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Guia Ejercicios Parte 1. Semiconductores PDF
Guia Ejercicios Parte 1. Semiconductores PDF
Facultad de Ingeniería
Departamento de Electrónica y Comunicaciones
Electrónica I
Prof. César Martínez Reinoso
Guía de Ejercicios
Parte I. Semiconductores
13. Una muestra de silicio de longitud L=2cm y área de sección transversal A=1cm2 a
300°K, posee una concentración de átomos donantes de 1016cm-3 y de impurezas
aceptantes de 5*1015cm-3. Si debido a una fuente de luz en el borde de una de sus
caras, se genera un exceso de pares electrón-hueco a una concentración dos veces la
concentración inicial de huecos luego del dopaje. Las características del material
son las siguentes: movilidades μn=1350cm2/V*s y μp=480cm2/V*s, tiempos de vida
media τp=1s y τn=1,5s, longitudes de difusión Lp=15cm y Ln=20cm, coeficientes de
difusión Dn=34cm2/s y Dp=13cm2/s. Determinar:
a. La resistencia del material semiconductor justo antes de colocar la fuente de
luz.
b. Considerando el efecto de recombinación independiente de la distancia, el
tiempo que tarda la concentración de huecos y de electrones en el material
en caer al 67% de su valor inicial luego de apagar la fuente de luz.
c. Considerando el efecto de recombinación independiente del tiempo, la
densidad de corriente en la cara opuesta del material.
a. Tipo de material.
b. Densidad de carga en el material.
c. Coeficiente de Hall.
d. Concentración de electrones y huecos en el semiconductor.
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