin de los sensores.

ELEMENTOS DE BLANCO y NEGRO .- Cuatro elementos adicionales al final de cada
lado del arreglo de los sensores esta cubierto por una metalizacin opaca. Esto permite una
referencia de ausencia de luz. Al lado opuesto del amplificador tenemos una entrada que
permite dos pulsos de referencia para el blanco.

AMPLIFICADOR DE SALIDA (OS).- La carga de los paquetes es transportada al
amplificador formando la salida OS. Un transistor manejado por R
CK
controla la llegada de
cada paquete de carga.

AMPLIFICADOR DE FIN DE RASTREO (EOS) .- Este es igual al anterior pero la salida
es activada por el T
CK
. La salida esta en fase con el primer pulso W esta salida indica
cuando una transferencia ha sido completada.
SENSORES DE IMAGEN- 20

RELOJES .- El reloj X
CK
controla el tiempo de exposicin de los elementos. El reloj T
CK

controla el transporte de la carga desde los pixeles hasta la salida. El reloj R
CK
opera la
frecuencia de transporte de la carga al amplificador de salida. El reloj W
RCK
genera el pulso
de referencia del blanco al final de cada ciclo de lectura. Estos pulsos pueden ser
eliminados conectando W
RCK
a V
DD
.

Formas de onda del sensor.

----- Otros integrados ----

TC 103 ------ 2048 1 ------ 8 sensores / milmetro
TC 104 ------ 3496 1 ------- 400 sensores / pulgada


SENSORES DE IMAGEN- 21
CMARA DE VIDEO DE ESTADO SOLIDO (CCD)


INTRODUCCIN.


Una cmara de televisin del tamao de una mano! Esto es posible gracias a dos
progresos importantes: el uso de componentes miniaturizados en montajes SMD y el uso de
sensores de imagen de estado slido (CCDs). Estos sensores, que sustituyen los tubos de las
cmaras convencionales de TV, frgiles, pesados y de mucho consumo, son el tema central
de este artculo.
Que un da las nuevas tcnicas haran desaparecer los tubos convencionales en las
cmaras de TV, era algo que todos esperbamos. Lo que tal vez muchos no sepan es que
ese da ya lleg, y hoy los sensores de imagen de estado slido ya son una realidad. Mucho
ms livianos, baratos y con consumo muy bajo de energa, estos dispositivos nos brindan
maravillas de la electrnica como una cmara de TV completa que cabe en la palma de la
mano. Los sensores de estado slido o Sensores de Transferencia de Carga (CCD), ya son
una realidad, con aplicacin directa en cmaras de TV de uso tanto aficionado como
profesional, habiendo ya en Europa kits completos a disposicin del pblico.
Cmo funcionan estos sensores de estado slido y las propias cmaras que ellos
equipan es el tema de este articulo, totalmente basado en material proporcionado por
Phillps. Fabricando diversos tipos de sensores e inclusive cmaras, Philips se destaca con
este sensor con una tecnologa de vanguardia que los lectores deben conocer.

El sensor de transferencia de carga.

En su estructura, un Sensor de Transferencia de Carga totalmente de estado slido se
asemeja al ojo facetado de un Insecto, donde millares de sensores individuales perciben los
puntos de luz que son procesados por el "cerebro" del insecto formando as la imagen
completa. En el caso de un Sensor de Transferencia de Carga, como el NXAl010 de
Philips, en una pastilla de apenas 75 mm. de diagonal. Que corresponde a un cuadro de una
cmara de Super-8, tenemos 347,904 sensores que captan cada punto de una imagen,
resultando as una resolucin excelente en la reproduccin.
La pastilla de material semiconductor es montada en una cubierta convencional de
circuito integrado DIL, con una ventana transparente para poder recibir la proyeccin de la
imagen a captar. Dependiendo de la aplicacin, se pueden agregar diversos sistemas de
lentes y filtros.
Como la seal obtenida en la salida del sensor ya pasa por un cierto proceso, los
elementos externos necesarios para la formacin de una cmara completa pueden ocupar un
espacio muy pequeo.
Con el uso de la tcnica de montaje SMD (Surface Mouting Devices) podemos elaborar
cmaras menores que un paquete de cigarrillos.



SENSORES DE IMAGEN 22



*Sensor de transferencia de carga (CCD), su forma se asemeja a una EPROM*

Cmo funciona el sensor.

Para entender mejor cmo funciona este sensor, ser interesante echar un vistazo "por
dentro" de la cmara tradicional, la "vieja" cmara de TV, cuya estructura aparece en la
figura 1.La imagen se proyecta en un elemento o placa sensible que libera cargas elctricas
en los puntos luminosos. Un haz de barrido permite captar las cargas liberadas, Barriendo la
Imagen completa, lnea por lnea y punto por punto, obtenemos en la salida una seal de
vdeo con la informacin en forma "serial. Cada imagen es separada en lneas y cada lnea
en puntos o elementos de Imagen.
Figura 1.- Cmara tradicional de TV.

En la figura 2 tenemos la estructura simplificada de un Sensor de Transferencia de
Carga del tipo NAX1010 (Philips). La seccin de imagen se forma por una matriz de
elementos sensores. Un sensor CCD como el Indicado tiene una regin sensible en diagonal
SENSORES DE IMAGEN 23
de 7,5mm, En esta regin existen 294 lneas de sensores con 604 elementos cada una, lo
que nos da un total de 347,904 elementos de imagen. Recordando que en el sistema
convencional de televisin cada cuadro est formado por dos campos, o sea, por las
imgenes obtenidas en dos 1ecturas sucesivas con entrelazamiento de lneas, la Imagen
final tendr el doble de elementos. As, para la norma CCIR de 576 lneas usamos dos
campos de 288 lneas, quedando 6 lneas como referencia para el nivel de negro.



























Figura 2.- Estructura simplificada de un sensor de transferencia de carga.

Observe que, con estas medidas, cada elemento de Imagen ocupar un rectngulo de
solamente 10 x 15.6 m. Por estas dimensiones puede imaginar las dificultades que
involucra la fabricacin de un sensor de este tipo. La uniformidad es esencial para tener un
componente de calidad. Las tcnicas MOS para dispositivos VLSI convierten esto en
realidad.
Partiendo entonces de esta matriz de elementos sensores podemos explicar con facilidad
el funcionamiento del sistema. La luz que incide en la matriz libera pares electron-hueco
que son, responsables de la Informacin lgica de lectura de las etapas siguientes.
Conectado a cada lnea del sensor tenemos un "shift register" que debe "leer" las
informaciones de cada punto de Imagen. Durante el tiempo de duracin de un campo, del
orden de 16 ms para un sensor segn la norma EIA. Los "paquetes" de cargas liberados por
los sensores son integrados rpidamente. En el periodo de borrado vertical, del orden de 1.6
SENSORES DE IMAGEN 24
ms, la Informacin contenida en estos paquetes de cargas integrados es transferida
rpidamente hacia la seccin de almacenamiento a travs de los shift registers.
En el perodo correspondiente al campo siguiente. El sensor capta una nueva Imagen,
liberando nuevas cargas que tambin son Integradas rpidamente, Llegando el periodo de
borrado vertical siguiente, al mismo tiempo que, la informacin correspondiente a este
campo es llevada al sector de almacenamiento, la que ya s encuentra almacenada es leda y
transmitida al circuito externo, esta vez durante el perodo de borrado horizontal.
En cada ciclo de borrado horizontal la informacin contenida en la seccin de
almacenamiento es movida una lnea hacia abajo, al mismo tiempo que la que se encuentra
en el nivel inferior es transferida hacia el exterior.
Figura 3 vista en corte con las regiones de imagen, almacenamiento y transferencia
parcialmente detalladas.


SENSORES DE IMAGEN 25
Es interesante observar que cada registrador de lectura almacena apenas 200 puntos de
imagen de cada lnea, lo que quiere decir que tenemos tres registradores por lnea. Este
arreglo est destinado a obtener algunas ventajas importantes para el dispositivo. La
primera de estas ventajas es la obtencin de una densidad horizontal de puntos de imagen
mucho mayor que la que se obtendra con un simple registrador de lectura. En el cual el
ancho finito de los electrodos de disparo limitan el espaciamiento horizontal mnimo entre
los elementos. Con tres shift registers el espaciamiento es efectivamente reducido en un
tercio.La segunda es que consigue una separacin efectiva de los elementos de Imagen
dentro de cada lnea, de modo que, con la sencilla utilizacin de filtros en forma de tiras
sobre la regin de imagen, se puede usar el dispositivo como sensor de imagen para TV en
colores (caso del NXA1020 que ya viene con estos filtros).
En la figura 3 tenemos una vista en corte con las regiones de imagen, almacenamiento y
transferencia parcialmente detalladas de modo de poder analizar mejor el proceso dinmico
de captacin y transferencia de la imagen.
El primer campo se genera cuando las fases F
2
, F
3
y F
4
estn en el nivel alto y F
1
est en
el nivel bajo, como muestra la figura 4(a). F
1
forma una barrera de potencial que separa los
elementos de imagen del primer campo. Las cargas generadas por la incidencia de luz son
integradas abajo, entre los niveles F
2
y F
4
, centradas en F
3
. As, para cada elemento de
imagen se extienden verticalmente 3 elementos de puerta (F
1
, F
2
, F
3
y F
4
son las fases de
los shift registers CCD).

Figura 4.- Integracin de los campos.

La distribucin de potencial del segundo campo, y por lo tanto, su posicin relativa al
primero, es dada en la figura 4(b). El segundo campo est siempre dislocado de dos
electrodos con relacin al primero, con su patrn de cargas centralizado en F
1
y con F
3

formando una barrera de potencial entre los elementos, proporcionando as estructura
perfectamente entrelazada para los cuadros.
En la figura 5 tenemos el proceso de transferencia de la informacin de las regiones
sensoras hacia la regin de almacenamiento. En el instante en que ocurre la lectura del
primer campo de la regin de imagen. F
1
est en el nivel bajo y la carga de cada elemento
est concentrada ms abajo, entre F
2
y F
4
. En t
1
, F
2
va al nivel inferior y la carga de cada
elemento estar concentrada entre F
3
y F
4
. En t
2
. F1 pasa al nivel alto y los elementos de
SENSORES DE IMAGEN 26
informacin avanzan un electrodo de puerta pasando abajo, de F
3
a F
4
y al electrodo
siguiente en t
3
, F
3
pasa al nivel bajo, comprimiendo los elementos de carga hacia F
4
y F
1
y
en t
4
, F
2
pasa al nivel alto, permitiendo que los elementos de carga avancen hacia un nuevo
electrodo de puerta.


Figura 5.- Transferencia de informacin de los sensores a almacenamiento.

Este proceso contina tanto en la regin de imagen como de almacenamiento, hasta que
todos los paquetes de carga sean transferidos hacia la regin de almacenamiento.
La regin de almacenamiento es leda lnea por lnea, mientras ocurre la integracin en
la regin de imagen. Durante sucesivos perodos de borrado horizontal, los registros de
desplazamiento (shift registers) verticales de la regin de almacenamiento avanzan los
paquetes de carga de una lnea de tal forma que, en el final del perodo de borrado, la lnea
siguiente est lista para ser transferida a los registros de lectura horizontal a travs de tres
puertas, de transferencia. Los registros de lectura estn provistos de una etapa de salida con
una sensibilidad de 3.5 V por elemento.
En la figura 6 tenemos la secuencia de impulsos de excitacin y la numeracin de las
lneas para la transferencia de campo en los NXAl0I0 y NXA1020, (PALL/CCIR). Para
poder mostrar ambos campos en la misma figura, el segundo campo es colocado por debajo
del primero. Con la numeracin apropiada, de lneas encima. Como muestra la figura. El
proceso de transferencia ocupa alrededor de 30% del tiempo de borrado vertical de la
norma de 1V. Las lneas en CCD utilizadas para los shift registers son diferenciadas en la
SENSORES DE IMAGEN 27
figura por estar "rayadas" y por la letra V superpuesta. El tiempo de lectura del primer
campo va desde la lnea 23 hasta 310 y para el segundo campo de la lnea 335 a 623. las
lneas 624 hasta 3 y de la 311 hasta la 314 son extradas, pero no transmitidas. Las lneas
314 y 2 sirven para el nivel de referencia de negro y las lneas 312, 624 y 625 estn
reservadas para la realizacin de pruebas en el sensor durante el proceso de fabricacin.


Figura 6.- Secuencia de pulsos de excitacin para la transferencia de campo.

En la figura 7 tenemos la estructura del circuito de control para la excitacin de los
sensores de transferencia de carga. Se usa un generador de impulsos SAAl043 en el caso
del NXA1010 y NXA1020, que proporciona los impulsos para las tres normas de 1V (PAL,
SECAM y NTSC) y que incluye borrado vertical, horizontal y la fijacin del nivel de
negro. Este circuito tambin proporciona otras seales para el funcionamiento de una
cmara de TV y puede ser disparado externamente para funcionar como un VCR o una
computadora.
El generador de impulsos de sincronismo excita un generador patrn de impulsos (en el
caso del NXAl010/1020. se usa un SAD1007), que proporciona todas las seales de clock,
excepto los Impulsos para los shift registers de lectura horizontal.


SENSORES DE IMAGEN 28


Los impulsos rpidos de clock para los tres registros de lectura horizontal, son
generados por un oscilador de elementos de imagen o sea un oscilador de onda cuadrada
(TDA4302) que entrega tres trenes de impulsos en la frecuencia de 3.9MHz. con una
diferencia de fase de 120 grados cada una. Los niveles de salida del generador de impulsos
patrn y del oscilador de elementos de imagen son muy dbiles para excitar directamente
los shift registers. Son necesarios entonces circuitos integrados adicionales para reforzar
ambas seales. Para el oscilador usamos un TDA4305 y para el generador de impulsos
patrn los integrados TDA4301 (Driver horizontal y vertical respectivamente).
Durante el borrado horizontal, el oscilador de elementos de imagen est inhibido y los
impulsos ms dbiles obtenidos del generador patrn son aplicados a la salida del oscilador
de elementos de imagen, y por lo tanto a travs del TDA4305, a las compuertas de
transferencia ya los electrodos de puerta para distribuir los paquetes de cargas entre los tres
registradores de salida horizontal. La polarizacin del CC viene de un TDA4304 o bien de
componentes discreto.


Figura 7.- Diagrama a bloques de una cmara CCD.

Una cmara econmica monocromtica con elNXA1011/1031.

Usando sensores sub-patron, philips coloco en el mercado europeo una cmara
econmica de TV monocromtica que puede adquirirse en forma de kit. Para hacer ms
barata esta cmara se adoptaron algunas soluciones interesantes.
Los defectos en el sensor de imagen pueden tener como resultado manchas en la imagen
o puntos. Si el defecto fuera una lnea o columna tendramos franjas verticales u
horizontales que tanto pueden ser blancas como negras.Mientras tanto, los sensores poseen
tres salidas de lectura que permiten un procesamiento de seal capaz de reducir los efectos
de estos defectos.
SENSORES DE IMAGEN 29
Para los sensores con patrn EIA CCIR, con 200 elementos de imagen por sihift
register de lectura, una frecuencia de clock de 3.8 MHz es necesaria para la lectura de los
elementos en un perodo de 52 s, que corresponde a una lnea. Esto significa, por el
teorema de Nyqulst, que al mximo ancho de banda por canal es de 1.9 MHz. Para obtener
una resolucin mxima de este sensor, las seales de los tres canales deben ser mostrados
secuencialmente por multiplexacin en una frecuencia de 11.4 MHz(3 x 3.8 MHz). El
ancho de banda mximo de la seal multiplexada es entonces de 5.7 MHz, correspondiendo
a 610 604 puntos de imagen por lnea. En esta especie de procesamiento, los tres canales
deben ser ajustados para obtener componentes de clock de 3.8 MHz.
Si no necesitamos una resolucin elevada, podemos usar apenas uno de los canales de
salida del Sensor, excluyendo los canales que poseen defectos (figura 8). As, el nico
procesamiento de seal necesario es un filtro pasa-bajos para limitar la banda de
frecuencias en el valor de Nyquist de un canal, o sea, 1.9 MHz correspondiendo a 200
puntos de imagen por lnea. De esta forma, partiendo de sensores sub-patrn que
normalmente posean apenas una o dos columnas defectuosas podemos emplear esta tcnica
y conseguir cmaras de bajo costo. Otra solucin efectiva y posible es usar las seales de
los tres canales con un display especial y un circuito multiplex. Las seales son combinadas
en un circuito de carga comn con transistores como muestra la figura 9.



Figura 8 Figura 9

Las bases de los transistores PNP son conectadas a las salidas del sensor y los emisores
son puestos a tierra. Cuando la tensin de base de un transistor cae por debajo de la tensin
de emisor. el transistor conmuta. Como vimos por las formas de onda, la tensin de salida
tiene su valor ms bajo cuando se est leyendo un punto de imagen. En la mayor parte de
este perodo las otras dos salidas estn con potencial alto, de modo que el circuito combina
automticamente los puntos de imagen de los tres canales secuencialmente.
Cuando dos canales estn activos simultneamente, los contenidos de dos elementos de
imagen adyacentes son analizados y se obtiene una media de modo que proporciona una
resolucin bastante buena. Con esto, los efectos de un elemento defectuoso son reducidos
por la presencia de seales que compensen su influencia.
Si un sensor tuviera una columna con defecto la seal de error estar cerca del lmite
superior del espectro de 3.8MHz, Por el filtrado a travs de un pasa-bajos, alrededor de 2.7
MHz, valor suficientemente bajo de la seal perturbadora la influencia del elemento
defectuoso es reducida obtenindose una imagen aceptable.
SENSORES DE IMAGEN 30

Pormenores de la cmara.

El oscilador principal de clock opera en 22.5 MHz, para el patrn CCIR, o 22.657339
MHz, para el patrn EIA. Esta frecuencia es dividida por 9 en IC3 de modo de proveer el
pulso de clock para la sincrona (IC4), el cual, a su vez, proporciona las seales de sincrona
para el sensor de imagen. El pulso de sincrona tambin sirve para controlar el patrn
mutinorma IC5. El generador de patrn multinorma SAD1019 fue desarrollado
especialmente para operar con estos Sensores de Transferencia de carga generando los
pulsos de clock, excepto los de lectura. Los niveles de salida de este generador son
demasiado pequeos para excitar los shift registers directamente de modo que son usados
los integrados IC6 e IC7 como drivers.
Los pulsos rpidos para la lectura de las lneas son derivados del clock principal. La
frecuencia del clock es dividida por 6 en un HC 175 (IC8) y usada para proporcionar tres
seales de clock de 3.8 MHz desfasados de 120 grados (3.75 MHz en la prctica). Los
pulsos son aplicados al sensor va IC9 en un multiplexador y un driver horizontal (IC 10).
El generador multinorma tambin es conectado al multiplexor de modo que los pulsos de
transporte normales puedan ser retirados del sensor durante el borrado y los pulsos de
lectura durante los perodos activos de las lneas.
Las tres salidas de los sensores son combinadas usando transistores discretos. El
resultado es una seal de imagen invertida. que es entonces amplificada y despus pasa por
un filtro pasa-bajos para reducir los efectos de eventuales defectos en el sensor. El filtro en
cuestin llene una frecuencia de corte de 2.7 MHz. pero para que haya un corte hasta 3.75
MHz tenemos un filtro adicional de 3.75 MHz. formado por L1 y C61. En la figura 11
tenemos la curva de este filtro.

Figura 11.- Filtro pasa-bajos para eliminar defectos del sensor.

SENSORES DE IMAGEN 31
Despus de filtrada. La seal es llevada a un amplificador maestro de diversas etapas
que tambin provee el nivel de corte para el negro y el AGC en una banda de 1:125
(TDA4306 -IC11). La tensin de AGC es derivada de la seal de vdeo de salida. La etapa
final tiene una impedancia de 75 de salida, con la adicin de pulsos de sincrona y
borrado para formar as una seal patrn de vdeo.

Construccin.

La cmara comprende cuatro placas de circuito impreso dispuestas de modo de formar
una caja con dos lados abiertos. Las funciones de estas placas son:

Sensor.
Temporizador y driver.
Procesamiento de la seal.
Fuente de alimentacin.

Excepto la placa del sensor. Todas las dems emplean la tcnica SMD con el lado
cobreado hacia afuera. Todos los otros componentes son instalados dentro de la caja. Se
proveen seis orificios en el sensor para permitir la fijacin de diversos tipos de lentes. Las
interconexiones de las placas pueden hacerse con alambres simples, cintas o bases y
adaptadores DlL.

Conclusin.

Por el momento como suele suceder los componentes para el montaje de esta cmara
son difciles de conseguir, sin embargo, como ya dijimos el kit puede ser importado en
escala industrial directamente de Holanda. Lo propios sensores de imagen (CCDs) pueden
importarse. El kit de la cmara de vdeo que se vende en Europa ya viene montado (pues la
tecnologa usada es la de montaje en superficie -SMD) y no viene con gabinete, fuente de
alimentacin ni lentes. Esperamos entonces que en un futuro no muy lejano lleguen estos
materiales a estas costas y podamos brindar a nuestros lectores la oportunidad de armar su
propia cmara de vdeo.












SENSORES DE IMAGEN 32



Cmara Digital
Coyote



Introduccin

Coyote es una cmara digital de diseo con referencia de entrada-nivelado. El propsito
de Coyote es proporcionar medios convenientes para comercializar una camara basada en
el sensor VGA CMOS (MCM20014) de Motorola. Los firmwares disponibles y las
libreras de software de PC le permiten a un usuario el uso de la cmara bsica. Motorola
puede proporcionar a los clientes el hardware de los sistemas de Coyote en base a
prstamo. Los esquemas de referencia electrnico y la lista de materiales (BOM) se
encuentran disponibles para todos los clientes.

Alcance

Los siguientes documentos incluyen informacin, los eslabones, y la referencia
documental y dibujos en la plataforma de referencia de Coyote. Estas notas de aplicacin
contienen informacin sobre la construccin de un sistema de la cmara basada en el plan
SENSORES DE IMAGEN- 33
coyote, as como los rasgos importantes en el funcionamiento del hardware de referencia. A
continuacin se muestran las principales caractersticas del sistema Coyote:
1. USB.
2. Salida NTSC.
3. Sensor VGA CMOS .
4. Bajo consumo de energa.
5. procesador de imagen basado en el ARM-7.
6. Men de NTSC manejado la interfaz del usuario.
7. Factor de forma Cerca.
8. Interfaz de prueba/desarrollo JTAG.
9. Alimentado con bateria.
10. Referencia de circuiteria disponible.
11. La lista de materiales disponible.

VISTA FRONTAL


SENSOR Y LENTE NTSC


BATERIA







SWITCH USB


VISTA TRASERA


LEDS DE ESTATUS VISOR











JTAG CLARITY 2

SENSORES DE IMAGEN- 34


Arquitectura del Sistema Coyote

El sistema Coyote de cmara digital es bastante simplista y de bajo costo y eficaz.
Comprende cinco componentes mayores, como es identificado en la siguiente figura.


pticas de la montura-C:

El sistema Coyote de Cmara Digital tiene la habilidad de usar lentes de 8mm, 12mm y
montura "C". Esto se hace usando uno de tres tipos de montura ptica diferentes al PCB
principal. El sistema de la referencia proporcionado por Motorola viene provisto con una
montura ptica tipo "C". Si se requiere una de 8mm y/o 12mm, la fbrica lo proporciona.
Las especificaciones pticas que son recomendado son como sigue:
La Visin legtima
Elemento Descripcin
Tamao ptico 6.4 mm en diag. Pix de 7.8uM Res de 640 x 480
Ajuste de Foco De f 2.0 a f 6.0
Funcin de Modulacin de Transferencia (MTF) 40% a 100 pares de linea/mm (Recomendado)
Filtro IR Filtro IR montado en la ventana del sensor
Ambiente y Mecnica En uso normal la Temp. no debe pasar de 45
o
C

EL CMOS DE VGA
El Sensor VGA CMOS de Motorola y el Sound Visin Clarity 2

El sensor de imagen VGA CMOS (MCM20014) es un totalmente integrado sensor de
imagen CMOS, con las caractersticas como tiempo de integracin, control, y proceso de
seal analgica para las aplicaciones de imagen digitales. Aparte les proporciona a los
SENSORES DE IMAGEN- 35
diseadores una solucin del imaging completa y la captura de la imagen en un artefacto
monoltico que le hace as una verdadera "cmara en un chip". Mientras el Sound Vision
Clarity 2.0 ofrece un juego de caractersticas avanzadas, disponible al nivel ms alto de
integracin para el desarrollo de una cmara digital o de sistema del imaging. Estos dos
componentes crean la columna vertebral del sistema de la cmara digital Coyote.




Funcionamiento

El sistema Coyote, (cuando primero se enciende y/o durante el tiempo ocioso o despus
de hacer clic para pulsar el botn tiempos), continuamente submuestrea las imgenes del
sensor a una proporcin de 12 fps (el video). Estas imgenes de la muestra se utilizan por el
software para recoger el estadsticas en la imagen y su ambiente. Basado en el anlisis de
estos estadsticas, el algoritmo de software de exposicin automtico calcula el tiempo de la
exposicin para perfeccionar la imagen. Este tiempo de la exposicin regresa entonces a los
registros de los sensores. Estos valores constantemente estn leyndose y registrndose en
el Sensor va la interfase I2C para mantener la exposicin apropiada. Se hace el balance
del blanco y la ganancia global completamente automtico en el software. Sin embargo, el
balance del blanco y la ganancia global tambin pueden ser logradas escribiendo los valores
a los registros de ganancia de color y los registros de ganancia global del sensor. Cuando la
imagen que se captura al hacer clic en la cmara, el Coyote cambia a modo de video, (es
decir sale del modo submuestreo), y captura una imagen sencilla completa. El software
procesa esta imagen entonces, la comprime yla guarda en la memoria instantnea. El sensor
usado en la cmara digital Coyote opera a una frecuencia de 9.75MHz. La siguiente tabla
muestra algunos de los registros cuyos valores Predefinidos se cambian en el up/boot de
salida de Coyote:
SENSORES DE IMAGEN- 36

# Registro Valor Reg. Descripcin Propsito
21 12
h
Registro de control de columna
DOVA
Permite aplicar offset a las columnas
22
h
Ve nota
FPN
RAM de columna DOVA Especifica el valor de offset a cada
columna para eliminar FPN
0C
h
40
h
Configuracin de Alimentacin Da valores de alimentacin
60
h
00

Registro de control del timer interno Incrementa el tiempo muestreo y amarre
32
h
00
h
Control del poste ADC Reemplaza los pixeles daados


NOTE FPN - En el DVGA, hay un total de 768 columnas algunos de los cuales son
las columnas oscuras. Al usar el dova de columna, asegura que un valor del
desplazamiento se escribe a todas las 768 columnas. El registro para escribir el valor del
desplazamiento es Registro 21h. El primer valor escrito a este registro se aplica a la
columna 1. El segundo valor escrito aplica a columna 2, y asi sucesivamente ... El sensor
contiene 12 juegos de 64 columnas (12 * 64 = 768). Para cada uno de los 12 juegos de 64
columnas, las primeras 33 columnas no requieren ningn desplazamiento. Las proximas 4
columnas si lo requieren. Las prximas 27 columnas despus de eso no necesitan ningn
desplazamiento.

2M byte Memoria instantnea. El Coyote requiere el uso de una memoria instantnea de
2Mbyte o tambin llamado 16Mbits (1Mx16) NVRAM (la RAM No-voltil). Esta memoria
instantnea particular puede organizarse como o 1024 Kilowords de 16 bits o
2048Kilobytes de 8 bits.

2M byte SDRAM. El Coyote requiere el uso de una memoria de 2M byte SDRAM o
tambin llamada como CMOS, 16M (2X512KX16) la DRAM SNCRONA con 2K se
ciclos de REFRESCA.

Alimentacin de energa. La energa la proporciona al sistema una Batera de 9vols. El
sistema usa un regulador de voltaje lineal para proporcionar el sistema con 3.1V a 3.8V @
~250mA.

Firmware. Como se menciono en seccin la 2.2.1, la cmara digital Coyote utiliza el
software para emprender la tarea de cierto sensor del poste (basado en software) en el
proceso de la imagen. Estos algoritmos basados en software son parte del firmware
disponible para la Clarity 2 ASIC. El firmware/software, sin embargo, no slo es
responsable de la recoleccin estadstica t de la imagen que procesan los algoritmos, pero
tambin para la aplicacin de los controladores del software de Coyote. Aunque el Clarity2
ASIC tiene varios controladores disponibles, los controladores que estn utilizndose por el
Coyote son:

1) controlador de interfaz del sensor
2) controlador de NTSC
3) controlador de USB
SENSORES DE IMAGEN- 37
4) controlador de interfaz de memoria instantnea
5) controlador de I2C
6) controlador del botn


Firmware personalizado para el uso en cmaras digitales de bajo costo estn disponibles
en Sound Vision Inc. El sistema Coyote de Cmara Digital proporcionado por Motorola ya
viene con un Firmware quemado en la cmara.

Viendo Imgenes Guardadas. Hay dos mtodos para ver las imgenes guardadas en la
cmara digital Coyote:

En el PC: Hay en el mercado un gran nmero de software de aplicaciones
personalizada que le permiten al usuario transmitir las imgenes guardado en la
memoria instantnea de la cmarae Coyote a una PC.

En el Monitor de la TELEVISIN: Este sistema es capaz de ver una imagen
inmvil en un monitor de NTSC a travs de un micro mini sub conector
estereofnico en el lado del sistema. El video es compatible con NTSC (la
Televisin americana) y tiene la capacidad tambin para PAL. Un cable de 75 ohms
se requiere para la conexin a un TV/Monitor.




SENSORES DE IMAGEN- 38
FIBRAS OPTICAS

INTRODUCCIN

Los sistemas clsicos de comunicacin utilizan seales elctricas soportadas por cable
coaxial, radio, etc., segn el tipo de aplicacin. Estos sistemas presentan algunos
inconvenientes que hacen necesario buscar otras vas para la transmisin de informacin.
Un sistema alternativo puede ser el uso de seales luminosas.
Ya desde la antigedad se han utilizado las seales luminosas a travs de la atmsfera
como un sistema de comunicacin, ya sea en forma de seales de humo, o bien el reflejo
del sol en una superficie pulida.
La transmisin directa de informacin a travs de la atmsfera viene limitada por las
condiciones atmosfricas que determinan la transparencia del medio y, por tanto, la
atenuacin. De todas formas, la atenuacin a travs de la atmsfera es elevada. Por ello es
preferible evitar estas restricciones obligando a la luz a propagarse por el interior de un
canal limitado perfectamente, de forma que sus caractersticas de propagacin sean
conocidas y estables. Esto conlleva a la evolucin hacia los sistemas de comunicacin por
fibra ptica.
Aunque ya se haba considerado a finales del siglo XIX la posibilidad de utilizar una
gua para la seal luminosa (con dispositivos muy primarios y guas con un nivel de
atenuacin muy alto), no fue hasta la dcada de 1960 cuando realmente se inici el
desarrollo de los sistemas de comunicacin por fibra ptica.
Hacia el ao 1966 se observ que la elevada atenuacin de las guas utilizadas hasta
aquel momento se deba, principalmente, a la existencia de impurezas y que, Por tanto, una
mejora de los procesos de fabricacin, evitando estas impurezas, disminuira
considerablemente la atenuacin.
El ao 1970 constituye una fecha fundamental, dado que Corning Glass Works
(fabricante de fibras pticas de U.S.A.) obtiene una fibra con una atenuacin inferior a los
20 dB/km. A partir de este ao se ha ido reduciendo la atenuacin progresivamente.
Los sistemas de fibra ptica, tambin, se prestan en otros aspectos distintos a las
comunicaciones, por ejemplo en aplicaciones de captacin (biologa, ptica, qumica,
control de procesos, vibracin, temperatura, humedad, etc.), utilizndose como un sensor o
con sensores.

Ventajas.

Los sistemas de comunicacin por fibra ptica utilizan la energa luminosa como
vehculo. Presentan un conjunto importante de ventajas sobre otros soportes utilizados en la
transmisin de seales analgicas y digitales. Entre ellas destacan:

- Gran ancho de banda, lo que permite la transmisin de un gran volumen de
informacin. Prcticamente el ancho de banda y la capacidad de transmisin estn
slo limitados por la tecnologa de fabricacin de emisores y receptores.

FIBRAS OPTICAS- 1
- Atenuacin baja. Permite realizar enlaces de mayor longitud sin necesidad de
repetidores. La atenuacin depende del tipo de fibra ptica y de la longitud de onda ()
utilizada.

- Inmunidad a interferencias electromagnticas. La fibra ptica es absolutamente
inmune a las radiointerferencias e impulsos electromagnticos. Dada su naturaleza no
conductora, presentando un menor ndice de errores en la transmisin de seales
digitales. Esto es de gran importancia en aplicaciones de control industrial donde se
genera gran cantidad de ruido.

- Seguridad y aislamiento elctrico. En determinadas aplicaciones para ambientes
peligrosos (ambientes explosivos o inflamables) o en electromedicina, las fibras pticas
son imprescindibles debido ala imposibilidad de producir descargas elctricas o chispas.

- Menor peso y volumen. Comparando las fibras pticas y los cables coaxiales
necesarios para obtener las mismas prestaciones, las primeras ocupan un volumen muy
inferior y tienen menor peso, siendo adecuadas para aplicaciones aerospaciales.

- Seguridad frente a posibles intervenciones de la lnea. Aunque no es imposible
interceptar una fibra ptica, esto es ms difcil que en otros soportes y normalmente se
puede detectar la intervencin.

Inconvenientes

La fibra ptica tambin presenta algunos inconvenientes que no hay que olvidar. Por
ejemplo:

- No hay una estandarizacin de los productos, lo que plantea problemas de
compatibilidad.

- Las tcnicas de empalme son complejas, y necesitan de equipos costosos y personal
cualificado.

- Baja robustez mecnica, por ello la fibra ptica puede ser daada fcilmente. Al igual
que el cable de cobre, la fibra ptica puede ser deteriorada por excavaciones,
corrimiento de tierras, vandalismo y accidentes. Conviene destacar que las fibras
pueden envejecer prematuramente por humedad, migracin axial, fatiga mecnica y en
algunos casos por roedores.

Estructura de un sistema de comunicaciones con fibra ptica.

Antes de examinar lo que es propiamente una fibra ptica, definiremos, sin entrar en
detalle, la estructura de un sistema de comunicaciones pticas.

FIBRAS OPTICAS- 2

Figura 1.- Sistema de comunicaciones


Como en todo sistema de comunicaciones, distinguimos un transmisor. Un canal y un
receptor.
El transmisor estar formado por el bloque que transforma la seal a transmitir en la
seal que atacar al transductor electro-ptico (diodo LED, lser, etc.) que transformar una
seal elctrica en seal ptica. La fibra ptica constituir el canal. El receptor har el
proceso inverso al transmisor. Conversin de la seal ptica en la seal elctrica inicial y
posterior tratamiento de esta seal. Este esquema tambin sirve para representar los
"repetidores". La necesidad de una linealidad entre la seal ptica de entrada y la seal
ptica. Para la transmisin de seales analgicas constituye una restriccin muy importante
que motiva la predisposicin de los sistemas pticos a la transmisin digital.

ESPECTRO ELECTROMAGNTICO

A continuacin se muestra el espectro electromagntico:
Figura 2.- Espectro electromagntico.
FIBRAS OPTICAS- 3

La mayora de mecanismos pticos estn ms relacionados con la longitud de onda que
con la frecuencia, As es mucho ms conveniente, y prctico utilizar la longitud de onda
cuando se trabaja con luz a altas frecuencias, en elementos como antenas, lneas de
transmisin y cavidades resonantes tienen sus dimensiones fsicas relacionadas
directamente con la , siendo ms pronunciada esta relacin en el caso de las ondas
luminosas.
La figura siguiente muestra el espectro electromagntico dividido en regiones dadas en
trminos de y frecuencia.

Figura 3.- Espectro electromagntico.

Dentro de este espectro. Las bandas de frecuencia donde las ondas tienen caractersticas
comunes son referidas en trminos genricos como audioespectro, Radioespectro, etc.
Tambin se utiliza un trmino similar, el "espectro ptico" o "banda ptica" mostrado en la
figura siguiente, el cual tambin identifica al espectro visible.




FIBRAS OPTICAS- 4


Figura 4.- Espectro visible.

Hay que tener en cuenta que no todas las radiaciones utilizadas en los sistemas de
transmisin de ondas luminosas se encuentran en el rango visible, solo es visible una parte
muy pequea del espectro electromagntico. Los colores individuales son determinados por
la frecuencia de la onda luminosa.
Las radiaciones infrarrojas y ultravioletas frecuentemente se refieren como luz, aunque
se encuentran fuera del rango de deteccin del ojo humano.
Los dispositivos empleados en aplicaciones optoelectrnicas funcionan en la banda
ptica del espectro electromagntico. La banda del espectro ptico se divide en:

- Ultravioleta, con longitudes de onda entre 0.6 y 380 nm (nanmetros).

- Espectro Visible. Es banda estrecha del espectro electromagntico formada por las
longitudes de onda a las que es sensible el ojo humano. Corresponde al margen de
longitudes de onda entre 350 y 750 nm.

- Infrarrojo con longitudes de onda entre 750 nm y 1600 nm.

Atenuacin en funcin de la .

Los sistemas de comunicacin ptica utilizan la parte de la banda infrarroja ms
cercana al espectro visible. La seleccin de la longitud de onda se realiza teniendo en
cuenta la disponibilidad de dispositivos adecuados (emisores, receptores, ..) y fibras pticas
con bajas prdidas.
La atenuacin sufrida por una seal luminosa (en funcin de la longitud de onda) en el
interior de una fibra ptica corresponde ala de la figura siguiente.
FIBRAS OPTICAS- 5


Figura 5.- Diagrama de atenuacin.

Ventanas

Actualmente se trabaja en las tres bandas de frecuencia marcadas en la figura anterior, y
que se conocen con el nombre de ventanas:

- 1
a
ventana: 850 nm
- 2
a
ventana: 1300 nm
- 3
a
ventana: 1550 nm

La primera ventana corresponde a la primera generacin, esta fue a 850 nm.
Posteriormente se utiliz una segunda ventana, a 1300 nm, donde se obtenan atenuaciones
ms bajas (pero con otra tecnologa y ms cara). Despus se evoluciona hacia la tercera
ventana, 1550 nm, con atenuaciones ms bajas y anchos de banda mayores. Podemos
comprobar que estas longitudes de onda no corresponden al espectro visible.
En algunas aplicaciones sencillas de control industrial se utilizan seales dentro del
espectro visible, ya que si bien las fibras presentan mayor atenuacin, el hecho de poder
detectar posibles fallos por inspeccin visual es muy til para usuarios carentes de
instrumentacin.


FIBRAS OPTICAS- 6
FUNDAMENTOS DE FIBRA PTICA

Composicin

Una fibra ptica consiste en dos regiones concntricas. La regin interna es un filamento
transparente llamado ncleo, cuyo dimetro suele estar comprendido entre 8 y 600 micras
dependiendo del tipo de fibra ptica, y su ndice de refraccin es superior a la regin
externa. La regin exterior consiste de un revestimiento de cuarzo o plstico al igual que el
ncleo. Resultando que la luz inyectada en un extremo de la fibra, dentro de un
determinado ngulo conocido como abertura numrica, es totalmente reflejada cada vez que
incide en lmite del ncleo/revestimiento. La luz continua reflejndose mltiples veces a
travs de la fibra por esta reflexin interna total, hasta que sale por el otro extremo (Figura
6).
El revestimiento se encuentra rodeado de una tercera capa, la cubierta protectora, de
material plstico.

Figura 6.- Fibra ptica.

Mecanismos pticos bsicos

La figura 7 muestra una fuente luminosa (una linterna) situada para iluminar el extremo
final de un tubo, del cual asumimos que su superficie interna es reflectante. Observe que el
haz luminoso es divergente, entonces no todos los rayos sern acoplados en el interior del
tubo. Bajo estas condiciones hay una prdida de energa en el extremo final del tubo.
FIBRAS OPTICAS- 7
Figura 7


En la figura 8 se inserta una lente entre la fuente luminosa y el tubo para enfocar la luz
en un haz ms estrecho. Aunque el dimetro interior del tubo no ha variado, ahora se acopla
ms energa dentro del tubo y llega ms energa al final del tubo.


Figura 8

Por lo tanto, cualquier fuente luminosa que emita un haz estrecho de luz puede
acoplarse dentro de una gua luminosa (o sea, el tubo) de forma eficiente. El trmino que
describe la capacidad de recoger luz de una gua luminosa es la abertura numrica (NA) la
cual se aplica en fibras pticas.

Propagacin.

A las ondas luminosas se les referencia por su longitud de onda, que est relacionada
con la frecuencia mediante la expresin = c/f, donde es la longitud de onda, c la
velocidad de la luz y f es la frecuencia.
Como la luz es una forma de onda electromagntica, sus propiedades han de ser
descritas a partir de las ecuaciones de Maxwell. El mtodo riguroso de clculo de la
intensidad y la fase de una onda luminosa implica, entonces, utilizar dichas ecuaciones.
Ahora bien, debido a que la longitud de ondas de las ondas electromagnticas que se
propagan (infrarrojo y visible) es muy pequea, el estudio de la propagacin en el interior
de la fibra puede efectuarse con el modelo simplificado de rayos luminosos y leyes de la
ptica geomtrica.
De esta forma, el estudio de la llegada de la onda o rayo luminosos a la superficie de
separacin entre dos medios con diferente ndice de refraccin, se puede realizar de dos
formas:

a) Como una onda ptica, donde deber resolverse la ecuacin de onda, la cual impone
las condiciones de contorno.

b) Como un rayo luminoso, mediante la ley de Snell y la reflexin total.

FIBRAS OPTICAS- 8
En este manual, as como en las prcticas, utilizaremos el modelo de los rayos, pero no
ha de olvidarse que el modelo que utilizamos es simplificado y no siempre nos lleva a las
conclusiones vlidas.

Ley de Snell, ndice de refraccin

Cuando la luz pasa de un medio a otro cambia de velocidad. Introducindose una
deflexin en los rayos de luz denominada refraccin. El trmino que define esta
caracterstica de un medio es el ndice de refraccin. El ndice de refraccin de un medio se
define como la relacin entre la velocidad de la onda luminosa en el vaco (c) y la
velocidad de la onda luminosa propagada en el medio (v).
El ndice de refraccin en el vaco es 1,0 y en el aire es 1,003. frecuentemente
generalizado a 1,0. En el vidrio el ndice de refraccin es 1,5. Cuando la luz viaja en un
medio denso, la velocidad de la luz (velocidad de propagacin) disminuye pasando a ser v.
Cuando se divide la velocidad de la luz en el vaco c, por la velocidad de la luz en un medio
denso v, da el ndice de refraccin:
n=c/v

Los ndices de refraccin se utilizan en el diseo de las fibras pticas. Para comprender
bien los mecanismos de refraccin dentro de la fibra es til revisar el principio bsico de la
ptica: la ley de Snell.
n
1
sen
1
=n
2
sen
2

La ley de Snell mostrada en la figura 9 afirma que cuando incide un rayo luminoso
sobre una superficie de separacin entre dos medios de distinto ndice de refraccin n, el
rayo que viaja por el medio ms denso (ndice de refraccin ms alto) es parcialmente
reflejado y parcialmente refractado.
Figura 9 Figura 10

Si el ngulo
1
aumenta, el ngulo
2
del rayo refractado tambin aumenta. Habr un ngulo
de incidencia que provocar
2
igual a 90
o
, producindose la reflexin total; esto es, toda la
luz refleja hacia el medio ms denso y no hay refraccin hacia el medio menos denso.

As, dependiendo de las constantes de refraccin de los materiales, existe un ngulo
mximo
1
=
mx
(determinado cuando
2
= 90
o
) de incidencia de la luz sobre el extremo
de la fibra para el cual toda la luz incidente se propaga.
FIBRAS OPTICAS- 9
Este ngulo mximo de entrada, expresado en funcin del ngulo complementario es:

mx
= arc cos
1
2
n
n


denominado ngulo de aceptacin,
mx
, y su seno se conoce como apertura numrica
(NA):

NA = sen
mx

Entonces, en el caso de la fibra ptica (compuesta por el ncleo y el revestimiento),
cualquier onda que entre con un ngulo mayor que el de aceptacin escapar a travs del
revestimiento.

Apertura numrica

La apertura numrica denota el ngulo mximo de incidencia,
mx
con el cual toda la
luz incidente es propagada por el interior de la fibra sin que se produzca refraccin, solo
hay rayo reflejado. Es lo que se denomina el fenmeno de la reflexin total, que constituye
el principio fundamental para entender el comportamiento de la fibra como una gua de
ondas. Para un ngulo superior de incidencia se perder la luz incidente por refraccin.
El concepto de apertura numrica se usa para describir la potencia colectora de luz de la
fibra y para calcular la eficiencia de acoplo fuente/fibra. Est definido como:

NA = sen
mx
=
2 2
r n
n n

donde
mx
representa el mximo ngulo de aceptacin y n
n
es el ndice de refraccin del
ncleo y n
r
es el ndice de refraccin del revestimiento.
Interesa que la apertura numrica sea grande para aprovechar mejor la fuente luminosa.
Valores tpicos de la apertura se encuentran alrededor de 0,2, equivalente aun ngulo
mximo de 11
o
(o sea, en total: 22 grados)
En la figura 11 est representada una fibra ptica en la que inciden distintos rayos de
luz. El rayo R1 incide en la fibra con un ngulo igual al ngulo de aceptacin. Para ngulos
mayores, caso del R3, el rayo escapa de la fibra ptica.









Figura 11.- Seccin de una fibra ptica.
FIBRAS OPTICAS- 10
La fibra ptica est constituida por tres partes: la interior, denominada ncleo, la
exterior revestimiento y un recubrimiento de proteccin alrededor del revestimiento. Tanto
el ncleo como el revestimiento son de vidrio (o de material plstico). El ncleo tiene un
ndice de refraccin superior al del revestimiento. Debido a esta diferencia de ndice, la luz
transmitida se mantiene y propaga a travs del ncleo, satisfacindose el principio de
reflexin total interna, siempre que se verifique que
incidencia

mx
.
Las ondas luminosas deben entrar en la fibra dentro de un cierto ngulo, llamado ngulo
de aceptacin. Cualquier onda que entre segn un ngulo mayor escapar a travs del
revestimiento. Este ngulo est definido por la apertura numrica NA.

Modos de propagacin

Las figuras 7 y 8 muestran otro fenmeno ptico de las fibras pticas. Sea cual sea la
divergencia del haz incidente, algunos rayos se propagarn directamente a travs del eje
longitudinal del tubo. Este camino de propagacin est indicado, en la figura, como una
lnea slida, y la longitud del camino de transmisin a travs de esta lnea (el eje ptico del
tubo) es la distancia ms corta a travs del tubo. Este camino representa un modo de
propagacin de la luz dentro del tubo.
La figura 7 tambin muestra que algunos rayos entran en el tubo con un cierto ngulo
(las lneas punteadas). Si el interior del tubo es reflejante, los rayos son reflejados por la
superficie reflejante interior y son propagados a travs del tubo en una sucesin de
reflexiones. En funcin del ngulo de entrada el nmero de reflexiones ser menor o mayor,
y por ello la longitud recorrida por el rayo ser menor o mayor respectivamente. Los modos
de propagacin representan los diferentes caminos posibles de las ondas luminosas
viajando a travs de la fibra ptica.
En la figura 8 los modos de propagacin se identifican de orden alto y bajo. Esta
distincin designa a los modos de orden alto a los que tienen los caminos de transmisin
ms largos, ya los de orden bajo a los que tienen caminos cortos. El modo axial es el
camino de transmisin ms corto posible y generalmente se le denomina como modo
fundamental.

TIPOS DE FIBRA PTICA

Dependiendo del tipo de propagacin de la seal luminosa en el interior de la fibra,
stas se clasifican en los siguientes grupos:

- Multimodo
- Monomodo

En una fibra monomodo, la luz puede tomar un nico camino a travs del ncleo, que
mide alrededor de 10 micras de dimetro. Las fibras multimodo tienen ncleos entre 50 y
1000 micras. Las fibras monomodo son ms eficaces a largas distancias, pero el pequeo
dimetro del ncleo requiere un alto grado de precisin en la fabricacin, empalme y
terminacin de la fibra.
La fibra ptica tambin se clasifica en funcin del ndice de refraccin, siendo de dos
tipos:

FIBRAS OPTICAS- 11
- Salto de ndice
- ndice gradual

En las fibras de ndice gradual, el ndice de refraccin es inferior en las proximidades
del revestimiento que en el eje de la fibra. Las ondas luminosas se propagan ligeramente
ms lentas en las proximidades del eje del ncleo que cerca del revestimiento.
Atendiendo al material de la fibra, stas pueden clasificarse:

- Fibras de vidrio
- Fibras de material plstico

Estas ltimas se utilizan para comunicaciones a muy cortas distancias. Suelen
emplearse para interconexin de equipos situados en un mismo edificio, conexin de
equipos digitales de audio y en pequeas redes de ordenadores.
Dentro de las dos primeras clasificaciones generales (tipo de propagacin e ndice de
refraccin), tenemos tres tipos bsicos de fibra ptica:

- Fibra multimodo de salto de ndice
- Fibra multimodo de ndice gradual
- Fibra monomodo

Generalmente se utilizan las fibras multimodo en la primera y segunda ventanas, y
monomodo en la segunda y tercera ventanas.

Fibra multimodo de salto de ndice.

El guiado de la seal luminosa est causado por la reflexin total en la superficie de
separacin entre le ncleo y el revestimiento. El ndice de refraccin presenta un perfil
definido por la expresin siguiente:

n= n (1 + )

(siendo el incremento del ndice de refraccin entre el ncleo y el revestimiento)

En este tipo de fibra la apertura numrica, NA, puede aproximarse a la expresin:

NA = 2

valores tpicos de NA se encuentran entre 0,2 y 0,5.

Las seales incidentes con un ngulo cuyo seno sea inferior a la apertura numrica
provocan la aparicin de multitud de modos (o dicho de forma ms intuitiva de multitud de
rayos y ngulos de reflexin) propagndose por el interior de la fibra (Figuras 12 y 13).
Esta es la razn del trmino multimodo para describir el tipo de fibra.
El ncleo de este tipo de fibras tiene un dimetro entre 50 a 1000 m. Este ncleo tan
grande implica que se propaguen varios modos. Los diferentes caminos dan lugar a la
FIBRAS OPTICAS- 12
dispersin modal, o sea, el ensanchamiento temporal de la luz cuando viaja a travs de la
fibra. La dispersin es un mecanismo que limita el ancho de banda o la cantidad de
informacin que la fibra es capaz de transportar.


Figura 12 Fibra multimodo.

Figura 13

Estas fibras pueden clasificarse a su vez en funcin de su composicin:

- Vidrio/Vidrio: cubierta y ncleo de vidrio.
- Plstico/Vidrio: cubierta de plstico y ncleo de vidrio.
- Plstico/Plstico: cubierta y ncleo de plstico.

Este tipo de fibras son las ms utilizadas en enlaces de distancias cortas, hasta 1 km. y
su aplicacin ms importante est en las redes locales.

Fibra multimodo de ndice gradual.
FIBRAS OPTICAS- 13

En este caso el cambio de ndice de refraccin en el interior de la fibra es gradual, lo
que provoca una propagacin ondulada del rayo de luz (figura 16b).

Las fibras de ndice gradual comprometen la eficiencia en el acoplo para tener mayor
ancho de banda. Se hace esto dando al ncleo un ndice de refraccin no uniforme en todo
su perfil.
La variacin del ndice de refraccin en el perfil de la fibra da lugar a que la luz se
propague segn una trayectoria curva, en lugar de a tramos rectos como en las fibras de
salto de ndice. El mayor recorrido del rayo se compensa por la mayor velocidad de
propagacin (V=c/n) en la regin exterior del ncleo.
En estas fibras el ngulo de aceptacin depende de la distancia al eje del ncleo, siendo
mximo en el centro y cero en la frontera con el revestimiento. Sin embargo, la apertura
numrica (NA) de las fibras de ndice gradual se define de la misma forma que en las de
salto de ndice:

NA =
2
2
2
1
n n

la NA tiene un valor tpico de 0,2 para estas fibras.

La mayora de las fibras de ndice gradual tienen un ncleo con dimetro de entre 50
m y un revestimiento con 125 m de dimetro.
Estas fibras provocan menos modos de propagacin que las de salto de ndice,
reducindose la dispersin, y con ello un aumento del ancho de banda. Estas fibras son
empleadas hasta distancias de 10 km.



Figura 14.- Fibra multimodo de ndice gradual.

Fibras monomodo.

Cuando se requieren anchos de banda muy grandes se usan fibras monomodo. Estas
fibras, en su construccin ms simple, son iguales a las multimodo de salto de ndice, solo
que el dimetro del ncleo es muy pequeo (5-12 m), pudindose propagar un slo modo.
La dispersin modal es muy baja, alrededor de solo decenas de picosegundos (10
segundos) por kilmetro, con lo que los anchos de banda son excepcionales y las prdidas
bajas, siendo adecuadas para largas distancias o comunicaciones de alta velocidad.
12

FIBRAS OPTICAS- 14

Figura 15.- Fibra monomodo.

Es el caso conceptualmente ms simple, ya que se trata de una fibra de salto de ndice
pero de un dimetro del ncleo tan pequeo (inferior a 10 micras) que solo permite la
propagacin de un modo, el fundamental (Figura 16.c).
Este tipo de fibra es el que permite obtener mayores prestaciones y se usa en enlaces de
gran distancia. Estas fibras presentan no obstante, algunas desventajas como la mayor
dificultad para inyectar la seal luminosa a la fibra (apertura numrica tpica de 0.1 @
ngulo de incidencia de 12
o
), mayor sensibilidad a errores mecnicos, malos tratos,
empalmes defectuosos, etc. La dificultad de inyeccin de seal se soluciona utilizado
fuentes de luz lser.

Figura 16.- Tipos de fibra ptica.

FIBRAS OPTICAS- 15


TRANSMISIN DE LUZ EN LAS FIBRAS PTICAS
ispersin modal. Interferencia intersimblica. Dispersin cromtica
ispersin Modal
Si consideramos que aplicamos a una fuente luminosa una seal digital ("1 " y "0") sta
ntra emitiendo (suponemos que ala
Entonces, un instante de tiempo despus, los otros rayos luminosos que se han
ra la seal aplicada ala fuente luminosa pasa de "1" a "0", todos los rayos de
s lentos (los modos
oduccin de la seal elctrica

D

D


conmutar entre encendido y apagado. Interesar obtener en el extremo del sistema de
comunicaciones una reproduccin fiel de la seal elctrica original. Esto significa que la
seal reproducida deber tener las mismas caractersticas de duracin de los tiempos de "1"
y "0", o la misma secuencia de transiciones, o ambas.
Si en un instante dado, la fuente luminosa se encue
entrada tenemos una seal elctrica "1"), todos los rayos de luz de todas las frecuencias de
las ondas luminosas se estarn emitiendo simultneamente. Suponiendo, entonces, que
todos los rayos se propagan por el tubo, como en la figura 8. Entonces los rayos de luz que
llegan primero al final del tubo son los que se propagan en el modo fundamental y
consecuentemente viajan por el camino ms corto: a travs del eje axial del tubo. Si en el
extremo del tubo se acopla un detector ptico, el detector percibe la presencia de estos
rayos y genera una seal elctrica en su salida ("1").


propagado reflejndose a travs del tubo llegarn al detector y sern percibidos por ste.
Pero la seal elctrica del detector ya est presente ("1") debido a los primeros rayos que se
propagaron por el eje axial, entonces no ocurre ningn cambio en la salida elctrica del
detector.
Si aho
todas las frecuencias de las ondas luminosas se extinguirn en el mismo instante de tiempo.
La reaccin ms rpida, a esta extincin, llegar al extremo final como una prdida de luz
mediante los rayos que se propagan por el eje axial (modo fundamental), son los rayos que
recorren menos distancia. Pero como en el detector an llegarn rayos luminosos de los
modos ms lentos, la salida del detector no cambiar inmediatamente.
Despus de un cierto tiempo, despus de que los rayos luminosos m
de propagacin con un orden ms alto) atraviesen el tubo, al detector no le llegar energa
luminosa, por lo que no proporcionar seal elctrica ("0").
El resultado consiste en que no se obtiene una fiel repr
original. La seal elctrica proporcionada por el detector tiene ms duracin que la original.
Entonces, se dice que el pulso entregado por el detector se ha ensanchado o dispersado.
FIBRAS OPTICAS- 16



Figura 17.- Interferencia intersimblica.
Este ensanchamiento es una forma de distorsin y se denomina dispersin modal en los
sistemas de transmisin de ondas luminosas. Esta dispersin es debida por la multiplicidad
de caminos de transmisin o de modos en el interior del tubo.
La dispersin modal es funcin del nmero de modos de propagacin en el interior del
tubo y de la longitud del tubo.

Interferencia Intersimblica.

La distorsin de los pulsos, que se evidencia como un pulso de mayor perodo que el
original, puede considerarse como que el pulso se ha extendido un perodo de tiempo muy
corto. Esto es cierto en el caso de velocidades de transmisin muy bajas. Una leve
extensin del perodo cuando tenemos luz, con relacin al perodo cuando no tenemos luz
es insignificante.
Pero en los sistemas de transmisin pticos, la luz es pulsada a unas velocidades muy
altas. En un sistema operando a 90 Mb/s. Por ejemplo, el perodo del pulso en que tenemos
luz es solo de 6 a 10 ns, y esto que 90 Mb/s no es una velocidad muy alta hoy en da. La
distorsin del pulso introducida puede consecuentemente ser un porcentaje significante del
perodo del pulso en tales aplicaciones.
En las transmisiones de alta velocidad, ms bits (pulsos) se transmiten por unidad de
tiempo. Los pulsos tienden a ensancharse, como se ha indicado en el apartado de dispersin
modal, y un pulso individual empieza a entrometerse en el espacio destinado a la "no
presencia de pulso". Esto complica el proceso de determinar, en unos determinados
instantes, si un pulso est presente o no. La intrusin de un pulso en el perodo de tiempo
adyacente se llama interferencia intersimblica, y se puede apreciar en la figura 17. Dicha
distorsin puede provocar errores en los datos transmitidos.


FIBRAS OPTICAS- 17
Dispersin cromtica o del material.

La dispersin modal limita el ancho de banda y con ello la velocidad de los datos.
Adicionalmente a la dispersin modal, la dispersin cromtica ocurre cuando la energa
ptica se ensancha sobre un rango de , como ocurre con las fuentes LED. Este tipo de
fuentes no tiene una nica , sino que tiene un determinado ancho, espectral. As, dentro de
cada modo, las diferentes (de la misma fuente luminosa) viajan por el mismo camino,
pero con diferentes velocidades de propagacin (el ndice de refraccin vara con la ), lo
cual vuelve a causar un ensanchamiento de los pulsos. Este ensanchamiento ser mayor a
mayor longitud de la fibra. La dispersin cromtica se puede reducir utilizando fuentes con
un espectro muy estrecho. Incluso en las fibras monomodo, las velocidades de propagacin
varan en funcin de la longitud de onda.
Muchas fuentes luminosas producen luz que contiene energa en un nmero de
alrededor de la central. La figura siguiente muestra el espectro tpico de una fuente
luminosa lser. Aunque la salida est centrada en 1,3 m, hay contenido energtico en las
superiores y en las inferiores. Este elemento tiene un ancho de banda finito. Los diodos
lser tienen unos anchos espectrales de alrededor de 4 nm, mientras que los LED tienen un
espectro significantemente mucho mayor, del orden de 40 a 100 nm.
Aunque la fibra soporte solo un modo de propagacin, la energa lanzada en el interior
de la fibra incluye varias . A pesar de la uniformidad del ndice de refraccin ncleo de la
fibra, las diferentes transitan en la fibra ptica a velocidades diferentes; as, un pulso de
luz en el extremo final de la fibra se dispersar en el tiempo, o ensanchar, de la misma
manera que las mltiples reflexiones ensanchan un pulso en una fibra multimodo.

Figura 18.- Espectro de una fuente luminosa lser.

La figura 19 muestra una curva tpica de la dispersin de una fibra monomodo. Como
en la dispersin modal, la dispersin cromtica, o del material, no es la misma para todas
las , siendo posible manipular los ndices de refraccin de los materiales del recubrimiento
y del ncleo para minimizar la dispersin. Tambin es posible seleccionar que las
FIBRAS OPTICAS- 18
emitidas coincidan con el mnimo de dispersin de la fibra en cuestin. La dispersin
cromtica puede reducirse (e incrementar la velocidad de transmisin de datos) cuando se
utiliza una fuente luminosa monocromtica muy estable con la frecuencia.


Figura 19.- Curva de dispersin de una fibra monomodo

Atenuacin

La dispersin modal y la dispersin cromtica limitan el ancho de banda y con ello la
velocidad de los datos, debido al ensanchamiento que provocan en los pulsos. A mayor
longitud de la fibra mayor ensanchamiento.
A diferencia de los cables de cobre, la atenuacin en la fibra ptica no se incrementa
con la frecuencia, esta es constante dentro del rango frecuencia utilizable o ventana. La
atenuacin es proporcional a la longitud de la fibra y depende de las propagadas.
Hay que tener presente que en las fibras multimodo no puede hablarse de atenuacin en
el mismo sentido que en un portador metlico, debido a que la potencia ptica se distribuye
entre los diferentes modos de propagacin, que presentan diferentes atenuaciones.
Las prdidas que se producen en una fibra ptica se pueden agrupar en dos grandes
grupos prdidas intrnsecas y prdidas extrnsecas, las cuales se pueden subdividir de la
forma siguiente:

PRDIDAS INTRINSECAS

- Son propias de la fibra
- Dependen de Su construccin
- No se pueden eliminar

Dentro de este tipo de prdidas hay:

- Absorcin:
- Picos de absorcin en infrarrojos y ultravioletas, se trata de energa que se
transforma
FIBRAS OPTICAS- 19
en calor.

- Dispersin por efecto de Rayleigh:
sicin del vidrio, sern fluctuaciones en el
dice de
a
- Dependen del proceso de produccin
no
- Algunos iones metlicos
los grupos OH que se producen durante la fabricacin. estos son los
omtricas:
or ejemplo, por la fatiga esttica que se produce si se
guarda durante mucho tiempo en bobinados,

- eomtricas entre el ncleo y el
revestimiento. Son prdidas por radiacin.
- Mic
- Presin
d


- Fluctuaciones en la compo
n
refraccin originadas por la agitacin trmica (sern del orden de la ).

- Es proporcional a
-4


PRDIDAS EXTRNSECAS

- No son propias de la fibr


A este tipo de prdidas pertenecen:

- Impurezas:

- Hidrge

- Sobre todo a
ms
difciles de eliminar. Presentan picos de absorcin a 950, 1250 y 1380 nm.

- Defectos Fsicos.

- Irregularidades ge

- Curvaturas originadas, p
o bien ocasionadas en la fase de instalacin. conviene que el radio de curvatura
sea ms grande a 10 veces el radio de la fibra.
Microcurvaturas, es decir, irregularidades g

rofisuras, causadas por:

- Fatiga

- Humeda
FIBRAS OPTICAS- 20


Figura 20. Atenuacin de la fibra.

En las fibras de vidrio, el mecanismo dominante de atenuacin es la dispersin de
Rayleigh, la cual disminuye gradualmente cuando incrementa la . Las prdidas debidas a
la absorcin de los grupos OH se han reducido en el transcurso de los aos, siendo
significante un pico en 1380 nm. La atenuacin aumenta fuertemente por encima de 1550
nm debido a la absorcin de los infrarrojos. Las altas son de inters debido a que la
dispersin es tambin baja, las fibras de vidrio manifiestan un cero de dispersin cromtica
alrededor de 1300 nm.
Aunque la atenuacin en las fibras comerciales est prxima a los lmites tericos, dos
regiones de han sido comnmente utilizadas debido a los mnimos de atenuacin que
presentaban las primeras fibras pticas. Estas regiones centradas alrededor de 850 nm y
1300 nm se conocen como la primera y la segunda ventana respectivamente.


FIBRAS OPTICAS- 21
EMISORES y DETECTORES

Los dispositivos utilizados como emisores y detectores de radiacin luminosa en los
sistemas de comunicaciones pticas son el lser de semiconductores (diodo lser) y el LED
(diodo electroluminiscente). Ningn otro tipo de fuente ptica puede modularse
directamente a las altas velocidades de transmisin requeridas, con tan baja excitacin y tan
baja salida. En funcin del sistema, se escoger entre uno u otro.
El lser ofrece mejor rendimiento para altas velocidades de transmisin y largos
alcances. Para anchos de banda menores y cortas distancias se suele escoger el LED, pues
tanto el circuito de ataque como el de control son ms sencillos.
Los componentes utilizados para emitir luz en la ventana de los 850 nm. son galio (Ga),
aluminio (Al) y Arsnico (As), si se agrega indio (In) y fsforo (P) puede emitirse en las
ventanas de los 1300 y 1500 nm.

Emisores

LED

El proceso de generacin de luz en un LED se basa en el efecto de electroluminiscencia:
recombinacin de electrones y huecos en una unin PN, que provoca la emisin de fotones.
Los dispositivos semiconductores LED (ligh emitting diode) emiten radiacin
electromagntica cuando circula una corriente elctrica a travs de ellos. A esta corriente se
le denomina corriente de polarizacin.
La potencia emitida en funcin de la corriente de polarizacin es una curva creciente
pero que tiende aun nivel mximo de emisin o nivel de saturacin como se muestra en la
figura 21.
Figura 21.- Potencia emitida en funcin de la corriente de polarizacin.

FIBRAS OPTICAS- 22

En el efecto electroluminiscente la longitud de onda de la luz emitida depende de la
diferencia de energa E
g
entre los niveles energticos de la banda de conduccin y la banda
de valencia:

Longitud de onda = (h c)/E
g


donde h es la constante de Planck y c la velocidad de la luz.

Un LED no emite una longitud de onda nica (luz coherente) sino que su emisin suele
ocupar un ancho de entre 30 y 50 nm. Como se muestra en la figura 22, a este conjunto de
longitudes de onda se le denomina espectro de emisin y corresponde a la curva que
representa la potencia de luz emitida en funcin de la longitud de onda.


Figura 22.- Espectro de emisin de un LED a 850 nm.

Los espectros de emisin de un LED tienen todos una forma parecida. Todos presentan
un mximo de emisin de luz a una frecuencia central y un descenso de la potencia emitida
para frecuencias alejadas de la central. Cuando se dice que un LED emite a 850 nm se est
haciendo referencia a la longitud de onda cuya potencia emitida es mxima. Por supuesto
este mismo LED tambin estar emitiendo a 820 o 880 nm, pero lo har con una potencia
inferior.
El ancho de banda tpico de un LED es de 200 MHz, con rendimientos de f 50 W/mA.
Los LED presentan un espectro de emisin ms ancho que el lser. ,
En un LED la luz se emite segn los 3609 que corresponden a una radiacin esfrica,
pero en la prctica, esto queda limitado por la construccin metlica del diodo, la reflexin
en el material utilizado y la absorcin en el metal semiconductor.

Diodo Lser

El proceso de generacin de luz en un diodo lser es similar al del LED hasta que la
corriente de polarizacin alcanza un determinado nivel umbral. En este punto los fotones
generados en el proceso de recombinacin estimulan la emisin de ms fotones dentro de
FIBRAS OPTICAS- 23
una cavidad ptica. Se consigue as, una elevada ganancia ptica y un espectro de emisin
muy estrecho que da lugar a luz coherente.


Figura 23.- Espectro de emisin de un lser a 1500 nm.

En un dispositivo lser, a partir de cierta densidad de corriente, la ganancia ptica
excede a las prdidas y la emisin pasa de espontnea a estimulada. La corriente a la que se
produce el cambio se denomina corriente umbral. Esta corriente puede ser relativamente
baja, entre 50 y 150 mA. En estas condiciones la curva de la potencia emitida en funcin de
la corriente de polarizacin es totalmente distinta a la curva presentada por un diodo LED
como se puede apreciar en la figura 24.
Figura 24.- Potencia emitida por un lser.
FIBRAS OPTICAS- 24

A diferencia de los fotoemisores LED, los fotoemisores LASER tienen un espectro de
emisin mucho ms estrecho (2 nm) cuando se polarizan por encima de una corriente
umbral. En este caso al ser tan pequea la porcin de longitudes de onda emitidas, se puede
hablar de luz coherente. Cuando el LASER trabaja por debajo de esa corriente umbral, las
caractersticas espectrales son similares a las del LED.
La luz de este tipo de lser puede acoplarse fcilmente a una fibra multimodo acoplando
el rayo del lser contra el extremo del ncleo de la fibra, que tiene un dimetro mucho
mayor; tambin puede acoplarse a una fibra monomodo.

Detectores

Bsicamente el detector es un dispositivo que convierte fotones en electrones. As el
fotodetector es el elemento que reconvierte una seal ptica en seal elctrica, realizando la
funcin inversa al fotoemisor. Se trata, entonces, de un transductor ptico-electrnico.
En las comunicaciones pticas se utilizan como fotoreceptores los fotodiodos. Estos
puede clasificarse en funcin de su construccin en:

- Fotodiodos PN
- Fotodiodos PIN
- Fotodiodos Schottky
- Fotodiodos Avalancha

La mayor parte de sistemas de fibra ptica instalados usan fotodiodos PIN y los
fotodiodos de avalancha (APD)

Fotodiodo PIN

El fotodiodo PIN es el detector ms utilizado en los sistemas de comunicaciones
pticas. Es relativamente fcil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo ruido y es compatible
con circuitos amplificadores de tensin. Adems es sensible a un gran ancho de banda
debido a que no tiene mecanismo de ganancia.
El diodo PIN se compone bsicamente de unas zonas p y n altamente conductoras junto
a una zona intrnseca poco conductiva. Se trata de una unin p-n algo especial, entre la zona
p (huecos) y n (electrones) se intercala una zona intrnseca formada por un compuesto de
InGaAs donde se generan pares electrn- hueco cuando colisionan fotones en dicha zona.
Para conseguir la generacin de pares electrn-hueco, el diodo PIN debe estar
polarizado en inversa con el fin de que las cargas generadas en la zona intrnseca sean
aceleradas por el campo elctrico presente entre las zonas p y n. Esto crea un flujo de
corriente, proporcional al nmero de fotones captados (energa luminosa recibida), que se
dirige a los electrodos. El proceso es rpido y eficiente. Como no hay mecanismo de
ganancia, la mxima eficiencia es la unidad y el producto ganancia por ancho de banda
coincide con sta ltima.
En la figura 25 se representa una seccin del semiconductor PIN y su circuito elctrico
equivalente.


FIBRAS OPTICAS- 25

Figura 25.- Seccin de un diodo PIN y esquema elctrico equivalente.

Fotodiodo APD

El fotodiodo de avalancha APD de la figura 26 es similar al fotodiodo PIN en cuanto a
que trabaja polarizado en inversa. Pero a diferencia de los diodos PIN, los APD tienen que
ser polarizados a un alto voltaje (150-300 V) para conseguir el efecto de avalancha.
El efecto avalancha se alcanza cuando el campo elctrico creado por la elevada tensin
acelera fuertemente los portadores, presentes en la zona intrnseca, de manera que
colisionan con tomos que componen la estructura cristalina del semiconductor.
Las colisiones ionizan los tomos, producindose nuevos pares electrn-hueco, debido a
que los portadores llevan la suficiente energa para que los electrones pasen de la banda de
valencia a la banda de conduccin. Estos portadores secundarios a su vez vuelven a generar
ms portadores, repitindose el proceso efecto avalancha. Esta ionizacin por impacto
determina la ganancia interna del dispositivo o ganancia de avalancha.
Figura 26.- Estructura de un fotoreceptor de avalancha.

FIBRAS OPTICAS- 26
De hecho el efecto de avalancha en los fotodiodos APD puede entenderse como una
amplificacin de la corriente M generada por los fotones que inciden en el dispositivo.
La ganancia de un APD tiene influencia sobre el ancho de banda. El mximo ancho de
banda se da para ganancia unidad. Con ganancias ms elevadas, el ancho de banda se
reduce debido al tiempo necesario para que se forme la fotoavalancha.
A causa de su mayor ganancia los APD tienen mayor sensibilidad que los diodos PIN,
esto los hace muy atractivos para receptores de comunicacin.
A pesar de sus inmejorables propiedades de sensibilidad y ancho de banda existen
ciertas limitaciones que se tienen que tener presentes a la hora de realizar un diseo:
- El factor de multiplicacin M de la figura 27 depende fuertemente del voltaje
inverso aplicado y de la temperatura, lo que hace dificultoso alcanzar una
ganancia estable. Un compromiso tpico entre la ganancia y la estabilidad es M
entre 50 y 100.
Figura 27.- Factor de multiplicacin del APD en funcin de V.

Otro inconveniente es la falta de linealidad debido a la cada de tensin en la resistencia
de carga y de la dependencia de M con el voltaje.
Cuando no hay luz tambin se genera corriente, la denominada corriente de oscuridad
esto da lugar a un ruido adicional y limita el nivel de deteccin de mnimo. La corriente de
oscuridad tambin depende del voltaje aplicado y, por lo tanto, del factor de multiplicacin.
FIBRAS OPTICAS- 27
En conclusin, los APD son muy buenos receptores en cuanto a sensibilidad y ancho de
banda, pero requieren una cierta complejidad en su polarizacin. Debe de aplicarse
tensiones elevadas para conseguir el factor de multiplicacin M. Tambin es necesaria una
cuidada polarizacin, realimentacin y, a veces, estabilizacin de la temperatura para
prevenir averas o sobrecargas.

SISTEMAS DE FIBRA OPTICA

Composicin

Los sistemas de fibra ptica estn compuestos como se muestra en la figura 28 por un
transmisor, cuya misin es la de convertir la seal elctrica en seal ptica susceptible de
ser enviada a travs de una fibra ptica. En el extremo opuesto de la fibra ptica se
encuentra el receptor, cuya finalidad consiste en convertir la seal ptica en seal elctrica
nuevamente.
El transmisor puede emplear un LED o un diodo lser como elemento de salida. A este
elementos se los denomina convertidores electro-pticos (E/O).
El receptor consiste en un diodo PIN o un APD, que se acopla ala fibra ptica. Se le
denomina convertidor opto-electrnico (O/E).

Figura 28.- Sistema de fibra ptica.

En muchas ocasiones es necesario intercalar, entre el emisor y el receptor, un circuito
repetidor que compense las prdidas originadas por la atenuacin. Este dispositivo puede
ser un amplificador ptico, opera solo en el dominio ptico (no hay interconversin de
fotones a electrones) o un amplificador electrnico. Este ltimo necesita la conversin de
fotones a electrones y despus a fotones.

Modulacin

FIBRAS OPTICAS- 28
La luz. al igual que cualquier otra radiacin puede transmitir informacin de un punto a
otro del espacio. El color que luce en un semforo es capaz de controlar el trfico de toda
una ciudad. Conocemos la antigedad de una estrella por su color. La radiacin
electromagntica que se transmite a travs de billones de kilmetros hasta la Tierra nos da
informacin de la composicin exacta de una estrella. Un 90 por ciento de la informacin
que recibe un ser humano se realiza a travs de su visin, procesando en su cerebro los
billones de pixeles de que est compuesta una imagen.
Al igual que en la naturaleza, existen distintas formas de transmitir informacin
utilizando la luz. En las comunicaciones por fibras pticas, la luz ha de transmitir la
informacin procedente de una seal elctrica. De hecho los fototransmisores LED o
LASER son transductores electro-pticos, pues convierten una seal elctrica en una seal
ptica que contiene la misma informacin. De forma semejante aun micrfono que
convierte las ondas sonoras en seales elctricas.
Esta informacin puede transmitirse de distintas formas, dependiendo de los parmetros
de la luz que transmitan la informacin. Bsicamente son dos:

- Intensidad luminosa modulacin de amplitud, mediante la variacin de la
intensidad de luz generada por el emisor.
- Longitud de onda () modulacin de frecuencia, mediante variacin del color de
la luz generada por el emisor.

La tecnologa actual permite transmitir seales elctricas modulando la intensidad de
luz de una forma muy sencilla. Contrariamente a la modulacin de intensidad, la
modulacin por variacin de la longitud de onda es ms difcil de conseguir: debido a la
dificultad de obtener seales luminosas espectralmente puras y que al mismo tiempo
puedan ser moduladas en frecuencia.

Degradaciones

El tipo de modulacin ms empleado es el de amplitud, modulando la intensidad de luz
generada por el emisor. Las no linealidades de los emisores y receptores al convertir las
seales elctricas a pticas y viceversa, as como las fuentes de ruido que se sobreponen a
la seal en los sistemas tpicos de fibra ptica hacen que este sistema sea especialmente
apropiado para la transmisin de seales digitales, que corresponde a los estados de
encendido-apagado del emisor. No obstante tambin es posible transmitir seales
analgicas.
La seal ptica se propaga a travs de la fibra ptica se degrada, bsicamente, por la
atenuacin y dispersin (modal y/o cromtica). Entonces, es preciso regenerar la seal
transmitida. El mejor mtodo, hoy en da, consiste en procesar la seal de forma elctrica.
Por lo tanto, los conversores E/O y O/E son componentes indispensables en un repetidor
ptico. El amplificador e igualador de la seal elctrica son similares a los de los sistemas
de transmisin convencionales.

Seales analgicas y digitales

Al igual que en las comunicaciones que utilizan otros medios, las seales elctricas a
transmitir en un sistema de comunicaciones pticas pueden ser analgicas o digitales. En el
FIBRAS OPTICAS- 29
primer caso, las variaciones de la intensidad ptica sern continuas y proporcionales a las
variaciones de tensin de la seal elctrica. En el caso de la transmisin de seales
digitales, la luz emitida tendr unos valores discretos de intensidad.
A pesar que los sistemas pticos se suelen emplear ms para la transmisin de seales
digitales, existen tambin algunas aplicaciones importantes en el campo del vdeo y audio
donde se transmiten seales analgicas.
Cuando se transmiten seales de naturaleza analgica es especialmente necesario
polarizar adecuadamente el diodo para que la modulacin sea lineal y no se produzcan
alteraciones (distorsiones) de la seal. Ello significa que el diodo LED fotoemisor deber
de estar polarizado en una zona de mxima linealidad y que permita a la vez la mxima
profundidad de modulacin. En la figura 29 aparecen distintas polarizaciones que podran
causar una mala transmisin de la seal.


Figura 29.- Polarizaciones incorrectas en un fotoemisor LED.

Si la seal a transmitir es de naturaleza digital tambin conviene polarizar
apropiadamente el diodo, no para evitar distorsiones, sino para mejorar la respuesta
temporal transitoria del estado de encendido/apagado y apagado/encendido.

Transmisin de seales de audio

Los sonidos audibles tienen una frecuencia que oscila entre 15 y 20 kHz. Las seales
cuya frecuencia se encuentra en este intervalo se llaman seales de audiofrecuencia. No es
frecuente que los sistemas de comunicaciones por fibras pticas transmitan directamente a
estas frecuencias, pues la fibra ptica permite transmitir informacin a frecuencias ms
elevadas (del orden de GHz).
Cuando se debe transmitir seales de audio el sistema de transmisin ptico convierte
dichas seales en seales digitales que permiten transmitir cientos o miles de canales de
audio por una misma fibra.
FIBRAS OPTICAS- 30
No obstante si existen algunas aplicaciones donde se utiliza la fibra ptica como medio
de transmisin de seales de audiofrecuencia en banda base. En algunos equipos de
reproduccin de sonido de alta fidelidad como el compact disc o DVD, se utiliza la fibra
ptica para transmitir la seal de audiofrecuencia al amplificador. Con este sistema se
consigue proteger la seal de audiofrecuencia a posibles radiointerferencias y tambin
permite aumentar la longitud del enlace reproductor- amplificador sin producir un aumento
considerable de las prdidas.

FIBRAS OPTICAS- 31
TECNOLOGA

Interconexin: Empalmes y Conectores

Se utiliza el vocablo empalme cuando se refiere a una interconexin permanente, mientras
que el trmino conectivo se refiere a una interconexin temporal (desconectable). Cualquier
interconexin debe permitir el paso de la luz con las mnimas prdidas.
Generalmente, la prdidas que se producen en las interconexiones se deben a:

- Desplazamientos laterales de los ejes de las fibras
- Desalineamientos angulares
- Reflexiones

El pequeo dimetro de las fibras hace de este factor un elemento crtico. Cuando se efecta
una conexin de una fibra, con un emisor o receptor, es necesario que el ncleo de la fibra est
perfectamente alineado, con las zonas activas, para maximizar la potencia acoplada. Lo mismo es
vlido cuando se realiza la interconexin entre fibras.
Los empalmes y conectores se usan para enlaces punto a punto. Cuando hay que distribuir luz
entre varias fibras se usan los acopladores.

Empalmes

Existen varias tcnicas para los empalmes permanentes, como por ejemplo: las basadas en
adhesivos y la fusin por gas o las de fusin por arco elctrico. La ms usada es la de fusin.
Para soldar dos fibras, hay que cortar las fibras para tener superficies planas y perpendiculares
al eje. Entonces se colocan las fibras en un soporte en V y se alinean con microposicionadores.
Cuando se tiene una buena alineacin, se separan los extremos de las fibras y se hace saltar un
arco elctrico. Las fibras se acercan hasta completar el empalme.
Para fibras multimodo, ms anchas y por tanto, con menos dificultades, el proceso es bastante
automatizado. Las fibras preparadas se colocan en ranuras prealineadas y se empalman con el
proceso antes descrito.
En aplicaciones donde se requieren prdidas bajas como es en las redes telefnicas, donde las
prdidas en las uniones reducen la distancia admisible entre repetidores, las fibras necesitan estar
empalmadas. Las prdidas conseguidas en los empalmes son muy bajas. suelen ser del orden de
unas dcimas de dB.
Existen diferentes tcnicas de empalme, pero actualmente la ms utilizada es la de la fusin.
En esta tcnica, las fibras a ensamblar se unen y se calientan hasta el punto de elasticidad
produciendo la fusin. Las prdidas en un empalme mecnico son de unos 0.5 dB mientras que
los empalmes por fusin tienen prdidas de aproximadamente unos 0.2 dB. En la figura siguiente
estn descritas las distintas fases del empalme durante el proceso de fusin.

FIBRAS OPTICAS- 32
Figura 30.- Acoplamiento por fusin de dos fibras pticas.

Conectores

Los conectores pticos figura 31 pueden ser usados para unir una fibra con el elemento activo
(fotoemisor o fotorreceptor) o con otra fibra ptica.
El acoplamiento ptico, en la mayora de los conectores, se produce enfrentando las caras
previamente preparadas de las fibras pticas y mantenindolas muy juntas. Las prdidas en un
conector se producen por varios factores: mala alineacin (transversal y angular), reflexin en las
superficies aire-vidrio, separacin entre las fibras (necesaria para que no se rayen entre s),
variaciones del tamao del ncleo, de la apertura numrica de la fibra, etc.
Para conectar fibras pticas se suelen encerrar los dos extremos en vainas cilndricas de los
que solo sobresalen las caras planas de los extremos. Entonces las dos vainas se alinean en un
taladro de precisin.
Hay que proteger bien las fibras de los esfuerzos mecnicos en el cable para evitar
separaciones entre las superficies enfrentadas.



FIBRAS OPTICAS- 33

Figura 31.- Conector ptico.

En el caso de fibras de pequeo ncleo, se dispone de conectores ajustables que
permiten una gran precisin en el alineamiento. Su desventaja es que es necesario tener
acceso a los dos extremos del cable del sistema, para medir la potencia transmitida despus
de acoplar cada par de conectores.
Para minimizar los efectos de la suciedad que entra en los conectores desconectados, y
que resulta muy difcil de limpiar, se usan los conectores de haz expandido. En stos, se fija
una microlente convergente en cada fibra a unir, de forma que los extremos de la fibra
coincidan con los focos de las lentes (Figura 32). De esta forma, el haz de luz se expande,
minimizando los efectos de las partculas de suciedad y despus vuelve a converger,
formando una imagen de la fibra fuente en la fibra receptora, con idntico tamao. Adems
del efecto sobre la suciedad, este mtodo permite aumentar la distancia entre las fibras, e
incluso, interponer una ventana plana de proteccin, fcilmente limpiable, delante de cada
fibra para evitar la suciedad.
Figura 32.- Conector de haz expandido.

Acopladores

Cuando hay que distribuir la luz de una a varias fibras, se emplea un acoplador. ste
divide el foco luminoso en dos o ms partes, y las inyecta en las fibras correspondientes.
Puede hablarse de dos familias de acopladores: acopladores en T y acopladores en estrella.
FIBRAS OPTICAS- 34
Los acopladores en T distribuyen la seal de una a dos fibras, mientras que los
acopladores en estrella la distribuyen en varias fibras. Se plantean diversos problemas
debido a que se reduce la potencia ptica y de margen dinmico, pues la potencia necesaria
para llegar a los destinos ms lejanos puede ser excesiva para los ms cercanos (Figura 33).
Los acopladores en T provocan prdidas que aumentan linealmente con el nmero de
terminales, mientras que en un sistema con acopladores en estrella, las prdidas son
logartmicas.

Figura 33.- Acopladores.

Atenuadores pticos.

Ciertas medidas pticas slo pueden hacerse si se dispone de potencia ptica variable.
El control de intensidad de los diodos LED y de los lseres no ofrece suficiente margen
FIBRAS OPTICAS- 35
dinmico, a parte de que con la intensidad varan algunas caractersticas de la luz, tales
como: el diagrama de radiacin, la estructura modal e incluso la longitud de onda.
Los principales criterios de calidad de un atenuador ptico variable son:

- Margen de atenuacin
- Mnimas perdidas de insercin
- Ausencia de interferencias y reflexiones
- Independencia de la polarizacin
- Baja distorsin de haz
- Control mecnico o electrnico

Un atenuador variable sencillo se puede realizar mediante una rueda tintada segn la
escala de grises y accionada en su rotacin por un motor. La escala de grises puede
efectuarse bien por medio de una pelcula fotogrfica, o por un recubrimiento metlico de
espesor variable.
Tambin por medio de dos polarizadores se puede implementar un atenuador ptico
variable.
Existe otro tipo de atenuadores que no utilizan el control mecnico para variar su
atenuacin: por ejemplo los cristales lquidos que rotan la polarizacin de la luz
dependiendo del voltaje aplicado. Si se sita el cristal lquido entre dos polarizadores, se
puede variar electrnicamente la atenuacin.
Otra forma de obtener atenuacin puede conseguirse separando una cierta distancia las
terminaciones de dos fibras pticas (gap de aire) o provocando desalineamientos.
Tambin se presentan en le mercado atenuadores, de valor fijo, que utilizan una
tecnologa de fusin de fibra, fundamentada en la propiedad fsica natural de acoplamiento
evanescente para crear el nivel de atenuacin deseado.

Figura 34.- Escala de grises lineal.

Multiplexores por divisin de longitud de onda
FIBRAS OPTICAS- 36

Los multiplexores permiten utilizar la misma fibra para transmitir simultneamente dos
o ms seales de distintas. Los demultiplexores separan las seales de distintas A
combinadas en la misma fibra hacia las fibras individuales. Los multiplexores y
demultiplexores pueden utilizarse tanto para aplicaciones monomodo como multimodo.
Mediante la utilizacin de recubrimeintos dicroicos de alta calidad que actan como
filtros paso banda, pueden acomodarse gran diversidad de , desde 400 hasta 1600 nm.
Las principales aplicaciones de los multiplexores: bucle de abonado RDSI, vdeo
multicanal, redes LAN, redes WAN, etc.
Figura 35.- Escala de grises.


FIBRAS OPTICAS- 37
APLICACIONES

El campo de aplicacin de las fibras pticas es muy amplio y aumenta da a da. Algunas de
las aplicaciones ms importantes son:

- Telecomunicaciones: En este apartado cabe incluir la red de enlaces y la red de abonado
de las administraciones pblicas de telefona. Hay que destacar la importancia de las
fibras pticas en el contexto de la red digital de servicios integrados (RDSI).

- Redes locales y comunicacin entre ordenadores.

- Aplicaciones militares: La seguridad (secreto) que ofrecen las comunicaciones por fibra
ptica, hace que esta tecnologa sea muy apetecible en aplicaciones militares.

- Enlaces de televisin: Est especialmente indicada la utilizacin de fibras pticas en
enlaces de televisin para aplicaciones de seguridad.

- CATV: Debido fundamentalmente al ancho de banda soportado por las fibras y que stas
prcticamente, no afectan a la S/N.

- Electromedicina.

- Otros: Por su ligereza y alta capacidad de transmisin de datos, son muy tiles cuando el
peso es determinante, como por ejemplo en aviones y barcos.

Mientras que el precio del cable de cobre aumenta de ao en ao, en los sistemas de fibra
ptica la tendencia es a la inversa. Adems la investigacin en este campo es intensa y hay
continuos progresos. Por eso es previsible que en el futuro la fibra ptica se encuentre integrada
prcticamente, en todos los campos relacionados con las telecomunicaciones, electrnica. etc.

OTRAS APLICACIONES CON FIBRAS PTICAS

Un detector de corriente fibra ptica.

Inicialmente, una de las reas de mayor inters en la investigacin actual de la optoelectrnica
lo constituye una rama del programa de comunicaciones mediante fibras, el desarrollo de los
detectores de fibra ptica. El tema bsico del detector de fibra es que la luz que pasa a travs de
una fibra ptica es afectada, en alguna forma, por las condiciones externas con el cambio
consecuente en las propiedades de la luz transmitida. En algunos casos, tal vez la fibra en s no
tenga efecto alguno sobre el mecanismo de deteccin, sino que simplemente gua la luz hacia la
regin de inters.
En la figura 1 de muestra un simple detector de fibra que detecta el aforo de un recipiente. En
ausencia de lquido en el recipiente, la luz es regresada desde el extremo de la fibra, habr un
cambio en la cantidad de luz reflejada. En efecto, algo de tal luz se fugar hacia el lquido debido
al diferencial disminuido de ndice de refraccin entre la fibra y el medio circundante. Por
consiguiente, existe una cada en la cantidad de luz que regresa al detector.
FIBRAS OPTICAS- 38

Figura 1.- Detector de nivel con fibra ptica.

En la figura 2 se muestra el diagrama de algunos otros ejemplos de detectores de fibra. Las
ventajas que se obtienen mediante el empleo de tales aplicaciones son comparables, en muchos
sentidos, a las de las comunicaciones pticas. Los detectores de fibra suelen ser menos propensos
a dao a altas temperaturas que los dispositivos de medicin ordinarios, no experimentan
interferencia elctrica y, dado que no portan corriente elctrica, son intrnsecamente seguros.
Globalmente, el detector de fibra es idealmente adecuado para ser utilizado en medios peligrosos
o en zonas en las que puede haber riesgos de explosiones, como en refineras de petrleo o
fbricas de gas mar adentro, o en la industria de suministro de electricidad. Adems, debido a que
en las tcnicas de medicin pticas por lo general no se hace contacto fsico con el rea de
medicin, pueden operarse a control remoto y son no destructivas. Un listado no exhaustivo de
los parmetros fsicos que han sido monitoriados utilizando detectores de fibra es el siguiente:
temperatura, presin, deformacin, aforo de lquidos, aceleracin, rotacin, corriente, voltaje y
campos electromagnticos.








FIBRAS OPTICAS- 39


Figura 2.- Sensores tpicos de fibra.

Deteccin de corriente.

La medicin de la corriente que fluye por conductores elctricos es un rea a la que la
aplicacin de detectores de fibra puede aportar ventajas importantes. Esto es especial- mente
cierto cuando las corrientes son del orden de unos cuantos cientos de amperes, como en la
transmisin de energa elctrica. En los mtodos convencionales utilizados por las compaas de
luz para medir la corriente, se emplean transformadores voluminosos difciles de aislar y que
presentan respuestas bastante lentas a las corrientes transitorias. En contraste, las tcnicas pticas
pueden ser compactas, poco costosas y tener una respuesta rpida.
La Central Electricity Generating Board ha venido investigando desde hace algunos aos la
aplicacin de los detectores de fibra al monitoreo de corriente y voltaje en sistemas de
transmisin de energa elctrica. Aqu se analizar el funcionamiento del detector de corriente
prototipo, cuyo diagrama se muestra en la figura 3
FIBRAS OPTICAS- 40
Figura 3.- Detector de corriente de fibra ptica (adaptado de un diagrama original
publicado por CEGB).
Principios de la deteccin.

El mtodo con el cual es posible medir la luz con una fibra ptica se basa en el principio de
que la polarizacin de un haz luminoso que se desplaza a travs de un medio transparente puede
ser afectado por la introduccin de un campo magntico. Este es el efecto Faraday (figura 4). La
magnitud de la rotacin es mxima cuando la luz se desplaza en la misma direccin que el campo
magntico. El origen del efecto surge de la forma en que un campo magntico afecta la absorcin
atmica de un material. Esto conduce a una velocidad de propagacin ligeramente diferente para
luz polarizada circularmente, dependiendo de s es polarizada por la izquierda o por la derecha.
Dado que la luz linealmente polarizada puede considerarse equivalente a una combinacin de dos
componentes de sentido opuesto circularmente polarizadas, es posible observar que si una
componente se propaga ms rpido que la otra a medida que el haz se desplaza a travs del
medio, entonces habr una rotacin neta del haz polarizado.
Figura 4.- Efecto Faraday en un material magnetoptico.
Volviendo a lo que se conoce acerca de electricidad y magnetismo, se sabe que un conductor
de corriente originar un campo magntico que acta a ngulos rectos con la direccin de la
corriente (figura 5). Si una fibra ptica, que conduce un haz luminoso linealmente polarizado, es
FIBRAS OPTICAS- 41
arrollada alrededor del conductor, entonces la accin del campo magntico har girar el plano de
polarizacin del haz. El ngulo de rotacin est dado por:

= k
v
Hx

en donde kv es una constante, denominada constante de Verdet para un material dado, H es la
magnitud del campo magntico y x es la longitud de la trayectoria recorrida por el haz en el
campo magntico. La teora bsica afirma que la intensidad del campo magntico asociada con
una corriente I que fluye en un conductor est dada por:

H = I/2r

en donde r es la distancia entre el conductor y el punto de medicin de la intensidad de campo.
As, la rotacin de Faraday puede expresarse como:

= k
v
(I/2r)x

Pero x, la trayectoria recorrida por la luz, tambin ser igual a 2r si la fibra es arrollada una
vez alrededor del conductor, y por lo tanto,

= k
v
I

Suponiendo que la fibra es arrollada alrededor del conductor a distancia uniforme, la ecuacin
anterior proporciona la magnitud de la rotacin. Si alrededor del conductor hay varias vueltas de
fibra, entonces se incrementa la trayectoria del haz, se mejora la magnitud del efecto y se
compensan campos magnticos parsitos.
Experimentalmente, se encuentra que la constante de Verdet para el sistema es igual a 15.6 x
10
3
min A
-1
. As, la rotacin de Faraday para una corriente de 1000 A rms (valor medio
cuadrtico o eficaz) ser de 15.6 minutos de arco.
Figura 5.- Campo magntico alrededor de un conductor que porta corriente.


El elemento detector.

FIBRAS OPTICAS- 42
La eleccin de la fibra es crucial para el funcionamiento. Debido a que se pretende medir la
rotacin de la polarizacin, cualquier cambio natural de la condicin de polarizacin del haz a
medida que ste se propaga a lo largo de la fibra podra enmascarar el efecto que se pretende
medir. Tales materiales se denominan birrefringentes y todas las fibras presentan algn grado de
birrefringencia Intrinseca. Sin embargo, existe un punto ptimo de operacin para la fibra, que
corresponde a un plano preferido de polarizacin que debe poseer el haz incidente, de modo que
el haz de salida salga linealmente polarizado, aunque no necesariamente en el mismo plano. Esta
condicin se cumple colocando una placa de media onda enfrente de la fibra, que permite que el
plano de polarizacin de la luz incidente gire hacia el plano de polarizacin preferido por la fibra.
Existen a disposicin fibras de baja birrefringencia especialmente fabricadas, que minimizan
todos los efectos intrnsecos.
Adems, dado que la propagacin a lo largo de la fibra de ms de un modo tiende a complicar
el patrn de polarizacin, es necesario promediar la rotacin magntica. Esto acaba por
determinar la eleccin de las fibras de un modo. Aun as, siempre habr modos indeseables que
se propagan a lo largo de la fibra, debido a la emisin de algo de luz disponible hacia el
revestimiento. Tales modos indeseables pueden eliminarse haciendo pasar la fibra a travs de un
breve volumen de lquido cuyo ndice de refraccin sea mayor que el de la fibra, de manera que
los modos indeseables se acoplen y sean expulsados. En caso de que en la fibra se generen otros
modos indeseables, debido a flexin o presin, es posible conducir a divisin de modos adicional
al extremo de salida de la fibra.

Optica de emisin.

La seleccin de una fibra de un modo crea problemas a la emisin de suficiente luz a travs
de ella para producir una seal significativa en el otro extremo. Para mejorar el grado de
polarizacin hasta aproximadamente una parte en 10
4
, a travs de un prisma de polarizacin se
hace pasar un lser de HeNe que entregue una salida linealmente polarizada de 50 mW de
potencia continua. El haz es emitido hacia la fibra utilizando una lente objetivo de microscopio
de 10x de amplificacin y abertura numrica igual a 0.12. Al comparar la abertura numrica de la
lente con la de la fibra, se observar una falta de equivalencia entre ambas, dando por resultado
que slo una fraccin de luz, 0.048/0.12 = 0.40, se acople con la fibra. Sin embargo, la situacin
real no es tan mala, ya que es evidente a primera vista, debido a que el dimetro del haz lser slo
mide aproximadamente 2 mm y el dimetro de entrada de la lente mide 8 mm, entonces slo se
utiliza la cuarta parte del dimetro til de la lente. Por tanto, la abertura numrica efectiva es
aproximadamente 0.03, por lo que es posible la emisin eficiente del haz.

Optica de deteccin.

Para medir la rotacin es necesario comparar la orientacin de polarizacin relativa entre los
haces de salida y entrada. Esto se logra colectando la luz emitida mediante otro objetivo de 10x y
AN 0.12, y hacindola pasar por un prisma Wollaston. Este prisma resuelve el haz en dos
componentes separadas linealmente polarizadas perpendiculares entre s. Cada componente es
detectada por fotodetectores PIN separados, cuyas salidas se conectan a amplificadores de suma y
resta para obtener una salida proporcional a:

(I
1
I
2
) (I
1
+ I
2
)

FIBRAS OPTICAS- 43
en donde I
1
e I
2
son las fotocorrientes respectivas producidas en los diodos. Este procedimiento
es el mtodo clsico para asegurar mxima sensibilidad de salida, as como que la salida sea
independiente d las fluctuaciones en la intensidad del haz y diferencias en los detectores.
Tambin puede hacerse girar el prisma, a fin de ganar la seal de salida ptima de los detectores.
En el instrumento prototipo, para el intervalo cero y 1000 A eficaces se obtuvo una respuesta
lineal de la salida del detector contra la corriente de una barra colectora.


FIBRAS OPTICAS- 44